JPH04117375A - 光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法Info
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- JPH04117375A JPH04117375A JP2235102A JP23510290A JPH04117375A JP H04117375 A JPH04117375 A JP H04117375A JP 2235102 A JP2235102 A JP 2235102A JP 23510290 A JP23510290 A JP 23510290A JP H04117375 A JPH04117375 A JP H04117375A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は次の一般式(I)、
U
(式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子、低級アルキ
ル基又はOR3基(但し、R3は低級アルキル基又はジ
低級アルキルカルバモイル基)を示す。但し、R1及び
R2が共に水素原子となることはない。R4は低級アル
キル基を示す) で表わされる光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法に
関する。
ル基又はOR3基(但し、R3は低級アルキル基又はジ
低級アルキルカルバモイル基)を示す。但し、R1及び
R2が共に水素原子となることはない。R4は低級アル
キル基を示す) で表わされる光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法に
関する。
上記−数式(I)で表わされる光学活性ジヒドロピラン
誘導体は、例えば、A、 KONOWAら;Tetra
hedron、 32巻、 2957−2959頁(1
976)に記載ノサツカライドあるイハ、5TBVEN
D、BIRKBkら; Tetrahedron、
42巻、 2787−2801頁(1986)に記載の
抗生物質等の合成中間体として有用な化合物である。
誘導体は、例えば、A、 KONOWAら;Tetra
hedron、 32巻、 2957−2959頁(1
976)に記載ノサツカライドあるイハ、5TBVEN
D、BIRKBkら; Tetrahedron、
42巻、 2787−2801頁(1986)に記載の
抗生物質等の合成中間体として有用な化合物である。
従来、光学活性ジヒドロピラン誘導体(I)を製造する
方法としては、1−メトキシ−1,3ブタジエン又は1
.3−ペンタジェンにグリオキシル酸エステルを、二塩
化メントキシアルミニウムあるいはBu(hfc)+
()リス−〔3−(ヘプタフルオロプロピルヒドロキシ
メチレン) −(−1−)カンフォラ−トコユウロピウ
ム(■))の触媒の存在下に反応せしめる方法が報告さ
れているCM。
方法としては、1−メトキシ−1,3ブタジエン又は1
.3−ペンタジェンにグリオキシル酸エステルを、二塩
化メントキシアルミニウムあるいはBu(hfc)+
()リス−〔3−(ヘプタフルオロプロピルヒドロキシ
メチレン) −(−1−)カンフォラ−トコユウロピウ
ム(■))の触媒の存在下に反応せしめる方法が報告さ
れているCM。
Quimpareら; J、 Chem、 Soc
、、 Chem、 Commun、。
、、 Chem、 Commun、。
676−677頁(1987))。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記公知方法で使用する触媒の光学活性
部位は、どちらも天然物由来、すなわち、二塩化メント
キシアルミニウムでは(−)−メントールを、13u
(hfc) 3では(+)−カンファーを特徴とする特
定の絶対配置を有するものであるが、それぞれに対応し
た絶対配置を有する生成物を得ようとしても、二塩化メ
ントキシアルミニウムを用いた場合には工業的に利用可
能な光学純度を有する生成物を得ることができず、実際
には(十)−カンファー由来のBu(hfc)s触媒か
ら得られる特定の絶対配置を有する生成物しか得ること
ができなかった。しかも、Bu (hfc) 3を触媒
として用いた場合でも、生成物の光学純度は、最も高い
(2R96S)−2−メトキシ−6−メドキシカルポニ
ルジヒドロビランで64%eeであり、更に高い光学純
度を有するジヒドロビラン誘導体を得る方法が望まれて
いた。
部位は、どちらも天然物由来、すなわち、二塩化メント
キシアルミニウムでは(−)−メントールを、13u
(hfc) 3では(+)−カンファーを特徴とする特
定の絶対配置を有するものであるが、それぞれに対応し
た絶対配置を有する生成物を得ようとしても、二塩化メ
ントキシアルミニウムを用いた場合には工業的に利用可
能な光学純度を有する生成物を得ることができず、実際
には(十)−カンファー由来のBu(hfc)s触媒か
ら得られる特定の絶対配置を有する生成物しか得ること
ができなかった。しかも、Bu (hfc) 3を触媒
として用いた場合でも、生成物の光学純度は、最も高い
(2R96S)−2−メトキシ−6−メドキシカルポニ
ルジヒドロビランで64%eeであり、更に高い光学純
度を有するジヒドロビラン誘導体を得る方法が望まれて
いた。
このような実情において、本発明者らは、前記課題を解
決せんと鋭意研究を行った結果、光学活性なビナフトー
ル−チタン錯体を触媒として用いれば、高い光学純度を
有するジヒドロピラン誘導体を効率よく得ることができ
ることを見出し、本発明を完成した。
決せんと鋭意研究を行った結果、光学活性なビナフトー
ル−チタン錯体を触媒として用いれば、高い光学純度を
有するジヒドロピラン誘導体を効率よく得ることができ
ることを見出し、本発明を完成した。
本発明の方法は、次の反応式で示される。
以下余白
(I>
(式中、R1、R2及びR4は前記と同じ意味を有する
) すなわち、本発明は、ジエン化合物(II)とグリオキ
シル酸エステル(III)とを、ビナフトール−チタン
錯体(IV)の存在下に反応せしめて光学活性ジヒドロ
ピラン誘導体(I)を製造する方法である。
) すなわち、本発明は、ジエン化合物(II)とグリオキ
シル酸エステル(III)とを、ビナフトール−チタン
錯体(IV)の存在下に反応せしめて光学活性ジヒドロ
ピラン誘導体(I)を製造する方法である。
本発明の原料であるジエン化合物(II)の置換基であ
るR1及びR2は、それぞれ水素原子、低級アルキル基
又は基OR″を示し、R3は低級アルキル基又はジ低級
アルキルカルバモイル基を示す。ここで、「低級」とは
、炭素数1〜4の分岐してもよい炭素鎖を意味する。R
’及びR2は、同一あるいは異なる置換基を示すが、と
もに水素原子である場合は目的とする反応が進まないた
め好ましくない。
るR1及びR2は、それぞれ水素原子、低級アルキル基
又は基OR″を示し、R3は低級アルキル基又はジ低級
アルキルカルバモイル基を示す。ここで、「低級」とは
、炭素数1〜4の分岐してもよい炭素鎖を意味する。R
’及びR2は、同一あるいは異なる置換基を示すが、と
もに水素原子である場合は目的とする反応が進まないた
め好ましくない。
ジエン化合物(II)を具体的に例示すれば、2メチル
−13−ブタジェン、2−メトキシ−1゜3−ブタジェ
ン、2−ジエチル了ミノカルボニルオキシ−1,3−ブ
タジェン、1−メトキシ−1゜3−ブタジェン、1−ジ
メチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジェン、
2−エトキシ−1゜3−ペンタジェン、3−エトキシ−
1−ジメチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジ
ェン、1.3−ジメトキシ−1,3−ブタジェン、1t
ert−ブトキシ−3−メトキシ−1,3−ブタジェン
等が挙げられる。
−13−ブタジェン、2−メトキシ−1゜3−ブタジェ
ン、2−ジエチル了ミノカルボニルオキシ−1,3−ブ
タジェン、1−メトキシ−1゜3−ブタジェン、1−ジ
メチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジェン、
2−エトキシ−1゜3−ペンタジェン、3−エトキシ−
1−ジメチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジ
ェン、1.3−ジメトキシ−1,3−ブタジェン、1t
ert−ブトキシ−3−メトキシ−1,3−ブタジェン
等が挙げられる。
また、もう一方の原料であるグリオキシル酸エステル(
In)のR4は低級アルキル基を示し、ここで「低級」
とは前記と同様の意味を有する。グリオキシル酸エステ
ル(I[I)を具体的に例示すれば、グリオキシル酸メ
チル、グリオキシル酸エチル、グリオキシル酸イソプロ
ピル、グリオキシル酸t−ブチル等が挙げられ、これら
は、例えばT。
In)のR4は低級アルキル基を示し、ここで「低級」
とは前記と同様の意味を有する。グリオキシル酸エステ
ル(I[I)を具体的に例示すれば、グリオキシル酸メ
チル、グリオキシル酸エチル、グリオキシル酸イソプロ
ピル、グリオキシル酸t−ブチル等が挙げられ、これら
は、例えばT。
RO3S K[1LLYらの方法[:5ynthesi
s、 544−545頁(1972)]によって製造
される。
s、 544−545頁(1972)]によって製造
される。
触媒として使用される光学活性ビナフトール−チタン錯
体は次の一般式(TV) (式中、Xは塩素原子又は臭素原子を示す)で表わされ
る。
体は次の一般式(TV) (式中、Xは塩素原子又は臭素原子を示す)で表わされ
る。
このビナフトール−チタン錯体(rV)は、例えば特開
平2−40344号公報記載の方法によって調製される
。すなわち、まず四ハロゲン化チタン(ハロゲンは塩素
又は臭素)とテトライソプロポキシチタンをヘキサン中
で混合してジイソプロポキシ−ジハロゲノチタンの結晶
を調製し、これをトルエンに溶解する。別に基質1ミリ
モルに対し0.5g以上の量の粉末のモレキュラーシー
ブ4AC市販品)を塩化メチレンに加え、これに上で調
製したジイソプロポキシ−ジハロゲノチタンのトルエン
溶液、次いでビナフトールを加えて約1時間攪拌すれば
ビナフトール−チタン錯体(TV)を得ることができる
。
平2−40344号公報記載の方法によって調製される
。すなわち、まず四ハロゲン化チタン(ハロゲンは塩素
又は臭素)とテトライソプロポキシチタンをヘキサン中
で混合してジイソプロポキシ−ジハロゲノチタンの結晶
を調製し、これをトルエンに溶解する。別に基質1ミリ
モルに対し0.5g以上の量の粉末のモレキュラーシー
ブ4AC市販品)を塩化メチレンに加え、これに上で調
製したジイソプロポキシ−ジハロゲノチタンのトルエン
溶液、次いでビナフトールを加えて約1時間攪拌すれば
ビナフトール−チタン錯体(TV)を得ることができる
。
また、ビナフトール−チタン錯体(IV)には、(R)
−ビナフトール又は(S)−ビナフトールから合成され
る(R)体と(S)体が存在し、これらは目的とする生
成物の光学活性ジヒドロビラン誘導体(I)の絶対配置
に応じて使いわけることができる。すなわち、前記−数
式(I)のジヒドロビラン環の6位の不斉炭素において
、(R)体を得ようとする時は(R) −(rV)を、
(S)体を得ようとする時は(S) −(I’V)を用
いればよい。このように、本発明によれば、用いる錯体
(IV)の選択によって6位の炭素の絶対配置を自由自
在に決定することができる。更に、置換基R1が水素原
子以外の場合は1位についても不斉炭素となるが、この
場合は、用いる錯体(rV)の絶対配置によって、(R
)体もしくは(S)体のどちらか一方が有利な比率で得
られる。
−ビナフトール又は(S)−ビナフトールから合成され
る(R)体と(S)体が存在し、これらは目的とする生
成物の光学活性ジヒドロビラン誘導体(I)の絶対配置
に応じて使いわけることができる。すなわち、前記−数
式(I)のジヒドロビラン環の6位の不斉炭素において
、(R)体を得ようとする時は(R) −(rV)を、
(S)体を得ようとする時は(S) −(I’V)を用
いればよい。このように、本発明によれば、用いる錯体
(IV)の選択によって6位の炭素の絶対配置を自由自
在に決定することができる。更に、置換基R1が水素原
子以外の場合は1位についても不斉炭素となるが、この
場合は、用いる錯体(rV)の絶対配置によって、(R
)体もしくは(S)体のどちらか一方が有利な比率で得
られる。
本発明方法を実施するには、ビナフトール−チタン錯体
の有機溶媒溶液にジエン化合物(II)及びグリオキシ
ル酸エステル(I[r)を加えて反応せしめる。
の有機溶媒溶液にジエン化合物(II)及びグリオキシ
ル酸エステル(I[r)を加えて反応せしめる。
使用する有機溶媒としては、塩化メチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素;ベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素;テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、ジメトキシエタン等の非プロトン性溶媒
等が挙げられる。
ム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素;ベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素;テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、ジメトキシエタン等の非プロトン性溶媒
等が挙げられる。
触媒のビナフトール−チタン錯体(rV)は原料(II
)及び(I[I)に対し0.02〜1モル倍、特に0.
05〜0.1モル倍使用するのが、高い光学収率の生成
物を得る上で好ましい。また、反応温度は−50℃〜0
℃、特に−30℃〜−10℃が好ましく、反応時間は3
〜20時間が好ましい。
)及び(I[I)に対し0.02〜1モル倍、特に0.
05〜0.1モル倍使用するのが、高い光学収率の生成
物を得る上で好ましい。また、反応温度は−50℃〜0
℃、特に−30℃〜−10℃が好ましく、反応時間は3
〜20時間が好ましい。
反応後、反応混合物に炭酸水素ナトリウム水溶液等のア
ルカリ剤を加え、ジエチルエーテル、酢酸エチル等の溶
媒で抽出し、乾燥後溶媒を留去し、残留物をシリカゲル
カラム等のカラムクロマトグラフィーで精製すれば、目
的とする光学活性ジヒドロピラン誘導体を高収率で得る
ことができる。
ルカリ剤を加え、ジエチルエーテル、酢酸エチル等の溶
媒で抽出し、乾燥後溶媒を留去し、残留物をシリカゲル
カラム等のカラムクロマトグラフィーで精製すれば、目
的とする光学活性ジヒドロピラン誘導体を高収率で得る
ことができる。
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発
明は以下の実施例に限定されるものではない。
明は以下の実施例に限定されるものではない。
尚、実施例中の分析は次の分析機器を用いて行った。
’H核磁気共鳴スペクトル(以下’H−NMRと略す)
:GBMINI 200型(200MHz) (パリア
ン社製)旋光度針: DIF−370型(日本電子株式
会社製)実施例1 予め、アルゴン置換を行った50rnlのシュレンク管
に、テトライソプロポキシチタン2.98me (10
ミリモル)とヘキサン5献を加え、これに四塩化チタン
1.1O−(10ミ!1モル)を加え、室温で10分間
攪拌した。その後、室温で3時間放置し白色の結晶を沈
澱させた。溶媒をシリンジで抜取り、ヘキサン5dを加
え再結晶を行った。この操作を2回繰り返し、減圧下で
乾燥すると白色のジイソプロポキシジクロロチタンが3
.09 g得られた。これに、トルエン43−を加えて
、0.3Nの溶液を調製した。
:GBMINI 200型(200MHz) (パリア
ン社製)旋光度針: DIF−370型(日本電子株式
会社製)実施例1 予め、アルゴン置換を行った50rnlのシュレンク管
に、テトライソプロポキシチタン2.98me (10
ミリモル)とヘキサン5献を加え、これに四塩化チタン
1.1O−(10ミ!1モル)を加え、室温で10分間
攪拌した。その後、室温で3時間放置し白色の結晶を沈
澱させた。溶媒をシリンジで抜取り、ヘキサン5dを加
え再結晶を行った。この操作を2回繰り返し、減圧下で
乾燥すると白色のジイソプロポキシジクロロチタンが3
.09 g得られた。これに、トルエン43−を加えて
、0.3Nの溶液を調製した。
一方、25−のフラスコにモレキュラーシーブ4A(ア
ルドリッチ社製)の粉末を0.5g入れ、アルゴン置換
を充分行った後、塩化メチレン5mlを加え、更に上君
己で調製したジイソプロポキシジクロロチタンのトルエ
ン溶液を0.33m!!(0,1ミリモル)、(R)−
ビナフトール28.6■(0,1ミリモル)を加え、室
温で1時間攪拌し、(R)−ビナフトール−ジクロロチ
タン錯体を調製した。
ルドリッチ社製)の粉末を0.5g入れ、アルゴン置換
を充分行った後、塩化メチレン5mlを加え、更に上君
己で調製したジイソプロポキシジクロロチタンのトルエ
ン溶液を0.33m!!(0,1ミリモル)、(R)−
ビナフトール28.6■(0,1ミリモル)を加え、室
温で1時間攪拌し、(R)−ビナフトール−ジクロロチ
タン錯体を調製した。
この溶液をドライアイスーア七トン浴で一70℃に冷却
した後、グリオキシル酸メチル88■(1ミリモル)を
加え、更に、1−メトキシ−1,3−ブタジェンを0.
168g (、2ミリモル)加えた。−30℃で3時間
反応した後、炭酸水素す) IJウム水溶液10−を加
え反応を停止し、セライト上で濾過し、ジエチルエーテ
ル20−で1回、酢酸エチルで2回抽出を行い無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(200メツシユ、展開溶媒は
へ牛サン:酢酸エチル=lO:1)で精製し、目的とす
る光学活性な2−メトキシ−6−メドキシカルポニルジ
ヒドロビランを0.12g (収率79%)得た。
した後、グリオキシル酸メチル88■(1ミリモル)を
加え、更に、1−メトキシ−1,3−ブタジェンを0.
168g (、2ミリモル)加えた。−30℃で3時間
反応した後、炭酸水素す) IJウム水溶液10−を加
え反応を停止し、セライト上で濾過し、ジエチルエーテ
ル20−で1回、酢酸エチルで2回抽出を行い無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(200メツシユ、展開溶媒は
へ牛サン:酢酸エチル=lO:1)で精製し、目的とす
る光学活性な2−メトキシ−6−メドキシカルポニルジ
ヒドロビランを0.12g (収率79%)得た。
’H−NMRの結果より、シス体ニドランス体の生成比
は、78 : 22であった。
は、78 : 22であった。
’H−NMR(CDCl s) δppm ;シス体
: 2,3−2.6(m、1)1)、 3.49(s、
3)1)、 3.77(s、3H)、 4.41(t、
J=6.0)1z、LH)、 5.03(a+、E)、
5.69(m、IH)、 6.04(m、IH)トラ
ンス体: 2.3−2.4(m、 1)1)、 3.4
6(s、 3H)。
: 2,3−2.6(m、1)1)、 3.49(s、
3)1)、 3.77(s、3H)、 4.41(t、
J=6.0)1z、LH)、 5.03(a+、E)、
5.69(m、IH)、 6.04(m、IH)トラ
ンス体: 2.3−2.4(m、 1)1)、 3.4
6(s、 3H)。
3、81 (s、 3H) 、 4.52 (dd、
J=7.4Hz。
J=7.4Hz。
J=8.4)1z、1)1)、 4.99(o+、18
)。
)。
5.77(m、1)1)、 8.04(m、1)1)生
成物の光学純度は、光学活性なシフト試薬(+) −B
u(叶PM)s [: (十) −)リス〔ジ(ペルフ
ルオロ−2−プロポキシプロピオニル)メタナート〕ユ
ウロピウム(III> 、第−化学薬品株式会社製)〕
を用いて、’)l−NMR分析により測定したところ、
シス体94%ee、 )ランス体90%eeであった、
絶対配置は、まず、生成物のジヒドロピラン誘導体をメ
タノール中で塩酸を触媒として95%トランス体に異性
化した後、ジエチルエーテル中で水素化アルミニウムリ
チウムを用いてエステルをアルコールとし、次いで、メ
タノール中で二酸化白金を用いて二重結合を水素化して
トランス−6ヒドロキシメチルー2−メトキシテトラヒ
ドロピランに導いて旋光度を測定することにより決定し
た。すなわち、J、 Jurczakら: J、Che
+n、 Soc、。
成物の光学純度は、光学活性なシフト試薬(+) −B
u(叶PM)s [: (十) −)リス〔ジ(ペルフ
ルオロ−2−プロポキシプロピオニル)メタナート〕ユ
ウロピウム(III> 、第−化学薬品株式会社製)〕
を用いて、’)l−NMR分析により測定したところ、
シス体94%ee、 )ランス体90%eeであった、
絶対配置は、まず、生成物のジヒドロピラン誘導体をメ
タノール中で塩酸を触媒として95%トランス体に異性
化した後、ジエチルエーテル中で水素化アルミニウムリ
チウムを用いてエステルをアルコールとし、次いで、メ
タノール中で二酸化白金を用いて二重結合を水素化して
トランス−6ヒドロキシメチルー2−メトキシテトラヒ
ドロピランに導いて旋光度を測定することにより決定し
た。すなわち、J、 Jurczakら: J、Che
+n、 Soc、。
Chem、 Commun、、 540−542頁(1
983)記載の(2s。
983)記載の(2s。
63)−6−ヒドロキシメチル−2−メトキシテトラヒ
ドロピランの旋光度は〔α3g0= +129.7゜(
c=4.3.ベンゼン)であり、本実施例の実測値は[
α〕:0=−1x9.9°(c=1.07.ベンゼン)
であったことより、トランス体は(2R16R)体、一
方のシス体は(2S、6R)体と決定した。
ドロピランの旋光度は〔α3g0= +129.7゜(
c=4.3.ベンゼン)であり、本実施例の実測値は[
α〕:0=−1x9.9°(c=1.07.ベンゼン)
であったことより、トランス体は(2R16R)体、一
方のシス体は(2S、6R)体と決定した。
実施例2
実施例1と同様の試薬量及び操作により(R)−ビナフ
トール−ジクロロチタン錯体の溶液を得、このものをド
ライアイス−アセトン浴で一70℃に冷却した後、グリ
オキシル酸メチル88mg(1ミリモル)を加え、更に
、2−メチル−1,3−ブタジェン136mg (2ミ
’Jモル)を加えた。−30℃で3時間反応した後、炭
酸水素ナトリウム水溶液10−を加え反応を停止し、セ
ライト上で濾過し、ジエチルエーテル20艶で1回、酢
酸エチル20rdで2回抽出を行い無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。
トール−ジクロロチタン錯体の溶液を得、このものをド
ライアイス−アセトン浴で一70℃に冷却した後、グリ
オキシル酸メチル88mg(1ミリモル)を加え、更に
、2−メチル−1,3−ブタジェン136mg (2ミ
’Jモル)を加えた。−30℃で3時間反応した後、炭
酸水素ナトリウム水溶液10−を加え反応を停止し、セ
ライト上で濾過し、ジエチルエーテル20艶で1回、酢
酸エチル20rdで2回抽出を行い無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。
溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(
200メツシユ、展開溶媒はヘキサン:酢酸エチル=1
0:1)で精製し、目的とする光学活性な(6R)−6
−メドキシカルボニルー4−メチルジヒドロビランを3
4■(収率22%)得た。
200メツシユ、展開溶媒はヘキサン:酢酸エチル=1
0:1)で精製し、目的とする光学活性な(6R)−6
−メドキシカルボニルー4−メチルジヒドロビランを3
4■(収率22%)得た。
’)l−NMR(CDC11) δppm ;1.71
(s、3H)、 2.19(dd、J=16.51(z
、J=4.1Hz、1)1)。
(s、3H)、 2.19(dd、J=16.51(z
、J=4.1Hz、1)1)。
2.28(dd、J=16.5Hz、J=9.6)1z
、1ft)、 3.77(s、3H)。
、1ft)、 3.77(s、3H)。
4、18 (d、 J=16.0)lz、 LH)、
4.20(dd、 J=4.1flz。
4.20(dd、 J=4.1flz。
J=9.6Hz、LH)、 4.3Hd、J=16.0
Hz、1)1)、 5.41(m、IH) 光学純度;96%ee 実施例3 実施例1と同様の試薬量及び操作により(R)−ビナフ
トールージクロロチタン錯体の溶液を得、このものをド
ライアイス−アセトン浴で一70℃に冷却した後、グリ
オキシル酸メチル88■(1ミリモル)を加え、更に、
1−ジメチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジ
ェン282■(2ミリモル)を加えた。−30℃で10
時間反応した後、炭酸水素ナトリウム水溶液10mj!
を加え反応を停止し、セライト上で濾過し、ジエチルエ
ーテル20m1!で1回、酢酸エチル20m1!で2回
抽出を行い無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(200メ
ツシユ、展開溶媒はへキサン:酢酸エチル=10:1)
で精製し、目的とする光学活性な6−メドキシカルボニ
ルー2−ジメチルアミノカルボニルオキシジヒドロビラ
ン82■(収率36%)得た。
Hz、1)1)、 5.41(m、IH) 光学純度;96%ee 実施例3 実施例1と同様の試薬量及び操作により(R)−ビナフ
トールージクロロチタン錯体の溶液を得、このものをド
ライアイス−アセトン浴で一70℃に冷却した後、グリ
オキシル酸メチル88■(1ミリモル)を加え、更に、
1−ジメチルアミノカルボニルオキシ−1,3−ブタジ
ェン282■(2ミリモル)を加えた。−30℃で10
時間反応した後、炭酸水素ナトリウム水溶液10mj!
を加え反応を停止し、セライト上で濾過し、ジエチルエ
ーテル20m1!で1回、酢酸エチル20m1!で2回
抽出を行い無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(200メ
ツシユ、展開溶媒はへキサン:酢酸エチル=10:1)
で精製し、目的とする光学活性な6−メドキシカルボニ
ルー2−ジメチルアミノカルボニルオキシジヒドロビラ
ン82■(収率36%)得た。
’H−NMRの結果より、シス体ニドランス体の生成比
は、97:3であった。
は、97:3であった。
’I(−NMR(CDC13)δppm ;シス体:
2.91(s、3H)、 2.93(s、3H)、 2
.97(m、2H)、 3.79(s、3H)、
4.51(dd。
2.91(s、3H)、 2.93(s、3H)、 2
.97(m、2H)、 3.79(s、3H)、
4.51(dd。
J=5.0)1z、J=10.1Hz、1)1)、 5
.80(m、1)1)、 6.11(+n、LH)、
6J6(m、IH)トランス体: 2.91(s、
3H)、 2.93(s、3)1)、 2.97(m、
21() 、 3.79 (s、 3H) 、
4.65(m、IH)、 5.80(m、1)I)、
6.11(m、 1)1) 、 6.36 (m
、 1)1)光学純度; シス体(23,6R)体:88%ee トランス体は収量がごくわずかであるたt測定不能。
.80(m、1)1)、 6.11(+n、LH)、
6J6(m、IH)トランス体: 2.91(s、
3H)、 2.93(s、3)1)、 2.97(m、
21() 、 3.79 (s、 3H) 、
4.65(m、IH)、 5.80(m、1)I)、
6.11(m、 1)1) 、 6.36 (m
、 1)1)光学純度; シス体(23,6R)体:88%ee トランス体は収量がごくわずかであるたt測定不能。
本発明は、触媒として光学活性なビナフトール−チタン
錯体を使用することにより、ジエン化合物とグリオキシ
ル酸エステルとから高い光学純度で光学活性ジヒドロビ
ラン誘導体を製造することができる工業的に優れた方法
である。
錯体を使用することにより、ジエン化合物とグリオキシ
ル酸エステルとから高い光学純度で光学活性ジヒドロビ
ラン誘導体を製造することができる工業的に優れた方法
である。
以上
平成3年1月18日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1及びR^2はそれぞれ水素原子、低級ア
ルキル基又はOR^3基(但し、R^3は低級アルキル
基又はジ低級アルキルカルバモイル基)を示す。但し、
R^1及びR^2が共に水素原子となることはない)で
表わされるジエン化合物と、一般式(III)、▲数式、
化学式、表等があります▼(III) (式中、R^4は低級アルキル基を示す) で表わされるグリオキシル酸エステルとを、式(IV)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Xは塩素原子又は臭素原子を示す)で表わされ
るビナフトール−チタン錯体の存在下に反応せしめるこ
とを特徴とする一般式( I )▲数式、化学式、表等が
あります▼( I ) (式中、R^1、R^2及びR^4は前記と同じ意味を
有する) で表わされる光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235102A JP2711754B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法 |
US07/668,656 US5155240A (en) | 1990-09-05 | 1991-03-13 | Process for producing optically active dihydropyran derivative |
CA002038243A CA2038243A1 (en) | 1990-09-05 | 1991-03-14 | Process for producing optically active dihydropyran derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235102A JP2711754B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117375A true JPH04117375A (ja) | 1992-04-17 |
JP2711754B2 JP2711754B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16981089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2235102A Expired - Fee Related JP2711754B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学活性ジヒドロピラン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2711754B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009215236A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tosoh Finechem Corp | ジヒドロピラン化合物の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP2235102A patent/JP2711754B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2009215236A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tosoh Finechem Corp | ジヒドロピラン化合物の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2711754B2 (ja) | 1998-02-10 |
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