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JPH0515309B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0515309B2
JPH0515309B2 JP61282649A JP28264986A JPH0515309B2 JP H0515309 B2 JPH0515309 B2 JP H0515309B2 JP 61282649 A JP61282649 A JP 61282649A JP 28264986 A JP28264986 A JP 28264986A JP H0515309 B2 JPH0515309 B2 JP H0515309B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
numbered
photosensitive
photosensitive pixel
signal charges
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61282649A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63136563A (ja
Inventor
Nobuo Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP61282649A priority Critical patent/JPS63136563A/ja
Publication of JPS63136563A publication Critical patent/JPS63136563A/ja
Publication of JPH0515309B2 publication Critical patent/JPH0515309B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、固体撮像装置に係り、特に高解像度
の固体撮像装置に関する。
(従来の技術) 第7図はインタライン転送方式CCDを用いた
従来の固体撮像装置の平面図、第8図は第7図の
−線に沿う縦断側面図、第9図は第7図の
−線に沿う縦断側面図である。
これらの図において、1は例えばp形の半導体
基板であり、その表面にn形層から成る感光画素
2を行方向(水平方向)に配列した感光素子行が
列方向(垂直方向)に必要な走査線数だけ配列さ
れている。これらの感光画素2はp+形領域から
成るチヤネルストツパ7により互いに仕切られて
いる。各感光画素列にはこれと平行に転送チヤネ
ル9が設けられ、この転送チヤネル9の上方には
絶縁膜6を介して転送電極10,14が形成され
ている。この転送電極10,14によつて、各感
光画素2に蓄積された信号電荷が障壁部14を通
過して転送チヤネル9に読み出され、また転送チ
ヤネル9内を垂直方向へ転送される。これら転送
チヤネル9、転送電極10,14は第1図では総
括して列方向レジスタ3として図示してある。各
列方向レジスタ3の前端は行方向レジスタ4に接
続されている。これらレジスタの上方は光遮蔽膜
11で覆われ、この光遮蔽膜11の開口部8を通
して感光画素2にのみ光が入射するようになつて
いる。これら開口部8には透明膜13が形成され
ており、これらの上方には例えば赤、緑又は青の
光を透過する色フイルタ12が設けられている。
第10,11図はかかる従来の撮像装置におけ
る色フイルタの配列パターン例を示す。ここで、
R,G,Bはそれぞれ赤、緑、青の色フイルタを
示す。
このように構成された固体撮像装置の動作を次
に説明する。
各色フイルタを透過した入射光により各感光画
素2に信号電荷が発生しかつ蓄積される。各感光
素子行に列方向の順に番号を付した場合、インタ
レース方式では、奇数フイールド(又は偶数フイ
ールド)の垂直ブランキング期間に奇数番目(又
は偶数番目)の感光画素行の全ての感光画素2に
対応する転送電極10に読み出しパルスが印加さ
れ、信号電荷が転送チヤネル9(列方向レジスタ
3)へ読み出される。そして、水平走査期間毎に
各列方向レジスタ3の信号電荷が一行づつ行方向
レジスタ4に送り出され出力端子5から読み出さ
れる。
従つて、第10図のような色フイルタ配列を用
いた場合、ある水平走査期間の出力信号がG−R
配列に対応するものであれば、次の走査期間の出
力信号(インタレースしているから2行先の画素
行となる)はG−B配列に対応したものとなる。
つまり、1本の走査線に対応する出力信号からは
2色の信号成分しか得られない。従つて、1本分
の出力信号からでは画像信号を得るには不充分で
ある。そこで従来は、連続して出力される2本分
の出力信号から両者の垂直相関を利用して、つま
り前回の水平走査期間の出力信号から足りない1
色分の信号をもらつてこれと現走査期間の出力信
号とから信号処理により1本の水平走査線の画像
信号(輝度信号と色信号)を得るようにしてい
る。また、より厳密な信号処理では、3本分の出
力信号の相関から1本分の画像信号を得ることも
行なわれている。
一方、第10図の色フイルタ配列の代りとして
第11図のような配列も一般的に使用されてい
る。この場合には、信号の読み出し動作は上述と
同様であるが、読み出し信号の処理が異なつて来
る。即ち、第11図の例では、1水平走査期間で
R,G,Bの3色の信号成分が得られるので、垂
直相関を利用せずに画像信号を得ることができ
る。
(発明が解決しようとする問題点) 高解像であることは固体撮像素子の最も重要な
特性の1つである。これは単位面積当りの感光画
素数を多くすることで実現する。その場合、標準
テレビ方式に例えば垂直方向(列方向)の走査線
数は決まつているから、1本の走査線に1本の感
光画素行を対応させている上述の従来構造では列
方向の画素数は一定値に決るので、水平方向(行
方向)の感光画素数を増やすことになる。こうし
て究極的には、独立した3色(例えば3原色)に
ついて垂直方向と水平方向の解像度が同じ限界値
となるまで行方向の感光画素数を増やすことにな
る。例えばNTSC方式で列方向の感光画素数をN
(および500)とすると、行方向の感光画素数Mは
4N/3(およそ670)となる。つまり、赤、緑、
青の各色についてN×M個の感光画素をそれぞれ
設ければ限界の解像度が得られる。
しかしながら、第10図の色フイルタ配列で
は、赤と青の感光画素は列方向に交互に配列され
ているため、1本の走査線に1行の感光画素を対
応させている従来の構成では、列方向の赤と青の
感光画素数はN/2と半減してしまい、垂直解像
度を限界値まで上げることができない。特にイン
タレースの場合は2画素ピツチ離れた2行の垂直
相関から画像信号を得ているので、垂直解像度は
更に低下する。
一方、第11図の色フイルタ配列では、列方向
の感光画素数は3色共N個であるから、行方向の
感光画素数を3Mまで増加させれば、垂直・水平
共に限界の解像度が得られ、極めて高解像な画像
信号が得られる。しかしこの場合には次のような
欠点がある。つまり、列方向の感光画素ピツチを
Pとすると、行方向の感光画素ピツチはP/3と
なる。ところで、第7,8図に示すように、列方
向レジスタ3を覆う光遮蔽膜11の行方向の幅a
はチヤネルストツパ7、転送チヤネル9の幅で決
まる。従つて1〜1.5μmの設計ルールを使用して
も、光遮蔽膜幅aは4〜5μmが最小寸法となる。
従つて、例えば2/3インチイメージサイズ(8.8mm
×6.6mm)とした場合、行方向に3M(およそ2000)
の感光画素を配列すると行方向の感光画素ピツチ
はおよそ4.4μmとなり、そこには開口部8をつく
る余裕が殆ど無くなつてしまう。つまり感度が極
めて小さくなつてしまう。
従つて本発明の目的は、上記の如き欠点を除去
し、高解像でしかも感度も大きい固体撮像素子を
提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は、半導体基板上に行方向に感光画素を
配列した感光画素行を行方向と直交する列方向に
複数行配列したものを1組として、この感光画素
行の組を列方向に必要な走査線数配列し、これら
感光画素行の各組の感光画素上に少なくとも3色
の色フイルタを規則的に配列し、これら感光画素
行の組毎に信号電荷を読み出して、読み出した感
光画素行の1組の信号電荷から1本の走査線の画
像信号を得るようにしたものである。
(作用) 1本の走査線に対して複数の感光画素から成る
感光画素行の組を割当てて、この感光画素行の組
の各々に少くとも3色の色フイルタを配列してい
るため、フイルタの各色のそれぞれについて感光
画素を列方向にN個配列していることになり、限
界の垂直解像度を得ることができる。この場合、
列方向の画素密度は複数倍になるので画素間ピツ
チが縮まり感度が低下する可能性があるが、素子
のサイズに応じて1本の走査線に割当てる感光画
素行の数を制限すれば(例えば2行)感度低下は
問題とならない。
また、行方向についても、複数色のフイルタを
配列するのに複数行が使えるため、第11図の従
来例のように3色を一行に配列しなくても済むの
で、感光画素数を大幅に増加させなくても例えば
2M個或いはM個の感光画素数で限界の水平解像
度を実現することができる。従つて、水平方向に
ついても画素間ピツチの短縮による感度低下を防
止することができる。
(実施例) 以下実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は
第1図の部分拡大図、第3図は第2図の−線
に沿う縦断側面図、第4図は第2図の−線に
沿う縦断側面図である。
これらの図において、p形半導体基板20、感
光画素21a,21b……、列方向レジスタ2
2、行方向レジスタ23a,23b、出力端子2
4a,24b、転送電極25a,25b……、転
送チヤネル26、チヤネルストツパ27、障壁部
28、絶縁膜29、透明膜30、光遮蔽膜31、
色フイルタ32は基本的には第7〜9図の対応す
る部分とほぼ同じ構成である。従来例と異なる点
は、感光画素21a,21b……が列方向に必要
な走査線本数の2倍の数だけ配列され、画素間ピ
ツチは従来の1/2になつていること、連続配列さ
れた2行の感光画素行を1本の走査線に対応させ
るために、1走査期間にこの2行の信号電荷を一
組として読み出せるように転送電極25a,25
b……にパルス電圧が印加されること(パルス電
圧制御回路は図示省略)、こうして一組として読
み出された2行の信号を同時に出力して一走査線
の画像信号に合成するために(信号合成回路は図
示省略)、2本の行方向レジスタ23a,23b
が設けられていること、及び色フイルタ32は第
5図又は第6図に示すように一組とされた2行の
感光画素行の各組中に、赤、緑、青の3色が一定
の規則で配列されていることである。
このように構成された本実施例の動作を次に説
明する。
インタレース動作の場合、奇数フイールドでは
例えば感光画素21a,21bの2行を同時に読
み出した後、次の画素21c,21dの2行を除
外し、その次の2行(図示省略)を読み出す。偶
数フイールドでは、感光画素21c,21dの2
行を同時に読み出すことになる。
具体的には、垂直ブランキング期間にまず転送
電極25cに読出しパルス(高い正電圧)を印加
して、感光画素21bの信号電荷を転送電極25
c,25d下に転送した後、列方向レジスタに1
周期の4相クロツクパルスを印加し、信号電荷を
転送電極25g,25hまで転送し保持する。次
いで転送電極25aに読出しパルスを印加して感
光画素21aの信号電荷を転送電極25a,25
b下に転送する。同様な動作は各感光画素で行な
われ、2行を1組にして、1組おきの感光画素行
の信号電荷が列方向レジスタに転送されることに
なる。
次に水平ブランキング期間には、列方向レジス
タに2周期分の4相クロツクパルスを印加して、
2行分の信号電荷をそれぞれ行方向レジスタ23
aと23bに転送する。次いで行方向レジスタ2
3a,23bにクロツクパルスを印加して、2行
分の信号電荷を出力端子24a,24bから電圧
信号に変換して取り出す。以下同様の動作で列方
向レジスタの信号電荷を順次読み出す。
次の垂直ブランキング期間では、感光画素21
d、次いで感光画素21cに読み出しパルスを印
加して前と同じように動作させる。
こうした動作により1走査線に対して1行のG
信号と1行のB/R信号とが出力されるので、従
来のような2走査線間の垂直相関を使わずに1本
の走査線内でカラー画像信号を得ることができ
る。従つて、垂直方向には限界解像度が得られ
る。
水平方向については、画素数を2Mとすれば垂
直方向と同一の限界解像度が得られる。この場
合、画素間ピツチはP/2となるので、例えば2/
3インチイメージサイズでは行方向の感光画素間
ピツチは6.6μmとなる。従つて光遮蔽膜幅を4〜
5μmとした場合、その開口の幅つまり感光画素の
幅は1.6〜2.6μmは確保できる。また、垂直方向に
ついても画素間ピツチは6.6μmとなるが、垂直方
向の光遮蔽膜幅は第4図から分かるように水平方
向より狭く2〜3μmは容易にできるので、3.6〜
4.6μmの開口幅が実現できる。このように、従来
と同様の設計ルールを用いても十分な広さの開口
部が確保できるので、画素密度の増加に伴う感度
低下という問題はあまり生じない。
尚、上述の実施例ではインタレース動作の場合
を説明したが、ノンインタレース動作の場合も本
発明が適用できることは勿論である。
また、色フイルタ配列は補色系でもよい。いず
れにしろ、感光画素行の1組の中に、少くとも3
個の独立な色が配列されていればよい。その場合
にこの3個の独立色が水平方向に2画素ピツチ以
下で配列されていることが、水平方向の画素数を
2M以下とすることができるので望ましい。
上述の実施例では2行の感光画素行を1走査線
に対応させたが、3行以上とすることも原理的に
は可能である。しかしあまり多くなると垂直方向
の集積度が高くなりすぎ感度低下につながるた
め、イメージサイズを考慮して適当な行数とすべ
きである。この観点から、実施例の2行は最も現
実的であると考えられる。
インタレース動作では、各感光画素の積分期間
は2フイールド長くなるので、いわゆるフレーム
残像が目立つてしまう。そのため、垂直ブランキ
ング期間で奇数フイルールドの読出しに行うに先
立つて、偶数フイールドの感光画素の信号電荷を
列方向レジスタに転送し、かつ高周波数の4相ク
ロツクパルスを列方向レジスタに印加して、行方
向レジスタを経由するか、又は列方向レジスタの
一方の端に設けた信号排出手段(図示省略)を経
由して、この信号電荷の排出を行ない、その後に
奇数フイールド信号電荷を前述した通常の方法で
読み出す。次の偶数フイールドの読み出しにおい
ても、これに先立つて奇数フイールドの感光画素
の信号を垂直ブランキング期間に排出する。こう
することにより、積分期間は1フイールド期間と
なり、残像がとれるという利点が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、複数の
感光画素行を1組として、この感光画素行の1組
の信号電荷から1走査線の画像信号を得るように
しているので、高解像度が得られると共に感度も
良好に保つことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る固体撮像装置の一実施例
の平面図、第2図は第1図の一部拡大図、第3図
は第2図の−線に沿つた縦断側面図、第4図
は第2図の−線に沿つた縦断側面図、第5
図、第6図は第1図の実施例に適用される色フイ
ルタ配列例を示す図、第7図は従来の固体撮像装
置の平面図、第8図は第7図の−線に沿つた
縦断側面図、第9図は第7図の−線に沿つた
縦断側面図、第10図、第11図は第7図の従来
例に適用される色フイルタ配列例を示す図であ
る。 20……半導体基板、21……感光画素、22
……列方向レジスタ、23……行方向レジスタ、
24……出力端子、25……転送電極、26……
転送チヤネル、27……チヤネルストツパ、28
……障壁部、29……絶縁膜、30……透明膜、
31……光遮蔽膜、32……色フイルタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体基板と、 この基板上に入射光に応答して信号電荷の発
    生・蓄積を行なう感光画素を行方向に配列した感
    光画素行を行方向と直交する列方向に複数行配列
    したものを1組として、この感光画素行の組を列
    方向に必要な走査線数配列して成る受光部と、 前記感光画素行の各組において、感光画素上に
    規則的に配列された少なくとも3種の異る分光透
    過特性を有する色フイルタと、 前記感光画素行の組に列方向の順番に番号を付
    した場合、奇数フイールドの読み出し動作では奇
    数番の組の信号電荷を読み出し、偶数フイールド
    の読み出し動作では偶数番の組の信号電荷を読み
    出し、かつ各感光画素の信号電荷を独立に外部に
    画像信号として取出す信号読出手段と、 この信号読出し手段から出力される前記感光画
    素行の1組の画像信号から1本の走査線に対応す
    る画像信号を得る信号処理手段と、 を有する固体撮像装置。 2 奇数フイールドの読み出し動作では偶数番の
    組の信号電荷を排出し、かつ偶数フイールドの読
    み出し動作では奇数番の組の信号電荷を排出する
    信号排出手段を有する特許請求の範囲第1項記載
    の固体撮像装置。
JP61282649A 1986-11-27 1986-11-27 固体撮像装置 Granted JPS63136563A (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2729499B2 (ja) * 1989-02-10 1998-03-18 富士写真フイルム株式会社 カラー固体撮像デバイス

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5524748A (en) * 1978-08-11 1980-02-22 Babcock Hitachi Kk Explosive tube for expanding pipe
JPS6284690A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd カラ−画像用固体撮像素子
JPS62188492A (ja) * 1986-02-13 1987-08-18 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像装置

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