JPH08239414A - エチレン系ワックスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位
子を含む第IVＢ族遷移金属化合物と、（Ｂ）前記（Ａ）
と反応してイオン対を形成する化合物と、（Ｃ）有機ア
ルミニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒の存
在下にエチレンを（共）重合させて、極限粘度［η］が
０．４０ｄｌ／ｇ以下のエチレン系重合体を形成させる
エチレン系ワックスの製造方法。重合温度が１００℃以
上である上記エチレン系ワックスの製造方法。平均滞留
時間が１時間以下である上記エチレン系ワックスの製造
方法。 【効果】分子量分布が狭いエチレン系ワックスを高い生
産効率で製造することができる。重合温度を１００℃以
上にすると、除熱装置を小型化することができ、設備費
を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、エチレン系ワックスの製
造方法に関し、さらに詳しくは、分子量分布の狭いエチ
レン系ワックスを高い生産性で製造するエチレン系ワッ
クスの製造方法に関するものである。

【０００２】

【発明の技術的背景】ポリエチレンワックスなどのオレ
フィン系低分子量重合体は、たとえば顔料分散剤、樹脂
加工助剤、印刷インキ用添加剤、塗料用添加剤、ゴム加
工助剤、繊維処理剤などの用途に用いられている。ま
た、オレフィン系低分子量重合体は、トナー用離型剤に
も用いられている。近年、省エネルギー化の観点から低
温定着トナーが求められており、低温での離型性のよい
ワックス、すなわち同一組成、同一分子量であっても、
融点の低いワックスの出現が望まれている。

【０００３】ところでこのようなオレフィン系低分子量
重合体を製造する方法としては、従来から工業的には通
常チタン系触媒が使用されている。しかし、この触媒系
では触媒単位量当たりの低分子量重合体の収量は大き
く、高活性であるという利点はあるが、重合系内の気相
の水素分圧を大きく維持することが必要であり、その結
果、アルカンの副生が多いという欠点があった。さらに
は、得られた低分子量重合体の分子量分布が広く、とく
に分子量が１０００以下の低分子量重合体においては、
ベタつきが大きいために、低分子量部を除去しなければ
上記の用途には使用することが困難であった。

【０００４】これらの欠点を改善する方法として、特開
昭５９−２１０９０５号公報にはバナジウム系触媒によ
る低分子量重合体を製造する方法が提案されている。こ
の公報にはチタン系触媒に比べ、低水素分圧下で分子量
分布の狭い低分子量重合体を製造できることが記載され
ているが、分子量分布などが必ずしも充分ではなかっ
た。

【０００５】また、本願出願人は、特開昭６０−７８４
６２号において、(A) 周期律表のIVｂ族、Ｖｂ族及びVI
ｂ族よりなる群から選ばれた遷移金属の化合物、(B) ア
ルミノオキサンからなるメタロセン系触媒の存在下に、
エチレンを重合させるかまたはエチレンをα−オレフィ
ンとを重合させるエチレン系ワックスの製造方法を提案
している。この方法によると、分子量分布の狭いエチレ
ン系ワックスを製造することが可能であるが、さらに生
産性に優れたエチレン系ワックスの製造方法が望まれて
いる。

【０００６】さらに、特開平１−２０３４１０号公報、
特開平６−４９１２９号公報などには、メタロセンとア
ルミノキサンとからなるメタロセン系触媒を用いてエチ
レン系ワックスを製造することが記載されているが、こ
れらの方法も生産性が必ずしも充分ではない。重合温度
を高くすると、重合熱の除熱が容易になり、生産性を向
上させることができるが、触媒単位重量当りの低分子量
重合体の収量が低下するという問題があった。

【０００７】本発明者らは、上記のような従来技術にお
ける問題点に鑑み鋭意検討した結果、特定のメタロセン
系触媒の存在下にエチレンを単独重合させるか、あるい
はエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとを共重
合させると、高い生産性で分子量分布の狭いエチレン系
ワックスが得られることを見出した。また、１００℃以
上の温度で上記（共）重合を行うとさらに高い生産性で
分子量分布が狭く、融点が低いエチレン系ワックスが得
られることを見出し本発明を完成するに至った。

【０００８】

【発明の目的】本発明は、分子量分布の狭いエチレン系
ワックスを得るとともに、このようなエチレン系ワック
スを効率よく製造する方法を提供することを目的として
いる。

【０００９】

【発明の概要】本発明に係るエチレン系ワックスの製造
方法は、（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位
子を含む第IVＢ族遷移金属化合物と、（Ｂ）前記第IVＢ
族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する
化合物と、（Ｃ）有機アルミニウム化合物とからなるオ
レフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させ
るか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフ
ィンとを共重合させて、極限粘度［η］が０．４０ｄｌ
／ｇ以下であるエチレン（共）重合体を形成させること
を特徴としている。

【００１０】本発明では、前記重合または共重合におけ
る重合温度が１００℃以上であることが好ましい。ま
た、前記重合または共重合における平均滞留時間が１時
間以下であることが好ましい。

【００１１】本発明では、特に前記重合または共重合に
おける重合温度が１００℃以上であり、かつ平均滞留時
間が１時間以下であることが好ましい。

【００１２】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係るエチレン系ワ
ックスの製造方法について具体的に説明する。

【００１３】なお、本明細書において「重合」という語
は、単独重合だけでなく、共重合をも包含した意味で用
いられることがあり、「重合体」という語は、単独重合
体だけでなく、共重合体をも包含した意味で用いられる
ことがある。

【００１４】本発明に係るエチレン系ワックスの製造方
法は、（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位子
を含む第IVＢ族遷移金属化合物と、（Ｂ）前記第IVＢ族
遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化
合物と、（Ｃ）有機アルミニウム化合物とからなるオレ
フィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させる
か、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィ
ンとを共重合させてエチレン（共）重合体を形成させて
いる。

【００１５】まず、本発明で用いられるオレフィン重合
用触媒を形成する各成分について説明する。オレフィン
重合用触媒を形成する（Ａ）シクロペンタジエニル骨格
を有する配位子を含む第IVＢ族遷移金属化合物として
は、下記式（Ｉ）で表される化合物を例示することがで
きる。

【００１６】ＭＬ_X … （Ｉ） 式中、Ｍは、周期律表第IVＢ族の遷移金属であり、具体
的には、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであ
る。

【００１７】Ｌは、遷移金属に配位する配位子（基）で
あり、少なくとも１個のＬは、シクロペンタジエニル骨
格を有する配位子であり、シクロペンタジエニル骨格を
有する配位子以外のＬは、炭素数が１〜１２の炭化水素
基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲン原子、ト
リアルキルシリル基、−ＳＯ₃Ｒ（ただし、Ｒはハロゲ
ンなどの置換基を有していてもよい炭素数１〜８の炭化
水素基である。）または水素原子である。

【００１８】ｘは、遷移金属の原子価であり、Ｌの個数
を示す。シクロペンタジエニル骨格を有する配位子とし
ては、例えばシクロペンタジエニル基；メチルシクロペ
ンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ト
リメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル
基、エチルシクロペンタジエニル基、メチルエチルシク
ロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル
基、メチルプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシ
クロペンタジエニル基、メチルブチルシクロペンタジエ
ニル基、ヘキシルシクロペンタジエニル基などのアルキ
ル置換シクロペンタジエニル基；インデニル基；4,5,6,
7-テトラヒドロインデニル基；フルオレニル基などを例
示することができる。これらの基はハロゲン原子、トリ
アルキルシリル基などが置換していてもよい。

【００１９】これらの遷移金属に配位する配位子の中で
は、アルキル置換シクロペンタジエニル基が特に好まし
い。上記一般式（Ｉ）で表される化合物が、シクロペン
タジエニル骨格を有する基を２個以上含む場合、そのう
ち２個のシクロペンタジエニル骨格を有する基は、エチ
レン、プロピレンなどのアルキレン基；ジフェニルメチ
レンなどの置換アルキレン基；イソプロピリデンなどの
アルキリデン基；シリレン基；ジメチルシリレン基、ジ
フェニルシリレン基、メチルフェニルシリレン基などの
置換シリレン基などを介して結合されていてもよい。ま
た、２個以上のシクロペンタジエニル骨格を有する基
は、同一であることが好ましい。

【００２０】シクロペンタジエニル骨格を有する配位子
以外の配位子としては、下記のようなものが挙げられ
る。炭素数が１〜１２の炭化水素基として具体的には、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ペンチル基などのアルキル基；シクロペンチル
基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；フェニ
ル基、トリル基などのアリール基；ベンジル基、ネオフ
ィル基などのアラルキル基が例示される。

【００２１】アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、ブトキシ基などが例示される。アリーロキシ基
としては、フェノキシ基などが例示される。

【００２２】ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、
ヨウ素などが例示される。−ＳＯ₃Ｒで表される配位子
としては、p-トルエンスルホナト基、メタンスルホナト
基、トリフルオロメタンスルホナト基などが例示され
る。

【００２３】上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、例
えば遷移金属の原子価が４である場合、より具体的には
下記一般式（I'）で表される。 Ｒ¹ Ｒ² Ｒ³ Ｒ⁴ Ｍ … （I'） （式中、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウム
であり、Ｒ¹ は、シクロペンタジエニル骨格を有する基
であり、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ⁴ は、互いに同一でも異な
っていてもよく、シクロペンタジエニル骨格を有する
基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲン原
子、トリアルキルシリル基、−ＳＯ₃Ｒまたは水素原子
である。） 本発明では上記一般式（I'）においてＲ² 、Ｒ³ および
Ｒ⁴ のうち１個がシクロペンタジエニル骨格を有する基
である遷移金属化合物、例えばＲ¹ およびＲ²がシクロ
ペンタジエニル骨格を有する基である遷移金属化合物が
好ましく用いられる。この場合、これらのシクロペンタ
ジエニル骨格を有する基は、アルキレン基、置換アルキ
レン基、アルキリデン基、シリレン基、置換シリレン基
などを介して結合されていてもよい。また、Ｒ³ および
Ｒ⁴ は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、
アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲ
ン原子、トリアルキルシリル基、−ＳＯ₃Ｒまたは水素
原子である。

【００２４】以下に、Ｍがジルコニウムである遷移金属
化合物について具体的な化合物を例示する。ビス（イン
デニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（インデニル）
ジルコニウムジブロミド、ビス（インデニル）ジルコニ
ウムビス（p-トルエンスルホナト） ビス（4,5,6,7-テトラヒドロインデニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（フルオレニル）ジルコニウムジクロ
リド、エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジクロ
リド、エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジブロ
ミド、エチレンビス（インデニル）ジメチルジルコニウ
ム、エチレンビス（インデニル）ジフェニルジルコニウ
ム、エチレンビス（インデニル）メチルジルコニウムモ
ノクロリド、エチレンビス（インデニル）ジルコニウム
ビス（メタンスルホナト）、エチレンビス（インデニ
ル）ジルコニウムビス（p-トルエンスルホナト）、エチ
レンビス（インデニル）ジルコニウムビス（トリフルオ
ロメタンスルホナト）、エチレンビス（4,5,6,7-テトラ
ヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル-フルオレニル）ジル
コニウムジクロリド、イソプロピリデン（シクロペンタ
ジエニル-メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ジメチルシリレンビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレンビス
（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシリレンビス（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレンビス
（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド、ジメチルシリレンビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド、ジメチルシリレンビス（インデニル）
ジルコニウムビス（トリフルオロメタンスルホナト）、
ジメチルシリレンビス（4,5,6,7-テトラヒドロインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン（シク
ロペンタジエニル-フルオレニル）ジルコニウムジクロ
リド、ジフェニルシリレンビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド、メチルフェニルシリレンビス（インデ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（シクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジブロミド、ビス（シクロペン
タジエニル）メチルジルコニウムモノクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）エチルジルコニウムモノクロ
リド、ビス（シクロペンタジエニル）シクロヘキシルジ
ルコニウムモノクロリド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）フェニルジルコニウムモノクロリド、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ベンジルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムモノクロリ
ドモノハイドライド、ビス（シクロペンタジエニル）メ
チルジルコニウムモノハイドライド、ビス（シクロペン
タジエニル）ジメチルジルコニウム、ビス（シクロペン
タジエニル）ジフェニルジルコニウム、ビス（シクロペ
ンタジエニル）ジベンジルジルコニウム、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムメトキシクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）ジルコニウムエトキシクロリ
ド、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス
（メタンスルホナト）、ビス（シクロペンタジエニル）
ジルコニウムビス（p-トルエンスルホナト）、ビス（シ
クロペンタジエニル）ジルコニウムビス（トリフルオロ
メタンスルホナト）、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ジメチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムエトキシクロリ
ド、ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムビス（トリフルオロメタンスルホナト）、ビス（エチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビ
ス（メチルエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（プロピルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、ビス（メチルプロピルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ブチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド、ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムビス（メタンスルホナト）、ビス（トリメ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ヘキシルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（トリメ
チルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リドなど。

【００２５】なお、上記例示において、シクロペンタジ
エニル環の二置換体は1,2-および1,3-置換体を含み、三
置換体は1,2,3-および1,2,4-置換体を含む。またプロピ
ル、ブチルなどのアルキル基は、n-、i-、sec-、tert-
などの異性体を含む。

【００２６】また、上記のようなジルコニウム化合物に
おいて、ジルコニウムを、チタンまたはハフニウムに置
換えた遷移金属化合物を用いることもできる。さらに、
下記一般式（II）、（III）および（IV）で示される第I
VＢ族遷移金属化合物を例示することができる。

【００２７】

【化１】

【００２８】式中、Ｍは周期律表第IVＢ族の遷移金属原
子であり、具体的には、チタニウム、ジルコニウムまた
はハフニウムであり、好ましくはジルコニウムである。
Ｒ¹ およびＲ² は、互いに同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜２０の
炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水
素基、ケイ素含有基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素
含有基またはリン含有基であり、具体的には、ハロゲン
原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げ
られ、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基としては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シクロヘ
キシル、オクチル、ノニル、ドデシル、アイコシル、ノ
ルボルニル、アダマンチルなどのアルキル基；ビニル、
プロペニル、シクロヘキセニルなどのアルケニル基；ベ
ンジル、フェニルエチル、フェニルプロピルなどのアリ
ールアルキル基；フェニル、トリル、ジメチルフェニ
ル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、プロピルフ
ェニル、ビフェニル、α−またはβ−ナフチル、メチル
ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、ベンジル
フェニル、ピレニル、アセナフチル、フェナレニル、ア
セアントリレニル、テトラヒドロナフチル、インダニ
ル、ビフェニリルなどのアリール基などが挙げられ、炭
素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基としては、
前記炭素原子数が１〜２０の炭化水素基にハロゲンが置
換した基が挙げられ、ケイ素含有基としては、メチルシ
リル、フェニルシリル、ジメチルシリル、ジフェニルシ
リル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロ
ピルシリル、トリシクロヘキシルシリル、トリフェニル
シリル、ジメチルフェニルシリル、メチルジフェニルシ
リル、トリトリルシリル、トリナフチルシリルなどのケ
イ素含有基が挙げられ、酸素含有基としては、ヒドロオ
キシ基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
どのアルコキシ基、フェノキシ、メチルフェノキシ、ジ
メチルフェノキシ、ナフトキシなどのアリロキシ基、フ
ェニルメトキシ、フェニルエトキシなどのアリールアル
コキシ基などが挙げられ、イオウ含有基としては、前記
含酸素化合物の酸素がイオウに置換した置換基、および
メチルスルホネート、トリフルオロメタンスルフォネー
ト、フェニルスルフォネート、ベンジルスルフォネー
ト、p-トルエンスルフォネート、トリメチルベンゼンス
ルフォネート、トリイソブチルベンゼンスルフォネー
ト、p-クロルベンゼンスルフォネート、ペンタフルオロ
ベンゼンスルフォネートなどのスルフォネート基、メチ
ルスルフィネート、フェニルスルフィネート、ベンゼン
スルフィネート、p-トルエンスルフィネート、トリメチ
ルベンゼンスルフィネート、ペンタフルオロベンゼンス
ルフィネートなどのスルフィネート基が挙げられ、窒素
含有基としては、アミノ基、メチルアミノ、ジメチルア
ミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルア
ミノ、ジシクロヘキシルアミノなどのアルキルアミノ
基、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミ
ノ、ジナフチルアミノ、メチルフェニルアミノなどのア
リールアミノ基またはアルキルアリールアミノ基などが
挙げられ、リン含有基としては、ジメチルフォスフィ
ノ、ジフェニルフォスフィノなどが挙げられる。

【００２９】これらのうちＲ¹ は、炭化水素基であるこ
とが好ましく、特にメチル、エチル、プロピルの炭素原
子数が１〜３の炭化水素基であることが好ましい。Ｒ²
は、水素原子、炭化水素基であることが好ましく、特に
水素原子あるいは、メチル、エチル、プロピルの炭素原
子数が１〜３の炭化水素基であることが好ましい。

【００３０】Ｒ³ 、Ｒ⁴ およびＲ⁵ は、互いに同一でも
異なっていてもよく、炭素原子数が１〜２０のアルキル
基であり、具体的にはメチル、エチル、n-プロピル、i-
プロピル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペン
チル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ノニル、
ドデシル、アイコシル、ノルボルニル、アダマンチルな
どが挙げられる。これらのアルキル基は、ハロゲン原子
またはケイ素含有基で置換されていてもよい。

【００３１】これらのうちＲ³ は、２級または３級アル
キル基であることが好ましい。Ｒ¹⁵は、２重結合、３重
結合を含んでいてもよい。Ｘ¹ およびＸ² は、互いに同
一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、
炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜
２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基またはイオウ
含有基であり、具体的には、前記と同様のハロゲン原
子、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が
１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基およびイ
オウ含有基を例示することができる。

【００３２】これらのうち、ハロゲン原子、炭素原子数
が１〜２０の炭化水素基であることが好ましい。Ｙは、
炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素基、炭素原子数
が１〜２０の２価のハロゲン化炭化水素基、２価のケイ
素含有基、２価のゲルマニウム含有基、２価のスズ含有
基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂ −、−ＮＲ ⁷ −、−Ｐ（Ｒ⁷ ）−、−Ｐ（Ｏ）
（Ｒ⁷ ）−、−ＢＲ⁷ −または−ＡｌＲ⁷ −〔ただし、
Ｒ⁷ は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜２０
の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化
水素基〕を示し、具体的には、メチレン、ジメチルメチ
レン、1,2-エチレン、ジメチル-1,2- エチレン、1,3-ト
リメチレン、1,4-テトラメチレン、1,2-シクロヘキシレ
ン、1,4-シクロヘキシレンなどのアルキレン基、ジフェ
ニルメチレン、ジフェニル-1,2- エチレンなどのアリー
ルアルキレン基などの炭素原子数が１〜２０の２価の炭
化水素基；クロロメチレンなどの上記炭素原子数が１〜
２０の２価の炭化水素基をハロゲン化したハロゲン化炭
化水素基；メチルシリレン、ジメチルシリレン、ジエチ
ルシリレン、ジ（n-プロピル）シリレン、ジ（i-プロピ
ル）シリレン、ジ（シクロヘキシル）シリレン、メチル
フェニルシリレン、ジフェニルシリレン、ジ（p-トリ
ル）シリレン、ジ（p-クロロフェニル）シリレンなどの
アルキルシリレン、アルキルアリールシリレン、アリー
ルシリレン基、テトラメチル-1,2-ジシリル、テトラフ
ェニル-1,2- ジシリルなどのアルキルジシリル、アルキ
ルアリールジシリル、アリールジシリル基などの２価の
ケイ素含有基；上記２価のケイ素含有基のケイ素をゲル
マニウムに置換した２価のゲルマニウム含有基；上記２
価のケイ素含有基のケイ素をスズに置換した２価のスズ
含有基などが挙げられる。

【００３３】また、Ｒ⁷ は、前記と同様のハロゲン原
子、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が
１〜２０のハロゲン化炭化水素基である。これらのうち
Ｙは、２価のケイ素含有基、２価のゲルマニウム含有基
であることが好ましく、２価のケイ素含有基であること
がより好ましく、アルキルシリレン、アルキルアリール
シリレンまたはアリールシリレンであることがより好ま
しい。

【００３４】以下に上記一般式（II）で表される遷移金
属化合物の具体的な例を示す。rac-ジメチルシリレン-
ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-エチルインデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2,7-ジメチル-4-n-プロピルインデニル）｝ジルコニ
ウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7
-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメ
チル-4-n-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-
sec-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-t-ブチ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチ
ルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-ペンチルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-ヘキシルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-シクロヘキシルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-メチルシクロヘキシルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-フェニルエチルインデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-フェニルジクロルメチル
インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-クロロメチルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-トリメチルシリルメチ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチ
ルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-トリメチルシロ
キシメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジエチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロ
ピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
（i-プロピル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-
プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジ（n-ブチル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-
プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジ（シクロヘキシル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチ
ル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメ
チル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジ
メチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチ
ル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-
4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-エ
チルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
（p-トリル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プ
ロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
（p-クロロフェニル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチ
ル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プ
ロピル-7-エチルインデニル）｝ジルコニウムジブロミ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチ
ル-4-エチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n
-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac
-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-
プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ブ
チルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-sec-ブチ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチ
ルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルイ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシ
リレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ペンチルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ヘキシルインデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-シクロヘキシルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-メチルシクロヘキ
シルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-トリメチ
ルシリルメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチ
ル-4-トリメチルシロキシメチルインデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2,3,7-トリメチル-4-フェニルエチルインデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス
｛1-（2,3,7-トリメチル-4-フェニルジクロルメチルイ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシ
リレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-クロルメチルイ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジエチルシ
リレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ（i-プロピ
ル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ（n-
ブチル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プ
ロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
（シクロヘキシル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメ
チル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-
トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-
（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-
（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-
（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1
-（2,3,7-トリメチル-4-エチルインデニル）｝ジルコニ
ウムジクロリド、rac-ジ（p-トリル）シリレン-ビス｛1
-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジ（p-クロロフェニル）シリ
レン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデ
ニル）｝ジルコニウムジメチル、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニ
ル）｝ジルコニウムメチルクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルイン
デニル）｝ジルコニウム-ビス（メタンスルホナト）、r
ac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピ
ル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウム-ビス（p-フェ
ニルスルフィナト）、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2-メチル-3- メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2-メチル-4,6-ジ-i-プロピルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2-エチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-（2-フェニル-4-i-プロピル-7-メチルインデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-（2-メチルインデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-
4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝チタニウムジク
ロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-
i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ハフニウムジクロ
リドなど。

【００３５】これらの中で、４位にi-プロピル，sec-ブ
チル，tert-ブチル基などの分岐アルキル基を有するも
のが、特に好ましい。本発明では、通常前記一般式（I
I）で表される第IVＢ族遷移金属化合物のラセミ体が触
媒成分として用いられるが、Ｒ型またはＳ型を用いるこ
ともできる。

【００３６】上記のような一般式（II）で表される第IV
Ｂ族遷移金属化合物は、インデン誘導体から既知の方法
たとえば特開平４−２６８３０７号公報に記載されてい
る方法により合成することができる。

【００３７】次に、一般式（III）で表される第IVＢ族
遷移金属化合物について説明する。

【００３８】

【化２】

【００３９】式中、Ｍは周期律表第IVＢ族の遷移金属原
子であり、具体的には、チタニウム、ジルコニウムまた
はハフニウムであり、好ましくはジルコニウムである。
Ｒ¹¹は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子
数が１〜６の炭化水素基であり、具体的には、メチル、
エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブ
チル、sec-ブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、ネオペ
ンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシルなどのアルキル
基、ビニル、プロペニルなどのアルケニル基などが挙げ
られる。

【００４０】これらのうちインデニル基に結合した炭素
が１級のアルキル基が好ましく、さらに炭素原子数が１
〜４のアルキル基が好ましく、特にメチル基およびエチ
ル基が好ましい。

【００４１】Ｒ¹²は、互いに同一でも異なっていてもよ
く、水素原子または炭素原子数が６〜１６のアリール基
であり、炭素原子数が６〜１６のアリール基としては、
フェニル、α-ナフチル、β-ナフチル、アントラセニ
ル、フェナントリル、ピレニル、アセナフチル、フェナ
レニル、アセアントリレニル、テトラヒドロナフチル、
インダニル、ビフェニリルなどが挙げられる。これらの
うちフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナント
リルであることが好ましい。

【００４２】このアリール基は、ハロゲン原子、炭素原
子数が１〜２０の炭化水素基、有機シリル基で置換され
ていてもよい。ハロゲン原子、炭素原子数が１〜２０の
炭化水素基としては、前記一般式（II）と同様の原子ま
たは基が挙げられ、有機シリル基としては、トリメチル
シリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリルなどが
挙げられる。

【００４３】Ｘ¹ およびＸ² は、互いに同一でも異なっ
ていてもよく、前記一般式（II）の定義と同様である。
Ｙは、前記一般式（II）の定義と同様である。

【００４４】以下に上記一般式（III）で表される第IV
Ｂ族遷移金属化合物の具体的な例を示す。rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-（2-メチルインデニル）｝ジルコニ
ウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-
メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-
（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-（β
-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(1-アント
ラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(2-アント
ラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(9-アント
ラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(9-フェナ
ントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-フルオ
ロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(ペンタ
フルオロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p
-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m
-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o
-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-
(o,p-ジクロロフェニル) フェニルインデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2-メチル-4-(p-ブロモフェニル）インデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2-メチル-4-(p-トリル）インデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチ
ル-4-(m-トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o-
トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o,o'-ジメチ
ルフェニル)-1-インデニル) ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-エチ
ルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-i-プ
ロピルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-
ベンジルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p
-ビフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m-
ビフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-トリ
メチルシリレンフェニル）インデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチ
ル-4-(m-トリメチルシリレンフェニル）インデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス
｛1-（2-フェニル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニ
ウムジクロリド、rac-ジエチルシリレン-ビス｛1-（2-
メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジ-(i-プロピル）シリレン-ビス｛1-（2-メ
チル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジ-（n-ブチル）シリレン-ビス｛1-（2-メチル
-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジシクロヘキシルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-
フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェ
ニルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ（p-トリル）シ
リレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-ジ（p-クロロフェニル）
シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-メチレン-ビス｛1
-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-エチレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニ
ルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチ
ルゲルミレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルスタニレ
ン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-
（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジ
ブロミド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-
4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジメチル、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルイン
デニル）｝ジルコニウムメチルクロリド、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムクロリドＳＯ₂Ｍｅ、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムクロリドＯＳＯ₂Ｍｅ、rac-ジメチ
ルシリレン-ビス｛1-（2-エチルインデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2
-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-
（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（β
-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（2-メチ
ル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（5-
アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（9-
アントラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（9-
フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（o-
メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（m-
メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（p-
メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-（2,
3-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジク
ロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-
（2,4-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチ
ル-4-（2,5-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-
エチル-4-（2,4,6-トリメチルフェニル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-(2-エチル-4-（o-クロロフェニル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-(2-エチル-4-（m-クロロフェニル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-(2-エチル-4-（p-クロロフェニル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-(2-エチル-4-（2,3-ジクロロフェニル）イン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-(2-エチル-4-（2,6-ジクロロフェニル）
インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（3,5-ジクロロフェニ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（2-ブロモフェニ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（3-ブロモフェニ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（4-ブロモフェニ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（4-ビフェニリ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（4-トリメチルシ
リルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-
フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-（α-ナフ
チル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
メチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-（β-ナフチ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-（2-メチル-1-
ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-（5-ア
セナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-（9-
アントラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-
（9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジク
ロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル
-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-（α-
ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-（β-ナ
フチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-（8-メチ
ル-9-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-
（5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4
-（9-アントラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピ
ル-4-（9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウ
ムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブ
チル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-
（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-
（β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-（2
-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジク
ロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4
-（5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジク
ロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4
-（9-アントラセニル）インデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル
-4-（9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ペン
チル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ペンチル-4-
（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-フ
ェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
メチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（α-ナフチ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（β-ナフチル）
インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（2-メチル-1-ナフチ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（5-アセナフチ
ル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメ
チルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（9-アントラセ
ニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
メチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-（9-フェナン
トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-
ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-フェニルイ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシ
リレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（α-ナフチル）インデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（β-ナフチル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（2-メチル-1-ナフチル）イン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（5-アセナフチル）イン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリ
レン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（9-アントラセニル）イ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシ
リレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-（9-フェナントリル）
インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチル
シリレン-ビス｛1-(2-ネオペンチル-4-フェニルインデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-(2-ネオペンチル-4-（α-ナフチル）インデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレ
ン-ビス｛1-(2-n-ヘキシル-4-フェニルインデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン-ビス
｛1-(2-n-ヘキシル-4-（α-ナフチル）インデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-メチルフェニルシリレン
-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコ
ニウムジクロリド、rac-メチルフェニルシリレン-ビス
｛1-(2-エチル-4-（α-ナフチル）インデニル）｝ジル
コニウムジクロリド、rac-メチルフェニルシリレン-ビ
ス｛1-(2-エチル-4-（9-アントラセニル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-メチルフェニルシ
リレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（9-フェナントリル）イ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェニル
シリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリレ
ン-ビス｛1-(2-エチル-4-（α-ナフチル）インデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリレ
ン-ビス｛1-(2-エチル-4-（9-アントラセニル）インデ
ニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェニルシリ
レン-ビス｛1-(2-エチル-4-（9-フェナントリル）イン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジフェニルシ
リレン-ビス｛1-(2-エチル-4-（4-ビフェリニル）イン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-メチレン-ビ
ス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウ
ムジクロリド、rac-メチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-
（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリ
ド、rac-エチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-エチレン-ビ
ス｛1-(2-エチル-4-（α-ナフチル）インデニル）｝ジ
ルコニウムジクロリド、rac-エチレン-ビス｛1-(2-n-プ
ロピル-4-（α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウム
ジクロリド、rac-ジメチルゲルミル-ビス｛1-(2-エチル
-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、r
ac-ジメチルゲルミル-ビス｛1-(2-エチル-4-（α-ナフ
チル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
メチルゲルミル-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-フェニルイ
ンデニル）｝ジルコニウムジクロリドなど。

【００４５】また上記のような化合物中のジルコニウム
をチタニウムまたはハフニウムに代えた化合物を挙げる
こともできる。本発明では、通常前記一般式（III）で
表される第IVＢ族遷移金属化合物のラセミ体がオレフィ
ン重合用触媒成分として用いられるが、Ｒ型またはＳ型
を用いることもできる。

【００４６】このような前記一般式（III）で表される
第IVＢ族遷移金属化合物は、Journalof Organometallic
Chem.288(1985)、第63〜67頁、ヨーロッパ特許出願公
開第0,320,762 号明細書および実施例に準じて製造する
ことができる。

【００４７】次に、一般式（IV）で表される第IVＢ族遷
移金属化合物について説明する。一般式（IV）で表され
る第IVＢ族遷移金属化合物は、ＥＰ−５４９９００号お
よびカナダ−２０８４０１７号に記載された化合物であ
る。

【００４８】

【化３】

【００４９】式中、Ｍは周期律表第IVＢ族の遷移金属原
子であり、具体的には、チタニウム、ジルコニウムまた
はハフニウムであり、好ましくはジルコニウムである。
Ｒ²¹は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原
子、ハロゲン原子、好ましくは、塩素原子または臭素原
子、炭素原子数が１〜１０、好ましくは１〜４のアルキ
ル基、炭素原子数が１〜１０のハロゲン化アルキル基、
炭素原子数が６〜１０、好ましくは６〜８のアリール
基、−ＮＲ₂、−ＳＲ、−ＯＳｉＲ₃、−ＳｉＲ₃または
−ＰＲ₂基〔ただし、Ｒは、ハロゲン原子、好ましくは
塩素原子、炭素原子数が１〜１０、好ましくは１〜３の
アルキル基、または炭素原子数が６〜１０、好ましくは
６〜８のアリール基〕である。

【００５０】Ｒ²²〜Ｒ²⁸は、互いに同一でも異なってい
てもよく、前記Ｒ²¹と同様の原子または基であり、これ
らのＲ²²〜Ｒ²⁸で示される基のうち隣接する少なくとも
２個の基は、それらの結合する原子とともに、芳香族環
または脂肪族環を形成していてもよい。

【００５１】Ｘ³ およびＸ⁴ は、互いに同一でも異なっ
ていてもよく、水素原子、炭素原子数が１〜１０、好ま
しくは１〜３のアルキル基、炭素原子数が１〜１０、好
ましくは１〜３のアルコキシ基、炭素原子数が６〜１
０、好ましくは６〜８のアリール基、炭素原子数が６〜
１０、好ましくは６〜８のアリールオキシ基、炭素原子
数が２〜１０、好ましくは２〜４のアルケニル基、炭素
原子数が７〜４０、好ましくは７〜１０のアリールアル
キル基、炭素原子数が７〜４０、好ましくは７〜１２の
アルキルアリール基、炭素原子数が８〜４０、好ましく
は８〜１２のアリールアルケニル基、ＯＨ基またはハロ
ゲン原子である。Ｚは、

【００５２】

【化４】

【００５３】＝ＢＲ²⁹、＝ＡｌＲ²⁹、−Ｇｅ−、−Ｓｎ
−、−Ｏ−、−Ｓ−、＝ＳＯ、＝ＳＯ₂、＝ＮＲ²⁹、＝
ＣＯ、＝ＰＲ²⁹または＝Ｐ（Ｏ）Ｒ²⁹である。ただし、
Ｒ²⁹およびＲ³⁰は、互いに同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１０、
好ましくは１〜４のアルキル基、特にメチル基、炭素原
子数が１〜１０のフルオロアルキル基、好ましくはＣＦ
₃基、炭素原子数が６〜１０、好ましくは６〜８のアリ
ール基、炭素原子数が６〜１０のフルオロアリール基、
好ましくはペンタフルオロフェニル基、炭素原子数が１
〜１０、好ましくは１〜４のアルコキシ基、特にメトキ
シ基、炭素原子数が２〜１０、好ましくは２〜４のアル
ケニル基、炭素原子数が７〜４０、好ましくは７〜１０
のアリールアルキル基、炭素原子数が８〜４０、好まし
くは８〜１２のアリールアルケニル基炭素原子数が７〜
４０、７〜１２のアルキルアリール基である。

【００５４】またＲ²⁹とＲ³⁰とは、それぞれそれらの結
合する原子とともに環を形成してもよい。Ｍ² は、ケイ
素、ゲルマニウムまたはスズであり、好ましくはケイ素
またはゲルマニウムである。

【００５５】ここで、上述のアルキル基は直鎖状のまた
は枝分かれしたアルキル基であり、そしてハロゲン（ハ
ロゲン化）はフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨ
ウ素原子であり、特にフッ素原子または塩素原子であ
る。

【００５６】前記一般式（IV）で表される化合物のなか
では、Ｍは、ジルコニウムまたはハフニウムであり、Ｒ
²¹は、互いに同じであり、炭素原子数が１〜４のアルキ
ル基であり、Ｒ²²〜Ｒ²⁸は、互いに同一でも異なってい
てもよく、水素原子または炭素原子数が１〜４のアルキ
ル基であり、Ｘ³ およびＸ⁴ は、互いに同一でも異なっ
ていてもよく、炭素原子数が１〜３のアルキル基または
ハロゲン原子であり、Ｚは、

【００５７】

【化５】

【００５８】（式中、Ｍ² はケイ素であり、Ｒ²⁹および
Ｒ³⁰は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子
数が１〜４のアルキル基または炭素原子数が６〜１０の
アリール基である）である化合物が好ましく、置換基Ｒ
²²およびＲ²⁸は、水素原子であり、Ｒ²³〜Ｒ ²⁷は、炭素
原子数が１〜４のアルキル基または水素原子である化合
物がより好ましい。

【００５９】さらに、前記一般式（IV）で表される化合
物のなかでは、Ｍは、ジルコニウムであり、Ｒ²¹は、互
いに同一で炭素原子数が１〜４のアルキル基であり、Ｒ
²²およびＲ²⁸は、水素原子であり、Ｒ²³〜Ｒ²⁷は、同一
でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜４のアルキ
ル基または水素原子であり、Ｘ³ およびＸ⁴ は、いずれ
も塩素原子であり、Ｚは、

【００６０】

【化６】

【００６１】（式中、Ｍ²は、ケイ素であり、Ｒ²⁹およ
びＲ³⁰は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原
子数が１〜４のアルキル基または炭素原子数が６〜１０
のアリール基である）である化合物が好ましい。

【００６２】特に、前記一般式（IV）で表される化合物
のなかでは、Ｍは、ジルコニウムであり、Ｒ²¹は、メチ
ル基であり、Ｒ²²〜Ｒ²⁸は、水素原子であり、Ｘ³ およ
びＸ⁴ は、塩素原子であり、Ｚは、

【００６３】

【化７】

【００６４】（式中、Ｍ² は、ケイ素であり、Ｒ²⁹およ
びＲ³⁰は、互いに同一でも異なっていてもよく、メチル
基またはフェニル基ある）である化合物が好ましい。

【００６５】以下に上記一般式（IV）で表される遷移金
属化合物の具体的な例を示す。rac-ジメチルシリレンビ
ス｛1-（4,5-ベンゾインデニル）｝ジルコニウムジクロ
リド、rac-ジメチルシリレンビス｛1-（2-メチル-4,5-
ベンゾインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジ
メチルリレンビス｛1-（2-メチル-4,5-アセナフトイン
デニル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-メチルフェニ
ルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4,5-ベンゾインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-メチルフェニル-
ビス｛1-（2-メチル-4,5-アセトナフチインデニル）｝
ジルコニウムジクロリド、rac-メチルフェニルシリレン
-ビス｛1-（2-メチル-4,5-アセナフトインデニル）｝ジ
ルコニウムジクロリド、rac-1,2-エタンジイル-ビス｛1
-（2-メチル-4,5-ベンゾインデニル）｝ジルコニウムジ
クロリド、rac-1,2-ブタンジイル-ビス｛1-（2-メチル-
4,5-ベンゾインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、ra
c-ジメチルシリレン-ビス｛1-（4,5-ベンゾインデニ
ル）｝ジルコニウムジクロリド、rac-ジメチルシリレン
ビス｛1-（2,6-ジメチル-4,5-ベンゾインデニル）｝ジ
ルコニウムジクロリド、rac-ジメチルリレンビス｛1-
（2,3,6-トリメチル-4,5-アセナフトインデニル）｝ジ
ルコニウムジクロリドなど。

【００６６】また上記のような化合物中のジルコニウム
をチタニウムまたはハフニウムに代えた化合物を挙げる
こともできる。本発明では、上記したような第IVＢ族遷
移金属化合物は、２種以上組み合わせて用いることもで
きる。

【００６７】オレフィン重合用触媒を形成する（Ｂ）前
記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を
形成する化合物としては、特表平１−５０１９５０号公
報、特表平１−５０２０３６号公報、特開平３−１７９
００５号公報、特開平３−１７９００６号公報、特開平
３−２０７７０３号公報、特開平３−２０７７０４号公
報、ＵＳ−５４７７１８号公報などに記載されたルイス
酸、イオン性化合物およびボラン化合物、カルボラン化
合物を挙げることができる。

【００６８】ルイス酸としてはＭｇ含有ルイス酸、Ａｌ
含有ルイス酸、Ｂ含有ルイス酸などが挙げられ、こられ
のうちＢ含有ルイス酸が好ましい。ホウ素原子を含有す
るルイス酸として具体的には、下記一般式で表される化
合物が例示できる。

【００６９】ＢＲ^p Ｒ^q Ｒ^r （式中、Ｒ^p 、Ｒ^q およびＲ^r は、互いに同一でも異な
っていてもよく、フッ素原子、メチル基、トリフルオロ
メチル基などの置換基を有していてもよいフェニル基、
またはフッ素原子を示す。） 上記一般式で表される化合物として具体的には、トリフ
ルオロボロン、トリフェニルボロン、トリス（4-フルオ
ロフェニル）ボロン、トリス（3,5-ジフルオロフェニ
ル）ボロン、トリス（4-フルオロメチルフェニル）ボロ
ン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボロン、トリス
（p-トリル）ボロン、トリス（o-トリル）ボロン、トリ
ス（3,5-ジメチルフェニル）ボロンなどが挙げられる。
これらのうちではトリス（ペンタフルオロフェニル）ボ
ロンが特に好ましい。

【００７０】本発明で用いられるイオン性化合物は、カ
チオン性化合物とアニオン性化合物とからなる塩であ
る。アニオンは前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反
応することにより第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）をカチ
オン化し、イオン対を形成することにより遷移金属カチ
オン種を安定化させる働きがある。そのようなアニオン
としては、有機ホウ素化合物アニオン、有機ヒ素化合物
アニオン、有機アルミニウム化合物アニオンなどがあ
り、比較的嵩高で遷移金属カチオン種を安定化させるも
のが好ましい。カチオンとしては、金属カチオン、有機
金属カチオン、カルボニウムカチオン、トリピウムカチ
オン、オキソニウムカチオン、スルホニウムカチオン、
ホスホニウムカチオン、アンモニウムカチオンなどが挙
げられる。さらに詳しくはトリフェニルカルベニウムカ
チオン、トリブチルアンモニウムカチオン、N,N-ジメチ
ルアンモニウムカチオン、フェロセニウムカチオンなど
である。

【００７１】これらのうち、アニオンとしてホウ素化合
物を含有するイオン性化合物が好ましく、具体的には、
トリアルキル置換アンモニウム塩としては、例えばトリ
エチルアンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、トリプ
ロピルアンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、トリ
（n-ブチル）アンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリメチルアンモニウムテトラ（p-トリル）ホウ素、ト
リメチルアンモニウムテトラ（o-トリル）ホウ素、トリ
ブチルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）
ホウ素、トリプロピルアンモニウムテトラ（o,p-ジメチ
ルフェニル）ホウ素、トリブチルアンモニウムテトラ
（m,m-ジメチルフェニル）ホウ素、トリブチルアンモニ
ウムテトラ（p-トリフルオロメチルフェニル）ホウ素、
トリ（n-ブチル）アンモニウムテトラ（o-トリル）ホウ
素、トリ（n-ブチル）アンモニウムテトラ（4-フルオロ
フェニル）ホウ素などが挙げられ、N,N-ジアルキルアニ
リニウム塩としては、例えばN,N-ジメチルアニリニウム
テトラ（フェニル）ホウ素、N,N-ジエチルアニリニウム
テトラ（フェニル）ホウ素、N,N-2,4,6-ペンタメチルア
ニリニウムテトラ（フェニル）ホウ素などが挙げられ、
ジアルキルアンモニウム塩としては、例えばジ（n-プロ
ピル）アンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）
ホウ素、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラ（フェニ
ル）ホウ素などが挙げられ、トリアリールホスフォニウ
ム塩、例えばトリフェニルホスフォニウムテトラ（フェ
ニル）ホウ素、トリ（メチルフェニル）ホスフォニウム
テトラ（フェニル）ホウ素、トリ（ジメチルフェニル）
ホスフォニウムテトラ（フェニル）ホウ素などが挙げら
れる。

【００７２】本発明ではホウ素原子を含有するイオン性
化合物として、トリフェニルカルベニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、N,N-ジメチルア
ニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、フェロセニウムテトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレートも挙げることができる。

【００７３】また以下のような化合物も例示できる。
（なお、以下に列挙するイオン性化合物において対向イ
オンはトリ（n-ブチル）アンモニウムであるがこれに限
定されない。） アニオンの塩、例えばビス［トリ（n-ブチル）アンモニ
ウム］ノナボレート、ビス［トリ（n-ブチル）アンモニ
ウム］デカボレート、ビス［トリ（n-ブチル）アンモニ
ウム］ウンデカボレート、ビス［トリ（n-ブチル）アン
モニウム］ドデカボレート、ビス［トリ（n-ブチル）ア
ンモニウム］デカクロロデカボレート、ビス［トリ（n-
ブチル）アンモニウム］ドデカクロロドデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバデカボレー
ト、トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバウンデカ
ボレート、トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバド
デカボレート、トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-トリ
メチルシリル-1-カルバデカボレート、トリ（n-ブチ
ル）アンモニウムブロモ-1-カルバドデカボレートな
ど；さらにボラン化合物、カルボラン化合物などを挙げ
ることができる。これらの化合物はルイス酸、イオン性
化合物として用いられる。

【００７４】ボランおよびカルボラン錯化合物およびカ
ルボランアニオンの塩、例えばデカボラン（14）、7,8-
ジカルバウンデカボラン（13）、2,7-ジカルバウンデカ
ボラン（13）、ウンデカハイドライド-7,8-ジメチル-7,
8-ジカルバウンデカボラン、ドデカハイドライド-11-メ
チル-2,7-ジカルバウンデカボラン、トリ（n-ブチル）
アンモニウム6-カルバデカボレート（14）、トリ（n-ブ
チル）アンモニウム6-カルバデカボレート（12）、トリ
（n-ブチル）アンモニウム7-カルバウンデカボレート
（13）、トリ（n-ブチル）アンモニウム7,8-ジカルバウ
ンデカボレート（12）、トリ（n-ブチル）アンモニウム
2,9-ジカルバウンデカボレート（12）、トリ（n-ブチ
ル）アンモニウムドデカハイドライド-8-メチル7,9-ジ
カルバウンデカボレート、トリ（n-ブチル）アンモニウ
ムウンデカハイドライド8-エチル-7,9-ジカルバウンデ
カボレート、トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハ
イドライド-8-ブチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド-8
-アリル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ（n-ブチ
ル）アンモニウムウンデカハイドライド-9-トリメチル
シリル-7,8-ジカルバウンデカボレート、トリ（n-ブチ
ル）アンモニウムウンデカハイドライド-4,6-ジブロモ-
7-カルバウンデカボレートなど；カルボランおよびカル
ボランの塩、例えば4-カルバノナボラン（14）、1,3-ジ
カルバノナボラン（13）、6,9-ジカルバデカボラン（1
4）、ドデカハイドライド-1-フェニル-1,3-ジカルバノ
ナボラン、ドデカハイドライド-1-メチル-1,3-ジカルバ
ノナボラン、ウンデカハイドライド-1,3-ジメチル-1,3-
ジカルバノナボランなど、さらに以下のような化合物も
例示できる。（なお、以下に列挙するイオン性化合物に
おいて対向イオンはトリ（n-ブチル）アンモニウムであ
るがこれに限定されない。） 金属カルボランの塩および金属ボランアニオン、例えば
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ノナハイドライド
-1,3-ジカルバノナボレート）コバルテート（III）、ト
リ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライ
ド-7,8-ジカルバウンデカボレート）フェレート（鉄酸
塩）（III）、トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウ
ンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）
コバルテート（III）、トリ（n-ブチル）アンモニウム
ビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート）ニッケレート（III）、トリ（n-ブチル）アン
モニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート）キュブレート（銅酸塩）（III）、ト
リ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライ
ド-7,8-ジカルバウンデカボレート）アウレート（金属
塩）（III）、トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ノ
ナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボ
レート）フェレート（III）、トリ（n-ブチル）アンモ
ニウムビス（ノナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカ
ルバウンデカボレート）クロメート（クロム酸塩）（II
I）、トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（トリブロモ
オクタハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）
コバルテート（III）、トリ（n-ブチル）アンモニウム
ビス（ドデカハイドライドジカルバドデカボレート）コ
バルテート（III）、ビス［トリ（n-ブチル）アンモニ
ウム］ビス（ドデカハイドライドドデカボレート）ニッ
ケレート（III）、トリス［トリ（n-ブチル）アンモニ
ウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカ
ボレート）クロメート（III）、ビス［トリ（n-ブチ
ル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カ
ルバウンデカボレート）マンガネート（IV）、ビス［ト
リ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドラ
イド-7-カルバウンデカボレート）コバルテート（II
I）、ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウ
ンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート）ニッ
ケレート（IV）などが挙げられる。

【００７５】上記のような前記第IVＢ族遷移金属化合物
（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物（Ｂ）は、
２種以上混合して用いることができる。オレフィン重合
用触媒を形成する（Ｃ）有機アルミニウム化合物として
は、たとえば下記一般式（ｉ）で示すことができる。

【００７６】Ｒ^a _nＡｌＸ_3-n … （ｉ） （式中、Ｒ^a は炭素原子数が１〜１２の炭化水素基であ
り、Ｘはハロゲン原子または水素原子であり、ｎは１〜
３である。） 上記式（ｉ）において、Ｒ^a は炭素原子数が１〜１２の
炭化水素基、たとえばアルキル基、シクロアルキル基ま
たはアリ−ル基であるが、具体的には、メチル基、エチ
ル基、n-プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、フェニル基、トリル基などであ
る。

【００７７】このような有機アルミニウム化合物の具体
例としては、以下のような化合物が挙げられる。トリメ
チルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソ
プロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、
トリオクチルアルミニウム、トリ2-エチルヘキシルアル
ミニウムなどのトリアルキルアルミニム、イソプレニル
アルミニウムなどのアルケニルアルミニウム、ジメチル
アルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリ
ド、ジイソプロピルアルミニウムクロリド、ジイソブチ
ルアルミニウムクロリド、ジメチルアルミニウムブロミ
ドなどのジアルキルアルミニウムハライド、メチルアル
ミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキク
ロリド、イソプロピルアルミニウムセスキクロリド、ブ
チルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウム
セスキブロミドなどのアルキルアルミニウムセスキハラ
イド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニ
ウムジクロリド、イソプロピルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジブロミドなどのアルキルアル
ミニウムジハライド、ジエチルアルミニウムハイドライ
ド、ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのアル
キルアルミニウムハイドライド。

【００７８】また有機アルミニウム化合物（Ｃ）とし
て、下記の式（ii）で表わされる化合物を用いることも
できる。 Ｒ^a _nＡｌＹ_3-n … （ii） （式中、Ｒ^a は上記と同様であり、Ｙは−ＯＲ^b 基、−
ＯＳｉＲ^c ₃ 基、−ＯＡｌＲ^d ₂ 基、−ＮＲ^e ₂ 基、−Ｓ
ｉＲ^f ₃ 基または−Ｎ（Ｒ^g ）ＡｌＲ^h ₂ 基であり、ｎは
１〜２であり、Ｒ^b 、Ｒ^c 、Ｒ^d およびＲ^h はメチル
基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロ
ヘキシル基、フェニル基などであり、Ｒ^e は水素、メチ
ル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、トリメ
チルシリル基などであり、Ｒ^f およびＲ^g はメチル基、
エチル基などである。） このような有機アルミニウム化合物としては、具体的に
は、以下のような化合物が挙げられる。 （１）Ｒ^a _nＡｌ（ＯＲ^b）_3-n で表わされる化合物、た
とえばジメチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアル
ミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムメトキ
シドなど。 （２）Ｒ^a _nＡｌ（ＯＳｉＲ^c ₃）_3-n で表わされる化合
物、たとえば（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ａｌ（ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃ ）、
（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₂Ａｌ（ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃ ）、（iso-Ｃ
₄Ｈ₉）₂Ａｌ（ＯＳｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₃ ）など。 （３）Ｒ^a _nＡｌ（ＯＡｌＲ^d ₂）_3-n で表わされる化合
物、たとえば（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ａｌ（ＯＡｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）、
（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₂Ａｌ（ＯＡｌ（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₂）など。 （４）Ｒ^a _nＡｌ（ＮＲ^e ₂）_3-n で表わされる化合物、た
とえば（ＣＨ₃）₂Ａｌ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）、（Ｃ₂Ｈ₅）₂
Ａｌ（ＮＨ（ＣＨ₃））、（ＣＨ₃）₂Ａｌ（ＮＨ（Ｃ₂Ｈ
₅））、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ａｌ［Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）₂］、
（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₂Ａｌ［Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）₂］など。 （５）Ｒ^a _nＡｌ（ＳｉＲ^f ₃）_3-n で表わされる化合物、
たとえば（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₂Ａｌ（Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）な
ど。

【００７９】本発明では、これらのうちでもＲ^a ₃Ａｌ、
Ｒ^a _nＡｌ（ＯＲ^b）_3-n 、Ｒ^a _nＡｌ（ＯＡｌＲ^d ₂）_3-n
で表わされる有機アルミニウム化合物を好適な例として
挙げることができる。これらの有機アルミニウム化合物
は、２種以上組合わせて用いることもできる。

【００８０】本発明で用いられるオレフィン重合用触媒
は、上記のような第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）、前記
第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形
成する化合物（Ｂ）、および有機アルミニウム化合物
（Ｃ）とから形成される。このようなオレフィン重合用
触媒は、高い重合活性で分子量分布の狭いエチレン
（共）重合体を製造することができる。また、重合活性
が高いため滞留時間を短くすることができる。

【００８１】図１に本発明で用いられるオレフィン重合
用触媒の調製工程を示す。本発明では、上記のようなオ
レフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させ
るか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフ
ィンとを共重合させて低分子量エチレン（共）重合体で
あるエチレン系ワックスを製造する。

【００８２】ここで炭素原子数が３以上のオレフィンと
しては、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセ
ン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オ
クテン、1-ノネン、1-デセン、1-ウンデセン、1-ドデセ
ン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセ
ン、1-エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オ
レフィンを挙げることができる。これらの炭素原子数が
３以上のオレフィンは２種以上用いることもできる。

【００８３】重合反応における重合原料オレフィン中の
エチレン含有量は、通常６０〜１００モル％、好ましく
は７０〜１００モル％の範囲であり、炭素原子数が３以
上のオレフィンの含有量は、通常０〜４０モル％、好ま
しくは０〜３０モル％の範囲である。

【００８４】本発明では、重合反応は炭化水素媒体中で
実施される。このような炭化水素媒体として具体的に
は、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油などの脂肪族炭
化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロペンタンなどの脂環族炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素、エチレンクロリ
ド、クロルベンゼン、ジクロロメタンなどのハロゲン化
炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分などを
挙げることができる。さらに、重合に用いるオレフィン
を用いることもできる。

【００８５】本発明では、上記のようなオレフィン重合
用触媒の存在下に重合を行うが、この際には、上記第IV
Ｂ族遷移金属化合物（Ａ）は、重合反応系内の遷移金属
原子の濃度として通常、１０^-8〜１０^-2グラム原子／リ
ットル、好ましくは１０^-7〜１０^-3グラム原子／リット
ルの範囲の量で用いられる。

【００８６】前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応
してイオン対を形成する化合物（Ｂ）は、第IVＢ族遷移
金属化合物（Ａ）中の遷移金属原子１モルに対して、通
常、約１〜５０モル、好ましくは１〜２０モルとなるよ
うな量で用いられる。

【００８７】また、有機アルミニウム化合物（Ｃ）は、
第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形
成する化合物（Ｂ）１モルに対して、通常、約１〜５０
０モル、好ましくは約１〜３００モルとなるような量で
用いられる。

【００８８】本発明では、エチレンの重合、またはエチ
レンと炭素原子数が３以上のオレフィンとの共重合は、
通常１００℃以上、好ましくは１００〜２５０℃、より
好ましくは１２０〜２５０℃、特に好ましくは１３０〜
２００℃の範囲で行われる。

【００８９】重合温度を上記のような範囲内にすると、
重合系の除熱が容易であり、除熱装置を小型化すること
ができる。また、同一の除熱装置では、除熱効率が上が
るので生産性を向上させることができる。さらに、高温
で重合を行うためポリマー濃度を高くしても、溶液粘度
があまり高くならず攪拌動力も低減でき、高濃度で重合
することができるため生産性が向上する。

【００９０】通常エチレンを（共）重合する場合には、
重合温度を安定させるために溶媒などを循環して除熱が
行われている。ここで用いられる除熱装置では、一般に
除熱量が同じであれは重合温度が高い程伝熱面積を小さ
くすることができ、その効果は、冷却媒体等の条件の選
択によって変化するが、たとえば冷却水を用いて単純な
向流型の熱交換器を用いたときに、重合温度が１００℃
である場合には、重合温度が７０℃である場合に比べ
て、必要伝熱面積を約２分の１にすることも可能とな
る。このように重合温度を高くすると、必要伝熱面積を
小さくすることができ、除熱装置を小型化することがで
きるため、設備費を削減することができる。

【００９１】平均滞留時間（重合時間）は、１時間以
下、好ましくは４０分以下、より好ましくは３０分以
下、好ましくは５〜２０分である。重合圧力は、通常大
気圧〜１００ｋｇ／ｃｍ² 、好ましくは大気圧〜５０ｋ
ｇ／ｃｍ² 、より好ましくは大気圧〜４０ｋｇ／ｃｍ²
の範囲である。

【００９２】得られるエチレン系ワックスの分子量は、
重合反応系に供給する水素量および／または重合温度に
より調節することができる。重合反応系に供給される水
素量は、エチレンに対する水素のモル比として、通常
０．０１〜２、好ましくは０．０５〜１の範囲である。

【００９３】本発明では、重合反応が終了した重合反応
混合物を、常法によって処理することによりエチレン系
ワックスが得られる。このようにして得られるエチレン
系ワックスは、エチレンの単独重合体、またはエチレン
とオレフィンとの共重合体であり、その１３５℃デカリ
ン中で測定した極限粘度［η］は、０．４０ｄｌ／ｇ以
下、好ましくは０．００５〜０．４０ｄｌ／ｇ、より好
ましくは０．００５〜０．３５ｄｌ／ｇ、特に好ましく
は０．０１〜０．３０ｄｌ／ｇの範囲である。この、エ
チレン系ワックス中の、エチレン成分単位の含有率は、
８０〜１００モル％、好ましくは８５〜１００モル％、
より好ましくは９０〜１００モル％の範囲であり、炭素
原子数が３以上のオレフィン成分単位の含有率は、０〜
２０モル％、好ましくは０〜１５モル％、より好ましく
は０〜１０モル％の範囲である。

【００９４】また、エチレン系ワックスのゲルパーミエ
イションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定し
た分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常３以下、好ましく
は２．５以下であり、融点は、１３２℃以下、好ましく
は１３０〜４０℃、より好ましくは１２８〜５０℃の範
囲である。

【００９５】

【発明の効果】本発明は、分子量分布が狭いエチレン系
ワックスを高い生産効率で製造することができる。

【００９６】また、重合温度を１００℃以上にすると、
分子量分布が狭く、融点が低いエチレン系ワックスを高
い生産効率で製造することができる。さらに、除熱装置
を小型化することができ、設備費を削減できるととも
に、滞留時間を短くすることができる。

【００９７】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。

【００９８】

【実施例１】充分に窒素置換した内容積２リットルのス
テンレス製オートクレーブにヘキサン１リットルを装入
し、水素を２ｋｇ／ｃｍ²-G となるまで導入した。次い
で、系内の温度を１３０℃に昇温した後、トリイソブチ
ルアルミニウム０．５ミリモル、トリフェニルカルベニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
０．００２ミリモルおよびビス（n-ブチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジクロリド０．００１ミリモル
をエチレンで圧入することにより重合を開始した。その
後、エチレンのみを連続的に供給することにより全圧を
３０ｋｇ／ｃｍ²-G に保ち、１４０℃で１５分間重合を
行った。少量のエタノールを系内に添加することにより
重合を停止した後、未反応のエチレンをパージした。得
られたポリマー溶液を大過剰のメタノール中に投入する
ことにより、ポリマーを析出させた。ポリマーを濾過に
より回収し、８０℃で減圧下で一晩乾燥した。その結
果、極限粘度［η］が０．１５ｄｌ／ｇであり、Ｍｗ／
Ｍｎが２．０５であり、融点が１２０．５であるエチレ
ン重合体４４．９ｇを得た。結果を表１に示す。

【００９９】

【実施例２〜８】第IVＢ族遷移金属化合物〔成分
（Ａ）〕、第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイ
オン対を形成する化合物〔成分（Ｂ）〕および有機アル
ミニウム化合物〔成分（Ｃ）〕の種類および量、ならび
に重合条件を表１に示すようにした以外は実施例１と同
様にしてエチレン重合体を製造した。結果を表１に示
す。

【０１００】

【実施例９】充分に窒素置換した内容積２リットルのス
テンレス製オートクレーブにヘキサン８００ｍｌおよび
4-メチル-1-ペンテン２００ｍｌを装入し、水素を８ｋ
ｇ／ｃｍ²-G となるまで導入した。次いで、系内の温度
を１３０℃に昇温した後、トリイソブチルアルミニウム
０．５ミリモル、トリフェニルカルベニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．００２ミリモ
ルおよびエチレンビス（インデニル）ジルコニウムジク
ロリド０．００１ミリモルをエチレンで圧入することに
より重合を開始した。その後、エチレンのみを連続的に
供給することにより全圧を３０ｋｇ／ｃｍ²-G に保ち、
１４０℃で１５分間重合を行った。少量のエタノールを
系内に添加することにより重合を停止した後、未反応の
エチレンをパージした。得られたポリマー溶液を大過剰
のメタノール中に投入することにより、ポリマーを析出
させた。ポリマーを濾過により回収し、８０℃で減圧下
で一晩乾燥した。その結果、極限粘度［η］が０．１３
ｄｌ／ｇであり、Ｍｗ／Ｍｎが２．１１であり、融点が
１０８℃であり、エチレン含量が９６．４モル％である
エチレン・4-メチル-1-ペンテン共重合体５４．８ｇを
得た。結果を表１に示す。

【０１０１】

【比較例１】充分に窒素置換した内容積２リットルのス
テンレス製オートクレーブにヘキサン１リットルを装入
し、水素を５ｋｇ／ｃｍ²-G となるまで導入した。次い
で、系内の温度を１３０℃に昇温した後、メチルアルミ
ノキサン（ＭＡＯ）２ミリモル、およびビス（n-ブチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド０．０
１ミリモルをエチレンで圧入することにより重合を開始
した。その後、エチレンのみを連続的に供給することに
より全圧を３０ｋｇ／ｃｍ²-G に保ち、１４０℃で４０
分間重合を行った。少量のエタノールを系内に添加する
ことにより重合を停止した後、未反応のエチレンをパー
ジした。得られたポリマー溶液を大過剰のメタノール中
に投入することにより、ポリマーを析出させた。ポリマ
ーを濾過により回収し、８０℃で減圧下で一晩乾燥し
た。結果を表２に示す。

【０１０２】

【比較例２】ビス（n-ブチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリドに代えてエチレンビス（インデニ
ル）ジルコニウムジクロリドを用い、第IVＢ族遷移金属
化合物の使用量、メチルアルミノキサンの使用量を表２
に示すように変えた以外は比較例１と同様にしてエチレ
ン系ワックスを製造した。結果を表２に示す。

【０１０３】

【表１】

【０１０４】

【表２】

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明で用いられるオレフィン重合触媒の調
製工程を示す説明図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する
   配位子を含む第IVＢ族遷移金属化合物と、（Ｂ）前記第
   IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成
   する化合物と、（Ｃ）有機アルミニウム化合物とからな
   るオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合
   させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオ
   レフィンとを共重合させて、極限粘度［η］が０．４０
   ｄｌ／ｇ以下であるエチレン（共）重合体を形成させる
   ことを特徴とするエチレン系ワックスの製造方法。
2. 【請求項２】 重合温度が１００℃以上である請求項１
   に記載のエチレン系ワックスの製造方法。
3. 【請求項３】 平均滞留時間が１時間以下である請求項
   １または２に記載のエチレン系ワックスの製造方法。