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JPH0473347B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0473347B2
JPH0473347B2 JP58149371A JP14937183A JPH0473347B2 JP H0473347 B2 JPH0473347 B2 JP H0473347B2 JP 58149371 A JP58149371 A JP 58149371A JP 14937183 A JP14937183 A JP 14937183A JP H0473347 B2 JPH0473347 B2 JP H0473347B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge transfer
section
signals
columns
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58149371A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6041374A (ja
Inventor
Takao Kinoshita
Toshio Kato
Akihiko Tojo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP58149371A priority Critical patent/JPS6041374A/ja
Publication of JPS6041374A publication Critical patent/JPS6041374A/ja
Publication of JPH0473347B2 publication Critical patent/JPH0473347B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は静止画撮影に適したフレーム・トラン
スフアー型撮像素子及びフレーム・トランスフア
ー型撮像素子を用いた撮像装置に関する。
(従来技術) 一般に固体撮像素子を用いて標準テレビジヨン
方式に適したスチル画面を得る為には所謂インタ
ーレースした2フイールド分のビデオ信号を得な
ければならない。
然し、フレーム・トランスフアー型のCCD
(Charge Conpled Device)に於てはこの様な読
み出しは従来不可能とされていた。即ち、第1図
は従来のフレーム・トランスフアー型CCDの構
成を示すもので、1は撮像部、2は蓄積部、3は
水平転送レジスタ、4は出力アンプ、5は信号出
力端である。
又、PSはセルであつて複数のセルが行及び列
状に配列される事によつて夫々撮像部1、蓄積部
2を構成している。各セルPSは図中縦方向に電
荷転送機能を有し、又、水平転送レジスタ3に於
ては水平方向の転送機能を有する。
尚、φ1〜φ3は夫々撮像部、蓄積部、水平転送
部の転送クロツクである。
又、撮像部以外、即ち、斜線の部分は遮光され
ている。
この様に構成された従来のCCDでは、撮像部
に入射した像情報は各セルによつてて標本化され
て、電荷情報として蓄積される。
その後、クロツクφ1〜φ3を供給する事によつ
て撮像部の電荷情報を蓄積部にそつくり高速で転
送し、適当な時間をかけて読み出す。
即ち、蓄積部の情報を1行ずつレジスタ3に転
送した後、この行情報をクロツクφ3によつて1
水平走査期間かけて読み出す事により標準テレビ
ジヨン信号に対応した走査線信号が順次得られる
訳であるが、標準テレビジヨン方式では2:1の
インターレースを行なつている為、1フイールド
目と2フイールド目とでモニタ画面上の異なる位
置を再生の為に走査する事になる。従つて撮像の
段階で互いにインターレースした2フイールドの
ビデオ信号を得ないと、再生時に画面ブレを起こ
したり、解像度が低下するなどの問題が発生す
る。
然し、第1図示の様な構成の従来のフレーム・
トランスフアー型CCDでは一旦撮像した画面の
内の奇数フイールドと偶数フイールドとを別々に
読み出す事は不可能とされていた。
これに対し本出願人は特願昭57−181809号によ
り水平セル数が撮像部のセル数の2倍以上の蓄積
部を有する新たなフレーム・トランスフアー型撮
像素子を提案した。
このような素子によれば撮像部で形成された1
画面分の再生を蓄積部に垂直転送する際に前記1
画面の情報の内奇数行の情報と偶数行の情報とを
分離して蓄積する事が可能となり、上記のような
問題は基本的に解消する事ができる。
(目 的) 本願の第1及び第3の発明の目的は本件出願人
が先に特願昭57−181809号で提案したたフレー
ム・トランスフアー型CCDの更なる改良として、
歩留りを高め得る簡単な構成を採用する事によつ
て高解像度のスチル画像の撮像が可能となる安価
で且つ動作の確実なフレーム・トランスフアー型
撮像素子及びこれを用いた撮像装置を提供する事
にある。
又、本願の第2の発明の目的は更に蓄積部のセ
ルの情報を読み出すにあたり、水平方向のセル数
の増大に拘らず転送効率を高め、信号のサンプ
ル・ホールドが容易なフレーム・トランスフアー
型撮像素子及びフレーム・トランスフアー型撮像
素子を用いた撮像装置を提供する事にある。
(実施例) その為の本発明の撮像素子及び撮像装置の構成
を実施例に基づき詳細に説明する。
第2図は本発明の実施例の構成を説明する為の
図で、第1図と同じ符番のものは同じ要素を示
す。尚、蓄積部2の水平方向のセル数は撮像部1
の水平方向のセル数の2倍となつている。又、本
実施例では蓄積部2の垂直方向のセル数は撮像部
1の垂直方向のセル数の半分となつているが、一
般的には蓄積部の水平方向のセル数は撮像部の2
倍以上、垂直方向は1/2以上あれば良いものであ
る。
又、実際にはこれよりもはるかに多いものでは
あるが図示の実施例では撮像部1は8行×4列の
画素から成り、蓄積部2は4行×8列の画素から
成る。31〜33は夫々第1〜第3の水平シフト
レジスタであり、各水平シフトレジスタは蓄積部
2の所定の列の電荷を読み出すよう後述の信号源
7により制御される。尚、水平シフトレジスタは
2本或いは4本以上であつても良い。T1は蓄積
部2と水平シフトレジスタ31の間に設けられた
ゲート、T2はレジスタ31と32、T3はレジス
タ32と33の間の夫々設けられたゲートであ
る。41〜43は夫々水平シフトレジスタ31〜
33から読み出される電荷信号を電圧信号に変換
して読み出す為の出力アンプである。又、0は分
配部であつて蓄積部2のセルの電荷を水平シフト
レジスタに適宜振り分ける為のものである。φ1
は撮像部の電荷を垂直シフトする為のシフトパル
ス、φ20は蓄積部2の図中右側から第1、第4、
第5、第8列(以下この各列を201,204,
205,208と呼ぶ)の電荷を垂直シフトする
為のシフトパルス、φ21は図中右側から第2、第
3、第6、第7列(以下この各列を202,20
3,206,207と呼ぶ)の電荷を垂直シフト
する為のシフトパルス、φTはゲートT1〜T3及び
分配部を制御する為のゲート、φ31〜φ33は夫々水
平シフトレジスタ31〜33の電荷を水平シフト
する為のシフトパルスであり、これらのパルスは
後述の信号源7より供給される。
尚、撮像部1の表面には例えば第3図示のよう
な色分離フイルタが帖付されている。
ここでRは赤、Bは青、Gは緑の色光を通す色
フイルターである。勿論色分離フイルターの色パ
ターンンはこれに限らない。
第4図は本発明の撮像部素子を用いた撮像、記
録、再生装置の構成図であつて撮像トリガースイ
ツチ8の作動によつて起動される信号源7は、モ
ード切換スイツチ9のスチル(S)又はムービー(M)の
各モードに応じて第5図又は第6図、第7図の如
きタイミングの信号を形成する。
又、撮像素子の出力端を介して得られたビデオ
信号Vout31〜Vout33はプロセス回路10に
於てサンプルホールド、γ補正、アパーチヤー補
正等の信号処理を受けた後、変調等を行なう記録
回路11及び記録ヘツド12を介して記録媒体1
3に記録される。又プロセス回路10の出力をそ
のままテレビジヨンモニタ16に於てモニタする
事もできる。
又、14は再生ヘツドで、該ヘツドによりビツ
クアツプされた信号は再生回路で適宜の復調を施
した後はやはりモニタ16に於てモニタする事が
できる。又、LSは結像光学系であり、被写体光
を撮像部1に導びき結像する。
第5図は第2図示素子の撮像部と蓄積部の境界
周辺の模式図であつて単相駆動の例を示す。CS
はチヤンネル・ストツパー、PS1は撮像部1に
パルスφ1を供給する為のポリ・シリコン電極で、
半導体基板内の互いにポテンシヤル・レベルの異
なるA領域とB領域の表面を覆つている。
又、PS20とPS21は蓄積部内の互いにポテ
ンシヤル・レベルの異なるA′領域とB′領域の表
面を覆つており、夫々パルスφ20,φ21を蓄積部2
の各列に印加する為のものである。
又、撮像部のC領域及びD領域及び蓄積部の
C′領域D′領域は夫々イオン注入等により半導体基
板内に形成された、ポテンシヤル・レベルが一定
の仮想電極(Virtual Electrode)領域であつて、
この様な仮想電極構造は、例えば特開昭55−
11394号公報に見られる様なもので良い。
尚、本実施例の前記領域A,B,C,D又は
A′,B′,C′,D′により1セルが形成されている。
又、各領域A,B,C,D,A′,B′,C′,
D′の電子から見たポテンシヤルレベルP(A),P
(B),P(C),P(D),P(A′),P(B′),P(C′)
,P
(D′)には例えば次の様な関係がある。
即ち、各電極に加えられる電圧が同じであれば P(A)=P(A′),P(B)=P(B′),P(C)=P(C′
),
P(D)=P(D′) 又、電極PS1,PS20,PS21にローレベル
の信号が加わつている時 P(A)>P(B)>P(C)>P(D) P(A′)>P(B′)>P(C′)>P(D′) 一方電極PS1,PS20,PS21にハイレベル
の信号が加わつている時 P(C)>P(D)>P(A)>P(B) P(C′)>P(D′)>P(A′)>P(B′) となる様設定されている。
又、本発明の実施例では蓄積部2の各セルは所
定の隣接する2つのセルずつに共通の電圧を印加
するよう配線が為されている。即ち、電極PS2
0,PS21は夫々隣接する所定の2つのセルに
対して配置されており、電極PS20の同士、電
極PS21同士は夫々配線により共通に接続され
ている。
従つて各セルのポテンシヤルを制御する為の電
極を大きくできるので製造が簡単となる。又配線
パターンも簡略化される。
又、本実施例では蓄積部の一部のセルを残りの
セルに対して垂直方向にずらして配置しているの
で電極PS20とPS21を別々に配線する場合に
同じ電極同士を水平方向に結線できる。従つて例
えば電極PS20を図中右側を共通接続した水平
方向のくし歯状の配線パターンにより結線し、
PS21を上記くし歯のすき間に設け左側を共通
接続したくし歯状の配線パターンにより結線する
事ができ素子製造工程を簡略化できる。
第6図はこの様なポテンシヤル・レベルの状態
を説明する為に第5図中の−′断面を模式的
に表わした図で、実線は各電極にローレベルの信
号を印加した時、破線はハイレベルの信号を印加
した時の状態である。仮想電極領域C,D,C′,
D′は常に一定のポテンシヤルに維持されている。
又、ILはSiO2(酸化シリコン)等の絶縁層、
SBはSi(シリコン)等の半導体基板、VEは仮想
電極、Al20,Al21は夫々電極PS20,PS2
1にパルスφ20,φ21を印加する為のアルミニウム
配線である。
従つて例えばクロツクφ1を一旦ハイレベルに
した後ローレベルに落すとこの立下りに於て領域
Bに主に蓄積されていた電荷は図の様にD領域に
転送される。即ち、各電極へのクロツクの立下り
に於てB→D又はB′→D′の転送が行なわれる。
又、D又はD′にある電荷は各電極をハイレベ
ルにする事によりB領域又はB′領域に転送され
る。即ちクロツクの立上りに於てD→B又は
D′→B′への転送が行なわれる。
この様に構成されているのでクロツクφ1に同
期してクロツクφ20とφ21を交互に供給すれば第5
図の撮像部の各行の情報は蓄積部の所定の列に振
り分けられる。
第7図は第2図撮像部素子の蓄積部2と水平シ
フトレジスタ31〜33の境界周辺の電極パター
ンの例を示す図であつて図中第5図と同じ符番の
ものは同じ要素を示す。
尚領域A″,B′,C″,D″,A,B,C,
Dの電子に対するポテンシヤル・レベルP
(A″),P(B″),P(C′),P(D″),P(A
),P
(B″),P(C),P(D)は各電極に加わる電
圧が同じ場合には P(A)=P(A″)=P(A) P(B)=P(B″)=P(B) P(C)=P(C″)=P(C) P(D)=P(D″)=P(D) が成り立つ。又、A″,B″,C″,D″の組み合わせ
又はA,B,C,Dの組み合わせにより
夫々1セルが形成されている。
尚、第7図示のように蓄積部と複数の水平シフ
トレジスタとを連結する場合に分配部0を設け、
この分配部0内で蓄積部と水平シフトレジスタと
の境界近傍のセルを垂直方向にずらして配置して
いるので蓄積部の各セルの電荷を各水平シフトレ
ジスタに振り分ける際に電極同士を立体的に交差
させる必要がなく、ノイズに対して強くなると共
に、製造工程も簡単となる。即ち分配部0は蓄積
部の最下行とゲート電極T1等によつて構成され
ており、蓄積部内を同じタイミングで垂直転送さ
れてきた複数列の電荷を所定の列毎に所定の異な
る遅延を与える事により時系列的な一列の信号に
変換し、これを順次水平シフトレジスタに取り込
むようにする。換言すればこの分配部0は並列に
転送されて来た電荷を直列に転送する為の並列−
直列変換手段である。
尚、本実施例では分配部に於てゲート電極T1
により並列直列変換を行なつているが、単に蓄積
部2の各列の長さを少しずつ変えると共に複数列
の情報を1列のセルに導びくように構成する事に
よつて分配部を形成しても良い。本願の第6発明
はこのようなものも含む。
又、本実施例では蓄積部の一部セルを他のセル
に対して垂直方向にずらしているが、分配部の構
造はこのような蓄積部の構造に限定されない。例
えば特願昭57−181809号の第7図示のような蓄積
部構造であつても適用可能である。
次に動作につき説明する。
第8図は第4図示構成に於ける信号源7の出力
タイミングの一例を示す図である。図中パルス
φ1,φ20,φ21,φ31〜φ33,φTは前述のようにハイ
レベルの時に撮像素子内の各画素のポテンシヤル
レベルを電子に対して低くし、ローレベルの時ポ
テンシヤルレベルを高くする様構成されている。
撮像トリガースイツチ8を作動させると、先ず高
速のパルスφ1,φ20,φ21,φT,φ31〜φ33を供給す
る事によつて不要な電荷が排出される。
次いで所定の蓄積時間TINTが経過すると〔期間
(4−0)〕、その後期間(4−1)においてパル
スφ1により撮像部1の電荷を1行ずつ高速で第
2図中下方にシフトする。
又、この時シフトされる各行の情報のうち奇数
行の情報はパルスφ21により列201,204,
205,208に転送され、偶数行の情報はパル
スφ20により列202,203,206,207
に転送され蓄積される。撮像部の1フレーム分の
情報をこの様にして振り分けて蓄積部に移した状
態は第2図に示される。
又、この状態に於て蓄積部の図中最下行の電荷
は第7図中ウエル305,325,329,33
8,346,350に蓄積されている。
又、この各ウエルに蓄積されている電荷を第2
図の電荷A4,B4,B3,A3,A2,B2と
対応づけて考える。
即ち、第3図示のストライブ状色分離フイルタ
を設けているので電荷A4,B4は赤に対応する
電荷、B3,A3は緑に対応する電荷、A2,B
2は青に対応する電荷である。
次いで上記の過程を経て蓄積部2に蓄積された
情報のうち、例208,205,204,201
に蓄積された情報の読み出しをパルスφ21,φ31
φ35及びφTにより行なう。
即ち、先ず期間(4−2)に於てφTを3発供
給する事によりウエル305,338,346内
の電荷は順次垂直にシフトされ、最終的にウエル
317,313,309に夫々収納される。
次に期間(4−3)でパルスφTをローレベル
としたままでパルスφ31〜φ33として高速のパルス
を供給する事によりウエル317,313,30
9にあつた電荷は第7図中左方向に水平シフトさ
れていく。この期間(4−2)と(4−3)との
合計は例えば1水平期間(1H)に設定されてい
る。従つて期間(4−0)に撮像部1に蓄積され
た画像はその第1の信号が期間(4−3)に於て
読み出される。
又、この期間(4−3)中にパルスφ21が1パ
ルス加えられる事によつて第7図中のウエル30
1,334,342内の電荷は夫々ウエル30
5,338,346に収納される。
従つて期間(4−4)でφTを3パルス供給す
ると期間(4−2)と同様ウエル305,33
8,346内の電荷は水平シフトレジスタ33,
32,31に取り込まれる。
以下の期間(4−5)は同様のシーケンスを繰
り返す事によつて列208,205,204等の
電荷即ち撮像部1の奇数行に対応する電荷だけが
順次読み出される。これらの期間(4−1)〜
(4−5)の合計はちようど1垂直期間に相当す
るよう設定されている。次に1垂直期間(4−
6)に於て今度はパルスφ20,φT,φ31〜φ33によ
り列207,206,203,202、等の電荷
が同様に順次1行ずつ読み出される。
このように本発明のスチルモードに於ては撮像
部で同時に形成された2フイールド分の信号を1
フイールドずつ順次インタレースして読み出す事
ができるので高解像度でしかもブレのないスチル
画像信号を得る事ができる。
次に、第9図は第4図示スイツチ9をムービー
撮像モード(M)側に切換えた場合の信号源の出力パ
ルスのタイミング図で、第8図の期間(9−1)
の間に第8図の期間(4−1)と同様に、撮像部
の奇数行の情報を蓄積部の列201,204,2
05,208に、偶数行の情報を列202,20
3,206,207に振り分けて蓄積させ、期間
(9−2)に於て先ずパルスφ20を1パルス与える
事によりウエル305と325,338と32
9,346と350の電荷を加算する。即ち第2
図の電荷A4とB4,B3とA3,A2とB2,
A1とB1とを加算し、次にパルスφTを3パル
ス与えて電荷をレジスタ33〜31に取り込む。
次に期間(9−3)でパルスφ31〜φ33によりこ
れを水平転送すると共にパルスφ20,φ21を夫々1
パルス与える事により第2図の電荷C4とD4,
D3とC3,C2とD2,D1とC1を加算し、
以降このシーケンスを繰り返して1フイールド信
号とする。尚期間(9−1)〜(9−3)の合計
が1垂直期間となるよう設定する。
その後期間(9−4)に於て再び撮像部の情報
を蓄積部に転送する事によつて、期間(9−2)
から(9−3)迄の間に撮像部に形成されていた
電荷信号は蓄積部内に期間(9−1)と同様の方
法で振り分けられて蓄積される。
その後期間(9−5)に於てこの蓄積された情
報を加算しつつ読み出す訳であるが、この時、パ
ルスφ20とφ21とを1パルス分ずらす事によつて加
算されるべき電荷情報の組み合わせが変化する様
にしている。
即ち、期間(9−2)とは違いパルスφ20をφ21
より先行して1パルス出力するようにしているの
で、撮像部の(A1〜A4)はそのまま加算されず
に読み出され、(B1〜B4)と(C1〜C4)、(D1〜
D4)と(E1〜E4)、(F1〜F4)と(G1〜G4)が
夫々が加算されて1行として読み出され、最後に
(H1〜H4)が1行として読み出される。
従つて期間(9−2)、(9−3)に於て読み出
される信号と(9−5)に於て読み出される信号
とは互いにインターレースした関係となる。しか
も2行分加算しているから素子の感度も向上す
る。
次に第10図はムービーモードの信号読み出し
タイミングの第2の実施例を示す図である。
本実施例では奇数行と偶数行を加算するに際
し、撮像部と蓄積部の境界でこれを行なうもので
ある。
期間(10−1)に撮像部で蓄積された電荷は期
間(10−2)に於てパルスφ1,φ20,φ21により蓄
積部2に転送されるがその際φ1の2パルスにつ
きφ20,φ21を1パルス同時に与える事により加算
された電荷を蓄積部の一対ずつの列にほぼ均等に
転送する。そして期間(10−3)に於て先ずパル
スφ20を1パルス与える事により第7図のウエル
305に列208と207、ウエル338に列2
06と205、ウエル346に列204と203
の電荷を集めて加算し、その後φTによりこれら
の電荷を水平シフトレジスタ31〜33に移し、
更にφ31〜φ33により水平方向に読み出す。後は
1H毎にパルスφ20とφ21を1つずつ与えてから同
様の読み出しを行なつて加算出力を順次読み出
す。
次に期間(10−3)、(10−4)に於て撮像部に
蓄積された電荷は期間(10−5)に再び垂直転送
されるが、このときパルスφ1とφ20,φ21のタイミ
ングを期間(10−2)の場合とずらす事によつて
撮像部と蓄積部の境界近傍で加算される電荷の組
み合わせが1行分ずるのでインターレース効果を
得られる。
期間(10−6)以降は期間(10−3)、(10−
4)と同様の読み出しが行なわれる。
このようにして蓄積部の各セルの容量が小さく
ても加算出力を一旦分割してから各セルに蓄積す
るように制御しているので電荷ががオーバーフロ
ーする事がない。
(効 果) 以上説明した如く、本発明によればフレーム・
トランスフアー型の撮像素子に於て蓄積部の水平
方向のセル数を撮像部の水平方向セル数の2倍以
上とすると共に、本願の第1の発明では蓄積部の
所定の隣接する2つずつのセルに夫々共通の電圧
を印加する為の複数の独立した電極を設けている
ので蓄積部のセルを制御する為の電極を比較的大
きなものとでき、製造が容易であり歩留りを向上
できる。
又、特に蓄積部の一部のセルの他のセル数とを
互いに垂直方向にずらしているので各セルを独立
に制御する場合に結線パターンを容易に製造でき
る。
更に又、本願の第2の発明では水平シフトレジ
スタを複数設け蓄積部の所定の列の情報を所定の
対応する水平シフトレジスタに分配する為に蓄積
部と水平シフトレジスタ間に設けられた分配部を
有するので水平読み出し周波数を低く抑える事が
でき、転送効率が高く、又信号処理が容易とな
る。
また、本願の第3の発明によれば、撮像部にて
得た信号を蓄積部に蓄積した後の転送方法を可変
することによつて、1回の露光によつて得た信号
電荷からインタレースした2フイールド分の信号
を得たり、高感度な1フイールド分の信号を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のフレーム・トランスフアー型撮
像素子の構成図、第2図は本発明のフレーム・ト
ランスフアー型撮像素子の構成模式図、第3図は
色分離フイルターの実施例図、第4図は本発明の
撮像部素子を用いた撮像、記録、再生装置の概略
図、第5図は第2図示素子の撮像部と蓄積部境界
近傍の電極パターン図、第6図は第5図−′
断面のポテンシヤル模式図、第7図は第2図示素
子の蓄積部と水平シフトレジスタ境界近傍の電極
パターン図、第8図は第4図示装置のスチルモー
ドでのタイミング図、第9図は同ムービモードで
のタイミングの第1例図、第10図は同第2例図
である。 0…分配部、1…撮像部、2…蓄積部、3…水
平シフトレジスタ、4…アンプ、6…ゲート、
PS20,PS21…電極、7…信号源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数の電荷転送レジスタ列を有する撮像部
    と、 この撮像部の各列の奇数番目、偶数番目の信号
    をそれぞれ第1、第2の列に振り分けて蓄積する
    ための、上記電荷転送レジスタ列数の2倍以上の
    数の電荷転送レジスタ列を有する蓄積部と、 この蓄積部の電荷転送レジスタ列に蓄積された
    第1列と第2列の信号をフイールド期間毎に順次
    選択的に読み出すことにより互いにインタレース
    した映像信号をフイールド期間毎に形成する制御
    手段とを備え、 上記蓄積部の電荷転送レジスタ列は、上記奇数
    番目の信号あるいは偶数番目の信号を蓄積するも
    のが隣接するように配置されるとともに、これら
    互いに隣接した電荷転送列に共通な転送電極を配
    したことを特徴とする撮像装置。 2 上記転送電極は、互いに隣接する電極が列方
    向にずれて配設されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の撮像装置。 3 複数の電荷転送レジスタ列を有する撮像部
    と、 この撮像部の各列の奇数番目、偶数番目の信号
    をそれぞれ第1、第2の列に振り分けて蓄積する
    ための、上記電荷転送レジスタ列数の2倍以上の
    数の電荷転送レジスタ列を有する蓄積部と、 この蓄積部の電荷転送レジスタ列に蓄積された
    第1列と第2列の信号をフイールド期間毎に順次
    選択的に読み出すことにより互いにインタレース
    した映像信号をフイールド期間毎に形成する制御
    手段と、 上記映像信号を読み出すための複数の水平転送
    レジスタと、 上記映像信号を上記各水平転送レジスタに分配
    するための分配部とを備えたことを特徴とする撮
    像装置。 4 複数の電荷転送レジスタ列を有する撮像部
    と、 この撮像部の各列の奇数番目、偶数番目の信号
    をそれぞれ第1、第2の列に振り分けて蓄積する
    ための、上記電荷転送レジスタ列数の2倍以上の
    数の電荷転送レジスタ列を有するとともに、第
    1、第2の電荷転送レジスタ列に各々独立に転送
    電極が設けられた蓄積部と、 上記各転送電極にフイールド期間毎に選択的に
    転送信号を供給することによつて上記蓄積部の電
    荷転送レジスタ列に蓄積された第1列と第2列の
    信号をフイールド期間毎に順次選択的に読み出す
    ことにより互いにインタレースした映像信号をフ
    イールド期間毎に形成するか、上記各転送電極に
    転送信号を同時に供給することによつて第1列と
    第2列の信号を加算した映像信号を各フイールド
    期間毎に形成する制御手段とを備えたことを特徴
    とする撮像装置。
JP58149371A 1983-08-16 1983-08-16 撮像装置 Granted JPS6041374A (ja)

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