JPH05129476A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の電磁波による誤動作を防止する
ことができる半導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子３を封止する樹脂９に電磁波ノイ
ズを吸収するシリコンカーバイドやウィスカ等の電磁波
吸収剤７を混入し、半導体装置１の外部および内部から
の電磁波ノイズを吸収させて半導体素子３の誤動作を防
止するとともに、人体への影響を無くすようにする。
ことができる半導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子３を封止する樹脂９に電磁波ノイ
ズを吸収するシリコンカーバイドやウィスカ等の電磁波
吸収剤７を混入し、半導体装置１の外部および内部から
の電磁波ノイズを吸収させて半導体素子３の誤動作を防
止するとともに、人体への影響を無くすようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子回路素子の高集積化、大規模
化に相反して半導体パッケージの小型化、薄型化が進ん
でおり、それに伴い電子機器の回路がより高密度化され
ている。このため、外部からの電磁波により回路の動作
が阻害されたり、電子回路の動作によって発生する電磁
波ノイズが他の回路の動作を阻害したり、さらには人体
に影響するといった電磁波による問題がクローズアップ
されおり、このような電子機器においては電磁波対策が
不可欠となっている。
化に相反して半導体パッケージの小型化、薄型化が進ん
でおり、それに伴い電子機器の回路がより高密度化され
ている。このため、外部からの電磁波により回路の動作
が阻害されたり、電子回路の動作によって発生する電磁
波ノイズが他の回路の動作を阻害したり、さらには人体
に影響するといった電磁波による問題がクローズアップ
されおり、このような電子機器においては電磁波対策が
不可欠となっている。
【０００３】例えば、従来の樹脂封止型半導体装置１１
は、図９に示すように、ダイパッド２上に載置された半
導体チップ３とプリント基板上の回路配線との電気的導
通をとるためのリードフレーム４とを金属ワイヤ５で接
続し、これらを樹脂６で封止して構成されており、図１
０に示すように、プリント基板１７上に接続された樹脂
封止型半導体装置１１に対し、電子機器全体をシールド
材（電磁波遮蔽材）１８で覆い電磁波を遮蔽するように
していた。
は、図９に示すように、ダイパッド２上に載置された半
導体チップ３とプリント基板上の回路配線との電気的導
通をとるためのリードフレーム４とを金属ワイヤ５で接
続し、これらを樹脂６で封止して構成されており、図１
０に示すように、プリント基板１７上に接続された樹脂
封止型半導体装置１１に対し、電子機器全体をシールド
材（電磁波遮蔽材）１８で覆い電磁波を遮蔽するように
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、、電子
機器全体をシールド材で覆うといった従来の電磁波対策
では、隣接する半導体装置間では相互に電磁波の影響を
受けるため、電子回路の誤動作を十分に防止できないと
いう問題点があった。この発明の目的は、上記従来の課
題を解決し、外部からの電磁波の影響を防止するととも
に、隣接する半導体装置間相互の電磁波の影響をも防止
する半導体装置およびその製造方法を提供することであ
る。
機器全体をシールド材で覆うといった従来の電磁波対策
では、隣接する半導体装置間では相互に電磁波の影響を
受けるため、電子回路の誤動作を十分に防止できないと
いう問題点があった。この発明の目的は、上記従来の課
題を解決し、外部からの電磁波の影響を防止するととも
に、隣接する半導体装置間相互の電磁波の影響をも防止
する半導体装置およびその製造方法を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は上記課題を解
決するため、次のような構成を採用した。請求項１の発
明の半導体装置は、半導体素子の封止材料またはコーテ
ィング材料に電磁波ノイズを吸収する電磁波吸収剤を混
入している。請求項２の発明の半導体製造方法は、小さ
い金型にセットされた半導体装置を封止した後、この封
止された半導体装置を大きい金型にセットし、電磁波吸
収剤を混入した封止材料を用いて再度封止するようにし
ている。
決するため、次のような構成を採用した。請求項１の発
明の半導体装置は、半導体素子の封止材料またはコーテ
ィング材料に電磁波ノイズを吸収する電磁波吸収剤を混
入している。請求項２の発明の半導体製造方法は、小さ
い金型にセットされた半導体装置を封止した後、この封
止された半導体装置を大きい金型にセットし、電磁波吸
収剤を混入した封止材料を用いて再度封止するようにし
ている。
【０００６】
【作用】請求項１の発明の構成によれば、電磁波を吸収
する材料が封止材料またはコーティング材料に混入され
ているので、外部からの電磁波ノイズを吸収して内部回
路に影響を与えない。また、半導体素子内部からの電磁
波ノイズも吸収して外部に洩らさないので、他の電子回
路の誤動作を防止することができる。
する材料が封止材料またはコーティング材料に混入され
ているので、外部からの電磁波ノイズを吸収して内部回
路に影響を与えない。また、半導体素子内部からの電磁
波ノイズも吸収して外部に洩らさないので、他の電子回
路の誤動作を防止することができる。
【０００７】請求項２の発明の構成によれば、導電性あ
る電磁波吸収剤が半導体装置に接触しないように固相状
態で製造されるので、リーク不良の発生を抑えて確実に
電磁波を遮蔽することができる。
る電磁波吸収剤が半導体装置に接触しないように固相状
態で製造されるので、リーク不良の発生を抑えて確実に
電磁波を遮蔽することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は、第１の実施例である樹脂封
止型半導体装置１の構成を示す断面図で、装置１の本体
は、図９に示す従来例と同じ樹脂封止型として構成され
ており、同符号は同じものを示す。すなわち、図１にお
いて、２はダイパッド、３は半導体素子、４はリードフ
レーム、５は金属ワイヤ、６は封止樹脂である。
しながら説明する。図１は、第１の実施例である樹脂封
止型半導体装置１の構成を示す断面図で、装置１の本体
は、図９に示す従来例と同じ樹脂封止型として構成され
ており、同符号は同じものを示す。すなわち、図１にお
いて、２はダイパッド、３は半導体素子、４はリードフ
レーム、５は金属ワイヤ、６は封止樹脂である。
【０００９】図１に示す実施例装置が従来のものと異な
るのは、半導体素子３を封止する封止樹脂６に対して電
磁波吸収剤７が混入された樹脂９が上下に接合して成形
されている点である。これにより、半導体装置の外部お
よび内部からの電磁波を吸収することができ、電子回路
の誤動作防止や人体への影響を防止することができる。
電磁波吸収剤７には、シリコンカーバイド、酸化亜鉛ウ
ィスカ等が使用されている。
るのは、半導体素子３を封止する封止樹脂６に対して電
磁波吸収剤７が混入された樹脂９が上下に接合して成形
されている点である。これにより、半導体装置の外部お
よび内部からの電磁波を吸収することができ、電子回路
の誤動作防止や人体への影響を防止することができる。
電磁波吸収剤７には、シリコンカーバイド、酸化亜鉛ウ
ィスカ等が使用されている。
【００１０】図２は、図１と同様に、電磁波吸収剤７が
混入された樹脂９が上部に接合成形されたセラミック封
止型の半導体装置の構成を示す断面図で、このように構
成しても同様の効果が得られる。図３は、第２の実施例
である樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図で、装
置本体の構成は、図１に示す第１の実施例の構成と同じ
である。図１の構成と異なるのは、封止樹脂６中に、封
止樹脂よりも融点の高い樹脂やゴム等の絶縁性材料８で
表面全体をコーティングした電磁波吸収剤７を混入して
おき、この封止樹脂６によって成形した点である。
混入された樹脂９が上部に接合成形されたセラミック封
止型の半導体装置の構成を示す断面図で、このように構
成しても同様の効果が得られる。図３は、第２の実施例
である樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図で、装
置本体の構成は、図１に示す第１の実施例の構成と同じ
である。図１の構成と異なるのは、封止樹脂６中に、封
止樹脂よりも融点の高い樹脂やゴム等の絶縁性材料８で
表面全体をコーティングした電磁波吸収剤７を混入して
おき、この封止樹脂６によって成形した点である。
【００１１】このような構成にしたのは、シリコンカー
バイドや酸化亜鉛ウィスカ等の電磁波吸収剤７が導電性
を有するため、金属ワイヤ５間、リードフレーム４のピ
ン間、またはプリント基板上の配線間にまたがって電磁
波吸収剤７が存在すると、回路動作時にリーク不良を起
こす可能性が大きくなるからである。そこで、あらかじ
め電磁波吸収剤を上記した絶縁性材料８でコーティング
しておき、電磁波吸収剤７が他と接触しないようにした
ものである。これにより、リーク不良の発生を抑えるこ
とができる。
バイドや酸化亜鉛ウィスカ等の電磁波吸収剤７が導電性
を有するため、金属ワイヤ５間、リードフレーム４のピ
ン間、またはプリント基板上の配線間にまたがって電磁
波吸収剤７が存在すると、回路動作時にリーク不良を起
こす可能性が大きくなるからである。そこで、あらかじ
め電磁波吸収剤を上記した絶縁性材料８でコーティング
しておき、電磁波吸収剤７が他と接触しないようにした
ものである。これにより、リーク不良の発生を抑えるこ
とができる。
【００１２】第２の実施例では、図４に示すように、コ
ーティングされた電磁波吸収剤７を混合した樹脂９を半
導体素子３のコーティングレジンとして接合してもよ
く、図５に示すように、ポッティング樹脂として、ある
いは図６に示すように、樹脂封止型半導体装置１０が装
着されたプリント基板１１全体をコーティングしても同
様の効果が得られる。
ーティングされた電磁波吸収剤７を混合した樹脂９を半
導体素子３のコーティングレジンとして接合してもよ
く、図５に示すように、ポッティング樹脂として、ある
いは図６に示すように、樹脂封止型半導体装置１０が装
着されたプリント基板１１全体をコーティングしても同
様の効果が得られる。
【００１３】図７は、樹脂封止型半導体装置に対し、封
止樹脂よりも融点の高い樹脂やゴム等の絶縁性材料８で
コーティングした電磁波吸収剤７を混入した樹脂９でも
って装置全体をさらに封止し、樹脂２重封止型半導体装
置として構成した場合を示す図で、この様な構成によ
り、さらに確実な電磁波遮蔽効果を得ることができる。
図８（ａ）（ｂ）は、図７に示す樹脂２重封止型半導体
装置の製造方法を実施するための工程を示す図で、大き
さの異なる封止金型を用いて半導体装置を封止するよう
にしている。
止樹脂よりも融点の高い樹脂やゴム等の絶縁性材料８で
コーティングした電磁波吸収剤７を混入した樹脂９でも
って装置全体をさらに封止し、樹脂２重封止型半導体装
置として構成した場合を示す図で、この様な構成によ
り、さらに確実な電磁波遮蔽効果を得ることができる。
図８（ａ）（ｂ）は、図７に示す樹脂２重封止型半導体
装置の製造方法を実施するための工程を示す図で、大き
さの異なる封止金型を用いて半導体装置を封止するよう
にしている。
【００１４】まず、図８（ａ）に示すように、小さい金
型１２にセットされた半導体装置に対し、金型を閉じて
タブレット化した封止樹脂６をプランジャ１３で押し込
み、封止樹脂６をキャビティに充填して成形する。次
に、図８（ｂ）に示すように、大きい金型１４に封止樹
脂６で封止された半導体装置１０をセットし、樹脂等で
表面がコーティングされた電磁波吸収剤７が混入されタ
ブレット化した樹脂９をプランジャ１５で押し込み、樹
脂９をキャビティに充填して成形する。このような工程
により容易に樹脂２重封止型半導体装置を製造すること
ができる。
型１２にセットされた半導体装置に対し、金型を閉じて
タブレット化した封止樹脂６をプランジャ１３で押し込
み、封止樹脂６をキャビティに充填して成形する。次
に、図８（ｂ）に示すように、大きい金型１４に封止樹
脂６で封止された半導体装置１０をセットし、樹脂等で
表面がコーティングされた電磁波吸収剤７が混入されタ
ブレット化した樹脂９をプランジャ１５で押し込み、樹
脂９をキャビティに充填して成形する。このような工程
により容易に樹脂２重封止型半導体装置を製造すること
ができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置に
よれば、電磁波を吸収する材料が封止材料またはコーテ
ィング材料に混入されているので、外部からの電磁波ノ
イズを吸収して内部回路に影響を与えず、また、半導体
素子内部からの電磁波ノイズも吸収して外部に洩らさな
いので、半導体装置によって構成される電子回路の誤動
作を防止することができるとともに、人体への影響を大
きく削減することができるようになった。
よれば、電磁波を吸収する材料が封止材料またはコーテ
ィング材料に混入されているので、外部からの電磁波ノ
イズを吸収して内部回路に影響を与えず、また、半導体
素子内部からの電磁波ノイズも吸収して外部に洩らさな
いので、半導体装置によって構成される電子回路の誤動
作を防止することができるとともに、人体への影響を大
きく削減することができるようになった。
【００１６】また、この発明の半導体製造方法によれ
ば、容易に樹脂２重封止型半導体装置を製造することが
でき、さらに確実な電磁波遮蔽効果を得ることができる
半導体装置を提供することができるようになった。
ば、容易に樹脂２重封止型半導体装置を製造することが
でき、さらに確実な電磁波遮蔽効果を得ることができる
半導体装置を提供することができるようになった。
【図１】この発明の第１の実施例である樹脂封止型半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施例であるセラミック封止型半導体装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図３】この発明の第２の実施例である樹脂封止型半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図４】第２の実施例の変形例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図５】第２の実施例の変形例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図６】第２の実施例の変形例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図７】この発明の第２の実施例の樹脂を２重封止法に
よって封止した半導体装置の断面図を示す。
よって封止した半導体装置の断面図を示す。
【図８】この発明の製造方法の工程を説明する図であ
る。
る。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面
図である。
図である。
【図１０】従来の電磁波対策を説明する図である。
１ 半導体装置 ２ ダイパット ３ 半導体素子 ４ リードフレーム ５ 金属ワイヤ ６ 封止樹脂 ７ 電磁波吸収剤 ８ 絶縁性材料 ９ 電磁波吸収剤を混入した樹脂 １２ 小さい金型 １４ 大きい金型
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子の封止材料またはコーティン
グ材料に電磁波ノイズを吸収する電磁波吸収剤を混入さ
せたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 電磁波吸収剤の表面を半導体素子の封止
材料またはコーティング材料よりも融点の高い絶縁性材
料でコーティングした請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 小さい金型にセットされた半導体装置を
封止した後、この封止された半導体装置を大きい金型に
セットし、電磁波吸収剤を混入した封止材料を用いて再
度封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288891A JPH05129476A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288891A JPH05129476A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129476A true JPH05129476A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17736118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3288891A Pending JPH05129476A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129476A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800804B2 (en) | 2001-06-12 | 2004-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
| JP2005217221A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sony Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2008001757A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP2010071724A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法 |
| US8884424B2 (en) | 2010-01-13 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
| WO2020241468A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 東洋紡株式会社 | インサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288891A patent/JPH05129476A/ja active Pending
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