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JP7464706B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents

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JP7464706B2 JP2022524459A JP2022524459A JP7464706B2 JP 7464706 B2 JP7464706 B2 JP 7464706B2 JP 2022524459 A JP2022524459 A JP 2022524459A JP 2022524459 A JP2022524459 A JP 2022524459A JP 7464706 B2 JP7464706 B2 JP 7464706B2
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Description

本発明は、粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an adhesive laminate film and an electronic device.

電子装置(例えば、半導体装置)の製造工程では、電子部品(例えば、半導体ウエハ)の非回路形成面(裏面)を保護する観点から、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程をおこなう場合がある。
このような熱硬化性保護フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献1(特開2017-1188号公報)に記載のものが挙げられる。
In the manufacturing process of an electronic device (e.g., a semiconductor device), a process of attaching a thermosetting protective film to a non-circuit-forming surface (back surface) of an electronic component (e.g., a semiconductor wafer) may be performed in order to protect the non-circuit-forming surface (back surface) of the electronic component.
Examples of techniques related to such thermosetting protective films include those described in Patent Document 1 (JP 2017-1188 A).

特許文献1には、非導電性無機材料で構成された保護層と、上記保護層の一方の面に設けられた接着剤層とを具備する半導体用保護フィルムが記載されている。Patent document 1 describes a protective film for semiconductors that has a protective layer made of a non-conductive inorganic material and an adhesive layer provided on one side of the protective layer.

特開2017-1188号公報JP 2017-1188 A

近年の傾向として電子部品の厚みが薄くなってきている。本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際や、バックグラインド工程後に電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルCSPの様に封止樹脂と半導体が一体化されており当該封止樹脂の厚みが比較的厚い場合は、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しくなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。In recent years, electronic components have become thinner. According to the inventors' study, it has become clear that as electronic components become thinner, in conventional electronic device manufacturing methods, warping tends to occur more easily when a thermosetting protective film is attached to the non-circuit-forming surface of an electronic component and then the protective film is thermally cured, or after a back-grinding process. In particular, warping tends to occur more easily when the sealing resin and the semiconductor are integrated, such as in a wafer-level CSP, and the sealing resin is relatively thick. When electronic components warp, handling of the electronic components becomes difficult, and cracks occur in the electrodes.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の反りを抑制しつつ当該電子部品や周辺装置への汚染を抑制することが可能な粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法を提供するものである。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides an adhesive laminated film and a method for manufacturing an electronic device that can suppress warping of electronic components while suppressing contamination of the electronic components and peripheral devices.

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層、融点が特定の範囲にあるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含む凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、架橋剤の含有量が特定の範囲にある粘着性積層フィルムを使用することにより、電子部品の反りを抑制しつつ、粘着性フィルムに伴う電子部品や周辺装置への汚染(特に粘着性積層フィルムを構成する樹脂の染み出し)が抑制できることを見出して、本発明を完成させた。The present inventors have conducted extensive research to achieve the above object. As a result, they have found that by using an adhesive laminate film having, in this order, a base layer, an unevenness-absorbing resin layer containing an ethylene copolymer having a melting point in a specific range and a crosslinking agent, and an adhesive resin layer, with the crosslinking agent content in a specific range, as a surface protection film for protecting the circuit formation surface of an electronic component, it is possible to suppress warping of the electronic component while suppressing contamination of the electronic component and peripheral devices associated with the adhesive film (particularly the seepage of the resin constituting the adhesive laminate film), and thus completed the present invention.

本発明によれば、以下に示す粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided a method for producing an adhesive laminate film and an electronic device as shown below.

[1]
基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルムであって、
上記凹凸吸収性樹脂層は、融点が40℃以上80℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、
上記凹凸吸収性樹脂層中の上記架橋剤の含有量が、上記エチレン系共重合体100質量部に対して、0.06質量部以上0.60質量部以下である粘着性積層フィルム。
[2]
上記[1]に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記エチレン系共重合体がエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を含む粘着性積層フィルム。
[3]
上記[2]に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む粘着性積層フィルム。
[4]
上記[1]乃至[3]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記架橋剤が光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む粘着性積層フィルム。
[5]
上記[1]乃至[4]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
バックグラインドテープである粘着性積層フィルム。
[6]
上記[1]乃至[5]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記凹凸吸収性樹脂層が架橋助剤をさらに含む粘着性積層フィルム。
[7]
上記[6]に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記架橋助剤が、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
[8]
上記[1]乃至[7]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記基材層を構成する樹脂がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
[9]
上記[1]乃至[7]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記基材層を構成する樹脂がポリエチレンナフタレートを含む粘着性積層フィルム。
[10]
上記[1]乃至[9]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記凹凸吸収性樹脂層の厚みが10μm以上1000μm以下である粘着性積層フィルム。
[11]
上記[1]乃至[10]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が(メタ)アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
[12]
回路形成面を有する電子部品と、上記電子部品の上記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程(A)と、
上記構造体を加熱することにより、上記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程(B)と、
を備える電子装置の製造方法であって
上記粘着性積層フィルムが上記[1]乃至[11]のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムである電子装置の製造方法。
[13]
上記[12]に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程(A)は、
上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記粘着性積層フィルムにおける上記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
[14]
上記[13]に記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が50℃以上90℃以下である電子装置の製造方法。
[15]
上記[13]または[14]に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程(A)は、上記硬化工程の前に、上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
[16]
上記[12]乃至[15]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記熱硬化工程(B)における加熱温度が120℃以上170℃以下である電子装置の製造方法。
[17]
上記[12]乃至[16]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
[18]
上記[17]に記載の電子装置の製造方法において、
上記バンプ電極の高さをH[μm]とし、上記凹凸吸収性樹脂層の厚みをd[μm]としたとき、H/dが0.01以上1以下である電子装置の製造方法。
[1]
An adhesive laminated film used to protect a circuit-forming surface of an electronic component, the adhesive laminate comprising a base layer, an irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer in this order,
The unevenness-absorbing resin layer includes an ethylene copolymer having a melting point of 40° C. or more and 80° C. or less, and a crosslinking agent,
The content of the crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer is from 0.06 parts by mass to 0.60 parts by mass relative to 100 parts by mass of the ethylene copolymer.
[2]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to the above-mentioned [1],
The ethylene-based copolymer comprises at least one selected from the group consisting of ethylene/α-olefin copolymers and ethylene/vinyl ester copolymers.
[3]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to the above-mentioned [2],
The adhesive laminated film, wherein the ethylene-vinyl ester copolymer comprises an ethylene-vinyl acetate copolymer.
[4]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [3],
The adhesive laminated film, wherein the crosslinking agent comprises at least one member selected from the group consisting of a photocrosslinking initiator and an organic peroxide.
[5]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [4],
An adhesive laminated film that is a backgrind tape.
[6]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [5],
The adhesive laminated film, wherein the unevenness-absorbing resin layer further contains a crosslinking assistant.
[7]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to the above-mentioned [6],
The crosslinking auxiliary comprises one or more compounds selected from the group consisting of divinyl aromatic compounds, cyanurate compounds, diallyl compounds, acrylate compounds, triallyl compounds, oxime compounds and maleimide compounds.
[8]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [7],
The adhesive laminated film, wherein the resin constituting the base layer contains one or more resins selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyimide.
[9]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [7],
An adhesive laminate film, wherein the resin constituting the base layer contains polyethylene naphthalate.
[10]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [9],
The thickness of the unevenness-absorbing resin layer is from 10 μm to 1000 μm.
[11]
In the pressure-sensitive adhesive laminate film according to any one of the above [1] to [10],
An adhesive laminate film, wherein the adhesive constituting the adhesive resin layer comprises one or more adhesives selected from the group consisting of (meth)acrylic adhesives, silicone adhesives, urethane adhesives, olefin adhesives and styrene adhesives.
[12]
An electronic component having a circuit formation surface, an adhesive laminate film attached to the circuit formation surface side of the electronic component, and a thermosetting protective film attached to a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface;
A preparation step (A) of preparing a structure comprising:
a heat curing step (B) of heat curing the thermosetting protective film by heating the structure;
The method for producing an electronic device, comprising:
[13]
In the method for producing an electronic device according to the above [12],
The preparation step (A) is
a curing step of thermally curing or ultraviolet curing the unevenness-absorbing resin layer in the adhesive laminated film in a state where the adhesive laminated film is attached to the circuit-forming surface of the electronic component;
attaching the thermosetting protective film to a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface;
A method for manufacturing an electronic device comprising the steps of:
[14]
In the method for producing an electronic device according to the above [13],
A method for manufacturing an electronic device, wherein the heating temperature in the step of attaching the thermosetting protective film to the surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface is 50° C. or higher and 90° C. or lower.
[15]
In the method for producing an electronic device according to the above [13] or [14],
The preparation step (A) is a method for manufacturing an electronic device, the method including a back-grinding step of back-grinding a surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface, with the adhesive laminate film attached to the circuit-forming surface of the electronic component, prior to the curing step.
[16]
In the method for manufacturing an electronic device according to any one of the above [12] to [15],
The method for producing an electronic device, wherein the heating temperature in the thermal curing step (B) is 120° C. or higher and 170° C. or lower.
[17]
In the method for producing an electronic device according to any one of the above items [12] to [16],
The method for manufacturing an electronic device, wherein the circuit formation surface of the electronic component includes bump electrodes.
[18]
In the method for producing an electronic device according to the above [17],
A method for manufacturing an electronic device, wherein when the height of the bump electrode is H [μm] and the thickness of the irregularity-absorbing resin layer is d [μm], H/d is 0.01 or more and 1 or less.

本発明によれば、電子部品の反りを抑制しつつ当該電子部品や周辺装置への汚染を抑制することが可能な粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法を提供することができる。 The present invention provides an adhesive laminate film and a method for manufacturing an electronic device that can suppress warping of electronic components while suppressing contamination of the electronic components and peripheral devices.

本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルムの一例を模式的に示した断面図である。1 is a cross-sectional view showing a schematic example of an adhesive laminate film according to an embodiment of the present invention. 本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。1A to 1C are cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「A~B」は特に断りがなければ、A以上B以下を表す。また、本実施形態において、「(メタ)アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are given the same reference numerals and the description will be omitted as appropriate. The drawings are schematic and do not correspond to the actual dimensional ratios. Furthermore, the numerical range "A to B" represents A or more and B or less unless otherwise specified. Furthermore, in this embodiment, "(meth)acrylic" means acrylic, methacrylic, or both acrylic and methacrylic.

1.粘着性積層フィルム
図1は、本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルム50の一例を模式的に示した断面図である。
本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、基材層20と、凹凸吸収性樹脂層30と、粘着性樹脂層40と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルム50であって、凹凸吸収性樹脂層30は、融点が40℃以上80℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、凹凸吸収性樹脂層30中の架橋剤の含有量が、エチレン系共重合体100質量部に対して、0.06質量部以上0.60質量部以下である。
エチレン系共重合体の融点は、示差走査熱量計(DSC)により測定される。
1. Adhesive Laminated Film Fig. 1 is a cross-sectional view that shows a schematic example of an adhesive laminated film 50 according to an embodiment of the present invention.
The adhesive laminate film 50 of this embodiment comprises a base layer 20, an unevenness-absorbing resin layer 30, and an adhesive resin layer 40, in this order, and is an adhesive laminate film 50 used to protect the circuit formation surface of an electronic component, wherein the unevenness-absorbing resin layer 30 contains an ethylene-based copolymer having a melting point of 40°C or more and 80°C or less, and a crosslinking agent, and the content of the crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer 30 is 0.06 parts by mass or more and 0.60 parts by mass or less per 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.
The melting point of the ethylene copolymer is measured by differential scanning calorimetry (DSC).

前述したように、本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際や、バックグラインド工程後に電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルCSPの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層20、融点が40℃以上80℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含む凹凸吸収性樹脂層30および粘着性樹脂層40をこの順番に有し、架橋剤の含有量が上記範囲にある粘着性積層フィルム50を使用することにより、電子部品の反りを抑制しつつ、粘着性フィルムに伴う電子部品や周辺装置への汚染(特に粘着性積層フィルムを構成する樹脂の染み出し)が抑制できることを見出した。
以上のように、本実施形態に係る粘着性積層フィルム50によれば、電子部品の反りを抑制することが可能となる。
As described above, according to the study by the present inventors, it has become clear that as the thickness of an electronic component becomes thinner, the electronic component tends to be more likely to warp when the thermosetting protective film is thermally cured after being attached to the non-circuit forming surface of the electronic component or after the back grinding process in the conventional manufacturing method for electronic devices. In particular, when the resin and the semiconductor are integrated as in a wafer level CSP and the thickness of the resin is relatively thick, the electronic component tends to be more likely to warp. When the electronic component warps, it becomes difficult to handle the electronic component or cracks occur in the electrodes.
The present inventors have conducted extensive research to achieve the above-mentioned object. As a result, they have found that by using an adhesive laminated film 50 having, in this order, a base layer 20, an ethylene copolymer having a melting point of 40° C. or more and 80° C. or less, and a crosslinking agent, and an unevenness-absorbing resin layer 30 and an adhesive resin layer 40, in which the content of the crosslinking agent is within the above-mentioned range, as a surface protection film for protecting the circuit-forming surface of an electronic component, it is possible to suppress the warping of the electronic component while suppressing the contamination of the electronic component and peripheral devices caused by the adhesive film (particularly the seepage of the resin constituting the adhesive laminated film).
As described above, the adhesive laminated film 50 according to this embodiment makes it possible to suppress warping of electronic components.

本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、電子装置の製造工程において、電子部品の表面を保護したり、電子部品を固定したりするために用いられ、より具体的には電子装置の製造工程の一つである電子部品を研削する工程(バックグラインド工程とも呼ぶ)において電子部品の回路形成面(すなわち回路パターンを含む回路面)を保護するために使用するバックグラインドテープとして好適に用いられる。具体的には電子部品の回路形成面に粘着性積層フィルム50を貼付けて保護し、当該回路形成面とは反対側の面を研削する工程に用いられる。回路形成面にバンプ電極を有する場合、凹凸吸収性樹脂層30を備える本実施形態に係る粘着性積層フィルム50を好適に適用することができる。
また、本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、例えば、ダイシング工程や転写工程等において表面凹凸を有する電子部品(例えば、半導体ウエハ、封止ウエハ等)の保護や保持に使用する粘着性フィルム;表面凹凸を有する電子部品(例えば、半導体チップや半導体パッケージ等)を仮固定するための粘着性フィルム;電子部品(例えば、半導体ウエハ等)のドライポリッシュ、電子部品(例えば、半導体ウエハ等)の裏面保護用部材の貼り付け・硬化、電子部品(例えば、半導体パッケージ等)への電磁波シールド膜の形成、電子部品(例えば、半導体ウエハ等)の裏面への金属膜形成等の90℃以上の加熱工程で使用する粘着性フィルムとしても用いることができる。
The adhesive laminated film 50 according to the present embodiment is used to protect the surface of electronic components and to fix electronic components in the manufacturing process of electronic devices, and more specifically, is preferably used as a backgrind tape used to protect the circuit formation surface (i.e., the circuit surface including the circuit pattern) of electronic components in the process of grinding electronic components (also called the backgrind process), which is one of the manufacturing processes of electronic devices. Specifically, the adhesive laminated film 50 is attached to the circuit formation surface of the electronic component to protect it, and is used in the process of grinding the surface opposite to the circuit formation surface. When the circuit formation surface has a bump electrode, the adhesive laminated film 50 according to the present embodiment having the unevenness-absorbing resin layer 30 can be preferably applied.
In addition, the adhesive laminate film 50 according to this embodiment can also be used as an adhesive film used for protecting or holding an electronic component having an uneven surface (e.g., a semiconductor wafer, a sealing wafer, etc.) in a dicing process, a transfer process, etc.; an adhesive film for temporarily fixing an electronic component having an uneven surface (e.g., a semiconductor chip, a semiconductor package, etc.); or an adhesive film used in a heating process at 90°C or higher, such as dry polishing of an electronic component (e.g., a semiconductor wafer, etc.), attachment and curing of a back surface protection member of an electronic component (e.g., a semiconductor wafer, etc.), formation of an electromagnetic wave shielding film on an electronic component (e.g., a semiconductor package, etc.), and formation of a metal film on the back surface of an electronic component (e.g., a semiconductor wafer, etc.).

<基材層>
基材層20は、粘着性積層フィルム50の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
基材層20は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
基材層20を構成する樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミド等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、耐熱性をより一層良好にする観点から、ポリエチレンナフタレートおよびポリイミドから選択される少なくとも一種が好ましく、ポリエチレンナフタレートがより好ましい。
<Base layer>
The base layer 20 is a layer provided for the purpose of improving the properties of the adhesive laminated film 50, such as handleability, mechanical properties, and heat resistance.
The base layer 20 is not particularly limited, but may be, for example, a resin film.
The resin constituting the base layer 20 may be one or more selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, and the like.
Among these, from the viewpoint of improving heat resistance even further, at least one selected from polyethylene naphthalate and polyimide is preferable, and polyethylene naphthalate is more preferable.

基材層20は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層20を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。
The substrate layer 20 may be a single layer or two or more layers.
The resin film used to form the base layer 20 may be in the form of a stretched film, or a film stretched uniaxially or biaxially.

基材層20の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは10μm以上500μm以下、より好ましくは20μm以上200μm以下、さらに好ましくは25μm以上100m以下である。
基材層20は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
From the viewpoint of obtaining good film characteristics, the thickness of the base layer 20 is preferably 10 μm or more and 500 μm or less, more preferably 20 μm or more and 200 μm or less, and further preferably 25 μm or more and 100 μm or less.
The substrate layer 20 may be subjected to a surface treatment in order to improve adhesion to other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coat treatment, etc. may be performed.

<凹凸吸収性樹脂層>
本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、基材層20と粘着性樹脂層40との間に凹凸吸収性樹脂層30を有する。
凹凸吸収性樹脂層30は、粘着性積層フィルム50の回路形成面10Aへの追従性を良好にし、回路形成面10Aと粘着性積層フィルム50との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。さらに、凹凸吸収性樹脂層30は熱硬化または紫外線硬化することで、粘着性積層フィルム50の耐熱性を高めることを目的として設けられる層である。これによって、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において電子部品の反りを抑制することができる。さらに電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において、凹凸吸収性樹脂層30が溶融して樹脂の染み出しが起きるのを抑制できる。
<Irregularity-absorbing resin layer>
The adhesive laminated film 50 according to this embodiment has an irregularity-absorbing resin layer 30 between a base layer 20 and an adhesive resin layer 40 .
The unevenness-absorbing resin layer 30 is a layer provided for the purpose of improving the conformability of the adhesive laminated film 50 to the circuit-forming surface 10A and improving the adhesion between the circuit-forming surface 10A and the adhesive laminated film 50. Furthermore, the unevenness-absorbing resin layer 30 is a layer provided for the purpose of increasing the heat resistance of the adhesive laminated film 50 by thermal curing or ultraviolet curing. This makes it possible to suppress warping of the electronic component in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermal curing step (B) of thermally curing the thermosetting protective film 70. Furthermore, in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermal curing step (B) of thermally curing the thermosetting protective film 70, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be prevented from melting and causing resin to seep out.

凹凸吸収性樹脂層30はエチレン系共重合体を含む。
本実施形態に係るエチレン系共重合体としてはエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を用いることができる。
The irregularity-absorbing resin layer 30 contains an ethylene-based copolymer.
As the ethylene-based copolymer according to the present embodiment, at least one selected from the group consisting of ethylene-α-olefin copolymers and ethylene-vinyl ester copolymers can be used.

本実施形態に係るエチレン・α-オレフィン共重合体は、例えば、エチレンと、炭素数3~20のα-オレフィンとを共重合することによって得られる共重合体である。
α-オレフィンとしては、例えば、炭素数3~20のα-オレフィンを1種類単独でまたは2種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が10以下であるα-オレフィンであり、特に好ましいのは炭素数が3~8のα-オレフィンである。このようなα-オレフィンの具体例としては、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、3-メチル-1-ブテン、3,3-ジメチル-1-ブテン、4-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン等を挙げることができる。中でも、入手の容易さからプロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、4-メチル-1-ペンテンおよび1-オクテンが好ましい。エチレン・α-オレフィン共重合体はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。
The ethylene/α-olefin copolymer according to this embodiment is, for example, a copolymer obtained by copolymerizing ethylene with an α-olefin having 3 to 20 carbon atoms.
As the α-olefin, for example, α-olefins having 3 to 20 carbon atoms can be used alone or in combination of two or more. Among them, α-olefins having 10 or less carbon atoms are preferred, and α-olefins having 3 to 8 carbon atoms are particularly preferred. Specific examples of such α-olefins include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3,3-dimethyl-1-butene, 4-methyl-1-pentene, 1-octene, 1-decene, and 1-dodecene. Among them, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 4-methyl-1-pentene, and 1-octene are preferred from the viewpoint of availability. The ethylene-α-olefin copolymer may be a random copolymer or a block copolymer, but a random copolymer is preferred from the viewpoint of flexibility.

ここで、エチレン・α-オレフィン共重合体としては、例えば、三井化学社製のタフマー(商標登録)、DOW社製のENGAGE(商標登録)、エクソンモービル社製のEXACT(商標登録)、日本ポリエチレン社製のカーネル(商標登録)等が挙げられる。Examples of ethylene-α-olefin copolymers include TAFMER (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., ENGAGE (registered trademark) manufactured by Dow, EXACT (registered trademark) manufactured by ExxonMobil Corporation, and KERNEL (registered trademark) manufactured by Japan Polyethylene Corporation.

ASTM D1505に準拠し測定される、エチレン・α-オレフィン共重合体の密度は、好ましくは850~900kg/m、より好ましくは850~880kg/m、さらに好ましくは850~870kg/mである。
密度が上記下限値以上であると、ブロッキングなどのハンドリングトラブルを回避できる。また、密度が上記上限値以下であると、凹凸吸収性に優れる凹凸吸収性樹脂層30を得ることができる。
ASTM D1238に準拠し、190℃、2.16kg荷重の条件で測定される、エチレン・α-オレフィン共重合体のメルトフローレ-ト(MFR)は、好ましくは0.1~50g/10分であり、より好ましくは1~40g/10分、さらに好ましくは3~35g/10分である。
MFRが上記下限値以上であると、エチレン・α-オレフィン共重合体の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層30の加工性をより良好にすることができる。
また、MFRが上記上限値以下であると、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層30を得ることができ、加熱工程時に凹凸吸収性樹脂層に起因する樹脂の染み出しを抑制できる。
The density of the ethylene/α-olefin copolymer, measured in accordance with ASTM D1505, is preferably 850 to 900 kg/m 3 , more preferably 850 to 880 kg/m 3 , and even more preferably 850 to 870 kg/m 3 .
When the density is equal to or higher than the lower limit, handling problems such as blocking can be avoided. When the density is equal to or lower than the upper limit, an irregularity-absorbing resin layer 30 having excellent irregularity-absorbing properties can be obtained.
The melt flow rate (MFR) of the ethylene/α-olefin copolymer, measured in accordance with ASTM D1238 under conditions of 190° C. and a load of 2.16 kg, is preferably 0.1 to 50 g/10 min, more preferably 1 to 40 g/10 min, and even more preferably 3 to 35 g/10 min.
When the MFR is equal to or higher than the lower limit, the fluidity of the ethylene/α-olefin copolymer is improved, and the processability of the irregularity-absorbing resin layer 30 can be improved.
Furthermore, when the MFR is equal to or less than the upper limit, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be obtained with a more uniform thickness, and exudation of the resin due to the unevenness-absorbing resin layer during the heating step can be suppressed.

本実施形態に係るエチレン・ビニルエステル共重合体としては、例えば、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等から選択される一種または二種以上を含むことが好ましく、エチレン・酢酸ビニル共重合体を含むことがより好ましい。The ethylene-vinyl ester copolymer according to this embodiment preferably contains one or more selected from, for example, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl propionate copolymer, ethylene-vinyl butyrate copolymer, ethylene-vinyl stearate copolymer, etc., and more preferably contains ethylene-vinyl acetate copolymer.

上記エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体であり、例えばランダム共重合体である。
上記エチレン・酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニルに由来する構成単位の含有割合は、好ましくは15質量%以上50質量%以下、より好ましくは20質量%以上45質量%以下、さらに好ましくは25質量%以上40質量%以下である。酢酸ビニルの含有量がこの範囲にあると、凹凸吸収性樹脂層30の柔軟性、耐熱性、透明性、機械的性質のバランスにより一層優れる。また、凹凸吸収性樹脂層30を成膜する際にも、成膜性が良好となる。
酢酸ビニル含有量は、JIS K7192:1999に準拠して測定可能である。
The ethylene-vinyl acetate copolymer is a copolymer of ethylene and vinyl acetate, for example a random copolymer.
The content of the constituent unit derived from vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is preferably 15% by mass or more and 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 45% by mass or less, and even more preferably 25% by mass or more and 40% by mass or less. When the content of vinyl acetate is within this range, the balance of flexibility, heat resistance, transparency, and mechanical properties of the unevenness-absorbing resin layer 30 is more excellent. In addition, when forming the unevenness-absorbing resin layer 30 into a film, the film-forming property is also good.
The vinyl acetate content can be measured in accordance with JIS K7192:1999.

また、エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンおよび酢酸ビニルのみからなる二元共重合体が好ましいが、エチレンおよび酢酸ビニルの他に、例えばギ酸ビニル、グリコール酸ビニル、プロピオン酸ビニル、安息香酸ビニル等のビニルエステル系単量体;アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、或いはこれらの塩もしくはアルキルエステル等のアクリル系単重体;等から選択される一種または二種以上を共重合成分として含んでもよい。上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分を含む場合、エチレン・酢酸ビニル共重合体中の上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分の量を0.5質量%以上5質量%以下とすることが好ましい。 The ethylene-vinyl acetate copolymer is preferably a binary copolymer consisting of only ethylene and vinyl acetate, but may contain, in addition to ethylene and vinyl acetate, one or more copolymerization components selected from, for example, vinyl ester monomers such as vinyl formate, vinyl glycolate, vinyl propionate, and vinyl benzoate; acrylic monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, ethacrylic acid, or salts or alkyl esters thereof; etc. When copolymerization components other than the above ethylene and vinyl acetate are contained, it is preferable that the amount of the copolymerization components other than the above ethylene and vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.

JIS K7210:1999に準拠し、190℃、2.16kg荷重の条件で測定される、エチレン・ビニルエステル共重合体のメルトフローレ-ト(MFR)は、好ましくは0.1~50g/10分であり、より好ましくは1~40g/10分、さらに好ましくは3~35g/10分である。
MFRが上記下限値以上であると、エチレン・ビニルエステル共重合体の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層30の成形加工性をより良好にすることができる。
また、MFRが上記上限値以下であると、分子量が高くなるためチルロール等のロール面への付着が起こり難くなり、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層30を得ることができ、加熱工程時に凹凸吸収性樹脂層に起因する樹脂の染み出しを抑制できる。
The melt flow rate (MFR) of the ethylene-vinyl ester copolymer, measured in accordance with JIS K7210:1999 under conditions of 190°C and a load of 2.16 kg, is preferably 0.1 to 50 g/10 min, more preferably 1 to 40 g/10 min, and even more preferably 3 to 35 g/10 min.
When the MFR is equal to or higher than the lower limit, the fluidity of the ethylene-vinyl ester copolymer is improved, and the moldability of the irregularity-absorbing resin layer 30 can be improved.
Furthermore, when the MFR is below the above upper limit, the molecular weight becomes high, making it difficult for adhesion to the roll surface of a chill roll or the like to occur, so that an unevenness-absorbing resin layer 30 of a more uniform thickness can be obtained, and the seepage of resin due to the unevenness-absorbing resin layer during the heating process can be suppressed.

凹凸吸収性樹脂層30は、例えば、各成分をドライブレンドまたは溶融混練した後、押出成形することにより得ることができる。また、必要に応じて、酸化防止剤を添加することができる。The unevenness-absorbing resin layer 30 can be obtained, for example, by dry blending or melt-kneading each component, followed by extrusion molding. In addition, an antioxidant can be added as necessary.

凹凸吸収性樹脂層30に含まれるエチレン系共重合体および架橋剤の合計含有量は、凹凸吸収性樹脂層30の全体を100質量%としたとき、好ましくは60質量%以上、より好ましくは70質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上、さらにより好ましくは90質量%以上、特に好ましくは95質量%以上である。The total content of the ethylene-based copolymer and crosslinking agent contained in the unevenness-absorbing resin layer 30 is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, even more preferably 90% by mass or more, and particularly preferably 95% by mass or more, when the entire unevenness-absorbing resin layer 30 is taken as 100% by mass.

エチレン系共重合体の融点は40℃以上であるが、好ましくは45℃以上、より好ましくは50℃以上、さらに好ましくは54℃以上である。
エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、粘着性積層フィルム50を輸送・保管した際の形状変化を抑制することができる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、バックグラインド工程での粘着性積層フィルム50の形状変化を抑制でき、電子部品のバックグラインドをより一層良好に進めることができる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、凹凸吸収性樹脂層30の加工温度を上げることができる。
The melting point of the ethylene copolymer is 40° C. or higher, preferably 45° C. or higher, more preferably 50° C. or higher, and even more preferably 54° C. or higher.
When the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or higher than the lower limit, it is possible to suppress deformation during transportation and storage of the adhesive laminated film 50. Furthermore, when the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or higher than the lower limit, it is possible to suppress deformation of the adhesive laminated film 50 during the backgrinding process, and it is possible to further improve backgrinding of electronic components. Furthermore, when the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or higher than the lower limit, it is possible to increase the processing temperature of the unevenness-absorbing resin layer 30.

エチレン系共重合体の融点は80℃以下であるが、好ましくは75℃以下、より好ましくは70℃以下、さらに好ましくは65℃以下である。
エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム50を電子部品に貼り付ける際の温度を低くできる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、エチレン系共重合体への添加剤の相溶性を向上でき、その結果、凹凸吸収性樹脂層30に含まれる添加剤のブリードアウトを抑制できる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム50の厚みを厚くした場合の粘着性積層フィルム50のハンドリング性や、粘着性積層フィルム50の応力緩和性をより向上させることができる
The melting point of the ethylene copolymer is 80° C. or lower, preferably 75° C. or lower, more preferably 70° C. or lower, and further preferably 65° C. or lower.
When the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or lower than the upper limit, the temperature can be lowered when attaching the adhesive laminate film 50 to an electronic component. Furthermore, when the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or lower than the upper limit, the compatibility of the additives with the ethylene-based copolymer can be improved, and as a result, bleeding out of the additives contained in the irregularity-absorbing resin layer 30 can be suppressed. Furthermore, when the melting point of the ethylene-based copolymer is equal to or lower than the upper limit, the handleability of the adhesive laminate film 50 and the stress relaxation property of the adhesive laminate film 50 can be further improved when the thickness of the adhesive laminate film 50 is increased.

エチレン系共重合体を2成分以上含むと、2つ以上の融点が観測されることもあるが、少なくとも一つの融点が上記範囲にあればよい。当該2つ以上の融点がいずれも上記範囲であることが好ましい。When two or more ethylene copolymers are included, two or more melting points may be observed, but it is sufficient that at least one of the melting points is within the above range. It is preferable that the two or more melting points are all within the above range.

また、凹凸吸収性樹脂層30は架橋剤を含む。凹凸吸収性樹脂層30が架橋剤を含むことにより、工程(B)の前に凹凸吸収性樹脂層30を効果的に熱硬化または紫外線硬化させることができ、凹凸吸収性樹脂層30の耐熱性を向上させることが可能となる。これにより、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において電子部品の反りをより一層抑制することができる。さらに電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において、凹凸吸収性樹脂層30が溶融して樹脂の染み出しが起きるのをより一層抑制できる。
本実施形態に係る架橋剤としては特に限定されないが、例えば、光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を用いることができる。
凹凸吸収性樹脂層30中の架橋剤の含有量は、反り抑制の観点から、エチレン系共重合体100質量部に対して、0.60質量部以下であり、0.55質量部以下であることが好ましく、0.50質量部以下であることがより好ましい。
また、凹凸吸収性樹脂層30中の架橋剤の含有量は、加熱時の樹脂の染み出し防止の観点から、エチレン系共重合体100質量部に対して、0.06質量部以上であり、0.07質量部以上であることが好ましく、0.08質量部以上であることがより好ましい。
In addition, the unevenness-absorbing resin layer 30 contains a crosslinking agent. By containing a crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer 30, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be effectively heat-cured or UV-cured before the step (B), and the heat resistance of the unevenness-absorbing resin layer 30 can be improved. This makes it possible to further suppress warping of the electronic component in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the heat-curing step (B) of heat-curing the thermosetting protective film 70. Furthermore, in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the heat-curing step (B) of heat-curing the thermosetting protective film 70, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be further suppressed from melting and exuding the resin in the heat-curing step (B).
The crosslinking agent according to the present embodiment is not particularly limited, but for example, at least one selected from the group consisting of a photocrosslinking initiator and an organic peroxide can be used.
From the viewpoint of suppressing warping, the content of the crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer 30 is 0.60 parts by mass or less, preferably 0.55 parts by mass or less, and more preferably 0.50 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.
In addition, from the viewpoint of preventing the resin from bleeding out when heated, the content of the crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer 30 is 0.06 parts by mass or more, preferably 0.07 parts by mass or more, and more preferably 0.08 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.

有機過酸化物としては、例えば、ジラウロイルパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、ジベンゾイルパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、ジ-t-ブチルパーフタレート、クメンヒドロパーオキシド、t-ブチルヒドロパーオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)ヘキセン、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)ヘキサン、t-アミルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソブチレート、t-ブチルパーオキシマレイン酸、1,1-ジ(t-アミルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ジ(t-アミルパーオキシ)シクロヘキサン、t-アミルパーオキシイソノナノエート、t-アミルパーオキシノルマルオクトエート、1,1-ジ(t-ブチルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ジ(t-ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、t-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルカーボネート、2,5-ジメチル-2,5-ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t-アミルパーオキシベンゾエート、t-ブチルパーオキシアセテート、t-ブチルパーオキシイソノナノエート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、2,2-ジ(ブチルパーオキシ)ブタン、n-ブチル-4,4-ジ(t-ブチルパーオキシ)プチレート、メチルエチルケトンパ-オキサイド、エチル-3,3-ジ(t-ブチルパーオキシ)ブチレート、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルクミルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-t-ブチルパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド等から選択される一種または二種以上を用いることができる。 Examples of organic peroxides include dilauroyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, dibenzoyl peroxide, cyclohexanone peroxide, di-t-butylperphthalate, cumene hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexene, 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexane, and t-amyl. Peroxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-butylperoxymaleic acid, 1,1-di(t-amylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-di(t-amylperoxy)cyclohexane, t-amylperoxyisononanoate, t-amylperoxynormaloctoate, 1,1-di(t-butylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, One or more compounds selected from methylcyclohexane, 1,1-di(t-butylperoxy)cyclohexane, t-butylperoxyisopropyl carbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl carbonate, 2,5-dimethyl-2,5-di(benzoylperoxy)hexane, t-amyl peroxybenzoate, t-butylperoxyacetate, t-butylperoxyisononanoate, t-butylperoxybenzoate, 2,2-di(butylperoxy)butane, n-butyl-4,4-di(t-butylperoxy)butyrate, methyl ethyl ketone peroxide, ethyl-3,3-di(t-butylperoxy)butyrate, dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, t-butylperoxybenzoate, di-t-butyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, and acetylacetone peroxide can be used.

これらの中でも、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)ヘキセン、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)ヘキサン、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルカーボネート、t-ブチルパーオキシベンゾエートから選択される一種または二種以上を用いることが好ましい。Among these, it is preferable to use one or more selected from 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexene, 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexane, t-butylperoxy-2-ethylhexyl carbonate, and t-butylperoxybenzoate.

光架橋開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン、チオキサントン誘導体、ベンゾイン、ベンゾイン誘導体、α-ヒドロキシアルキルフェノン類、α-アミノアルキルフェノール類、アシルホスフィノキサイド類、アルキルフェニルグルオキシレート類、ジエトキシアセトフェノン、オキシムエステル類、チタノセン化合物、アントラキノン誘導体からなる群より選択される一種または二種以上を用いることができる。中でも、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾイン、ベンゾイン誘導体、α-ヒドロキシアルキルフェノン類、オキシムエステル類、アントラキノン誘導体が、架橋性がより良好な点で好ましく、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、アントラキノン誘導体がさらに好ましく、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体が、透明性も良好なため最も好ましい。
ベンゾフェノンおよびベンゾフェノン誘導体の好ましい例として、ベンゾフェノン、4-フェニルベンゾフェノン、4-フェノキシベンゾフェノン、4,4-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-メチルベンゾフェノン、2,4,6-トリメチルベンゾフェノン等を挙げることができる。
アントラキノン誘導体の好ましい例として、2-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、2-t-ブチルアントラキノン、1-クロロアントラキノン等を挙げることができる。
As the photocrosslinking initiator, for example, one or more selected from the group consisting of benzophenone, benzophenone derivatives, thioxanthone, thioxanthone derivatives, benzoin, benzoin derivatives, α-hydroxyalkylphenones, α-aminoalkylphenols, acylphosphinoxides, alkylphenylglucoxylates, diethoxyacetophenone, oxime esters, titanocene compounds, and anthraquinone derivatives can be used. Among them, benzophenone, benzophenone derivatives, benzoin, benzoin derivatives, α-hydroxyalkylphenones, oxime esters, and anthraquinone derivatives are preferred in terms of better crosslinkability, benzophenone, benzophenone derivatives, and anthraquinone derivatives are more preferred, and benzophenone and benzophenone derivatives are most preferred because of good transparency.
Preferred examples of benzophenone and benzophenone derivatives include benzophenone, 4-phenylbenzophenone, 4-phenoxybenzophenone, 4,4-bis(diethylamino)benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-methylbenzophenone, and 2,4,6-trimethylbenzophenone.
Preferred examples of the anthraquinone derivatives include 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, and 1-chloroanthraquinone.

また、凹凸吸収性樹脂層30は、耐熱性をさらに向上させる観点から、架橋助剤をさらに含むことが好ましい。
架橋助剤としては、例えば、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群より選択される一種または二種以上を用いることができる。
凹凸吸収性樹脂層30中の架橋助剤の含有量は、エチレン系共重合体100質量部に対して、5.0質量部以下であることが好ましく、2.0質量部以下であることがより好ましく、1.0質量部以下であることが特に好ましい。
また、凹凸吸収性樹脂層30中の架橋助剤の含有量は、エチレン系共重合体100質量部に対して、0.01質量部以上であることが好ましく、0.05質量部以上であることがより好ましく、0.10質量部以上であることがさらに好ましい。
In addition, from the viewpoint of further improving heat resistance, the irregularity-absorbing resin layer 30 preferably further contains a cross-linking assistant.
As the crosslinking aid, for example, one or more compounds selected from the group consisting of a divinyl aromatic compound, a cyanurate compound, a diallyl compound, an acrylate compound, a triallyl compound, an oxime compound, and a maleimide compound can be used.
The content of the cross-linking aid in the unevenness-absorbing resin layer 30 is preferably 5.0 parts by mass or less, more preferably 2.0 parts by mass or less, and particularly preferably 1.0 part by mass or less, per 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.
In addition, the content of the cross-linking aid in the unevenness-absorbing resin layer 30 is preferably 0.01 parts by mass or more, more preferably 0.05 parts by mass or more, and even more preferably 0.10 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.

ジビニル芳香族化合物としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジ-i-プロペニルベンゼン等が挙げられる。
シアヌレート化合物としては、例えば、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられる。
ジアリル化合物としては、例えば、ジアリルフタレート等が挙げられる。
トリアリル化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル等が挙げられる。
アクリレート化合物としては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
オキシム化合物としては、例えば、p-キノンジオキシム、p-p'-ジベンゾイルキノンジオキシム等が挙げられる。
マレイミド化合物としては、例えば、m-フェニレンジマレイミド等が挙げられる。
架橋助剤としてはビニル基等の架橋性不飽和結合を1分子中に3官能以上有する化合物が好ましく、中でも、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレートが、架橋性が良好な点で好ましく、トリアリルシアヌレートおよびトリアリルイソシアヌレートが特に好ましい。
The divinyl aromatic compounds include, for example, divinylbenzene, di-i-propenylbenzene, and the like.
Examples of the cyanurate compound include triallyl cyanurate and triallyl isocyanurate.
An example of the diallyl compound is diallyl phthalate.
An example of the triallyl compound is pentaerythritol triallyl ether.
Examples of the acrylate compound include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, dipropylene glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, and tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate.
Examples of the oxime compound include p-quinone dioxime, pp'-dibenzoylquinone dioxime, and the like.
An example of the maleimide compound is m-phenylenedimaleimide.
As the crosslinking aid, a compound having three or more functional crosslinkable unsaturated bonds such as vinyl groups in one molecule is preferred, and among them, triallyl cyanurate, triallyl isocyanurate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, and ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate are preferred in terms of good crosslinkability, and triallyl cyanurate and triallyl isocyanurate are particularly preferred.

凹凸吸収性樹脂層30の厚さは、電子部品10の回路形成面10Aの凹凸を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、10μm以上1000μm以下であることが好ましく、20μm以上900μm以下であることがより好ましく、30μm以上800μm以下であることがさらに好ましく、50μm以上700μm以下であることが特に好ましい。The thickness of the unevenness-absorbing resin layer 30 is not particularly limited as long as it is a thickness that can embed the unevenness of the circuit formation surface 10A of the electronic component 10, but for example, it is preferably 10 μm or more and 1000 μm or less, more preferably 20 μm or more and 900 μm or less, even more preferably 30 μm or more and 800 μm or less, and particularly preferably 50 μm or more and 700 μm or less.

電子部品10の回路形成面10Aに存在するバンプ電極の高さをH[μm]とし、凹凸吸収性樹脂層30の厚みをd[μm]としたとき、H/dが1以下であることが好ましく、0.85以下であることがより好ましく、0.7以下であることがさらに好ましい。H/dが上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム50の厚みをより薄くしつつ、凹凸吸収性をより良好にすることができる。
H/dの下限は特に限定されないが、例えば、0.01以上である。バンプ電極の高さは、一般的に2μm以上600μm以下である。
When the height of the bump electrode present on the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is H [μm] and the thickness of the irregularity-absorbing resin layer 30 is d [μm], H/d is preferably 1 or less, more preferably 0.85 or less, and even more preferably 0.7 or less. When H/d is equal to or less than the upper limit, the thickness of the adhesive laminated film 50 can be made thinner while improving the irregularity absorbency.
The lower limit of H/d is not particularly limited, but is, for example, 0.01 or more. The height of the bump electrode is generally 2 μm or more and 600 μm or less.

<粘着性樹脂層>
粘着性樹脂層40は、凹凸吸収性樹脂層30の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム50を電子部品10の回路形成面10Aに貼り付ける際に、電子部品10の回路形成面10Aに接触して粘着する層である。
<Adhesive Resin Layer>
The adhesive resin layer 40 is a layer provided on one side of the unevenness-absorbing resin layer 30, and is a layer that comes into contact with and adheres to the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 when the adhesive laminate film 50 is attached to the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10.

粘着性樹脂層40を構成する粘着剤は、(メタ)アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、(メタ)アクリル系重合体をベースポリマーとする(メタ)アクリル系粘着剤が好ましい。Examples of adhesives constituting the adhesive resin layer 40 include (meth)acrylic adhesives, silicone adhesives, urethane adhesives, olefin adhesives, and styrene adhesives. Among these, (meth)acrylic adhesives that use a (meth)acrylic polymer as the base polymer are preferred because they allow easy adjustment of the adhesive strength.

また、粘着性樹脂層40を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることもできる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層40は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、後述する電子部品10と粘着性積層フィルム50とを剥離する工程(C)において、粘着性樹脂層40から電子部品10を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。
A radiation crosslinking adhesive, the adhesive strength of which is reduced by radiation, may also be used as the adhesive constituting the adhesive resin layer 40. The adhesive resin layer 40 made of a radiation crosslinking adhesive is crosslinked by irradiation with radiation and has a significantly reduced adhesive strength, so that the electronic component 10 can be easily peeled off from the adhesive resin layer 40 in step (C) of peeling the electronic component 10 from the adhesive laminate film 50, which will be described later. Examples of radiation include ultraviolet rays, electron beams, and infrared rays.
As the radiation crosslinkable pressure-sensitive adhesive, an ultraviolet crosslinkable pressure-sensitive adhesive is preferred.

(メタ)アクリル系粘着剤に含まれる(メタ)アクリル系重合体としては、例えば、(メタ)アクリル酸エステル化合物の単独重合体、(メタ)アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。(メタ)アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの(メタ)アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
また、(メタ)アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、(メタ)アクリルニトリル、スチレン、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、(メタ)アクリルアマイド、メチロール(メタ)アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
Examples of the (meth)acrylic polymer contained in the (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive include a homopolymer of a (meth)acrylic acid ester compound, a copolymer of a (meth)acrylic acid ester compound and a comonomer, etc. Examples of the (meth)acrylic acid ester compound include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, etc. These (meth)acrylic acid ester compounds may be used alone or in combination of two or more.
Examples of comonomers constituting the (meth)acrylic copolymer include vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, styrene, (meth)acrylic acid, itaconic acid, (meth)acrylamide, methylol (meth)acrylamide, maleic anhydride, etc. These comonomers may be used alone or in combination of two or more.

放射線架橋型粘着剤は、例えば、上記(メタ)アクリル系重合体と、架橋性化合物(炭素-炭素二重結合を有する成分)と、光重合開始剤または熱重合開始剤と、を含む。The radiation-crosslinkable adhesive contains, for example, the above-mentioned (meth)acrylic polymer, a crosslinkable compound (a component having a carbon-carbon double bond), and a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator.

架橋性化合物としては、例えば、分子中に炭素-炭素二重結合を有し、ラジカル重合により架橋可能なモノマー、オリゴマーまたはポリマー等が挙げられる。このような架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル;エステル(メタ)アクリレートオリゴマー;2-プロペニルジ-3-ブテニルシアヌレート、2-ヒドロキシエチルビス(2-(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2-メタクリロキシエチル)イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物等が挙げられる。
なお、(メタ)アクリル系重合体が、ポリマーの側鎖に炭素-炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。
Examples of the crosslinkable compound include monomers, oligomers, or polymers having a carbon-carbon double bond in the molecule and capable of being crosslinked by radical polymerization. Examples of such crosslinkable compounds include esters of (meth)acrylic acid and polyhydric alcohols such as trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate; ester (meth)acrylate oligomers; isocyanurates or isocyanurate compounds such as 2-propenyldi-3-butenyl cyanurate, 2-hydroxyethylbis(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, and tris(2-methacryloxyethyl)isocyanurate.
When the (meth)acrylic polymer is a radiation-crosslinked polymer having a carbon-carbon double bond in the side chain of the polymer, it is not necessary to add a crosslinking compound.

架橋性化合物の含有量は、(メタ)アクリル系重合体100質量部に対して1~900質量部が好ましく、2~100質量部がより好ましく、5~50質量部がさらに好ましい。架橋性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも少ない場合に比べて粘着力の調整がし易くなり、上記範囲よりも多い場合に比べて、熱や光に対する感度が高すぎることによる保存安定性の低下が起こりにくい。The content of the crosslinkable compound is preferably 1 to 900 parts by mass, more preferably 2 to 100 parts by mass, and even more preferably 5 to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of the (meth)acrylic polymer. When the content of the crosslinkable compound is within the above range, it becomes easier to adjust the adhesive strength compared to when the content is less than the above range, and the storage stability is less likely to decrease due to excessive sensitivity to heat and light compared to when the content is more than the above range.

光重合開始剤としては、放射線を照射することにより開裂しラジカルを生成する化合物であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類;ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類;ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類;ポリビニルベンゾフェノン;クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。 The photopolymerization initiator may be any compound that cleaves and generates radicals when irradiated with radiation, and examples of such compounds include benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether; aromatic ketones such as benzil, benzoin, benzophenone, and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; aromatic ketals such as benzil dimethyl ketal; polyvinyl benzophenone; and thioxanthones such as chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone.

熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物誘導体やアゾ系重合開始剤等が挙げられる。加熱時に窒素が発生しない点から、好ましくは有機過酸化物誘導体である。熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルおよびパーオキシジカーボネート等が挙げられる。Examples of the thermal polymerization initiator include organic peroxide derivatives and azo-based polymerization initiators. Organic peroxide derivatives are preferred because they do not generate nitrogen when heated. Examples of the thermal polymerization initiator include ketone peroxides, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, peroxy esters, and peroxydicarbonates.

粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリストールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物;テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、N,N'-ヘキサメチレン-1,6-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)等のアジリジン系化合物;テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層40の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、(メタ)アクリル系重合体100質量部に対し、0.1質量部以上10質量部以下であることが好ましい。
A crosslinking agent may be added to the adhesive. Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, and diglycerol polyglycidyl ether; aziridine compounds such as tetramethylolmethane-tri-β-aziridinyl propionate, trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), and N,N'-hexamethylene-1,6-bis(1-aziridinecarboxamide); and isocyanate compounds such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and polyisocyanate.
From the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and adhesive strength of the adhesive resin layer 40, the content of the crosslinking agent is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less per 100 parts by mass of the (meth)acrylic polymer.

粘着性樹脂層40の厚みは特に制限されないが、例えば、1μm以上100μm以下であることが好ましく、3μm以上50μm以下であることがより好ましい。The thickness of the adhesive resin layer 40 is not particularly limited, but is preferably, for example, 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 50 μm or less.

粘着性樹脂層40は、例えば、凹凸吸収性樹脂層30上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、80~200℃の温度範囲において、10秒~10分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、80~170℃において、15秒~5分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、40~80℃において5~300時間程度加熱してもよい。
The adhesive resin layer 40 can be formed, for example, by applying an adhesive coating liquid onto the irregularity-absorbing resin layer 30 .
The adhesive coating liquid can be coated by a conventional coating method such as a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, a die coater method, etc. There is no particular restriction on the drying conditions of the coated adhesive, but it is generally preferable to dry the coated adhesive at a temperature range of 80 to 200°C for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, the coated adhesive is dried at 80 to 170°C for 15 seconds to 5 minutes. In order to sufficiently promote the crosslinking reaction between the crosslinking agent and the adhesive, the adhesive coating liquid may be heated at 40 to 80°C for about 5 to 300 hours after drying is completed.

本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、凹凸吸収性樹脂層30を紫外線硬化させたり、粘着性樹脂層40を紫外線架橋させたりする場合には、当該硬化や架橋を本発明の目的を妨げない程度に光線透過率を有する必要がある。The adhesive laminate film 50 of this embodiment must have a light transmittance such that when the unevenness-absorbing resin layer 30 is cured by ultraviolet light or the adhesive resin layer 40 is crosslinked by ultraviolet light, the curing or crosslinking does not interfere with the objectives of the present invention.

本実施形態に係る粘着性積層フィルム50全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは25μm以上1100μm以下であり、より好ましくは100μm以上900μm以下であり、さらに好ましくは200μm以上800μm以下である。The overall thickness of the adhesive laminate film 50 in this embodiment is preferably 25 μm or more and 1100 μm or less, more preferably 100 μm or more and 900 μm or less, and even more preferably 200 μm or more and 800 μm or less, in terms of the balance between mechanical properties and handleability.

本実施形態に係る粘着性積層フィルム50は、各層の間に接着層(図示せず)を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。The adhesive laminate film 50 according to this embodiment may have an adhesive layer (not shown) between each layer. This adhesive layer can improve the adhesion between each layer.

次に、本実施形態に係る粘着性積層フィルム50の製造方法の一例について説明する。
まず、基材層20の一方の面に凹凸吸収性樹脂層30を押出しラミネート法によって形成する。次いで、凹凸吸収性樹脂層30上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層40を形成し、粘着性積層フィルム50が得られる。
また、基材層20と凹凸吸収性樹脂層30とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層20とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層30とをラミネート(積層)して形成してもよい。
Next, an example of a method for producing the adhesive laminated film 50 according to this embodiment will be described.
First, the irregularity-absorbing resin layer 30 is formed by extrusion lamination on one surface of the base layer 20. Next, an adhesive coating liquid is applied onto the irregularity-absorbing resin layer 30 and dried to form an adhesive resin layer 40, thereby obtaining an adhesive laminated film 50.
The base material layer 20 and the irregularity-absorbing resin layer 30 may be formed by co-extrusion molding, or the base material layer 20 in the form of a film and the irregularity-absorbing resin layer 30 in the form of a film may be laminated together.

2.電子装置の製造方法
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。
図2は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の工程(A)および工程(B)を含む。
(A)回路形成面10Aを有する電子部品10と、電子部品10の回路形成面10A側に貼り付けられた粘着性積層フィルム50と、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム70と、を備える構造体60を準備する準備工程
(B)構造体60を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程
ここで、電子部品10の回路形成面10Aと粘着性樹脂層40が接している。
2. Method for Manufacturing Electronic Device Next, each step of the method for manufacturing an electronic device according to this embodiment will be described.
2A to 2C are cross-sectional views that diagrammatically show an example of a method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
The method for manufacturing an electronic device according to this embodiment includes the following steps (A) and (B).
(A) A preparation step of preparing a structure 60 including an electronic component 10 having a circuit formation surface 10A, an adhesive laminate film 50 attached to the circuit formation surface 10A side of the electronic component 10, and a thermosetting protective film 70 attached to the surface 10C opposite the circuit formation surface 10A of the electronic component 10. (B) A heat curing step of heat curing the thermosetting protective film 70 by heating the structure 60. Here, the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 and the adhesive resin layer 40 are in contact.

(工程(A))
はじめに、回路形成面10Aを有する電子部品10と、電子部品10の回路形成面10A側に貼り付けられた粘着性積層フィルム50と、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム70と、を備える構造体60を準備する。
(Step (A))
First, a structure 60 is prepared, which includes an electronic component 10 having a circuit formation surface 10A, an adhesive laminate film 50 attached to the circuit formation surface 10A side of the electronic component 10, and a thermosetting protective film 70 attached to the surface 10C of the electronic component 10 opposite the circuit formation surface 10A.

このような構造体60は、例えば、電子部品10の回路形成面10Aに粘着性積層フィルム50を貼り付ける工程(A1)と、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)とをおこなうことによって作製することができる。Such a structure 60 can be produced, for example, by carrying out a step (A1) of attaching an adhesive laminate film 50 to the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10, and a step (A2) of attaching a thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10.

電子部品10の回路形成面10Aに粘着性積層フィルム50を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の粘着性積層フィルム50を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。The method for attaching the adhesive laminate film 50 to the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is not particularly limited, and the adhesive laminate film 50 can be peeled off by a generally known method. For example, the peeling may be done manually or by a device called an automatic attachment machine to which a roll of the adhesive laminate film 50 is attached.

電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の熱硬化性保護フィルム70を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。The method for attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is not particularly limited, and the film can be peeled off by a generally known method. For example, the film may be peeled off manually or by a device called an automatic attachment machine to which a roll of the thermosetting protective film 70 is attached.

電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)は、例えば、熱硬化性保護フィルム70を加熱しながら行われる。工程(A2)における加熱温度は熱硬化性保護フィルム70の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、50℃以上90℃以下であり、好ましくは60℃以上80℃以下である。The step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is performed, for example, while heating the thermosetting protective film 70. The heating temperature in the step (A2) is not particularly limited since it is appropriately set depending on the type of thermosetting protective film 70, but is, for example, 50°C or higher and 90°C or lower, and preferably 60°C or higher and 80°C or lower.

熱硬化性保護フィルム70としては特に限定されず、例えば、公知の熱硬化型の半導体裏面保護用フィルムを用いることができる。
熱硬化性保護フィルム70は、例えば、熱硬化性の接着剤層を備え、必要に応じて保護層をさらに備えてもよい。
接着剤層としては、熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂により形成されていることがより好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、1種または2種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないエポキシ樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、1種または2種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないアクリル樹脂が好ましい。
There are no particular limitations on the thermosetting protective film 70, and for example, a known thermosetting film for protecting the back surface of a semiconductor can be used.
The thermosetting protective film 70 includes, for example, a thermosetting adhesive layer, and may further include a protective layer as necessary.
The adhesive layer is preferably formed from a thermosetting resin, and more preferably from a thermosetting resin and a thermoplastic resin.
Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, thermosetting polyimide resin, etc. These thermosetting resins can be used alone or in combination. Among these, epoxy resins with a low content of ionic impurities are preferred.
Examples of thermoplastic resins include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resin, fluororesin, etc. These thermoplastic resins can be used alone or in combination. Among these, acrylic resins with a low content of ionic impurities, etc. are preferred.

接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を含有させることができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤等が挙げられる。The adhesive layer may contain other additives as necessary. Examples of other additives include fillers, flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, extenders, antioxidants, antioxidants, surfactants, etc.

保護層は、例えば、耐熱性樹脂、金属等で構成されている。
保護層を構成する耐熱性樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。
保護層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、アルミニウム、アルマイト、ステンレス、鉄、チタン、スズ、銅等が挙げられる。
The protective layer is made of, for example, a heat-resistant resin, a metal, or the like.
The heat-resistant resin constituting the protective layer is not particularly limited, but examples thereof include polyphenylene sulfide, polyimide, polyetherimide, polyarylate, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone, liquid crystal polymer, polytetrafluoroethylene, etc. Among these, polyimide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyetherimide, polyetherketone, polyetheretherketone, etc. are particularly preferred.
The metal constituting the protective layer is not particularly limited, but examples thereof include aluminum, anodized aluminum, stainless steel, iron, titanium, tin, and copper.

熱硬化性保護フィルム70は、市販のフィルムを用いてもよい。市販のフィルムとしては、例えば、リンテック社製のチップ裏面保護テープ(製品名:「LCテープ」シリーズ)等が挙げられる。A commercially available film may be used as the thermosetting protective film 70. Examples of commercially available films include chip back surface protective tape manufactured by Lintec Corporation (product name: "LC Tape" series).

電子部品10としては回路形成面10Aを有する電子部品10であれば特に限定されないが、例えば、半導体ウエハ、サファイア基盤、タンタル酸リチウム基板、モールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられる。
また、半導体基板としては、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム-ヒ素基板、ガリウム-リン基板、ガリウム-ヒ素-アルミニウム基板、ガリウム-ヒ素基板、等が挙げられる。
The electronic component 10 is not particularly limited as long as it has a circuit formation surface 10A, but examples thereof include a semiconductor wafer, a sapphire substrate, a lithium tantalate substrate, a molded wafer, a molded panel, a molded array package, a semiconductor substrate, and the like.
Examples of the semiconductor substrate include a silicon substrate, a germanium substrate, a germanium-arsenic substrate, a gallium-phosphorus substrate, a gallium-arsenic-aluminum substrate, and a gallium-arsenic substrate.

また、電子部品10はどのような用途の電子部品であってもよいが、例えば、ロジック用(例えば、通信用、高周波信号処理用等)、メモリ用、センサー用、電源用の電子部品等が挙げられる。これらは、1種のみを用いてもよく2種以上を併用してもよい。The electronic component 10 may be an electronic component for any purpose, such as an electronic component for logic (e.g., for communication, high-frequency signal processing, etc.), memory, sensors, power supplies, etc. These may be used alone or in combination of two or more types.

電子部品10の回路形成面10Aは、例えば、電極10Bを有することにより、凹凸構造となっている。
また、電極10Bは、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面(プリント基板等の実装面)との間の電気的接続を形成するものである。
電極10Bとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等のバンプ電極が挙げられる。すなわち、電極10Bは、通常凸電極である。これらのバンプ電極は1種単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
また、バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられる。これらの金属種は1種単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
The circuit formation surface 10A of the electronic component 10 has an uneven structure due to, for example, the presence of electrodes 10B.
Furthermore, when the electronic device is mounted on the mounting surface, electrode 10B is joined to an electrode formed on the mounting surface to form an electrical connection between the electronic device and the mounting surface (the mounting surface of a printed circuit board, etc.).
Examples of the electrode 10B include bump electrodes such as ball bumps, printed bumps, stud bumps, plated bumps, and pillar bumps. That is, the electrode 10B is usually a convex electrode. These bump electrodes may be used alone or in combination of two or more types.
The metal species constituting the bump electrode is not particularly limited, and examples thereof include silver, gold, copper, tin, lead, bismuth, and alloys thereof. These metal species may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品10の回路形成面10Aに粘着性積層フィルム50が貼り付けられた状態で、粘着性積層フィルム50における凹凸吸収性樹脂層30を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程(A3)を行うことが好ましい。これにより、粘着性積層フィルム50の耐熱性を向上させることができる。こうすることで、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において電子部品10の反りを抑制することができる。さらに電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)や熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる熱硬化工程(B)において、凹凸吸収性樹脂層30が溶融して樹脂の染み出しが起きるのを抑制できる。硬化工程(A3)は特に限定されないが、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cに熱硬化性保護フィルム70を貼り付ける工程(A2)の前に行うことが好ましい。In the manufacturing method of the electronic device according to the present embodiment, it is preferable to perform a curing step (A3) in which the unevenness-absorbing resin layer 30 in the adhesive laminated film 50 is thermally cured or ultraviolet-cured while the adhesive laminated film 50 is attached to the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10. This can improve the heat resistance of the adhesive laminated film 50. In this way, warping of the electronic component 10 can be suppressed in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermal curing step (B) of thermally curing the thermosetting protective film 70. Furthermore, in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite the circuit-forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermal curing step (B) of thermally curing the thermosetting protective film 70, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be prevented from melting and causing resin to seep out. The curing step (A3) is not particularly limited, but is preferably performed before the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C of the electronic component 10 opposite the circuit formation surface 10A.

凹凸吸収性樹脂層30の熱硬化方法としてはエチレン系共重合体を熱硬化できる方法であれば特に限定されないが、ラジカル重合開始剤による熱架橋が挙げられる。
ラジカル重合開始剤による熱架橋は、エチレン系共重合体の架橋に用いられているラジカル重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤を用いることができる。
The method for thermally curing the irregularity-absorbing resin layer 30 is not particularly limited as long as it is a method capable of thermally curing an ethylene copolymer, and examples of the method include thermal crosslinking using a radical polymerization initiator.
For thermal crosslinking with a radical polymerization initiator, a radical polymerization initiator used for crosslinking of an ethylene copolymer can be used. As the radical polymerization initiator, a known thermal radical polymerization initiator can be used.

また、凹凸吸収性樹脂層30に紫外線を照射することによって、凹凸吸収性樹脂層30を架橋させて硬化させることができる。
紫外線は、例えば、粘着性積層フィルム50の基材層20側の面から照射される。
また、いずれの架橋方法においても凹凸吸収性樹脂層30に架橋助剤を配合して凹凸吸収性樹脂層30の架橋をおこなってもよい。
Moreover, by irradiating the unevenness-absorbing resin layer 30 with ultraviolet light, the unevenness-absorbing resin layer 30 can be crosslinked and cured.
For example, the ultraviolet light is applied to the surface of the adhesive laminate film 50 on the side of the base layer 20 .
In any of the crosslinking methods, a crosslinking assistant may be blended into the irregularity-absorbing resin layer 30 to crosslink the irregularity-absorbing resin layer 30 .

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品10の回路形成面10Aに粘着性積層フィルム50が貼り付けられた状態で、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cをバックグラインドするバックグラインド工程(A4)をおこなってもよい。すなわち、本実施形態に係る粘着性積層フィルム50をバックグラインドテープとして使用してもよい。ここで、バックグラインド工程(A4)の前に硬化工程(A3)をおこなうと、粘着性積層フィルム50の粘着力が低下するため、バックグラインド工程(A4)において、粘着性積層フィルム50が剥れてしまう懸念がある。そのため、硬化工程(A3)の前にバックグラインド工程(A4)を行うことが好ましい。In the manufacturing method of the electronic device according to this embodiment, a backgrinding step (A4) may be performed in which the surface 10C opposite the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is backgrinded with the adhesive laminate film 50 attached to the circuit formation surface 10A of the electronic component 10. That is, the adhesive laminate film 50 according to this embodiment may be used as a backgrind tape. Here, if the curing step (A3) is performed before the backgrinding step (A4), the adhesive strength of the adhesive laminate film 50 is reduced, so there is a concern that the adhesive laminate film 50 may peel off in the backgrinding step (A4). Therefore, it is preferable to perform the backgrinding step (A4) before the curing step (A3).

バックグラインド工程(A4)では、粘着性積層フィルム50に貼り付けられた状態で、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cをバックグラインドする。
ここで、バックグラインドするとは、電子部品10を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
電子部品10のバックグラインドは、公知の方法で行うことができる。例えば、研削機のチャックテーブル等に電子部品10を固定し、電子部品10の回路形成面10Aとは反対側の面10Cを研削する方法が挙げられる。
In the back grinding step (A4), while the electronic component 10 is attached to the adhesive laminated film 50, the surface 10C opposite the circuit formation surface 10A of the electronic component 10 is back ground.
Here, back grinding means thinning the electronic component 10 to a predetermined thickness without cracking or damaging the electronic component 10 .
The back grinding of the electronic component 10 can be performed by a known method, for example, a method in which the electronic component 10 is fixed to a chuck table of a grinding machine or the like, and a surface 10C of the electronic component 10 opposite to the circuit formation surface 10A is ground.

裏面研削方式としては特に限定されないが、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品10と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。The back grinding method is not particularly limited, but any known grinding method such as the through-feed method or the in-feed method can be used. In each case, grinding can be performed while spraying water on the electronic component 10 and the grindstone to cool them.

(工程(B))
つぎに、構造体60を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる。
(Step (B))
Next, the structure 60 is heated to thermally cure the thermosetting protective film 70 .

熱硬化性保護フィルム70を熱硬化させる工程(B)における加熱温度は熱硬化性保護フィルム70の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、120℃以上170℃以下であり、好ましくは130℃以上160℃以下である。The heating temperature in step (B) of thermally curing the thermosetting protective film 70 is not particularly limited as it is set appropriately depending on the type of thermosetting protective film 70, but is, for example, 120°C or higher and 170°C or lower, preferably 130°C or higher and 160°C or lower.

(工程(C))
また、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程(B)の後に電子部品10と粘着性積層フィルム50とを剥離する工程(C)をさらにおこなってもよい。この工程(C)をおこなうことで、粘着性積層フィルム50から電子部品10を剥離することができる。剥離温度は、例えば20~100℃である。
電子部品10と粘着性積層フィルム50との剥離は、公知の方法で行うことができる。
(Step (C))
Furthermore, in the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment, after step (B), step (C) of peeling the electronic component 10 from the adhesive laminate film 50 may be further performed. By performing this step (C), the electronic component 10 can be peeled from the adhesive laminate film 50. The peeling temperature is, for example, 20 to 100°C.
The electronic component 10 and the adhesive laminated film 50 can be peeled off by a known method.

(その他の工程)
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
(Other processes)
The method for manufacturing an electronic device according to this embodiment may include other steps in addition to those described above. As the other steps, steps known in the art for manufacturing electronic devices can be used.

例えば、金属膜形成工程、アニール処理、ダイシング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、フリップチップ接続工程、キュア加温テスト工程、封止工程、リフロー工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。For example, any process commonly performed in the manufacturing process of electronic components, such as a metal film formation process, annealing process, dicing process, die bonding process, wire bonding process, flip chip connection process, cure heating test process, sealing process, reflow process, etc., may be further performed.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 The above describes embodiments of the present invention, but these are merely examples of the present invention and various configurations other than those described above can also be adopted.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。The present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, etc. that are within the scope of achieving the object of the present invention are included in the present invention.

以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
粘着性フィルムの作製に関する詳細は以下の通りである。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto.
Details regarding the preparation of the adhesive film are as follows.

<基材層>
基材層1:ポリエチレンナフタレートフィルム(製品名:テオネックスQ81、東洋紡フィルムソリューション社製、厚み:50μm)
基材層2:ポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡社製、製品名:E7180、厚み:50μm)
<Base layer>
Base layer 1: polyethylene naphthalate film (product name: Teonex Q81, manufactured by Toyobo Film Solutions Co., Ltd., thickness: 50 μm)
Base layer 2: Polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name: E7180, thickness: 50 μm)

<凹凸吸収性樹脂層形成用の樹脂>
樹脂1:エチレン・酢酸ビニル共重合体(製品名:エバフレックスEV150、三井・ダウ・ポリケミカル社製、融点:61℃)
樹脂2:エチレン・プロピレン共重合体(製品名:タフマーA35070S、三井化学社製、融点:55℃)
樹脂3:エチレン・プロピレン共重合体(製品名:タフマーA4070、三井化学社製、融点:55℃)
<Resin for forming unevenness-absorbing resin layer>
Resin 1: Ethylene-vinyl acetate copolymer (product name: Evaflex EV150, manufactured by Dow Mitsui Polychemicals, melting point: 61°C)
Resin 2: Ethylene-propylene copolymer (product name: Tafmer A35070S, manufactured by Mitsui Chemicals, melting point: 55°C)
Resin 3: Ethylene-propylene copolymer (product name: TAFMER A4070, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., melting point: 55° C.)

<粘着剤ポリマー(アクリル系樹脂)>
アクリル酸n-ブチル77質量部、メタクリル酸メチル16質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル16質量部、および重合開始剤としてt-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート0.3質量部をトルエン20質量部、酢酸エチル80質量部で10時間反応させた。反応終了後、この溶液を冷却し、これにトルエン30質量部、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(昭和電工(株)製、製品名:カレンズMOI)7質量部、およびジラウリル酸ジブチル錫0.05質量部を加え、空気を吹き込みながら85℃で12時間反応させ、粘着剤ポリマー溶液を得た。
<Adhesive polymer (acrylic resin)>
77 parts by mass of n-butyl acrylate, 16 parts by mass of methyl methacrylate, 16 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.3 parts by mass of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate as a polymerization initiator were reacted with 20 parts by mass of toluene and 80 parts by mass of ethyl acetate for 10 hours. After the reaction was completed, the solution was cooled, and 30 parts by mass of toluene, 7 parts by mass of methacryloyloxyethyl isocyanate (manufactured by Showa Denko K.K., product name: Karenz MOI), and 0.05 parts by mass of dibutyltin dilaurate were added thereto, and the mixture was reacted at 85° C. for 12 hours while blowing in air, to obtain a pressure-sensitive adhesive polymer solution.

<粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液>
粘着剤ポリマー(固形分)100質量部に対して、光開始剤としてベンジルジメチルケタール(BASF社製、商品名:イルガキュア651)8質量部、イソシアネート系架橋剤(三井化学社製、商品名:オレスターP49-75S)2.33質量部、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート(新中村化学工業社製、商品名:AD-TMP)6質量部を添加し、粘着剤塗布液を得た。
<Adhesive Coating Solution for Adhesive Resin Layer>
To 100 parts by mass of the adhesive polymer (solid content), 8 parts by mass of benzyl dimethyl ketal (manufactured by BASF, product name: Irgacure 651) as a photoinitiator, 2.33 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., product name: Olestar P49-75S), and 6 parts by mass of ditrimethylolpropane tetraacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name: AD-TMP) were added, to obtain an adhesive coating liquid.

[実施例1]
樹脂1(100質量部)、架橋助剤であるトリアリルイソシアヌレート(三菱化学社製、商品名:タイク)0.44質量部および架橋剤であるt-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルカーボネート(アルケマ吉富社製、商品名:ルペロックスTBEC)0.32質量部をドライブレンドした組成物を得た。次いで、ラボプラストミルで溶融混錬して得られた組成物を熱プレス機で厚さ500μmに成形し、凹凸吸収樹脂層を得た。次いで、基材層1を凹凸吸収樹脂層に貼り合わせることで、積層フィルムを作製した。
[Example 1]
A composition was obtained by dry blending resin 1 (100 parts by mass), 0.44 parts by mass of crosslinking aid triallyl isocyanurate (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name: Taiku), and 0.32 parts by mass of crosslinking agent t-butylperoxy-2-ethylhexyl carbonate (manufactured by Arkema Yoshitomi, product name: Luperox TBEC). The composition was then melt-kneaded using a Labo Plastomill and molded to a thickness of 500 μm using a heat press machine to obtain an irregularity-absorbing resin layer. Next, the substrate layer 1 was bonded to the irregularity-absorbing resin layer to produce a laminated film.

次いで、粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液をシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(38μm)に塗布し、乾燥させて、厚み20μmの粘着性樹脂層を形成した。次いで、得られた粘着性樹脂層を上述の積層フィルムの凹凸吸収性樹脂層側に貼り合わせることで、粘着性フィルムを得た。得られた粘着性フィルムについて、以下の各評価を行った。得られた結果を表1に示す。Next, the adhesive coating liquid for the adhesive resin layer was applied to a polyethylene terephthalate film (38 μm) that had been subjected to a silicone release treatment, and dried to form an adhesive resin layer having a thickness of 20 μm. The resulting adhesive resin layer was then bonded to the unevenness-absorbing resin layer side of the laminated film described above to obtain an adhesive film. The following evaluations were performed on the resulting adhesive film. The results are shown in Table 1.

<評価>
(1)エチレン系共重合体の融点
エチレン系共重合体の融点は、示差走査型熱量測定法(DSC)に従い、示差走査型熱量計(SII社製、製品名:X-DSC7000)によって測定した。試料約10mgをアルミパンの中に入れ、30℃から230℃まで10℃/分で昇温した後(1st加熱)、5分間保持した。次いで、-100℃まで10℃/分で冷却し、5分間保持した後、再度230℃まで10℃/分で昇温した(2nd加熱)。横軸に温度、縦軸にDSCをとった際の2nd加熱時のグラフにおいて、吸熱ピークから融点を求めた。
<Evaluation>
(1) Melting point of ethylene-based copolymer The melting point of the ethylene-based copolymer was measured by differential scanning calorimetry (DSC) using a differential scanning calorimeter (manufactured by SII, product name: X-DSC7000). Approximately 10 mg of the sample was placed in an aluminum pan, and the temperature was raised from 30°C to 230°C at 10°C/min (1st heating), and then held for 5 minutes. Next, the sample was cooled to -100°C at 10°C/min, held for 5 minutes, and then heated again to 230°C at 10°C/min (2nd heating). In a graph during the 2nd heating with temperature on the horizontal axis and DSC on the vertical axis, the melting point was determined from the endothermic peak.

(2)シリコンテストピース反り評価
75umに研削したシリコンウェハを5cm×2.5cmに個片化したテストピースを用意した。粘着性フィルムの粘着性樹脂層側のシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムをはがし、70℃に加熱したホットプレート上で貼りつけてから、当該粘着性フィルムをテストピースのサイズに沿ってカットし、粘着性フィルム/シリコンテストピース積層体を作製した。その後、積層体のシリコンテストピース側を下にして、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートの離型面に載せた状態で加熱オーブンに入れ、150℃で2時間30分間加熱した。その後、取り出した積層体を10分間静置・放冷してから、積層サンプルのシリコンテストピース側を下にして、積層サンプルの片方の短辺(2.5cm幅)中央部を上から指で押さえ、その際に持ちあがったもう片方のサンプル短辺の中点の底面からの高さを定規にて測定し、その値を反りとした。
反りは以下の基準で評価した。
◎:≦2mm
〇:2mm<反り<4mm
×:≧4mm
(2) Evaluation of warpage of silicon test piece A test piece was prepared by cutting a silicon wafer ground to 75 um into individual pieces of 5 cm x 2.5 cm. The silicone release-treated polyethylene terephthalate film on the adhesive resin layer side of the adhesive film was peeled off and attached on a hot plate heated to 70 ° C., and then the adhesive film was cut along the size of the test piece to prepare an adhesive film / silicon test piece laminate. Thereafter, the laminate was placed on the release surface of the silicone release-treated polyethylene terephthalate with the silicone test piece side facing down, and placed in a heating oven, and heated at 150 ° C. for 2 hours and 30 minutes. Thereafter, the removed laminate was left to stand and cooled for 10 minutes, and then the silicon test piece side of the laminate sample was placed down, and the center of one short side (2.5 cm wide) of the laminate sample was pressed from above with a finger, and the height from the bottom surface of the midpoint of the other sample short side that was lifted at that time was measured with a ruler, and the value was taken as the warpage.
The warpage was evaluated according to the following criteria.
◎:≦2mm
◯: 2mm < warpage < 4mm
×: ≧4 mm

(3)凹凸吸収性樹脂層の染み出し評価
反り評価後のテストピース端部から凹凸吸収性樹脂層が染み出していないかを目視にて確認した。また、染み出していた場合には染み出した樹脂層がポリエチレンテレフタレートフィルムに貼りついていないかを確認した。
染み出しは以下の基準で評価した。
◎:染み出し無し
〇:染み出しはあるが、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートに貼り付いていない
×:染み出しがあり、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートと貼りついている
(3) Exudation evaluation of the irregularity-absorbing resin layer After the warpage evaluation, it was visually confirmed whether the irregularity-absorbing resin layer had exuded from the end of the test piece. If the exuded resin layer had exuded, it was confirmed whether the exuded resin layer had stuck to the polyethylene terephthalate film.
The bleeding was evaluated according to the following criteria.
◎: No bleeding ○: Bleeding occurred, but the material did not stick to the silicone release-treated polyethylene terephthalate ×: Bleeding occurred, and the material stuck to the silicone release-treated polyethylene terephthalate

[実施例2~4および比較例1、2]
基材層および凹凸吸収性樹脂層の種類を表1に示すものに変更した以外は実施例1と同様にして、粘着性フィルムをそれぞれ作製した。また、実施例1と同様に各評価をそれぞれ行った。得られた結果を表1にそれぞれ示す。
[Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 and 2]
Each pressure-sensitive adhesive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the types of the base layer and the unevenness-absorbing resin layer were changed to those shown in Table 1. In addition, each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

[実施例5]
基材層および凹凸吸収性樹脂層の種類を表1に示すものに変更した以外は実施例1と同様にして、粘着性フィルムをそれぞれ作製した。また、反り評価において、粘着性フィルム/シリコンテストピース積層体を加熱オーブンに入れる前に室温において粘着性フィルム側から高圧水銀ランプで 照射強度100mW/cmで3240mJ/cmのUV照射を実施した以外は、実施例1と同様に各評価をそれぞれ行った。得られた結果を表1にそれぞれ示す。ここで、光開始剤としては、4-メチルベンゾフェノン(SHUANG-BANG INDUSTRIAL社製、商品名:SB-PI712)を用いた。
[Example 5]
Each adhesive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the types of the base layer and the unevenness-absorbing resin layer were changed to those shown in Table 1. In addition, in the warpage evaluation, each evaluation was performed in the same manner as in Example 1, except that UV irradiation was performed from the adhesive film side at room temperature with an irradiation intensity of 100 mW/ cm2 and 3240 mJ/ cm2 using a high-pressure mercury lamp before the adhesive film/silicon test piece laminate was placed in a heating oven. The obtained results are shown in Table 1. Here, 4-methylbenzophenone (manufactured by SHUANG-BANG INDUSTRIAL, product name: SB-PI712) was used as the photoinitiator.

Figure 0007464706000001
Figure 0007464706000001

この出願は、2020年5月22日に出願された日本出願特願2020-089610号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-089610, filed on May 22, 2020, the disclosure of which is incorporated herein in its entirety.

10 電子部品
10A 回路形成面
10B 電極
10C 回路形成面とは反対側の表面
20 基材層
30 凹凸吸収性樹脂層
40 粘着性樹脂層
50 粘着性積層フィルム
60 構造体
70 熱硬化性保護フィルム
10 Electronic component 10A Circuit-forming surface 10B Electrode 10C Surface opposite to the circuit-forming surface 20 Base layer 30 Irregularity-absorbing resin layer 40 Adhesive resin layer 50 Adhesive laminated film 60 Structure 70 Thermosetting protective film

Claims (17)

回路形成面を有する電子部品と、前記電子部品の前記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程(A)と、
前記構造体を加熱することにより、前記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程(B)と、
を備える電子装置の製造方法であって、
前記粘着性積層フィルムが基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルムであって、
前記凹凸吸収性樹脂層は、融点が40℃以上80℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、
前記凹凸吸収性樹脂層中の前記架橋剤の含有量が、前記エチレン系共重合体100質量部に対して、0.06質量部以上0.60質量部以下である電子装置の製造方法。
an electronic component having a circuit formation surface, an adhesive laminate film attached to the circuit formation surface side of the electronic component, and a thermosetting protective film attached to a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface;
A preparation step (A) of preparing a structure comprising:
a heat curing step (B) of heat curing the thermosetting protective film by heating the structure;
A method for manufacturing an electronic device comprising:
The adhesive laminated film is provided with a base layer, an irregularity-absorbing resin layer, and an adhesive resin layer in this order, and is used to protect a circuit-forming surface of an electronic component,
The unevenness-absorbing resin layer includes an ethylene copolymer having a melting point of 40° C. or more and 80° C. or less, and a crosslinking agent,
A method for producing an electronic device, wherein the content of the crosslinking agent in the unevenness-absorbing resin layer is 0.06 parts by mass or more and 0.60 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the ethylene-based copolymer.
請求項1に記載の電子装置の製造方法において、
前記エチレン系共重合体がエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を含む電子装置の製造方法
2. The method of claim 1, further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device includes the step of: (a) providing an ethylene-based copolymer that contains at least one selected from the group consisting of ethylene-α-olefin copolymers and ethylene-vinyl ester copolymers;
請求項2に記載の電子装置の製造方法において、
前記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む電子装置の製造方法
3. The method of claim 2, further comprising the steps of:
The method of manufacturing an electronic device, wherein the ethylene-vinyl ester copolymer comprises an ethylene-vinyl acetate copolymer.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記架橋剤が光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む電子装置の製造方法
4. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the crosslinking agent comprises at least one selected from the group consisting of a photocrosslinking initiator and an organic peroxide.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着性積層フィルムがバックグラインドテープである電子装置の製造方法
5. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, further comprising the steps of:
The method for manufacturing an electronic device, wherein the adhesive laminated film is a backgrind tape.
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記凹凸吸収性樹脂層が架橋助剤をさらに含む電子装置の製造方法
6. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1 ,
The method for producing an electronic device, wherein the unevenness-absorbing resin layer further contains a crosslinking assistant.
請求項6に記載の電子装置の製造方法において、
前記架橋助剤が、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法
7. The method of claim 6, further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the crosslinking auxiliary comprises one or more compounds selected from the group consisting of a divinyl aromatic compound, a cyanurate compound, a diallyl compound, an acrylate compound, a triallyl compound, an oxime compound, and a maleimide compound .
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記基材層を構成する樹脂がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法
8. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the resin constituting the base layer contains one or more kinds selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyimide.
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記基材層を構成する樹脂がポリエチレンナフタレートを含む電子装置の製造方法
8. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the resin constituting the base layer contains polyethylene naphthalate.
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記凹凸吸収性樹脂層の厚みが10μm以上1000μm以下である電子装置の製造方法
10. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the unevenness-absorbing resin layer has a thickness of 10 μm or more and 1000 μm or less.
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が(メタ)アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法
11. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the adhesive constituting the adhesive resin layer comprises one or more adhesives selected from a (meth)acrylic adhesive, a silicone adhesive, a urethane adhesive, an olefin adhesive, and a styrene adhesive.
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記準備工程(A)は、
前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記粘着性積層フィルムにおける前記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
12. The method of claim 1, further comprising the steps of:
The preparation step (A) includes:
a curing step of thermally curing or ultraviolet curing the unevenness-absorbing resin layer in the adhesive laminated film in a state where the adhesive laminated film is attached to the circuit-forming surface of the electronic component;
attaching the thermosetting protective film to a surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface;
A method for manufacturing an electronic device comprising the steps of:
請求項12に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が50℃以上90℃以下である電子装置の製造方法。
13. The method of claim 12 , further comprising the steps of:
A method for manufacturing an electronic device, wherein the heating temperature in the step of attaching the thermosetting protective film to the surface of the electronic component opposite to the circuit formation surface is 50° C. or higher and 90° C. or lower.
請求項12または13に記載の電子装置の製造方法において、
前記準備工程(A)は、前記硬化工程の前に、前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
14. The method for manufacturing an electronic device according to claim 12 ,
The preparation step (A) is a method for manufacturing an electronic device, comprising a back-grinding step of back-grinding a surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface, with the adhesive laminate film attached to the circuit-forming surface of the electronic component, prior to the curing step.
請求項乃至14のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱硬化工程(B)における加熱温度が120℃以上170℃以下である電子装置の製造方法。
15. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
The method for producing an electronic device, wherein the heating temperature in the thermal curing step (B) is 120° C. or higher and 170° C. or lower.
請求項乃至15のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品の前記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
16. The method of claim 1 , further comprising the steps of:
The method for manufacturing an electronic device, wherein the circuit formation surface of the electronic component includes bump electrodes.
請求項16に記載の電子装置の製造方法において、
前記バンプ電極の高さをH[μm]とし、前記凹凸吸収性樹脂層の厚みをd[μm]としたとき、H/dが0.01以上1以下である電子装置の製造方法。
17. The method of claim 16 , further comprising the steps of:
A method for manufacturing an electronic device, wherein when the height of the bump electrode is H [μm] and the thickness of the irregularity-absorbing resin layer is d [μm], H/d is 0.01 or more and 1 or less.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022224900A1 (en) * 2021-04-20 2022-10-27

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017061132A1 (en) 2015-10-05 2017-04-13 リンテック株式会社 Sheet for semiconductor processing
WO2017169958A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 Adhesive film for semiconductor wafer processing
JP2018006540A (en) 2016-06-30 2018-01-11 三井化学東セロ株式会社 Adhesive film for semiconductor wafer processing
WO2019017225A1 (en) 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
WO2019017226A1 (en) 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
JP2019161031A (en) 2018-03-14 2019-09-19 マクセルホールディングス株式会社 Adhesive tape for backgrinding
WO2020059572A1 (en) 2018-09-20 2020-03-26 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
WO2020175364A1 (en) 2019-02-26 2020-09-03 株式会社ディスコ Back grinding adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor wafer
WO2020203089A1 (en) 2019-03-29 2020-10-08 三井化学東セロ株式会社 Electronic apparatus production method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5318435B2 (en) * 2008-02-29 2013-10-16 日東電工株式会社 Adhesive sheet for semiconductor wafer back grinding and semiconductor wafer back grinding method using this back grinding adhesive sheet
KR101808140B1 (en) * 2010-04-13 2017-12-13 도레이 필름 카코우 가부시키가이샤 Surface protective film
JP4918181B2 (en) * 2010-06-02 2012-04-18 三井化学東セロ株式会社 SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE PROTECTION SHEET, SEMICONDUCTOR WAFER PROTECTION METHOD USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2012054431A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer protection
EP2980176B1 (en) * 2013-03-26 2018-02-21 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Production method for laminate film, laminate film, and production method for semiconductor device employing same
WO2015064574A1 (en) * 2013-10-30 2015-05-07 リンテック株式会社 Semiconductor bonding adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method
JP6571398B2 (en) 2015-06-04 2019-09-04 リンテック株式会社 Protective film for semiconductor, semiconductor device and composite sheet
JP7049797B2 (en) * 2017-09-29 2022-04-07 三井化学東セロ株式会社 Adhesive film
EP3786246A4 (en) * 2018-04-24 2022-01-19 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Pressure-sensitive adhesive film and method for producing electronic device
KR20200024591A (en) * 2018-08-28 2020-03-09 주식회사 엘지화학 Back grinding tape

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017061132A1 (en) 2015-10-05 2017-04-13 リンテック株式会社 Sheet for semiconductor processing
WO2017169958A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 Adhesive film for semiconductor wafer processing
JP2018006540A (en) 2016-06-30 2018-01-11 三井化学東セロ株式会社 Adhesive film for semiconductor wafer processing
WO2019017225A1 (en) 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
WO2019017226A1 (en) 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
JP2019161031A (en) 2018-03-14 2019-09-19 マクセルホールディングス株式会社 Adhesive tape for backgrinding
WO2020059572A1 (en) 2018-09-20 2020-03-26 三井化学東セロ株式会社 Method for manufacturing electronic device
WO2020175364A1 (en) 2019-02-26 2020-09-03 株式会社ディスコ Back grinding adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor wafer
WO2020203089A1 (en) 2019-03-29 2020-10-08 三井化学東セロ株式会社 Electronic apparatus production method

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