JPH0832187A - モジュール基板及びそれを用いた電子装置 - Google Patents
モジュール基板及びそれを用いた電子装置Info
- Publication number
- JPH0832187A JPH0832187A JP6166578A JP16657894A JPH0832187A JP H0832187 A JPH0832187 A JP H0832187A JP 6166578 A JP6166578 A JP 6166578A JP 16657894 A JP16657894 A JP 16657894A JP H0832187 A JPH0832187 A JP H0832187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- radiator
- board
- substrate
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面と垂直方向の寸法を大きくすることなく
放熱体を取付けるモジュール基板、及び各モジュール基
板間の間隔を狭めて高密度実装を可能にする電子装置を
提供する。 【構成】 モジュール基板1の配線基板2の下層2Aの
底面には、例えばAl、Cuのような高熱伝導性材料か
らなる板状の放熱体4が、例えばシリコーンゴムのよう
な高熱伝導性接着剤によってモジュール基板1の表面と
水平方向に延長されて取り付けられる。板状の放熱体4
は先端に、モジュール基板1の表面と垂直方向に配置さ
れた複数段の板状部4a、4b、4c…からなる主要部
4Aを有しており、この主要部4Aはモジュール基板1
の側面側に配置されている。
放熱体を取付けるモジュール基板、及び各モジュール基
板間の間隔を狭めて高密度実装を可能にする電子装置を
提供する。 【構成】 モジュール基板1の配線基板2の下層2Aの
底面には、例えばAl、Cuのような高熱伝導性材料か
らなる板状の放熱体4が、例えばシリコーンゴムのよう
な高熱伝導性接着剤によってモジュール基板1の表面と
水平方向に延長されて取り付けられる。板状の放熱体4
は先端に、モジュール基板1の表面と垂直方向に配置さ
れた複数段の板状部4a、4b、4c…からなる主要部
4Aを有しており、この主要部4Aはモジュール基板1
の側面側に配置されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、モジュール基板及びそ
れを用いた電子装置に関し、特に、高発熱の半導体チッ
プが組み込まれた複数のモジュール基板を高密度で実装
用基板に実装する電子装置に適用して有効な技術に関す
る。
れを用いた電子装置に関し、特に、高発熱の半導体チッ
プが組み込まれた複数のモジュール基板を高密度で実装
用基板に実装する電子装置に適用して有効な技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】最近のLSIはより一層高集積化、高性
能化が図られているが、これに伴い半導体チップで発生
する熱も増加してきている。このため、このような半導
体チップを組み込んだモジュール基板を複数用いて、実
装用基板に実装して計算機のような電子装置を組み立て
る場合は、単位基板となるモジュール基板の放熱対策を
どのように行うかによって、電子装置の性能が左右され
てくる。
能化が図られているが、これに伴い半導体チップで発生
する熱も増加してきている。このため、このような半導
体チップを組み込んだモジュール基板を複数用いて、実
装用基板に実装して計算機のような電子装置を組み立て
る場合は、単位基板となるモジュール基板の放熱対策を
どのように行うかによって、電子装置の性能が左右され
てくる。
【0003】従来のモジュール基板における放熱対策
は、半導体チップを搭載したタブに対して接触するよう
に、モジュール基板に対してこの表面と垂直方向に放熱
フィンと称される放熱体を取り付けることが行われてい
る。また、このような放熱体を取り付けた複数のモジュ
ール基板によって電子装置を組み立てる場合には、この
電子装置内にファンによる空冷手段を設けて、内部空間
に風を循環させることが行われている。
は、半導体チップを搭載したタブに対して接触するよう
に、モジュール基板に対してこの表面と垂直方向に放熱
フィンと称される放熱体を取り付けることが行われてい
る。また、このような放熱体を取り付けた複数のモジュ
ール基板によって電子装置を組み立てる場合には、この
電子装置内にファンによる空冷手段を設けて、内部空間
に風を循環させることが行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記のようにモジュー
ル基板に対してこの表面と垂直方向に放熱体を取り付け
た構造のモジュール基板においては、このモジュール基
板の表面と垂直方向の寸法が放熱体を取り付けた分だけ
大きくなるという問題がある。
ル基板に対してこの表面と垂直方向に放熱体を取り付け
た構造のモジュール基板においては、このモジュール基
板の表面と垂直方向の寸法が放熱体を取り付けた分だけ
大きくなるという問題がある。
【0005】また、このモジュール基板の表面と垂直方
向に放熱体を取り付けた構造の複数のモジュール基板
を、実装用基板に実装して電子装置を組み立てる場合
は、各モジュール基板の表面と垂直方向に放熱体が取り
付けられていることによって、各モジュール基板間の間
隔が狭まらないため、高密度実装が不可能になるという
問題がある。
向に放熱体を取り付けた構造の複数のモジュール基板
を、実装用基板に実装して電子装置を組み立てる場合
は、各モジュール基板の表面と垂直方向に放熱体が取り
付けられていることによって、各モジュール基板間の間
隔が狭まらないため、高密度実装が不可能になるという
問題がある。
【0006】ここで、放熱体のモジュール基板の表面と
垂直方向の寸法を小さくしようとすると、同じ放熱効果
を得るためには、モジュール基板の表面と水平方向に広
い面積のオーバーハングフィンからなる放熱体を設ける
必要がある。しかし、これではオーバーハングフィンに
よって覆われた周辺の部品のリペアができなくなるとい
う弊害が生じてくる。
垂直方向の寸法を小さくしようとすると、同じ放熱効果
を得るためには、モジュール基板の表面と水平方向に広
い面積のオーバーハングフィンからなる放熱体を設ける
必要がある。しかし、これではオーバーハングフィンに
よって覆われた周辺の部品のリペアができなくなるとい
う弊害が生じてくる。
【0007】本発明の目的は、表面と垂直方向の寸法を
大きくすることなく放熱体を取付けるモジュール基板を
提供することにある。
大きくすることなく放熱体を取付けるモジュール基板を
提供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、各モジュール基板間
の間隔を狭めて高密度実装を可能にする電子装置を提供
することにある。
の間隔を狭めて高密度実装を可能にする電子装置を提供
することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【0011】(1)本発明のモジュール基板は、半導体
チップ及びこの半導体チップが搭載された放熱体を保持
するモジュール基板において、放熱体はモジュール基板
の表面と水平方向に延長されて、その放熱体の主要部が
前記モジュール基板の側面側に配置されている。
チップ及びこの半導体チップが搭載された放熱体を保持
するモジュール基板において、放熱体はモジュール基板
の表面と水平方向に延長されて、その放熱体の主要部が
前記モジュール基板の側面側に配置されている。
【0012】(2)本発明の電子装置は、実装用基板
と、半導体チップが搭載された放熱体がモジュール基板
の表面と水平方向に延長されて、その主要部がモジュー
ル基板の側面側に配置されてなる複数のモジュール基板
とを備えている。この複数のモジュール基板は互いに平
行に実装用基板に対してこの表面と垂直方向に実装され
る。
と、半導体チップが搭載された放熱体がモジュール基板
の表面と水平方向に延長されて、その主要部がモジュー
ル基板の側面側に配置されてなる複数のモジュール基板
とを備えている。この複数のモジュール基板は互いに平
行に実装用基板に対してこの表面と垂直方向に実装され
る。
【0013】
【作用】上述した(1)の手段によれば、本発明のモジ
ュール基板は、半導体チップ及びこの半導体チップが搭
載された放熱体を保持するモジュール基板において、放
熱体はモジュール基板の表面と水平方向に延長されて、
その放熱体の主要部が前記モジュール基板の側面側に配
置されているので、表面と垂直方向の寸法を大きくする
ことなく放熱体を取り付けることができる。
ュール基板は、半導体チップ及びこの半導体チップが搭
載された放熱体を保持するモジュール基板において、放
熱体はモジュール基板の表面と水平方向に延長されて、
その放熱体の主要部が前記モジュール基板の側面側に配
置されているので、表面と垂直方向の寸法を大きくする
ことなく放熱体を取り付けることができる。
【0014】上述した(2)の手段によれば、本発明の
電子装置は、実装用基板と、半導体チップが搭載された
放熱体がモジュール基板の表面と水平方向に延長され
て、その主要部がモジュール基板の側面側に配置されて
なる複数のモジュール基板とを備えており、この複数の
モジュール基板は互いに平行に実装用基板に対してこの
表面と垂直方向に実装されるので、各モジュール基板間
の間隔は狭められるため、高密度実装を可能にすること
ができる。
電子装置は、実装用基板と、半導体チップが搭載された
放熱体がモジュール基板の表面と水平方向に延長され
て、その主要部がモジュール基板の側面側に配置されて
なる複数のモジュール基板とを備えており、この複数の
モジュール基板は互いに平行に実装用基板に対してこの
表面と垂直方向に実装されるので、各モジュール基板間
の間隔は狭められるため、高密度実装を可能にすること
ができる。
【0015】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【0016】(実施例1)図1は本発明の実施例1によ
るモジュール基板を示す斜視図で、図2は図1の底面か
ら見た斜視図、図3は図1のA−A断面図である。モジ
ュール基板1は、例えば下層2A及び上層2Bからなる
積層樹脂で構成された配線基板2を有していて、その一
部には貫通孔3が階段状に形成されている。モジュール
基板1の配線基板2の下層2Aの底面には、例えばA
l、Cuのような高熱伝導性材料からなる板状の放熱体
4が、例えばシリコーンゴムのような高熱伝導性接着剤
によってモジュール基板1の表面と水平方向に延長され
て取り付けられている。板状の放熱体4は先端に、モジ
ュール基板1の表面と垂直方向に配置された複数段の板
状部4a、4b、4c…からなる主要部4Aを有してお
り、この主要部4Aはモジュール基板1の側面側に配置
されている。
るモジュール基板を示す斜視図で、図2は図1の底面か
ら見た斜視図、図3は図1のA−A断面図である。モジ
ュール基板1は、例えば下層2A及び上層2Bからなる
積層樹脂で構成された配線基板2を有していて、その一
部には貫通孔3が階段状に形成されている。モジュール
基板1の配線基板2の下層2Aの底面には、例えばA
l、Cuのような高熱伝導性材料からなる板状の放熱体
4が、例えばシリコーンゴムのような高熱伝導性接着剤
によってモジュール基板1の表面と水平方向に延長され
て取り付けられている。板状の放熱体4は先端に、モジ
ュール基板1の表面と垂直方向に配置された複数段の板
状部4a、4b、4c…からなる主要部4Aを有してお
り、この主要部4Aはモジュール基板1の側面側に配置
されている。
【0017】モジュール基板1の配線基板2の貫通孔3
における放熱体4には、例えばシリコーンゴムのような
高熱伝導性接着剤によってマイクロコンピュータを構成
する半導体チップ5が搭載されている。モジュール基板
1の配線基板2の下層2Aの貫通孔3の周囲面には予め
複数の端子6が形成されており、この端子6と半導体チ
ップ5の電極7との間には例えばAu線のようなワイヤ
8がボンディングされている。モジュール基板1の配線
基板2の上層2Bの貫通孔3の周囲面には例えばシリコ
ーンゴムのような接着剤によって、例えば表面がアルマ
イト処理されたAlのようなキャップ9が取り付けられ
て、半導体チップ5が封止されている。これにより、モ
ジュール基板1は半導体チップ5及びこの半導体チップ
5が搭載された放熱体4を保持した構造になっている。
における放熱体4には、例えばシリコーンゴムのような
高熱伝導性接着剤によってマイクロコンピュータを構成
する半導体チップ5が搭載されている。モジュール基板
1の配線基板2の下層2Aの貫通孔3の周囲面には予め
複数の端子6が形成されており、この端子6と半導体チ
ップ5の電極7との間には例えばAu線のようなワイヤ
8がボンディングされている。モジュール基板1の配線
基板2の上層2Bの貫通孔3の周囲面には例えばシリコ
ーンゴムのような接着剤によって、例えば表面がアルマ
イト処理されたAlのようなキャップ9が取り付けられ
て、半導体チップ5が封止されている。これにより、モ
ジュール基板1は半導体チップ5及びこの半導体チップ
5が搭載された放熱体4を保持した構造になっている。
【0018】モジュール基板1の半導体チップ5が搭載
された周辺には、例えばICメモリのような外付け部品
10が取り付けらている。これら外付け部品10はモジ
ュール基板1の表面側及び裏面側に取り付けられてい
る。放熱体4の主要部4Aが配置されている側面側と反
対側のモジュール基板1には、このモジュール基板1を
後述のように実装用基板に実装するためのコネクタ11
が取り付けられる。このコネクタ11は例えば、図4
(A)に示すように、互いに直交する2つの側面12A
及び12Bから、複数のリード13の一端13A及び他
端13Bが突出されるような構造のものが用いられる。
図4(B)は図4(A)のA−A断面図である。そし
て、各リード13の例えば他端13Bが予めモジュール
基板1に設けられている複数のコンタクトホールに着脱
可能に挿入されるようになっている。各コンタクトホー
ルはモジュール基板1に形成されている配線パターンに
接続されている。
された周辺には、例えばICメモリのような外付け部品
10が取り付けらている。これら外付け部品10はモジ
ュール基板1の表面側及び裏面側に取り付けられてい
る。放熱体4の主要部4Aが配置されている側面側と反
対側のモジュール基板1には、このモジュール基板1を
後述のように実装用基板に実装するためのコネクタ11
が取り付けられる。このコネクタ11は例えば、図4
(A)に示すように、互いに直交する2つの側面12A
及び12Bから、複数のリード13の一端13A及び他
端13Bが突出されるような構造のものが用いられる。
図4(B)は図4(A)のA−A断面図である。そし
て、各リード13の例えば他端13Bが予めモジュール
基板1に設けられている複数のコンタクトホールに着脱
可能に挿入されるようになっている。各コンタクトホー
ルはモジュール基板1に形成されている配線パターンに
接続されている。
【0019】このようなモジュール基板1は次のような
方法で製造される。
方法で製造される。
【0020】まず、図5(A)に示すように、例えば下
層2A及び上層2Bからなる積層樹脂体で構成された配
線基板2を用いて、樹脂成型によりその一部に貫通孔3
を階段状に形成する。次に、この配線基板2の下層2A
の貫通孔3の周囲面に、複数の端子6を形成する。
層2A及び上層2Bからなる積層樹脂体で構成された配
線基板2を用いて、樹脂成型によりその一部に貫通孔3
を階段状に形成する。次に、この配線基板2の下層2A
の貫通孔3の周囲面に、複数の端子6を形成する。
【0021】続いて、図5(B)に示すように、配線基
板2の下層2Aの底面に、例えばAl、Cuのような高
熱伝導性材料からなり、その先端にモジュール基板を構
成する配線基板2の表面と垂直方向に配置された複数段
の板状部4a4b、4c…からなる主要部4Aを有する
板状の放熱体4を用いて、例えばシリコーンゴムのよう
な高熱伝導性接着剤によって、配線基板2の表面と水平
方向に延長して前記主要部4Aが配線基板2の側面側に
配置されるように取り付ける。
板2の下層2Aの底面に、例えばAl、Cuのような高
熱伝導性材料からなり、その先端にモジュール基板を構
成する配線基板2の表面と垂直方向に配置された複数段
の板状部4a4b、4c…からなる主要部4Aを有する
板状の放熱体4を用いて、例えばシリコーンゴムのよう
な高熱伝導性接着剤によって、配線基板2の表面と水平
方向に延長して前記主要部4Aが配線基板2の側面側に
配置されるように取り付ける。
【0022】次に、図5(C)に示すように、配線基板
2の貫通孔3における放熱体4上に、例えばシリコーン
ゴムのような高熱伝導性接着剤によってマイクロコンピ
ュータを構成する半導体チップ5を搭載する。続いて、
配線基板2の下層2Aの端子6と半導体チップ5の電極
7との間に例えばAu線のようなワイヤ8をボンディン
グする。
2の貫通孔3における放熱体4上に、例えばシリコーン
ゴムのような高熱伝導性接着剤によってマイクロコンピ
ュータを構成する半導体チップ5を搭載する。続いて、
配線基板2の下層2Aの端子6と半導体チップ5の電極
7との間に例えばAu線のようなワイヤ8をボンディン
グする。
【0023】続いて、図5(D)に示すように、配線基
板2の貫通孔3における上層2B上に、例えばシリコー
ンゴムのような接着剤によって、例えば表面がアルマイ
ト処理されたAlのようなキャップ9を取り付ける。こ
れにより、貫通孔3が覆われて半導体チップ5が封止さ
れる。
板2の貫通孔3における上層2B上に、例えばシリコー
ンゴムのような接着剤によって、例えば表面がアルマイ
ト処理されたAlのようなキャップ9を取り付ける。こ
れにより、貫通孔3が覆われて半導体チップ5が封止さ
れる。
【0024】次に、図5(E)に示すように、配線基板
2の半導体チップ5が搭載された周辺に対して、例えば
ICメモリのような外付け部品10を半田付け等により
取り付ける。続いて、配線基板2の放熱体4の主要部4
Aが配置されている側面側と反対側に、図3のようにコ
ネクタ11を取り付ける。これによって、実施例1によ
るモジュール基板1が得られる。
2の半導体チップ5が搭載された周辺に対して、例えば
ICメモリのような外付け部品10を半田付け等により
取り付ける。続いて、配線基板2の放熱体4の主要部4
Aが配置されている側面側と反対側に、図3のようにコ
ネクタ11を取り付ける。これによって、実施例1によ
るモジュール基板1が得られる。
【0025】このような実施例1によれば次のような効
果が得られる。
果が得られる。
【0026】モジュール基板1は、放熱体4がモジュー
ル基板1の表面と水平方向に延長されて、その放熱体4
の主要部4Aがモジュール基板1の側面側に配置されて
いるので、表面と垂直方向の寸法を大きくすることなく
放熱体を取り付けることができる。
ル基板1の表面と水平方向に延長されて、その放熱体4
の主要部4Aがモジュール基板1の側面側に配置されて
いるので、表面と垂直方向の寸法を大きくすることなく
放熱体を取り付けることができる。
【0027】(実施例2)図6は実施例2によるモジュ
ール基板を示す断面図である。
ール基板を示す断面図である。
【0028】図6において図3と同一部分は同一番号で
示している。モジュール基板1の半導体チップ5は、例
えばFe−Niからなるタブ14にシリコーンゴムのよ
うな高熱伝導性接着剤によって取り付けられ、このタブ
14の底面にはシリコーンゴムのような高熱伝導性接着
剤によって放熱体4が取り付けられている。この放熱体
4は、タブ14を介して半導体チップ5を支持している
支持部4Bと、前記主要部4Aと、この主要部4A及び
支持部4Bを結合しているヒートパイプ15とから構成
されている。ヒートパイプ15は高熱伝導性金属のパイ
プ内に気化性液体を適量封入したものであり、この液体
の気化によって、半導体チップ5で発生した熱を支持部
4Bから主要部4Aに伝達するように働くこのような実
施例2によれば次のような効果が得られる。
示している。モジュール基板1の半導体チップ5は、例
えばFe−Niからなるタブ14にシリコーンゴムのよ
うな高熱伝導性接着剤によって取り付けられ、このタブ
14の底面にはシリコーンゴムのような高熱伝導性接着
剤によって放熱体4が取り付けられている。この放熱体
4は、タブ14を介して半導体チップ5を支持している
支持部4Bと、前記主要部4Aと、この主要部4A及び
支持部4Bを結合しているヒートパイプ15とから構成
されている。ヒートパイプ15は高熱伝導性金属のパイ
プ内に気化性液体を適量封入したものであり、この液体
の気化によって、半導体チップ5で発生した熱を支持部
4Bから主要部4Aに伝達するように働くこのような実
施例2によれば次のような効果が得られる。
【0029】放熱体4は、半導体チップ5をタブ14を
介して支持している支持部4Bと、モジュール基板1の
側面側に配置される主要部4Aとをヒートパイプ15で
一体に結合した構造を有するので、ヒートパイプ15の
作用により、半導体チップ5で発生した熱を効率良く放
散することができる。
介して支持している支持部4Bと、モジュール基板1の
側面側に配置される主要部4Aとをヒートパイプ15で
一体に結合した構造を有するので、ヒートパイプ15の
作用により、半導体チップ5で発生した熱を効率良く放
散することができる。
【0030】(実施例3)図7は実施例3による電子装
置を示す断面図である。電子装置16は、実施例1によ
り得られたモジュール基板1を複数用いて、この複数の
モジュール基板1を互いに平行に、実装用基板17に対
してこの表面と垂直方向にコネクタ11を介して実装し
て組み立てられている。モジュール基板1の周囲には、
各モジュール基板1間の空間に冷却用空気を供給するた
めのファン18が設けられる。このようにして組み立て
られた電子装置16は、例えば計算機として構成され
る。
置を示す断面図である。電子装置16は、実施例1によ
り得られたモジュール基板1を複数用いて、この複数の
モジュール基板1を互いに平行に、実装用基板17に対
してこの表面と垂直方向にコネクタ11を介して実装し
て組み立てられている。モジュール基板1の周囲には、
各モジュール基板1間の空間に冷却用空気を供給するた
めのファン18が設けられる。このようにして組み立て
られた電子装置16は、例えば計算機として構成され
る。
【0031】このような実施例3によれば次のような効
果が得られる。
果が得られる。
【0032】(1)電子装置16は、半導体チップ5が
搭載された放熱体4がモジュール基板1の表面と水平方
向に延長されて、その主要部4Aがモジュール基板1の
側面側に配置されてなるモジュール基板1が複数用いら
れて、互いに平行に実装用基板17に対してこの表面と
垂直方向にコネクタ11を介して実装されるので、各モ
ジュール基板1の表面と垂直方向に放熱体4が取り付け
られていないため、各モジュール基板1間の間隔を狭め
ることができ、高密度実装を可能にすることができる。
搭載された放熱体4がモジュール基板1の表面と水平方
向に延長されて、その主要部4Aがモジュール基板1の
側面側に配置されてなるモジュール基板1が複数用いら
れて、互いに平行に実装用基板17に対してこの表面と
垂直方向にコネクタ11を介して実装されるので、各モ
ジュール基板1の表面と垂直方向に放熱体4が取り付け
られていないため、各モジュール基板1間の間隔を狭め
ることができ、高密度実装を可能にすることができる。
【0033】(2)それに伴って、電子装置の小型化を
図ることができる。
図ることができる。
【0034】(実施例4)図8は実施例4による電子装
置を示す断面図である。電子装置16は、実施例2によ
り得られたモジュール基板1を複数用いて、この複数の
モジュール基板1を互いに平行に、実装用基板17に対
してこの表面と垂直方向にコネクタ11を介して実装し
て組み立てられている。
置を示す断面図である。電子装置16は、実施例2によ
り得られたモジュール基板1を複数用いて、この複数の
モジュール基板1を互いに平行に、実装用基板17に対
してこの表面と垂直方向にコネクタ11を介して実装し
て組み立てられている。
【0035】このような実施例4によれば次のような効
果が得られる。
果が得られる。
【0036】電子装置16を組み立てる各モジュール基
板1の放熱体4は、半導体チップ4をタブ14を介して
支持している支持部4Bと、モジュール基板1の側面側
に配置される主要部4Aとをヒートパイプ15で一体に
結合した構造を有するので、ヒートパイプ15の作用に
より、半導体チップ5で発生した熱を効率良く放散する
ことができる。
板1の放熱体4は、半導体チップ4をタブ14を介して
支持している支持部4Bと、モジュール基板1の側面側
に配置される主要部4Aとをヒートパイプ15で一体に
結合した構造を有するので、ヒートパイプ15の作用に
より、半導体チップ5で発生した熱を効率良く放散する
ことができる。
【0037】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0038】例えば、前記実施例では放熱体4の主要部
4Aを、モジュール基板1のコネクタ11が設けられる
側面側と反対の側面側に配置した例で説明したが、この
側面と直交する側面側に配置することもできる。また、
放熱体4に搭載する半導体チップ5は1個の場合に例を
あげて説明したが、半導体チップ5は複数個を同一放熱
体に搭載する場合においても、適用することができる。
4Aを、モジュール基板1のコネクタ11が設けられる
側面側と反対の側面側に配置した例で説明したが、この
側面と直交する側面側に配置することもできる。また、
放熱体4に搭載する半導体チップ5は1個の場合に例を
あげて説明したが、半導体チップ5は複数個を同一放熱
体に搭載する場合においても、適用することができる。
【0039】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるモジュ
ール基板及びそれを用いた電子装置の製造技術に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
ない。本発明は、少なくとも高発熱の半導体チップをモ
ジュール基板に組み込む条件のものには適用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるモジュ
ール基板及びそれを用いた電子装置の製造技術に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
ない。本発明は、少なくとも高発熱の半導体チップをモ
ジュール基板に組み込む条件のものには適用できる。
【0040】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0041】モジュール基板の表面と垂直方向の寸法を
大きくすることなくモジュール基板に放熱体を取付ける
ことができる。
大きくすることなくモジュール基板に放熱体を取付ける
ことができる。
【0042】放熱体を取り付けた複数のモジュール基板
によって電子装置を組み立てる場合、各モジュール基板
間の間隔を狭めることができるため、高密度実装を可能
にすることができる。
によって電子装置を組み立てる場合、各モジュール基板
間の間隔を狭めることができるため、高密度実装を可能
にすることができる。
【図1】本発明の実施例1によるモジュール基板を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】図1を底面から見た斜視図である。
【図3】図1のA−A断面図である。
【図4】本発明の実施例1によるモジュール基板に用い
るコネクタを示すもので、(A)は斜視図、(B)は
(A)のA−A断面図である。
るコネクタを示すもので、(A)は斜視図、(B)は
(A)のA−A断面図である。
【図5】本発明の実施例1によるモジュール基板の製造
方法を示すもので、(A)乃至(E)は断面図である。
方法を示すもので、(A)乃至(E)は断面図である。
【図6】本発明の実施例2によるモジュール基板を示す
断面図である。
断面図である。
【図7】本発明の実施例3による電子装置を示す断面図
である。
である。
【図8】本発明の実施例4による電子装置を示す断面図
である。
である。
1…モジュール基板、2…配線基板、2A…配線基板の
下層、2B…配線基板の上層、3…貫通孔、4…放熱
体、4A…放熱体の主要部、4B…放熱体の支持部、5
…半導体チップ、6…端子、7…半導体チップの電極、
8…ボンディングワイヤ、9…キャップ、10…外付け
部品、11…コネクタ、12A、12B…コネクタの側
面、13…コネクタのリード、14…タブ、15…ヒー
トパイプ、16…電子装置、17…実装用基板、18…
ファン。
下層、2B…配線基板の上層、3…貫通孔、4…放熱
体、4A…放熱体の主要部、4B…放熱体の支持部、5
…半導体チップ、6…端子、7…半導体チップの電極、
8…ボンディングワイヤ、9…キャップ、10…外付け
部品、11…コネクタ、12A、12B…コネクタの側
面、13…コネクタのリード、14…タブ、15…ヒー
トパイプ、16…電子装置、17…実装用基板、18…
ファン。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体チップ及びこの半導体チップが搭
載された放熱体を保持するモジュール基板において、前
記放熱体はモジュール基板の表面と水平方向に延長され
て、その放熱体の主要部が前記モジュール基板の側面側
に配置されたことを特徴とするモジュール基板。 - 【請求項2】 前記放熱体は、前記半導体チップが搭載
されている支持部と、前記主要部と、この主要部及び支
持部を結合しているヒートパイプとから構成されたこと
を特徴とする請求項1記載のモジュール基板。 - 【請求項3】 前記放熱体の主要部は、前記モジュール
基板の表面と垂直方向に配置された複数段の板状部から
構成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載
のモジュール基板。 - 【請求項4】 実装用基板と、半導体チップが搭載され
た放熱体がモジュール基板の表面と水平方向に延長され
て、その主要部が前記モジュール基板の側面側に配置さ
れてなる複数のモジュール基板とを備え、この複数のモ
ジュール基板は互いに平行に前記実装用基板に対してこ
の表面と垂直方向に実装されたことを特徴とする電子装
置。 - 【請求項5】 前記複数のモジュール基板は、コネクタ
を介して前記実装用基板に実装されたことを特徴とする
請求項4記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6166578A JPH0832187A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | モジュール基板及びそれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6166578A JPH0832187A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | モジュール基板及びそれを用いた電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0832187A true JPH0832187A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15833876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6166578A Pending JPH0832187A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | モジュール基板及びそれを用いた電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0832187A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110984A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 半導体モジュールおよびそれを用いた電気装置 |
JP2008300773A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Daisho Denshi:Kk | 発光素子搭載用配線板の製造方法及び発光素子搭載用配線板 |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP6166578A patent/JPH0832187A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110984A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 半導体モジュールおよびそれを用いた電気装置 |
JP2008300773A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Daisho Denshi:Kk | 発光素子搭載用配線板の製造方法及び発光素子搭載用配線板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5513070A (en) | Dissipation of heat through keyboard using a heat pipe | |
JP2005123503A (ja) | 半導体装置および半導体モジュール | |
JPH0846070A (ja) | ダイヤモンド放熱子を備えた集積回路パッケージ | |
KR20010070141A (ko) | 전자모듈 | |
JPH09213851A (ja) | Icデバイスの放熱方法及び放熱手段 | |
JPH0832187A (ja) | モジュール基板及びそれを用いた電子装置 | |
JPH11266090A (ja) | 半導体装置 | |
JPH10247702A (ja) | ボールグリッドアレイパッケージ及びプリントボード | |
JPH07336009A (ja) | 半導体素子の放熱構造 | |
JP2612455B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板 | |
JPH06252299A (ja) | 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板 | |
JP2000252657A (ja) | 制御機器の放熱装置 | |
JP3460930B2 (ja) | 電子回路パッケージ | |
JP2919313B2 (ja) | プリント配線基板及びその実装方法 | |
JPS5821179Y2 (ja) | 半導体部品の放熱装置 | |
JPS63289847A (ja) | Lsiパッケ−ジの放熱構造 | |
JPH07231055A (ja) | モジュール構造 | |
JPH06181395A (ja) | 放熱形プリント配線板 | |
JPH11289036A (ja) | 電子装置 | |
JPH1187576A (ja) | 基 板 | |
JP2004103724A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の実装構造 | |
JPH0587982U (ja) | 発熱部品を有する混成集積回路装置 | |
JP2001156247A (ja) | 半導体装置 | |
JPH09293814A (ja) | ヒートパイプ付き放熱板搭載ハイブリッドic用基板 | |
CN117480602A (zh) | 半导体模块 |