JPH05275431A - シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 - Google Patents
シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法Info
- Publication number
- JPH05275431A JPH05275431A JP9874592A JP9874592A JPH05275431A JP H05275431 A JPH05275431 A JP H05275431A JP 9874592 A JP9874592 A JP 9874592A JP 9874592 A JP9874592 A JP 9874592A JP H05275431 A JPH05275431 A JP H05275431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- silicon wafer
- treatment method
- subjected
- temperature heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハにＩＧ熱処理を行う場合、
第１段のＤＺ形成のための高温熱処理の熱処理時間を短
時間とし、かつ、所定幅のＤＺを安定して形成する。 【構成】 シリコンウェーハを酸素雰囲気で１２８０℃
で０．２時間、熱処理を行う。その後、５５０℃でラン
ピング熱処理を行う。さらに、１０００℃で２４時間の
析出熱処理を行う。このようにしてシリコンウェーハの
表面に３０μｍの厚さのＤＺを形成するとともに、バル
ク内部に所定のＩＧ層を形成する。
第１段のＤＺ形成のための高温熱処理の熱処理時間を短
時間とし、かつ、所定幅のＤＺを安定して形成する。 【構成】 シリコンウェーハを酸素雰囲気で１２８０℃
で０．２時間、熱処理を行う。その後、５５０℃でラン
ピング熱処理を行う。さらに、１０００℃で２４時間の
析出熱処理を行う。このようにしてシリコンウェーハの
表面に３０μｍの厚さのＤＺを形成するとともに、バル
ク内部に所定のＩＧ層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハの内部
に高密度の欠陥領域であるゲッタリング層を形成するシ
リコンウェーハのＩＧ（イントリンシックゲッタリン
グ）熱処理方法に関する。
に高密度の欠陥領域であるゲッタリング層を形成するシ
リコンウェーハのＩＧ（イントリンシックゲッタリン
グ）熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハのＩＧ熱処理方
法としては、１０００〜１１５０℃での高温熱処理、９
５０℃での低温熱処理、１０００℃での低温熱処理を行
っている。第１段の高温熱処理は、シリコンウェーハ表
面から酸素をアウトディフュージョンし、該ウェーハ表
面にＤＺ（無欠陥層）を例えば２０〜５０μｍの厚さに
形成するものである。第２段の低温熱処理はウェーハ内
部に高密度の欠陥領域を形成するためのもので、この欠
陥となるための核を形成するものである。さらに、第３
段の析出熱処理は第２段の熱処理よりも温度を上げて長
時間行い、上記微小欠陥核を成長させて酸素原子を中心
とした微小欠陥を形成するものである。
法としては、１０００〜１１５０℃での高温熱処理、９
５０℃での低温熱処理、１０００℃での低温熱処理を行
っている。第１段の高温熱処理は、シリコンウェーハ表
面から酸素をアウトディフュージョンし、該ウェーハ表
面にＤＺ（無欠陥層）を例えば２０〜５０μｍの厚さに
形成するものである。第２段の低温熱処理はウェーハ内
部に高密度の欠陥領域を形成するためのもので、この欠
陥となるための核を形成するものである。さらに、第３
段の析出熱処理は第２段の熱処理よりも温度を上げて長
時間行い、上記微小欠陥核を成長させて酸素原子を中心
とした微小欠陥を形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の熱処理方法にあっては、第１段の高温熱処理
にあっては１１５０℃で行っていたため、その時間依存
性が高く、所定の厚さのＤＺを得るためにはその高温熱
処理に長時間を要していた。換言すると、従来の温度で
はＤＺの厚さ制御を精密に行うことができなかったもの
である。
うな従来の熱処理方法にあっては、第１段の高温熱処理
にあっては１１５０℃で行っていたため、その時間依存
性が高く、所定の厚さのＤＺを得るためにはその高温熱
処理に長時間を要していた。換言すると、従来の温度で
はＤＺの厚さ制御を精密に行うことができなかったもの
である。
【０００４】そこで、本発明は、短時間処理で安定して
ＤＺ幅（ＤＺの表面からの深さ）を形成することができ
るＩＧ熱処理方法を提供することを、その目的としてい
る。
ＤＺ幅（ＤＺの表面からの深さ）を形成することができ
るＩＧ熱処理方法を提供することを、その目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、高温熱処理後、低温熱処理を施すことによりシリコ
ンウェーハ表面にＤＺを形成し、その内部にゲッタリン
グ層を形成するシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法にお
いて、上記高温熱処理を１２５０〜１３５０℃で行うも
のである。
は、高温熱処理後、低温熱処理を施すことによりシリコ
ンウェーハ表面にＤＺを形成し、その内部にゲッタリン
グ層を形成するシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法にお
いて、上記高温熱処理を１２５０〜１３５０℃で行うも
のである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、シリコンウェーハを１２５０
〜１３５０℃で例えば０．２時間熱処理を行う。この場
合の雰囲気としては窒素雰囲気または酸素雰囲気で行
う。その後、例えば９００℃で１時間の熱処理を行う。
さらに、１０００℃で２４時間の熱処理を行う。この結
果、シリコンウェーハの表面に例えば３０μｍの厚さの
ＤＺを形成することができるとともに、バルク内部に所
定のＩＧ層を形成することができる。また、上記第１段
の高温熱処理は酸素雰囲気で行うことが好ましい。ま
た、１２５０℃未満の温度では短時間で安定したＤＺ形
成ができないという欠点がある。さらに１３５０℃を超
える温度での熱処理はウェーハ周辺にスリップが多発す
るという問題があり、現実的ではない。
〜１３５０℃で例えば０．２時間熱処理を行う。この場
合の雰囲気としては窒素雰囲気または酸素雰囲気で行
う。その後、例えば９００℃で１時間の熱処理を行う。
さらに、１０００℃で２４時間の熱処理を行う。この結
果、シリコンウェーハの表面に例えば３０μｍの厚さの
ＤＺを形成することができるとともに、バルク内部に所
定のＩＧ層を形成することができる。また、上記第１段
の高温熱処理は酸素雰囲気で行うことが好ましい。ま
た、１２５０℃未満の温度では短時間で安定したＤＺ形
成ができないという欠点がある。さらに１３５０℃を超
える温度での熱処理はウェーハ周辺にスリップが多発す
るという問題があり、現実的ではない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は第１段のそれぞれの温度での高温熱処理の処理時間
とＤＺ幅との関係を示すグラフである。このグラフから
明らかなように、１２８０℃での高温熱処理を行えば、
その処理時間に依存することなくＤＺ幅は一定である。
このグラフにあって、折れ線Ａは１２８０℃、酸素雰囲
気での熱処理を、折れ線Ｂは１２８０℃、窒素雰囲気で
の熱処理を、折れ線Ｃは１１５０℃、酸素雰囲気での熱
処理を、折れ線Ｄは１１５０℃、窒素雰囲気での熱処理
を、それぞれ示している。また、この後の第２段熱処理
は、開始温度５５０℃のランピング熱処理とし、第３段
の析出熱処理は１０００℃で行った。さらに、これらの
熱処理に使用したウェーハは口径５インチ、Ｐ型、〈１
００〉方位、比抵抗１０Ω・ｃｍ、酸素濃度９×１０17
ｃｍ-3（ＪＥＩＤＡ）である。なお、このような熱処理
で形成されたＤＺ幅の測定は、既知のように、Ｗｒｉｇ
ｈｔエッチング後の光顕断面観察により行ったものであ
る。
１は第１段のそれぞれの温度での高温熱処理の処理時間
とＤＺ幅との関係を示すグラフである。このグラフから
明らかなように、１２８０℃での高温熱処理を行えば、
その処理時間に依存することなくＤＺ幅は一定である。
このグラフにあって、折れ線Ａは１２８０℃、酸素雰囲
気での熱処理を、折れ線Ｂは１２８０℃、窒素雰囲気で
の熱処理を、折れ線Ｃは１１５０℃、酸素雰囲気での熱
処理を、折れ線Ｄは１１５０℃、窒素雰囲気での熱処理
を、それぞれ示している。また、この後の第２段熱処理
は、開始温度５５０℃のランピング熱処理とし、第３段
の析出熱処理は１０００℃で行った。さらに、これらの
熱処理に使用したウェーハは口径５インチ、Ｐ型、〈１
００〉方位、比抵抗１０Ω・ｃｍ、酸素濃度９×１０17
ｃｍ-3（ＪＥＩＤＡ）である。なお、このような熱処理
で形成されたＤＺ幅の測定は、既知のように、Ｗｒｉｇ
ｈｔエッチング後の光顕断面観察により行ったものであ
る。
【０００８】
【発明の効果】本発明方法によれば、所定幅のＤＺを得
るのに熱処理時間のコントロールが容易であり、例えば
短時間の熱処理によりＤＺを形成することができる。
るのに熱処理時間のコントロールが容易であり、例えば
短時間の熱処理によりＤＺを形成することができる。
【図１】本発明の実施例に係る熱処理温度とＤＺ幅との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋吉 猛夫 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 松尾 悟 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 高温熱処理後、低温熱処理を施すことに
よりシリコンウェーハ表面にＤＺを形成し、その内部に
ゲッタリング層を形成するシリコンウェーハのＩＧ熱処
理方法において、 上記高温熱処理を１２５０〜１３５０℃で行うことを特
徴とするシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9874592A JPH05275431A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9874592A JPH05275431A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275431A true JPH05275431A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14228015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9874592A Pending JPH05275431A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674756A (en) * | 1994-07-29 | 1997-10-07 | Mitsubishi Materialc Corporation | Method for intrinsic-gettering silicon wafer |
| WO2007148490A1 (ja) * | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ |
| JP2015204326A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法、及びシリコンウェーハ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136343A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体基板表層の無欠陥化方法 |
| JPH0232535A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体デバイス用シリコン基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP9874592A patent/JPH05275431A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136343A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体基板表層の無欠陥化方法 |
| JPH0232535A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体デバイス用シリコン基板の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674756A (en) * | 1994-07-29 | 1997-10-07 | Mitsubishi Materialc Corporation | Method for intrinsic-gettering silicon wafer |
| WO2007148490A1 (ja) * | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ |
| JP2008028355A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ |
| US8377202B2 (en) | 2006-06-20 | 2013-02-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer manufactured by this method |
| KR101340003B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2013-12-11 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 |
| JP2015204326A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法、及びシリコンウェーハ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980714 |