JPH09219482A - 半導体装置の位置決め装置及びダムバー切断装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置の製造時における位置決めを、半導
体装置の品種や製造条件に拘らず高精度かつ短時間に行
うことができ、厳しい加工精度の要求に対応できる半導
体装置の位置決め装置及びダムバー切断装置を提供す
る。 【解決手段】検出光を照射しながら検出位置を位置決め
用穴３を横切って走査させ、その検出光の反射光をもと
に位置決め用穴３の大きさや位置に対応する矩形波信号
Ｔをコンパレータ１４から発生させ、矩形波信号Ｔの立
ち上がりから立ち下がりまでの時間におけるエンコーダ
１０ａからのパルス信号のパルス数をカウンタ回路１７
でカウントし、補正演算回路１８でそのカウント数と設
計値に基づく値とから位置決め用穴３の大きさや位置の
誤差を求める。そして、この誤差をもとにＸＹテーブル
１０、θテーブル１９の補正値を求め、位置補正を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームお
よび半導体チップを樹脂モールドで封止した半導体装置
を製造するに際し、半導体装置の位置決めを行う半導体
装置の位置決め装置、およびその位置決め装置を備えた
ダムバー切断装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からの半導体装置用リードフレーム
の一般的な製造方法としては、写真焼付現像技術におけ
る腐食処理を利用したエッチング加工や、プレス用の型
を用いて打ち抜きを行うプレス加工などが知られてい
る。これらは両者とも能率が高くしかも精度の良い加工
方式である。

【０００３】一般に、リードフレームには、２個以上の
同じ半導体装置を並べて制作できるように、半導体装置
に必要なリードパターンが等間隔に形成される。このよ
うなリードフレームを用いた半導体装置の製造において
は、チップ状に切断し半導体チップ（シリコンウエハー
等）がリードフレームに搭載され、半導体チップの端子
とリードフレームのインナーリードとがワイヤーボンデ
ィング等により電気的に接続され、樹脂モールドによっ
て上記半導体チップ及びインナーリードが封止される。
この樹脂モールドによる封止後、リード間に設けられた
樹脂モールド堰止め用のダムバーが除去され、各々の半
導体装置が個々に分離され、アウターリードの折り曲げ
加工が行われる。

【０００４】上記のうち、ダムバーの除去に用いて好適
なレーザ加工装置またはレーザ加工方法に関する従来技
術としては、特開平６−１４２９６８号公報に記載のも
のがある。この従来技術では、加工位置近傍における被
加工物の有無を検出して対応する検出信号を発生する検
出手段と、その検出信号に基づいて矩形波信号を発生す
る矩形波信号発生手段と、その矩形波信号に基づいたタ
イミングでパルスレーザ光が照射されるようパルスレー
ザ光の発振を制御する制御手段とを備えたレーザ加工装
置が開示されている。

【０００５】半導体装置が個々に切り離されるまでは複
数の半導体装置を搭載したリードフレームのままで各工
程が順次実施される。この各工程においては、例えば図
１１に示すように、リードフレーム製造時にその外周部
に設けておいた位置決め用ピン穴５２に、リードフレー
ム取付治具５０に設けられた位置決めピン５１を挿入す
ることによって各半導体装置とリードフレームの据え付
け位置が決定され、リードフレームおよび半導体装置の
微妙な位置ずれを補正することも可能となる。この位置
決め用ピン穴５２は、各半導体装置毎に決められた少な
くとも２つの位置（半導体装置の対角線上に設けられる
ことが多い）に開けられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の小型
化や高性能化を実現するため、半導体チップの高集積
化、小型化がますます進行しており、４方向からリード
（端子）が延びるＱＦＰ型半導体装置などのリードフレ
ームを用いた半導体装置では、多ピン化や狭ピッチ化が
要求されてきている。この多ピン化や狭ピッチ化を進め
る上ではこれまで以上に半導体装置各部の加工精度が厳
しくなってきており、それに伴って前述のリードフレー
ムおよび半導体装置の位置決め時にも高い精度が要求さ
れてきている。

【０００７】しかしながら、上述のリードフレームおよ
び半導体装置の位置決め方法では、リードフレーム上の
位置決め用ピン穴５２とその相手側となる位置決めピン
５１との間で機械的な抜き差しが行われるため、両者間
のクリアランスが最小でも２０μｍ程度以上は必要であ
り、しかも位置決めピン５１の抜き差しの繰り返しによ
って位置決め用ピン穴５２或いは位置決めピン５１に摩
耗が生じる。そして、このクリアランスや摩耗と、リー
ドフレーム製造時に不可避の位置決め用ピン穴５２の寸
法公差、或いは製造装置の機械的なガタなどが累積され
ると、リードフレームおよび半導体装置の据え付け位置
が本来の位置から大きくずれ、位置決め精度が大きく低
下する可能性がある。

【０００８】また、上記のような従来の位置決め方式で
は、位置決め精度を確保するため、製造すべき半導体装
置の品種やサイズが変わる毎にそれに対応して位置決め
ピン５１の径や位置変更や調整、或いはリードフレーム
取付治具５０そのものの入れ替えが必要となってしま
う。従って、製造時間の延長および生産性の低下、及び
治具等の部品点数増加によるコスト増大などの問題が生
じてくる。

【０００９】本発明の目的は、半導体装置の製造時にお
ける位置決めを半導体装置の品種や製造条件に拘らず高
精度かつ短時間に行うことができ、厳しい加工精度の要
求に対応できる半導体装置の位置決め装置及びダムバー
切断装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームおよび半導体チッ
プを樹脂モールドで封止した半導体装置を製造するに際
し、加工を行う位置に前記半導体装置を位置決めする半
導体装置の位置決め装置において、検出光を前記リード
フレーム表面に照射する検出光発生手段と、そのリード
フレームを上記検出光に対して相対的に移動させ検出光
の照射位置をリードフレームに予め設けたマークを横切
って走査させる移動手段と、その移動手段によるリード
フレームの移動量を測定する移動量測定手段と、前記マ
ークによる前記検出光の反射光の強弱を検出してその反
射光の強弱に対応する検出信号を発生する検出手段と、
その検出信号に基づいた前記マークの大きさと前記移動
量測定手段で測定した移動量とから上記マークの寸法を
算出し半導体装置の位置決め誤差を求める演算手段と、
前記位置決め誤差に基づいて上記半導体装置の位置を補
正する位置補正手段とを有することを特徴とする半導体
装置の位置決め装置が提供される。

【００１１】上記のように構成した本発明においては、
検出発生手段からリードフレーム表面に検出光を発生さ
せながら移動手段によってリードフレームを検出光に対
して相対的に移動させ、上記検出光の照射位置をリード
フレームに予め設けたマークを横切るように走査させ
る。そして、検出手段によって、上記マークによる検出
光の反射光の強弱を検出し、その強弱に対応する検出信
号を発生させる。この検出信号は、マークの実際の形状
や大きさを正確に反映している。なお、リードフレーム
に予め設けるマークは、従来リードフレーム外周部に設
けられていた位置決め用ピン穴に相当するものである
が、必ずしも貫通した穴である必要はなく、検出光によ
って光学的に判別できるものであれば止まり穴や塗料の
塗布によるマークとしてもよい。

【００１２】一方、移動手段によるリードフレームの移
動量を移動量測定手段によって測定し、この移動量と、
前述の検出信号の強弱の幅とを用いて演算手段で演算を
行うことにより、実際のマークの大きさや位置の誤差を
正確に求められ、半導体装置の位置決め誤差が高精度か
つ短時間に求められる。さらに、上記位置決め誤差に基
づいて位置補正手段で半導体装置の位置を補正すること
により、半導体装置の品種や製造条件に拘らず高精度か
つ短時間に位置決めを行うことが可能となる。

【００１３】また、上記のような半導体装置の位置決め
装置をダムバー切断装置に取り付けてもよい。即ち、本
発明によれば、パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、そのレーザ光を被加工物の加工位置まで誘導す
る加工光学系と、その被加工物を移動させその加工位置
を決定する搬送手段と、所定の加工位置に上記パルスレ
ーザ光が照射されるようそのパルスレーザ光の発振を制
御する制御手段とを備え、半導体装置のダムバーにレー
ザ光を照射しながらそのレーザ光の光軸を前記半導体装
置に対して相対的に移動させることによりダムバーを順
次切断するダムバー加工装置において、前述のような半
導体装置の位置決め装置をさらに備えたことを特徴とす
るダムバー切断装置が提供される。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態につい
て、図１から図８を参照しながら説明する。但し、本実
施形態はリードフレームの外周部に設けておいた位置決
め用穴（マーク）を利用して製造中の半導体装置の位置
決めを行う実施形態である。

【００１５】図１に示すように、本実施形態の半導体装
置の位置決め装置には、製造中の半導体装置（ワーク）
１を搭載し水平面内（ＸＹ平面内）に移動させるＸＹテ
ーブル１０、ＸＹテーブル１０を駆動するモータ１１、
検出ヘッド１２、テーブルコントローラ１３、コンパレ
ータ１４、カウンタ補正演算回路１５が備えられてい
る。ＸＹテーブル１０には鉛直軸（Ｚ軸）を中心軸とし
て回転するθテーブル１９が搭載されており、ＸＹテー
ブル１０とθテーブル１９とにより移動手段が構成され
ている。テーブルコントローラ１３はＸＹテーブル１０
の水平面内の移動動作およびθテーブル１９の回転動作
を制御し、ＸＹテーブル１０の移動量はエンコーダ１０
ａによりパルス信号に変換されてカウンタ補正演算回路
１５にフィードバックされる。検出ヘッド１２には後述
する検出光発生手段２０ａと検出手段としてのフォトセ
ンサ９とが備えられており、フォトセンサ９からの検出
信号はコンパレータ１４に入力される。

【００１６】また、コンパレータ１４はオペアンプで構
成された比較手段であり、図２に示すように、フォトセ
ンサ９からの検出信号がコンパレータ１４で２値化され
て矩形波信号Ｔが生成され、カウンタ補正演算回路１５
に出力される。カウンタ補正演算回路１５にはカウンタ
回路１７および補正演算回路１８が備えられており、カ
ウンタ回路１７には矩形波信号Ｔとエンコーダ１０ａか
らのパルス信号とが入力される。そして、矩形波信号Ｔ
のパルス幅に対応するエンコーダ１０ａからのパルス信
号のパルス数がカウントされ、そのカウント数を表すカ
ウント信号Ｔ₁が補正演算回路１８に入力される。補正
演算回路１８には、リードフレーム外周部に設けられた
位置決め用穴（図４〜図７参照）の設計値（寸法や位
置）に基づくパルス数があらかじめ入力されており、こ
の設計値に基づくパルス数とカウント信号Ｔ₁のカウン
ト数とから位置決め用穴の実際の大きさや位置の誤差が
求められ、その誤差に基づく位置補正信号Ｔ₂がテーブ
ルコントローラ１３へ出力される。

【００１７】図３に示すように検出ヘッド１２内部には
検出光源２０、ダイクロイックミラー２１、集光レンズ
２２、結像用レンズ２３、ターゲット２４及びフォトセ
ンサ９が備えられている。このうちフォトセンサ９はタ
ーゲット２４に開けられた開口部Ｗ₀に設けられてお
り、検出手段を構成する。また、検出光源２０やダイク
ロイックミラー２１などが検出光発生手段２０ａを構成
する。

【００１８】上記検出ヘッド１２の機能を説明する。検
出光源２０で発光した検出光２００はダイクロイックミ
ラー２１で方向が変えられ、集光レンズ２２で集光され
てリードフレーム（ワーク１）表面の照明光となる。リ
ードフレーム表面で反射した反射光はダイクロイックミ
ラー２１を透過して、結像用レンズ２３で集光され、タ
ーゲット２４に当たる。ターゲット２４に当たった反射
光のうちの一部が開口部Ｗ₀からフォトセンサ９に入力
される。この時、集光レンズ２２と結像用レンズ２３と
の組み合わせによりリードフレーム表面上の像がフォト
センサ９の位置で結像するようにしておくと、検出位置
の像が結像用レンズ２３で絞られたターゲット２４の位
置で、例えば図４に示すように結像される。

【００１９】図４は、上記のようにしてターゲット２４
上に結像した画像の一例であり、リードフレーム２に設
けられた位置決め用穴３近傍が結像している状態が示さ
れている。この画像に対し斜線部で示す部分に開口部Ｗ
₀があり、この開口部Ｗ₀にフォトセンサ９が取り付けら
れている。開口部Ｗ₀に入射した光はフォトセンサ９で
検出されるが、その状態で、例えば図中Ｘ軸の正方向に
検出ヘッド１２を移動させることにより、フォトセンサ
９はリードフレーム材料の有無、つまり位置決め用穴３
の寸法や位置を検出することができる。なお、図４では
開口部Ｗ₀はターゲット２４上の中心付近に設けられて
いるが、位置決め用穴３を検出可能な場所であればター
ゲット２４の中央以外の位置に設けてもよい。

【００２０】以上の構成を有する位置決め装置の動作を
説明する。まず、半導体装置１をＸＹテーブル１０によ
って、例えばＸ軸の負方向に一定速度で移動させ、位置
決め用穴３を横切るように走査させると、ターゲット２
４上の画像もＸ軸の負方向に移動する。ところが、フォ
トセンサ９はターゲット２４の開口部Ｗ₀に固定されて
いるので、フォトセンサ９からの出力である検出信号の
変化は図５のタイムチャートに示すように、リードフレ
ーム材料が存在する箇所で高い出力となり、位置決め用
穴３即ちリードフレーム材料が存在しない箇所で低い出
力となる。但し、図５ではターゲット２４上の位置決め
用穴３近傍の画像が模式的に表されており、フォトセン
サ９からの検出信号は、光が強い場合に高い出力、光が
弱い場合に低い出力になるものとする。また、半導体装
置１をＹ軸方向に移動させた場合についても同様であ
る。

【００２１】上記フォトセンサ９からの波形はコンパレ
ータ１４に入力され、この検出信号が図中波線Ｓで示す
所定のスレッシュホールドをもとに２値化される。さら
にテーブルコントローラ１３からゲート信号Ｇがコンパ
レータ１４に入力され、このゲート信号Ｇと上記２値化
した検出信号とから矩形波信号Ｔが生成される。但し、
図５では位置決め用穴３内から検出を開始するものとし
ており、ゲート信号Ｇは図５に示すように検出開始と共
に或いは検出開始後すぐに立ち上がるように設定されて
いるものとする。また、この場合、ゲート信号Ｇのゲー
ト幅は位置決め用穴３の直径程度またはそれよりも大き
めがよい。さらに、矩形波信号Ｔの生成方法としては、
２値化したフォトセンサ９からの検出信号を反転してか
らゲート信号ＧとＡＮＤをとるように信号処理するのが
よい。矩形波信号Ｔのパルス幅は、検出開始位置（ゲー
ト信号Ｇの立ち上がり）から位置決め用穴３のエッジま
での走査線上における長さに対応している。

【００２２】コンパレータ１４からの矩形波信号Ｔはカ
ウンタ補正演算回路１５のカウンタ回路１７に入力され
る。カウンタ回路１７にはエンコーダ１０ａからのパル
ス信号も入力されるが、ＸＹテーブル１０のＸ軸および
Ｙ軸の両方向の動きにそれぞれ対応するエンコーダ１０
ａからのパルス信号を切り換えるためのポートが備えて
いる。そして、矩形波信号Ｔの立ち上がりから立ち下が
りまでの時間ｔの間におけるエンコーダ１０ａからのパ
ルス信号のパルス数をカウンタ回路１７でカウントす
る。このことは、時間ｔの間の結局ＸＹテーブル１０の
移動距離、従って検出開始位置から位置決め用穴３のエ
ッジまでの実際の距離を求めることになり、実際の位置
決め用穴３の寸法や位置の誤差を求めることが可能とな
る。図５では上記検出開始位置から位置決め用穴３のエ
ッジまでの距離をｄＸで表してある。また、Ｙ軸方向に
走査させる場合には、図５中ｄＹで表す距離が求められ
ることになる。なお、図中のエンコーダ１０ａからのパ
ルス信号は実際には幅をもつものであるが、その幅は他
の信号に比べ非常に短いため、線状に表されている。

【００２３】上記カウンタ回路１７からの時間ｔのカウ
ント数はカウント信号Ｔ₁として補正演算回路１８に入
力され、あらかじめ入力された設計値に基づくパルス数
と比較され、位置決め用穴の実際の大きさや位置の誤差
が求められる。図５において、設計値に基づく正規の検
出開始位置が位置決め用穴３の中心であったとするなら
ば、誤差はΔＸおよびΔＹとなる。

【００２４】ここで、補正演算回路１８における補正値
の演算の一例について図６および図７により説明する。
この例では、図６のように半導体装置１が３個一組で取
り扱われるものとし、リードフレーム２の外周部に各々
の半導体装置１に対してそれぞれ２箇所（合計６箇所）
に位置決め用穴３が設けられているものとし、図６中左
上の位置決め用穴３ａと右下の位置決め用穴３ｂとを前
述のように検出して誤差を演算するものとする。また、
図７のように、正規の位置における位置決め用穴３ａ，
３ｂの位置をそれぞれ点Ａ，Ｂ、ずれた位置における位
置決め用穴３ａ，３ｂの位置をそれぞれ点Ａ₁，Ｂ₁と
し、点Ａを通るＹ軸に平行な直線とＢを通るＸ軸に平行
な直線との交点を点Ｃ、ＣＢの距離をＬ_X、ＣＡの距離
をＬ_Yとする。

【００２５】図７では、半導体装置１の位置決め誤差
が、位置決め用穴３ａおよび３ｂのそれぞれに対して、
パルスのカウント数の差より（△Ｘ₁，△Ｙ₁），（△Ｘ
₂，△Ｙ₂）と求められており、この誤差をＸＹテーブル
１０のＸ軸およびＹ軸方向への移動と、θテーブル１９
の回転中心Ｏまわりの微小角度回転により補正する。こ
のためには、位置決め用穴３ａと３ｂの座標の差Ｌ_X，
Ｌ_Yの値を補正演算回路１８に入力しておき、これらの
値と△Ｘ₁，△Ｙ₁，△Ｘ₂，△Ｙ₂を用いて各移動軸方向
の補正値△Ｘ，△Ｙ，△θを演算により求める。なお、
θテーブル１９の回転方向は時計まわりを正とする。

【００２６】まず、直線ＢＣと直線ＢＡのなす角αは、 α＝tan^-1(−Ｌ_Y／Ｌ_X) … （１） と表され、直線Ｂ₁を通るＸ軸に平行な直線と直線Ｂ₁Ａ
₁のなす角βは、 β＝tan^-1((−Ｌ_Y−△Ｙ₁＋△Ｙ₂)／(Ｌ_X−△Ｘ₁＋△Ｘ₂)) … （２） となり、（１）式および（２）式よりθテーブル１９の
補正値△θは、 △θ＝α−β … （３） により求まる。

【００２７】一方、ＸＹテーブル１０によるＸ軸、Ｙ軸
方向のそれぞれの補正値△Ｘ，△Ｙは、 △Ｘ＝Ｘ₀₀−(Ｌ₀₁・cos(γ−△θ)) … （４） △Ｙ＝Ｙ₀₀−(Ｌ₀₁・sin(γ−△θ)) … （５） により求まる。但し、ここに、Ｘ₀₀，Ｙ₀₀はそれぞれ位
置決め用穴３ａとθテーブル１９の回転中心Ｏの座標の
差、γは直線ＯＡ₁と点Ａ₁を通るＸ軸に平行な直線との
なす角、Ｌ₀₁は直線ＯＡ₁の長さであり、 Ｌ₀₁＝√((−Ｘ₀₀＋△Ｘ₁)²＋(−Ｙ₀₀＋△Ｙ₁)²) … （６） γ＝tan^-1((−Ｙ₀₀＋△Ｙ₁)／(−Ｘ₀₀＋△Ｘ₁)) … （７） が成り立つ。

【００２８】上記のようにして求められた各補正値△
Ｘ，△Ｙ，△θが位置補正信号Ｔ₂としてテーブルコン
トローラ１３へ出力される。テーブルコントローラ１３
は、位置補正信号Ｔ₂を受けて各補正値をＸＹテーブル
１０およびθテーブル１９の各モータに指令する。そし
て、ＸＹテーブル１０及びθテーブル１９はその指令に
より位置の補正を行い、その位置の補正終了後、所定の
製造工程に入る。

【００２９】以上のような本実施形態によれば、位置決
め用穴３の大きさや位置に対応する矩形波信号Ｔをコン
パレータ１４から発生させ、その矩形波信号Ｔの立ち上
がりから立ち下がりまでの時間ｔにおけるエンコーダ１
０ａからのパルス信号のパルス数をカウンタ回路１７で
カウントし、補正演算回路１８においてそのカウント数
と設計値に基づく値とから位置決め用穴３の大きさや位
置の誤差を求めるので、ＸＹテーブル１０およびθテー
ブル１９の補正値を正確に求めることができ、半導体装
置１の品種や製造条件に拘らず高精度かつ短時間に位置
決めを行うことができる。従って、本実施形態によれば
厳しい加工精度の要求に対応することができる。

【００３０】なお、位置決め用穴は各半導体装置に対し
て少なくとも２箇所であればよいのであって、必ずしも
対角線位置に設ける必要はない。また、位置決め用穴は
必ずしも貫通した穴である必要はなく、検出光によって
光学的に判別できるものであれば止まり穴や塗料の塗布
によるマークとしてもよい。

【００３１】また、上記実施形態では検出光の反射光を
利用したが、位置決め用穴を通過した通過光を利用して
もよい。また、上記実施形態ではＸＹテーブルの移動量
測定のためにエンコーダを利用したが、その他の手段に
よってＸＹテーブルの移動量を測定してもよい。

【００３２】次に、本発明の第２の実施形態について、
図８および図９を参照しながら説明する。本実施形態は
ダムバー切断装置に関するものであり、第１の実施形態
で説明した半導体装置の位置決め装置をダムバー切断装
置に取り付けた実施形態である。但し、図８および図９
において図１〜図７と同等の部材には同じ符号を付して
ある。

【００３３】図８に示すように、本実施形態のダムバー
切断装置には、テーブルコントローラ１３、コンパレー
タ１４、カウンタ補正演算回路１５に加えて、レーザヘ
ッド２８とレーザ電源２９とから構成されるレーザ発振
器３０、加工ヘッド３１が備えられている。加工ヘッド
３１の構成は検出ヘッド１２とは若干異なる。これ以外
の構成は図１と同様である。

【００３４】レーザ電源２９は、図示しない安定化電
源、コンデンサ部、スイッチ部、及びレーザコントロー
ラを有する。このレーザ電源２９では、まず、交流電源
より供給された交流電源が安定化電源部に供給され、レ
ーザコントローラから指令された電圧値に従って直流に
変えられてコンデンサ部に供給され、コンデンサ部に供
給された電荷がレーザコントローラから指定されたパル
ス幅によるスイッチ部の開閉動作により、レーザヘッド
２８に備えられたレーザ励起ランプに供給される。そし
てこのパルス状の電荷によりフラッシュランプが発光
し、レーザ媒体が励起されパルス状のレーザ光が出射さ
れる。このレーザヘッド２８からのレーザ光の出射タイ
ミングは、予めテーブルコントローラ１３またはレーザ
電源２９に設定されたデータに基づいて制御され、レー
ザ光が照射されることにより半導体装置１のダムバーが
切断される。

【００３５】また、図９に示すように、加工ヘッド３１
内部には、レーザヘッド２８からのレーザ光１００の波
長に対し高い反射率特性を有するベンディングミラー３
６、集光レンズ２２が備えられており、さらに検出光２
００を発生する検出光源３７、ダイクロイックミラー２
１、結像用レンズ２３、ターゲット２４、フォトセンサ
９が備えられている。

【００３６】以上のような構成のダムバー切断装置で
は、半導体装置１を所定位置に取り付けた後のダムバー
の切断に先立ち、第１の実施形態と同様の動作によって
必要な位置補正を含めた位置決めを行い、その後直ちに
レーザヘッド２８からレーザ光を出射させてダムバーを
切断する。このような本実施形態によっても、第１の実
施形態と同様の効果が得られる他、半導体装置製造に要
する時間の短縮、および製造ラインの簡略化を図ること
ができる。

【００３７】なお、本実施形態の場合は、前述した特開
平６−１４２９６８号公報に記載の従来技術をダムバー
切断に応用してもよい。即ち、図９の検出光源３７から
発せられる検出光をダムバー切断時にもリードフレーム
に当てるようにし、リードの有無を検出しその検出結果
をもとにダムバー切断用のレーザ光の出射タイミングを
制御してもよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明の半導体装置の位置決め装置よれ
ば、検出光の反射光に基づく検出信号と移動量測定手段
で測定した移動量とを用いて実際のマークの大きさや位
置の誤差を求め、その誤差に基づいて半導体装置の位置
を補正するので、半導体装置の品種や製造条件に拘らず
高精度かつ短時間に位置決めを行うことができる。従っ
て、本発明によれば厳しい加工精度の要求に対応するこ
とができる。

【００３９】また、本発明のダムバー切断装置によれ
ば、位置決め後に即座にダムバーの切断が行えるので、
半導体装置製造に要する時間の短縮、および製造ライン
の簡略化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す図であって、半
導体装置の位置決め装置の構成を示す概略図である。

【図２】図１のコンパレータおよびカウンタ補正演算回
路の構成を示す図である。

【図３】図１の検出ヘッド内部の構成を示す概略図であ
る。

【図４】図３のターゲット上に結像した位置決め用穴近
傍を示す画像の一例である。

【図５】フォトセンサからの検出信号に基づく矩形波信
号と、ＸＹテーブルに取り付けたエンコーダからのパル
ス信号との対応関係を示すタイムチャートである。

【図６】３個一組で取り扱われる半導体装置を示す図で
ある。

【図７】補正演算回路における補正値の演算の一例を説
明する図である。

【図８】本発明の第２の実施形態を示す図であって、ダ
ムバー切断装置の構成を示す概略図である。

【図９】図８の加工ヘッド内部の構成を示す概略図であ
る。

【図１０】半導体装置の位置決めを行う従来の方法を説
明する図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置（ワーク） ２ リードフレーム ３ 位置決め用穴 ３ａ，３ｂ 位置決め用穴 ９ フォトセンサ １０ ＸＹテーブル １０ａ エンコーダ １２ 検出ヘッド １３ テーブルコントローラ １４ コンパレータ １５ カウンタ補正演算回路 １７ カウンタ回路 １８ 補正演算回路 １９ θテーブル ２０ 検出光源 ２０ａ 検出光発生手段 ２１ ダイクロイックミラー ２２ 集光レンズ ２３ 結像用レンズ ２４ ターゲット ２８ レーザヘッド ２９ レーザ電源 ３０ レーザ発振器 ３１ 加工ヘッド ３６ ベンディングミラー ３７ 検出光源 １００ レーザ光 ２００ 検出光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 奥村 信也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームおよび半導体チップを樹
   脂モールドで封止した半導体装置を製造するに際し、加
   工を行う位置に前記半導体装置を位置決めする半導体装
   置の位置決め装置において、 検出光を前記リードフレーム表面に照射する検出光発生
   手段と、 前記リードフレームを前記検出光に対して相対的に移動
   させ、前記検出光の照射位置を前記リードフレームに予
   め設けたマークを横切って走査させる移動手段と、 前記移動手段による前記リードフレームの移動量を測定
   する移動量測定手段と、 前記マークによる前記検出光の反射光の強弱を検出して
   その反射光の強弱に対応する検出信号を発生する検出手
   段と、 前記検出信号の強弱の幅と前記移動量測定手段で測定し
   た移動量とから前記マークの寸法を算出し前記半導体装
   置の位置決め誤差を求める演算手段と、 前記位置決め誤差に基づいて前記半導体装置の位置を補
   正する位置補正手段とを有することを特徴とする半導体
   装置の位置決め装置。
2. 【請求項２】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
   振器と、前記レーザ光を被加工物の加工位置まで誘導す
   る加工光学系と、前記被加工物を移動させその加工位置
   を決定する搬送手段と、所定の加工位置に前記パルスレ
   ーザ光が照射されるようそのパルスレーザ光の発振を制
   御する制御手段とを備え、半導体装置のダムバーに前記
   レーザ光を照射しながらそのレーザ光の光軸を前記半導
   体装置に対して相対的に移動させることにより前記ダム
   バーを順次切断するダムバー加工装置において、請求項
   １記載の半導体装置の位置決め装置をさらに備えたこと
   を特徴とするダムバー切断装置。