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JPH084063B2 - 半導体基板の保存方法 - Google Patents

半導体基板の保存方法

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JPH084063B2
JPH084063B2 JP61302118A JP30211886A JPH084063B2 JP H084063 B2 JPH084063 B2 JP H084063B2 JP 61302118 A JP61302118 A JP 61302118A JP 30211886 A JP30211886 A JP 30211886A JP H084063 B2 JPH084063 B2 JP H084063B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 純水中での水洗が終わって充分に清浄化された半導体
基板をその侭外気に触れさせずに洗浄水中で凍結させる
ことによって半導体基板の表面を氷の皮膜で覆い、この
氷皮膜に覆われた半導体基板を氷皮膜の融解しない氷点
下の低温に維持して保存及び運搬を行うことにより、保
存及び運搬中における半導体基板表面の汚染及び自然酸
化を防止した半導体基板の保存方法。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の保存方法に係り、特に水洗後の
半導体基板を氷結保存する半導体基板の冷凍保存方法に
関する。
LSI等の半導体装置の製造歩留りを向上し、且つその
製造品質を安定せしめるためには、製造工程に用いる半
導体基板が充分に洗浄化されていることが極めて重要な
要素となる。
そのため薬剤による洗浄及び水洗を完了した半導体基
板を汚染させずに輸送或いは長時間保存ができる半導体
基板の保存方法が要望される。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置の製造プロセスにおいては、薬剤洗
浄及びこれに続く純水洗浄（水洗）を完了した半導体基
板は、通常窒素ボックス等と呼ばれる清浄な窒素（N2）
を流入した保管容器中に保存されていた。
そのため容器の扉の開け閉めに際して、外気が容器内
に巻き込まれ、外気中に含まれる塵や油滴等によって半
導体基板の表面が汚染される。また上記外気の流入によ
って保管容器内には酸素や水蒸気が混入するためこの酸
素や水蒸気によって、該容器内で半導体基板を長期間保
存した場合その表面に自然酸化膜が形成される。
そして上記汚染や、自然酸化膜の形成及びその膜厚の
ばらつきによってプロセス条件のばらつきを生じ、半導
体装置の製造歩留りや製造品質を不安定にするという問
題があった。
また別に、近時半導体装置の製造規模の拡大に伴って
各メーカとも製造工場が遠隔地に分散される傾向がある
が、上記のように従来の保管方法においては、自然酸化
膜の形成等の面から水洗後の半導体基板を長時間保存す
ることが、製造歩留り及び製造品質を安定させる上で望
ましくなかったために、各製造工場毎に大規模な洗浄及
び水洗設備を設ける必要があり、経済的負担が嵩んで製
造原価が上昇するという問題が生じていた。
そして更に、洗浄及び水洗設備が各工場に分散される
ことによって、その洗浄及び水洗の品質が一定しなくな
り、半導体装置の製造歩留りや製造品質もばらつくとい
う問題も生じていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明が解決しようとする問題点は、上記のように従
来の半導体基板の保管方法においては、自然酸化膜の成
長及び汚染物質の付着等によって半導体装置の製造歩留
りや製造品質にばらつきを生じ、且つ長期保存が望まし
くないために各製造工場に洗浄及び水洗設備が分散設置
されることによって、製造原価の増大及びプロセス条件
のばらつきを生じていたことである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、純水中における洗浄の終わった半導体
基板を、該純水中に維持した侭で該純水を凍結すること
によって氷の皮膜で覆い、該氷の皮膜で覆われた半導体
基板を、該氷が融解しない低温度で保存する本発明によ
る半導体基板の保存方法によって解決される。
〔作 用〕
即ち本発明は、純水中で洗浄を完了した半導体基板を
該純水に浸漬した状態で外気に触れさせずに凍結するこ
とによって該半導体基板の表面を純水の氷の皮膜によっ
て覆い、この氷に覆われた半導体基板を該氷が融解しな
い氷点下の低温度で保存し、使用に際しては、該氷に覆
われた半導体基板を純水の流水中に投入して表面の氷を
融解除去し直ちに製造プロセスに入る半導体基板の保存
方法で、保存中に半導体基板面が外気に触れないので、
その汚染及び自然酸化は防止され、且つ氷点下の低温で
保存されるのでバクテリアの増殖が抑止されてこれによ
るコンタミネーションの発生が防止される。
かくて水洗直後の品質を劣化させずに半導体基板を輸
送或いは長期保存することが可能になり、洗浄及び水洗
設備の集中化による効果を含めて、半導体装置の製造原
価の低減、製造歩留り及び製造品質の向上安定化が図れ
る。
〔実施例〕
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は第１の実施例の工程模式図、
第２図（ａ）〜（ｅ）は第２の実施例の工程模式図であ
る。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
枚葉式製造プロセスに主として用いる本発明の方法
は、第１図（ａ）に示すように、例えばテフロン等より
なり、底面に排水兼排気口２を有する皿状の水洗槽兼保
存容器１内に薬剤洗浄、予備水洗等を終わった半導体基
板３をその主面を上に向けて挿入し、上部の注水口４か
ら純水５を注下しつつ上記排水兼排気口２から所要量の
排水を行って、上記水洗槽兼保存容器１内の純水面の高
さを該半導体基板３を没する所要の高さに維持し、この
状態で所定の時間水洗を行う。
この際基板は水中で躍るので、その両面が水洗され
る。
次いで第１図（ｂ）に示すように、注水口４からの純
水５の注下を停止し、排水兼排気口２から真空排気を行
い半導体基板３を水洗兼保存容器１の底面に密着せしめ
る。この状態において半導体基板３は該容器１に満たさ
れた純水５によって覆われる。
次いで第１図（ｃ）に示すように、該水洗領域覆う例
えば液体窒素を用いる冷凍装置６によって上記水洗槽兼
保存容器１を例えば−10℃〜−15℃程度に冷却し該容器
１内に半導体基板３状を覆って満たされた純水５を氷結
させる。ここで105は前記純水が氷結された氷を示す。
次いで第１図（ｄ）に示すように、上記保存容器１を
例えば−10℃程度に保たれた冷蔵庫７内において長時間
保存する。
このようにして保存された半導体基板３を使用する際
には、例えば第１図（ｅ）に示すように、上記冷蔵庫７
から取り出した保存容器１を純水５が流入されている水
洗槽８中に浸漬して氷105を融解させる。
次いで図示しないが、該半導体基板３は純水５中から
取り出され、汚染を避けて直ちに乾燥されて製造プロセ
スに投入される。
次ぎにバッチ処理の場合の実施例について第２図を用
いて説明する。
この場合は例えば第２図（ａ）に示すように、テフロ
ン等の洗浄治具９に立て並べられ、薬品洗浄及び予備水
洗等を終わった半導体基板３を、該洗浄治具９に搭載さ
れた侭で、純粋流入口10及び純水排出口11を備えたテフ
ロン等よりなる水洗容器12に挿入し、純水流入口10から
所定流量の純水５を流入し、純水排出口11から排水した
状態で所定の時間該半導体基板３の純水洗浄を行う。
次いで第２図（ｂ）に示すように、純水４の流入を停
止し、該水洗容器12内に満たされて半導体基板３を覆っ
た純水５を、冷凍装置６内において凍結せしめる。105
は上記純水５の氷を示す。
そしてこの状態で第２図（ｃ）に示すように、前記実
施例同様−10℃程度に保たれた冷蔵庫７内において半導
体基板３の長時間保存がなされる。
該半導体基板の使用に際しては、第２図（ｄ）に示す
ように、上記洗浄容器11を純水を流入した水洗槽８内に
浸漬して洗浄容器11内の氷105を溶解する。
次いで第２図（ｅ）に示すように洗浄治具９ごと半導
体基板３が取り出され、その侭汚染を避けながらN2中等
において乾燥がなされる。
そして以後図示しないが、プロセス治具への一括移し
替えがなされて、該半導体基板は一括プロセス工程に投
入される。
上記第１、第２の実施例に示されるようにして長期保
存された半導体基板は、保存中に外気に曝されることが
ないので、その表面に自然酸化膜が形成されることがな
く、外気中に含まれる汚染物質によって汚染されること
もない。
また氷点下の低温で保存されるのでバクテリアの増殖
もなく、バクテリアに含まれる金属成分によるコンタミ
ネーションも防止される。
なお本発明に係る半導体基板の冷凍保存方法は、上記
実施例に示した製造プロセス投入前の半導体基板の保存
に限らず、各工程間及びデバイス形成後の半導体基板の
保存にも適用される。
〔発明の効果〕
以上説明のように本発明によれば、自然酸化膜の形成
や汚染を避けながら半導体基板を輸送或いは長期保存す
ることが可能になる。
従って本発明によれば、洗浄及び水洗設備を地域分散
せずに集中化できる効果を含めて、半導体装置の製造原
価の低域、製造歩留り及び製造品質の向上安定化が図れ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｅ）は第１の実施例の工程模式図、 第２図（ａ）〜（ｅ）は第２の実施例の工程模式図であ
る。 図において、 １は水洗槽兼保存容器、 ２は排水兼排気口、 ３は半導体基板、 ４は注水口、 ５は純水、 ６は冷凍装置、 ７は冷蔵庫、 ８は水洗槽、 ９は洗浄治具、 10は純水流入口、 11は純水排出口、 12は水洗容器、 105は純水の氷 を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】純水中における洗浄の終わった半導体基板
    を、該純水中に維持した侭で該純水を凍結することによ
    って氷の皮膜で覆い、 該氷の皮膜で覆われた半導体基板を、該氷が融解しない
    低温度で保存することを特徴とする半導体基板の保存方
    法。
JP61302118A 1986-12-17 1986-12-17 半導体基板の保存方法 Expired - Fee Related JPH084063B2 (ja)

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