JP7506695B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
Manufacturing method of electronic device Download PDFInfo
- Publication number
- JP7506695B2 JP7506695B2 JP2021575746A JP2021575746A JP7506695B2 JP 7506695 B2 JP7506695 B2 JP 7506695B2 JP 2021575746 A JP2021575746 A JP 2021575746A JP 2021575746 A JP2021575746 A JP 2021575746A JP 7506695 B2 JP7506695 B2 JP 7506695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- resin layer
- electronic component
- electronic device
- absorbing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 112
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 112
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 91
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 claims description 48
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 31
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 11
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 4
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 110
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 51
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 29
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 25
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 22
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 18
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 17
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N ethyl ethylene Natural products CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 5
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 4
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229920006164 aromatic vinyl copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002589 poly(vinylethylene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-isocyanatopropan-2-yl)-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C(C)(C)N=C=O)=C1 ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAUGBVWVWDTCJV-UHFFFAOYSA-N 1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCC(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C IAUGBVWVWDTCJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKYRAXWYDRHWOG-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxydodecyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C NKYRAXWYDRHWOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC=C WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(O)C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-ene Chemical compound CC(C)(C)C=C PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 4-methylidene-3,5-dioxabicyclo[5.2.2]undeca-1(9),7,10-triene-2,6-dione Chemical compound C1(C2=CC=C(C(=O)OC(=C)O1)C=C2)=O LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N Adipamide Chemical compound NC(=O)CCCCC(N)=O GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N Methoxyphenone Chemical compound C1=C(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- RBFDCQDDCJFGIK-UHFFFAOYSA-N arsenic germanium Chemical compound [Ge].[As] RBFDCQDDCJFGIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonyl chloride Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)Cl)=CC=C21 OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
- C08J3/28—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
- C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/29—Laminated material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device.
電子装置（例えば、半導体装置）は、電子部品（例えば、半導体ウエハ）の非回路形成面を研削して電子部品の厚みを薄くする工程（バックグラインド工程）や、研削後の電子部品の非回路形成面を表面処理する工程（例えば、イオン注入工程、金属膜形成工程等）等を経て製造される場合がある。
これらの工程において、電子部品の回路形成面を保護する観点から、電子部品の回路形成面に表面保護フィルムが貼り付けられる場合がある。
An electronic device (e.g., a semiconductor device) may be manufactured through a process such as a backgrinding process in which a non-circuit forming surface of an electronic component (e.g., a semiconductor wafer) is ground to reduce the thickness of the electronic component, or a surface treatment process (e.g., an ion implantation process, a metal film formation process, etc.) of the non-circuit forming surface of the electronic component after grinding.
In these steps, in order to protect the circuit-forming surface of the electronic component, a surface protective film may be attached to the circuit-forming surface of the electronic component.
このような表面保護フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２００１－２０３２５５号公報）および特許文献２（特開２００５－３０３０６８号公報）に記載のものが挙げられる。 Examples of technologies relating to such surface protection films include those described in Patent Document 1 (JP Patent Publication No. 2001-203255) and Patent Document 2 (JP Patent Publication No. 2005-303068).
特許文献１には、半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、基材層の片面に弾性率が３０～１０００ｋＰａでありかつゲル分が２０％以下の中間層が設けられ、該中間層の表面に粘着剤層が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シートが記載されている。Patent Document 1 describes an adhesive sheet for holding and protecting semiconductor wafers that is attached to the surface of a semiconductor wafer during processing, characterized in that an intermediate layer having an elastic modulus of 30 to 1000 kPa and a gel content of 20% or less is provided on one side of a base layer, and an adhesive layer is formed on the surface of the intermediate layer.
特許文献２には、半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、基材層の片面に、２５℃における弾性率が１０～１０００ｋＰａでありかつゲル分が２６～４５％の中間層が設けられ、該中間層の表面に粘着剤層が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シートが記載されている。Patent Document 2 describes an adhesive sheet for holding and protecting semiconductor wafers that is attached to the surface of a semiconductor wafer during processing, characterized in that an intermediate layer having an elastic modulus of 10 to 1,000 kPa at 25°C and a gel content of 26 to 45% is provided on one side of a base layer, and an adhesive layer is formed on the surface of the intermediate layer.
本発明者らの検討によれば、従来の電子装置の製造方法において、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きが生じる場合があることが明らかになった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供するものである。
According to the investigations of the present inventors, it has become clear that in the conventional manufacturing method of electronic devices, the adhesive film may become lifted during the surface treatment step under high temperature and vacuum.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method for manufacturing an electronic device that is capable of suppressing lifting of an adhesive film during a surface treatment process under high temperature and vacuum.
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムを使用し、高温真空下での表面処理工程の前に、凹凸吸収性樹脂層を紫外線硬化させることによって、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きを抑制することができることを見出して、本発明を完成させた。The present inventors have conducted extensive research to achieve the above object. As a result, they have discovered that by using an adhesive laminate film having a base layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer in this order as a surface protection film for protecting the circuit formation surface of an electronic component, and by curing the irregularity-absorbing resin layer with ultraviolet light before the surface treatment step under high temperature and vacuum, it is possible to suppress the adhesive film from floating in the surface treatment step under high temperature and vacuum, and have completed the present invention.
本発明によれば、以下に示す電子装置の製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic device as shown below.
［１］
回路形成面を有する電子部品と、ポリエステル系樹脂層を一層含む基材層、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムと、を備え、上記回路形成面を保護するように上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
上記粘着性積層フィルムに対して紫外線を照射することにより、上記粘着性積層フィルムの上記凹凸吸収性樹脂層を硬化させる紫外線硬化工程（Ｂ）と、
真空加熱下で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の表面を処理する表面処理工程（Ｃ）と、
を備える電子装置の製造方法。
［２］
上記［１］に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程（Ａ）は、
上記電子部品の上記回路形成面にバックグラインドテープが貼り付けられた状態で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程と、
上記バックグラインド工程の後に、上記電子部品から上記バックグラインドテープを剥がす工程と、
上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムを貼り付ける工程と、を含む電子装置の製造方法。
［３］
上記［１］または［２］に記載の電子装置の製造方法において、
上記表面処理工程（Ｃ）は、イオン注入工程、金属膜形成工程およびアニール処理工程からなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記表面処理工程（Ｃ）における加熱温度が４０℃以上３５０℃以下である電子装置の製造方法。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面に凹凸構造を含む電子装置の製造方法。
［６］
上記［５］に記載の電子装置の製造方法において、
上記凹凸構造の高さをＨ［μｍ］とし、上記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。
［７］
上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。
［８］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。
［９］
上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
［１０］
上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記粘着性積層フィルムは、上記基材層および上記凹凸吸収性樹脂層を有する積層体の上記凹凸吸収性樹脂層上に、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を積層することにより形成されたフィルムである電子装置の製造方法。
［１１］
上記［１］乃至［１０］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法に用いられる上記粘着性積層フィルムであって、
ポリエステル系樹脂層を一層含む基材層、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルム。
［１２］
上記［１１］に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記基材層および上記凹凸吸収性樹脂層を有する積層体の上記凹凸吸収性樹脂層上に、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を積層することにより形成された粘着性積層フィルム。
[1]
a preparation step (A) of preparing a structure comprising an electronic component having a circuit formation surface, and an adhesive laminate film having, in this order, a base layer including a polyester-based resin layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer, the adhesive laminate film being attached to the circuit formation surface of the electronic component so as to protect the circuit formation surface;
an ultraviolet curing step (B) of curing the unevenness-absorbing resin layer of the adhesive laminated film by irradiating the adhesive laminated film with ultraviolet light;
a surface treatment step (C) of treating a surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface under vacuum heating;
A method for manufacturing an electronic device comprising the steps of:
[2]
In the method for producing an electronic device according to the above-mentioned [1],
The preparation step (A) is
a backgrinding step of backgrinding a surface of the electronic component opposite to the circuit-formation surface with a backgrinding tape attached to the circuit-formation surface of the electronic component;
a step of peeling off the backgrind tape from the electronic component after the backgrinding step;
and attaching the adhesive laminate film to the circuit-formed surface of the electronic component.
[3]
In the method for producing an electronic device according to the above [1] or [2],
The method for producing an electronic device, wherein the surface treatment step (C) includes one or more steps selected from the group consisting of an ion implantation step, a metal film formation step, and an annealing treatment step.
[4]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [3],
The method for producing an electronic device, wherein the heating temperature in the surface treatment step (C) is 40° C. or higher and 350° C. or lower.
[5]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [4],
A method for manufacturing an electronic device, comprising the step of: forming a concave-convex structure on the circuit-forming surface of the electronic component;
[6]
In the method for producing an electronic device according to the above [5],
A method for manufacturing an electronic device, wherein H/d is 0.01 or more and 1 or less, where H [μm] is the height of the uneven structure and d [μm] is the thickness of the unevenness-absorbing resin layer.
[7]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [6],
The method for producing an electronic device, wherein the irregularity-absorbing resin layer contains a crosslinkable resin.
[8]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [7],
The method for producing an electronic device, wherein the unevenness-absorbing resin layer has a thickness of 10 μm or more and 1000 μm or less.
[9]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [8],
A method for producing an electronic device, wherein the adhesive constituting the adhesive resin layer comprises one or more adhesives selected from the group consisting of (meth)acrylic adhesives, silicone adhesives, urethane adhesives, olefin adhesives and styrene adhesives.
[10]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above items [1] to [9],
A method for manufacturing an electronic device, wherein the adhesive laminate film is a film formed by laminating a non-radiation cured adhesive resin layer on the unevenness-absorbing resin layer of a laminate having the base layer and the unevenness-absorbing resin layer.
[11]
The adhesive laminate film used in the method for producing an electronic device according to any one of the above-mentioned [1] to [10],
An adhesive laminated film having, in this order, a substrate layer including a polyester-based resin layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer.
[12]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to the above-mentioned [11],
An adhesive laminated film formed by laminating a non-radiation curable adhesive resin layer on the irregularity-absorbing resin layer of a laminate having the above-mentioned base layer and the above-mentioned irregularity-absorbing resin layer.
本発明によれば、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a method for manufacturing an electronic device can be provided that can suppress the lifting of an adhesive film during a surface treatment process under high temperature and vacuum.
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are given the same reference numerals and the description will be omitted as appropriate. The drawings are schematic and do not correspond to the actual dimensional ratios. Furthermore, the numerical range "A to B" represents A or more and B or less unless otherwise specified. Furthermore, in this embodiment, "(meth)acrylic" means acrylic, methacrylic, or both acrylic and methacrylic.
図１および図２は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。 Figures 1 and 2 are cross-sectional views illustrating a schematic example of a method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の工程（Ａ）、工程（Ｂ）および工程（Ｃ）を含む。
（Ａ）回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、ポリエステル系樹脂層を一層含む基材層２０、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０と、を備え、回路形成面１０Ａを保護するように電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた構造体６０を準備する準備工程
（Ｂ）粘着性積層フィルム５０に対して紫外線を照射することにより、粘着性積層フィルム５０の凹凸吸収性樹脂層３０を硬化させる紫外線硬化工程
（Ｃ）真空加熱下で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の表面を処理する表面処理工程
The method for manufacturing an electronic device according to this embodiment includes the following steps (A), (B) and (C).
(A) a preparation step of preparing a
前述したように、本発明者らの検討によれば、電子装置の製造方法において、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きが生じる場合があることが明らかになった。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品１０の回路形成面１０Ａを保護するための表面保護フィルムとして、基材層２０、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０を使用し、高真空加熱下で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の表面を処理する表面処理工程（Ｃ）の前に、粘着性積層フィルム５０に対して紫外線を照射することにより、粘着性積層フィルム５０の凹凸吸収性樹脂層３０を硬化させる紫外線硬化工程（Ｂ）をおこなうことによって、高温真空下での表面処理工程（Ｃ）において、粘着性積層フィルム５０の浮きを抑制することができることを見出した。
粘着性積層フィルム５０の凹凸吸収性樹脂層３０を硬化させることによって、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を高めることができ、高温真空下での表面処理工程（Ｃ）での粘着性積層フィルム５０の反り等の変形を抑えることができる。その結果、高温真空下での表面処理工程（Ｃ）において、粘着性積層フィルム５０の浮きを抑制することができる。
以上のように、本実施形態に係る電子装置の製造方法によれば、高温真空下での表面処理工程において、粘着性フィルムの浮きを抑制することが可能となる。
As described above, the inventors' investigations have revealed that in the manufacturing method of electronic devices, lifting of the adhesive film may occur in the surface treatment step under high temperature and vacuum.
The present inventors have conducted intensive research to achieve the above-mentioned object. As a result, they have found that, by using an adhesive
By hardening the unevenness-absorbing
As described above, according to the method for manufacturing an electronic device according to this embodiment, it is possible to suppress lifting of the adhesive film in the surface treatment step under high temperature and vacuum.
１．粘着性積層フィルム
以下、本実施形態に係る電子装置の製造方法で用いる粘着性積層フィルム５０について説明する。
1. Adhesive Laminated Film The adhesive
＜基材層＞
基材層２０はポリエステル系樹脂層を一層のみ含むものであり、粘着性積層フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。ポリエステル系樹脂層を構成するポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル系エラストマー等が挙げられる。
基材層２０は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
基材層２０はポリエステル系樹脂層以外の樹脂層を含んでもよい。
ポリエステル系樹脂層以外の樹脂層を構成する樹脂としては、公知の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミドイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリフェニレンスルフィド；ポリフェニレンエーテル；ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー等のエラストマー；等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
また、基材層２０を構成する樹脂としては、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートから選択される少なくとも一種が好ましい。
<Base layer>
The
The
The
The resin constituting the resin layer other than the polyester-based resin layer may be one or more of known thermoplastic resins, such as polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly(4-methyl-1-pentene), and poly(1-butene), polyamides such as nylon-6, nylon-66, and polymetaxylene adipamide, polyacrylates, polymethacrylates, polyvinyl chlorides, polyimides, polyetherimides, polyamideimides, ethylene-vinyl acetate copolymers, polyacrylonitrile, polycarbonates, polystyrenes, ionomers, polysulfones, polyethersulfones, polyetheretherketones, polyphenylene sulfide, polyphenylene ethers, and elastomers such as polyamide-based elastomers and polyimide-based elastomers.
The resin constituting the
基材層２０の融点は１００℃以上であることが好ましい。融点上限は特に限定されず、加工性等を鑑みて選択すればよい。
このような基材層２０を用いると、表面処理工程（Ｃ）において粘着性積層フィルム５０が高温に曝されても粘着性積層フィルム５０の変形や溶融をより一層抑制することができる。
The melting point of the
When such a
基材層２０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層２０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。
The
The resin film used to form the
基材層２０の厚さは、例えば、バックグラインド後の電子部品の反り等を防止する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、さらに好ましくは２５μｍ以上、特に好ましくは５０μｍ以上である。また、粘着性積層フィルム５０を電子部品に貼付ける際の当該粘着性積層フィルム５０のカットしやすさ、粘着性積層フィルム５０の製品形態をロール状にする場合の生産性等の観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、さらに好ましくは２５０μｍ以下、特に好ましくは７５μｍ以下である。
基材層２０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
The thickness of the
The
＜凹凸吸収性樹脂層＞
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、基材層２０と粘着性樹脂層４０との間に紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層３０を有する。
凹凸吸収性樹脂層３０は、粘着性積層フィルム５０の回路形成面１０Ａへの追従性を良好にし、回路形成面１０Ａと粘着性積層フィルム５０との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。さらに、凹凸吸収性樹脂層３０は紫外線照射によって硬化することで、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を高めることを目的として設けられる層である。これによって、高温真空下での表面処理工程（Ｃ）において、粘着性積層フィルム５０の浮きを抑制することが可能となる。
<Irregularity-absorbing resin layer>
The adhesive
The unevenness-absorbing
凹凸吸収性樹脂層３０を構成する樹脂は、凹凸吸収性を示すものであれば特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、および（メタ）アクリル系樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が挙げられる。The resin constituting the unevenness-absorbing
また、凹凸吸収性樹脂層３０は架橋性樹脂を含むことが好ましい。凹凸吸収性樹脂層３０が架橋性樹脂を含むことにより、紫外線硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０をより効果的に紫外線架橋させることができ、凹凸吸収性樹脂層３０の耐熱性をより一層向上させることが可能となる。これにより、表面処理工程（Ｃ）において粘着性積層フィルム５０が高温に曝されても粘着性積層フィルム５０の変形や溶融をより一層抑制することができる。
本実施形態に係る架橋性樹脂としては凹凸吸収性樹脂層３０を形成でき、かつ、紫外線によって架橋して耐熱性が向上する樹脂であれば特に限定されないが、例えば、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンとを含むエチレン・α－オレフィン共重合体、高密度エチレン系樹脂、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、プロピレン（共）重合体、１－ブテン（共）重合体、４－メチルペンテン－１（共）重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体等のエチレン・無水カルボン酸系共重合体；エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体等のエチレン・エポキシ系共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ヘキシル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシエチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシプロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸グリシジル共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・マレイン酸共重合体、エチレン・フマル酸共重合体、エチレン・クロトン酸共重合体等のエチレン・エチレン性不飽和酸共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体；エチレン・スチレン共重合体等；（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体等の不飽和カルボン酸エステル（共）重合体；エチレン・アクリル酸金属塩共重合体、エチレン・メタアクリル酸金属塩共重合体等のアイオノマー樹脂；ウレタン系樹脂；シリコーン系樹脂；アクリル酸系樹脂；メタアクリル酸系樹脂；環状オレフィン（共）重合体；α－オレフィン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル化合物；芳香族ポリエン共重合体；エチレン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；スチレン系樹脂；アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体；スチレン・共役ジエン共重合体；アクリロニトリル・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン・スチレン共重合体；メタアクリル酸・スチレン共重合体；エチレンテレフタレート樹脂；フッ素樹脂；ポリエステルカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー；ポリスチレン系熱可塑性エラストマー；ポリウレタン系熱可塑性エラストマー；１，２－ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー；トランスポリイソプレン系熱可塑性エラストマー；塩素化ポリエチレン系熱可塑性エラストマー；液晶性ポリエステル；ポリ乳酸等から選択される一種または二種以上を用いることができる。
In addition, it is preferable that the unevenness-absorbing
The crosslinkable resin according to the present embodiment is not particularly limited as long as it can form the unevenness-absorbing
これらの中でも、有機過酸化物等の架橋剤を用いた紫外線架橋が容易であることから、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体、１，２－ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーから選択される一種または二種以上を用いることが好ましい。
エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがより好ましい。
エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましい。
これらの中でも、エチレン・α－オレフィン共重合体およびエチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される少なくとも一種が特に好ましく使用される。なお本実施形態においては上述した樹脂は、単独で用いてもよいし、ブレンドして用いてもよい。
Among these, since ultraviolet crosslinking using a crosslinking agent such as an organic peroxide is easy, it is preferable to use one or more selected from ethylene-α-olefin copolymers consisting of ethylene and an α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, low-density ethylene resins, medium-density ethylene resins, very low-density ethylene resins, linear low-density polyethylene (LLDPE) resins, olefin resins such as ethylene-cyclic olefin copolymers, ethylene-α-olefin-cyclic olefin copolymers, ethylene-α-olefin-non-conjugated polyene copolymers, ethylene-α-olefin-conjugated polyene copolymers, ethylene-aromatic vinyl copolymers, and ethylene-α-olefin-aromatic vinyl copolymers; ethylene-unsaturated carboxylic anhydride copolymers, ethylene-α-olefin-unsaturated carboxylic anhydride copolymers, ethylene-epoxy-containing unsaturated compound copolymers, ethylene-α-olefin-epoxy-containing unsaturated compound copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, and ethylene-methacrylic acid copolymers; and 1,2-polybutadiene thermoplastic elastomers.
It is more preferable to use one or more selected from ethylene-α-olefin copolymers consisting of ethylene and an α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, low-density ethylene resins, very low-density ethylene resins, linear low-density polyethylene (LLDPE) resins, ethylene-α-olefin-non-conjugated polyene copolymers, ethylene-α-olefin-conjugated polyene copolymers, ethylene-unsaturated carboxylic anhydride copolymers, ethylene-α-olefin-unsaturated carboxylic anhydride copolymers, ethylene-epoxy-containing unsaturated compound copolymers, ethylene-α-olefin-epoxy-containing unsaturated compound copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, and other ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymers.
It is more preferable to use one or more selected from ethylene-α-olefin copolymers consisting of ethylene and an α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, low-density ethylene resins, very low-density ethylene resins, linear low-density polyethylene (LLDPE) resins, ethylene-α-olefin-non-conjugated polyene copolymers, ethylene-α-olefin-conjugated polyene copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, and other ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymers.
Among these, at least one selected from ethylene/α-olefin copolymer and ethylene/vinyl acetate copolymer is particularly preferably used. In the present embodiment, the above-mentioned resins may be used alone or in combination.
本実施形態における架橋性樹脂として用いられる、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体のα－オレフィンとしては、通常、炭素数３～２０のα－オレフィンを１種類単独でまたは２種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が１０以下であるα－オレフィンであり、とくに好ましいのは炭素数が３～８のα－オレフィンである。このようなα－オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ブテン、３，３－ジメチル－１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン等を挙げることができる。これらの中でも、入手の容易さからプロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテンおよび１－オクテンが好ましい。なお、エチレン・α－オレフィン共重合体はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。In the present embodiment, the α-olefin of the ethylene-α-olefin copolymer, which is made of ethylene and an α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, used as the crosslinkable resin, can be one type of α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, or a combination of two or more types. Among them, α-olefins having 10 or less carbon atoms are preferred, and α-olefins having 3 to 8 carbon atoms are particularly preferred. Examples of such α-olefins include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3,3-dimethyl-1-butene, 4-methyl-1-pentene, 1-octene, 1-decene, and 1-dodecene. Among these, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 4-methyl-1-pentene, and 1-octene are preferred from the viewpoint of ease of availability. The ethylene-α-olefin copolymer may be a random copolymer or a block copolymer, but a random copolymer is preferred from the viewpoint of flexibility.
凹凸吸収性樹脂層３０としては、例えば、一般的な粘着剤に、紫外線硬化性モノマー成分やオリゴマー成分を配合した紫外線硬化性粘着剤を使用することもできる。
一般的な粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
紫外線硬化性モノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマー等が挙げられる。
紫外線硬化性モノマー成分やオリゴマー成分の含有量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系重合体等のベースポリマー１００質量部に対して、例えば５質量部以上５００質量部以下、好ましくは４０質量部以上１５０質量部以下である。
For the irregularity-absorbing
Examples of common pressure-sensitive adhesives include (meth)acrylic pressure-sensitive adhesives, rubber-based pressure-sensitive adhesives, etc. Among these, (meth)acrylic pressure-sensitive adhesives using a (meth)acrylic polymer as a base polymer are preferred.
Examples of the ultraviolet-curable monomer component include urethane oligomer, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, etc. Examples of the ultraviolet-curable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers.
The content of the ultraviolet-curable monomer component or oligomer component is, for example, 5 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, preferably 40 parts by mass or more and 150 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the base polymer such as a (meth)acrylic polymer that constitutes the pressure-sensitive adhesive.
また、凹凸吸収性樹脂層３０としては、ベースポリマーとして、炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた紫外線硬化性粘着剤を用いることができる。
上記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素－炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを用いることができる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系重合体を基本骨格とするものが好ましい。
（メタ）アクリル系重合体への不飽和結合の導入法は特に制限されないが、例えば、（メタ）アクリル系重合体に官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および不飽和結合を有する化合物を、不飽和結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好ましい。（メタ）アクリル系重合体がヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好ましい。炭素－炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、（メタ）アクリル系重合体としては、ヒドロキシ基含有モノマーや２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
Furthermore, for the irregularity-absorbing
The base polymer having a carbon-carbon double bond may be one having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness. As such a base polymer, one having a (meth)acrylic polymer as a basic skeleton is preferable.
The method for introducing an unsaturated bond into a (meth)acrylic polymer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a monomer having a functional group is copolymerized with the (meth)acrylic polymer, and then a compound having a functional group and an unsaturated bond that can react with the functional group is subjected to a condensation or addition reaction while maintaining the ultraviolet curability of the unsaturated bond.
Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferred. It is preferred that the (meth)acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. Examples of isocyanate compounds having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate. In addition, as the (meth)acrylic polymer, a copolymer of a hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like ether-based compound is used.
上記紫外線硬化性粘着剤は、上記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の含有量は、例えば、ベースポリマー１００質量部に対して３０質量部以下が好ましく、１０質量部以下がより好ましい。The ultraviolet-curable adhesive may also contain the ultraviolet-curable monomer or oligomer component. The content of the ultraviolet-curable monomer or oligomer component is, for example, preferably 30 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the base polymer.
紫外線硬化性粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α´－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。The ultraviolet-curable adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of photopolymerization initiators include α-ketol compounds such as 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenylketone; acetophenone compounds such as methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; and ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal. aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime; benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; thioxanthone compounds such as thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acylphosphinoxides; and acylphosphonates.
光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系重合体等のベースポリマー１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましく、粘着剤の保存性を向上させる点から、１５質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。The amount of photopolymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass or more, and more preferably 0.5 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the base polymer, such as a (meth)acrylic polymer, that constitutes the adhesive, and from the viewpoint of improving the storage stability of the adhesive, is preferably 15 parts by mass or less, and more preferably 5 parts by mass or less.
凹凸吸収性樹脂層３０の厚さは、電子部品１０の回路形成面１０Ａの凹凸構造を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上９００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上８００μｍ以下であることがさらに好ましい。The thickness of the unevenness-absorbing
また、電子部品１０の回路形成面１０Ａに存在する凹凸構造の高さをＨ［μｍ］とし、凹凸吸収性樹脂層３０の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが１以下であることが好ましく、０．８５以下であることがより好ましく、０．７以下であることがさらに好ましい。Ｈ／ｄが上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０の厚みをより薄くしつつ、凹凸吸収性をより良好にすることができる。
Ｈ／ｄの下限は特に限定されないが、例えば、０．０１以上である。バンプ電極の高さは、一般的に２μｍ以上６００μｍ以下である。
In addition, when the height of the uneven structure present on the
The lower limit of H/d is not particularly limited, but is, for example, 0.01 or more. The height of the bump electrode is generally 2 μm or more and 600 μm or less.
＜粘着性樹脂層＞
粘着性樹脂層４０は、凹凸吸収性樹脂層３０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム５０を電子部品１０の回路形成面１０Ａに貼り付ける際に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに接触して粘着する層である。
<Adhesive Resin Layer>
The
粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。Examples of adhesives constituting the
粘着性樹脂層４０は、電子部品１０への糊残りを抑制する観点から、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を積層することにより形成されたものであることが好ましい。非放射線硬化型の粘着性樹脂層を構成する粘着剤としては、電子部品１０への接着性、剥離後の電子部品１０の超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性等の観点から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。From the viewpoint of suppressing adhesive residue on the
（メタ）アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の一種または二種以上を単量体成分として用いた重合体等が挙げられる。Examples of (meth)acrylic polymers include polymers using one or more of (meth)acrylic acid alkyl esters (e.g., linear or branched alkyl esters such as methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, octadecyl ester, and eicosyl ester) and (meth)acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl ester) as monomer components.
（メタ）アクリル系重合体は、凝集力や耐熱性等の改質を目的として、必要に応じて、（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル、アクリロイルモルホリン等が挙げられる。これらのモノマー成分は、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。これらの共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分を１００質量％としたとき、５０質量％以下が好ましい。 For the purpose of modifying the cohesive strength, heat resistance, etc., the (meth)acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components that are copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, as necessary. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth)acrylate, 10-hydroxydecyl (meth)acrylate, and the like. ) 12-hydroxylauryl acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate, and other hydroxyl group-containing monomers; styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, and other sulfonic acid group-containing monomers; 2-hydroxyethylacryloylphosphate, and other phosphoric acid group-containing monomers; acrylamide, acrylonitrile, acryloylmorpholine, and the like. These monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 50% by mass or less when the total monomer components are taken as 100% by mass.
（メタ）アクリル系重合体は、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーは、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。多官能性モノマーの使用量は、全モノマー成分を１００質量％としたとき、３０質量％以下が好ましい。 In order to crosslink the (meth)acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like can also be included as a copolymerization monomer component as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, and urethane (meth)acrylate. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of polyfunctional monomer used is preferably 30% by mass or less when the total monomer components are taken as 100% by mass.
（メタ）アクリル系重合体は、一種または二種以上のモノマー成分を含む混合物を重合することにより得ることができる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。電子部品１０への汚染防止等の点から、（メタ）アクリル系重合体の数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万～３００万程度である。The (meth)acrylic polymer can be obtained by polymerizing a mixture containing one or more monomer components. Examples of the polymerization include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination of the
また、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を構成する粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系重合体等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を用いることもできる。外部架橋方法としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等の架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤の使用量は、ベースポリマーによって適宜決定されるが、例えば、ベースポリマー１００質量部に対して好ましくは５質量部以下、より好ましくは０．０１質量部以上５質量部以下である。In addition, an external crosslinking agent can be used in the adhesive constituting the non-radiation curable adhesive resin layer to increase the number average molecular weight of the base polymer, such as a (meth)acrylic polymer. Examples of the external crosslinking method include a method of adding a crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent and reacting it. The amount of the external crosslinking agent used is determined appropriately depending on the base polymer, but is preferably 5 parts by weight or less, more preferably 0.01 parts by weight or more and 5 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the base polymer.
非放射線硬化型の粘着性樹脂層を構成する粘着剤は、必要に応じて、粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤をさらに含んでもよい。The adhesive constituting the non-radiation curable adhesive resin layer may further contain additives such as a tackifier and an anti-aging agent, if necessary.
粘着性樹脂層４０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。The thickness of the
粘着性樹脂層４０は、例えば、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０～２００℃の温度範囲において、１０秒～１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０～１７０℃において、１５秒～５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０～８０℃において５～３００時間程度加熱してもよい。
The
The adhesive coating liquid can be coated by a conventional coating method such as a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, a die coater method, etc. There is no particular restriction on the drying conditions of the coated adhesive, but it is generally preferable to dry the coated adhesive at a temperature range of 80 to 200°C for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, the coated adhesive is dried at 80 to 170°C for 15 seconds to 5 minutes. In order to sufficiently promote the crosslinking reaction between the crosslinking agent and the adhesive, the adhesive coating liquid may be heated at 40 to 80°C for about 5 to 300 hours after drying is completed.
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以上３００μｍ以下である。The overall thickness of the
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、各層の間に接着層（図示せず）を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。The
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、例えば、基材層２０および凹凸吸収性樹脂層３０を有する積層体の凹凸吸収性樹脂層３０上に、粘着性樹脂層４０を積層することにより形成することができる。The
２．電子装置の製造方法
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。
2. Method for Manufacturing Electronic Device Next, each step of the method for manufacturing an electronic device according to this embodiment will be described.
（工程（Ａ））
はじめに、回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、基材層２０、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０と、を備え、回路形成面１０Ａを保護するように電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた構造体６０を準備する。
(Step (A))
First, a
このような構造体６０は、例えば、図２に示すように、電子部品１０の回路形成面１０Ａにバックグラインドテープ８０が貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドするバックグラインド工程（Ａ１）、バックグラインド工程（Ａ１）の後に、電子部品１０からバックグラインドテープ８０を剥がす工程（Ａ２）と、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける工程（Ａ３）とをおこなうことによって作製することができる。Such a
バックグラインド工程（Ａ１）では、バックグラインドテープ８０に貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドする。
ここで、バックグラインドするとは、電子部品１０を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
電子部品１０のバックグラインドは、公知の方法で行うことができる。例えば、研削機のチャックテーブル等に電子部品１０を固定し、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃを研削する方法が挙げられる。
また、バックグラインドテープ８０としては、特に限定されず、一般的に公知のバックグラインドテープを用いることができる。
In the backgrinding step (A1), a
Here, back grinding means thinning the
The back grinding of the
The
裏面研削方式としては特に限定されないが、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品１０と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。The back grinding method is not particularly limited, but any known grinding method such as the through-feed method or the in-feed method can be used. In each case, grinding can be performed while spraying water on the
バックグラインドテープ８０に貼り付けられた電子部品１０としては回路形成面１０Ａを有する電子部品１０であれば特に限定されないが、例えば、半導体ウエハ、モールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられる。
また、半導体基板としては、例えば、シリコン基板、サファイア基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム－ヒ素基板、ガリウム－リン基板、ガリウム－ヒ素－アルミニウム基板、ガリウム－ヒ素基板、タンタル酸リチウム基板等が挙げられる。
The
Examples of the semiconductor substrate include a silicon substrate, a sapphire substrate, a germanium substrate, a germanium-arsenic substrate, a gallium-phosphorus substrate, a gallium-arsenic-aluminum substrate, a gallium-arsenic substrate, and a lithium tantalate substrate.
また、電子部品１０はどのような用途の電子部品であってもよいが、例えば、ロジック用（例えば、通信用、高周波信号処理用等）、メモリ用、センサー用、電源用の電子部品等が挙げられる。これらは、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。The
電子部品１０の回路形成面１０Ａは、例えば、電極からなる凹凸構造１０Ｂを含む。
電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
The
The metal species constituting the electrodes is not particularly limited, and examples thereof include silver, gold, copper, tin, lead, bismuth, and alloys thereof. These metal species may be used alone or in combination of two or more.
バックグラインド工程（Ａ１）の後に、電子部品１０からバックグラインドテープ８０を剥がす方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。
また、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける方法も特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の粘着性積層フィルム５０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。
After the backgrinding step (A1), the method for peeling off the
The method for attaching the
（工程（Ｂ））
次いで、粘着性積層フィルム５０に対して紫外線を照射することにより、粘着性積層フィルム５０の凹凸吸収性樹脂層３０を硬化させる。これにより、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を向上させることができる。こうすることで、工程（Ｃ）において粘着性積層フィルム５０が高温に曝されても粘着性積層フィルム５０の変形を抑制することができるため、高温真空下での表面処理工程（Ｃ）において、粘着性積層フィルム５０の浮きを抑制することが可能となる。
(Step (B))
Next, the
凹凸吸収性樹脂層３０に紫外線を照射することによって、凹凸吸収性樹脂層３０を架橋させて硬化させることができる。
紫外線は、例えば、粘着性積層フィルム５０の基材層２０側の面から照射される。
By irradiating the irregularity-absorbing
For example, the ultraviolet light is applied to the surface of the
（工程（Ｃ））
次いで、真空加熱下で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃを処理する。この表面処理工程（Ｃ）によって、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに表面層７０を形成することができる。
表面処理工程（Ｃ）としては電子装置の製造工程においておこなわれる高温真空下における表面処理であれば特に限定されないが、例えば、イオン注入工程、金属膜形成工程およびアニール処理工程等が挙げられる。これらの工程は一種を単独でおこなってもよいし、二種以上を組み合わせておこなってもよい。
ここで、通常はイオン注入工程後にアニール処理工程をおこなう。また、金属膜形成工程としては、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに、銅やアルミ等の金属薄膜を形成する工程（バックメタル工程）等が挙げられる。金属薄膜の形成は、例えば、スパッタリング、蒸着、めっき、ＣＶＤ等によりおこなうことができる。
(Step (C))
Next, under vacuum heating,
The surface treatment step (C) is not particularly limited as long as it is a surface treatment carried out under high temperature and vacuum in the manufacturing process of an electronic device, and examples thereof include an ion implantation step, a metal film formation step, and an annealing treatment step, etc. These steps may be carried out alone or in combination of two or more.
Here, an annealing process is usually performed after the ion implantation process. The metal film forming process includes a process (back metal process) of forming a metal thin film of copper, aluminum, or the like on the
表面処理工程（Ｃ）における加熱温度は表面処理工程によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、４０℃以上３５０℃以下であり、好ましくは１００℃以上３５０℃以下であり、より好ましくは１２０℃以上３００℃以上である。The heating temperature in the surface treatment step (C) is not particularly limited as it is set appropriately depending on the surface treatment step, but is, for example, 40°C or higher and 350°C or lower, preferably 100°C or higher and 350°C or lower, and more preferably 120°C or higher and 300°C or higher.
（工程（Ｄ））
また、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程（Ｃ）の後に電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｄ）をさらにおこなってもよい。この工程（Ｄ）をおこなうことで、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離することができる。剥離温度は、例えば２０～１００℃である。
電子部品１０と粘着性積層フィルム５０との剥離は、公知の方法で行うことができる。
(Step (D))
Furthermore, in the method for producing an electronic device according to the present embodiment, after step (C), a step (D) of peeling the
The
（その他の工程）
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
(Other processes)
The method for manufacturing an electronic device according to this embodiment may include other steps in addition to those described above. As the other steps, steps known in the art for manufacturing electronic devices can be used.
例えば、ダイシング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、フリップチップ接続工程、キュア加温テスト工程、不純物活性化アニール処理工程、封止工程、リフロー工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。For example, any process commonly performed in the manufacturing process of electronic components, such as a dicing process, a die bonding process, a wire bonding process, a flip chip connection process, a cure heating test process, an impurity activation annealing process, a sealing process, a reflow process, etc., may be further performed.
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 The above describes embodiments of the present invention, but these are merely examples of the present invention and various configurations other than those described above can also be adopted.
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。The present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, etc. that are within the scope of achieving the object of the present invention are included in the present invention.
この出願は、２０２０年２月４日に出願された日本出願特願２０２０－０１６７７６号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-016776, filed on February 4, 2020, the disclosure of which is incorporated herein in its entirety.
１０ 電子部品
１０Ａ 回路形成面
１０Ｂ 凹凸構造
１０Ｃ 回路形成面とは反対側の表面
２０ 基材層
３０ 凹凸吸収性樹脂層
４０ 粘着性樹脂層
５０ 粘着性積層フィルム
６０ 構造体
７０ 表面層
８０ バックグラインドテープ
10
Claims (12)
前記粘着性積層フィルムに対して紫外線を照射することにより、前記粘着性積層フィルムの前記凹凸吸収性樹脂層を硬化させる紫外線硬化工程（Ｂ）と、
真空加熱下で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の表面を処理する表面処理工程（Ｃ）と、
を備え、
前記準備工程（Ａ）は、
前記電子部品の前記回路形成面にバックグラインドテープが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程と、
前記バックグラインド工程の後に、前記電子部品から前記バックグラインドテープを剥がす工程と、
前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムを貼り付ける工程と、を含む電子装置の製造方法。 a preparation step (A) of preparing a structure comprising an electronic component having a circuit formation surface, and an adhesive laminate film having a base layer including a polyester-based resin layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer, in this order, in which the adhesive laminate film is attached to the circuit formation surface of the electronic component so as to protect the circuit formation surface;
an ultraviolet curing step (B) of curing the unevenness-absorbing resin layer of the adhesive laminated film by irradiating the adhesive laminated film with ultraviolet light;
a surface treatment step (C) of treating a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface under vacuum heating;
Equipped with
The preparation step (A) includes:
a backgrinding step of backgrinding a surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface with a backgrinding tape attached to the circuit-forming surface of the electronic component;
After the backgrinding step, peeling the backgrind tape from the electronic component;
and attaching the adhesive laminate film to the circuit-forming surface of the electronic component.
前記粘着性積層フィルムに対して紫外線を照射することにより、前記粘着性積層フィルムの前記凹凸吸収性樹脂層を硬化させる紫外線硬化工程（Ｂ）と、
真空加熱下で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の表面を処理する表面処理工程（Ｃ）と、
を備え、
前記表面処理工程（Ｃ）は、イオン注入工程、バックメタル工程およびアニール処理工程からなる群から選択される一種または二種以上を含み、
前記準備工程（Ａ）は、
前記電子部品の前記回路形成面にバックグラインドテープが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程と、
前記バックグラインド工程の後に、前記電子部品から前記バックグラインドテープを剥がす工程と、
前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムを貼り付ける工程と、を含む電子装置の製造方法。 a preparation step (A) of preparing a structure comprising an electronic component having a circuit formation surface, and an adhesive laminate film having a base layer including a polyester-based resin layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer, in this order, in which the adhesive laminate film is attached to the circuit formation surface of the electronic component so as to protect the circuit formation surface;
an ultraviolet curing step (B) of curing the unevenness-absorbing resin layer of the adhesive laminated film by irradiating the adhesive laminated film with ultraviolet light;
a surface treatment step (C) of treating a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface under vacuum heating;
Equipped with
The surface treatment step (C) includes one or more steps selected from the group consisting of an ion implantation step, a backmetal step, and an annealing treatment step,
The preparation step (A) includes:
a backgrinding step of backgrinding a surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface with a backgrinding tape attached to the circuit-forming surface of the electronic component;
After the backgrinding step, peeling the backgrind tape from the electronic component;
and attaching the adhesive laminate film to the circuit-forming surface of the electronic component.
前記表面処理工程（Ｃ）は、イオン注入工程、金属膜形成工程およびアニール処理工程からなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。 2. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the surface treatment step (C) includes one or more steps selected from the group consisting of an ion implantation step, a metal film formation step, and an annealing treatment step.
前記表面処理工程（Ｃ）における加熱温度が４０℃以上３５０℃以下である電子装置の製造方法。 4. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, further comprising the steps of :
The method for producing an electronic device, wherein the heating temperature in the surface treatment step (C) is 40° C. or higher and 350° C. or lower.
前記電子部品の前記回路形成面に凹凸構造を含む電子装置の製造方法。 5. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, further comprising the steps of :
A method for manufacturing an electronic device, comprising the step of: forming a concave-convex structure on the circuit-forming surface of the electronic component;
前記凹凸構造の高さをＨ［μｍ］とし、前記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。 6. The method for manufacturing an electronic device according to claim 5 ,
A method for manufacturing an electronic device, wherein when the height of the uneven structure is H [μm] and the thickness of the unevenness-absorbing resin layer is d [μm], H/d is 0.01 or more and 1 or less.
前記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。 7. The method of claim 1, further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the irregularity-absorbing resin layer contains a crosslinkable resin.
前記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。 8. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1 , further comprising the steps of :
The method for producing an electronic device, wherein the unevenness-absorbing resin layer has a thickness of 10 μm or more and 1000 μm or less.
前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。 9. The method of claim 1, further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the adhesive constituting the adhesive resin layer comprises one or more adhesives selected from a (meth)acrylic adhesive, a silicone adhesive, a urethane adhesive, an olefin adhesive, and a styrene adhesive.
前記粘着性積層フィルムは、前記基材層および前記凹凸吸収性樹脂層を有する積層体の前記凹凸吸収性樹脂層上に、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を積層することにより形成されたフィルムである電子装置の製造方法。 10. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
A method for manufacturing an electronic device, wherein the adhesive laminate film is a film formed by laminating a non-radiation cured adhesive resin layer on the unevenness-absorbing resin layer of a laminate having the base layer and the unevenness-absorbing resin layer.
ポリエステル系樹脂層を一層含む基材層、紫外線硬化型の凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルム。 The adhesive laminated film used in the method for producing an electronic device according to any one of claims 1 to 10 ,
An adhesive laminated film having, in this order, a substrate layer including a polyester-based resin layer, an ultraviolet-curable irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer.
前記基材層および前記凹凸吸収性樹脂層を有する積層体の前記凹凸吸収性樹脂層上に、非放射線硬化型の粘着性樹脂層を積層することにより形成された粘着性積層フィルム。 The adhesive laminated film according to claim 11 ,
An adhesive laminated film formed by laminating a non-radiation curable adhesive resin layer on the irregularity-absorbing resin layer of a laminate having the base layer and the irregularity-absorbing resin layer.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020016776 | 2020-02-04 | ||
| JP2020016776 | 2020-02-04 | ||
| PCT/JP2021/002753 WO2021157441A1 (en) | 2020-02-04 | 2021-01-27 | Method for producing electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021157441A1 JPWO2021157441A1 (en) | 2021-08-12 |
| JP7506695B2 true JP7506695B2 (en) | 2024-06-26 |
Family
ID=77199472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021575746A Active JP7506695B2 (en) | 2020-02-04 | 2021-01-27 | Manufacturing method of electronic device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7506695B2 (en) |
| TW (1) | TW202132506A (en) |
| WO (1) | WO2021157441A1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018195840A (en) | 2016-07-26 | 2018-12-06 | 三井化学東セロ株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| WO2019017226A1 (en) | 2017-07-20 | 2019-01-24 | 三井化学東セロ株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
| JP2019065168A (en) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三井化学東セロ株式会社 | Adhesive film |
| WO2019188543A1 (en) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device manufacturing method |
-
2021
- 2021-01-27 JP JP2021575746A patent/JP7506695B2/en active Active
- 2021-01-27 WO PCT/JP2021/002753 patent/WO2021157441A1/en active Application Filing
- 2021-02-01 TW TW110103620A patent/TW202132506A/en unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018195840A (en) | 2016-07-26 | 2018-12-06 | 三井化学東セロ株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| WO2019017226A1 (en) | 2017-07-20 | 2019-01-24 | 三井化学東セロ株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
| JP2019065168A (en) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三井化学東セロ株式会社 | Adhesive film |
| WO2019188543A1 (en) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2021157441A1 (en) | 2021-08-12 |
| TW202132506A (en) | 2021-09-01 |
| WO2021157441A1 (en) | 2021-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101417205B1 (en) | Dicing/die bonding film | |
| KR101688236B1 (en) | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface | |
| KR101370771B1 (en) | Dicing die-bonding film | |
| KR101420993B1 (en) | Dicing die-bonding film | |
| JP4970863B2 (en) | Workpiece processing method | |
| JP4261260B2 (en) | Semiconductor wafer grinding method and semiconductor wafer grinding adhesive sheet | |
| US20100129986A1 (en) | Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device | |
| US20070137782A1 (en) | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device | |
| US20110008949A1 (en) | Adhesive sheet for dicing semiconductor wafer and method for dicing semiconductor wafer using the same | |
| EP2733728A1 (en) | Method for manufacturing electronic component and adhesive sheet used in method for manufacturing electronic component | |
| JP2008060151A (en) | Method of semiconductor wafer back processing, method of substrate back processing, and radiation-curable pressure-sensitive adhesive sheet | |
| JP2004134689A (en) | Dicing and die bond film | |
| KR20160107210A (en) | Film-like adhesive, dicing tape with film-like adhesive, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| JP6670177B2 (en) | Die bond film, dicing die bond film, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2003007646A (en) | Adhesive sheet for dicing and method of manufacturing cut chip | |
| JP4689075B2 (en) | Protective sheet for semiconductor wafer processing | |
| JP7252945B2 (en) | Self-adhesive film and electronic device manufacturing method | |
| CN111748290A (en) | Dicing tape with adhesive film | |
| JP7440632B2 (en) | Electronic device manufacturing method | |
| JP2010209158A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet and processing method of semiconductor wafer using the same | |
| JP7506695B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| JP4804625B2 (en) | Protective sheet for processing semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer | |
| JP7464706B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| JP7440633B2 (en) | Electronic device manufacturing method | |
| JP7566480B2 (en) | Protective sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220705 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230711 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230911 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240229 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240311 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240611 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240614 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7506695 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |