JP7535408B2 - エッチング方法及びプラズマ処理システム - Google Patents
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Description
先ず、一実施形態にかかるプラズマ処理システムについて説明する。図2は、プラズマ処理システム1の構成の概略を示す縦断面図である。プラズマ処理システム1は、容量結合型のプラズマ処理装置を有している。プラズマ処理システム1では、処理対象体としての基板Wに対してプラズマ処理を行う。本実施形態においては、プラズマ処理として、例えばエッチング処理やアッシング処理が行われる。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システム1を用いて行われる基板Wのエッチング処理を含むプラズマ処理方法について説明する。
またここで、本実施形態におけるデポカバー工程においては、少なくとも基板Wの面内において、レジスト膜Rlの先端面(図4の高さH1)と、レジスト膜Rhの先端面(図4の高さH2)との高さ差分(H2-H1)以上厚みでデポカバーDCが形成することが望ましい。
またさらに、形成されたデポカバーDCのレジスト膜Rhの先端面からの厚み(図4の高さH3)が大きい場合、後のトリミング工程にかかる処理時間が増加する。このため、デポカバーDCのレジスト膜Rhの先端面からの厚みH3は小さいほうが好ましい。
図3(a)に示したように表面にエッチング対象層としてのSTN膜、オキサイド膜Ox及びSiN膜と、マスク層としてのレジスト膜Rが積層して形成された基板Wに対して、図3(b)に示したようにレジスト膜Rをマスクとしてレジストパターンを転写した後(エッチング工程)、デポカバー工程及びトリミング工程を施してモホロジーを改善した。
図6は、本実施例の結果を模式的に示す説明図であって、(a)エッチング工程後、デポカバー工程及びトリミング工程を施す前におけるアッシング前後の状態、(b)デポカバー工程後、2分間のトリミング工程を施した後におけるアッシング前後の状態、(c)デポカバー工程後、4分間のトリミング工程を施した後におけるアッシング前後の状態、をそれぞれ示している。
DC デポカバー
Ox オキサイド膜
R レジスト膜
SiN SiN膜
STN STN膜
W 基板
Claims (18)
- 積層して形成されたエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が表面に形成された処理対象体をエッチングする方法であって、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を含み、
前記(A)工程、前記(B)工程及び前記(C)工程を、積層して形成された該エッチング対象層毎に繰り返し行う、エッチング方法。 - (D)前記処理対象体の表面から前記堆積物を除去する工程をさらに含む、請求項1に記載のエッチング方法。
- エッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が表面に形成された処理対象体をエッチングする方法であって、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を含み、
前記(B)工程及び前記(C)工程を、前記(A)工程において前記処理対象体の表面の平坦度の悪化を検知した際に行う、エッチング方法。 - 前記(C)工程においては、前記処理対象体の表面を等方的にエッチングする、請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- エッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が表面に形成された処理対象体をエッチングする方法であって、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を含み、
前記堆積物はフルオロカーボン系ポリマーからなるデポである、エッチング方法。 - 前記エッチング対象層はシリコン含有膜である、請求項1~5のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記マスク層はレジスト膜である、請求項1~6のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記レジスト膜はポリシリコン膜である、請求項7に記載のエッチング方法。
- 前記レジスト膜に、タングステン又はホウ素の少なくともいずれかをドープすることを含む、請求項7又は8に記載のエッチング方法。
- 表面に、積層して形成されたエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が形成された処理対象体にプラズマ処理を行うシステムであって、
プラズマが生成される処理空間を画成するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、前記処理対象体を載置する載置台と、
前記チャンバの内部を排気する排気手段と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給する給気手段と、
前記チャンバの内部における前記プラズマ処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を含み、
前記(A)工程、前記(B)工程及び前記(C)工程を、積層して形成された該エッチング対象層毎に繰り返し行うように、前記プラズマ処理を制御する、プラズマ処理システム。 - 前記制御部は、(D)前記処理対象体の表面から前記堆積物を除去する工程、をさらに行うように前記プラズマ処理を制御する、請求項10に記載のプラズマ処理システム。
- 表面にエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が形成された処理対象体にプラズマ処理を行うシステムであって、
プラズマが生成される処理空間を画成するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、前記処理対象体を載置する載置台と、
前記チャンバの内部を排気する排気手段と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給する給気手段と、
前記チャンバの内部における前記プラズマ処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を含み、
前記(B)工程及び前記(C)工程を、前記(A)工程において前記処理対象体の表面の平坦度の悪化を検知した際に行うように前記プラズマ処理を制御する、プラズマ処理システム。 - 前記制御部は、前記(C)工程においては、前記処理対象体の表面を等方的にエッチングするように前記プラズマ処理を制御する、請求項10~12のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。
- 表面にエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が形成された処理対象体にプラズマ処理を行うシステムであって、
プラズマが生成される処理空間を画成するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、前記処理対象体を載置する載置台と、
前記チャンバの内部を排気する排気手段と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給する給気手段と、
前記チャンバの内部における前記プラズマ処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を前記処理対象体に行うように、前記プラズマ処理を制御し、
前記堆積物はフルオロカーボン系ポリマーからなるデポである、プラズマ処理システム。 - 前記エッチング対象層はシリコン含有膜である、請求項10~14のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。
- 前記マスク層はレジスト膜である、請求項10~15のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。
- 表面にエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が形成された処理対象体にプラズマ処理を行うシステムであって、
プラズマが生成される処理空間を画成するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、前記処理対象体を載置する載置台と、
前記チャンバの内部を排気する排気手段と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給する給気手段と、
前記チャンバの内部における前記プラズマ処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を前記処理対象体に行うように、前記プラズマ処理を制御し、
前記マスク層はレジスト膜であり、
前記レジスト膜はポリシリコン膜である、プラズマ処理システム。 - 表面にエッチング対象層と、該エッチング対象層よりも上層に形成され、かつ予めパターン形成されたマスク層と、が形成された処理対象体にプラズマ処理を行うシステムであって、
プラズマが生成される処理空間を画成するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、前記処理対象体を載置する載置台と、
前記チャンバの内部を排気する排気手段と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給する給気手段と、
前記チャンバの内部における前記プラズマ処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
(A)前記マスク層をマスクとして前記エッチング対象層をエッチングする工程と、
(B)前記処理対象体の表面を堆積物で覆う工程と、
(C)前記堆積物で覆われた前記処理対象体の表面をエッチングして、該表面を平坦化する工程と、を前記処理対象体に行うように、前記プラズマ処理を制御し、
前記マスク層はレジスト膜であり、
前記レジスト膜は、タングステン又はホウ素の少なくともいずれかにドープされることを含む、プラズマ処理システム。
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