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JPH0831218B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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Publication number
JPH0831218B2
JPH0831218B2 JP1174729A JP17472989A JPH0831218B2 JP H0831218 B2 JPH0831218 B2 JP H0831218B2 JP 1174729 A JP1174729 A JP 1174729A JP 17472989 A JP17472989 A JP 17472989A JP H0831218 B2 JPH0831218 B2 JP H0831218B2
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JP
Japan
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magneto
optical recording
film
recording medium
magnetic field
Prior art date
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JP1174729A
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JPH0340246A (ja
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嘉彦 工藤
元良 村上
秀次 川端
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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    • Y10S428/90Magnetic feature

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光の熱を利用して記録を行ない、磁気
光学効果を利用して再生を行なう光磁気記録媒体及びそ
の作製方法に関するものである。
従来の技術 従来の光磁気記録媒体は、第3図に示すように、基板
31上に保護膜32を介して比較的大きな磁気光学効果を有
する垂直磁化膜を光磁気記録膜33として用いた構成を有
し、記録,消去及び再生は次のようにして行なう。例え
ば、レーザ光によって光磁気記録膜33を補償温度以上の
高温あるいはキュリー温度前後に局部的に加熱し、膜面
に垂直方向の外部磁界を加えて加熱領域を膜に対し望む
垂直方向に磁化して記録,消去を行なう。再生は弱い直
線偏光のレーザ光を記録済の光磁気記録膜面上に照射
し、その照射領域の磁化方向をカー効果あるいはファラ
デー効果を利用して検出して行なう。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の光磁気記録媒体について記録,
消去を行なう場合、再生SN比を充分飽和させる為に必要
な外部磁界強度が比較的大きい(300Oe以上)為、記録
装置の磁界付与部に負担をかけるあるいは必要な外部磁
界強度のバラツキが大きいという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、再生SN比を充分飽和させ
る為に必要な外部磁界強度を小さくでき、かつ必要な外
部磁界強度のバラツキが小さく再現性の良い光磁気記録
媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の光磁気記録媒体
では、光磁気記録膜及び保護膜中の微小構造単位(透過
電子顕微鏡によって観察される膜中の組成,密度,結晶
性等の微小な不均一性に由来する)の大きさを光磁気記
録膜の磁壁の幅より小さくするという手段を用いる。
作用 本発明は上記のように光磁気記録膜及び保護膜中の微
小構造単位(透過電子顕微鏡によって観察される膜中の
組成,密度,結晶性等の微小な不均一性に由来する。)
の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さくすること
によって記録,消去に必要な外部磁界を低減し、かつそ
のバラツキを小さくするものであるが、以下のその作用
について説明する。
比較的小さな外部磁界での記録,消去によって充分に
飽和した再生SN比を得る為には、比較的小さな外部磁界
の下で記録された光磁気記録膜中のビット(磁区)が輪
郭に乱れがなくかつ適当な大きさを有していること及び
比較的小さな外部磁界での消去によって記録済のビット
が完全に消滅していることが必要である。光磁気記録膜
を補償温度以上の高温あるいはキュリー温度前後に局部
的に加熱し、膜面に垂直方向の外部磁界を加えて記録,
消去を行なうので、上記の要件を満たすためには光磁気
記録膜及び保護膜が光学的,熱的に充分な均質性を有し
て局部的加熱領域の熱分布に乱れがなく、かつ光磁気記
録膜中のビット(磁区)形成,消滅が高温領域において
比較的小さな外部磁界の下で容易に行なわれることが必
要である。
そこで光磁気記録膜中に透過電子顕微鏡によって観察
される組成,密度,結晶性等の微小な不均一性に由来す
る微小構造単位が存在すると、その部分で膜中に微小な
ポテンシャルの乱れが生じ、記録(あるいは消去)時に
形成(あるいは消去)されるビット(磁区)の輪郭とな
る磁壁がその部分に引っかかり移動が妨げられる。(磁
壁のピンニング現象)為、外部磁界が小さい場合は輪郭
に乱れがなくかつ充分な大きさを有するビット(磁区)
の形成(あるいは消去)ができなくなる。
磁壁は磁化(スピン)の向きが徐々に遷移して行く領
域であるから、ここでこの微小構造単位の大きさが磁壁
の幅より小さくなればなるほど磁壁と微小構造単位に由
来する微小なポテンシャルの乱れとの相互作用は小さく
なり、磁壁の移動は容易になる。すなわち小さな外部磁
界で記録,消去が可能となる。
また、保護膜についても光磁気記録膜の下地膜とな
る保護膜の構造はその上に形成される光磁気記録膜の構
造に影響を与える保護膜中の微小構造単位の存在は前
述のように記録,消去に際して局部的加熱領域の熱分布
に乱れを生じさせる等の理由から、その微小構造単位の
大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さくすることに
よって小さな外部磁界で記録,消去が可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例の光磁気記録媒体及びその作
製方法について、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の
構成を示すものである。第1図において1はガラスある
いはプラスチックよりなる基板、2,4はZnSe・SiO2より
なる保護膜、3は希土類−遷移金属系合金膜よりなる光
磁気記録膜である。製膜は全てスパッタ法により行な
い、基板1上に保護膜2を厚さ83nm、光磁気記録膜3を
厚さ100nm、保護膜4を厚さ83nmの順に形成した。製膜
に際して基板温度を室温以上、ターゲット投入電力を2W
/cm2以上に設定し、間欠的に製膜するという製膜条件で
行なうことにより、透過電子顕微鏡によって観察した光
磁気記録膜3及び保護膜2,4中の微小構造単位の大きさ
を5nm以下(従来の300Oe以上の外部磁界を必要とする膜
中の微小構造単位の大きさは30nm前後であった。)にで
きた。
このように光磁気記録膜及び保護膜中の微小構造単位
の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅(数十nm前後)より
小さくした本発明の一実施例における光磁気記録媒体と
従来の光磁気記録媒体との記録,消去時の外部磁界に対
する再生SN比の変化の比較を第2図に示す。本発明の一
実施例における光磁気記録媒体21は外部磁界200Oe程度
で再生SN比がほぼ飽和しているが、従来の光磁気記録媒
体22では外部磁界350Oe程度必要である。
また、本発明の一実施例における光磁気記録媒体では
各膜がより均質化されているので、記録,消去時に必要
な外部磁界強度のバラツキが小さく再現性が良い。
以上のように本実施例によれば光磁気記録膜及び保護
膜中の微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅
より小さくするという手段により、再生SN比を充分飽和
させる為に必要な記録,消去時の外部磁界を小さくする
とともに、必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした
再現性の良い光磁気記録媒体を実現できる。
なお、本実施例では、光磁気記録膜として希土類−遷
移金属系合金膜、保護膜としてZnSe・SiO2膜、製膜方法
としてスパッタ法を用いたが、光磁気記録膜はホイスラ
ー合金膜,スピネルフェライト膜,六方晶フェライト膜
等、保護膜はZnS膜,ZnSe膜,酸化膜,窒化膜あるいはそ
れらの混合膜等、製膜方法は蒸着法,CVD法等でも良い。
また、光磁気記録膜が化学的に安定で保護膜が必ずしも
必要ない場合は、保護膜は適宜省いた構成でも良い。
発明の効果 以上のように本発明は、光磁気記録膜及び保護膜中の
微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小
さくするという手段により再生SN比を充分飽和させる為
に必要な記録,消去時の外部磁界を小さくするととも
に、必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした再現性
の良い光磁気記録媒体を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構
成図、第2図は本発明の一実施例における光磁気記録媒
体と従来の光磁気記録媒体との記録,消去時の外部磁界
に対する再生SN比の変化の比較図、第3図は従来の光磁
気記録媒体の構成図である。 1……基板、2,4……保護膜(ZnSe・SiO2)、3……光
磁気記録膜(希土類−遷移金属系合金膜)、21……本発
明の一実施例における光磁気記録媒体の再生SN比、22…
…従来の光磁気記録媒体の再生SN比、31……基板、32,3
4……保護膜、33……光磁気記録膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透過電子顕微鏡によって観察される光磁気
    記録膜中の微小構造単位の大きさを前記光磁気記録膜の
    磁壁の幅より小さくしたことを特徴とする光磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項2】光磁気記録膜が希土類−遷移金属系合金膜
    であることを特徴とする請求項(1)記載の光磁気記録
    媒体。
  3. 【請求項3】光磁気記録膜中の微小構造単位の大きさを
    5nm以下にしたことを特徴とする請求項(2)記載の光
    磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】透過電子顕微鏡によって観察される保護膜
    中の微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅よ
    り小さくしたことを特徴とする光磁気記録媒体。
  5. 【請求項5】光磁気記録膜が希土類−遷移金属系合金膜
    であり、保護膜中の微小構造単位の大きさを5nm以下に
    したことを特徴とする請求項(4)記載の光磁気記録媒
    体。
JP1174729A 1989-07-06 1989-07-06 光磁気記録媒体 Expired - Fee Related JPH0831218B2 (ja)

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