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JPH0737949A - Lead frame, of semiconductor device semiconductor device testing contactor, and manufacture of semiconductor device - Google Patents

Lead frame, of semiconductor device semiconductor device testing contactor, and manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPH0737949A
JPH0737949A JP17690593A JP17690593A JPH0737949A JP H0737949 A JPH0737949 A JP H0737949A JP 17690593 A JP17690593 A JP 17690593A JP 17690593 A JP17690593 A JP 17690593A JP H0737949 A JPH0737949 A JP H0737949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
lead
frame
lead frame
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17690593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunio Kobayashi
邦夫 小林
Kunihiro Shigetomo
邦宏 重友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP17690593A priority Critical patent/JPH0737949A/en
Publication of JPH0737949A publication Critical patent/JPH0737949A/en
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Abstract

PURPOSE:To conduct a test on a semiconductor device surely even when the semiconductor has outer leads spaced on a small pitch, by forming a cross-stitch- shaped test pad wider than the outer lead and located between an elongated part from the outer lead and the lead frame. CONSTITUTION:A cross-stitch-shaped test pad part 9 outside a sealing part 2 of a semiconductor device 4 is provided between an elongated part from an outer lead 3 and a frame 1a of a lead frame 1A. The test pad part put in contact with a test contactor is wider than the outer lead 3. After a semiconductor chip is wire-bonded on a lead frame 1A and sealed with resin, the test pad part 9 is cut from the frame 1a so that each semiconductor device 4 put in a row on the lead frame is tested. A symbolic mark is made on the semiconductor device, and the outer lead 3 is cut to a given length, while the test pad part 9 is removed. Then, the semiconductor device 4 is separated from the frame 1a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造に
用いるリードフレーム、及びテスト用コンタクタ、並び
にそれらを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for manufacturing a semiconductor device, a test contactor, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置のリードフレームにつ
いて図42から図48までを参照しながら説明する。図
42は、従来の半導体装置を製造する過程で半導体装置
がリードフレームに複数個連なった状態を示す平面図で
ある。また、図43は、図42の従来の半導体装置のリ
ードフレームを示す正面図である。さらに、図44は、
図42のA部を示す拡大図である。
2. Description of the Related Art A conventional lead frame of a semiconductor device will be described with reference to FIGS. FIG. 42 is a plan view showing a state in which a plurality of semiconductor devices are connected to a lead frame in the process of manufacturing the conventional semiconductor device. Further, FIG. 43 is a front view showing a lead frame of the conventional semiconductor device of FIG. Furthermore, FIG.
It is an enlarged view which shows the A section of FIG.

【0003】図45は、従来の半導体装置のほぼ完成状
態を示す平面図である。また、図46は、図45の従来
の半導体装置を示す正面図である。図47は、従来の半
導体装置の外部リードを所定の形状に曲げる前の状態を
示す平面図である。また、図48は、図47の従来の半
導体装置を示す正面図である。
FIG. 45 is a plan view showing a substantially completed state of a conventional semiconductor device. Further, FIG. 46 is a front view showing the conventional semiconductor device of FIG. FIG. 47 is a plan view showing a state before bending the external leads of the conventional semiconductor device into a predetermined shape. Further, FIG. 48 is a front view showing the conventional semiconductor device of FIG.

【0004】図42〜図48において、1は半導体装置
4を組み立てる過程に用いるリードフレーム、2は樹脂
成形等による半導体装置4の封止部、3は半導体装置4
の外部リードである。また、1aはリードフレーム1の
枠、1bはリードフレーム1の支持部、X1及びX2は
切断線である。
42 to 48, 1 is a lead frame used in the process of assembling the semiconductor device 4, 2 is a sealing portion of the semiconductor device 4 formed by resin molding, and 3 is the semiconductor device 4.
Is an external lead. Further, 1a is a frame of the lead frame 1, 1b is a support portion of the lead frame 1, and X1 and X2 are cutting lines.

【0005】図42に示す状態から各々の半導体装置4
の外部リード3の延長上で一点鎖線で示す切断線X1、
X2上を切断し、リードフレーム1の枠1aより分離し
た後、外部リード3を所定の形状に曲げ加工をして図4
5及び図46に示す形状の半導体装置4となる。
From the state shown in FIG. 42, each semiconductor device 4
A cutting line X1 indicated by a dashed line on the extension of the external lead 3 of
After cutting on X2 and separating it from the frame 1a of the lead frame 1, the external lead 3 is bent into a predetermined shape, and the external lead 3 is bent as shown in FIG.
5 and the semiconductor device 4 having the shape shown in FIG.

【0006】ここで、封止部2は、図44に示すリード
フレーム1の支持部1bによってリードフレーム1の枠
1aに保持されており、外部リード3を切断する時、合
わせて支持部1bも枠1aより切り離す必要がある。
Here, the sealing portion 2 is held on the frame 1a of the lead frame 1 by the support portion 1b of the lead frame 1 shown in FIG. 44, and when the external lead 3 is cut, the support portion 1b is also attached. It is necessary to separate it from the frame 1a.

【0007】大半の半導体装置4は、図45及び図46
に示す状態、すなわち、半導体装置4の外部リード3を
所定の形状に曲げた状態で、半導体装置4の電気的特性
及び環境試験等の試験工程、半導体装置4の封止部2等
に商標/型名/製造番号等を印字する印刷工程等の製造
工程を経て半導体装置4は完成される。
Most of the semiconductor devices 4 are shown in FIGS.
In the state shown in FIG. 2, that is, in a state in which the external lead 3 of the semiconductor device 4 is bent into a predetermined shape, a trademark / trademark is applied to a test process such as an electrical characteristic and an environmental test of the semiconductor device 4 and the sealing portion 2 of the semiconductor device 4. The semiconductor device 4 is completed through a manufacturing process such as a printing process for printing the model name / manufacturing number and the like.

【0008】また、一部では、図47及び図48に示す
状態、すなわち、半導体装置4の外部リード3を所定の
形状に曲げ加工を施さない状態で同様な製造工程を経
て、最後に外部リード3の曲げ加工を行う場合もある。
In some cases, the external leads 3 of the semiconductor device 4 are subjected to the same manufacturing process in the state shown in FIG. 47 and FIG. Bending process 3 may be performed.

【0009】ここで、製造工程の一例として半導体装置
4の電気的特性試験を行う試験工程について図49から
図52までを参照しながら説明する。図49は、図45
及び図46に示す外部リード3を予め曲げ加工をした半
導体装置4の電気的特性試験を行っている基本的な状態
を示す平面図である。また、図50は、その正面図であ
る。
Here, as an example of the manufacturing process, a test process for conducting an electrical characteristic test of the semiconductor device 4 will be described with reference to FIGS. 49 to 52. FIG. 49 corresponds to FIG.
47 is a plan view showing a basic state in which an electrical characteristic test of the semiconductor device 4 in which the external lead 3 shown in FIG. 46 is preliminarily bent is performed. Further, FIG. 50 is a front view thereof.

【0010】図49及び図50において、7は半導体装
置4の外部リード3に接触させて試験するための試験装
置(図示せず)に接続され、接触子片5を有したテスト
用コンタクタ、6は接触子片5を保持するホルダ、8は
半導体装置4の位置決め及び保持する受け台である。
In FIGS. 49 and 50, reference numeral 7 is a test contactor having a contact piece 5, which is connected to a test device (not shown) for contacting the external lead 3 of the semiconductor device 4 for testing. Is a holder for holding the contact piece 5, and 8 is a cradle for positioning and holding the semiconductor device 4.

【0011】また、図51は、図47及び図48に示す
外部リード3の曲げ加工をしていない半導体装置4に対
し同様に電気的特性試験を行っている基本的な状態を示
す平面図である。また、図52は、その正面図である。
Further, FIG. 51 is a plan view showing a basic state in which an electrical characteristic test is similarly performed on the semiconductor device 4 in which the external lead 3 shown in FIGS. 47 and 48 is not bent. is there. Further, FIG. 52 is a front view thereof.

【0012】外部リード3を予め曲げた半導体装置4、
もしくは、曲げていない半導体装置4のいずれにおいて
も、半導体装置4の持つそのままのリードピッチの寸法
及び外部リード3の巾でもって接触子片5を接触させ、
接続された試験するための試験装置(図示せず)により
半導体装置4の電気的特性試験を行う。
A semiconductor device 4 in which the external lead 3 is bent in advance,
Alternatively, in any of the semiconductor devices 4 which are not bent, the contact piece 5 is brought into contact with the same lead pitch size of the semiconductor device 4 and the width of the external lead 3.
An electrical characteristic test of the semiconductor device 4 is performed by a connected test device (not shown) for testing.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ここ近年、半導体装置
の高集積化・高機能化・小形化の進歩が著しく、特に、
小形化に合わせ外部リードの多ピン化・小ピッチ化が急
速に進展している。これらに伴い半導体装置の製造、特
に、半導体装置の電気的特性試験等を行う試験工程にお
いて、確実な接触状態が得られない等の困難な状況下と
なってきている。
In recent years, there have been remarkable advances in high integration, high functionality, and miniaturization of semiconductor devices.
Along with the miniaturization, the number of pins and the pitch of external leads are rapidly increasing. As a result, in the manufacturing of semiconductor devices, particularly in the test process of conducting electrical characteristic tests of semiconductor devices, it is becoming difficult to obtain a reliable contact state.

【0014】すなわち、多ピンかつ小ピッチの半導体装
置の外部リードにテスト用コンタクタを接触させる場
合、外部リードが小ピッチで、かつ、外部リードの巾が
狭いためテスト用コンタクタを接触させる接触面積が広
くとれず、また、接触子片が隣同士の外部リードに干渉
するのを避けながら、巾が狭く小ピッチである半導体装
置の外部リードに接触子片を合わせ込むため、接触子片
の製作及び組み立てに対し高度な技術をもって高精度に
行う必要があり、さらに、テスト用コンタクタに対する
半導体装置の位置決めも高精度なものにする必要がある
という問題点があった。
That is, when the test contactor is brought into contact with the external leads of a semiconductor device having a large number of pins and a small pitch, the contact area for contacting the test contactor is small because the external leads have a small pitch and the width of the external leads is narrow. Since the contact piece is not wide, and the contact piece does not interfere with the adjacent external leads, the contact piece is fitted to the external lead of the semiconductor device having a narrow width and a small pitch. There is a problem in that it is necessary to perform assembling with a high degree of accuracy using a high technology, and further, it is necessary to position the semiconductor device with respect to the test contactor with high accuracy.

【0015】また、半導体装置の外部リードにはプリン
ト基板等への実装時での半田付け性を向上させるために
予め半田メッキ等を施しており、試験工程に用いられる
テスト用コンタクタの接触子片と外部リードとの接触部
にこの半田メッキが徐々に堆積し隣同士の接触子片に干
渉するほどまでに成長、もしくは、堆積・成長した半田
が接触子片より脱落するなどの半導体装置の試験に対し
悪影響を及ぼすことは勿論、これら脱落した半田屑の掃
除及び接触子片に付着した半田の除去等の掃除も合わせ
て頻繁に行う必要があるという問題点があった。
Further, external leads of the semiconductor device are preliminarily subjected to solder plating or the like in order to improve solderability at the time of mounting on a printed circuit board or the like, and a contact piece of a test contactor used in a test process. This is a semiconductor device test in which the solder plating gradually accumulates on the contact area between the lead and the external lead and grows to such an extent that it interferes with the adjacent contact piece, or the deposited and grown solder falls off from the contact piece. However, there is a problem in that it is necessary to frequently perform cleaning such as cleaning of the dropped solder scraps and removal of solder attached to the contact piece, as well as adversely affecting the above.

【0016】請求項1に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、半導体装置の外部リー
ドが小ピッチであっても、テスト用コンタクタが接触す
る部分を本来の外部リードの巾より広くすることでテス
ト用コンタクタに対し接触面積を広くとることができ、
半導体装置の試験を確実にできる半導体装置のリードフ
レームを得ることを目的とする。
The invention according to claim 1 has been made to solve the above-mentioned problems. Even if the external leads of the semiconductor device have a small pitch, the portion where the test contactor contacts is the original external lead. Wider than the width of the contact contactor, the contact area can be increased with respect to the test contactor.
An object of the present invention is to obtain a lead frame of a semiconductor device that can surely test the semiconductor device.

【0017】請求項2に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、半導体装置の試験を行
う場合、接触子片への半田メッキの付着を防止すること
ができる半導体装置のリードフレームを得ることを目的
とする。
The invention according to claim 2 is made in order to solve the above-mentioned problems, and when a semiconductor device is tested, it is possible to prevent the solder plating from adhering to the contact piece. The purpose is to obtain the lead frame of.

【0018】請求項3に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、請求項1に係るリード
フレーム状態で半導体装置の試験工程・印刷工程等の各
製造工程を経て、半導体装置を製造することで生産性を
高くすることができる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
The invention according to claim 3 has been made to solve the above-mentioned problems, and in the lead frame state according to claim 1, each manufacturing process such as a test process and a printing process of a semiconductor device, An object of the present invention is to obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which can increase productivity by manufacturing the semiconductor device.

【0019】請求項4に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、請求項1に係るリード
フレーム状態からリードフレームの枠部分を残し半導体
装置単位にリードフレームを切断した状態で、半導体装
置の試験工程・印刷工程等の各製造工程を経て、半導体
装置を製造することで生産性を高くすることができる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
The invention according to claim 4 is made in order to solve the above-mentioned problems, and the lead frame is cut for each semiconductor device from the state of the lead frame according to claim 1, leaving the frame portion of the lead frame. An object of the present invention is to obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which can improve productivity by manufacturing the semiconductor device through each manufacturing process such as a test process and a printing process of the semiconductor device in a state.

【0020】請求項5に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、請求項1に係るリード
フレーム状態から、リードフレームの枠より半導体装置
単位に分離した状態で、半導体装置の試験工程・印刷工
程等の各製造工程を経て、半導体装置を製造することで
経済性を高くすることができる半導体装置の製造方法を
得ることを目的とする。
The invention according to claim 5 has been made in order to solve the above-mentioned problems, and in the state where the lead frame according to claim 1 is separated from the frame of the lead frame into semiconductor device units, the semiconductor An object of the present invention is to obtain a method for manufacturing a semiconductor device, which is capable of increasing the economical efficiency by manufacturing a semiconductor device through each manufacturing process such as a device testing process and a printing process.

【0021】請求項6に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、半導体装置の外部リー
ドが小ピッチであっても、各々の接触子片のピッチが半
導体装置の外部リードピッチの倍の寸法にでき、製作及
び組み立てがしやすい半導体装置のテスト用コンタクタ
を得ることを目的とする。
The invention according to claim 6 is made in order to solve the above-mentioned problems. Even if the external leads of the semiconductor device have a small pitch, the pitch of each contact piece is outside the semiconductor device. An object of the present invention is to obtain a contactor for testing a semiconductor device, which can be made to have a size twice the lead pitch and which is easy to manufacture and assemble.

【0022】請求項7に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、半導体装置を複数個収
納及び保持するトレーに半導体装置を収納した状態で試
験工程・印刷工程・リード加工工程などの製造工程を経
て半導体装置を製造することで生産性を高くすることが
できる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
The invention according to claim 7 is made in order to solve the above-mentioned problems, and a test process, a printing process, and a lead are performed in a state where a semiconductor device is housed in a tray that houses and holds a plurality of semiconductor devices. An object of the present invention is to obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which can improve productivity by manufacturing the semiconductor device through a manufacturing process such as a processing process.

【0023】請求項8に係る発明は、前述した問題点を
解決するためになされたもので、半導体装置を複数個収
納及び保持するトレーにおいて、各々の半導体装置の載
置部に半導体装置を位置決め及びトレーより半導体装置
を押し上げる部材が通過可能な貫通穴を設けたことで外
部リードへの損傷を軽減でき、また、生産性を高くする
ことができる半導体装置の製造方法を得ることを目的と
する。
The invention according to claim 8 is to solve the above-mentioned problems, and in a tray for storing and holding a plurality of semiconductor devices, the semiconductor devices are positioned on the mounting portions of the respective semiconductor devices. Also, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can reduce damage to external leads by providing a through hole through which a member that pushes up the semiconductor device from the tray can pass and that can improve productivity. .

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体装置のリードフレームは、半導体装置の封止部
より外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠と
の間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状に設
けられ、テスト用コンタクタが接触できるテストパッド
部を備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device lead frame, wherein an external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. The test pads are wider than the width of the leads and are arranged in a zigzag pattern, and are provided with a test pad portion with which a test contactor can come into contact.

【0025】この発明の請求項2に係る半導体装置のリ
ードフレームは、半導体装置の封止部より外側で外部リ
ードの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部
リードの巾より広く、千鳥状に設けられ、かつ半田メッ
キが施されず、テスト用コンタクタが接触できるテスト
パッド部を備えたものである。
A lead frame of a semiconductor device according to a second aspect of the present invention is wider than the width of the external lead between the extension of the external lead and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. The test pad portion is provided in a zigzag pattern, is not solder-plated, and can be contacted by a test contactor.

【0026】この発明の請求項3に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成するリ
ード形成工程。 〔2〕 前記リードフレーム上に半導体チップをダイボ
ンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止をする半導
体装置形成工程。 〔3〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔4〕 半導体装置が複数個連なったリードフレーム状
態で半導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔5〕 前記半導体装置が複数個連なったリードフレー
ム状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程。 〔6〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフ
レームの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention includes the following steps. [1] A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. [2] A semiconductor device forming step in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame to perform resin sealing. [3] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [4] A test process in which each semiconductor device is tested in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. [5] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a lead frame state in which a plurality of the semiconductor devices are connected. [6] A lead processing step of cutting the test pad portion and cutting the semiconductor device to the original length of the external leads at the same time as removing the semiconductor device from the frame of the lead frame.

【0027】この発明の請求項4に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成するリ
ード形成工程。 〔2〕 前記リードフレーム上に半導体チップをダイボ
ンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止をする半導
体装置形成工程。 〔3〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔4〕 前記リードフレームの枠を残して半導体装置単
位に前記リードフレームを切断した状態で半導体装置個
々の試験を行う試験工程。 〔5〕 前記リードフレームの枠を残して半導体装置単
位に前記リードフレームを切断した状態で前記半導体装
置に標章を印字する印刷工程。 〔6〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフ
レームの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. [2] A semiconductor device forming step in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame to perform resin sealing. [3] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [4] A test step of performing a test of each semiconductor device in a state where the lead frame is cut in units of semiconductor devices while leaving the frame of the lead frame. [5] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where the lead frame is cut in units of semiconductor devices while leaving the frame of the lead frame. [6] A lead processing step of cutting the test pad portion and cutting the semiconductor device to the original length of the external leads at the same time as removing the semiconductor device from the frame of the lead frame.

【0028】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成するリ
ード形成工程。 〔2〕 前記リードフレーム上に半導体チップをダイボ
ンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止をする半導
体装置形成工程。 〔3〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔4〕 前記リードフレームの枠より半導体装置単位に
分離した状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔5〕 前記リードフレームの枠より半導体装置単位に
分離した状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工
程。 〔6〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. [2] A semiconductor device forming step in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame to perform resin sealing. [3] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [4] A test step of performing a test of each semiconductor device in a state where the semiconductor device is separated from the frame of the lead frame. [5] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state of being separated from the frame of the lead frame for each semiconductor device. [6] A lead processing step of removing the test pad portion and cutting the semiconductor device into the original external lead length at the same time.

【0029】この発明の請求項6に係る半導体装置のテ
スト用コンタクタは、半導体装置の封止部より外側で外
部リードの延長上に、前記外部リードの巾より広く、か
つ千鳥状に設けられた半導体装置のテストパッド部に接
触し、互い違いに対向して配置された接触子片を備えた
ものである。
A test contactor for a semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention is provided outside the sealing portion of the semiconductor device, on the extension of the external lead, wider than the width of the external lead, and in a staggered pattern. The test piece of the semiconductor device is in contact with the test pad portion, and the contact piece is arranged so as to alternately face each other.

【0030】この発明の請求項7に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成するリ
ード形成工程。 〔2〕 前記リードフレーム上に半導体チップをダイボ
ンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止をする半導
体装置形成工程。 〔3〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔4〕 半導体装置単位に前記リードフレームを切断
し、トレーに前記半導体装置を複数個収納した状態で半
導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔5〕 前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した
状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程。 〔6〕 前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した
状態で前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体装
置の本来の外部リードの長さに切断するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention includes the following steps. [1] A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. [2] A semiconductor device forming step in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame to perform resin sealing. [3] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [4] A test step in which the lead frame is cut into semiconductor device units, and a test is performed on each semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in a tray. [5] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray. [6] A lead processing step in which a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray and the test pad portion is removed, and at the same time, the semiconductor device is cut into the original length of the external lead.

【0031】この発明の請求項8に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成するリ
ード形成工程。 〔2〕 前記リードフレーム上に半導体チップをダイボ
ンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止をする半導
体装置形成工程。 〔3〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔4〕 半導体装置単位に前記リードフレームを切断
し、トレーに前記半導体装置を複数個収納し、前記半導
体装置を各々押し上げた状態で半導体装置個々の試験を
行う試験工程。 〔5〕 前記押し上げた状態で前記半導体装置に標章を
印字する印刷工程。 〔6〕 前記押し上げた状態で前記テストパッド部の除
去と同時に前記半導体装置の本来の外部リードの長さに
切断するリード加工工程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to an eighth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. [2] A semiconductor device forming step in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame to perform resin sealing. [3] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [4] A test step in which the lead frame is cut in units of semiconductor devices, a plurality of the semiconductor devices are stored in a tray, and each semiconductor device is tested with each semiconductor device being pushed up. [5] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in the pushed state. [6] A lead processing step in which the test pad portion is removed and the semiconductor device is cut into the original external lead length in the pushed-up state.

【0032】[0032]

【作用】この発明の請求項1に係る半導体装置のリード
フレームにおいては、半導体装置の外部リードが小ピッ
チであっても、テスト用コンタクタが接触する部分を本
来の外部リードの巾より広くすることでテスト用コンタ
クタに対し接触面積が広くとれ、高度な精度も不要で確
実な接触ができる。
In the lead frame of the semiconductor device according to the first aspect of the present invention, even if the external leads of the semiconductor device have a small pitch, the contacting portion of the test contactor should be wider than the original width of the external lead. The contact area is wider than that of the test contactor, and reliable contact is possible without the need for high precision.

【0033】この発明の請求項2に係る半導体装置のリ
ードフレームにおいては、テスト用コンタクタの接触子
片が接触するテストパッド部には半田メッキを施してい
ないため、半導体装置の試験を行う場合、接触子片への
半田の付着を防止できる。
In the lead frame of the semiconductor device according to the second aspect of the present invention, since the test pad portion with which the contact piece of the test contactor contacts is not solder-plated, when the semiconductor device is tested, It is possible to prevent solder from adhering to the contact piece.

【0034】この発明の請求項3に係る半導体装置の製
造方法においては、半導体装置が複数個連なったリード
フレーム状態からテストパッド部を残してテストパッド
部とリードフレームの枠との間を切断し、半導体装置が
複数個連なったリードフレーム状態で、試験工程、印刷
工程を経て半導体装置を製造することで、半導体装置を
複数個同時にハンドリングでき、封止部の大きさ・形状
にとらわれずリードフレームでもってハンドリングがで
き、また、リードフレームの枠でもって半導体装置の位
置決めができるため半導体装置の位置決め性が高く、さ
らに、リードフレームの枠が外部リードの曲がり等の損
傷に対しある程度保護することができる等の生産性の高
い製造方法が得られる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention, the test pad portion and the frame of the lead frame are cut while leaving the test pad portion from a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. By manufacturing a semiconductor device through a test process and a printing process in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected in series, a plurality of semiconductor devices can be handled at the same time, and the lead frame is not restricted by the size and shape of the sealing part. Therefore, the semiconductor device can be positioned easily by the frame of the lead frame because the semiconductor device can be positioned by the frame of the lead frame, and the frame of the lead frame can protect the external lead from damage such as bending of the external leads to some extent. It is possible to obtain a production method with high productivity.

【0035】この発明の請求項4に係る半導体装置の製
造方法においては、半導体装置が複数個連なったリード
フレーム状態からテストパッド部を残してテストパッド
部とリードフレームの枠との間を切断し、さらに、リー
ドフレームの枠を残して半導体装置単位にリードフレー
ムを切断した状態で、試験工程、印刷工程を経て半導体
装置を製造することで、封止部の大きさ・形状にとらわ
れずリードフレームでもってハンドリングができ、ま
た、リードフレームの枠でもって半導体装置の位置決め
ができるため半導体装置の位置決め性が高く、さらに、
リードフレームの枠が外部リードの曲がり等の損傷に対
しある程度保護することができる等の生産性の高い製造
方法が得られる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention, the test pad portion and the frame of the lead frame are cut while leaving the test pad portion in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. In addition, by manufacturing the semiconductor device through the test process and the printing process in the state where the lead frame is cut in the unit of the semiconductor device while leaving the frame of the lead frame, the lead frame is not restricted by the size and shape of the sealing part. Therefore, the semiconductor device can be handled easily, and the semiconductor device can be easily positioned by the frame of the lead frame.
A highly productive manufacturing method in which the frame of the lead frame can be protected to some extent from damage such as bending of the external lead can be obtained.

【0036】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法においては、半導体装置が複数個連なったリード
フレーム状態からテストパッド部を残してテストパッド
部とリードフレームの枠との間を切断し、さらに、リー
ドフレームの枠より半導体装置単位に分離した状態で、
試験工程、印刷工程を経て半導体装置を製造すること
で、ほぼ従来技術及び従来設備でもって製造ができ、経
済性の高い製造方法が得られる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the fifth aspect of the present invention, the test pad portion is left and the frame of the lead frame is cut off from the lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. , Furthermore, in the state of being separated into semiconductor device units from the frame of the lead frame,
By manufacturing the semiconductor device through the test process and the printing process, it is possible to manufacture the semiconductor device with almost the conventional technology and the conventional equipment, and a highly economical manufacturing method can be obtained.

【0037】この発明の請求項6に係る半導体装置のテ
スト用コンタクタにおいては、半導体装置の外部リード
が小ピッチであっても各々の接触子片のピッチが半導体
装置の外部リードのピッチの倍の寸法であるので、高度
な技術及び高精度を必要とせず、製作及び組み立てのし
やすい。
In the contactor for testing a semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention, even if the external leads of the semiconductor device have a small pitch, the pitch of each contact piece is twice the pitch of the external leads of the semiconductor device. Because of its size, it does not require high technology and high precision, and is easy to manufacture and assemble.

【0038】この発明の請求項7に係る半導体装置の製
造方法においては、半導体装置単位にリードフレームを
切断した半導体装置を複数個収納及び保持するトレーに
半導体装置を収納した状態で試験工程、印刷工程、リー
ド加工工程等の製造工程において一貫して製造に使用す
ることで、直接半導体装置をハンドリングしないため外
部リードへの損傷も軽減でき、また、搬送形態が同様な
ものにできるため搬送手段が共通化でき、さらに、複数
個同時にハンドリングできる等の生産性の高い製造方法
が得られる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention, a test process and a printing process are performed in a state where the semiconductor device is housed in a tray that houses and holds a plurality of semiconductor devices each having a lead frame cut for each semiconductor device. By consistently using it in manufacturing processes such as manufacturing process, lead processing process, etc., it is possible to reduce damage to external leads because the semiconductor device is not directly handled, and the transportation mode can be the same so that the transportation means is It is possible to obtain a manufacturing method with high productivity, which can be used in common and can be handled simultaneously.

【0039】この発明の請求項8に係る半導体装置の製
造方法においては、半導体装置単位にリードフレームを
切断した半導体装置を複数個収納及び保持するトレー
に、このトレーより上記収納した半導体装置を押し上げ
る部材が通過可能な貫通穴を設けたことで、半導体装置
を外部へ取り出すこともなく、上記トレーの上方付近で
試験、印刷、リード加工作業等の処理が可能で、外部リ
ードへの損傷が軽減でき、搬送形態が同様なものにでき
るため搬送手段が共通化でき、さらに、複数個同時にハ
ンドリングできる等の生産性の高い製造方法が得られ
る。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the eighth aspect of the present invention, the semiconductor device stored in the semiconductor device is pushed up to a tray for storing and holding a plurality of semiconductor devices each having a cut lead frame. By providing through holes through which members can pass, it is possible to perform testing, printing, lead processing work, etc. near the above tray without taking out the semiconductor device to the outside, reducing damage to external leads. In addition, since the transportation mode can be the same, the transportation means can be made common, and moreover, a highly productive manufacturing method in which a plurality of transportation devices can be handled at the same time can be obtained.

【0040】[0040]

【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1につい
て図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、この
発明の実施例1に係る半導体装置のリードフレームを示
す平面図である。また、図2は、この発明の実施例1に
係る半導体装置のリードフレームを示す正面図である。
なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
EXAMPLES Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a plan view showing a lead frame of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 2 is a front view showing the lead frame of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【0041】図1及び図2において、1Aは半導体装置
4を組み立てる過程に用いるリードフレーム、2は樹脂
成形等による半導体装置4の封止部、3は半導体装置4
の外部リード、9は外部リード3を形成する部分の延長
上とリードフレーム1Aの枠1aとの間に本来の外部リ
ード3の巾より広く、また、互い違いに(千鳥状)形成
したテストパッド部である。なお、テストパッド部9の
形状は、四角形に限られず、円形状等でもよい。
In FIGS. 1 and 2, 1A is a lead frame used in the process of assembling the semiconductor device 4, 2 is a sealing portion of the semiconductor device 4 formed by resin molding or the like, and 3 is the semiconductor device 4.
The external leads 9 are wider than the original width of the external leads 3 between the extension of the portion forming the external leads 3 and the frame 1a of the lead frame 1A, and the test pads are formed in a staggered pattern. Is. The shape of the test pad portion 9 is not limited to a quadrangle, and may be circular or the like.

【0042】図1に示す状態から半導体装置4の外部リ
ード3の延長上で、一点鎖線で示す切断線X1及びX2
上を切断した後、試験するための試験装置(図示せず)
に接続された接触子片をテストパッド部9に接触させて
電気的特性試験を行う。試験工程等の製造工程を経た
後、最後に外部リード3上の一点鎖線で示す切断線X3
上を切断することで以後不要となるテストパッド部9を
同時に除去し、外部リード3を所定の形状に曲げること
で半導体装置4は最終形状となる。
When the external lead 3 of the semiconductor device 4 is extended from the state shown in FIG. 1, the cutting lines X1 and X2 shown by the one-dot chain line are shown.
Test device for testing after cutting on top (not shown)
The contact piece connected to is brought into contact with the test pad portion 9 to perform an electrical characteristic test. After passing through manufacturing processes such as a test process, finally, a cutting line X3 indicated by a dashed line on the external lead 3
By cutting the upper portion, the unnecessary test pad portion 9 is removed at the same time, and the external lead 3 is bent into a predetermined shape, so that the semiconductor device 4 has the final shape.

【0043】この発明の実施例1は、前述したように、
半導体チップを組み立てた後、樹脂封止等をした半導体
装置4のリードフレーム1Aにおいて、封止部2より外
側で半導体装置4の各々の外部リード3を形成する部分
の延長上とリードフレーム1Aの枠1a部分との間に、
本来の外部リード3の巾より広く、また、互い違いに
(千鳥状)に、テストパッド部9を形成したものであ
る。従って、半導体装置4の外部リード3が小ピッチで
あっても、テスト用コンタクタが接触する部分を本来の
外部リード3の巾より広くすることでテスト用コンタク
タに対し接触面積を広くとることができ、高度な精度も
不要で確実な接触をすることができる。また、半導体装
置の試験時、接触不良等により歩留まりを下げることな
く、不良率を著しく低減できるという効果を奏する。
The first embodiment of the present invention, as described above,
After assembling the semiconductor chip, in the lead frame 1A of the semiconductor device 4 which is resin-sealed or the like, the extension of the portion of the semiconductor device 4 forming the external lead 3 outside the sealing portion 2 and the lead frame 1A. Between the frame 1a part,
The test pads 9 are formed wider than the original width of the external leads 3 and alternately (staggered). Therefore, even if the external leads 3 of the semiconductor device 4 have a small pitch, the contact area for the test contactor can be made wider by making the contacting portion of the test contactor wider than the original width of the external lead 3. It is also possible to make reliable contact without the need for high precision. In addition, when the semiconductor device is tested, the yield can be significantly reduced without lowering the yield due to contact failure or the like.

【0044】実施例2.この発明の実施例2について図
3を参照しながら説明する。図3は、この発明の実施例
2に係る半導体装置のリードフレームを示す平面図であ
る。
Example 2. The second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a plan view showing a lead frame of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0045】図3において、リードフレーム1Bの基本
的な構成は上述した実施例1と同様である。一般に、半
導体装置4のプリント基板等への実装時に半田付け性を
向上させるため外部リード3に半田メッキを施すが、少
なくとも斜線部で示すテストパッド部9Aには、半田メ
ッキを施さないか、もしくは、半導体装置4の電気的特
性試験を行う際に、試験するための試験装置(図示せ
ず)に接続された接触子片に付着しにくい他のメッキを
施す。
In FIG. 3, the basic structure of the lead frame 1B is the same as that of the first embodiment described above. In general, when the semiconductor device 4 is mounted on a printed circuit board or the like, solder plating is performed on the external leads 3 in order to improve solderability, but at least the test pad portion 9A indicated by the shaded portion is not solder-plated, or When conducting the electrical characteristic test of the semiconductor device 4, another plating that is hard to adhere to the contact piece connected to the test device (not shown) for testing is applied.

【0046】実施例1と同様に、図3に示す状態から半
導体装置4の外部リード3の延長上で、一点鎖線で示す
切断線X1及びX2上を切断した後、半導体装置4の電
気的特性試験をする際、試験するための試験装置(図示
せず)に接続された接触子片をテストパッド部9Aに接
触させ試験を行うが、試験を行うために外部リード3に
接触させるテスト用コンタクタの接触子片は半田メッキ
の施されていない部分、もしくは、付着しにくい他のメ
ッキの部分に接触することとなる。試験工程等の製造工
程を経た後、最後に外部リード3上の一点鎖線で示す切
断線X3上を切断することで以後不要となるテストパッ
ド部9Aを同時に除去し、外部リード3を所定の形状に
曲げることで半導体装置4は最終形状となる。
Similar to the first embodiment, the electrical characteristics of the semiconductor device 4 are obtained after cutting the cutting lines X1 and X2 indicated by the alternate long and short dash line on the extension of the external lead 3 of the semiconductor device 4 from the state shown in FIG. When performing a test, a contact piece connected to a test device (not shown) for the test is brought into contact with the test pad portion 9A to perform the test, but the test contactor is brought into contact with the external lead 3 for performing the test. The contact piece of (3) comes into contact with a portion not solder-plated or another plated portion that is difficult to adhere. After passing through the manufacturing process such as the test process, the cutting line X3 indicated by the one-dot chain line on the external lead 3 is finally cut to remove the unnecessary test pad portion 9A at the same time and form the external lead 3 into a predetermined shape. The semiconductor device 4 becomes the final shape by bending it.

【0047】この発明の実施例2は、前述したように、
封止部2より外側で半導体装置4の各々の外部リード3
を形成する部分の延長上とリードフレーム1Bの枠1a
部分との間に、本来の外部リード3の巾より広く、ま
た、互い違いにテストパッド部9Aを形成した半導体装
置4のリードフレーム1Bにおいて、本来の半導体装置
4の外部リード3部分を除き、少なくともテストパッド
部9Aには半田メッキを施さない半導体装置のリードフ
レームである。従って、接触子片への半田の付着及び半
田屑の発生・脱落もなく、テスト用コンタクタの接触子
片の接触部の掃除も極めて軽減でき安定した接触状態を
得ることができ、また、寿命の長いテスト用コンタクタ
を得ることができるという効果を奏する。
The second embodiment of the present invention, as described above,
External leads 3 of the semiconductor device 4 outside the sealing portion 2
On the extension of the part forming the lead frame 1a of the lead frame 1B
In the lead frame 1B of the semiconductor device 4 in which the width of the external lead 3 is wider than that of the original external lead 3 and the test pads 9A are alternately formed, at least the external lead 3 of the original semiconductor device 4 is excluded. The test pad portion 9A is a lead frame of a semiconductor device in which solder plating is not applied. Therefore, neither the adhesion of solder to the contact piece nor the generation or dropping of solder scraps, the cleaning of the contact portion of the contact piece of the test contactor can be significantly reduced, and a stable contact state can be obtained, and the life of the contact piece can be shortened. It is possible to obtain a long test contactor.

【0048】実施例3.この発明の実施例3について図
4から図11までを参照しながら説明する。図4は、上
述した実施例1に係るリードフレーム状態から半導体装
置の外部リード3の延長上で、一点鎖線で示す切断線X
1及びX2上を切断した状態を示す平面図である。ま
た、図5は、その正面図である。
Example 3. A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 11. FIG. 4 is a cross-sectional view of the external lead 3 of the semiconductor device extending from the lead frame state according to the first embodiment described above, showing a cutting line X indicated by a dashed line.
It is a top view which shows the state which cut | disconnected on 1 and X2. Further, FIG. 5 is a front view thereof.

【0049】また、図6は、上述した実施例1に係るリ
ードフレーム状態から半導体装置の外部リード3の延長
上で、一点鎖線で示す切断線X1及びX2上を切断し、
さらに、外部リード3を所定の形状に曲げ加工をした状
態を示す平面図である。また、図7は、その正面図であ
る。
In addition, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the broken lines X1 and X2 indicated by the alternate long and short dash line on the extension of the external lead 3 of the semiconductor device from the lead frame state according to the first embodiment.
Further, it is a plan view showing a state where the external lead 3 is bent into a predetermined shape. Further, FIG. 7 is a front view thereof.

【0050】図8は、図4及び図5の半導体装置の製造
工程で電気的特性試験を行っている状態の平面図であ
る。また、図9は、その正面図である。また、図10
は、図6及び図7の半導体装置の製造工程で電気的特性
試験を行っている状態の平面図である。また、図11
は、その正面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a state in which an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. 4 and 5. Further, FIG. 9 is a front view thereof. In addition, FIG.
FIG. 8 is a plan view showing a state where an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. 6 and 7. In addition, FIG.
FIG.

【0051】図4から図11までにおいて、7は半導体
装置4の試験を行うためにテストパッド部9に接触さ
せ、試験装置(図示せず)に接続された接触子片5を保
持固定するホルダ6から構成されるテスト用コンタク
タ、8及び8Aは半導体装置4の封止部2、もしくは、
半導体装置4の封止部2及び曲げ加工された外部リード
3がはまりこむ様形成し、リードフレーム1Aにある穴
1c等を利用してピン8a等で半導体装置4を位置決め
及び保持する受け台である。
In FIGS. 4 to 11, reference numeral 7 is a holder for contacting the test pad portion 9 for testing the semiconductor device 4 and holding and fixing the contact piece 5 connected to the test device (not shown). A test contactor composed of 6 is a sealing portion 2 of the semiconductor device 4, or 8 and 8A.
A pedestal in which the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 and the bent outer lead 3 are formed so as to fit in, and the semiconductor device 4 is positioned and held by the pin 8a or the like using the hole 1c or the like in the lead frame 1A. is there.

【0052】複数個連なったリードフレーム状態の半導
体装置4は、リードフレーム1Aの枠1aを利用してハ
ンドリングが行われ、順次位置決め及び保持がされ、試
験工程等の製造工程を経て半導体装置4が製造される。
The plurality of semiconductor devices 4 in a lead frame state are handled by using the frame 1a of the lead frame 1A, are sequentially positioned and held, and undergo the manufacturing process such as a test process. Manufactured.

【0053】すなわち、この発明の実施例3に係る半導
体装置の製造方法は、封止部2より外側で半導体装置4
の各々の外部リード3を形成する部分の延長上とリード
フレーム1Aの枠1a部分との間に、本来の外部リード
3の巾より広く、また、互い違いにテストパッド部9を
形成した半導体装置のリードフレーム上に、半導体チッ
プをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止
等をした後、半導体装置4の各々の外部リード3の切断
・曲げ加工等を行い(リード加工工程)、半導体装置4
の個々の電気的特性及び環境試験等を行い(試験工
程)、半導体装置4の封止部2等に商標/型名/製造番
号等を印字する(印刷工程)等の半導体装置の製造工程
において、テストパッド部9を残しテストパッド部9と
リードフレーム1Aの枠1a部分との間を切断(このと
き、半導体装置4は支持部1bでリードフレーム1Aに
支持されるが、半導体装置4の外部リード3はリードフ
レーム1Aの枠1a部分とは電気的に絶縁され、半導体
装置個々のテスト作業は可能な状態である。)、もしく
は、切断した後、外部リード3を所定の形状に曲げ加工
をし、半導体装置4が複数個連なったリードフレーム状
態で試験工程・印刷工程及びテストパッド部9の除去と
同時に本来の外部リード3の長さに切断及び所定の形状
に曲げ加工、もしくは、テストパッド部9の除去と同時
に本来の外部リード3の長さに切断のみ行い、更には、
リードフレーム1Aの枠1aより半導体装置4を分離す
るリード加工工程を経て半導体装置を製造するものであ
る。
That is, in the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, the semiconductor device 4 is provided outside the sealing portion 2.
Of the semiconductor device in which the test pads 9 are formed wider than the original width of the external leads 3 and between the extension of each external lead 3 forming part and the frame 1a part of the lead frame 1A. After the semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame and sealed with resin, the external leads 3 of the semiconductor device 4 are cut and bent (lead processing step).
In the manufacturing process of the semiconductor device such as performing individual electrical characteristics and environmental test of (1) (test process) and printing the trademark / type name / serial number on the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 (printing process) , The test pad portion 9 is left and the portion between the test pad portion 9 and the frame 1a of the lead frame 1A is cut (at this time, the semiconductor device 4 is supported by the lead frame 1A by the support portion 1b, but outside the semiconductor device 4). The lead 3 is electrically insulated from the frame 1a portion of the lead frame 1A, and a test operation for each semiconductor device is possible.) Or, after cutting, the external lead 3 is bent into a predetermined shape. Then, in the lead frame state in which a plurality of semiconductor devices 4 are connected, the test process, the printing process, and the test pad portion 9 are removed, and at the same time, the external lead 3 is cut to the original length and bent into a predetermined shape, or Carried cut to a length of the test original external lead 3 at the same time as the removal of the pad portion 9 only, furthermore,
The semiconductor device is manufactured through a lead processing step of separating the semiconductor device 4 from the frame 1a of the lead frame 1A.

【0054】図1及び図2に示すリードフレーム状態か
ら、テストパッド部9を残しテストパッド部9とリード
フレーム1Aの枠1a部分との間を切断し、もしくは、
切断した後、外部リード3を所定の形状に曲げ、半導体
装置4が複数個連なったリードフレーム状態で試験工程
・印刷工程及びリードフレーム1Aの枠1aより分離及
び最終の外部リード3の長さ・形状に切断・曲げ等のリ
ード加工工程等の製造工程を経て半導体装置の製造を行
うので、半導体装置4を複数個同時にハンドリングで
き、封止部2の大きさ・形状にとらわれずリードフレー
ム1Aでもってハンドリングができ、搬送形態が同様な
ものにできるため搬送手段が共通化でき、また、リード
フレーム1Aの枠1aでもって半導体装置4の位置決め
ができるため位置決め性が高く、さらに、リードフレー
ム1Aの枠1aが外部リード3の曲がり等の損傷に対し
ある程度保護することができる等の生産性の高い製造方
法が得られる効果がある。
From the lead frame state shown in FIGS. 1 and 2, the test pad portion 9 is left and the test pad portion 9 and the frame 1a portion of the lead frame 1A are cut, or
After cutting, the external lead 3 is bent into a predetermined shape, and in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices 4 are connected, a test process, a printing process, separation from the frame 1a of the lead frame 1A, and a final length of the external lead 3 are performed. Since the semiconductor device is manufactured through a manufacturing process such as a lead processing process such as cutting and bending into a shape, a plurality of semiconductor devices 4 can be handled at the same time, and the lead frame 1A can be used regardless of the size and shape of the sealing portion 2. Therefore, handling can be performed and the transportation mode can be the same, so that the transportation unit can be shared, and the semiconductor device 4 can be positioned by the frame 1a of the lead frame 1A. The frame 1a can protect the external leads 3 from damage such as bending, to some extent, and thus a highly productive manufacturing method can be obtained. That.

【0055】実施例4.この発明の実施例4について図
12から図19までを参照しながら説明する。図12
は、上述した実施例1に係るリードフレーム状態から半
導体装置の外部リードの延長上で、一点鎖線で示す切断
線X1及びX2上を切断し、さらに、リードフレームの
枠を残し半導体装置単位に切断した状態を示す平面図で
ある。また、図13はその正面図である。
Example 4. A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 19. 12
Is cut along the cutting lines X1 and X2 indicated by the alternate long and short dash line from the lead frame state according to the first embodiment on the extension of the external lead of the semiconductor device, and further cut into the semiconductor device units while leaving the frame of the lead frame. It is a top view showing the state where it did. Further, FIG. 13 is a front view thereof.

【0056】また、図14は、上述した実施例1に係る
リードフレーム状態から半導体装置の外部リードの延長
上で、一点鎖線で示す切断線X1及びX2上を切断及び
外部リードを所定の形状に曲げ加工をし、さらに、リー
ドフレームの枠を残し半導体装置単位に切断した状態を
示す平面図である。まあ、図15はその正面図である。
In addition, FIG. 14 is a view showing the extension of the external lead of the semiconductor device from the lead frame state according to the above-described first embodiment, and cutting along the cutting lines X1 and X2 indicated by the alternate long and short dash line and forming the external lead into a predetermined shape. FIG. 6 is a plan view showing a state in which the semiconductor device is bent and then cut into semiconductor device units while leaving the frame of the lead frame. Well, FIG. 15 is a front view thereof.

【0057】図16は、図12及び図13の半導体装置
の製造工程で電気的特性試験を行っている状態の平面図
である。また、図17は、その正面図である。また、図
18は、図14及び図15の半導体装置の製造工程で電
気的特性試験を行っている状態の平面図である。また、
図19は、その正面図である。
FIG. 16 is a plan view showing a state where an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. 12 and 13. Further, FIG. 17 is a front view thereof. Further, FIG. 18 is a plan view showing a state in which an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. Also,
FIG. 19 is a front view thereof.

【0058】図12から図19までにおいて、7は半導
体装置4の試験を行うためにテストパッド部9に接触さ
せ、試験装置(図示せず)に接続された接触子片5を保
持固定するホルダ6から構成されるテスト用コンタク
タ、8及び8Aは半導体装置4の封止部2、もしくは、
半導体装置4の封止部2及び曲げ加工された外部リード
3がはまりこむ様形成し、リードフレーム1Aにある穴
1c等を利用してピン8a等で半導体装置4を位置決め
及び保持する受け台である。
12 to 19, a holder 7 is brought into contact with the test pad portion 9 for testing the semiconductor device 4 and holds and fixes the contact piece 5 connected to the test device (not shown). A test contactor composed of 6 is a sealing portion 2 of the semiconductor device 4, or 8 and 8A.
A pedestal in which the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 and the bent outer lead 3 are formed so as to fit in, and the semiconductor device 4 is positioned and held by the pin 8a or the like using the hole 1c or the like in the lead frame 1A. is there.

【0059】半導体装置4単位になったリードフレーム
状態の半導体装置4は、リードフレーム1Aの枠1aを
利用してハンドリングが行われ、順次移し替えられて位
置決め及び保持がされ、試験工程等の製造工程を経て半
導体装置4が製造される。
The semiconductor device 4 in the lead frame state, which is a unit of the semiconductor device 4, is handled by using the frame 1a of the lead frame 1A, sequentially transferred and positioned and held, and manufactured in a test process or the like. The semiconductor device 4 is manufactured through the steps.

【0060】すなわち、この発明の実施例4に係る半導
体装置の製造方法は、封止部2より外側で半導体装置4
の各々の外部リード3を形成する部分の延長上とリード
フレーム1Aの枠1a部分との間に、本来の外部リード
3の巾より広く、また、互い違いにテストパッド部9を
形成した半導体装置のリードフレーム上に、半導体チッ
プをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止
等をした後、半導体装置4の各々の外部リード3の切断
・曲げ加工等を行い(リード加工工程)、半導体装置4
の個々の電気的特性及び環境試験等を行い(試験工
程)、半導体装置4の封止部2等に商標/型名/製造番
号等を印字する(印刷工程)等の半導体装置の製造工程
において、テストパッド部9を残しテストパッド部9と
リードフレーム1Aの枠1a部分との間を切断、もしく
は、切断した後、外部リード3を所定の形状に曲げ加工
をし、リードフレーム1Aの枠1a部分を残し半導体装
置単位にリードフレーム1Aを切断した状態で、試験工
程・印刷工程及びテストパッド部9の除去と同時に本来
の外部リード3の長さに切断及び所定の形状に曲げ加
工、もしくは、テストパッド部9の除去と同時に本来の
外部リード3の長さに切断のみ行い、更には、リードフ
レーム1Aの枠1aより半導体装置を分離するリード加
工工程を経て半導体装置を製造するものである。
That is, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention, the semiconductor device 4 is provided outside the sealing portion 2.
Of the semiconductor device in which the test pads 9 are formed wider than the original width of the external leads 3 and between the extension of each external lead 3 forming part and the frame 1a part of the lead frame 1A. After the semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame and sealed with resin, the external leads 3 of the semiconductor device 4 are cut and bent (lead processing step).
In the manufacturing process of the semiconductor device such as performing individual electrical characteristics and environmental test of (1) (test process) and printing the trademark / type name / serial number on the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 (printing process) , The test pad portion 9 is left and the test pad portion 9 and the frame 1a portion of the lead frame 1A are cut, or after cutting, the outer lead 3 is bent into a predetermined shape to form the frame 1a of the lead frame 1A. In a state where the lead frame 1A is cut in a unit of the semiconductor device while leaving the portion, at the same time as the test process / printing process and the removal of the test pad portion 9, the external lead 3 is cut to the original length and bent into a predetermined shape, or Simultaneously with the removal of the test pad portion 9, only the original length of the external lead 3 is cut, and further, a semiconductor device is processed through a lead processing step of separating the semiconductor device from the frame 1a of the lead frame 1A. It is intended to produce.

【0061】リードフレーム1Aの枠1a部分を残し半
導体装置単位にリードフレーム1Aを切断した状態で、
試験工程・印刷工程及びリードフレーム1Aの枠1aよ
り分離及び最終の外部リード3の長さ・形状に切断・曲
げ等のリード加工工程等の製造工程を経て半導体装置の
製造を行うので、封止部2の大きさ・形状にとらわれず
リードフレーム1Aでもってハンドリングができ、搬送
形態が同様なものにできるため搬送手段が共通化でき、
また、リードフレーム1Aの枠1aでもって半導体装置
4の位置決めができるため位置決め性が高く、さらに、
リードフレーム1Aの枠1aが外部リード3の曲がり等
の損傷に対しある程度保護することができる等の生産性
の高い製造方法が得られる効果がある。
With the frame 1a portion of the lead frame 1A left, the lead frame 1A is cut into semiconductor device units,
Since the semiconductor device is manufactured through a manufacturing process such as a test process, a printing process, and a lead processing process such as separation from the frame 1a of the lead frame 1A and cutting and bending into the final length and shape of the external lead 3, sealing is performed. Regardless of the size and shape of the portion 2, the lead frame 1A can be used for handling, and since the transportation mode can be the same, the transportation means can be made common,
Further, since the semiconductor device 4 can be positioned by the frame 1a of the lead frame 1A, the positioning property is high.
There is an effect that a highly productive manufacturing method can be obtained in which the frame 1a of the lead frame 1A can be protected to some extent from damage such as bending of the external lead 3.

【0062】実施例5.この発明の実施例5について図
20から図27までを参照しながら説明する。図20
は、上述した実施例1に係るリードフレーム状態から半
導体装置の外部リードの延長上で、一点鎖線で示す切断
線X1及びX2上を切断し、さらに、リードフレームよ
り半導体装置単位に分離した状態を示す平面図である。
また、図21は、その正面図である。
Example 5. A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20 to 27. Figure 20
Is a state in which the cutting lines X1 and X2 indicated by alternate long and short dash lines are cut on the extension of the external lead of the semiconductor device from the lead frame state according to the above-described first embodiment, and further separated from the lead frame in semiconductor device units. It is a top view shown.
Further, FIG. 21 is a front view thereof.

【0063】また、図22は、上述した実施例1に係る
リードフレーム状態から半導体装置の外部リードの延長
上で、一点鎖線で示す切断線X1及びX2上を切断し、
さらに、リードフレームより半導体装置単位に分離し外
部リードを所定の形状に曲げ加工をした状態を示す平面
図である。また、図23は、その正面図である。
In addition, FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the cutting lines X1 and X2 indicated by the alternate long and short dash line in the extension of the external leads of the semiconductor device from the lead frame state according to the above-described first embodiment.
Further, it is a plan view showing a state in which the semiconductor device is separated from the lead frame and the external leads are bent into a predetermined shape. Further, FIG. 23 is a front view thereof.

【0064】図24は、図20及び図21の半導体装置
の製造工程で電気的特性試験を行っている状態の平面図
である。また、図25は、その正面図である。また、図
26は、図22及び図23の半導体装置の製造工程で電
気的特性試験を行っている状態の平面図である。また、
図27は、その正面図である。
FIG. 24 is a plan view showing a state where an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. 20 and 21. Further, FIG. 25 is a front view thereof. Further, FIG. 26 is a plan view showing a state in which an electrical characteristic test is being performed in the manufacturing process of the semiconductor device of FIGS. 22 and 23. Also,
FIG. 27 is a front view thereof.

【0065】図20から図27までにおいて、7は半導
体装置4の試験を行うためにテストパッド部9に接触さ
せ、試験装置(図示せず)に接続された接触子片5を保
持固定するホルダ6から構成されるテスト用コンタク
タ、8B及び8Cは半導体装置4の封止部2、もしく
は、半導体装置4の封止部2及び曲げ加工された外部リ
ード3がはまりこむ様形成し、かつ、半導体装置4単位
になった封止部2を案内する溝8b等で位置決め及び保
持する受け台である。
20 to 27, a holder 7 is brought into contact with the test pad portion 9 for testing the semiconductor device 4 and holds and fixes the contact piece 5 connected to the test device (not shown). The test contactors 8B and 8C composed of 6 are formed such that the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 or the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 and the bent external lead 3 are fitted, and It is a pedestal for positioning and holding by a groove 8b or the like for guiding the sealing portion 2 which is a unit of the device 4.

【0066】半導体装置4は、封止部2を溝8b等を案
内にハンドリングが行われ、順次移し替えられて位置決
め及び保持がされ、試験工程等の製造工程を経て半導体
装置4が製造される。
The semiconductor device 4 is handled by guiding the sealing portion 2 through the groove 8b and the like, sequentially transferred and positioned and held, and the semiconductor device 4 is manufactured through a manufacturing process such as a test process. .

【0067】すなわち、この発明の実施例5に係る半導
体装置の製造方法は、封止部2より外側で半導体装置4
の各々の外部リード3を形成する部分の延長上とリード
フレーム1Aの枠1a部分との間に、本来の外部リード
3の巾より広く、また、互い違いにテストパッド部9を
形成した半導体装置のリードフレーム上に、半導体チッ
プをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止
等をした後、半導体装置4の各々の外部リード3の切断
・曲げ加工等を行い(リード加工工程)、半導体装置4
の個々の電気的特性及び環境試験等を行い(試験工
程)、半導体装置4の封止部2等に商標/型名/製造番
号等を印字する(印刷工程)等の半導体装置の製造工程
において、テストパッド部9を残しテストパッド部9と
リードフレーム1Aの枠1a部分との間を切断、もしく
は、切断した後、外部リード3を所定の形状に曲げ加工
をし、また、リードフレーム1Aの枠1aより半導体装
置単位に分離した状態で、試験工程・印刷工程及びテス
トパッド部9の除去と同時に本来の外部リード3の長さ
に切断及び所定の形状に曲げ加工、もしくは、テストパ
ッド部9の除去と同時に本来の外部リード3の長さに切
断のみ行うリード加工工程を経て半導体装置を製造する
ものである。
That is, in the method of manufacturing the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention, the semiconductor device 4 is provided outside the sealing portion 2.
Of the semiconductor device in which the test pads 9 are formed wider than the original width of the external leads 3 and between the extension of each external lead 3 forming part and the frame 1a part of the lead frame 1A. After the semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on the lead frame and sealed with resin, the external leads 3 of the semiconductor device 4 are cut and bent (lead processing step).
In the manufacturing process of the semiconductor device such as performing individual electrical characteristics and environmental test of (1) (test process) and printing the trademark / type name / serial number on the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 (printing process) , The test pad portion 9 is left and the test pad portion 9 and the frame 1a portion of the lead frame 1A are cut, or after cutting, the external lead 3 is bent into a predetermined shape, and the lead frame 1A In a state where the semiconductor device is separated from the frame 1a, at the same time as the test process / printing process and the removal of the test pad part 9, the external lead 3 is cut to the original length and bent into a predetermined shape, or the test pad part 9 is formed. The semiconductor device is manufactured through a lead processing step in which only the original length of the external lead 3 is cut at the same time as the removal.

【0068】リードフレーム1Aの枠1aより半導体装
置単位に分離した状態で、試験工程・印刷工程及び最終
の外部リード3の長さ・形状に切断・曲げ等のリード加
工工程等の製造工程を経て半導体装置の製造を行うの
で、ほぼ従来技術及び設備でもって製造ができ、経済性
の高い製造方法が得られる効果がある。
In a state of being separated from the frame 1a of the lead frame 1A for each semiconductor device, a manufacturing process such as a test process, a printing process, and a lead processing process such as cutting and bending to the length and shape of the final external lead 3 is performed. Since the semiconductor device is manufactured, there is an effect that it can be manufactured by almost conventional technology and equipment, and a highly economical manufacturing method can be obtained.

【0069】実施例6.この発明の実施例6について図
28及び図29を参照しながら説明する。図28は、こ
の発明の実施例6に係る半導体装置のテスト用コンタク
タであって半導体装置を試験している状態を示す平面図
である。また、図29は、その正面図である。
Example 6. A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 28 and 29. FIG. 28 is a plan view showing a test contactor for a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention, showing a state in which the semiconductor device is being tested. Further, FIG. 29 is a front view thereof.

【0070】図28及び図29において、5は半導体装
置4の外部リード3を試験するための試験装置(図示せ
ず)に接続された接触子片であって、半導体装置4の一
面より突出している外部リード3単位で外部リード3の
延長上にあるテストパッド部9に互い違いに対向させる
べく配置させている。
In FIGS. 28 and 29, reference numeral 5 denotes a contact piece connected to a test device (not shown) for testing the external lead 3 of the semiconductor device 4 and protruding from one surface of the semiconductor device 4. The external leads 3 are arranged so as to alternately face the test pad portions 9 on the extension of the external leads 3.

【0071】ここで、各々の接触子片5のピッチは、半
導体装置4の外部リード3のピッチの倍の寸法となって
いる。6は接触子片5を保持するホルダ、7A及び7B
は接触子片5とホルダ6から構成されるテスト用コンタ
クタ、8Bは半導体装置4の位置決め及び保持する受け
台である。
Here, the pitch of each contact piece 5 is twice the pitch of the external leads 3 of the semiconductor device 4. 6 is a holder for holding the contact piece 5, 7A and 7B
Is a test contactor composed of the contact piece 5 and the holder 6, and 8B is a pedestal for positioning and holding the semiconductor device 4.

【0072】動作については、受け台8Bに半導体装置
4を位置決め及び保持し、テスト用コンタクタ7A及び
7Bの接触子片5を全て同時に半導体装置4の外部リー
ド3の延長上にあるテストパッド部9に接触させて半導
体装置4の電気的特性試験を試験装置でもって行う。
Regarding the operation, the semiconductor device 4 is positioned and held on the pedestal 8B, and the contact pieces 5 of the test contactors 7A and 7B are all at the same time, and the test pad portion 9 on the extension of the external lead 3 of the semiconductor device 4 is tested. The semiconductor device 4 is brought into contact with the semiconductor device 4 and an electrical characteristic test is performed with the test device.

【0073】この発明の請求項6に係るテスト用コンタ
クタは、前述したように、封止部2より外側で半導体装
置4の各々の外部リード3を形成する部分の延長上に本
来の外部リード3の巾より広く、また、互い違いにテス
トパッド部9を形成した半導体装置4の電気的特性試験
を行うテスト用コンタクタにおいて、半導体装置4の一
面より突出している外部リード単位で外部リード3の延
長上にあるテストパッド部9に接触させる接触子片5を
互い違いに対向させて配置させたものである。
As described above, the test contactor according to the sixth aspect of the present invention has the original external lead 3 on the extension of the portion forming the external lead 3 of the semiconductor device 4 outside the sealing portion 2. In the test contactor for conducting the electrical characteristic test of the semiconductor device 4 in which the test pad portions 9 are formed in a staggered manner, the extension of the external lead 3 in units of the external lead protruding from one surface of the semiconductor device 4 The contact piece 5 to be brought into contact with the test pad section 9 is alternately arranged to face each other.

【0074】テストパッド部9に接触させる接触子片5
を互い違いに対向させて配置させ、接触子片5のピッチ
を外部リード3の倍の寸法にしたので、半導体装置4の
外部リード3が小ピッチであっても、高度な技術及び高
精度を必要とせず製作及び組み立てのしやすいテスト用
コンタクタが得られる効果がある。
Contact piece 5 to be brought into contact with the test pad section 9
Are arranged so as to face each other and the pitch of the contact pieces 5 is twice as large as that of the external leads 3. Therefore, even if the external leads 3 of the semiconductor device 4 have a small pitch, high technology and high precision are required. The effect is to obtain a test contactor that is easy to manufacture and assemble.

【0075】実施例7.この発明の実施例7について図
30から図37までを参照しながら説明する。図30及
び図32は、図12及び図14に示す半導体装置を収納
及び位置決め保持するトレーに半導体装置を収納した状
態を示す平面図である。また、図31及び図33はそれ
らの正面図である。
Example 7. Embodiment 7 of the present invention will be described with reference to FIGS. 30 to 37. 30 and 32 are plan views showing a state in which the semiconductor device shown in FIGS. 12 and 14 is housed in a tray that houses and positions and holds the semiconductor device. 31 and 33 are front views thereof.

【0076】図30から図37までにおいて、10及び
10Aは図12及び図14に示す半導体装置4を複数個
収納できるトレーである。トレー10及び10Aは半導
体装置4の封止部2を位置決め可能なポケット10aを
備え、ピン10cで半導体装置4のリードフレーム1A
の穴1cでもって位置決めしている。また、トレー10
及び10A自体をハンドリング及び位置決めするための
穴10bが設けられている。
30 to 37, 10 and 10A are trays that can accommodate a plurality of semiconductor devices 4 shown in FIGS. The trays 10 and 10A are provided with pockets 10a capable of positioning the sealing portion 2 of the semiconductor device 4, and the lead frame 1A of the semiconductor device 4 is provided with pins 10c.
It is positioned by the hole 1c. Also, the tray 10
And holes 10b are provided for handling and positioning 10A itself.

【0077】また、図34及び図36は、図20及び図
22に示す半導体装置を収納及び位置決め保持するトレ
ーに半導体装置を収納した状態を示す平面図である。ま
た、図35及び図37は、その正面図である。
FIGS. 34 and 36 are plan views showing a state in which the semiconductor device shown in FIGS. 20 and 22 is stored in a tray for storing and positioning and holding the semiconductor device. Further, FIG. 35 and FIG. 37 are front views thereof.

【0078】図34から図37までにおいて、同様に、
10B及び10Cは図20及び図22に示す半導体装置
4を複数個収納できるトレーである。トレー10B及び
10Cは半導体装置4の封止部2を準位置決め可能なポ
ケット10aを備え、溝10dにより半導体装置4の封
止部2を位置決めしている。また、同様にトレー10B
及び10C自体をハンドリング及び位置決めするための
穴10bが設けられている。
34 to 37, similarly,
Reference numerals 10B and 10C are trays that can accommodate a plurality of semiconductor devices 4 shown in FIGS. The trays 10B and 10C have pockets 10a capable of semi-positioning the sealing portion 2 of the semiconductor device 4, and the groove 10d positions the sealing portion 2 of the semiconductor device 4. Also, similarly, tray 10B
And 10C themselves are provided with holes 10b for handling and positioning.

【0079】動作としては、以上のようなトレー10、
10A、10B及び10Cを半導体装置4の製造工程に
おいて一貫して使用するものである。
In operation, the tray 10 as described above,
10A, 10B and 10C are used consistently in the manufacturing process of the semiconductor device 4.

【0080】この発明の実施例7に係る半導体装置の製
造方法は、前述したように、テストパッド部9を残して
テストパッド部9とリードフレーム1Aの枠1a部分と
の間を切断し、もしくは、切断した後、外部リード3を
所定の形状に曲げ加工をし、リードフレーム1Aの枠1
a部分を残して半導体装置単位にリードフレーム1Aを
切断した半導体装置、あるいはテストパッド部9を残し
てテストパッド部9とリードフレーム1Aの枠1a部分
との間を切断し、もしくは、切断した後、外部リード3
を所定の形状に曲げ加工をし、さらに、リードフレーム
1Aより半導体装置単位に分離した半導体装置のいずれ
かを各々複数個収納及び保持するトレー10、10A、
10B及び10Cに半導体装置を収納した状態で試験工
程、印刷工程、リード加工工程を経て半導体装置を製造
するものである。
As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention, the test pad portion 9 is left and the test pad portion 9 and the frame 1a portion of the lead frame 1A are cut off, or After cutting, the outer lead 3 is bent into a predetermined shape, and the frame 1 of the lead frame 1A is cut.
A semiconductor device in which the lead frame 1A is cut for each semiconductor device with the portion a left, or between the test pad portion 9 and the frame 1a portion of the lead frame 1A with the test pad portion 9 left, or after cutting , External lead 3
Is bent into a predetermined shape, and further, trays 10 and 10A for accommodating and holding a plurality of semiconductor devices separated from the lead frame 1A in units of semiconductor devices, respectively.
The semiconductor device is manufactured through a test process, a printing process, and a lead processing process while the semiconductor device is housed in 10B and 10C.

【0081】半導体装置4を複数個収納及び保持するト
レー10、10A、10B及び10Cに半導体装置を収
納した状態で試験工程、印刷工程、リード加工工程等の
製造工程において一貫して製造に使用するので、直接半
導体装置4をハンドリングしないため外部リード3への
損傷も軽減でき、また、搬送形態が同様なものにできる
ため搬送手段が共通化でき、さらに、複数個同時にハン
ドリングできる等の生産性の高い製造方法が得られる効
果がある。
The semiconductor devices are housed in the trays 10, 10A, 10B and 10C for housing and holding a plurality of semiconductor devices 4, and are used for manufacturing consistently in manufacturing processes such as a test process, a printing process and a lead processing process. Therefore, since the semiconductor device 4 is not directly handled, damage to the external leads 3 can be reduced, and since the transporting form can be the same, the transporting means can be shared, and a plurality of semiconductor devices can be simultaneously handled. There is an effect that a high manufacturing method can be obtained.

【0082】実施例8.この発明の実施例8について図
38から図41までを参照しながら説明する。図38
は、図12及び図14に示す半導体装置を収納及び位置
決め保持するトレーに半導体装置を収納した状態の平面
図である。また、図39は、半導体装置の試験工程での
試験要部の断面を示す図である。さらに、図40及び図
41は、本実施例のトレーを用い実際に試験をしている
状態を示す平面図及び正面図である。
Example 8. Embodiment 8 of the present invention will be described with reference to FIGS. 38 to 41. Figure 38
FIG. 15 is a plan view showing a state in which the semiconductor device shown in FIGS. 12 and 14 is housed in a tray that houses and positions and holds the semiconductor device. Further, FIG. 39 is a view showing a cross section of a main part of a test in a test process of a semiconductor device. Further, FIGS. 40 and 41 are a plan view and a front view showing a state where an actual test is performed using the tray of this embodiment.

【0083】図38から図41までにおいて、11は図
12及び図14に示す半導体装置4を複数個収納できる
トレーである。トレー11は、半導体装置4の封止部2
を位置決め可能なポケット11aを備え、溝11dによ
り半導体装置4の封止部2を位置決めしている。また、
12は半導体装置4をトレー11の外部よりピン12a
により半導体装置4のリードフレーム1Aの穴1cを位
置決め保持しトレー11の下側より突き上げるためのプ
ッシャーである。ポケット11aにはプッシャー12が
通過できる貫通穴11eが形成されている。また、トレ
ー11自体をハンドリング及び位置決めするための穴1
1bが設けられている。
38 to 41, 11 is a tray which can accommodate a plurality of semiconductor devices 4 shown in FIGS. 12 and 14. The tray 11 is the sealing unit 2 of the semiconductor device 4.
Is provided with a pocket 11a that can be positioned, and the sealing portion 2 of the semiconductor device 4 is positioned by the groove 11d. Also,
12 is a pin 12a of the semiconductor device 4 from the outside of the tray 11.
Is a pusher for positioning and holding the hole 1c of the lead frame 1A of the semiconductor device 4 and pushing up from the lower side of the tray 11. A through hole 11e through which the pusher 12 can pass is formed in the pocket 11a. Also, the hole 1 for handling and positioning the tray 11 itself.
1b is provided.

【0084】動作としては、ハンドリングされてきたト
レー11をトレー11の穴11bでもって位置決めした
後、プッシャー12が上昇しながらプッシャー12のピ
ン12aで半導体装置4のリードフレーム1Aの穴1c
をもって半導体装置4を位置決め保持し突き上げ、半導
体装置4の外部リード3の延長上にあるテストパッド部
9にテスト用コンタクタ7の接触子片5を押し当てて試
験する。合わせて、以上のようなトレー11を半導体装
置4の製造工程において一貫して製造に使用するもので
ある。
As an operation, after the tray 11 which has been handled is positioned by the hole 11b of the tray 11, the pusher 12 is moved upward and the pin 12a of the pusher 12 is used to move the hole 1c of the lead frame 1A of the semiconductor device 4.
Then, the semiconductor device 4 is positioned and held and pushed up, and the contact piece 5 of the test contactor 7 is pressed against the test pad portion 9 on the extension of the external lead 3 of the semiconductor device 4 for testing. In addition, the tray 11 as described above is consistently used for manufacturing in the manufacturing process of the semiconductor device 4.

【0085】この発明の実施例8に係る半導体装置の製
造方法は、前述したように、各々のポケット11aによ
り半導体装置4の準位置決めができ、かつ、半導体装置
4を位置決めし、半導体装置4を押し上げるためのプッ
シャー12が通過可能な貫通穴11eを設けたトレー1
1を使用して半導体装置を製造するものである。
In the method of manufacturing the semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention, as described above, the semiconductor device 4 can be quasi-positioned by each pocket 11a, and the semiconductor device 4 is positioned so that the semiconductor device 4 is positioned. Tray 1 provided with a through hole 11e through which a pusher 12 for pushing up can pass
1 is used to manufacture a semiconductor device.

【0086】トレー11の各々の半導体装置の載置部に
半導体装置4を位置決めし、トレー11より半導体装置
4を押し上げるプッシャー12が通過可能な所定の貫通
穴11eを設けたので、半導体装置4を外部へ取り出す
こともなく、トレー11の上方付近で試験・印刷及びリ
ード加工作業等の処理が可能で、半導体装置4をトレー
11の外部に搬送する機構が不要となり、高速に処理が
でき、簡素で安価な製造設備を得られる効果がある。
The semiconductor device 4 is positioned on the mounting portion of each semiconductor device of the tray 11, and a predetermined through hole 11e through which the pusher 12 pushing up the semiconductor device 4 from the tray 11 can pass is provided. Processing such as test / printing and lead processing work can be performed near the upper part of the tray 11 without taking it out to the outside, and a mechanism for transporting the semiconductor device 4 to the outside of the tray 11 is not required, which enables high-speed processing and is simple. It is effective in obtaining inexpensive manufacturing equipment.

【0087】[0087]

【発明の効果】この発明の請求項1に係る半導体装置の
リードフレームは、以上説明したとおり、半導体装置の
封止部より外側で外部リードの延長上とリードフレーム
の枠との間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥
状に設けられ、テスト用コンタクタが接触できるテスト
パッド部を備えたので、テスト用コンタクタに対し接触
面積を広くとることができ、高度な精度も不要で確実な
接触をすることができ、半導体装置の試験時に、接触不
良等により歩留まりを下げることなく、不良率を著しく
低減することができるという効果を奏する。
As described above, the lead frame of the semiconductor device according to the first aspect of the present invention has the above-mentioned structure between the extension of the external lead and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. Wider than the width of the external leads, and arranged in a staggered pattern, and equipped with a test pad that can be contacted by the test contactor, it is possible to secure a large contact area for the test contactor without the need for high precision. There is an effect that it is possible to make contact, and it is possible to significantly reduce the defect rate without lowering the yield due to contact failure or the like when the semiconductor device is tested.

【0088】この発明の請求項2に係る半導体装置のリ
ードフレームは、以上説明したとおり、半導体装置の封
止部より外側で外部リードの延長上とリードフレームの
枠との間に、前記外部リードの巾より広く、千鳥状に設
けられ、かつ半田メッキが施されず、テスト用コンタク
タが接触できるテストパッド部を備えたので、テスト用
コンタクタの接触子片への半田の付着及び半田屑の発
生、脱落もなく、テスト用コンタクタの接触子片の接触
部の掃除も極めて低減でき、安定した接触状態を得るこ
とができ、また、寿命の長いテスト用コンタクタを得る
ことができるという効果を奏する。
As described above, the lead frame of the semiconductor device according to the second aspect of the present invention has the external lead between the extension of the external lead and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. Wider than the width of the test contact, the zigzag pattern is provided, and the solder plating is not applied, and the test contactor has a contact pad that allows contact with the test contactor. Further, there is an effect that the contactor of the contactor piece of the test contactor can be significantly reduced without dropping off, a stable contact state can be obtained, and a test contactor having a long life can be obtained.

【0089】この発明の請求項3に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成するリード形成工程と、前記リードフ
レーム上に半導体チップをダイボンディング・ワイヤボ
ンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工程と、前
記テストパッド部を残して前記テストパッド部と前記リ
ードフレームの枠との間を切断するリード切断工程と、
半導体装置が複数個連なったリードフレーム状態で半導
体装置個々の試験を行う試験工程と、前記半導体装置が
複数個連なったリードフレーム状態で前記半導体装置に
標章を印字する印刷工程と、前記テストパッド部の除去
と同時に前記半導体装置の本来の外部リードの長さに切
断し、前記リードフレームの枠より前記半導体装置を分
離するリード加工工程とを含むので、半導体装置を複数
個同時にハンドリングでき、封止部の大きさ、形状にと
らわれずリードフレームによりハンドリングができ、搬
送形態が同様なものにできるため搬送手段が共通化で
き、また、リードフレームの枠により半導体装置の位置
決めができるため位置決め性を高くでき、さらに、リー
ドフレームの枠により外部リードの曲がり等の損傷に対
しある程度保護することができるという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. Wider than the width of the test pad portion, and forming a test pad portion in a staggered pattern, a semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and a test pad portion. A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame,
A test step of performing an individual test of each semiconductor device in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected, a printing step of printing a mark on the semiconductor device in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected, and the test pad At the same time as the removal of the portion, a lead processing step of cutting the semiconductor device to the original length of the external lead and separating the semiconductor device from the frame of the lead frame is included. Regardless of the size and shape of the stop, handling can be done by the lead frame, the carrying mode can be similar, and the carrying means can be shared, and the positioning of the semiconductor device can be performed by the frame of the lead frame. It can be made high, and the lead frame frame protects external leads from bending and other damage to some extent. An effect that theft can be.

【0090】この発明の請求項4に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成するリード形成工程と、前記リードフ
レーム上に半導体チップをダイボンディング・ワイヤボ
ンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工程と、前
記テストパッド部を残して前記テストパッド部と前記リ
ードフレームの枠との間を切断するリード切断工程と、
前記リードフレームの枠を残して半導体装置単位に前記
リードフレームを切断した状態で半導体装置個々の試験
を行う試験工程と、前記リードフレームの枠を残して半
導体装置単位に前記リードフレームを切断した状態で前
記半導体装置に標章を印字する印刷工程と、前記テスト
パッド部の除去と同時に前記半導体装置の本来の外部リ
ードの長さに切断し、前記リードフレームの枠より前記
半導体装置を分離するリード加工工程とを含むので、封
止部の大きさ、形状にとらわれずリードフレームにより
ハンドリングができ、搬送形態が同様なものにできるた
め搬送手段が共通化でき、また、リードフレームの枠に
より半導体装置の位置決めができるため位置決め性を高
くでき、さらに、リードフレームの枠により外部リード
の曲がり等の損傷に対しある程度保護することができる
という効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. Wider than the width of the test pad portion, and forming a test pad portion in a staggered pattern, a semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and a test pad portion. A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame,
A test step of performing an individual semiconductor device test in a state in which the lead frame is cut in semiconductor device units leaving the lead frame frame, and a state in which the lead frame is cut in semiconductor device units leaving the lead frame frame And a step of printing a mark on the semiconductor device, and at the same time as removing the test pad portion, cutting to the original length of the external lead of the semiconductor device, and separating the semiconductor device from the frame of the lead frame. Since it includes a processing step, it can be handled by the lead frame regardless of the size and shape of the sealing portion, and the transportation mode can be the same, so that the transportation means can be made common and the frame of the lead frame can be used for the semiconductor device. Since the positioning of the lead frame can improve the positioning performance, the lead frame frame can damage the external leads such as bending. An effect that it is possible to some extent protected against.

【0091】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成するリード形成工程と、前記リードフ
レーム上に半導体チップをダイボンディング・ワイヤボ
ンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工程と、前
記テストパッド部を残して前記テストパッド部と前記リ
ードフレームの枠との間を切断するリード切断工程と、
前記リードフレームの枠より半導体装置単位に分離した
状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程と、前記リ
ードフレームの枠より半導体装置単位に分離した状態で
前記半導体装置に標章を印字する印刷工程と、前記テス
トパッド部の除去と同時に前記半導体装置の本来の外部
リードの長さに切断するリード加工工程とを含むので、
ほぼ従来技術及び設備により製造することができ、経済
性を高くすることができるという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. Wider than the width of the test pad portion, and forming a test pad portion in a staggered pattern, a semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and a test pad portion. A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame,
A test step of performing an individual semiconductor device test in a state of being separated from the lead frame frame into semiconductor device units, and a printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state of being separated from the lead frame frame into semiconductor device units And a lead processing step of cutting the test pad portion and cutting to the original external lead length of the semiconductor device at the same time,
Since it can be manufactured by almost the conventional technology and equipment, it is possible to improve the economical efficiency.

【0092】この発明の請求項6に係る半導体装置のテ
スト用コンタクタは、以上説明したとおり、半導体装置
の封止部より外側で外部リードの延長上に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状に設けられた半導体装置
のテストパッド部に接触し、互い違いに対向して配置さ
れた接触子片を備えたので、半導体装置の外部リードが
小ピッチであっても、高度な技術及び高精度を必要とせ
ず、製作及び組み立てがしやすいという効果を奏する。
As described above, the test contactor for a semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention is, outside the sealing portion of the semiconductor device, extending the external lead, wider than the width of the external lead, and staggered. Since the contact pieces arranged in contact with the test pad portion of the semiconductor device arranged alternately and facing each other are provided, even if the external leads of the semiconductor device have a small pitch, advanced technology and high accuracy are provided. The effect of being easy to manufacture and assemble without the need for.

【0093】この発明の請求項7に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成するリード形成工程と、前記リードフ
レーム上に半導体チップをダイボンディング・ワイヤボ
ンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工程と、前
記テストパッド部を残して前記テストパッド部と前記リ
ードフレームの枠との間を切断するリード切断工程と、
半導体装置単位に前記リードフレームを切断し、トレー
に前記半導体装置を複数個収納した状態で半導体装置個
々の試験を行う試験工程と、前記トレーに前記半導体装
置を複数個収納した状態で前記半導体装置に標章を印字
する印刷工程と、前記トレーに前記半導体装置を複数個
収納した状態で前記テストパッド部の除去と同時に前記
半導体装置の本来の外部リードの長さに切断するリード
加工工程とを含むので、直接半導体装置をハンドリング
しないため外部リードへの損傷も軽減でき、また、搬送
形態が同様なものにできるため搬送手段を共通化でき、
さらに、複数個同時にハンドリングできる等の生産性を
高くすることができるという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. Wider than the width of the test pad portion, and forming a test pad portion in a staggered pattern, a semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and a test pad portion. A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame,
A test step of cutting the lead frame in units of semiconductor devices and performing a test of each semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in a tray, and the semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray And a lead processing step of removing the test pad portion and cutting the semiconductor device to the original length of the external leads while the plurality of semiconductor devices are stored in the tray. Since it does not directly handle the semiconductor device, damage to the external leads can be reduced, and since the transport mode can be similar, the transport means can be made common,
Further, there is an effect that it is possible to increase the productivity such as handling a plurality of pieces at the same time.

【0094】この発明の請求項8に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成するリード形成工程と、前記リードフ
レーム上に半導体チップをダイボンディング・ワイヤボ
ンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工程と、前
記テストパッド部を残して前記テストパッド部と前記リ
ードフレームの枠との間を切断するリード切断工程と、
半導体装置単位に前記リードフレームを切断し、トレー
に前記半導体装置を複数個収納し、前記半導体装置を各
々押し上げた状態で半導体装置個々の試験を行う試験工
程と、前記押し上げた状態で前記半導体装置に標章を印
字する印刷工程と、前記押し上げた状態で前記テストパ
ッド部の除去と同時に前記半導体装置の本来の外部リー
ドの長さに切断するリード加工工程とを含むので、半導
体装置を外部へ取り出すこともなく、トレーの上方付近
で試験、印刷、リード加工作業等の処理をすることがで
き、半導体装置をトレーの外部に搬送する機構が不要と
なり高速に処理をすることができ、簡素で安価な製造設
備で実現することができるという効果を奏する。
As described above, the semiconductor device manufacturing method according to the eighth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. Wider than the width of the test pad portion, and forming a test pad portion in a staggered pattern, a semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and a test pad portion. A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame,
A test step of cutting the lead frame into semiconductor device units, accommodating a plurality of the semiconductor devices in a tray, and performing a test of each semiconductor device with the semiconductor device being pushed up, and the semiconductor device being pushed up. Since it includes a printing process of printing a mark on the semiconductor device and a lead processing process of cutting the test pad portion in the pushed-up state at the same time as cutting to the original external lead length of the semiconductor device, the semiconductor device is exposed to the outside. It is possible to perform processing such as testing, printing, and lead processing work near the top of the tray without taking it out, and a mechanism for transporting the semiconductor device to the outside of the tray is not required, and high-speed processing is possible. The effect is that it can be realized with inexpensive manufacturing equipment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1に係る半導体装置が複数個
連なった半導体装置のリードフレームを示す平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view showing a lead frame of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices according to a first embodiment of the present invention are connected in series.

【図2】この発明の実施例1に係る半導体装置が複数個
連なった半導体装置のリードフレームを示す正面図であ
る。
FIG. 2 is a front view showing a lead frame of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices according to the first embodiment of the present invention are connected in series.

【図3】この発明の実施例2に係る半導体装置が複数個
連なった半導体装置のリードフレームを示す平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view showing a lead frame of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices according to a second embodiment of the present invention are connected in series.

【図4】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法に用いるリードフレームを示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the invention.

【図5】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法に用いるリードフレームを示す正面図である。
FIG. 5 is a front view showing a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the invention.

【図6】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法に用いる他のリードフレームを示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing another lead frame used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the invention.

【図7】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法に用いる他のリードフレームを示す正面図である。
FIG. 7 is a front view showing another lead frame used in the method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

【図8】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a test process of a semiconductor device manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.

【図9】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 9 is a front view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment of the invention.

【図10】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a test step of the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention.

【図11】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 11 is a front view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment of the invention.

【図12】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法に用いるリードフレームを示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention.

【図13】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法に用いるリードフレームを示す正面図である。
FIG. 13 is a front view showing a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention.

【図14】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のリードフレームを示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing another lead frame used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.

【図15】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のリードフレームを示す正面図である。
FIG. 15 is a front view showing another lead frame used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図16】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 16 is a plan view showing a test step of the semiconductor device manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention.

【図17】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 17 is a front view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.

【図18】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 18 is a plan view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.

【図19】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 19 is a front view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.

【図20】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法に用いる半導体装置を示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing a semiconductor device used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図21】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法に用いる半導体装置を示す正面図である。
FIG. 21 is a front view showing a semiconductor device used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図22】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法に用いる他の半導体装置を示す平面図である。
FIG. 22 is a plan view showing another semiconductor device used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図23】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法に用いる他の半導体装置を示す正面図である。
FIG. 23 is a front view showing another semiconductor device used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図24】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 24 is a plan view showing a test step of the semiconductor device manufacturing method according to the fifth embodiment of the present invention.

【図25】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 25 is a front view showing a test step of the semiconductor device manufacturing method according to the fifth embodiment of the present invention.

【図26】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す平面図である。
FIG. 26 is a plan view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図27】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 27 is a front view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the fifth embodiment of the invention.

【図28】この発明の実施例6に係る半導体装置のテス
ト用コンタクタを示す平面図である。
FIG. 28 is a plan view showing a test contactor for a semiconductor device according to Embodiment 6 of the present invention.

【図29】この発明の実施例6に係る半導体装置のテス
ト用コンタクタを示す正面図である。
FIG. 29 is a front view showing a test contactor for a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図30】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いるトレーを示す平面図である。
FIG. 30 is a plan view showing a tray used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図31】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いるトレーを示す正面図である。
FIG. 31 is a front view showing a tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図32】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す平面図である。
FIG. 32 is a plan view showing another tray used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the invention.

【図33】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す正面図である。
FIG. 33 is a front view showing another tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図34】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す平面図である。
FIG. 34 is a plan view showing another tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図35】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す正面図である。
FIG. 35 is a front view showing another tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図36】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す平面図である。
FIG. 36 is a plan view showing another tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図37】この発明の実施例7に係る半導体装置の製造
方法に用いる他のトレーを示す正面図である。
FIG. 37 is a front view showing another tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.

【図38】この発明の実施例8に係る半導体装置の製造
方法に用いるトレーを示す平面図である。
FIG. 38 is a plan view showing a tray used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention.

【図39】この発明の実施例8に係る半導体装置の製造
方法に用いるトレーを示す断面図である。
FIG. 39 is a sectional view showing a tray used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention.

【図40】この発明の実施例8に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す正面図である。
FIG. 40 is a front view showing a test step of the semiconductor device manufacturing method according to the eighth embodiment of the present invention.

【図41】この発明の実施例8に係る半導体装置の製造
方法の試験工程を示す断面図である。
FIG. 41 is a cross-sectional view showing a test step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention.

【図42】従来の半導体装置のリードフレームを示す平
面図である。
FIG. 42 is a plan view showing a lead frame of a conventional semiconductor device.

【図43】従来の半導体装置のリードフレームを示す正
面図である。
FIG. 43 is a front view showing a lead frame of a conventional semiconductor device.

【図44】図42のA部を示す拡大図である。FIG. 44 is an enlarged view showing a portion A in FIG. 42.

【図45】従来の半導体装置の製造方法に用いる半導体
装置を示す平面図である。
FIG. 45 is a plan view showing a semiconductor device used in a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図46】従来の半導体装置の製造方法に用いる半導体
装置を示す正面図である。
FIG. 46 is a front view showing a semiconductor device used in a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図47】従来の半導体装置の製造方法に用いる他の半
導体装置を示す平面図である。
FIG. 47 is a plan view showing another semiconductor device used in the conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図48】従来の半導体装置の製造方法に用いる他の半
導体装置を示す正面図である。
FIG. 48 is a front view showing another semiconductor device used in the conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図49】従来の半導体装置の製造方法の試験工程を示
す平面図である。
FIG. 49 is a plan view showing a test process of a conventional semiconductor device manufacturing method.

【図50】従来の半導体装置の製造方法の試験工程を示
す正面図である。
FIG. 50 is a front view showing a test step of the conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図51】従来の半導体装置の製造方法の試験工程を示
す平面図である。
FIG. 51 is a plan view showing a test process of a conventional semiconductor device manufacturing method.

【図52】従来の半導体装置の製造方法の試験工程を示
す正面図である。
FIG. 52 is a front view showing a test step of the conventional semiconductor device manufacturing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A リードフレーム 1a 枠 1b 支持部 1c 穴 2 封止部 3 外部リード 4 半導体装置 5 接触子片 6 ホルダ 7、7A、7B テスト用コンタクタ 8、8A、8B、8C 受け台 8a ピン 8b 溝 9 テストパッド部 10、10A、10B、10C トレー 10a ポケット 10b 穴 10c ピン 10d 溝 11 トレー 11a ポケット 11b 穴 11c ピン 11d 溝 11e 貫通穴 12 プッシャー 12a ピン X1 切断線 X2 切断線 X3 切断線 X4 切断線 1A Lead frame 1a Frame 1b Supporting part 1c Hole 2 Sealing part 3 External lead 4 Semiconductor device 5 Contact piece 6 Holder 7, 7A, 7B Test contactor 8, 8A, 8B, 8C Receptacle 8a Pin 8b Groove 9 Test pad Part 10, 10A, 10B, 10C Tray 10a Pocket 10b Hole 10c Pin 10d Groove 11 Tray 11a Pocket 11b Hole 11c Pin 11d Groove 11e Through Hole 12 Pusher 12a Pin X1 Cutting Line X2 Cutting Line X3 Cutting Line X4 Cutting Line

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成6年9月29日[Submission date] September 29, 1994

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項3[Name of item to be corrected] Claim 3

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項4[Name of item to be corrected] Claim 4

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項5[Name of item to be corrected] Claim 5

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項7[Name of item to be corrected] Claim 7

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項8[Name of item to be corrected] Claim 8

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【手続補正6】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0026[Correction target item name] 0026

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0026】この発明の請求項3に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成したリ
ードフレーム上に半導体チップをダイボンディング・ワ
イヤボンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工
程。 〔〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔〕 半導体装置が複数個連なったリードフレーム状
態で半導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔〕 前記半導体装置が複数個連なったリードフレー
ム状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程。 〔〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフ
レームの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention includes the following steps. [1] A test pad portion, which is wider than the width of the external lead and is staggered, is formed outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame.
A semiconductor device forming process in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on a frame to be resin-sealed. [ 2 ] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [ 3 ] A test process in which each semiconductor device is tested in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. [ 4 ] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a lead frame state in which a plurality of the semiconductor devices are connected. [ 5 ] A lead processing step in which the semiconductor device is separated from the frame of the lead frame by cutting to the original length of the external lead of the semiconductor device simultaneously with the removal of the test pad portion.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0027[Name of item to be corrected] 0027

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0027】この発明の請求項4に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成したリ
ードフレーム上に半導体チップをダイボンディング・ワ
イヤボンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工
程。 〔〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔〕 前記リードフレームの枠を残して半導体装置単
位に前記リードフレームを切断した状態で半導体装置個
々の試験を行う試験工程。 〔〕 前記リードフレームの枠を残して半導体装置単
位に前記リードフレームを切断した状態で前記半導体装
置に標章を印字する印刷工程。 〔〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフ
レームの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A test pad portion, which is wider than the width of the external lead and is staggered, is formed outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame.
A semiconductor device forming process in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on a frame to be resin-sealed. [ 2 ] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [ 3 ] A test step of performing a test of each semiconductor device in a state where the lead frame is cut into semiconductor device units while leaving the frame of the lead frame. [ 4 ] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where the lead frame is cut in units of semiconductor devices while leaving the frame of the lead frame. [ 5 ] A lead processing step in which the semiconductor device is separated from the frame of the lead frame by cutting to the original length of the external lead of the semiconductor device simultaneously with the removal of the test pad portion.

【手続補正8】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0028】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成したリ
ードフレーム上に半導体チップをダイボンディング・ワ
イヤボンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工
程。 〔〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔〕 前記リードフレームの枠より半導体装置単位に
分離した状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔〕 前記リードフレームの枠より半導体装置単位に
分離した状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工
程。 〔〕 前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体
装置の本来の外部リードの長さに切断するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A test pad portion, which is wider than the width of the external lead and is staggered, is formed outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame.
A semiconductor device forming process in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on a frame to be resin-sealed. [ 2 ] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [ 3 ] A test step of performing a test on each semiconductor device in a state where the semiconductor device is separated from the frame of the lead frame. [ 4 ] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state of being separated from the frame of the lead frame for each semiconductor device. [ 5 ] A lead processing step of removing the test pad portion and simultaneously cutting it into the original length of the external lead of the semiconductor device.

【手続補正9】[Procedure Amendment 9]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0030[Name of item to be corrected] 0030

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0030】この発明の請求項7に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成したリ
ードフレーム上に半導体チップをダイボンディング・ワ
イヤボンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工
程。 〔〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔〕 半導体装置単位に前記リードフレームを切断
し、トレーに前記半導体装置を複数個収納した状態で半
導体装置個々の試験を行う試験工程。 〔〕 前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した
状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程。 〔〕 前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した
状態で前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体装
置の本来の外部リードの長さに切断するリード加工工
程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention includes the following steps. [1] A test pad portion, which is wider than the width of the external lead and is staggered, is formed outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame.
A semiconductor device forming process in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on a frame to be resin-sealed. [ 2 ] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [ 3 ] A test step in which the lead frame is cut into semiconductor device units, and individual semiconductor device tests are performed in a state where a plurality of semiconductor devices are stored in a tray. [ 4 ] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray. [ 5 ] A lead processing step in which a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray and the test pad portion is removed, and at the same time, the semiconductor device is cut into the original external lead length.

【手続補正10】[Procedure Amendment 10]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0031】この発明の請求項8に係る半導体装置の製
造方法は、次に掲げる工程を含むものである。 〔1〕 半導体装置の封止部より外側で外部リードの延
長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リードの
巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成したリ
ードフレーム上に半導体チップをダイボンディング・ワ
イヤボンディングし樹脂封止をする半導体装置形成工
程。 〔〕 前記テストパッド部を残して前記テストパッド
部と前記リードフレームの枠との間を切断するリード切
断工程。 〔〕 半導体装置単位に前記リードフレームを切断
し、トレーに前記半導体装置を複数個収納し、前記半導
体装置を各々押し上げた状態で半導体装置個々の試験を
行う試験工程。 〔〕 前記押し上げた状態で前記半導体装置に標章を
印字する印刷工程。 〔〕 前記押し上げた状態で前記テストパッド部の除
去と同時に前記半導体装置の本来の外部リードの長さに
切断するリード加工工程。
A method of manufacturing a semiconductor device according to an eighth aspect of the present invention includes the following steps. [1] A test pad portion, which is wider than the width of the external lead and is staggered, is formed outside the sealing portion of the semiconductor device and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame.
A semiconductor device forming process in which a semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded on a frame to be resin-sealed. [ 2 ] A lead cutting step of cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame while leaving the test pad portion. [ 3 ] A test step in which the lead frame is cut into semiconductor device units, a plurality of the semiconductor devices are housed in a tray, and each semiconductor device is tested while the semiconductor device is being pushed up. [ 4 ] A printing step of printing a mark on the semiconductor device in the pushed state. [ 5 ] A lead processing step in which the test pad portion is removed and the semiconductor device is cut into the original external lead length in the pushed-up state.

【手続補正11】[Procedure Amendment 11]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0089[Correction target item name] 0089

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0089】この発明の請求項3に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成したリードフレーム上に半導体チップ
をダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止を
する半導体装置形成工程と、前記テストパッド部を残し
て前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との間
を切断するリード切断工程と、半導体装置が複数個連な
ったリードフレーム状態で半導体装置個々の試験を行う
試験工程と、前記半導体装置が複数個連なったリードフ
レーム状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程
と、前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体装置
の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフレー
ムの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工程と
を含むので、半導体装置を複数個同時にハンドリングで
き、封止部の大きさ、形状にとらわれずリードフレーム
によりハンドリングができ、搬送形態が同様なものにで
きるため搬送手段が共通化でき、また、リードフレーム
の枠により半導体装置の位置決めができるため位置決め
性を高くでき、さらに、リードフレームの枠により外部
リードの曲がり等の損傷に対しある程度保護することが
できるという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. A semiconductor device forming step of die-bonding and wire-bonding a semiconductor chip onto a lead frame having a staggered test pad portion wider than the width of the test pad portion and leaving the test pad portion A lead cutting step for cutting between the lead frame and the frame of the lead frame; a test step for testing individual semiconductor devices in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected; and a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected. In the printing process of printing a mark on the semiconductor device, the test pad portion is removed, and at the same time, the original external lead of the semiconductor device is removed. Since it includes a lead processing step of cutting the semiconductor device from the frame of the lead frame by cutting into a length of 1, the semiconductor device can handle a plurality of semiconductor devices at the same time, and the lead frame can be used regardless of the size and shape of the sealing portion. Handling can be done, and the transportation mode can be the same, so that the transportation means can be made common, and the positioning of the semiconductor device can be enhanced by the lead frame frame, and the positioning of the external lead can be improved by the lead frame frame. The effect that it can be protected to some extent from damage such as bending is obtained.

【手続補正12】[Procedure Amendment 12]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0090[Correction target item name] 0090

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0090】この発明の請求項4に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成したリードフレーム上に半導体チップ
をダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止を
する半導体装置形成工程と、前記テストパッド部を残し
て前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との間
を切断するリード切断工程と、前記リードフレームの枠
を残して半導体装置単位に前記リードフレームを切断し
た状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程と、前記
リードフレームの枠を残して半導体装置単位に前記リー
ドフレームを切断した状態で前記半導体装置に標章を印
字する印刷工程と、前記テストパッド部の除去と同時に
前記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断し、前
記リードフレームの枠より前記半導体装置を分離するリ
ード加工工程とを含むので、封止部の大きさ、形状にと
らわれずリードフレームによりハンドリングができ、搬
送形態が同様なものにできるため搬送手段が共通化で
き、また、リードフレームの枠により半導体装置の位置
決めができるため位置決め性を高くでき、さらに、リー
ドフレームの枠により外部リードの曲がり等の損傷に対
しある程度保護することができるという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. A semiconductor device forming step of die-bonding and wire-bonding a semiconductor chip onto a lead frame having a staggered test pad portion wider than the width of the test pad portion and leaving the test pad portion A lead cutting step of cutting between the lead frame and the frame of the lead frame; a test step of performing a test of each semiconductor device in a state where the lead frame is cut in a semiconductor device unit while leaving the frame of the lead frame; A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where the lead frame is cut in units of semiconductor devices leaving a frame frame; At the same time as removing the test pad portion, a lead processing step of cutting the semiconductor device to the original length of the external lead and separating the semiconductor device from the frame of the lead frame is included. Regardless of the shape, handling can be done by the lead frame, the transportation mode can be the same, the transportation means can be shared, and the positioning of the semiconductor device can be performed by the frame of the lead frame. There is an effect that the frame can protect the external leads to some extent from damage such as bending.

【手続補正13】[Procedure Amendment 13]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0091[Correction target item name] 0091

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0091】この発明の請求項5に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成したリードフレーム上に半導体チップ
をダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止を
する半導体装置形成工程と、前記テストパッド部を残し
て前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との間
を切断するリード切断工程と、前記リードフレームの枠
より半導体装置単位に分離した状態で半導体装置個々の
試験を行う試験工程と、前記リードフレームの枠より半
導体装置単位に分離した状態で前記半導体装置に標章を
印字する印刷工程と、前記テストパッド部の除去と同時
に前記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断する
リード加工工程とを含むので、ほぼ従来技術及び設備に
より製造することができ、経済性を高くすることができ
るという効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. A semiconductor device forming step of die-bonding and wire-bonding a semiconductor chip onto a lead frame having a staggered test pad portion wider than the width of the test pad portion and leaving the test pad portion A lead cutting step of cutting between the lead frame and the lead frame; a test step of testing individual semiconductor devices in a state where the lead frame frame is separated into semiconductor device units; and a lead frame frame of the semiconductor device. A printing step of printing a mark on the semiconductor device in a state where the semiconductor device is separated into units, and the semiconductor device at the same time when the test pad portion is removed. Because it includes a read processing step of cutting the length of the original outer leads, it may be prepared by generally conventional techniques and equipment, an effect that it is possible to increase the economic efficiency.

【手続補正14】[Procedure Amendment 14]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0093[Correction target item name] 0093

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0093】この発明の請求項7に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成したリードフレーム上に半導体チップ
をダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止を
する半導体装置形成工程と、前記テストパッド部を残し
て前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との間
を切断するリード切断工程と、半導体装置単位に前記リ
ードフレームを切断し、トレーに前記半導体装置を複数
個収納した状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程
と、前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した状態
で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程と、前記ト
レーに前記半導体装置を複数個収納した状態で前記テス
トパッド部の除去と同時に前記半導体装置の本来の外部
リードの長さに切断するリード加工工程とを含むので、
直接半導体装置をハンドリングしないため外部リードへ
の損傷も軽減でき、また、搬送形態が同様なものにでき
るため搬送手段を共通化でき、さらに、複数個同時にハ
ンドリングできる等の生産性を高くすることができると
いう効果を奏する。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. A semiconductor device forming step of die-bonding and wire-bonding a semiconductor chip onto a lead frame having a staggered test pad portion wider than the width of the test pad portion and leaving the test pad portion And a lead cutting step of cutting between the frame of the lead frame, and a test step of cutting the lead frame for each semiconductor device and performing a test of each semiconductor device in a state where a plurality of the semiconductor devices are accommodated in a tray. A printing step of printing a mark on the semiconductor device with a plurality of the semiconductor devices housed in the tray; Because it includes a read processing step of cutting the length of the original external lead removal simultaneously with the semiconductor device of the test pad portion in a state in which a plurality accommodating location,
Since the semiconductor device is not directly handled, damage to external leads can be reduced, and since the transportation mode can be the same, it is possible to use a common transportation means, and further, it is possible to enhance productivity such as simultaneous handling of a plurality of devices. It has the effect of being able to.

【手続補正15】[Procedure Amendment 15]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0094[Correction target item name] 0094

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0094】この発明の請求項8に係る半導体装置の製
造方法は、以上説明したとおり、半導体装置の封止部よ
り外側で外部リードの延長上とリードフレームの枠との
間に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥状にテス
トパッド部を形成したリードフレーム上に半導体チップ
をダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封止を
する半導体装置形成工程と、前記テストパッド部を残し
て前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との間
を切断するリード切断工程と、半導体装置単位に前記リ
ードフレームを切断し、トレーに前記半導体装置を複数
個収納し、前記半導体装置を各々押し上げた状態で半導
体装置個々の試験を行う試験工程と、前記押し上げた状
態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程と、前記
押し上げた状態で前記テストパッド部の除去と同時に前
記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断するリー
ド加工工程とを含むので、半導体装置を外部へ取り出す
こともなく、トレーの上方付近で試験、印刷、リード加
工作業等の処理をすることができ、半導体装置をトレー
の外部に搬送する機構が不要となり高速に処理をするこ
とができ、簡素で安価な製造設備で実現することができ
るという効果を奏する。
As described above, the semiconductor device manufacturing method according to the eighth aspect of the present invention is arranged such that the external lead is provided outside the sealing portion of the semiconductor device between the extension of the external lead and the frame of the lead frame. A semiconductor device forming step of die-bonding and wire-bonding a semiconductor chip onto a lead frame having a staggered test pad portion wider than the width of the test pad portion and leaving the test pad portion And a lead cutting step of cutting between the frame of the lead frame and the lead frame, cutting the lead frame for each semiconductor device, accommodating a plurality of the semiconductor devices in a tray, and pushing each semiconductor device up. A test process of performing individual tests, a printing process of printing a mark on the semiconductor device in the pushed state, and a pushed process in the pushed state. At the same time as the removal of the test pad portion, a lead processing step of cutting the semiconductor device to the original length of the external lead is included. There is an effect that processing such as processing work can be performed, a mechanism for transferring the semiconductor device to the outside of the tray is not required, high-speed processing can be performed, and it can be realized by a simple and inexpensive manufacturing facility.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状に設けられ、テスト用コ
ンタクタが接触できるテストパッド部を備えたことを特
徴とする半導体装置のリードフレーム。
1. A tester contactor is provided outside the sealing portion of the semiconductor device, between the extension of the external lead and the frame of the lead frame, wider than the width of the external lead and staggered. A lead frame for a semiconductor device, comprising a test pad portion.
【請求項2】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、千鳥状に設けられ、かつ半田メッキ
が施されず、テスト用コンタクタが接触できるテストパ
ッド部を備えたことを特徴とする半導体装置のリードフ
レーム。
2. A zigzag pattern, which is wider than the width of the external lead and is provided outside the encapsulation portion of the semiconductor device, between the extension of the external lead and the frame of the lead frame, and is not subjected to solder plating. A lead frame for a semiconductor device, comprising a test pad portion that a test contactor can contact.
【請求項3】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成
するリード形成工程、前記リードフレーム上に半導体チ
ップをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封
止をする半導体装置形成工程、前記テストパッド部を残
して前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との
間を切断するリード切断工程、半導体装置が複数個連な
ったリードフレーム状態で半導体装置個々の試験を行う
試験工程、前記半導体装置が複数個連なったリードフレ
ーム状態で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程、
及び前記テストパッド部の除去と同時に前記半導体装置
の本来の外部リードの長さに切断し、前記リードフレー
ムの枠より前記半導体装置を分離するリード加工工程を
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. A lead forming step of forming a test pad portion in a zigzag pattern wider than the width of the external lead and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. , A semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and lead cutting for cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame leaving the test pad portion. A test step of conducting individual semiconductor device tests in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected, a printing step of printing a mark on the semiconductor device in a lead frame state in which a plurality of semiconductor devices are connected,
And a lead processing step of separating the semiconductor device from the frame of the lead frame by cutting the test pad portion at the same time as cutting to the original length of the external lead of the semiconductor device. Method.
【請求項4】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成
するリード形成工程、前記リードフレーム上に半導体チ
ップをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封
止をする半導体装置形成工程、前記テストパッド部を残
して前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との
間を切断するリード切断工程、前記リードフレームの枠
を残して半導体装置単位に前記リードフレームを切断し
た状態で半導体装置個々の試験を行う試験工程、前記リ
ードフレームの枠を残して半導体装置単位に前記リード
フレームを切断した状態で前記半導体装置に標章を印字
する印刷工程、及び前記テストパッド部の除去と同時に
前記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断し、前
記リードフレームの枠より前記半導体装置を分離するリ
ード加工工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
4. A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. , A semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and lead cutting for cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame leaving the test pad portion. Step, a test step of conducting an individual semiconductor device test in a state where the lead frame is cut into semiconductor device units leaving the lead frame frame, and the lead frame is cut into semiconductor device units leaving the lead frame frame In the state of printing a mark on the semiconductor device, and removing the test pad portion, and simultaneously printing the semiconductor device book. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a lead processing step of cutting the semiconductor device to a conventional length of an external lead and separating the semiconductor device from a frame of the lead frame.
【請求項5】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成
するリード形成工程、前記リードフレーム上に半導体チ
ップをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封
止をする半導体装置形成工程、前記テストパッド部を残
して前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との
間を切断するリード切断工程、前記リードフレームの枠
より半導体装置単位に分離した状態で半導体装置個々の
試験を行う試験工程、前記リードフレームの枠より半導
体装置単位に分離した状態で前記半導体装置に標章を印
字する印刷工程、及び前記テストパッド部の除去と同時
に前記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断する
リード加工工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
5. A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. , A semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and lead cutting for cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame leaving the test pad portion. Step, a test step for conducting an individual semiconductor device test in a state where the semiconductor device is separated from the lead frame frame, a printing process in which a mark is printed on the semiconductor device in a state where the semiconductor device is separated from the lead frame frame And a lead processing step of removing the test pad portion and cutting to the original external lead length of the semiconductor device at the same time. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項6】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上に、前記外部リードの巾より広く、かつ千鳥
状に設けられた半導体装置のテストパッド部に接触し、
互い違いに対向して配置された接触子片を備えたことを
特徴とする半導体装置のテスト用コンタクタ。
6. A test pad portion of a semiconductor device, which is wider than the width of the external lead and is staggered on the extension of the external lead outside the sealing portion of the semiconductor device,
A contactor for testing a semiconductor device, comprising contact pieces arranged so as to alternately face each other.
【請求項7】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成
するリード形成工程、前記リードフレーム上に半導体チ
ップをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封
止をする半導体装置形成工程、前記テストパッド部を残
して前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との
間を切断するリード切断工程、半導体装置単位に前記リ
ードフレームを切断し、トレーに前記半導体装置を複数
個収納した状態で半導体装置個々の試験を行う試験工
程、前記トレーに前記半導体装置を複数個収納した状態
で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程、及び前記
トレーに前記半導体装置を複数個収納した状態で前記テ
ストパッド部の除去と同時に前記半導体装置の本来の外
部リードの長さに切断するリード加工工程を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
7. A lead forming step of forming a test pad portion in a zigzag shape wider than the width of the external lead and between the extension of the external lead and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. , A semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, and lead cutting for cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame leaving the test pad portion. Step, a test step of cutting the lead frame in units of semiconductor devices and testing individual semiconductor devices in a state in which a plurality of semiconductor devices are stored in a tray, the semiconductor in a state in which a plurality of semiconductor devices are stored in the tray A printing step for printing a mark on the device, and a removal of the test pad portion in a state where a plurality of the semiconductor devices are stored in the tray. At the same time, a method of manufacturing a semiconductor device, which includes a lead processing step of cutting the semiconductor device to the original length of the external lead.
【請求項8】 半導体装置の封止部より外側で外部リー
ドの延長上とリードフレームの枠との間に、前記外部リ
ードの巾より広く、かつ千鳥状にテストパッド部を形成
するリード形成工程、前記リードフレーム上に半導体チ
ップをダイボンディング・ワイヤボンディングし樹脂封
止をする半導体装置形成工程、前記テストパッド部を残
して前記テストパッド部と前記リードフレームの枠との
間を切断するリード切断工程、半導体装置単位に前記リ
ードフレームを切断し、トレーに前記半導体装置を複数
個収納し、前記半導体装置を各々押し上げた状態で半導
体装置個々の試験を行う試験工程、前記押し上げた状態
で前記半導体装置に標章を印字する印刷工程、及び前記
押し上げた状態で前記テストパッド部の除去と同時に前
記半導体装置の本来の外部リードの長さに切断するリー
ド加工工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
8. A lead forming step of forming test pad portions in a zigzag pattern wider than the width of the external leads between the extension of the external leads and the frame of the lead frame outside the sealing portion of the semiconductor device. , A semiconductor device forming step of die-bonding / wire-bonding a semiconductor chip on the lead frame and resin-sealing, lead cutting for cutting between the test pad portion and the frame of the lead frame leaving the test pad portion Process, cutting the lead frame in units of semiconductor devices, accommodating a plurality of the semiconductor devices in a tray, and performing a test of each semiconductor device in a state of pushing up the semiconductor device, a test process in which the semiconductor device is pushed up The printing process of printing a mark on the device, and the removal of the test pad portion in the pushed-up state and the original semiconductor device A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a lead processing step of cutting the external lead to a length.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100752221B1 (en) * 2001-07-09 2007-08-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Heatsink Frame ? Monitoring Method for Wire Bonding Monitoring System
US10020288B2 (en) 2015-10-06 2018-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chips including redistribution interconnections and related semiconductor packages

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