JPH088418B2 - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents
多層基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH088418B2 JPH088418B2 JP16963887A JP16963887A JPH088418B2 JP H088418 B2 JPH088418 B2 JP H088418B2 JP 16963887 A JP16963887 A JP 16963887A JP 16963887 A JP16963887 A JP 16963887A JP H088418 B2 JPH088418 B2 JP H088418B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- polymethylpentene
- multilayer substrate
- insulating layer
- energy beam
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は多層基板及びその製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、有機物を絶縁層とする薄膜多層基板の製造方法
において、ポリイミドをもちいるものがある。ポリイミ
ドの比誘電率は3.8であり、現在薄膜ハイブリッド基板
に用いられている有機物の比誘電率としては最小の値で
ある。信号伝搬速度は、絶縁層の比誘電率に依存し、比
誘電率が小さいほど信号伝搬速度は大きくなる。しかし
ながら、今後よりいっそうの信号の高速化に伴い、より
小さな誘電率を持つ絶縁材料が要求される。また、絶縁
層のパターニング方法は感光性ポリイミドを用いたフォ
トリソグラフィーが主流であるが、露光、現像、熱処理
等の工程を含み大変複雑である。
において、ポリイミドをもちいるものがある。ポリイミ
ドの比誘電率は3.8であり、現在薄膜ハイブリッド基板
に用いられている有機物の比誘電率としては最小の値で
ある。信号伝搬速度は、絶縁層の比誘電率に依存し、比
誘電率が小さいほど信号伝搬速度は大きくなる。しかし
ながら、今後よりいっそうの信号の高速化に伴い、より
小さな誘電率を持つ絶縁材料が要求される。また、絶縁
層のパターニング方法は感光性ポリイミドを用いたフォ
トリソグラフィーが主流であるが、露光、現像、熱処理
等の工程を含み大変複雑である。
（発明が解決しようとする問題点） このように従来技術による多層基板の製造方法は、工
程が複雑であるばかりか、信号の高速化に伴い信号伝搬
遅延時間が問題になってきた。
程が複雑であるばかりか、信号の高速化に伴い信号伝搬
遅延時間が問題になってきた。
本発明の目的は、層間絶縁膜に比誘電率の小さな値を
持つ高分子材料を用いて、なおかつ簡単に絶縁層のパタ
ーニングを行える多層基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
持つ高分子材料を用いて、なおかつ簡単に絶縁層のパタ
ーニングを行える多層基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明は、有機膜を絶縁層
とする多層基板において、該有機膜としてポリメチルペ
ンテンを用いることを特徴とする多層基板を提供するも
のである。また、有機膜を絶縁層とする多層基板の製造
方法において、該有機膜としてポリメチルペンテンを用
いることを特徴とする多層基板の製造方法を提供するも
のである。また、本発明は前記ポリメチルペンテンを用
いた絶縁層をプラズマ重合によって形成することを特徴
とするものである。また、本発明は配線全面にポリメチ
ルペンテンを形成した後、所望の部位にエネルギービー
ムを照射し、該照射部のポリメチルペンテンを蒸発させ
ることによってパターニングを行うことを特徴とするも
のである。また、本発明は前記エネルギービームとして
エキシマレーザーを照射することを特徴とするものであ
る。また、本発明は前記エネルギービームとして赤外線
レーザーを照射することを特徴とするものである。
とする多層基板において、該有機膜としてポリメチルペ
ンテンを用いることを特徴とする多層基板を提供するも
のである。また、有機膜を絶縁層とする多層基板の製造
方法において、該有機膜としてポリメチルペンテンを用
いることを特徴とする多層基板の製造方法を提供するも
のである。また、本発明は前記ポリメチルペンテンを用
いた絶縁層をプラズマ重合によって形成することを特徴
とするものである。また、本発明は配線全面にポリメチ
ルペンテンを形成した後、所望の部位にエネルギービー
ムを照射し、該照射部のポリメチルペンテンを蒸発させ
ることによってパターニングを行うことを特徴とするも
のである。また、本発明は前記エネルギービームとして
エキシマレーザーを照射することを特徴とするものであ
る。また、本発明は前記エネルギービームとして赤外線
レーザーを照射することを特徴とするものである。
本発明で用いる１−メチル−４−ペンテンから合成さ
れるポリメチルペンテンは、比誘電率2.12であり合成樹
脂の中で最も小さな値である。この樹脂を絶縁層に用い
ることにより、信号伝搬遅延時間を従来よりも小さくす
ることができる。また、ポリメチルペンテンは優れた耐
薬品性があるためにパターニングが困難であったが、エ
ネルギービームを局所的に照射し照射部のポリメチルメ
ンテンを蒸発除去することによってパターニングが可能
である。ここで、エネルギービームとして紫外線である
エキシマレーザーを用いれば、直接化学結合を切断し、
照射部の周囲に熱的な影響を与えずにパターンニングで
きる。特に、１光子吸収で炭素−水素結合を切断できる
KrFエキシマレーザー（波長249nm）よりも短波長のエキ
シマレーザーを用いれば効率が良い。また、エネルギー
ビームとして赤外線レーザーを使用した場合は、熱的な
作用でパターニングをすることになる。
れるポリメチルペンテンは、比誘電率2.12であり合成樹
脂の中で最も小さな値である。この樹脂を絶縁層に用い
ることにより、信号伝搬遅延時間を従来よりも小さくす
ることができる。また、ポリメチルペンテンは優れた耐
薬品性があるためにパターニングが困難であったが、エ
ネルギービームを局所的に照射し照射部のポリメチルメ
ンテンを蒸発除去することによってパターニングが可能
である。ここで、エネルギービームとして紫外線である
エキシマレーザーを用いれば、直接化学結合を切断し、
照射部の周囲に熱的な影響を与えずにパターンニングで
きる。特に、１光子吸収で炭素−水素結合を切断できる
KrFエキシマレーザー（波長249nm）よりも短波長のエキ
シマレーザーを用いれば効率が良い。また、エネルギー
ビームとして赤外線レーザーを使用した場合は、熱的な
作用でパターニングをすることになる。
（実施例） 第１図〜第４図を参照して本発明の一実施例を説明す
る。まず、第１図に示すようにアルミナ基板１上に厚み
１μｍのCuの蒸着膜を用いて第一の配線層２を形成す
る。次に第２図のごとく、１−メチル−４−ペンテンを
モノマーとしてプラズマ重合により、ポリメチルペンテ
ンの重合膜を形成し絶縁層３とした。このとき絶縁層の
厚みは３μｍであった。第３図のように、ポリメチルペ
ンテン膜に局所的にKrFエキシマレーザーを照射するこ
とによって、大きさ10μｍのスルーホール４を形成し
た。その後、厚み１μｍのAuの蒸着膜を用いて第二の配
線層５を形成し、第４図のような基板を形成した。
る。まず、第１図に示すようにアルミナ基板１上に厚み
１μｍのCuの蒸着膜を用いて第一の配線層２を形成す
る。次に第２図のごとく、１−メチル−４−ペンテンを
モノマーとしてプラズマ重合により、ポリメチルペンテ
ンの重合膜を形成し絶縁層３とした。このとき絶縁層の
厚みは３μｍであった。第３図のように、ポリメチルペ
ンテン膜に局所的にKrFエキシマレーザーを照射するこ
とによって、大きさ10μｍのスルーホール４を形成し
た。その後、厚み１μｍのAuの蒸着膜を用いて第二の配
線層５を形成し、第４図のような基板を形成した。
本発明によれば、製造工程が簡単になり、しかも信号
伝搬の遅延も少なくなる。
伝搬の遅延も少なくなる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例に係わる多層基板の
製造方法を説明するための工程図である。 １……アルミナ基板 ２……第一の配線層 ３……ポリメチルペンテン絶縁層 ４……スルーホール ５……第二の配線層
製造方法を説明するための工程図である。 １……アルミナ基板 ２……第一の配線層 ３……ポリメチルペンテン絶縁層 ４……スルーホール ５……第二の配線層
Claims (6)
- 【請求項１】有機膜を絶縁層とする多層基板において、
該有機膜としてポリメチルペンテンを用いることを特徴
とする多層基板。 - 【請求項２】有機膜を絶縁層とする多層基板の製造方法
において、該有機膜としてポリメチルペンテンを用いる
ことを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項３】前記ポリメチルペンテンを用いた絶縁層を
プラズマ重合によって形成することを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項４】配線層全面にポリメチルペンテンを形成し
た後、所望の部位にエネルギービームを照射し、該照射
部のポリメチルペンテンを蒸発させることによってパタ
ーニングを行うことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項５】前記エネルギービームとしてエキシマレー
ザーを照射することを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項６】前記エネルギービームとして赤外線レーザ
ーを照射することを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16963887A JPH088418B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 多層基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16963887A JPH088418B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 多層基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6414995A JPS6414995A (en) | 1989-01-19 |
| JPH088418B2 true JPH088418B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=15890202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16963887A Expired - Lifetime JPH088418B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | 多層基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088418B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4896050B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2012-03-14 | 日立建機株式会社 | 建設機械用カプラ装置 |
| CN107619264B (zh) * | 2017-10-16 | 2020-04-03 | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 | 氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用 |
-
1987
- 1987-07-09 JP JP16963887A patent/JPH088418B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6414995A (en) | 1989-01-19 |
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