JPH07307278A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH07307278A JPH07307278A JP6114686A JP11468694A JPH07307278A JP H07307278 A JPH07307278 A JP H07307278A JP 6114686 A JP6114686 A JP 6114686A JP 11468694 A JP11468694 A JP 11468694A JP H07307278 A JPH07307278 A JP H07307278A
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- Japan
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- filter
- projection exposure
- light
- exposure apparatus
- exposure
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体デバイスのウエハプロセスにおける露光
工程で使用される光投影露光装置に関し、耐熱性にすぐ
れた投影露光装置を実現することを目的とする。 【構成】直線偏光した光で縮小投影露光を行う装置にお
いて、前記の直線偏光を行う装置を、スリット幅Ｄが露
光波長よりも小さいスリット７を一定のピッチＷで配置
してなるフィルターＦで構成する。
工程で使用される光投影露光装置に関し、耐熱性にすぐ
れた投影露光装置を実現することを目的とする。 【構成】直線偏光した光で縮小投影露光を行う装置にお
いて、前記の直線偏光を行う装置を、スリット幅Ｄが露
光波長よりも小さいスリット７を一定のピッチＷで配置
してなるフィルターＦで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】電子デバイスの集積度は年々高ま
り、より高解像度の半導体露光装置が必要とされてい
る。本発明は、半導体デバイスのウエハプロセスにおけ
る露光工程で使用される光投影露光装置に関する。
り、より高解像度の半導体露光装置が必要とされてい
る。本発明は、半導体デバイスのウエハプロセスにおけ
る露光工程で使用される光投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスを量産するための露光装置
として、光投影露光装置が広く用いられいる。年々高ま
る解像度の向上のために、変形照明による露光法や位相
シフトマスクを用いた露光法など、様々な手法が開発さ
れている。
として、光投影露光装置が広く用いられいる。年々高ま
る解像度の向上のために、変形照明による露光法や位相
シフトマスクを用いた露光法など、様々な手法が開発さ
れている。
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを取り出すレチクル２、直線偏光板３、縮小
投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを取り出すレチクル２、直線偏光板３、縮小
投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。
【０００４】この構成において、いま紙面に垂直な方向
にラインとスペースの長辺が並んでいるレチクル２の場
合、図６（ａ）のように紙面に垂直な方向に電場ベクト
ルが振動しているｓ偏光波と、図６（ｂ）のように、そ
れと垂直な方向に振動しているｐ偏光波の場合を比較す
ると、図７に示すように、ｓ偏光波を用いた場合の方が
コントラストが高く、解像度が高いことが分かってい
る。
にラインとスペースの長辺が並んでいるレチクル２の場
合、図６（ａ）のように紙面に垂直な方向に電場ベクト
ルが振動しているｓ偏光波と、図６（ｂ）のように、そ
れと垂直な方向に振動しているｐ偏光波の場合を比較す
ると、図７に示すように、ｓ偏光波を用いた場合の方が
コントラストが高く、解像度が高いことが分かってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
技術を実現しようとした場合、従来の偏光子たとえばヨ
ウ化物の微小針状結晶をアセチルセルローズの酢酸アミ
ル中に分散させて板状に延ばした商品面ｐｏｌａｌｏｉ
ｄや、ヨウ素微結晶をセルローズ等の鎖状分子の膜に吸
着させた商品名ｄｉｃｈｒｏｍ等は、耐熱性が悪く、非
常に光照射強度の強い投影露光系で使用した場合は、ウ
エハ露光を数回行っただけで劣化してしまう、という問
題があった。本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、耐熱性にすぐれた投影露光装置を実現すること
にある。
技術を実現しようとした場合、従来の偏光子たとえばヨ
ウ化物の微小針状結晶をアセチルセルローズの酢酸アミ
ル中に分散させて板状に延ばした商品面ｐｏｌａｌｏｉ
ｄや、ヨウ素微結晶をセルローズ等の鎖状分子の膜に吸
着させた商品名ｄｉｃｈｒｏｍ等は、耐熱性が悪く、非
常に光照射強度の強い投影露光系で使用した場合は、ウ
エハ露光を数回行っただけで劣化してしまう、という問
題があった。本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、耐熱性にすぐれた投影露光装置を実現すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１は、直線偏光し
た光で縮小投影露光を行う装置において、前記の直線偏
光を行う装置が、スリット幅Ｄが露光波長よりも小さい
スリット７を一定のピッチＷで配置してなるフィルター
Ｆで構成されてなる投影露光装置である。
た光で縮小投影露光を行う装置において、前記の直線偏
光を行う装置が、スリット幅Ｄが露光波長よりも小さい
スリット７を一定のピッチＷで配置してなるフィルター
Ｆで構成されてなる投影露光装置である。
【０００７】請求項２の投影露光装置は、請求項１記載
のフィルターＦが、光を透過する基板８上に堆積された
光を透過しない導電体９に、前記のスリット７を形成し
てなる構成である。
のフィルターＦが、光を透過する基板８上に堆積された
光を透過しない導電体９に、前記のスリット７を形成し
てなる構成である。
【０００８】請求項３の投影露光装置は、請求項２記載
のフィルターＦが、基板８に反射防止膜１０が積層さ
れ、この反射防止膜１０に、前記の導電体のストライプ
９ｓが積層されている構成である。
のフィルターＦが、基板８に反射防止膜１０が積層さ
れ、この反射防止膜１０に、前記の導電体のストライプ
９ｓが積層されている構成である。
【０００９】請求項４は、請求項２または請求項３記載
のフィルターＦにおける光を透過する基板８が、石英で
ある投影露光装置である。
のフィルターＦにおける光を透過する基板８が、石英で
ある投影露光装置である。
【００１０】請求項５は、請求項１から請求項４中のい
ずれかの項に記載のフィルターＦにおいて、隣接するス
リット７間における光を透過させないストライプ部分９
ｓが、クロム１層のみ或いはクロムと酸化クロムとの２
層構造になっている投影露光装置である。
ずれかの項に記載のフィルターＦにおいて、隣接するス
リット７間における光を透過させないストライプ部分９
ｓが、クロム１層のみ或いはクロムと酸化クロムとの２
層構造になっている投影露光装置である。
【００１１】請求項６は、請求項１から請求項５中のい
ずれかの項に記載のフィルターＦが、フライアイレンズ
６の直後に配置されている投影露光装置である。
ずれかの項に記載のフィルターＦが、フライアイレンズ
６の直後に配置されている投影露光装置である。
【００１２】
【作用】請求項１のように、直線偏光で縮小投影露光を
行う装置において、幅が露光波長よりも小さいスリット
７を一定のピッチＷで配置してなるフィルターＦで直線
偏光を行う構成とすることにより、フィルターの耐熱性
が向上するため、繰り返し長期間にわたって解像度の高
い直線偏光露光を行うことができる。
行う装置において、幅が露光波長よりも小さいスリット
７を一定のピッチＷで配置してなるフィルターＦで直線
偏光を行う構成とすることにより、フィルターの耐熱性
が向上するため、繰り返し長期間にわたって解像度の高
い直線偏光露光を行うことができる。
【００１３】請求項２のように、光を透過する基板８上
に、光を透過しない導電体９を堆積し、この導電体９に
前記スリット７を形成することにより、ストライプ９ｓ
とスリット７を交互にかつ高精度に形成できる。
に、光を透過しない導電体９を堆積し、この導電体９に
前記スリット７を形成することにより、ストライプ９ｓ
とスリット７を交互にかつ高精度に形成できる。
【００１４】請求項３のように、透明基板８に反射防止
膜１０を積層し、その上に前記の導電ストライプ９ｓを
積層形成した構成とすることにより、スリット７を光が
透過する際の反射が抑制され、パワー損失を低減でき
る。
膜１０を積層し、その上に前記の導電ストライプ９ｓを
積層形成した構成とすることにより、スリット７を光が
透過する際の反射が抑制され、パワー損失を低減でき
る。
【００１５】請求項４のように、フィルターＦにおける
光を透過する基板８として、光の透過性にすぐれた石英
を用いることにより、光のパワー損失をより低減でき
る。
光を透過する基板８として、光の透過性にすぐれた石英
を用いることにより、光のパワー損失をより低減でき
る。
【００１６】請求項５のように、光を透過させないスト
ライプ部分９ｓをクロム薄膜で構成しても良いが、クロ
ム薄膜の上に低反射膜となる酸化クロム膜を積層した構
造にすると、迷光を防止することで、光のパワー損失を
さらに低減できる。
ライプ部分９ｓをクロム薄膜で構成しても良いが、クロ
ム薄膜の上に低反射膜となる酸化クロム膜を積層した構
造にすると、迷光を防止することで、光のパワー損失を
さらに低減できる。
【００１７】請求項６のように、本発明のフィルターＦ
を、フライアイレンズ６の直後に配置することで、高解
像度の投影露光が可能となる。
を、フライアイレンズ６の直後に配置することで、高解
像度の投影露光が可能となる。
【００１８】
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを取り出すレチクル２、縮小投
影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを取り出すレチクル２、縮小投
影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。
【００１９】図２は本発明による投影露光装置に用いら
れるフィルターの実施例を示す正面図と底面図である。
８は透明基板、９ｓはストライプ状の導電体（金属）、
７は各導電体９ｓ間のスリットである。
れるフィルターの実施例を示す正面図と底面図である。
８は透明基板、９ｓはストライプ状の導電体（金属）、
７は各導電体９ｓ間のスリットである。
【００２０】このフィルターＦは、露光用のレチクルを
作製する技術によって実現できる。すなわち、図３
（１）に例示するように、露光光を透過する基板８に、
導電体９を堆積して膜を形成し、（２）のように導電体
膜９の上にレジスト１１を塗布する。
作製する技術によって実現できる。すなわち、図３
（１）に例示するように、露光光を透過する基板８に、
導電体９を堆積して膜を形成し、（２）のように導電体
膜９の上にレジスト１１を塗布する。
【００２１】そして、露光波長よりも短いストライプ９
ｓとスリット７が描画できる装置を用いてパターンを描
画し、ドライエッチングすることにより、一定ピッチの
スリット７が形成される。このようにして作製されたフ
ィルターＦは、図１に例示するように、レチクル２と光
源１との間の光路に挿入される。
ｓとスリット７が描画できる装置を用いてパターンを描
画し、ドライエッチングすることにより、一定ピッチの
スリット７が形成される。このようにして作製されたフ
ィルターＦは、図１に例示するように、レチクル２と光
源１との間の光路に挿入される。
【００２２】このフィルターＦは、従来の樹脂製の偏光
子と違って耐熱性が高いため、非常にパワー強度の強い
露光光が長時間にわたって照射されても、損傷劣化を受
けることはない。しかも、フィルターＦによって、直線
偏光特に解像度の高いｓ偏光が得られるので、コントラ
ストが高くなり、高品質のデバイスが得られる。
子と違って耐熱性が高いため、非常にパワー強度の強い
露光光が長時間にわたって照射されても、損傷劣化を受
けることはない。しかも、フィルターＦによって、直線
偏光特に解像度の高いｓ偏光が得られるので、コントラ
ストが高くなり、高品質のデバイスが得られる。
【００２３】次に本発明の具体的な実施例を説明する。 〔第１実施例〕図３の製造方法において、レチクル基板
の場合と同様に、ガラス基板８とクロム薄膜からなる導
電体９を形成し、電子線描画装置によりｉ線の波長より
も短いスリット幅Ｄをもつストライプを描画し、ドライ
エッチングを行うことで、クロムからなるストライプ９
ｓが形成され、間にスリット７を形成される。このフィ
ルターＦを、図１におけるフライアイレンズ６の後に挿
入すると、レチクル２に入射する光はｓ偏光となり、高
い解像度が得られる。
の場合と同様に、ガラス基板８とクロム薄膜からなる導
電体９を形成し、電子線描画装置によりｉ線の波長より
も短いスリット幅Ｄをもつストライプを描画し、ドライ
エッチングを行うことで、クロムからなるストライプ９
ｓが形成され、間にスリット７を形成される。このフィ
ルターＦを、図１におけるフライアイレンズ６の後に挿
入すると、レチクル２に入射する光はｓ偏光となり、高
い解像度が得られる。
【００２４】なお、クロム薄膜からなる導電体ストライ
プ９ｓの上に、低反射膜となる酸化クロム膜を積層して
２層構造にすると、迷光を低減でき、反射防止がより確
実となる。
プ９ｓの上に、低反射膜となる酸化クロム膜を積層して
２層構造にすると、迷光を低減でき、反射防止がより確
実となる。
【００２５】〔第２実施例〕図４（１）に例示するよう
に、透明のガラス基板８上に、反射防止膜１０として例
えば酸化シリコンやアモルファスカーボンなどを積層
し、その上にクロムなどの導電体膜９を積層する。そし
て、図４（２）のように、さらにレジスト１１を積層
し、かつ電子線描画による露光と現像を行うことで、図
４（３）のようにストライプ９ｓとスリット７を形成す
る。
に、透明のガラス基板８上に、反射防止膜１０として例
えば酸化シリコンやアモルファスカーボンなどを積層
し、その上にクロムなどの導電体膜９を積層する。そし
て、図４（２）のように、さらにレジスト１１を積層
し、かつ電子線描画による露光と現像を行うことで、図
４（３）のようにストライプ９ｓとスリット７を形成す
る。
【００２６】ガラスは光をよく透過させる物質である
が、それでも数％の吸収があるため、反射防止膜１０を
形成することで、吸収によるパワーの損失を防止でき
る。ここで、基板８として、ガラスに代えて石英を用い
ると、光のパワー損失をガラスよりも更に抑制すること
ができる。
が、それでも数％の吸収があるため、反射防止膜１０を
形成することで、吸収によるパワーの損失を防止でき
る。ここで、基板８として、ガラスに代えて石英を用い
ると、光のパワー損失をガラスよりも更に抑制すること
ができる。
【００２７】以上の実施例では、露光装置として、現在
広く使用されているｉ線ステッパー（露光波長λ＝０．
３６５μｍ）を例示したが、ｉ線ばかりでなく、今後主
流になると思われるエキシマステッパーに対しても全く
同じ効果が得られる。また、フィルターＦとして直線偏
光子を用いたが、さらに１枚のフィルターの上に複数の
領域を設け、各領域が異なる方向の直線偏光をもつよう
にすることも可能である。
広く使用されているｉ線ステッパー（露光波長λ＝０．
３６５μｍ）を例示したが、ｉ線ばかりでなく、今後主
流になると思われるエキシマステッパーに対しても全く
同じ効果が得られる。また、フィルターＦとして直線偏
光子を用いたが、さらに１枚のフィルターの上に複数の
領域を設け、各領域が異なる方向の直線偏光をもつよう
にすることも可能である。
【００２８】なお、フィルターＦのスリット７の方向と
ウエハ５上に形成されるパターン（またはレチクル２の
パターン）との関係は、より多くの製品パターンが、高
解像度でパターニングされるような向きを選択すること
は言うまでもない。
ウエハ５上に形成されるパターン（またはレチクル２の
パターン）との関係は、より多くの製品パターンが、高
解像度でパターニングされるような向きを選択すること
は言うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、従来の
偏光子のように耐熱性が悪く投影露光装置に搭載できな
かったフィルターを、十分な耐熱性をもったものにでき
るので、たとえば直線偏光による露光のような解像度の
限界に近い露光装置の実用化が可能となる。
偏光子のように耐熱性が悪く投影露光装置に搭載できな
かったフィルターを、十分な耐熱性をもったものにでき
るので、たとえば直線偏光による露光のような解像度の
限界に近い露光装置の実用化が可能となる。
【図１】本発明投影露光装置の実施例を示す側面図であ
る。
る。
【図２】フィルターの正面図と底面図である。
【図３】図２のフィルターの製造方法を例示する断面図
である。
である。
【図４】反射防止膜を有するフィルターの製造方法を例
示する断面図である。
示する断面図である。
【図５】従来の投影露光装置を例示する正面図である。
【図６】従来の直線偏光による露光作用を説明する正面
図である。
図である。
【図７】ｓ偏光とｐ偏光との解像度を比較する特性図で
ある。
ある。
１ 光源 ２ レチクル ３ 従来の直線偏光板 ４ 縮小投影レンズ ５ ウエハ ６ フライアイレンズ ７ スリット Ｄ スリット幅 Ｗ スリットのピッチ Ｆ 本発明のフィルター ８ 透明な基板 ９ 導電体 ９ｓ 導電体からなるストライプ １０ 反射防止膜
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。
Claims (6)
- 【請求項１】 直線偏光した光で縮小投影露光を行う装
置において、 前記の直線偏光を行う装置が、スリット幅Ｄが露光波長
よりも小さいスリット７を一定のピッチＷで配置してな
るフィルターＦで構成されていることを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項２】 前記のフィルターＦは、光を透過する基
板８上に堆積された光を透過しない導電体９に、前記の
スリット７を形成してなるものであることを特徴とする
請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記のフィルターＦは、基板８に反射防
止膜１０が積層され、この反射防止膜１０に、前記の導
電体９ｓが積層されている構成であることを特徴とする
請求項２に記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 前記のフィルターＦにおける光を透過す
る基板８が、石英であることを特徴とする請求項２また
は請求項３に記載の投影露光装置。 - 【請求項５】 前記のフィルターＦにおいて、隣接する
スリット７間における光を透過させないストライプ部分
９ｓが、クロム１層のみ或いはクロムと酸化クロムとの
２層構造になっていることを特徴とする請求項１から請
求項４中のいずれかの項に記載の投影露光装置。 - 【請求項６】 前記のフィルターＦが、フライアイレン
ズ６の直後に配置されていることを特徴とする請求項１
から請求項５中のいずれかの項に記載の投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114686A JPH07307278A (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114686A JPH07307278A (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307278A true JPH07307278A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14644107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6114686A Pending JPH07307278A (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307278A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160274A (ja) * | 2014-04-21 | 2014-09-04 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
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1994
- 1994-04-30 JP JP6114686A patent/JPH07307278A/ja active Pending
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