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JPH09160834A - Computer using falsh memory - Google Patents

Computer using falsh memory

Info

Publication number
JPH09160834A
JPH09160834A JP31451995A JP31451995A JPH09160834A JP H09160834 A JPH09160834 A JP H09160834A JP 31451995 A JP31451995 A JP 31451995A JP 31451995 A JP31451995 A JP 31451995A JP H09160834 A JPH09160834 A JP H09160834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
flash memory
operation program
circuit
central processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31451995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Orito
浩一 織戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP31451995A priority Critical patent/JPH09160834A/en
Publication of JPH09160834A publication Critical patent/JPH09160834A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove a data bit error phenomenon and to improve the reliability at operation program execution time by an inexpensive means by ANDing data of two operation programs and using the AND result for an operation program to be run. SOLUTION: The same data are written in a flash memory 2a and a flash memory 2b in advance and a CPU 1 when reading the data out of the flash memory 2a reads the data out of the flash memory 2b at the same time and an AND circuit 6 ANDs the data of the two operation programs read out of the two flash memories 2a and 2b, so that the AND result is used for the operation program to be run. Consequently, a data bit error phenomenon that the flash memory 2a or 2b has can be removed from the read data and the reliability of operation program execution can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、フラッシュメモ
リに格納された中央処理装置の動作プログラムのデータ
ビット化けを検出するフラッシュメモリを用いた計算機
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a computer using a flash memory for detecting data bit corruption of an operation program of a central processing unit stored in the flash memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は例えば特開平6−19939号公
報に示された従来のフラッシュメモリを用いた計算機の
構成図であり、図において、1は計算機全体を統括する
中央処理装置(以下、CPUと言う)、2はCPU1の
動作プログラムが格納された一括電気消去および書込み
可能なフラッシュメモリである。3はそのフラッシュメ
モリ2に上記動作プログラムを書込む書込み回路、4は
上記動作プログラムを実行するために設けられた書込み
可能メモリ(以下、RAMと言う)、5a,5bは外部
記憶装置などの周辺装置を制御する周辺装置制御部であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a block diagram of a computer using a conventional flash memory disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-199339, in which 1 is a central processing unit (hereinafter (Referred to as CPU) 2 is a flash memory in which an operation program of the CPU 1 is stored and which can be collectively erased and written. 3 is a writing circuit for writing the operation program in the flash memory 2, 4 is a writable memory (hereinafter referred to as RAM) provided for executing the operation program, and 5a and 5b are peripherals such as an external storage device. It is a peripheral device control unit that controls the device.

【0003】次に動作について説明する。一般に計算機
はCPUと、そのCPUの動作プログラムを格納するメ
モリを内蔵している。以前は動作プログラムを格納する
メモリとして電気消去ができない読み込み専用メモリ
(以下、ROMと言う)が用いられていたが、ROMは
一度動作プログラムを格納すると、動作プログラムの入
替えに伴い、ROM自体を交換する必要があった。そこ
で、動作プログラムを格納するメモリとして一括電気消
去および書込み可能なフラッシュメモリ2が用いられる
ことが多くなっている。書込み回路3はフラッシュメモ
リ2の書込み用端子に電圧を加え、書込み可能とするた
めの回路である。
Next, the operation will be described. Generally, a computer has a CPU and a memory that stores an operation program of the CPU. Previously, a read-only memory (hereinafter referred to as a ROM) that cannot be electrically erased was used as a memory for storing the operation program. However, once the operation program is stored in the ROM, the ROM itself is replaced when the operation program is replaced. Had to do. Therefore, as a memory for storing the operation program, a flash memory 2 that can be collectively erased and written in a batch is often used. The writing circuit 3 is a circuit for applying a voltage to the writing terminal of the flash memory 2 to enable writing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のフラッシュメモ
リを用いた計算機は以上のように構成されているので、
CPU1の動作プログラムを格納するメモリとしてフラ
ッシュメモリ2を用いることが多い。ところが、最近フ
ラッシュメモリ2には書込んだデータ‘0’が自然に
‘1’に揮発するデータビット化け現象が一定確率で発
生することが報告されている。フラッシュメモリ2に格
納された動作プログラムにデータビット化けが発生した
時は、CPU1が暴走し、動作不良になるという課題が
あった。また、フラッシュメモリ2のデータビット化け
が発生した時の対策として、誤り訂正回路を用いること
ができるが、回路が高価なので計算機が高価になってし
まうという課題があった。
Since the conventional computer using the flash memory is constructed as described above,
The flash memory 2 is often used as a memory for storing the operation program of the CPU 1. However, recently, it has been reported that the data bit garbled phenomenon in which the written data "0" spontaneously volatilizes to "1" occurs in the flash memory 2 with a certain probability. When data bits are garbled in the operation program stored in the flash memory 2, the CPU 1 runs out of control, resulting in a malfunction. Further, an error correction circuit can be used as a countermeasure when the data bit of the flash memory 2 is garbled, but there is a problem that the computer becomes expensive because the circuit is expensive.

【0005】さらに、フラッシュメモリ2のデータビッ
ト化けが発生したことを容易に知る手段が無いため、フ
ラッシュメモリ2のデータビット化けにより動作不良と
なった時に、正常動作への復旧作業に多大な時間を要
し、フラッシュメモリ2のデータビット化けが発生した
ことが判明しても、フラッシュメモリ2のデータビット
化けを修正する手段として、人手により正しい動作プロ
グラムを再びフラッシュメモリ2に格納しなければなら
ないため、動作プログラムを格納する作業に多大な時間
を要するなどの課題があった。
Further, since there is no means for easily knowing that the data bit garbled of the flash memory 2 has occurred, when an operation failure occurs due to the data bit garbled of the flash memory 2, it takes a lot of time to restore the normal operation. Therefore, even if it is found that the data bit corruption of the flash memory 2 has occurred, the correct operation program must be manually stored again in the flash memory 2 as a means for correcting the data bit corruption of the flash memory 2. Therefore, there is a problem that it takes a lot of time to store the operation program.

【0006】さらに、フラッシュメモリ2は消去,書込
みの回数および環境条件により劣化し、書込んだデータ
が自然に揮発するデータビット化け現象の発生確率が増
加するが、劣化を知る手段が無いため、フラッシュメモ
リ2のデータビット化けによる動作不良を未然に防ぐこ
とが難しいなどの課題もあった。
Further, the flash memory 2 deteriorates depending on the number of times of erasing and writing and environmental conditions, and the probability of occurrence of a data bit garbled phenomenon in which written data spontaneously volatilizes increases, but since there is no means to know the deterioration, There is also a problem that it is difficult to prevent malfunction of the flash memory 2 due to garbled data bits.

【0007】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、フラッシュメモリのデータビット
化け現象があっても、動作プログラム実行時の信頼性を
安価な手段によって向上させるフラッシュメモリを用い
た計算機を得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and a flash memory which improves the reliability at the time of executing an operation program by an inexpensive means even if there is a data bit garbled phenomenon of the flash memory. The purpose is to obtain the calculator used.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
るフラッシュメモリを用いた計算機は、2つのフラッシ
ュメモリに中央処理装置の同じ動作プログラムをそれぞ
れ格納し、それら2つのフラッシュメモリから中央処理
装置の指令に応じて読み取られた2つの動作プログラム
のデータの論理積を論理積回路によって取り、その論理
積結果を実行される動作プログラムとするものである。
A computer using a flash memory according to a first aspect of the present invention stores the same operation program of the central processing unit in two flash memories, respectively, and the central processing is performed from the two flash memories. The logical product of the data of the two operating programs read according to the command of the device is obtained by the logical product circuit, and the result of the logical product is used as the operating program to be executed.

【0009】請求項2記載の発明に係るフラッシュメモ
リを用いた計算機は、2つのフラッシュメモリに中央処
理装置の同じ動作プログラムをそれぞれ格納し、それら
2つのフラッシュメモリから中央処理装置の指令に応じ
て読み取られた2つの動作プログラムのデータの排他的
論理和を排他的論理和回路によって取り、その排他的論
理和結果がデータの異なりを検出した場合に、上記動作
プログラムのそのデータが格納されているアドレスを記
録回路に記録するものである。
A computer using a flash memory according to a second aspect of the present invention stores the same operation program of the central processing unit in each of the two flash memories, and the two flash memories respond to a command from the central processing unit. When the exclusive OR circuit of the read data of the two operation programs is taken by the exclusive OR circuit and the difference of the data is detected by the exclusive OR circuit, the data of the operation program is stored. The address is recorded in the recording circuit.

【0010】請求項3記載の発明に係るフラッシュメモ
リを用いた計算機は、中央処理装置によって、処理の空
き時間に記録回路に記録されたアドレスを読み込み、2
つのフラッシュメモリの動作プログラムのそのアドレス
に格納されたデータのうち誤っているデータを修正する
ように書込み回路に指令するものである。
In a computer using a flash memory according to a third aspect of the present invention, the central processing unit reads the address recorded in the recording circuit during the idle time of the process, and
The write circuit is instructed to correct erroneous data stored in the addresses of the operation programs of the two flash memories.

【0011】請求項4記載の発明に係るフラッシュメモ
リを用いた計算機は、2つのフラッシュメモリに中央処
理装置の同じ動作プログラムをそれぞれ格納し、それら
2つのフラッシュメモリから中央処理装置の指令に応じ
て読み取られた2つの動作プログラムのデータの排他的
論理和を排他的論理和回路によって取り、その排他的論
理和結果がデータの異なりを検出した回数を計数回路に
よって計数し、その計数値が所定値に達した場合に上記
中央処理装置に割り込み処理をさせ上記フラッシュメモ
リの劣化を通告するものである。
A computer using a flash memory according to a fourth aspect of the present invention stores the same operation program of the central processing unit in each of the two flash memories, and the two flash memories respond to a command from the central processing unit. The exclusive OR of the read data of the two operation programs is taken by the exclusive OR circuit, and the number of times when the difference of the data is detected by the exclusive OR result is counted by the counting circuit, and the counted value is a predetermined value. When it reaches, the central processing unit is caused to perform an interrupt process to notify the deterioration of the flash memory.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1によるフ
ラッシュメモリを用いた計算機を示す構成図である。図
において、1は計算機全体を統括するCPU(中央処理
装置)、2a,2bはCPU1の同じ動作プログラムが
格納された一括電気消去および書込み可能な2つのフラ
ッシュメモリである。3a,3bはそれらフラッシュメ
モリ2a,2bに上記動作プログラムを書込む書込み回
路、4は上記動作プログラムを実行するために設けられ
たRAM(書込み可能メモリ)、5a,5bは外部記憶
装置などの周辺装置を制御する周辺装置制御部である。
6は2つのフラッシュメモリ2a,2bからCPU1の
指令に応じて読み取られた2つの動作プログラムのデー
タの論理積を取り、その論理積結果を実行される動作プ
ログラムとする論理積回路である。7はCPU1の上記
指令に応じて論理積回路6を入力状態に切替える制御回
路である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. 1 is a block diagram showing a computer using a flash memory according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a CPU (central processing unit) that controls the entire computer, and 2a and 2b are two batch erasable and writable flash memories in which the same operation program of the CPU 1 is stored. 3a and 3b are write circuits for writing the operation program in the flash memories 2a and 2b, 4 is a RAM (writable memory) provided for executing the operation program, and 5a and 5b are peripherals such as an external storage device. It is a peripheral device control unit that controls the device.
Reference numeral 6 denotes a logical product circuit which calculates the logical product of the data of the two operating programs read from the two flash memories 2a and 2b in response to the instruction of the CPU 1 and uses the logical product result as the operating program to be executed. Reference numeral 7 is a control circuit for switching the AND circuit 6 to the input state in response to the above command from the CPU 1.

【0013】また、図2は2つのフラッシュメモリ2
a,2bのうち1つのフラッシュメモリにデータビット
化けが発生した時に、2つのフラッシュメモリ2a,2
bから読み取られるデータと本来期待されるデータの真
理図である。
Further, FIG. 2 shows two flash memories 2
When data bit garbling occurs in one of the flash memories 2a, 2b
It is a truth diagram of the data read from b and the data originally expected.

【0014】次に動作について説明する。フラッシュメ
モリ2a,2bは書込み前は全てのビットが‘1’であ
り、書込みは必要箇所に‘0’を書込むことで行われ
る。ところが、最近フラッシュメモリには書込んだデー
タ‘0’が自然に‘1’に揮発するデータビット化け現
象が一定確率で発生することが報告されている。データ
ビット化け現象は必ず‘0’→‘1’の変化で起こる。
図2において、フラッシュメモリ2aのデータ化け
‘0’→‘1’が発生した時、フラッシュメモリ2bの
データは‘0’であり、フラッシュメモリ2aからの読
出しデータ‘1’とフラッシュメモリ2bからの読出し
データ‘0’の積は‘0’であり、正しい期待されるデ
ータと一致する。また、フラッシュメモリ2bのデータ
化け‘0’→‘1’が発生した時、フラッシュメモリ2
aのデータは‘0’であり、フラッシュメモリ2aから
の読出しデータ‘0’とフラッシュメモリ2bからの読
出しデータ‘1’の積は‘0’であり、正しい期待され
るデータと一致する。
Next, the operation will be described. In the flash memories 2a and 2b, all the bits are "1" before writing, and writing is performed by writing "0" in a necessary portion. However, it has recently been reported that a data bit garbled phenomenon in which written data "0" naturally volatilizes to "1" occurs in a flash memory with a certain probability. The data bit garbled phenomenon is always caused by a change from "0" to "1".
In FIG. 2, when the garbled data "0" → "1" in the flash memory 2a occurs, the data in the flash memory 2b is "0", and the read data "1" from the flash memory 2a and the data read from the flash memory 2b are read. The product of read data '0' is '0', which is in agreement with the correct expected data. In addition, when the garbled data “0” → “1” of the flash memory 2b occurs, the flash memory 2
The data of a is "0", and the product of the read data "0" from the flash memory 2a and the read data "1" from the flash memory 2b is "0", which matches the correct expected data.

【0015】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、フラッシュメモリ2aとフラッシュメモリ2bには
予め同じデータを書込んでおき、CPU1がフラッシュ
メモリ2aからデータを読み取る時に、フラッシュメモ
リ2bから同時にデータを読み取り、2つのフラッシュ
メモリ2a,2bからの読み取りデータの積を論理積回
路6にて取ることによって、読み取りデータからフラッ
シュメモリ2aまたは2bが有するデータビット化け現
象を取り除き、動作プログラム実行時の信頼性を向上す
ることができる効果がある。
As described above, according to the first embodiment, the same data is written in the flash memory 2a and the flash memory 2b in advance, and when the CPU 1 reads the data from the flash memory 2a, the flash memory 2b reads the data. By reading the data at the same time and taking the product of the read data from the two flash memories 2a and 2b in the logical product circuit 6, the data bit garbled phenomenon of the flash memory 2a or 2b is removed from the read data, and the operation program is executed. There is an effect that the reliability of can be improved.

【0016】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2によるフラッシュメモリを用いた計算機を示す構成
図である。図において、8は2つのフラッシュメモリ2
a,2bからCPU1の指令に応じて読み取られた2つ
の動作プログラムのデータの排他的論理和を取りデータ
の異なりを検出する排他的論理和回路、9はその排他的
論理和結果がデータの異なりを検出した場合に、上記動
作プログラムのそのデータが格納されているアドレスを
記録する記録回路、10はCPU1の処理の空き時間
に、CPU1の指令によって選択され、回路をオン状態
にする選択回路である。なお、この実施の形態2におい
てCPU1は、処理の空き時間に記録回路9に記録され
たアドレスを読み込み、2つのフラッシュメモリ2a,
2bの動作プログラムのそのアドレスに格納されたデー
タのうち誤っているデータを修正するように書込み回路
3a,3bに指令するものである。その他の構成につい
ては、図1に示した実施の形態1の構成と同様であるの
で、重複する説明を省略する。
Embodiment 2 3 is a block diagram showing a computer using a flash memory according to a second embodiment of the present invention. In the figure, 8 is two flash memories 2
An exclusive OR circuit for obtaining the exclusive OR of the data of the two operation programs read from a and 2b according to the command of the CPU 1 and detecting the difference in the data, and 9 is the exclusive OR result of the difference in the data. The recording circuit 10 records the address where the data of the operation program is stored, when 10 is detected, and is a selection circuit which is selected by the instruction of the CPU 1 during the idle time of the processing of the CPU 1 and turns on the circuit. is there. In the second embodiment, the CPU 1 reads the address recorded in the recording circuit 9 in the idle time of the process, and the two flash memories 2a,
The write circuits 3a and 3b are instructed to correct erroneous data stored in the address of the operation program 2b. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG. 1, and thus redundant description will be omitted.

【0017】また、図4はデータビット化け発生時のデ
ータビット化け発生の検出とアドレス記録とデータ修正
の手順を示すフローチャート、図5は2つのフラッシュ
メモリのうち1つのフラッシュメモリにデータビット化
けが発生した時に、2つのフラッシュメモリから読み取
られるデータと修正されたデータを示す真理図である。
Further, FIG. 4 is a flow chart showing a procedure of detection of occurrence of data bit garbled, address recording and data correction when data bit garbled occurs, and FIG. 5 shows data bit garbled in one of two flash memories. FIG. 6 is a truth diagram showing data read from two flash memories and modified data when they occur.

【0018】次に動作について説明する。図4におい
て、データビット化け発生(ステップST1)の後、C
PU1よりデータビット化けの箇所のデータの読み取り
(ステップST2)が発生した時に、2つのフラッシュ
メモリ2a,2bからの読み取りデータの排他的論理和
を排他的論理和回路8によって取り(ステップST
3)、一致していれば通常動作(ステップST4)に復
帰する。不一致であれば不一致となった箇所のアドレス
を記録回路9に記録する(ステップST5)。
Next, the operation will be described. In FIG. 4, after occurrence of data bit garbled (step ST1), C
When the data read from the PU1 is garbled (step ST2), the exclusive OR of the read data from the two flash memories 2a and 2b is obtained by the exclusive OR circuit 8 (step ST2).
3) If they match, the operation returns to the normal operation (step ST4). If they do not match, the address of the unmatched portion is recorded in the recording circuit 9 (step ST5).

【0019】また、CPU1は処理の空き時間に、記録
回路9に記録されたアドレスを選択回路10を通して読
み出し、さらに、そのアドレスに格納された2つのフラ
ッシュメモリ2a,2bのデータを読み取り、2つのフ
ラッシュメモリ2a,2bのデータが異なるビットを、
書込み回路3a,3bへの指令に基づいて、確実に
‘0’に修正することによって(ステップST6)、複
雑な計算を実行しなくても容易にデータビットの修正が
でき、フラッシュメモリ2a,2bへ正しいプログラム
を再び格納する時間を省くことができる。
Further, the CPU 1 reads the address recorded in the recording circuit 9 through the selection circuit 10 in the idle time of the processing, further reads the data of the two flash memories 2a and 2b stored at the address, and reads the two data. Bits with different data in the flash memories 2a and 2b
By surely correcting to "0" based on the command to the write circuits 3a and 3b (step ST6), the data bit can be easily corrected without executing complicated calculation, and the flash memories 2a and 2b can be easily corrected. The time to store the correct program again can be saved.

【0020】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、2つのフラッシュメモリ2a,2bに書き込まれた
データのうち、データビット化けしたアドレスを記録回
路9に自動的に記録するので、フラッシュメモリ2a,
2bのデータビット化けにより動作不良となった時に、
復旧作業を容易にすることができる。また、CPU1の
処理の空き時間に、フラッシュメモリ2a,2bのデー
タビット化けが記録された箇所のアドレスのデータビッ
トを自動的に修正することができる効果がある。
As described above, according to the second embodiment, of the data written in the two flash memories 2a and 2b, the garbled address of the data bit is automatically recorded in the recording circuit 9. Memory 2a,
When the data bit of 2b becomes garbled and malfunction occurs,
Recovery work can be facilitated. Further, there is an effect that the data bit of the address of the location where the garbled data bit of the flash memories 2a and 2b is recorded can be automatically corrected in the idle time of the processing of the CPU 1.

【0021】実施の形態3.図6はこの発明の実施の形
態3によるフラッシュメモリを用いた計算機を示す構成
図である。図において、11は排他的論理和回路8によ
る排他的論理和結果がデータの異なりを検出した回数を
カウントし、所定値に達した場合にCPU1に割り込み
処理をさせ、フラッシュメモリ2a,2bの劣化を通告
するカウンタ(計数回路)である。その他の構成につい
ては、図1に示した実施の形態1の構成と同様であるの
で、重複する説明を省略する。
Embodiment 3 6 is a block diagram showing a computer using a flash memory according to a third embodiment of the present invention. In the figure, 11 counts the number of times that the exclusive OR result by the exclusive OR circuit 8 detects a difference in data, and when the predetermined value is reached, causes the CPU 1 to perform an interrupt process to deteriorate the flash memories 2a and 2b. This is a counter (counting circuit) for notifying. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG. 1, and thus redundant description will be omitted.

【0022】次に動作について説明する。図7はデータ
ビット化け発生時のデータビット化け発生の検出とアド
レス記録とデータビット化け発生のカウント手順を示す
フローチャートであり、図において、CPU1がフラッ
シュメモリ2aからデータを読み取る時に、フラッシュ
メモリ2bから同時にデータを読み取り(ステップST
2)、2つのフラッシュメモリ2a,2bからの読み取
りデータの排他的論理和を排他的論理和回路8によって
取ることによって(ステップST3)、データの不一致
を検出する。
Next, the operation will be described. FIG. 7 is a flow chart showing a detection procedure of data bit garbled occurrence, address recording, and a count procedure of data bit garbled occurrence, when the CPU 1 reads data from the flash memory 2a. Read data at the same time (step ST
2) By detecting the exclusive OR of the read data from the two flash memories 2a and 2b by the exclusive OR circuit 8 (step ST3), the data mismatch is detected.

【0023】このデータの不一致回数はカウンタ11に
よってカウントされている(ステップST7)。CPU
1は予め登録された時間周期でカウンタ11をリセット
するが(ステップST8)、このリセット前にカウント
数が予め登録された20回に達した時に(ステップST
9)、CPU1に割り込み発生し(ステップST1
0)、CPU1は異常処理を起動し(ステップST1
1)、データビット化けの頻度が高いことを外部に通告
することができる。
The number of times this data does not match is counted by the counter 11 (step ST7). CPU
1 resets the counter 11 in a pre-registered time period (step ST8), but when the count number reaches the pre-registered 20 times (step ST8) (step ST8).
9), the CPU 1 is interrupted (step ST1
0), the CPU 1 activates the abnormality processing (step ST1
1) It is possible to notify the outside that the frequency of garbled data bits is high.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、2つのフラッシュメモリに同じ動作プログラムを
格納し、それら2つのフラッシュメモリから読み取られ
た2つの動作プログラムのデータの論理積を論理積回路
によって取り、その論理積結果を実行される動作プログ
ラムとするように構成したので、読み取りデータからフ
ラッシュメモリが有するデータビット化け現象を取除
き、動作プログラム実行時の信頼性を安価な手段によっ
て向上することができる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the invention, the same operation program is stored in the two flash memories, and the logical product of the data of the two operation programs read from the two flash memories is obtained. Is configured by the logical product circuit and the logical product result is used as the operation program to be executed. Therefore, the data bit garbled phenomenon of the flash memory is removed from the read data to reduce the reliability when the operation program is executed. There is an effect that can be improved by means.

【0025】請求項2記載の発明によれば、2つのフラ
ッシュメモリに同じ動作プログラムを格納し、それら2
つのフラッシュメモリから読み取られた2つの動作プロ
グラムのデータの排他的論理和を排他的論理和回路によ
って取り、その排他的論理和結果がデータの異なりを検
出した場合に、上記動作プログラムのそのデータが格納
されているアドレスを記録回路に記録するように構成し
たので、フラッシュメモリのデータビット化けにより動
作不良となった時に、安価な手段によって復旧作業を容
易にすることができる効果がある。
According to the second aspect of the present invention, the same operation program is stored in two flash memories,
When the exclusive OR circuit takes the exclusive OR of the data of the two operation programs read from one flash memory, and the result of the exclusive OR detects the difference of the data, the data of the above operation program is Since the stored address is recorded in the recording circuit, there is an effect that the recovery work can be facilitated by an inexpensive means when the malfunction occurs due to the garbled data bit of the flash memory.

【0026】請求項3記載の発明によれば、中央処理装
置によって、処理の空き時間に記録回路に記録されたア
ドレスを読み込み、2つのフラッシュメモリの動作プロ
グラムのそのアドレスに格納されたデータのうち、誤っ
ているデータを修正するように構成したので、フラッシ
ュメモリのデータビット化けが発生した時に、フラッシ
ュメモリへ正しい動作プログラムを再び格納する時間を
省くことができる効果がある。
According to the third aspect of the present invention, the central processing unit reads the address recorded in the recording circuit in the idle time of the processing, and reads the address stored in the address of the operation program of the two flash memories. Since it is configured to correct erroneous data, there is an effect that it is possible to save the time for storing the correct operation program in the flash memory again when the data bit of the flash memory is garbled.

【0027】請求項4記載の発明によれば、2つのフラ
ッシュメモリに同じ動作プログラムを格納し、それら2
つのフラッシュメモリから読み取られた2つの動作プロ
グラムのデータの排他的論理和を排他的論理和回路によ
って取り、その排他的論理和結果がデータの異なりを検
出した回数を計数回路によって計数し、その計数値が所
定値に達した場合に上記中央処理装置に割り込み処理を
させるように構成したので、割り込みにて中央処理装置
の異常処理を起動することによって、フラッシュメモリ
の劣化を通告し、フラッシュメモリのデータビット化け
による動作不良を未然に防ぐことができる効果がある。
According to the invention described in claim 4, the same operation program is stored in two flash memories,
The exclusive OR circuit of the data of the two operation programs read from one flash memory is taken by the exclusive OR circuit, and the counting circuit counts the number of times that the exclusive OR result detects the difference in the data, and the total is calculated. Since the central processing unit is configured to cause an interrupt process when the numerical value reaches a predetermined value, an abnormal process of the central processing unit is activated by an interrupt to notify the deterioration of the flash memory to notify the deterioration of the flash memory. This has the effect of preventing malfunctions due to garbled data bits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるフラッシュメ
モリを用いた計算機を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a computer using a flash memory according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 2つのフラッシュメモリのうち1つのフラッ
シュメモリにデータビット化けが発生した時に、2つの
フラッシュメモリから読み取られるデータと本来期待さ
れるデータの真理図である。
FIG. 2 is a truth diagram of data read from two flash memories and originally expected data when data bit garbling occurs in one of the two flash memories.

【図3】 この発明の実施の形態2によるフラッシュメ
モリを用いた計算機を示す構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a computer using a flash memory according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 データビット化け発生時のデータビット化け
発生の検出とアドレス記録とデータ修正の手順を示すフ
ローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure for detecting occurrence of data bit corruption, address recording, and data correction when data bit corruption occurs.

【図5】 2つのフラッシュメモリのうち1つのフラッ
シュメモリにデータビット化けが発生した時に、2つの
フラッシュメモリから読み取られるデータと修正された
データを示す真理図である。
FIG. 5 is a truth diagram showing data read from two flash memories and corrected data when data bit garbling occurs in one of the two flash memories.

【図6】 この発明の実施の形態3によるフラッシュメ
モリを用いた計算機を示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a computer using a flash memory according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 データビット化け発生時のデータビット化け
発生の検出とアドレス記録とデータビット化け発生のカ
ウント手順を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a detection procedure of data bit garbled occurrence, address recording, and a count procedure of data bit garbled occurrence when the data bit garbled occurs.

【図8】 従来のフラッシュメモリを用いた計算機を示
す構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram showing a computer using a conventional flash memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 CPU(中央処理装置)、2a,2b フラッシュ
メモリ、3a,3b書込み回路、4 RAM(書込み可
能メモリ)、6 論理積回路、8 排他的論理和回路、
9 記録回路、11 カウンタ(計数回路)。
1 CPU (central processing unit), 2a, 2b flash memory, 3a, 3b write circuit, 4 RAM (writable memory), 6 AND circuit, 8 exclusive OR circuit,
9 recording circuit, 11 counter (counting circuit).

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 中央処理装置の同じ動作プログラムがそ
れぞれ格納された一括電気消去および書込み可能な2つ
のフラッシュメモリと、それら2つのフラッシュメモリ
に上記動作プログラムを書込む書込み回路と、上記動作
プログラムを実行するために設けられた書込み可能メモ
リと、2つの上記フラッシュメモリから上記中央処理装
置の指令に応じて読み取られた2つの動作プログラムの
データの論理積を取り、その論理積結果を実行される動
作プログラムとする論理積回路とを備えたフラッシュメ
モリを用いた計算機。
1. A flash memory in which the same operation program of a central processing unit is stored and which can be collectively electrically erased and written, a write circuit for writing the operation program in the two flash memories, and the operation program. The writable memory provided for execution and the logical product of the data of the two operation programs read from the two flash memories according to the instruction of the central processing unit are ANDed, and the logical product result is executed. A computer using a flash memory provided with an AND circuit as an operation program.
【請求項2】 中央処理装置の同じ動作プログラムがそ
れぞれ格納された一括電気消去および書込み可能な2つ
のフラッシュメモリと、それら2つのフラッシュメモリ
に上記動作プログラムを書込む書込み回路と、上記動作
プログラムを実行するために設けられた書込み可能メモ
リと、2つの上記フラッシュメモリから上記中央処理装
置の指令に応じて読み取られた2つの動作プログラムの
データの排他的論理和を取りデータの異なりを検出する
排他的論理和回路と、その排他的論理和結果がデータの
異なりを検出した場合に上記動作プログラムのそのデー
タが格納されているアドレスを記録する記録回路とを備
えたフラッシュメモリを用いた計算機。
2. A flash memory in which the same operation program of the central processing unit is stored and which can be collectively electrically erased and written, a write circuit for writing the operation program in the two flash memories, and the operation program A writable memory provided for execution and an exclusive OR for detecting data difference between two operation programs read from the two flash memories in response to a command from the central processing unit. A computer using a flash memory including a logical OR circuit and a recording circuit that records an address where the data of the operation program is stored when the exclusive OR result detects a difference in data.
【請求項3】 中央処理装置は、処理の空き時間に記録
回路に記録されたアドレスを読み込み、2つのフラッシ
ュメモリの動作プログラムのそのアドレスに格納された
データのうち誤っているデータを修正するように書込み
回路に指令することを特徴とする請求項2記載のフラッ
シュメモリを用いた計算機。
3. The central processing unit reads the address recorded in the recording circuit during the idle time of the processing, and corrects the incorrect data among the data stored at that address in the operation programs of the two flash memories. The computer using the flash memory according to claim 2, wherein the writing circuit is instructed.
【請求項4】 中央処理装置の同じ動作プログラムがそ
れぞれ格納された一括電気消去および書込み可能な2つ
のフラッシュメモリと、それら2つのフラッシュメモリ
に上記動作プログラムを書込む書込み回路と、上記動作
プログラムを実行するために設けられた書込み可能メモ
リと、2つの上記フラッシュメモリから上記中央処理装
置の指令に応じて読み取られた2つの動作プログラムの
データの排他的論理和を取りデータの異なりを検出する
排他的論理和回路と、その排他的論理和結果がデータの
異なりを検出した回数を計数し、その計数値が所定値に
達した場合に上記中央処理装置に割り込み処理をさせ上
記フラッシュメモリの劣化を通告する計数回路とを備え
たフラッシュメモリを用いた計算機。
4. A flash memory in which the same operation program of the central processing unit is stored and which can be collectively erased and written, a write circuit for writing the operation program in the two flash memories, and the operation program A writable memory provided for execution and an exclusive OR for detecting data difference between two operation programs read from the two flash memories in response to a command from the central processing unit. The logical OR circuit and the number of times the exclusive OR result detects a difference in data are counted, and when the count value reaches a predetermined value, the central processing unit is caused to perform an interrupt process to prevent the deterioration of the flash memory. A computer using a flash memory equipped with a notification counting circuit.
JP31451995A 1995-12-01 1995-12-01 Computer using falsh memory Pending JPH09160834A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4933268B2 (en) * 2003-12-31 2012-05-16 サンディスク コーポレイション Flash memory system startup behavior
CN111755052A (en) * 2020-07-30 2020-10-09 西安紫光国芯半导体有限公司 Nonvolatile memory, nonvolatile memory system, and read and write methods

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