JPH069735B2 - スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法Info
- Publication number
- JPH069735B2 JPH069735B2 JP17494486A JP17494486A JPH069735B2 JP H069735 B2 JPH069735 B2 JP H069735B2 JP 17494486 A JP17494486 A JP 17494486A JP 17494486 A JP17494486 A JP 17494486A JP H069735 B2 JPH069735 B2 JP H069735B2
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- Japan
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- target
- bonding
- backing plate
- sputtering
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタリング用ターゲットの製造方法に関
する。
する。
（従来の技術） 従来、スパッタリング用ターゲットを製造するには、第
２図に示す如くターゲット材料１とバッキングプレート
２とをメタルボンディング材３にて接合している。
２図に示す如くターゲット材料１とバッキングプレート
２とをメタルボンディング材３にて接合している。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、ターゲット材料１は、メタルボンディング材
３からの拡散による汚染を防ぐ為、バリアー層が必要で
あり、またそのバリアー層は濡れ性が良くなくては接合
が不十分となる。また、バッキングプレート２もステン
レス鋼の場合は、濡れ性を改善する層が必要となる。
３からの拡散による汚染を防ぐ為、バリアー層が必要で
あり、またそのバリアー層は濡れ性が良くなくては接合
が不十分となる。また、バッキングプレート２もステン
レス鋼の場合は、濡れ性を改善する層が必要となる。
従来、ターゲット材料１のバリアー層及びバッキングプ
レート２の濡れ性改善層をＣｕ層となしていたが、メタ
ルボンディング材３がＩｎの場合は良いが、Ｐｂ−Ｓｎ
（半田）を使用した場合は、拡散によりＣｕ層がくわれ
てしまう。
レート２の濡れ性改善層をＣｕ層となしていたが、メタ
ルボンディング材３がＩｎの場合は良いが、Ｐｂ−Ｓｎ
（半田）を使用した場合は、拡散によりＣｕ層がくわれ
てしまう。
また前記バリアー層及び濡れ性改善層をＮｉ層とする
と、メタルボンディング材３がＰｂ−Ｓｎ（半田）の場
合は良いが、Ｉｎを使用した場合は、Ｎｉ層にＩｎが濡
れにくい為、良好な接合ができない。
と、メタルボンディング材３がＰｂ−Ｓｎ（半田）の場
合は良いが、Ｉｎを使用した場合は、Ｎｉ層にＩｎが濡
れにくい為、良好な接合ができない。
従って、ターゲット材料１のバリアー層及びバッキング
プレート２の濡れ性改善層を、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）、Ｉ
ｎに共有の単一層では形成出来ない為、Ｎｉ（バリアー
層）＋Ｃｕ（濡れ性改善層）の二層等の多層構造にしな
ければならないという問題点がある。
プレート２の濡れ性改善層を、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）、Ｉ
ｎに共有の単一層では形成出来ない為、Ｎｉ（バリアー
層）＋Ｃｕ（濡れ性改善層）の二層等の多層構造にしな
ければならないという問題点がある。
そこで本発明は、ターゲット材料のバリアー層及びバッ
キングプレートの濡れ性改善層を一層コーティングする
だけでターゲットを作ろうとするものである。
キングプレートの濡れ性改善層を一層コーティングする
だけでターゲットを作ろうとするものである。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、タ
ーゲット材料の接合面及びバッキングプレートの接合面
に、Ｃｕを基合金としてこれにＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ
の少なくとも一種を添加して成る合金を、夫々コーティ
ングし、然る後ターゲット材料とバッキングプレートの
コーティングした接合面をボンディング材にて接合し
て、ターゲットを作るものである。
ーゲット材料の接合面及びバッキングプレートの接合面
に、Ｃｕを基合金としてこれにＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ
の少なくとも一種を添加して成る合金を、夫々コーティ
ングし、然る後ターゲット材料とバッキングプレートの
コーティングした接合面をボンディング材にて接合し
て、ターゲットを作るものである。
ターゲット材料及びバッキングプレートの接合面にコー
ティングする合金を、Ｃｕ基合金としてこれにＣｒ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を添加して成る合金と
した理由は、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）、Ｉｎのいずれのボン
ディング材に対しても濡れ性が良く、ボンディング材の
拡散を防止できて、くわれることがないからである。
ティングする合金を、Ｃｕ基合金としてこれにＣｒ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を添加して成る合金と
した理由は、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）、Ｉｎのいずれのボン
ディング材に対しても濡れ性が良く、ボンディング材の
拡散を防止できて、くわれることがないからである。
（作用） このようにＣｕを基合金としてこれにＣｒ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅの少なくとも一種を添加して成る合金を、ター
ゲット材料及びバッキングプレートの接合面にコーティ
ングした上で、両者をボンディング材にて接合すると、
前記合金層がボンディング材の拡散を防止するので、タ
ーゲット材料の汚染が防止され、また前記合金層はボン
ディング材との濡れ性が良好であるので、ターゲット材
料及びバッキングプレートの接合が良好に行われる。
ｉ、Ｆｅの少なくとも一種を添加して成る合金を、ター
ゲット材料及びバッキングプレートの接合面にコーティ
ングした上で、両者をボンディング材にて接合すると、
前記合金層がボンディング材の拡散を防止するので、タ
ーゲット材料の汚染が防止され、また前記合金層はボン
ディング材との濡れ性が良好であるので、ターゲット材
料及びバッキングプレートの接合が良好に行われる。
（実施例） 本発明のスパッタリング用ターゲットの製造方法の一実
施例を図によって説明すると、第１図ａに示す如く直径
130mm、厚さ1.6mmのＰｔより成るターゲット材料１の接
合面に、下記の表の左欄に示す成分組成、厚さの合金４
をスパッタリングによりコーティングし、また第１図ｂ
に示す如く直径168mm、厚さ10mmのステンレス鋼より成
るバッキングプレート２の接合面に、前記と同じ成分組
成及び厚さの合金４をスパッタリングによりコーティン
グし、然る後第１図ｃにしめす如くターゲット材料１と
バッキングプレート２に合金４をコーティングした接合
面を、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）及びＩｎより成るボンディン
グ材３にて接合して、スパタリング用ターゲット５を製
造した。
施例を図によって説明すると、第１図ａに示す如く直径
130mm、厚さ1.6mmのＰｔより成るターゲット材料１の接
合面に、下記の表の左欄に示す成分組成、厚さの合金４
をスパッタリングによりコーティングし、また第１図ｂ
に示す如く直径168mm、厚さ10mmのステンレス鋼より成
るバッキングプレート２の接合面に、前記と同じ成分組
成及び厚さの合金４をスパッタリングによりコーティン
グし、然る後第１図ｃにしめす如くターゲット材料１と
バッキングプレート２に合金４をコーティングした接合
面を、Ｐｂ−Ｓｎ（半田）及びＩｎより成るボンディン
グ材３にて接合して、スパタリング用ターゲット５を製
造した。
こうして製造したこのスパッタリング用ターゲット５と
従来例のスパッタリング用ターゲットにおけるターゲッ
ト材料１とバッキングプレート２との接合部の内部組織
を検査し、接合面積を線透過試験にて測定した処、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
従来例のスパッタリング用ターゲットにおけるターゲッ
ト材料１とバッキングプレート２との接合部の内部組織
を検査し、接合面積を線透過試験にて測定した処、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
上記の表で明らかなように実施例１〜７のスパッタリン
グ用ターゲットは、ターゲット材料１及びバッキングプ
レート２のコーティング層にボンディング材３の拡散が
無く、濡れが良好であるので、ターゲット材料１とバッ
キングプレート２との接合が良好に行われ、接合面積も
十分大きいものであった。然るに従来例１のスパッタリ
ング用ターゲットはコーティング層に対するボンディン
グ材３の濡れは良いが、拡散があって、コーティング層
がくわれてしまい、ターゲット材料への汚染があり、従
来例２のスパッタリング用ターゲットはコーティング層
に対応するボンディング３の拡散は無いが、濡れが悪
く、接合不可能であった。
グ用ターゲットは、ターゲット材料１及びバッキングプ
レート２のコーティング層にボンディング材３の拡散が
無く、濡れが良好であるので、ターゲット材料１とバッ
キングプレート２との接合が良好に行われ、接合面積も
十分大きいものであった。然るに従来例１のスパッタリ
ング用ターゲットはコーティング層に対するボンディン
グ材３の濡れは良いが、拡散があって、コーティング層
がくわれてしまい、ターゲット材料への汚染があり、従
来例２のスパッタリング用ターゲットはコーティング層
に対応するボンディング３の拡散は無いが、濡れが悪
く、接合不可能であった。
（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明によるスパッタリング用
ターゲットの製造方法によれば、ターゲット材やバッキ
ングプレートの接合面にコーティングした合金層はボン
ディング材による拡散が無くボンディング材との濡れが
良好であるので、ターゲット材料はボンディング材によ
り汚染されることなく、バッキングプレートと良好に接
合されて、面積の十分大きいスパッタリング用ターゲッ
トが得られるという効果がある。
ターゲットの製造方法によれば、ターゲット材やバッキ
ングプレートの接合面にコーティングした合金層はボン
ディング材による拡散が無くボンディング材との濡れが
良好であるので、ターゲット材料はボンディング材によ
り汚染されることなく、バッキングプレートと良好に接
合されて、面積の十分大きいスパッタリング用ターゲッ
トが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図ａ、ｂ、ｃは本発明のスパッタリング用ターゲッ
トの製造方法の工程を示す図、第２図は従来の一般的な
スパッタリング用ターゲットの製造方法を示す図であ
る。
トの製造方法の工程を示す図、第２図は従来の一般的な
スパッタリング用ターゲットの製造方法を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】ターゲット材料の接合面及びバッキングプ
レートの接合面に、Ｃｕを基合金としてこれにＣｒ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を添加して成る合金
を、夫々コーティングし、然る後ターゲット材料とバッ
キングプレートのコーティングした接合面をボンディン
グ材にて接合するスパッタリング用ターゲットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17494486A JPH069735B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17494486A JPH069735B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333174A JPS6333174A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH069735B2 true JPH069735B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15987460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17494486A Expired - Lifetime JPH069735B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069735B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6774339B1 (en) * | 1999-11-09 | 2004-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin |
| JP2003529206A (ja) | 1999-11-24 | 2003-09-30 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 物理蒸着ターゲット、導電性集積回路金属合金相互接続配線、電気めっきアノード、集積回路における導電性相互接続配線として用いるための金属合金 |
| JPWO2012066764A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2014-05-12 | 株式会社アルバック | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677805B2 (ja) * | 1986-07-10 | 1994-10-05 | 株式会社神戸製鋼所 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17494486A patent/JPH069735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6333174A (ja) | 1988-02-12 |
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