JPH01105326A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。

従来の技術 高分子フィルム上に直接又は下地層を介し電子ビーム蒸
着法でＧｏ−Ｎｉを斜め蒸着したいわゆ２ベーヅ る蒸着テープは、蒸着時に酸素ガスを導入することで電
磁変換特性、耐久性、耐食性の向上をはかっている〔例
えばアイイーイーイー　トランザクションズ　オン　マ
グネティクス（Ｉ［］ＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏ
ｎ　Ｍａ（ｎｅｔｉｃｓ）　ｖｏｌｌＩＭＡＧ　−２０
、Ｎｏ−５，Ｐ、Ｐ、８２４−８２６（１９８４）参照
］。更に一層の耐久性向上をはかるひとつの方法は、磁
気記録層の微細凹凸化である〔アイイーイーイー　トラ
ンザクションズ　オン　マグネティクス　ｖｏｌ：、Ｍ
ＡＧ−２１，Ｐ、Ｐ、１５２４〜１５２６（１９８５）
）。加えて、保護膜、潤滑剤との数多くの組み合わせが
検討されるなかでダイアモンド状硬質炭素薄膜を含めア
モルファスカーボン薄膜の保護効果が注目されている〔
電子通信学会、磁気記録研究会資料、ＭＲｓｓ−ｓｅ（
１９８６）、特開昭６１−１４２５２５号公報特開昭６
１−１２６６２７号公報等〕。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の方法で硬質カーボン膜を形成した
とき、強磁性金属薄膜が部分酸化膜の場３Ａ−７ 合を含め高密度記録性能が期待されているＧｏ　−Ｏｒ
　、　　Ｇｏ　−０ｒ−Ｎｌ）等の垂直磁化膜の場合に
も、保護効果を高めようとすると、膜厚が厚くなるため
、短波長でのスペーシング損失が問題となり、改善が望
まれていた。

本発明は上記した事情に鑑みなさ扛たもので耐久性を確
保した上でスペーシング損失の小さな磁気記録媒体を製
造する方法を提供することを目的とするものである。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するため本発明の磁気記録媒体の製造
方法は、移動する高分子フィルム等の基板上の強磁性金
属薄膜に近接させて、開孔部をもつ反応管を配し、開孔
部近傍にグラファイト電極、炭火水素系ガス導入部に加
速電極を配し、グラファイト電極に対し加速電極が正電
位になるよう保持した状態でグロー放電を誘起せしめ炭
素皮膜を形成するようにしたものである。

作用 上記製造方法により、炭化水素系の放電ガスがグロー放
電によりカーボンと水素に分解され、−部はカーボンイ
オンおよび水素イオンとしても存在する。これらのイオ
ンは、グラファイト電極に対し、スパッタリング作用を
もち、そのスパッタ作用で得られる炭素は、強磁性金属
薄膜に近い位置で生成されるので、エネルギーを失わず
に薄膜上に堆積していく。その結果良質の欠陥の少ない
炭素皮膜となることから、膜厚が薄くなっても十分な保
護効果のある炭素皮膜を与えることが出来るようになる
。

実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の実施例について説
明する。図は本発明の製造方法を実施するのに用いた薄
膜形成装置の要部構成図である。

図において、１は処理基板で、高分子フィルム上に直接
あるいは、微粒子塗布層を介して、Ｇｏ　−Ｎｉ、　Ｃ
ｏ　−Ｎｉ−０，Ｇｏ−Ｃｒ等の強磁性金属薄膜を電子
ビーム蒸着法、高周波スパッタリング法等で形成したも
のである。２は巻出し軸、３は巻取り軸、４は反応管で
、その開孔部は、強磁性金属６Ａ−ノ 薄膜に近接して対向して設けられ、開孔部内の開口端部
に内周に沿ってリング状のグラファイト電極５が配設さ
れ、メツシュ状加速電！６が、ガス導入部７側に配設さ
ｎている。メツシュ状加速電極６とグラファイト電極５
間には直流電源８を接続しグラファイト電極５に対し、
メツシュ状加速電極６を正電位に保つようにする。９は
真空槽、１ｏは真空排気系、１１は炭化水素系ガス導入
調節弁、１２は高周波コイルである。

図に示した装置を用いて本発明の製造方法によシ製造し
た磁気記録媒体について以下に比較例との対比しながら
説明する。

あらかじめ厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレート
上に直径１００人のム１２０３を１　ｑ／ｐ　ｍ配し、
その後、このフィルムを直径１ｍの円筒キャンに沿わせ
て、最小入射角４４度、５×１ｏ−５Ｔｏｒｒの酸素分
圧下でＧｏ　−Ｎｉ　（Ｃｏ　：　８０ｗｔ％）を電子
ビーム蒸着し、０．１μｍのＣｏ　−Ｎｉ−０膜を配し
た処理基板を準備し、真空槽をあらかじめ１０　’Ｔｏ
ｒｒに排気したのち、メタン６ヘージ ガスを導入し、高周波コイルに１３．５６ＭＨｚの高周
波を印加し、０．０５　ＴＯｒｒで高周波グロー放電を
誘起し、グラファイト電極５と加速電極６０間に８５０
Ｖを印加した状態で、硬質炭素薄膜を１００Ａ形成した
。その上に真空蒸着法によりパーフルオロオクタン酸を
５ＯＡ形成し８ミリ幅の磁気テープとした。一方、比較
例として、グラファイト電極を取シ除いた状態で、加速
電極に正電圧８５０Ｖを印加し、同じグロー放電条件で
、硬質炭素薄膜を２０ＯＡ形成し、その上に真空蒸着法
によＪ）　パーフルオロオクタン酸を５ＯＡ形成し、８
ミリ幅の磁気テープとした。

両者のテープを８ミリビデオデツキを改造し、キャリア
周波数を５μｍ２から７ＭＨｚにあげ、Ｃ／Ｎを比較し
た。

初期のＣ／Ｎは比較例に対し、実施例が２．１ｄＢ良好
で、４０’０５％ＲＨでの繰シ返し走行で３００回目の
再生Ｃ／Ｎは、実施例が１　ｄＢ以内の低下であったが
比較例は１．５ｄＢｃ／Ｎが低下した。

上記した特性低下の傾向は、Ｇ　ｏ　−Ｏｒ垂直磁化７
へ−７ 膜では更に広がり、実施例の方法によ扛ば、１５０ムで
保護効果が実用水準といえるが、比較例は３５０Ａと必
要厚みが大きくなる。これはスペーシング損失が大きく
なることに起因したものである。なお本実施例ではグラ
ファイト電極はリング状としたが、反応管内周に複数個
の電極を配設する構成としてもよい。

発明の効果 以上のように本発明によれば、スペーシング損失の少い
、短波長記録に適した耐久性の良好な磁気記録媒体を製
造できるといったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明を実施するのに用いた薄膜形成装置の要部構
成図である。 １・・・・・・処理基板、４・・・・・・反応管、５・
・・・・・グラファイト電極、６・・・・・・加速電極
。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名（−
−一処を基沃 ４−及胞菅 ６−一一一デラファイト捕ｒ３呪 ６゛−−−η０鷲にン瞠ｔ′Ｊ過七

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 移動する基板上の強磁性金属薄膜に出力側開口部を近接
   対向させた反応管を備え、前記反応管は開口部の内側端
   部に配設されたグラファイト電極と、炭化水素系ガス導
   入部に配設された加速電極とを有し、前記グラファイト
   電極に対して前記加速電極を正電位に保持した状態でグ
   ロー放電を誘起させ、前記強磁性金属薄膜上に炭素被膜
   を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。