JPH02248365A - 窒化ケイ素セラミックおよびその製法 - Google Patents
窒化ケイ素セラミックおよびその製法Info
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- JPH02248365A JPH02248365A JP2039552A JP3955290A JPH02248365A JP H02248365 A JPH02248365 A JP H02248365A JP 2039552 A JP2039552 A JP 2039552A JP 3955290 A JP3955290 A JP 3955290A JP H02248365 A JPH02248365 A JP H02248365A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011214 refractory ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
- C04B35/5935—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering obtained by gas pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高温耐熱性であり、本質的に結晶相のβ−窒
化ケイ素および安定化された立方晶系酸化ハフニウムな
らびに非晶質ガラス相からなる、窒化ケイ素セラミック
に関する。本発明はさらにこのセラミックの製法に関す
る。
化ケイ素および安定化された立方晶系酸化ハフニウムな
らびに非晶質ガラス相からなる、窒化ケイ素セラミック
に関する。本発明はさらにこのセラミックの製法に関す
る。
[従来の技術]
高温で安定である酸化ハフニウム立方晶系態種は、低温
では安定化されていない場合単斜晶系態種に戻る。純H
fO2のこの安定化は2価または3価のカチオン、たと
えばアルカリ土類元素または希土類元素のイオンによっ
て達成しうろことが知られている(クズネツォフ(A、
K、 Kuznetsov)Russ、 J、 In
org、 Chet (英訳”) 20.425 (
1975)およびスピリドノフ(P、 M、 5plr
idonov)ら。
では安定化されていない場合単斜晶系態種に戻る。純H
fO2のこの安定化は2価または3価のカチオン、たと
えばアルカリ土類元素または希土類元素のイオンによっ
て達成しうろことが知られている(クズネツォフ(A、
K、 Kuznetsov)Russ、 J、 In
org、 Chet (英訳”) 20.425 (
1975)およびスピリドノフ(P、 M、 5plr
idonov)ら。
Ru5s、 J、 Inorg、 Chew、 14.
1332 (1969))。
1332 (1969))。
Si N セラミックをN 雰囲気下にY2O3お
よびAg2O3を用いて焼結しうろことも知られている
(ハヤシ(T、 Hayashl)ら、 J、 Mat
、 Set。
よびAg2O3を用いて焼結しうろことも知られている
(ハヤシ(T、 Hayashl)ら、 J、 Mat
、 Set。
21 (198B) 3501)。
10重量%までの酸化ハフニウムおよびさらに10重世
%までの希土類元素、たとえばYまたはCeの酸化物−
焼結助剤として−を含む窒化ケイ素ボデーは欧州特許第
0.227,471号明細書から知られている。高い添
加量のこれら希土類酸化物は機械的安定性および耐熱衝
撃性に不利な影響を与えると述べられている。そこで用
いられている、10重量%を越えない量では、酸化ハフ
ニウムは高い融点をもつガラスを生じると述べられてい
る。
%までの希土類元素、たとえばYまたはCeの酸化物−
焼結助剤として−を含む窒化ケイ素ボデーは欧州特許第
0.227,471号明細書から知られている。高い添
加量のこれら希土類酸化物は機械的安定性および耐熱衝
撃性に不利な影響を与えると述べられている。そこで用
いられている、10重量%を越えない量では、酸化ハフ
ニウムは高い融点をもつガラスを生じると述べられてい
る。
また安定化されていない単斜晶系ZrO□および安定化
されたZ r O2を焼結組織中に分散した個々の結晶
粒の形で添加することにより、室温におけるSi3N4
セラミックの強度および破壊靭性が増大することも知ら
れている(ドイツ特許公開第2.751.938号明細
書;ランデ(P、 F、 Lange)ら、 J、 M
at、 Res、 2 (1987) 66) 、この
場合、強度の増大は破壊靭性の増大に基づ(ものであり
、これは転移強化、すなわちZ r O2の態種が正方
品系から単斜晶系態種に変化することにより達成される
。なおかつ、この強化機構は1000℃以下の低温にお
いてのみ作用する。HfO2と異なり、Zr、0□は焼
結中に5L3N4とも反応して窒化ジルコニウムおよび
オキシ窒化ジルコニウムを生じる。従ってZ r O2
についての結果を単純にHfO2に適用することはでき
ない。
されたZ r O2を焼結組織中に分散した個々の結晶
粒の形で添加することにより、室温におけるSi3N4
セラミックの強度および破壊靭性が増大することも知ら
れている(ドイツ特許公開第2.751.938号明細
書;ランデ(P、 F、 Lange)ら、 J、 M
at、 Res、 2 (1987) 66) 、この
場合、強度の増大は破壊靭性の増大に基づ(ものであり
、これは転移強化、すなわちZ r O2の態種が正方
品系から単斜晶系態種に変化することにより達成される
。なおかつ、この強化機構は1000℃以下の低温にお
いてのみ作用する。HfO2と異なり、Zr、0□は焼
結中に5L3N4とも反応して窒化ジルコニウムおよび
オキシ窒化ジルコニウムを生じる。従ってZ r O2
についての結果を単純にHfO2に適用することはでき
ない。
[発明が解決しようとする課題]
報告されているセラミックボデーの機械的強度はなお必
ずしもきわめて高くはないので、改良された機械的特性
をもつ窒化ケイ素体を提供することが0的であった。
ずしもきわめて高くはないので、改良された機械的特性
をもつ窒化ケイ素体を提供することが0的であった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、窒化ケイ素セラミックの機械的特性は酸化ハ
フニウムが11〜70重量%の量で結晶質立方晶系Hf
O□の形において存在する場合に有利な影響を受けると
いう知見に基づく。酸化ハフニウムの立方晶系態種はマ
グネシウム、イツトリウムおよび/または希土類元素(
SlからYbまで)の酸化物の添加により安定化しうる
。
フニウムが11〜70重量%の量で結晶質立方晶系Hf
O□の形において存在する場合に有利な影響を受けると
いう知見に基づく。酸化ハフニウムの立方晶系態種はマ
グネシウム、イツトリウムおよび/または希土類元素(
SlからYbまで)の酸化物の添加により安定化しうる
。
従って本発明は、耐熱性であり、少なくとも25重世%
の結晶質β−窒化ケイ素および非晶質ガラス相を含む多
相セラミックにおいて、セラミックが11〜70重量%
の結晶質立方晶系酸化ハフニウムを含み、ガラス相がケ
イ素ならびにマグネシウム、イツトリウムおよび/また
は希土類元素(Smからybまで)のうち少なくとも1
種の元素、ならびに場合によりアルミニウムを含有する
ものに関する。
の結晶質β−窒化ケイ素および非晶質ガラス相を含む多
相セラミックにおいて、セラミックが11〜70重量%
の結晶質立方晶系酸化ハフニウムを含み、ガラス相がケ
イ素ならびにマグネシウム、イツトリウムおよび/また
は希土類元素(Smからybまで)のうち少なくとも1
種の元素、ならびに場合によりアルミニウムを含有する
ものに関する。
酸化ジルコニウムについて知られている窒化ケイ素との
反応の問題はこのセラミックにおいては起こらない。前
記刊行物(ドイツ特許公間第2,751.938号明細
書)に記載されるような、ZrO2またはHfO2の分
散組織結晶粒が正方品系から単斜晶系態種へ変換する際
の転移強化による強度の増大は、本発明のセラミックに
おいては何ら役割を果たさない。焼結に際して生成する
立方晶系酸化ハフニウムは、酸化物または酸化物前駆体
の形のマグネシウム、イツトリウムおよび/または希土
類元素の添加によって完全に安定化される。新規な多相
セラミックのガラス相含量は10重量%を越えず、好ま
しくは5重量%以下である。ガラス相中のアルミニウム
は立方晶系HfO2相の安定化に関与しない。
反応の問題はこのセラミックにおいては起こらない。前
記刊行物(ドイツ特許公間第2,751.938号明細
書)に記載されるような、ZrO2またはHfO2の分
散組織結晶粒が正方品系から単斜晶系態種へ変換する際
の転移強化による強度の増大は、本発明のセラミックに
おいては何ら役割を果たさない。焼結に際して生成する
立方晶系酸化ハフニウムは、酸化物または酸化物前駆体
の形のマグネシウム、イツトリウムおよび/または希土
類元素の添加によって完全に安定化される。新規な多相
セラミックのガラス相含量は10重量%を越えず、好ま
しくは5重量%以下である。ガラス相中のアルミニウム
は立方晶系HfO2相の安定化に関与しない。
新規なセラミックは、10重量%までのHfO2を含有
する欧州特許出願A 2−227.471号明細書によ
る窒化ケイ素セラミックの組織とはその組織の点でも異
なる。その組織にはより高い酸化ハフニウム含量、およ
び立方品系態種の酸化ハフニウムの安定化に必要な、よ
り高い5〜20重量%の含量の元素Mg、Yおよび/ま
たは希土類元素(Smからybまで)の酸化物が関与す
る。ガラス相をエツチングにより除去したのち、(セラ
ミックを電子顕微鏡下で艶出し研削した際)その組織が
長い針状晶(β−8iaN4)からなり、これらが互い
にからまり、一部は酸化ハフニウムのコヒーレントマト
リックスによって互いに保持されていることが認められ
る。X線スペクトルは、酸化ハフニウムが立方晶系の安
定化された形において結晶状で存在することを示す。窒
化ケイ素針状品の平均伸長度は5〜10である。5ia
N4針状品を囲む結晶質酸化ハフニウムは、針状晶間に
分散する個々の酸化ハフニウム結晶粒より高い強度を生
じると思われる。本発明の場合、立方品系態種の酸化ハ
フニウムが適切に安定化されるので、態種の変化に基づ
く内部応力は生じない。酸化ハフニウム含量が高いこと
は焼結に際して圧縮を助成する。酸化ハフニウムは焼結
後に必ずしも完全には結晶化していないので、これによ
って耐熱性が損われることはない。焼結添加物として添
加されるマグネシウム、イツトリウムおよび/または希
土類元素の酸化物の少なくとも一部は、焼結過程で酸化
ハフニウムにより取込まれて混晶を形成する(Hfに対
し10原子%まで)。この機構の結果、非晶質の粒子間
ガラス相の含量が低下する。この相は耐熱性にとっては
有用でない。SmからYbまでの希土類元素のみが必要
である。希土類元素Dy、Ho、Erおよびybが特に
好ましい。
する欧州特許出願A 2−227.471号明細書によ
る窒化ケイ素セラミックの組織とはその組織の点でも異
なる。その組織にはより高い酸化ハフニウム含量、およ
び立方品系態種の酸化ハフニウムの安定化に必要な、よ
り高い5〜20重量%の含量の元素Mg、Yおよび/ま
たは希土類元素(Smからybまで)の酸化物が関与す
る。ガラス相をエツチングにより除去したのち、(セラ
ミックを電子顕微鏡下で艶出し研削した際)その組織が
長い針状晶(β−8iaN4)からなり、これらが互い
にからまり、一部は酸化ハフニウムのコヒーレントマト
リックスによって互いに保持されていることが認められ
る。X線スペクトルは、酸化ハフニウムが立方晶系の安
定化された形において結晶状で存在することを示す。窒
化ケイ素針状品の平均伸長度は5〜10である。5ia
N4針状品を囲む結晶質酸化ハフニウムは、針状晶間に
分散する個々の酸化ハフニウム結晶粒より高い強度を生
じると思われる。本発明の場合、立方品系態種の酸化ハ
フニウムが適切に安定化されるので、態種の変化に基づ
く内部応力は生じない。酸化ハフニウム含量が高いこと
は焼結に際して圧縮を助成する。酸化ハフニウムは焼結
後に必ずしも完全には結晶化していないので、これによ
って耐熱性が損われることはない。焼結添加物として添
加されるマグネシウム、イツトリウムおよび/または希
土類元素の酸化物の少なくとも一部は、焼結過程で酸化
ハフニウムにより取込まれて混晶を形成する(Hfに対
し10原子%まで)。この機構の結果、非晶質の粒子間
ガラス相の含量が低下する。この相は耐熱性にとっては
有用でない。SmからYbまでの希土類元素のみが必要
である。希土類元素Dy、Ho、Erおよびybが特に
好ましい。
生成したガラス相は、ケイ素、ならびにイツトリウム、
マグネシウムおよび/または希土類元素(S11からY
bまで)のうち少なくとも1種の元素、ならびに場合に
よりアルミニウムを含Hするオキシ窒化物からなると思
われる。
マグネシウムおよび/または希土類元素(S11からY
bまで)のうち少なくとも1種の元素、ならびに場合に
よりアルミニウムを含Hするオキシ窒化物からなると思
われる。
新規な多相セラミックは25〜85重量%のβSiN、
11〜70重量%のHfO2、ならびに5〜20重量%
のマグネシウム、イツトリウム、アルミニウムおよび/
または希土類元素(それぞれ酸化物として計算)を含有
することが好ましい。
11〜70重量%のHfO2、ならびに5〜20重量%
のマグネシウム、イツトリウム、アルミニウムおよび/
または希土類元素(それぞれ酸化物として計算)を含有
することが好ましい。
好ましい酸化ハフニウム含量は15〜70重量%、特に
20〜70重世%である。40〜70重口%のβSiN
、20〜40重量%のHfO2および5〜20重量%の
焼結補助元素の酸化物、殊に50〜70重量%のβ−8
i3N4.20〜30重量%の酸化ハフニウムおよび5
〜20重量%の焼結補助元素の酸化物を含有するセラミ
ックが特に好ましい。酸化ハフニウム/焼結補助元素の
酸化物の重量比は好ましくは1:1〜3:1、特に2:
1〜3:1である。
20〜70重世%である。40〜70重口%のβSiN
、20〜40重量%のHfO2および5〜20重量%の
焼結補助元素の酸化物、殊に50〜70重量%のβ−8
i3N4.20〜30重量%の酸化ハフニウムおよび5
〜20重量%の焼結補助元素の酸化物を含有するセラミ
ックが特に好ましい。酸化ハフニウム/焼結補助元素の
酸化物の重量比は好ましくは1:1〜3:1、特に2:
1〜3:1である。
上記の強化された耐熱性セラミックは低ハフニウム含量
の類似製品にも採用しうる方法により製造することがで
きる。窒化ケイ素および酸化ハフニウムからなる耐熱性
多相セラミック造形品を製造するためのこの方法は、2
5〜85重世%のα−窒化ケイ素、11〜70重量%の
単斜晶系酸化ハフニウム、ならびに5〜20重量%の、
マグネシウム、イツトリウムおよび希土類元素(S朧か
らYbまで)よりなる群のうち少なくとも1種の酸化物
、またはこの酸化物の前駆体の粉末状混合物を調製し、
この混合物を造形してボデーとなし、そしてこのボデー
を窒素雰囲気下に、1700〜2000℃で焼結して密
なセラミックを得ることよりなる。用いた酸化物(およ
び5i3N4)の含量は得られたセラミックボデーのも
のに相当する。
の類似製品にも採用しうる方法により製造することがで
きる。窒化ケイ素および酸化ハフニウムからなる耐熱性
多相セラミック造形品を製造するためのこの方法は、2
5〜85重世%のα−窒化ケイ素、11〜70重量%の
単斜晶系酸化ハフニウム、ならびに5〜20重量%の、
マグネシウム、イツトリウムおよび希土類元素(S朧か
らYbまで)よりなる群のうち少なくとも1種の酸化物
、またはこの酸化物の前駆体の粉末状混合物を調製し、
この混合物を造形してボデーとなし、そしてこのボデー
を窒素雰囲気下に、1700〜2000℃で焼結して密
なセラミックを得ることよりなる。用いた酸化物(およ
び5i3N4)の含量は得られたセラミックボデーのも
のに相当する。
上記の焼結補助用添加物のほかに0〜4重量%のAg2
O3またはAIN<全バッチに対し)を添加することも
できる。
O3またはAIN<全バッチに対し)を添加することも
できる。
分析的に純粋な酸化ハフニウムの代わりに、少量の酸化
ジルコニウムにより汚染された工業用酸化ハフニウムを
用いることもできる。
ジルコニウムにより汚染された工業用酸化ハフニウムを
用いることもできる。
マグネシウム、イツトリウムおよび/または希土類元素
の酸化物の代わりに、焼結条件下で(またはそれ以前に
既に)酸化物に変化する化合物を酸化物前駆体として用
いることができる。これらには、たとえば水酸化物、硝
酸塩、亜硝酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩および炭酸塩が含
まれる。
の酸化物の代わりに、焼結条件下で(またはそれ以前に
既に)酸化物に変化する化合物を酸化物前駆体として用
いることができる。これらには、たとえば水酸化物、硝
酸塩、亜硝酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩および炭酸塩が含
まれる。
成分は乾燥状態で、または液相、たとえば有機溶剤たと
えばエタノール、イソプロパツールもしくはヘキサンの
存在下で混合される。
えばエタノール、イソプロパツールもしくはヘキサンの
存在下で混合される。
好ましくは、窒化ケイ素、酸化ハフニウムおよび焼結補
助元素(酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含
む)を溶剤中に分散し、混合し、激しく粉砕する。次い
でこの粉末懸濁液を、たとえば噴霧乾燥器で乾燥させる
。得られた均質な粉末混合物をプレス法により、または
液相で希釈したのちスリップコーティング法もしくは射
出成形法によりセラミック生ボデーに造形する。焼結中
の窒素圧は通常は0.1−10MPaである。
助元素(酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含
む)を溶剤中に分散し、混合し、激しく粉砕する。次い
でこの粉末懸濁液を、たとえば噴霧乾燥器で乾燥させる
。得られた均質な粉末混合物をプレス法により、または
液相で希釈したのちスリップコーティング法もしくは射
出成形法によりセラミック生ボデーに造形する。焼結中
の窒素圧は通常は0.1−10MPaである。
本発明を下記の例によってより詳細に説明する。
例
α−813N4 (α−態種98%およびβ−態種2%
、平均結晶粒径d50 = 0 、74) m)、各種
の焼結補助元素の酸化物および場合により酸化アルミニ
ウム(d 5o= 0.7 fIm)の粉末混合物を調
製した。
、平均結晶粒径d50 = 0 、74) m)、各種
の焼結補助元素の酸化物および場合により酸化アルミニ
ウム(d 5o= 0.7 fIm)の粉末混合物を調
製した。
重量比および混合比を表に示す。
これらの混合物を200 gのバッチで摩砕ミル中にお
いて2時間、酸化アルミニウムの粉砕用ビーズおよび溶
剤としてのイソプロパツールを用いて激しく混合および
粉砕した。得られた粉砕懸濁液を2(IQ fllの篩
で分離し、イソプロパツールのストリッピングにより乾
燥させた。得られた均質な製品を乾燥状態で16ON
ffメツシュ幅の篩により篩別し、次いで300MPa
下で均衡にプレスして生ボデーとなした。次いで焼結の
ため生ボデーを窒素雰囲気下に(圧カニ〇、1MPa)
1時間かけて1800℃に加熱し、この温度に1時間
保持し、次いで3時間かけて再び室温に冷却した。
いて2時間、酸化アルミニウムの粉砕用ビーズおよび溶
剤としてのイソプロパツールを用いて激しく混合および
粉砕した。得られた粉砕懸濁液を2(IQ fllの篩
で分離し、イソプロパツールのストリッピングにより乾
燥させた。得られた均質な製品を乾燥状態で16ON
ffメツシュ幅の篩により篩別し、次いで300MPa
下で均衡にプレスして生ボデーとなした。次いで焼結の
ため生ボデーを窒素雰囲気下に(圧カニ〇、1MPa)
1時間かけて1800℃に加熱し、この温度に1時間
保持し、次いで3時間かけて再び室温に冷却した。
例1〜5の焼結試料についてのX線回折により、HfO
□が立方品系態種であることが証明された。例4および
5の試料には一般式A (SiO4)3Nx (式中
、X−約1.4+x A=Hoまたはyb)の結晶質アパタイトも検出された
。こうして得られた多相窒化ケイ素セラミックの強度を
上記の表にまとめた。
□が立方品系態種であることが証明された。例4および
5の試料には一般式A (SiO4)3Nx (式中
、X−約1.4+x A=Hoまたはyb)の結晶質アパタイトも検出された
。こうして得られた多相窒化ケイ素セラミックの強度を
上記の表にまとめた。
例6および7は比較例である。
すべての例においてガラス相の含量は10重量%以下(
5容量%以下に対応する)であった。
5容量%以下に対応する)であった。
これらの例は、10重量%を越えるHfO3を含有する
バッチにおいて曲げ強さが著しく増大したことを示す。
バッチにおいて曲げ強さが著しく増大したことを示す。
Claims (9)
- 1.高温耐熱性であり、25〜85重量%の結晶質β−
窒化ケイ素および非晶質ガラス相を含む多相セラミック
において、セラミックが11〜70重量%の結晶質立方
晶系HfO_2を含み、ガラス相がケイ素のほかにマグ
ネシウム、イットリウムおよび/または希土類元素のう
ち少なくとも1種の元素を含むセラミック。 - 2.ガラス相が、ケイ素、ならびにイットリウム、マグ
ネシウムまたはSmからYbまでの希土類元素のうち少
なくとも1種の元素を含む非晶質オキシ窒化物ガラスか
らなる、請求項1に記載のセラミック。 - 3.式A_4_+_x(SiO_4)_3N_x(式中
、xは約1であり、AはYまたはSmからYbまでの希
土類元素である)の結晶質アパタイトをも含む、請求項
1に記載のセラミック。 - 4.結晶質立方晶系酸化ハフニウムがMg,Y,または
SmからYbまでの希土類元素のうち少なくとも1種の
元素の酸化物との混晶として存在する、請求項1に記載
のセラミック。 - 5.Si_3N_4およびHfO_2から出発して高温
耐熱性の多相窒化ケイ素セラミックを製造する方法にお
いて、25〜85重量%の粉末状α−窒化ケイ素、11
〜70重量%の単斜晶系HfO_2または酸化ハフニウ
ム前駆体、ならびに5〜20重量%の、マグネシウム、
イットリウムおよび/または希土類元素(SmからYb
まで)のうち少なくとも1種の元素の酸化物、または当
量の対応する酸化物前駆体の混合物を調製し、この混合
物を造形してボデーとなし、そしてこのボデーを窒素雰
囲気下に1700〜2000℃で焼結して密なセラミッ
クを得ることよりなる方法。 - 6.焼結中の窒素圧が0.1〜10MPaである、請求
項5に記載の方法。 - 7.混合物が0〜4重量%のAl_2O_3またはAl
Nを付加的な焼結用添加物として含む、請求項5に記載
の方法。 - 8.ガラス相がアルミニウムを含む、請求項1に記載の
セラミック。 - 9.式A_4_+_x(SiO_4)_3N_x(式中
、xは約1であり、AはYまたはSmからYbまでの希
土類元素である)の結晶質アパタイトをも含む、請求項
2に記載のセラミック。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3905271.0 | 1989-02-21 | ||
DE3905271A DE3905271A1 (de) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | Siliziumnitrid-keramik und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02248365A true JPH02248365A (ja) | 1990-10-04 |
JP2914387B2 JP2914387B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=6374575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2039552A Expired - Lifetime JP2914387B2 (ja) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | 窒化ケイ素セラミックおよびその製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5059565A (ja) |
EP (1) | EP0384342B1 (ja) |
JP (1) | JP2914387B2 (ja) |
DE (2) | DE3905271A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362066A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Toshiba Corp | セラミックス焼結体の製造方法 |
JP2004161602A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-06-10 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Hf2および第2の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法 |
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US5518673A (en) * | 1993-10-14 | 1996-05-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Silicon nitride ceramic having high fatigue life and high toughness |
EP2691354A4 (en) * | 2011-03-29 | 2014-10-29 | Saint Gobain Ceramics | CERAMIC PARTICLES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
EP3404405A1 (de) | 2017-05-18 | 2018-11-21 | Heraeus Sensor Technology GmbH | Sensor zur bestimmung von gasparametern |
EP3409467B1 (de) | 2017-05-30 | 2019-07-03 | Heraeus Nexensos GmbH | Heizer mit einem co-gesinterten mehrschichtenaufbau |
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DE3423573A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-09 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Polykristalline sinterkoerper auf basis von siliciumnitrid und sinteradditiven |
US4650498A (en) * | 1984-12-14 | 1987-03-17 | Gte Laboratories Incorporated | Abrasion resistant silicon nitride based articles |
US4640902A (en) * | 1985-05-31 | 1987-02-03 | Rockwell International Corporation | Low thermal conductivity Si3 N4 /ZrO2 composite ceramics |
EP0219885A3 (en) * | 1985-10-25 | 1988-03-23 | Sumitomo Electric Industries Limited | Sintered silicon nitride having improved density and mechanical strength and process for producing the same |
JPS62153169A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体 |
JPS62207765A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-12 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体 |
US4920085A (en) * | 1987-04-02 | 1990-04-24 | Kyocera Corporation | Silicon nitride sintered body and process for preparation thereof |
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US4883776A (en) * | 1988-01-27 | 1989-11-28 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
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1989
- 1989-02-21 DE DE3905271A patent/DE3905271A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-02-16 US US07/481,358 patent/US5059565A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-19 EP EP90103126A patent/EP0384342B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-19 DE DE90103126T patent/DE59003493D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-20 JP JP2039552A patent/JP2914387B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH04362066A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Toshiba Corp | セラミックス焼結体の製造方法 |
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JP4614639B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2011-01-19 | アイメック | Hf含有組成物の誘電率(k値)増進 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP0384342A1 (de) | 1990-08-29 |
US5059565A (en) | 1991-10-22 |
DE3905271A1 (de) | 1990-08-23 |
JP2914387B2 (ja) | 1999-06-28 |
DE59003493D1 (de) | 1993-12-23 |
EP0384342B1 (de) | 1993-11-18 |
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