[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH0428282A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0428282A
JPH0428282A JP13345390A JP13345390A JPH0428282A JP H0428282 A JPH0428282 A JP H0428282A JP 13345390 A JP13345390 A JP 13345390A JP 13345390 A JP13345390 A JP 13345390A JP H0428282 A JPH0428282 A JP H0428282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
semiconductor laser
fixed
plate
block body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13345390A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2560131B2 (ja
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2133453A priority Critical patent/JP2560131B2/ja
Publication of JPH0428282A publication Critical patent/JPH0428282A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2560131B2 publication Critical patent/JP2560131B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第7図、第8図
及び第9図に示すように、炭素鋼にて適宜直径りで適宜
厚さTの円盤型に形成したステム1の上面に、金属製の
ブロック体2を突出して、このブロック体2の側面に、
半導体レーザチップ3を半導体基板4を介してダイホン
デインクする一方、前記ステム1の上面に、透明窓6を
備えた炭素鋼製のキャップ体5を、前記半導体レーザチ
ップ3及びブロック体2に被嵌するように配設して、こ
のキャップ体5の下端全周を前記ステム1の上面に対し
て固着することによって密封する構成にしている。
なお、符号7aは、前記ステム1の下面に溶接又は蝋付
けにて固着したり−ト端子を、符号7b。
7cは、前記ステム1に穿設した孔1a、lbから挿入
したリート端子を各々示し、この両り−1・端子7b、
7cは、前記孔1a、lb内において、ガラス等の絶縁
シール材8にて絶縁シール状態で固着されている。なお
、この二本のリート端子7b、7cを絶縁シール状態で
固着する工程は、前記キャップ体5をステム1に固着す
る工程、及びステム1におけるブロック体2に半導体レ
ーザチップ3をダイボンディングする工程の前において
行う。
そして、前記ステム1の上面にブロック体2を突出する
に際して、従来は、炭素鋼製のステム1の上面に、銅又
は炭素鋼製のブロック体2を溶接又は蝋付けにて固着し
たり、或いは、前記炭素鋼製のステム1を冷間鍛造する
ときにおいて、同時にブロック体2を一体的に造形した
りするようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前者のように、ブロック体2を、ステム1の上
面に溶接又は蝋付けにて固着する方法は、当該ブロック
体2の溶接又は蝋付けに際して、ステム1に対して左右
方向に位置がずれたり、或いは、ステム1の上面に対し
て傾いたりすることが発生するので、この溶接又は蝋付
は後において、ブロック体2における各側面のうち半導
体レーザチップ3をダイボンディングする側面を、当該
側面がステムの中心に対して正しい位置になると共に、
ステム1の上面に対して正しく直角になるように機械加
工するようにしなければならないから、ブロック体2付
きステム1の製造に多大の手数がかかり、半導体レーザ
装置の価格が大幅にアップするのである。
一方、後者のように、ブロック体2を、炭素鋼製のステ
ム1を冷間鍛造に際して同時に造形する方法は、ブロッ
ク体2におけるステム1の中心からの寸法精度及びステ
ム1の上面に対する直角度を大幅に向上できる利点を有
するか、その反面、ブロック体2付きステム1を冷間鍛
造するときに使用する金型の寿命が著しく低いと共に、
その冷間鍛造に際しては、頑丈で、且つ、高い精度の冷
間鍛造機が必要であって、ブロック体2付きステムlの
冷間鍛造にコストが大幅に嵩むので、これまた、半導体
レーザ装置の価格がアップすると言う問題があった。
また、キャップ体5の全周を前記ステム1の上面に対し
て固着する場合において、従来は、この固着が抵抗溶接
にてできるようにするために、ステム1及びキャップ体
5の両方を炭素鋼製にしているが、ステムlの全体を炭
素鋼製にすることは、炭素鋼は熱伝導率が低いので、前
記半導体レーザチップ3において発生する熱を、ステム
lの外周面から逃がすことの放熱性が低いと言う問題も
あった。
本発明は、これらの問題を解消した放熱性の高い半導体
レーザ装置を提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため本発明は、上面に設けたブロッ
ク体に半導体レーザチップを固着して成るステムと、前
記ブロック体及び半導体レーザチップを覆う炭素鋼製の
透明窓付きキャップ体とから成る半導体レーザ装置にお
いて、前記ステムを、銅又はアルミ製の第1ステムと、
該第1ステムの下面に固着した金属製の第2ステムとの
二枚重ねに構成し、前記第1ステムに、略コ字状の切線
を刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの
上面に突出するように折曲げて、前記半導体レーザチッ
プ固着用のブロック体を形成する一方、前記第1ステム
の上面のうち少なくとも外周部に、炭素鋼製の板体を固
着して、この板体に、前記キャップ体における下端の周
囲を固着する構成にした。
〔発明の作用・効果〕
この構成において、ステムを構成する第1ステムには、
これにコ字状の切線を刻設しその内側の部分をステムの
表面に突出するように折曲げてブロック体に形成したこ
とにより、貫通孔が明くことになるが、この貫通孔は、
当該第1ステムの下面に対して重ねて固着した第2ステ
ムによって塞ぐことができる一方、ステムを構成する第
1ステム及び第2ステムは、いずれも、薄い金属板から
の打ち抜きプレス加工によって、製造することができる
と共に、前記第1ステムのブロック体におけるステムの
中心からの寸法及びステムの上面に対する直角度を、プ
レス加工にて高い精度で形成することができるから、ブ
ロック体付きステムを、前記従来のように、ステムの上
面に対してブロック体を溶接又は蝋付けにて固着したの
ち仕上げ加工したり、或いは、ブロック体付きステムを
冷間鍛造をしたりするものに比べて、至極容易に製造で
きるのである。
また、前記ステムを構成する第1ステムと第2ステムの
うち第1ステムを、熱伝導率の良い銅又はアルミ製にし
て、その」二面における少なくとも外周部に炭素鋼製の
板体を固着する構成にしたので、キャップ体の下端にお
ける全周を、ステムに刻して抵抗溶接できるものであり
ながら、前記ステムからの放熱性を、大幅に向」−でき
るのである。
従って本発明によると、放熱性の高い半導体レーザ装置
を安価に提供できる効果を有する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図〜第5図は、第1の実施例を示し、この図におい
て符号10は、適宜直径りで適宜厚さTの円盤型に形成
したステム11と、透明窓16を備えた炭素鋼板製のキ
ャップ体15とによって構成された半導体レーザ装置を
示す。
前記ステム11を、銅板118′の上面に炭素鋼製の板
体11a″を一体的に接合してなるクラツド材にて形成
した第1ステム11. aと、炭素鋼等の金属製の第2
ステム1.1 bとの二枚重ねに構成して、この第1ス
テムlla及び第2ステム11bのうち前記キャップ体
15側における第1ステム11aに、第4図の平面視に
おいてコ字状の切線19を刻設し、この切線1つよりも
内側の部分を、前記キャップ体15内に向かって折曲げ
ることによって、ブロック体12を形成する。
一方、前記第2ステムllbには、その下面にリート端
子1.7 aを溶接又は半田等の蝋付けにて接続すると
共に、二つの貫通孔20を穿設して、この両頁通孔20
内に各々リ−]・端子17b、17cを挿入したのち、
両頁通孔20内にガラス等の絶縁シール月18を充填す
ることによって、前記両す−ト端子1.71)、17C
を、前記第2ステム1 ]、 bに対して絶縁シール状
態で固着する。
ぞして、この第2ステム111)を、前記第1ステムI
laの下面に対して密着するように重ね合わせたのち、
第1ステム1.1 aと、第2ステム11bとを、その
外側の全周にわたって溶接又は半田等の蝋付けすること
によって一体化する。
次いで、第1ステムllaのブロック体12の側面に、
半導体レーザチップ13を、表面の一部にモニター用フ
ォトタイオードを備えた半導体基板14を介してダイポ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ13と半
導体基板14との間、及び前記半導体基板14と前記両
リート端子17b、]、7cとの間を、各々金線にてワ
イヤーボンディングし、そして、前記キャップ体15を
被嵌したのち、このキャップ体15の下端全周囲を、前
記第1ステ1\llaの上面における炭素鋼製の板体]
、 1 a“に対して抵抗溶接することによって密閉す
る。
この構成において、ステム11を構成する第1ステム1
.1. aには、これにコ字状の切線19を刻設しその
内側の部分をステム11の上面に突出するように折曲げ
てブロック体12に形成したことにより、貫通孔21が
明くことになるが、この貫通孔21は、当該第1ステム
の下面に対して重ねて固着した第2ステムllbによっ
て塞ぐことができる一方、ステム11を構成する第1ス
テム11a及び第2ステムllbは、いずれも、薄い金
属板からの打ち抜きプレス加工によって、製造すること
ができると共に、前記第1ステlz 1. ]、 aの
ブロック体12におけるステム11の中心からの寸法及
びステム11の上面に対する直角度を、プレス加工にて
高い精度で形成することができるから、ブロック体12
付きステム11を、前記従来のように、ステムの上面に
対してブロック体を溶接又は蝋付けにて固着したのち仕
」二げ加工したり、或いは、ブロック体付きステムを冷
間鍛造をしたりするものに比べて、至極容易に製造でき
るのである。
そして、前記第1ステムllaにおけるブロック体12
に対して半導体基板14を介してダイボンディングした
半導体レーザチップ13から発生する熱は、ブロック体
12から第1ステムlla及び第2ステムllbに熱伝
達したのち放熱されるのであるが、この場合において、
第1ステム11aを、前記のように、熱伝導率の良い銅
板11a′製にしたことにより、ステム11からの放熱
性を、大幅に向上できるのである。
第6図は第2の実施例を示し、この第2の実施例は、前
記第1の実施例のように、半導体レーザチップ13に対
するモニター用フォトダイオードを半導体基板14に設
けることに代えて、前記モニター用フォトダイオードを
別の箇所に設けた場合を示すものである。
すなわち、前記ステム11における第2ステム11bに
、第1ステムllaにブロック体12を設けることのた
めに形成される貫通孔21内に向かって突出する突起部
22を、プレス加工によって造形し、この突起部22に
、前記半導体レーザチップ13に対するモニター用フォ
トダイオード23をダイボンデインクしたものであり、
他の構成は、前記第1の実施例と同様である。
なお、前記第2ステムllbを炭素鋼製にする一方、第
1ステムllaを、銅板11a′の上下両面に炭素鋼製
の板体を接合した三枚重ねのクラツド材にて形成するよ
うにすれば、第1ステム11aの下面に対する第2ステ
ムllbの固着が、抵抗溶接によって行うことができる
(この抵抗溶接は、前記第1ステムIlaの上面におけ
る板体11a“に対してキャップ体15を抵抗溶接する
とき同時に行うようにしても良い)と共に、第2ステム
llbに対してリード端子17aを抵抗溶接できる。ま
た、前記第1ステムllaにおける銅板11a’上面の
板体11a“は、銅板1 ]、 a′に対して半田等の
蝋付けによって固着するようにしても良いのである。
更にまた、前記第1ステムllaにおける銅板11a′
に代えて、熱伝達率の良いアルミを使用しても良いこと
は言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図は本発明の実施例を示し、第1図は第1
の実施例を示す縦断正面図、第2図は第1図の■−■視
断面断面図3図は分解した状態の図、第4図は第3図の
IV−IV視平面図、第5図は第3図の■−v視平面図
、第6図は第2の実施例を示す縦断正面図、第7図は従
来の例を示す縦断正面図、第8図は第7図の■−■視断
面断面図9図は第7図のIX−IX視断面図である。 10・・・・半導体レーザ装置、11・・・・ステム、
11a・・・・第1ステム、lla’・・・・銅板、1
1a“・・・・炭素鋼製の板体、llb・・・・第2ス
テム、12・・・・ブロック体、13・・・・半導体レ
ーザチップ、14・・・・半導体基板、15・・・・キ
ャップ体、16・・・・透明窓、17a、17b、  
17c・−・リード端子、18・・・・絶縁シール材、
19・・・・切線。 区 ■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、上面に設けたブロック体に半導体レーザチップ
    を固着して成るステムと、前記ブロック体及び半導体レ
    ーザチップを覆う炭素鋼製の透明窓付きキャップ体とか
    ら成る半導体レーザ装置において、前記ステムを、銅又
    はアルミ製の第1ステムと、該第1ステムの下面に固着
    した金属製の第2ステムとの二枚重ねに構成し、前記第
    1ステムに、略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも
    内側の部分を、前記ステムの上面に突出するように折曲
    げて、前記半導体レーザチップ固着用のブロック体を形
    成する一方、前記第1ステムの上面のうち少なくとも外
    周部に、炭素鋼製の板体を固着して、この板体に、前記
    キャップ体における下端の周囲を固着したことを特徴と
    する半導体レーザ装置。
JP2133453A 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2560131B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2133453A JP2560131B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2133453A JP2560131B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0428282A true JPH0428282A (ja) 1992-01-30
JP2560131B2 JP2560131B2 (ja) 1996-12-04

Family

ID=15105137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2133453A Expired - Lifetime JP2560131B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2560131B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835473A (en) * 1996-01-17 1998-11-10 Asahi Glass Company Ltd. Optical pick-up, optical data recording apparatus and objective lens for optical data recording material
US6014271A (en) * 1997-11-27 2000-01-11 Clarion Co., Ltd. Objective lens for optical disc
US6097691A (en) * 1997-09-05 2000-08-01 Asahi Glass Company Ltd. Optical device for recording or reading data to an optical disk
US6285645B1 (en) 1997-05-27 2001-09-04 Asahi Glass Company Ltd. Optical device
JP2001358398A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール
US6556534B2 (en) 2000-03-31 2003-04-29 Asahi Glass Company, Limited Objective lens and optical device
JP2005340807A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 半導体レーザダイオードパッケージ
JP2011049523A (ja) * 2009-07-28 2011-03-10 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
US10411167B2 (en) 2016-10-27 2019-09-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor light emitting apparatus, stem part

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012102306B4 (de) * 2012-03-19 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserdiodenvorrichtung
US8867582B2 (en) 2012-04-04 2014-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode assembly
DE102012102305A1 (de) * 2012-03-19 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
US8737445B2 (en) 2012-04-04 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode assembly
US9008138B2 (en) 2012-04-12 2015-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode device
DE102012103160A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61149365U (ja) * 1985-03-07 1986-09-16
JPS62213191A (ja) * 1986-03-13 1987-09-19 Sharp Corp 光半導体用ステム
JPS63118258U (ja) * 1987-01-24 1988-07-30

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61149365U (ja) * 1985-03-07 1986-09-16
JPS62213191A (ja) * 1986-03-13 1987-09-19 Sharp Corp 光半導体用ステム
JPS63118258U (ja) * 1987-01-24 1988-07-30

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835473A (en) * 1996-01-17 1998-11-10 Asahi Glass Company Ltd. Optical pick-up, optical data recording apparatus and objective lens for optical data recording material
US6285645B1 (en) 1997-05-27 2001-09-04 Asahi Glass Company Ltd. Optical device
US6097691A (en) * 1997-09-05 2000-08-01 Asahi Glass Company Ltd. Optical device for recording or reading data to an optical disk
US6014271A (en) * 1997-11-27 2000-01-11 Clarion Co., Ltd. Objective lens for optical disc
US6556534B2 (en) 2000-03-31 2003-04-29 Asahi Glass Company, Limited Objective lens and optical device
JP2001358398A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール
JP2005340807A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 半導体レーザダイオードパッケージ
KR100856280B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-03 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드 패키지
JP2011049523A (ja) * 2009-07-28 2011-03-10 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
US10411167B2 (en) 2016-10-27 2019-09-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor light emitting apparatus, stem part

Also Published As

Publication number Publication date
JP2560131B2 (ja) 1996-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0428282A (ja) 半導体レーザ装置
JP3596388B2 (ja) 半導体装置
JP2931936B2 (ja) 半導体装置用リードフレームの製造方法及び半導体装置用リードフレーム並びに樹脂封止型半導体装置
JP2016157880A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP7306831B2 (ja) 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ
JPH10144846A (ja) 半導体装置及びリードフレーム
JP2019021769A (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP3771931B1 (ja) 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置
JP2006135219A (ja) 半導体パッケージ用ステムおよびその製造方法
JP2546907B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2546910B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP6967910B2 (ja) 電子部品用パッケージ及び電子部品装置
KR100271675B1 (ko) 반도체소자용 아일릿과 그 제조방법
JP2880048B2 (ja) 半導体パッケージ用ステムの製造方法
EP4184560A1 (en) Header for semiconductor package
JP3513295B2 (ja) 気密端子用ステム
JP2546908B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS607494Y2 (ja) 半導体装置
JP3712106B2 (ja) レーザダイオード用ステムの製造方法
JP2000068424A (ja) 半導体パッケージ用ステムの製造方法
JPH09172219A (ja) レーザ発振用気密端子
JPH1187577A (ja) 半導体装置用ステム
JPH0713240Y2 (ja) 半導体光学能動素子用パッケージ
JP2560127B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2022091315A (ja) 半導体パッケージ用ステム及びその製造方法、半導体パッケージ