JPS60236137A - 同時消録型光磁気記録方式並びにそれに使用する記録装置及び記録媒体 - Google Patents
同時消録型光磁気記録方式並びにそれに使用する記録装置及び記録媒体Info
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- JPS60236137A JPS60236137A JP59091360A JP9136084A JPS60236137A JP S60236137 A JPS60236137 A JP S60236137A JP 59091360 A JP59091360 A JP 59091360A JP 9136084 A JP9136084 A JP 9136084A JP S60236137 A JPS60236137 A JP S60236137A
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- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は同時消録型光磁気記録方式並びにそれに使用す
る記録装置及び記録媒体に関するものである。
る記録装置及び記録媒体に関するものである。
（発明の背景）
光磁気記録方式とけ、光磁気記録再生方式から由来した
術語であり、光熱磁気記録方式とも呼ぶことができる。
術語であり、光熱磁気記録方式とも呼ぶことができる。
この光磁気記録方式と（づ、例えばＧｄＣｏ 、 Ｇｄ
ＴｂＦｅの如き垂直磁化膜からなる光磁気記録媒体の磁
化の方向を予め強力な外部磁場により膜面に対し上向き
か又は下向きかのいずれか一方に揃えておく（この作業
を初期化という）。
ＴｂＦｅの如き垂直磁化膜からなる光磁気記録媒体の磁
化の方向を予め強力な外部磁場により膜面に対し上向き
か又は下向きかのいずれか一方に揃えておく（この作業
を初期化という）。
その上で、この媒体に反対向きの垂直磁化を有するピン
トを形成することにより、２値化された情報を記録して
行くものである。このビットを形成するには直径を１〜
２ミクロン程度ｒ（絞ったレーザービームを照射して、
その部分の温度を磁化膜のキュリ一点付近に上昇はせ、
それにより、その部分の磁化をゼロ又はほとんどゼロに
し、同時に反対向きの弱い外部磁場（バイアス磁場）を
印加して磁化の同きを反転させ、その−Ｆでレーザービ
ームの照射を止めると、自然に冷却されて常温に戻り、
反転した磁化の向きが固定される。こうして磁化膜とは
磁化の向きが反対のビットが形成される。従って、例え
ば元の向きを「０」とすれば、「１」のピントが形成さ
れ、２値化された情報は、このビットの有無又はピント
長として記録される。
トを形成することにより、２値化された情報を記録して
行くものである。このビットを形成するには直径を１〜
２ミクロン程度ｒ（絞ったレーザービームを照射して、
その部分の温度を磁化膜のキュリ一点付近に上昇はせ、
それにより、その部分の磁化をゼロ又はほとんどゼロに
し、同時に反対向きの弱い外部磁場（バイアス磁場）を
印加して磁化の同きを反転させ、その−Ｆでレーザービ
ームの照射を止めると、自然に冷却されて常温に戻り、
反転した磁化の向きが固定される。こうして磁化膜とは
磁化の向きが反対のビットが形成される。従って、例え
ば元の向きを「０」とすれば、「１」のピントが形成さ
れ、２値化された情報は、このビットの有無又はピント
長として記録される。
こうして記録された２値化情報は、記録媒体に対して直
線偏光（１／−ザービーム）を照射して、その反射光や
透過光の偏光面の回転状況が磁化の向きによって相違す
る現象（磁気カー効果及びファラデー効果）を利用して
読み取られる。つまり、入射光に対して磁化の向きが上
向きのとき、反射光や透過光の偏光面が入射光の偏光面
に対してθに度回転したとすると、入射光に対して磁化
の向きが下向きのときは一θに度回転する。従って、反
射光や透過光の先に偏光子（アナライザーとも呼ばれる
）の主軸を一θに変面にほぼ直交するように置いておく
と、下向き磁化の部分からの光はアナライザーをほとん
ど透過せず、上向きの磁化の部分からの光け５ｉｎ２２
θにの分だけ透過するので、アナライザーの先にディテ
クター（光電変換手段）を設置しておけば、記録媒体を
高速でスキャンニングして行くと、記録された磁気的情
報に基づいて電流の強弱信号（電気的情報）に再生され
る。
線偏光（１／−ザービーム）を照射して、その反射光や
透過光の偏光面の回転状況が磁化の向きによって相違す
る現象（磁気カー効果及びファラデー効果）を利用して
読み取られる。つまり、入射光に対して磁化の向きが上
向きのとき、反射光や透過光の偏光面が入射光の偏光面
に対してθに度回転したとすると、入射光に対して磁化
の向きが下向きのときは一θに度回転する。従って、反
射光や透過光の先に偏光子（アナライザーとも呼ばれる
）の主軸を一θに変面にほぼ直交するように置いておく
と、下向き磁化の部分からの光はアナライザーをほとん
ど透過せず、上向きの磁化の部分からの光け５ｉｎ２２
θにの分だけ透過するので、アナライザーの先にディテ
クター（光電変換手段）を設置しておけば、記録媒体を
高速でスキャンニングして行くと、記録された磁気的情
報に基づいて電流の強弱信号（電気的情報）に再生され
る。
ところで記録済みの媒体を再使用するには、（イ）再び
初期化装置で初期化するか、（ロ）別に消去用の装置を
併設するか、（ハ）予め前段処理として記録装置を用い
て消去する必要がある。しかしながら、初期化装置は大
型で高価であり、記録装置に付随させることけ実用上無
理である。別に消去用の装置を併設することも、記録装
置がほぼ２倍に大きくなるので、それだけ製造コストが
上昇し、従って実用化は困難である。また、予め記録装
置を用いて消去することも、消去に記録時と同じ時間が
かかるので実用的な魅力に乏しい。従って、簡単に記録
済みの情報を消すと同時に新しい情報を記録できると好
都合である。このように同時消録するには、記録媒体の
磁化の向きが上向き、下向きのいずれを向いていても、
希望する磁化の向きを有するピントを形成できなければ
ならない。そのためには、バイアス磁場が一方向だけで
なく、希望に応じて上向き、下向きのいずれにも変えら
れなければならない。しかも、その変化の速度（変調周
波数）は、記録速度を高めるため、メガＨｚ（１０６サ
イクル／秒）程度必要である。もし、そうでなければ、
この光磁気記録再生方式は他の記録再生方式に比べて魅
力が失なわれることになる。
初期化装置で初期化するか、（ロ）別に消去用の装置を
併設するか、（ハ）予め前段処理として記録装置を用い
て消去する必要がある。しかしながら、初期化装置は大
型で高価であり、記録装置に付随させることけ実用上無
理である。別に消去用の装置を併設することも、記録装
置がほぼ２倍に大きくなるので、それだけ製造コストが
上昇し、従って実用化は困難である。また、予め記録装
置を用いて消去することも、消去に記録時と同じ時間が
かかるので実用的な魅力に乏しい。従って、簡単に記録
済みの情報を消すと同時に新しい情報を記録できると好
都合である。このように同時消録するには、記録媒体の
磁化の向きが上向き、下向きのいずれを向いていても、
希望する磁化の向きを有するピントを形成できなければ
ならない。そのためには、バイアス磁場が一方向だけで
なく、希望に応じて上向き、下向きのいずれにも変えら
れなければならない。しかも、その変化の速度（変調周
波数）は、記録速度を高めるため、メガＨｚ（１０６サ
イクル／秒）程度必要である。もし、そうでなければ、
この光磁気記録再生方式は他の記録再生方式に比べて魅
力が失なわれることになる。
他方、バイアス磁場を得るには、永久磁石か電磁石を使
用する訳であるが、磁化の向きをメガＨｚの頻度で変化
（変調）きせるには電磁石しか考えられない。何故なら
ば、永久磁石をメガ…の頻度で機械的に反転させるのは
相当に困難であるからである。しかし、電磁石でも、記
録媒体の垂直磁化膜に対し非接触で十分な磁場を及はす
Ｖｃ＃−を相当に大きな電流を電磁石に流す必要があり
、この電流の方向をメガＨｚの頻度で変調させるのは相
当に困難である。
用する訳であるが、磁化の向きをメガＨｚの頻度で変化
（変調）きせるには電磁石しか考えられない。何故なら
ば、永久磁石をメガ…の頻度で機械的に反転させるのは
相当に困難であるからである。しかし、電磁石でも、記
録媒体の垂直磁化膜に対し非接触で十分な磁場を及はす
Ｖｃ＃−を相当に大きな電流を電磁石に流す必要があり
、この電流の方向をメガＨｚの頻度で変調させるのは相
当に困難である。
従って、現在のところ、バイアス磁場は定磁場の方式し
か考えられておらず、結局、光磁気記録方式は別に消去
装置を併設しない限り同時消録が不可能と考えられてい
る。
か考えられておらず、結局、光磁気記録方式は別に消去
装置を併設しない限り同時消録が不可能と考えられてい
る。
（発明の目的）
本発明は同時消録が可能な光磁気記録方式並びにそれに
使用する記録装置及び記録媒体を提供することにある。
使用する記録装置及び記録媒体を提供することにある。
（発明の概要）
光磁気記録媒体は、通常円盤状であるので同心円又は渦
巻き状の記録領域（Ａｗ）を持ち、隣接の記録領域（Ａ
ｗ）との重複を避けるため、記録領域（Ａｗ）と記録領
域（Ａｗ）との間に非記録領域（Ａｒｒ＋）を有する（
第２図参照）。
巻き状の記録領域（Ａｗ）を持ち、隣接の記録領域（Ａ
ｗ）との重複を避けるため、記録領域（Ａｗ）と記録領
域（Ａｗ）との間に非記録領域（Ａｒｒ＋）を有する（
第２図参照）。
また第２図のようにトラッキングの溝を形成することで
記録領域（Ａｗ）と非記録領域（Ａｍ）をあらかじめ区
別することをしない媒体でも、トラック間のクロースト
ークを防ぐために、記録トラック間に十分な非記録領域
（Ａｍ）を設けるのが普通である。
記録領域（Ａｗ）と非記録領域（Ａｍ）をあらかじめ区
別することをしない媒体でも、トラック間のクロースト
ークを防ぐために、記録トラック間に十分な非記録領域
（Ａｍ）を設けるのが普通である。
そして、記録領域（Ａｗ）に垂直磁化膜を形成する際に
非記録領域（Ａｒｎ）に垂直磁化膜を形成させないよう
にするのけ非常に面倒なので、一般には全体に垂直磁化
膜を形成してしまう。そのため、非記録領域（Ａｍ ）
が常に垂直磁化を持つことになり、しかも、記録領域（
ＡＷ）に非記録領域（Ａｍ）が隣接するため、記録領域
（Ａｗ）には第３図に破線で示すように非記録領域（Ａ
ｍ ）からの浮遊磁場が及ぶことになる。
非記録領域（Ａｒｎ）に垂直磁化膜を形成させないよう
にするのけ非常に面倒なので、一般には全体に垂直磁化
膜を形成してしまう。そのため、非記録領域（Ａｍ ）
が常に垂直磁化を持つことになり、しかも、記録領域（
ＡＷ）に非記録領域（Ａｍ）が隣接するため、記録領域
（Ａｗ）には第３図に破線で示すように非記録領域（Ａ
ｍ ）からの浮遊磁場が及ぶことになる。
本発明者らは、垂直磁化膜の温度をメガＨｚ程度の頻度
で変調し、温度によって変わる磁化からの浮遊磁場をバ
イアス磁場として利用することにより同時消録が可能に
なることを着想し、本発明を成す忙至った。
で変調し、温度によって変わる磁化からの浮遊磁場をバ
イアス磁場として利用することにより同時消録が可能に
なることを着想し、本発明を成す忙至った。
但し、垂直磁化膜の材料によっては、温度を高温、低温
の２段階に設定したとき、その垂直磁化の向きがいずれ
の温度段階に於いても同じ場合や、２つの温度段階の間
に補償温度があシ、そのため磁化の向きが異なる場合で
も、上向き又は下向きのいずれか一方の向きの垂直磁化
の大きさが不十分で、そこからの浮遊磁場が記録に十分
な記録用磁場ｌ Ｈｗ ｌより弱い場合には、補助とし
てバイアス定磁場を印加することによシ、変調される浮
遊（９） へへ。
の２段階に設定したとき、その垂直磁化の向きがいずれ
の温度段階に於いても同じ場合や、２つの温度段階の間
に補償温度があシ、そのため磁化の向きが異なる場合で
も、上向き又は下向きのいずれか一方の向きの垂直磁化
の大きさが不十分で、そこからの浮遊磁場が記録に十分
な記録用磁場ｌ Ｈｗ ｌより弱い場合には、補助とし
てバイアス定磁場を印加することによシ、変調される浮
遊（９） へへ。
磁場との和によって、記録が可能になる。一般（では、
高温時の浮遊磁場をＨ＋ 、低温時の浮遊磁場をＨｏ、
バイアス定磁場をＨｂ とすれば、ｌＨ＋＋Ｈｂｌ≧Ｉ
Ｈｗ １ １ＨＯ＋Ｈｂ１≧１Ｈｗ］ でなければならない。
高温時の浮遊磁場をＨ＋ 、低温時の浮遊磁場をＨｏ、
バイアス定磁場をＨｂ とすれば、ｌＨ＋＋Ｈｂｌ≧Ｉ
Ｈｗ １ １ＨＯ＋Ｈｂ１≧１Ｈｗ］ でなければならない。
従って、本発明は第一に垂直磁化膜からなる記録領域（
Ａｗ）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域
（Ａｍ）とを有する光磁気記録媒体に対して、 該媒体を移動させながら、前記記録領域（Ａｗ）には、
その保磁力がゼロまたは相当に小さくなる温度に上げる
のン（十分な光強度を有する主ビームを記録中常時照射
し、同時に必要に応じて記録領域（Ａｗ）にバイアス定
磁場を印加し、他方、非記録領域（Ａｍ）には、別の副
ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを含む）との間
で変調して照射して非記録領域（Ａｍ）の温度を高温と
低温との間で変調し、それにより非記録領域（Ａｍ）の
垂直磁化を変調し、 （］０） この変調された垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて
印加されるバイアス定磁場との和によって互いに向きの
異なる記録用磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａ
ｗ）に記録することを特徴とする同時消録型光磁気記録
方式を提供する。
Ａｗ）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域
（Ａｍ）とを有する光磁気記録媒体に対して、 該媒体を移動させながら、前記記録領域（Ａｗ）には、
その保磁力がゼロまたは相当に小さくなる温度に上げる
のン（十分な光強度を有する主ビームを記録中常時照射
し、同時に必要に応じて記録領域（Ａｗ）にバイアス定
磁場を印加し、他方、非記録領域（Ａｍ）には、別の副
ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを含む）との間
で変調して照射して非記録領域（Ａｍ）の温度を高温と
低温との間で変調し、それにより非記録領域（Ａｍ）の
垂直磁化を変調し、 （］０） この変調された垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて
印加されるバイアス定磁場との和によって互いに向きの
異なる記録用磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａ
ｗ）に記録することを特徴とする同時消録型光磁気記録
方式を提供する。
また、本発明は第二に垂直磁化膜からなる記録領域（Ａ
ｗ）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域（
Ａｍ）七を有する光磁気記録媒体に対して、 （ａ）＃媒体を移動きせる手段、 （ｂ） 前記記録領域（Ａｗ）に対し、その保磁力がゼ
ロまたは和尚に小さくなる温度に上げるのに十分な光強
度を有し、かつ記録中常時照射する主ビーノ５、 （Ｃ）必要に応じて記録領域（Ａｗ）ＶＣバイアス定磁
場を印加する手段、 （ｄ） 前記非記録領域（Ａｍ）を照射する副ビーノ・
、（ｅ） 副ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを
含む）との間で変調して、非記録領域（Ａｍ）の温度を
高温と低温との間で変調し１それにより、非記録領域（
Ａｍ）の垂直磁化を変調する手段、からなり、変調され
た垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて印加きれるバ
イアス定磁場との和によって互いに向きの異なる記録用
磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａｗ）ＶＣ記録
することを特徴とする同時消録型光磁気記録装置を提供
する。
ｗ）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域（
Ａｍ）七を有する光磁気記録媒体に対して、 （ａ）＃媒体を移動きせる手段、 （ｂ） 前記記録領域（Ａｗ）に対し、その保磁力がゼ
ロまたは和尚に小さくなる温度に上げるのに十分な光強
度を有し、かつ記録中常時照射する主ビーノ５、 （Ｃ）必要に応じて記録領域（Ａｗ）ＶＣバイアス定磁
場を印加する手段、 （ｄ） 前記非記録領域（Ａｍ）を照射する副ビーノ・
、（ｅ） 副ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを
含む）との間で変調して、非記録領域（Ａｍ）の温度を
高温と低温との間で変調し１それにより、非記録領域（
Ａｍ）の垂直磁化を変調する手段、からなり、変調され
た垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて印加きれるバ
イアス定磁場との和によって互いに向きの異なる記録用
磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａｗ）ＶＣ記録
することを特徴とする同時消録型光磁気記録装置を提供
する。
更に本発明は第三に垂直磁化膜からなる記録領域（Ａｗ
）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域（Ａ
ｍ ）とを有することを特徴々する同時消録型光磁気記
録方式用記録媒体を提供する。
）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域（Ａ
ｍ ）とを有することを特徴々する同時消録型光磁気記
録方式用記録媒体を提供する。
本発明に従えば、主ビームは記録中常時照射するのであ
るが、副ビームを照射したときビームが重なるので温度
が上がりすぎることがあることから、主ビームの光強度
も副ビームの光強度の変調に同期させて強弱を反対に変
調し、それにより記録領域（Ａｗ）Ｋ照射される光強度
の変動を±２０係以内におさえることが好ましい。
るが、副ビームを照射したときビームが重なるので温度
が上がりすぎることがあることから、主ビームの光強度
も副ビームの光強度の変調に同期させて強弱を反対に変
調し、それにより記録領域（Ａｗ）Ｋ照射される光強度
の変動を±２０係以内におさえることが好ましい。
垂直磁化膜を形成する材料としては、例えば、ＧｄＣｏ
、 ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、
ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＦｅＣｏ 。
、 ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、
ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＦｅＣｏ 。
ＧｄＦｅＢ１ 、 ＤｙＦｅＣｏなどの非晶質になる材
料あるいけ ＰｔＭｎＳｂ 、 ＭｎＣ＋ｚＢ ｉ 、
ＭｎＡｌＧｅ 、 ＭｎＢ ｉなどの多結晶になる材
料が使用される。垂直磁化膜は一般にｕｏ、ｏｘ〜１は
クロン程度と薄くてよいのでガラス、プラスチックその
他の基板上に形成する。垂直磁化膜の上には保護層例え
ばＳｉＯ２，ガラス、 ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４ 、 ＡＩ
Ｎなどを形成する。垂直磁化膜は一層からなるものでも
よいが、特開昭５７−７８６５２号に開示された低キユ
リ一点高保磁力の垂直磁化膜と高キュリ一点低保磁力の
垂直磁化膜からなる２層膜や特願昭５９−２７４９３号
として出願中の互いに磁化の向きが異なる２層以上の垂
直磁化膜なども使用することができる。
料あるいけ ＰｔＭｎＳｂ 、 ＭｎＣ＋ｚＢ ｉ 、
ＭｎＡｌＧｅ 、 ＭｎＢ ｉなどの多結晶になる材
料が使用される。垂直磁化膜は一般にｕｏ、ｏｘ〜１は
クロン程度と薄くてよいのでガラス、プラスチックその
他の基板上に形成する。垂直磁化膜の上には保護層例え
ばＳｉＯ２，ガラス、 ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４ 、 ＡＩ
Ｎなどを形成する。垂直磁化膜は一層からなるものでも
よいが、特開昭５７−７８６５２号に開示された低キユ
リ一点高保磁力の垂直磁化膜と高キュリ一点低保磁力の
垂直磁化膜からなる２層膜や特願昭５９−２７４９３号
として出願中の互いに磁化の向きが異なる２層以上の垂
直磁化膜なども使用することができる。
記録領域（Ａｗ）と非記録領域（Ａｍ ）とは別々に作
製してもよいが、先に述べたように同時に作る方が簡単
である。つまり、例えば円盤状の基板に円心円状又は渦
巻き状に溝を切り、基板全体に真空蒸着、スパッタリン
グなどの薄膜形成技術により垂直磁化膜を形成１．、、
その上に保護層を形成し、記録媒体とする。
製してもよいが、先に述べたように同時に作る方が簡単
である。つまり、例えば円盤状の基板に円心円状又は渦
巻き状に溝を切り、基板全体に真空蒸着、スパッタリン
グなどの薄膜形成技術により垂直磁化膜を形成１．、、
その上に保護層を形成し、記録媒体とする。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
厚き１．２ｍｍの円形ガラス基板に厚さ３０００ＡのＧ
ｄ２４（Ｆｅ７５ＣＯ２５）７６ノ垂直磁化膜（［１層
）’＆影形成、その上に厚さ２００ＯＡのＴｂ３．Ｆｅ
６Ｉ、１１２）垂直磁化膜（第２層）を形成することに
より記録媒体を作製する。なお、元素記号の右下の数字
は原子数係による組成を表わす（以下、同じ）。
ｄ２４（Ｆｅ７５ＣＯ２５）７６ノ垂直磁化膜（［１層
）’＆影形成、その上に厚さ２００ＯＡのＴｂ３．Ｆｅ
６Ｉ、１１２）垂直磁化膜（第２層）を形成することに
より記録媒体を作製する。なお、元素記号の右下の数字
は原子数係による組成を表わす（以下、同じ）。
ここでは、簡単のために特に基板に溝を設けると々はせ
ず、中１ミクロンの記録領域（Ａｗ）と、その隣りに巾
３ミクロンの非記録領域（Ａｍ）とを渦巻き状に設定す
る。
ず、中１ミクロンの記録領域（Ａｗ）と、その隣りに巾
３ミクロンの非記録領域（Ａｍ）とを渦巻き状に設定す
る。
この媒体に＋１５にエルステッド（Ｏｅ）の外部磁場を
印加して初期化する。（なお、これ以後数値の前に十と
あるのは−Ｆ向きの磁場又は磁化を、−とあるのは下向
きの磁場又は磁化を示す。）初期化により非記録領域（
Ａｍ）ｌ″ｉ、第１層が一６４ガウス０、第２層が＋２
４０Ｇの垂直磁化を示し、他方記録領域（Ａｗ）Ｋ記録
するのに十分な記録用磁場ｌＨｗｌ Ｍ ２０００ｅ
テｔ、ル。
印加して初期化する。（なお、これ以後数値の前に十と
あるのは−Ｆ向きの磁場又は磁化を、−とあるのは下向
きの磁場又は磁化を示す。）初期化により非記録領域（
Ａｍ）ｌ″ｉ、第１層が一６４ガウス０、第２層が＋２
４０Ｇの垂直磁化を示し、他方記録領域（Ａｗ）Ｋ記録
するのに十分な記録用磁場ｌＨｗｌ Ｍ ２０００ｅ
テｔ、ル。
一方、第１図に示す如き全体的構成を有する光磁気記録
装置を用意する。第１図に於いて、（］）Ｆｉ。
装置を用意する。第１図に於いて、（］）Ｆｉ。
本発明の光磁気記録媒体、（２）は前記媒体をのせるた
めのターンテーブル、（３）は媒体を移動（ここでは回
転させる）ためのモーター、（４）は対物１ノンズ、（
５）はハーフミラ−１（６）はコリメータレンズ、（７
）は主ビーム（Ｂｍ）を放つｌ／−ザー光源、（８）は
副ビーム（ＢＷ）を放ツ１ノーザー光源、（９）は副ビ
ーム（Ｂｍ）を変調するための電気回路、（１０）はバ
イアス定磁場を与える手段である。
めのターンテーブル、（３）は媒体を移動（ここでは回
転させる）ためのモーター、（４）は対物１ノンズ、（
５）はハーフミラ−１（６）はコリメータレンズ、（７
）は主ビーム（Ｂｍ）を放つｌ／−ザー光源、（８）は
副ビーム（ＢＷ）を放ツ１ノーザー光源、（９）は副ビ
ーム（Ｂｍ）を変調するための電気回路、（１０）はバ
イアス定磁場を与える手段である。
主ビーム（Ｂｒｎ）と副ビーム（Ｂｗ）との媒体（１）
に対する照射面は第４図に示す如く主ビーム（Ｂｍ）が
直径１ｐ、副ビーム（Ｂｗ）が直径５μの同心円を呈し
ており、ここでは主ビームの照射強度を垂直磁化膜の温
度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると、
記録領域（Ａｗ）の保磁力はほとんどゼロになる。副ビ
ームの照射強度は同じく１００〜１１０℃に達する強度
とし、そうすると（Ａｍ）ノ第１層は一１１３Ｇ、第２
層は＋４０Ｇの垂直磁化を示す。
に対する照射面は第４図に示す如く主ビーム（Ｂｍ）が
直径１ｐ、副ビーム（Ｂｗ）が直径５μの同心円を呈し
ており、ここでは主ビームの照射強度を垂直磁化膜の温
度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると、
記録領域（Ａｗ）の保磁力はほとんどゼロになる。副ビ
ームの照射強度は同じく１００〜１１０℃に達する強度
とし、そうすると（Ａｍ）ノ第１層は一１１３Ｇ、第２
層は＋４０Ｇの垂直磁化を示す。
その結果、主ビームのみを照射したとき、つまり副ビー
ムを照射しないときＶＣＦｉ、記録領域（Ａｗ）に対し
て周囲の非記録領域（Ａｍ ）から−２０００８の浮遊
磁場（主ビームの当っている点に於ける値）が及ぼされ
、また主ビームに加えて副ビームを照射したときには、
同じ＜＋２０００ｅの浮遊磁場が及ぼされる。
ムを照射しないときＶＣＦｉ、記録領域（Ａｗ）に対し
て周囲の非記録領域（Ａｍ ）から−２０００８の浮遊
磁場（主ビームの当っている点に於ける値）が及ぼされ
、また主ビームに加えて副ビームを照射したときには、
同じ＜＋２０００ｅの浮遊磁場が及ぼされる。
いずれの磁場も記録に十分な配録用磁場ＩＨｗ １＝２
０００ｅに達しているので、副ビームを照射しないとき
には、記録領域（Ａｗ）に下向きの磁化を有するピット
（Ｐｌ）が形成され、副ビームを照射したときＫは、上
向きの磁化を有するビット（Ｐｏ）が形成され、従って
主ビームを照射しｆＣまま副ビームの強度を変調するこ
とにより、記録領域（Ａｗ）には、予め前の情報を消す
ことなく、新たな情報が記録される。つまり、同時消録
される。
０００ｅに達しているので、副ビームを照射しないとき
には、記録領域（Ａｗ）に下向きの磁化を有するピット
（Ｐｌ）が形成され、副ビームを照射したときＫは、上
向きの磁化を有するビット（Ｐｏ）が形成され、従って
主ビームを照射しｆＣまま副ビームの強度を変調するこ
とにより、記録領域（Ａｗ）には、予め前の情報を消す
ことなく、新たな情報が記録される。つまり、同時消録
される。
尚、主ビーム（Ｂｒｎ）と副ビーム（Ｂｗ）とけ、同心
円状の関係ではなく、第５図や第６図の如き関係でもよ
い。
円状の関係ではなく、第５図や第６図の如き関係でもよ
い。
（実施例２）
厚さ１．２ ｍｍの円形ガラス基板に厚さ２５００ Ａ
のＴｂ ３４ Ｆｅ ６６の垂直磁化膜を形成して光磁
気記録媒体を作製する。
のＴｂ ３４ Ｆｅ ６６の垂直磁化膜を形成して光磁
気記録媒体を作製する。
ここでは、簡単のために特に基板に溝を設けず、巾１ミ
クロンの記録領域（Ａｗ）とその隣妙に巾２ミクロンの
非記録領域（Ａｍ）とを渦巻き状に設定する。
クロンの記録領域（Ａｗ）とその隣妙に巾２ミクロンの
非記録領域（Ａｍ）とを渦巻き状に設定する。
この媒体を＋１５ＫＯｅの外部磁場で初期化すると、非
記録領域（Ａｍ）は＋２４０Ｇの垂直磁化を示し、他方
記録領域（Ａｗ）の記録に十分な記録用磁場ＩＨＷ１け
２０００ｅである。
記録領域（Ａｍ）は＋２４０Ｇの垂直磁化を示し、他方
記録領域（Ａｗ）の記録に十分な記録用磁場ＩＨＷ１け
２０００ｅである。
次に第４図に示すように直径１＃の主ビーム（Ｂｍ）と
直径３μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作り、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
、記録領域（Ａｗ）の保磁力はほとんどゼロになる。副
ビームの照射強度は同じく１００〜１１０℃に達する強
度とし、そうすると非記録領域（Ａｍ ）は４０Ｇの垂
直磁化を（１７） 示す。
直径３μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作り、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
、記録領域（Ａｗ）の保磁力はほとんどゼロになる。副
ビームの照射強度は同じく１００〜１１０℃に達する強
度とし、そうすると非記録領域（Ａｍ ）は４０Ｇの垂
直磁化を（１７） 示す。
その結果、主ビームのみを照射したとき、つま妙副ビー
ムを照射しないときには、記録領域（ＡＷ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ ）から−７３１０ｅの浮遊磁場
が及はされ、また主ビームに加えて副ビームを照射した
ときには、同じ＜ −３３１，Ｏｅの浮遊磁場が及ぼさ
れる。しかし、これでは副ビームの照射の有無によって
、記録領域（Ａｗ）に印加される浮遊磁場の向きが変わ
らず同時消録できないので、記録領域（Ａｗ）の主ビー
ム照射点には上向きの＋５３１０ｅのバイアス定磁場Ｈ
ｂを印加する。
ムを照射しないときには、記録領域（ＡＷ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ ）から−７３１０ｅの浮遊磁場
が及はされ、また主ビームに加えて副ビームを照射した
ときには、同じ＜ −３３１，Ｏｅの浮遊磁場が及ぼさ
れる。しかし、これでは副ビームの照射の有無によって
、記録領域（Ａｗ）に印加される浮遊磁場の向きが変わ
らず同時消録できないので、記録領域（Ａｗ）の主ビー
ム照射点には上向きの＋５３１０ｅのバイアス定磁場Ｈ
ｂを印加する。
そのため、副ビームを照射しないときには、記録領域（
Ａｗ）ＶＣ対しチー７３１ ＋５３１． ＝−２０００
ｅの下向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビーム
を照射したときには、−３３１＋５３１ ＝＋２０００
ｅ の上向き浮遊磁場が印加きれることになり、いずれ
も記録に必要な磁場１）ＩＷＩ ＝２０００ｅＶｃ達し
ているので、副ビームを照射しないときＫは記録領域（
Ａｗ）Ｋ下向きのビア）ＰＩ が形（１８） 成され、副ビームを照射したときには上向きのビットＰ
Ｏが形成され、従って副ビームの強度を変調すれば、同
時消録される。
Ａｗ）ＶＣ対しチー７３１ ＋５３１． ＝−２０００
ｅの下向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビーム
を照射したときには、−３３１＋５３１ ＝＋２０００
ｅ の上向き浮遊磁場が印加きれることになり、いずれ
も記録に必要な磁場１）ＩＷＩ ＝２０００ｅＶｃ達し
ているので、副ビームを照射しないときＫは記録領域（
Ａｗ）Ｋ下向きのビア）ＰＩ が形（１８） 成され、副ビームを照射したときには上向きのビットＰ
Ｏが形成され、従って副ビームの強度を変調すれば、同
時消録される。
（実施例３）
厚さ１．２１ｍの円形ガラス基板に厚さ２００ＯＡの（
Ｇｄ２６Ｆｅ＋４）ｏ Ｂｉ ｔｏの垂直磁化膜（第１
層）を形成し、その土に厚さ２０００ＡのＴｂ２ｏ、Ｐ
ａｎの垂直磁化膜（第２層）を形成することにより記録
媒体を作製し、実施例２と同様に記録及び非記録領域を
設定する。
Ｇｄ２６Ｆｅ＋４）ｏ Ｂｉ ｔｏの垂直磁化膜（第１
層）を形成し、その土に厚さ２０００ＡのＴｂ２ｏ、Ｐ
ａｎの垂直磁化膜（第２層）を形成することにより記録
媒体を作製し、実施例２と同様に記録及び非記録領域を
設定する。
この媒体を＋１５ＫＯｅの外部磁場で初期化すると、非
記録領域（Ａｒｎ）Ｆｉ第１層が＋１５０Ｇ、第２層が
＋２４０Ｇの垂直磁化を示し、他方、記録領域（Ａｗ）
のＩＨｗ ｌは２０００ｅである。
記録領域（Ａｒｎ）Ｆｉ第１層が＋１５０Ｇ、第２層が
＋２４０Ｇの垂直磁化を示し、他方、記録領域（Ａｗ）
のＩＨｗ ｌは２０００ｅである。
次に第１図に示すように直径１声の主ビーム（Ｂｍ）と
直径３μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作り、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
、記録領域（Ａｗ ）の保磁力はほとんどゼロとなる。
直径３μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作り、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
、記録領域（Ａｗ ）の保磁力はほとんどゼロとなる。
副ビームの照射強度は同じく１００〜１１０℃に達する
強度とし、そうすると（Ａｍ）の第１層は＋５０Ｇ、第
２層は＋４０Ｇの磁化を示す。
強度とし、そうすると（Ａｍ）の第１層は＋５０Ｇ、第
２層は＋４０Ｇの磁化を示す。
その結果、主ビームのみを照射したとき、つまり副ビー
ムを照射しないときには、記録領域（Ａｗ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ）から−８５００ｅの浮遊磁場が
及はされ、１だ主ビームに加えて副ビームを照射したと
きｒ（は、同じ＜−４５００ｅの浮遊磁場が及はされる
。しかし、これでは副ビームの照射の有無によって、記
録領域（ＡＷ）Ｋ印加される浮遊磁場の向きが変わらず
同時消録できないので、上向きのバイアス定磁場）１ｂ
二＋６５００ｅを印加する。
ムを照射しないときには、記録領域（Ａｗ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ）から−８５００ｅの浮遊磁場が
及はされ、１だ主ビームに加えて副ビームを照射したと
きｒ（は、同じ＜−４５００ｅの浮遊磁場が及はされる
。しかし、これでは副ビームの照射の有無によって、記
録領域（ＡＷ）Ｋ印加される浮遊磁場の向きが変わらず
同時消録できないので、上向きのバイアス定磁場）１ｂ
二＋６５００ｅを印加する。
そうすると、副ビームを照射しないときｖｃＦｉ、記録
領域（Ａｗ）に対して一８５０＋６５０＝１００００
の下向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビームを
照射したときＫは−４５０−１−６５０＝＋２０００ｅ
の上向きの浮遊磁場が印加されることになり、いずれも
記録に十分な磁場ｌＨｗ ｌ二２０００ｅ に達してい
るので、副ビームを照射しないときには記録領域（Ａｗ
）Ｋ下向きのビットＰ＋ が形成され、副ビームを照射
したときには上向きのビットＰＯが形成され、副ビーム
の強度を変調することにより、記録領域（Ａｗ）の前の
情報を予め消すことなく、新たな情報が記録される。
領域（Ａｗ）に対して一８５０＋６５０＝１００００
の下向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビームを
照射したときＫは−４５０−１−６５０＝＋２０００ｅ
の上向きの浮遊磁場が印加されることになり、いずれも
記録に十分な磁場ｌＨｗ ｌ二２０００ｅ に達してい
るので、副ビームを照射しないときには記録領域（Ａｗ
）Ｋ下向きのビットＰ＋ が形成され、副ビームを照射
したときには上向きのビットＰＯが形成され、副ビーム
の強度を変調することにより、記録領域（Ａｗ）の前の
情報を予め消すことなく、新たな情報が記録される。
（実施例４）
厚さ１．２朋の円形ガラス基板に厚さ３０００ＡのＧｄ
２７Ｆｅ７３ の垂直磁化膜（第１層）を形成し、その
上に厚さ２００ＯＡのＴｂ３４Ｆｅ６６ノ垂直磁化膜（
第２層）を形成することにより記録媒体を作製し、実施
例１に同様に記録及び非記録領域を設定する。
２７Ｆｅ７３ の垂直磁化膜（第１層）を形成し、その
上に厚さ２００ＯＡのＴｂ３４Ｆｅ６６ノ垂直磁化膜（
第２層）を形成することにより記録媒体を作製し、実施
例１に同様に記録及び非記録領域を設定する。
この媒体を＋１５ＫＯｅの外部磁場で初期化すると、非
記録領域（Ａｍ ）は第１層が＋２５Ｇ、上層が＋２４
０Ｇの垂直磁化を示す。他方、記録領域（Ａｗ）のＩＨ
Ｗｌは２０２０ｅである。
記録領域（Ａｍ ）は第１層が＋２５Ｇ、上層が＋２４
０Ｇの垂直磁化を示す。他方、記録領域（Ａｗ）のＩＨ
Ｗｌは２０２０ｅである。
次に第４図に示すように直径１μの主ビーム（Ｂｍ）ト
直径５μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作シ、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
記録領域（Ａｗ）の保磁力は−１とんとゼロになる。一
方、副ビームの照射強度は同じ＜１００〜１１０℃に達
する強度とし、そうすると、第１層は補償温度を横切る
ので一２５Ｇ、第２層は＋４０Ｇの磁化を示す。
直径５μの副ビーム（Ｂｗ）が同心円状の照射面を有す
る記録装置を作シ、主ビームの照射強度を垂直磁化膜の
温度が１５０〜１６０℃に達する強度とし、そうすると
記録領域（Ａｗ）の保磁力は−１とんとゼロになる。一
方、副ビームの照射強度は同じ＜１００〜１１０℃に達
する強度とし、そうすると、第１層は補償温度を横切る
ので一２５Ｇ、第２層は＋４０Ｇの磁化を示す。
その結果、主ビームのみを照射したとき、つまり副ビー
ムを照射しないときＫけ、記録領域（Ａｗ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ）から−５２２０ｅの浮遊磁場が
及はきれ、また主ビームに加えて副ビームを照射したと
きには、同じ＜ １１８０ｅの浮遊磁場が及ホキれる。
ムを照射しないときＫけ、記録領域（Ａｗ）に対して周
囲の非記録領域（Ａｍ）から−５２２０ｅの浮遊磁場が
及はきれ、また主ビームに加えて副ビームを照射したと
きには、同じ＜ １１８０ｅの浮遊磁場が及ホキれる。
しかし、これでは副ビームの照射の有無によって記録領
域（Ａｗ）［印加される浮遊磁場の向きが変わらず同時
消録できないので、上向きのバイアス定磁場Ｈｂ＝＋３
２００ｅを印加する。
域（Ａｗ）［印加される浮遊磁場の向きが変わらず同時
消録できないので、上向きのバイアス定磁場Ｈｂ＝＋３
２００ｅを印加する。
そうすると、副ビームを照射しないときには、記録領域
（Ａｗ）Ｋ対して−５２２＋３２０＝−２０２００の下
向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビームを照射
したときには−１１８＋３２０ ＝＋２０２０ｅ の上
向きの浮遊磁場が印加されることになり、いずれも記録
に十分な磁場ｌＨｗ１＝２０２０ｅ に達しているので
、副ビームを照射しないときには記録領塚（ＡＷ）に下
向きのピノ）Ｐ＋が形成され、副ビームを照射したさき
には上向きのビットＰＯが形成される。従って、主ビー
ムを照射したま管側ビームを変調することにより同時消
録される。
（Ａｗ）Ｋ対して−５２２＋３２０＝−２０２００の下
向き浮遊磁場が印加されることになり、副ビームを照射
したときには−１１８＋３２０ ＝＋２０２０ｅ の上
向きの浮遊磁場が印加されることになり、いずれも記録
に十分な磁場ｌＨｗ１＝２０２０ｅ に達しているので
、副ビームを照射しないときには記録領塚（ＡＷ）に下
向きのピノ）Ｐ＋が形成され、副ビームを照射したさき
には上向きのビットＰＯが形成される。従って、主ビー
ムを照射したま管側ビームを変調することにより同時消
録される。
（発明の効果）
以−Ｆの通り、本発明は、極端に言えば僅かに副ビーム
を余分に設けるだけで、同時消録可能な光磁気記録方式
装置を提供する。
を余分に設けるだけで、同時消録可能な光磁気記録方式
装置を提供する。
第１図は本発明の実施例に於ける光磁気記録装置の全体
的構成を示す概念図である。 第２図は光磁気記録媒体の一つの断面図である。 第３図は非記録領域（Ａｍ ）から記録領域（Ａｗ）に
浮遊磁場が及ぶ様子を説明する説明図である。 第４〜６図は主ビーム（Ｂｍ）及び副ビーム（Ｂｗ）が
記録媒体を照射する様子を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １ ・・・・・・光磁気記録媒体 １ａ ・・・・・・垂直磁化膜 １ｂ・・・・・・基板 ２ ・・・・・・ターンテーブル ３ ・・・・・・モーター ４ ・・・・・・対物レンズ ５ ・・・・・・ハーフミラ− ６・・・・・・コリメーターレンズ ７ ・・・・・・主ビーム光源 ８ ・・・・・・副ビーム光源 ９ ・・・・・・副ビームの光強度を変調する電気回路
Ａｒｎ・・・・・・非記録領域 Ａｗ・・・・・・記録領域 Ｂｍ・・・・・・主ビーム Ｂｗ・・・・・・畠１１ビーム Ｐｏ ・・・・・・上向きの垂直磁化を示すビットＰ１
・・・・・・下向きの垂直磁化を示すビット出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 −リフ【 −（→
的構成を示す概念図である。 第２図は光磁気記録媒体の一つの断面図である。 第３図は非記録領域（Ａｍ ）から記録領域（Ａｗ）に
浮遊磁場が及ぶ様子を説明する説明図である。 第４〜６図は主ビーム（Ｂｍ）及び副ビーム（Ｂｗ）が
記録媒体を照射する様子を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １ ・・・・・・光磁気記録媒体 １ａ ・・・・・・垂直磁化膜 １ｂ・・・・・・基板 ２ ・・・・・・ターンテーブル ３ ・・・・・・モーター ４ ・・・・・・対物レンズ ５ ・・・・・・ハーフミラ− ６・・・・・・コリメーターレンズ ７ ・・・・・・主ビーム光源 ８ ・・・・・・副ビーム光源 ９ ・・・・・・副ビームの光強度を変調する電気回路
Ａｒｎ・・・・・・非記録領域 Ａｗ・・・・・・記録領域 Ｂｍ・・・・・・主ビーム Ｂｗ・・・・・・畠１１ビーム Ｐｏ ・・・・・・上向きの垂直磁化を示すビットＰ１
・・・・・・下向きの垂直磁化を示すビット出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 −リフ【 −（→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁化膜からなる記録領域（ＡＷ）と一方の向き
に揃った垂直磁化を示す非記録領域（Ａｍ ）とを有す
る光磁気記録媒体に対して、 該媒体を移動させながら、前記記録領域（Ａｗ）には、
その保磁力がゼロまたは相当に小さくなる温度に上ける
のに十分な光強度を有する主ビームを記録中常時照射し
、同時に必要に応じて記録領域（Ａｗ）にバイアス定磁
場を印加し、他方、非記録領域（Ａｍ ）には、別の副
ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを含む）との間
で変調して照射して非記録領域（Ａｍ）の温度を高温と
低温との間で変調し、それにより非記録領域（Ａｍ）の
垂直磁化を変調し、 この変調された垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて
印加されるバイアス定磁場との和によって互いに向きの
異なる記録用磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａ
ｗ）に記録することを特徴とする同時消録型光磁気記録
方式。 ２ 垂直磁化膜からなる記録領域（Ａｗ）よ一方の向き
に揃った垂直磁化を示す非記録領域（Ａｍ）とを有する
光磁気記録媒体に対して、 （ａ） 該媒体を移動させる手段、 （ｂ） 前記記録領域（ＡＷ）に対し、その保磁力がゼ
ロまたは相当に小さくなる温度に上げるのに十分な光強
度を有し、かつ記録中常時照射する主ビーム、 （Ｃ）必要に応じて記録領域（Ａｗ）ｌ／！：バイアス
定磁場を印加する手段、 （ｄ） 前記非記録領域（Ａｍ）を照射する副ビーム、 （ｅ） 副ビームの光強度を高強度と低強度（ゼロを含
む）との間で変調して、非記録領域（Ａ、ｍ ）の温度
を高温と低温との間で変調し、それにより、非記録領域
（Ａｍ）の垂直磁化を変調する手段、からなり、変調さ
れた垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて印加される
バイアス定磁場との和によって互いに向きの異なる記録
用磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａｗ）に記録
することを特徴とする同時消録型光磁気記録装置。 ３ 垂直磁化膜からなる記録領［（Ａｗ）と一方の向き
に揃った垂直磁化を示す非記録領域（Ａｍ）とを有する
ことを特徴とする同時消録型光磁気配−録方式用記録媒
体。 ４ 前記主ビームの光強度を副ビームの光強度変調に同
期させてかつ強弱を反対に変調し、それにより記録領域
（Ａｗ）に照射される光強度の変動を±２０憾以内に抑
えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
気記録方式。 ５ 前記主ビームの光強度を副ビームの光強度変調に同
期させてかつ強弱を反対に変調し、それにより主記録領
域（ＡＷ）に照射される光強度の変動を±２０％以内に
抑えたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光
磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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- 1987-12-08 US US07/131,327 patent/US4853912A/en not_active Expired - Fee Related
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| US4853912A (en) | 1989-08-01 |
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