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JP7466538B2 - オキシム誘導体の水素化プロセス - Google Patents

オキシム誘導体の水素化プロセス Download PDF

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Description

本発明は、オキシムのイリジウム－触媒水素化に係る新規プロセスに関する。本発明はまた、オキシムのイリジウム－触媒水素化において用いられる新規イリジウム触媒、及び、これらの触媒の調製プロセスに関する。本発明はさらに、他の不飽和基材のイオン性水素化における新規イリジウム触媒の使用に関する。
対応するヒドロキシルアミン誘導体へのオキシム及びオキシムエーテルの還元は、多くの有機合成における有用なステップである。
Figure 0007466538000001
シアノ水素化ホウ素ナトリウム又はボラントリエチルアミン錯体などのボラン錯体を用いるオキシム及びオキシムエーテルの還元が、国際公開第１３／１２７７６４号に記載されている。ボラン還元法の主な欠点は、還元剤の高いコスト、化学量論量の廃棄物の形成がもたらされるこのプロセスの低い原子効率、及び、シアノ水素化ホウ素の毒性である。多くの事例において、ボランオキシム還元では、対応する第一級アミンへの過還元が生じてしまう（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．Ｉ，１９８５，２０３９）。
国際公開第１３／１２７７６４号には、白金－炭素触媒及び硫酸又は塩酸などの強酸の存在下における、ヒドロキシルアミンへのオキシム及びオキシムエーテルの不均一系水素化が開示されている。この方法の主な欠点は、厳しい反応条件及び限定された範囲であり、例えば、ニトロ基又はアルケン基などの基材における容易に還元される他の官能基は耐性がない。いくつかの場合において、不均一系オキシムからヒドロキシルアミンへの水素化では、対応する第一級アミンへの過還元、並びに、触媒被毒が生じてしまう。
オキシム及びオキシムエーテルのヒドロキシルアミンへの均一系水素化に係る報告はほとんどない。オキシムの遷移金属－触媒水素化は通例、対応する第一級アミンへの過還元、及び、低い触媒効率により苦労を伴うものである（コバルト触媒－Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．１９６３，３６，７６３；ルテニウム触媒－Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９２，３，１２８３；ロジウム触媒－Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９５，１７６７；Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２０１３，１５，４８４；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ ２０１６，２７，２６８；イリジウム触媒－Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．２００１，３１，２７６７）。
欧州特許第１８６２４４６号明細書には、６０ｂａｒの水素、ビス（１，５－シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）テトラフルオロボレート及び（Ｒ）－１－［（Ｓ）－２－ジフェニルホスフィノフェロセニル］エチルジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィンの組み合わせを用いる、エチル３－メトキシイミノブタノエート誘導体の均一系イリジウム－触媒水素化が開示されている。しかしながら、実際には、この方法は、３－ケトエステルのオキシムに範囲が限定されている。このような基材は２，３－不飽和エステルに互変異性化し、従って、記載のオキシム水素化反応は、実際には炭素－炭素二重結合還元である。
Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２０１４，５３，１３２７８及びＣｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１５，２１，１７５８３には、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン触媒を用いるオキシム誘導体の均質水素化が開示されているが、しかしながら、この方法は、嵩高いＯ－置換基（ｔ－ブチル又はＳｉ［（ＣＨ3）2ＣＨ］3）を有するオキシムエーテルに限定されており、比較的厳しい反応条件（５％触媒、６０～１００ｂａｒ Ｈ2）を利用する。
Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ，２０１３，１１，６９３４、及び、関連する国際公開第１３／１５３４０７号及び国際公開第１３／１５３４０８号には、対応するイミンを介したケトン及びアルデヒドの還元性アミノ化のための一定のシクロペンタジエニルイリジウム触媒が開示されている。しかしながら、これらの開示されている触媒は、オキシムの還元には非効率的であることが見出されている。
ここで、本発明者らは、一定の選択されたイリジウム触媒を用いることで、比較的温和な条件下に水素を用いるオキシムの還元を実施することが可能であることを見出した。
本発明によれば、オキシム（Ｉ）と水素とを、式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）のイリジウム触媒及び酸の存在下に反応させることによる、式（ＩＩ）のヒドロキシルアミン塩をもたらすための式（Ｉ）のオキシムの水素化に係るプロセス；
Figure 0007466538000002
 が提供され、ここで、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8ヒドロキシアルキル、Ｃ1～Ｃ8シアノアルキル、Ｃ1～Ｃ6アルコキシＣ1～Ｃ8アルキル、ジ（Ｃ1～Ｃ6アルコキシ）Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル、Ｃ2～Ｃ6アルケニル、Ｃ3～Ｃ8シクロアルキル、フェニル、フェニルＣ1～Ｃ3アルキル又はヘテロアリールであり、ここで、前記シクロアルキル及びフェニル部分は各々、任意選択により、ヒドロキシル、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ6アルキル、Ｃ3～Ｃ8シクロアルキル、Ｃ1～Ｃ6ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ6アルコキシ、フェニル、ヘテロアリール、Ｃ1～Ｃ6アルコキシカルボニル、アシルアミノ、アミド、シアノ、ニトロ及びＣ2～Ｃ6アルケニルから選択される１個～５個の基で置換されており；又は
Ｒ1及びＲ2は、これらが結合している炭素原子と一緒になって、４員～８員飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個、２個又は３個のヘテロ原子を含む非芳香族単環式環であり、ここで、ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択される。
好ましくは、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して、水素、Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ヒドロキシアルキル、Ｃ1～Ｃ4シアノアルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ4アルキル、ジ（Ｃ1～Ｃ3アルコキシ）Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ハロアルキル、Ｃ2～Ｃ3アルケニル、Ｃ3～Ｃ6シクロアルキル、フェニル、フェニルＣ1～Ｃ2アルキル又はヘテロアリールであり、ここで、シクロアルキル及びフェニル部分は各々、任意選択により、ヒドロキシル、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルキル、Ｃ3～Ｃ6シクロアルキル、Ｃ1～Ｃ3ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、フェニル、ヘテロアリール、Ｃ1～Ｃ3アルコキシカルボニル、アシルアミノ、アミド、シアノ、ニトロ及びＣ2～Ｃ3アルケニルから選択される１個、２個又は３個の基で置換されており；又は
Ｒ1及びＲ2は、これらが結合している炭素原子と一緒になって、４員～６員飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個、２個又は３個のヘテロ原子を含む非芳香族単環式環であり、ここで、ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択される。
より好ましくは、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して、水素、Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ヒドロキシアルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ4アルキル、ジ（Ｃ1～Ｃ3アルコキシ）Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ハロアルキル、Ｃ2～Ｃ3アルケニル、フェニル及びフェニルＣ1～Ｃ2アルキルであり、ここで、フェニル部分は、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルキル、Ｃ1～Ｃ3ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシカルボニル、ヒドロキシル及びニトロから、好ましくはクロロ、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル及びニトロから選択される１個、２個又は３個の基で任意選択により置換され得る。
実施形態の１つの組において、Ｒ1は、ｔｅｒｔ－ブチル、メトキシカルボニル、１，１－ジメトキシメチル、シクロプロピル、フェニル又はベンジルを表し、ここで、各フェニル又はベンジル部分の芳香族環は、クロロ、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル及びニトロから独立して選択される１個、２個又は３個の基で任意選択により置換されており；
Ｒ2は、水素、メチル又はエチルを表し；並びに
Ｒ3は、水素、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ－ブチル、アリル又はベンジルを表す。
実施形態の他の組において、Ｒ1は、ｔｅｒｔ－ブチル、メトキシカルボニル、１，１－ジメトキシメチル、シクロプロピル、２－メチルフェニル、２－クロロフェニル、４－ニトロフェニル、４－メトキシフェニル、２－ブロモベンジル、４－メトキシベニル又は２，４，６－トリクロロベンジルを表し；
Ｒ2は、水素、メチル又はエチルを表し；並びに
Ｒ3は、水素、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ－ブチル、アリル又はベンジルを表す。
実施形態の１つの組において、Ｒ1はフェニル又はベンジルを表し、ここで、各フェニル又はベンジル部分の芳香族環は、クロロ、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル又はニトロから独立して選択される１個、２個又は３個の基で任意選択により置換され；
Ｒ2は水素又はメチルを表し；及び
Ｒ3は、水素、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ－ブチル、アリル又はベンジルを表す。
もっとも好ましい実施形態において、式（ＩＩ）のヒドロキシルアミンは、Ｎ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）である。
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して、水素又はＣ1～Ｃ3アルキルである。好ましくは、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して水素又はメチルであり、より好ましくは、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々、メチルを表す。
Figure 0007466538000003
 は、イリジウムに配位する少なくとも１個の炭素原子及びイリジウムに配位する少なくとも１個の窒素原子を含む二座キレートリガンドを表す。多くの金属－キレートリガンドが当業者に公知であり、本発明における使用に好適であろう。特に好適な二座キレートリガンドは、配位している窒素及び炭素原子において１，４－関係を有するもの、好ましくは、配位している炭素原子がフェニル環の一部を形成し、ここで、前記フェニル環がオルト位で置換されているものである。
好ましい二座キレート化Ｃ，Ｎリガンドは、構造（ＩＶ）、（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）：
Figure 0007466538000004
 のリガンドであり、ここで、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ8ハロアルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルキルカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、フェノキシ又はニトロであり；
Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ8アルキル及びＣ1～Ｃ8アルコキシから選択される１個～５個の基により任意選択により置換されており；又は
ここで、二座キレートリガンドは（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）であり、Ｒ11A及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５員又は６員不飽和環を形成し得、好ましくはＲ11A及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員不飽和環を形成し得；又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５員～８員部分飽和又は不飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、及び、ここで、ヘテロ原子は、Ｎ，Ｏ及びＳから独立して選択される。一実施形態において、Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員～８員部分飽和又は不飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、ここで、ヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳから独立して選択される。
好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ又はニトロであり、及び、Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ3アルキル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ3アルキル及びＣ1～Ｃ3アルコキシから選択される１個～３個の基により任意選択により置換されており；より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ3アルコキシ又はＣ1～Ｃ3アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ3アルコキシであり、及び、Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ3アルキル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ3アルキル及びＣ1～Ｃ3アルコキシから選択される１個～３個の基により任意選択により置換されており；又は
ここで、二座キレートリガンドは（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）であり、Ｒ11A及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５又は６員、好ましくは６員不飽和環を形成し得；又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５員～７員、好ましくは６員又は７員、部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し、ここで、複素環式部分は１個のＯ原子を含む非芳香族環である。一実施形態において、Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５又は６員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個のＯ原子を含む非芳香族環である。
より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、メチル、メトキシ、エトキシ、２－ヒドロキシエトキシ、２－メトキシエトキシ、メトキシカルボニル－メトキシ、イソ－プロポキシカルボニル－メトキシ又はニトロであり、及び、Ｒ12は、水素、メチル又はフェニルであり；及び、ここで、各フェニル部分は、１個のメトキシ基により任意選択により置換されており；より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、メチル、メトキシ、エトキシ、２－ヒドロキシエトキシ、２－メトキシエトキシ、メトキシカルボニル－メトキシ又はイソ－プロポキシカルボニル－メトキシであり、又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員又は７員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は１個の酸素原子を含む非芳香族環である。
一実施形態において、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシ又はニトロである。
二座キレートリガンドの例は、以下に示されている式（ＩＶ－１）、（ＩＶ－２）、（ＩＶ－３）、（ＩＶ－５）、（ＩＶ－６）、（ＩＶ－７）、（ＩＶ－８）、（ＩＶ－９）、（ＩＶ－１０）、（ＩＶ－１１）又は（ＩＶ－１２）：
Figure 0007466538000005
 の化合物である。
Ｘはアニオン基、すなわち、正味で負の電荷を有する基を表し、ここで、Ｘはハロゲンではない。Ｘがハロゲンである（ＩＩＩａ）の錯体においては、アニオン基が金属に対して過度に強固に結合しており、このような錯体は、中性又は酸性水素化条件下において、触媒的に活性な水素化物中間体を十分な量で提供しないことを本発明者らは見出した。好適なアニオン基Ｘの例としては、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏ-又はＲ15－Ｃ（Ｏ）Ｏ-のアニオン性リガンドが挙げられ、ここで
Ｒ14は、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1～Ｃ6アルキル、Ｃ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ6ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ16から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されており；
Ｒ16は、Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンであり、好ましくはメチル、エチル、トリフルオロメチル、ニトロ又はハロゲンであり、より好ましくはメチル又はハロゲンであり、さらにより好ましくはメチル、クロロ又はフルオロである。
好ましくは、Ｒ14は、ヒドロキシ、メチル、トリフルオロメチル、フェニル又はトリルである。
Ｒ15はＣ1～Ｃ6ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ17から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されている。
Ｒ17は、Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ4ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンである。
好ましくは、Ｒ15はトリフルオロメチルである。
一実施形態において、Ｘは、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏの基を表す。一実施形態において、Ｘは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェンスルフェート、トリフレート又はトリフルオロ酢酸塩である。
Ｙは、中性リガンド、すなわち、全体で無電荷であるリガンドを表す。中性リガンドの例としては、限定されるものではないが、Ｈ2Ｏ、アルコール、エーテル、ケトン、エステル、アミド及びニトリルが挙げられる。好ましくは、Ｙは、Ｈ2Ｏ、ＰｈＣＮ又はＭｅＣＮであり、より好ましくはＨ2Ｏ又はＭｅＣＮであり、最も好ましくは、ＹはＨ2Ｏである。
Ｚは、アニオン基、すなわち、正味で負の電荷を有する基を表し、ここで、Ｚはハロゲン又はアセテートではない。アニオン基の例としては、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏ-（ここで、Ｒ14は上記に記載されている）のリガンド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロリン酸、過塩素酸、テトラフェニルボレート、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フッ素化アルコキシアルミネート、メシレート、トリフレート、トシレート、ニトレート、ハイドロジェノスルフェート（hydrogenosulfate）又はスルフェート、及び、他の弱く配位するアニオン基が挙げられる。好ましくは、Ｚは、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏ-（ここで、Ｒ14は上記に記載されている）のもの、メシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロリン酸、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート、より好ましくは、メシレート又はテトラフルオロボレートである。
上記のプロセスによってもたらされるＮ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）を３－（ジフルオロメチル）－１－メチル－ピラゾール－４－塩化カルボニル（ＸＩＩ）とさらに反応させて、３－（ジフルオロメチル）－Ｎ－メトキシ－１－メチル－Ｎ－［１－メチル－２－（２，４，６－トリクロロフェニル）エチル］ピラゾール－４－カルボキサミド（ＸＩＩＩ）を得るプロセス：
Figure 0007466538000006
もまた提供される。
本発明の一実施形態において、イリジウム触媒は、式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）又は（ＩＩＩ－１９）：
Figure 0007466538000007
 の化合物であり、好ましくはイリジウム触媒は、式（ＩＩＩ－１）の化合物であり、式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）又は（ＩＩＩ－１９）の化合物もまた提供され、好ましくは、式（ＩＩＩ－１）の化合物が提供される。
本発明の他の実施形態において、式（ＩＩＩｃ）又は（ＩＩＩｄ）：
Figure 0007466538000008
 の化合物が提供され、ここで、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して、水素又はＣ1～Ｃ3アルキルである。好ましくは、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して、水素又はメチルであり、より好ましくは、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々メチルを表し；
ここで、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ8ハロアルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルキルカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、フェノキシ又はニトロであり；
Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル又はフェニルであり；ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ8アルキル及びＣ1～Ｃ8アルコキシから選択される１個～５個の基により任意選択により置換されており；又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５員～８員部分飽和若しくは不飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、ここで、ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから独立して選択される。一実施形態において、Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員若しくは８員部分飽和若しくは不飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、ここで、ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから独立して選択され；
Ｘは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェンスルフェート、トリフレート又はトリフルオロ酢酸塩であり；
Ｙは、Ｈ2Ｏ、ＰｈＣＮ又はＭｅＣＮであり；及び
Ｚは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、トリフレートテトラフルオロボレート、ヘキサフルオロリン酸、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートである。
好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルキル、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ又はニトロであり、及び、Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ3アルキル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ3アルキル及びＣ1～Ｃ3アルコキシから選択される１個～３個の基により任意選択により置換されており；より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ3アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシＣ1～Ｃ3アルコキシ又はＣ1～Ｃ3アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ3アルコキシであり、及び、Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ3アルキル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ3アルキル及びＣ1～Ｃ3アルコキシから選択される１個～３個の基により任意選択により置換されており；又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５員～７員、好ましくは６員又は７員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は１個のＯ原子を含む非芳香族環である。一実施形態において、Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、５又は６員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は１個のＯ原子を含む非芳香族環である。
より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、メチル、メトキシ、エトキシ、２－ヒドロキシエトキシ、２－メトキシエトキシ、メトキシカルボニル－メトキシ、イソ－プロポキシカルボニル－メトキシ又はニトロであり、及び、Ｒ12は、水素、メチル又はフェニルであり；並びに、ここで、各フェニル部分は、１個のメトキシ基により任意選択により置換されており；より好ましくは、Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、メチル、メトキシ、エトキシ、２－ヒドロキシエトキシ、２－メトキシエトキシ、メトキシカルボニル－メトキシ又はイソ－プロポキシカルボニル－メトキシであり；又は
Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員又は７員、好ましくは６員、部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は１個のＯ原子を含む非芳香族環である。
本明細書において用いられるところ、「ハロゲン」又は「ハロ」という用語は、フッ素（フルオロ）、塩素（クロロ）、臭素（ブロモ）又はヨウ素（ヨード）、好ましくはフッ素、塩素又は臭素を指す。もっとも好ましくは、ハロゲンは塩素である。
本明細書において用いられるところ、シアノは－ＣＮ基を意味する。
本明細書において用いられるところ、「ヒドロキシル」又は「ヒドロキシ」という用語は、－ＯＨ基を意味する。
本明細書において用いられるところ、アミノは－ＮＨ2基を意味する。
本明細書において用いられるところ、アシルアミノは－ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）Ｒa基を意味し、ここで、Ｒaは、以下に一般的に定義されているＣ1～Ｃ4アルキルラジカルである。
本明細書において用いられるところ、アミドは－（Ｃ＝Ｏ）ＮＲaＲa基を意味し、ここで、Ｒaは、水素又は以下に一般的に定義されているＣ1～Ｃ4アルキルラジカルから独立して選択される。
本明細書において用いられるところ、ニトロは－ＮＯ2基を意味する。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルキル」という用語は、単に炭素及び水素原子からなり、不飽和を含有せず、１個～６個の炭素原子を有し、並びに、単結合によって分子の残部に結合している直鎖又は分岐鎖炭化水素鎖ラジカルを指す。Ｃ1～Ｃ6アルキル、Ｃ1～Ｃ4アルキル、Ｃ1～Ｃ3アルキル及びＣ1～Ｃ2アルキルは相応に解釈されるべきである。Ｃ1-8アルキルの例としては、これらに限定されないが、メチル、エチル、ｎ－プロピル、１－メチルエチル（イソプロピル）、ｎ－ブチル及び１－ジメチルエチル（ｔ－ブチル）が挙げられる。「Ｃ1～Ｃ2アルキレン」基は、Ｃ1～Ｃ2アルキルの対応する定義を参照するが、ただし、このようなラジカルは２つの単結合によって分子の残部に結合することを除く。Ｃ1～Ｃ2アルキレンの例は、－ＣＨ2－及び－ＣＨ2ＣＨ2－である。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ2～Ｃ6アルケニル」という用語は、単に炭素及び水素原子からなり、（Ｅ）－又は（Ｚ）－立体配置のいずれかであることが可能である少なくとも１つの二重結合を含有し、２個～６個の炭素原子を有し、単結合によって分子の残部に結合している直鎖又は分岐鎖炭化水素鎖ラジカル基を指す。Ｃ2～Ｃ6アルケニルの例としては、これらに限定されないが、エテニル（ビニル）、プロプ－１－エニル、プロプ－２－エニル（アリル）及びブタ－１－エニルが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルコキシ」という用語は、上記に一般的に定義されているとおり、ＲaがＣ1-8アルキルラジカルである式－ＯＲaのラジカルを指す。Ｃ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ4アルコキシ、Ｃ1～Ｃ3アルコキシ及びＣ1～Ｃ2アルコキシという用語は、相応に解釈されるべきである。Ｃ1～Ｃ6アルコキシの例としては、これらに限定されないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びｔ－ブトキシが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル」という用語は、上記に一般的に定義されているとおり、同一又は異なる１個以上のハロゲン原子により置換されているＣ1～Ｃ8アルキルラジカルを指す。Ｃ1～Ｃ8ハロアルキルの例としては、これらに限定されないが、フルオロメチル、フルオロエチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、２，２，２－トリフルオロエチル及び３，３，３－トリフルオロプロピルが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8ハロアルコキシ」という用語は、上記に一般的に定義されているとおり、同一又は異なる１個以上のハロゲン原子により置換されているＣ1～Ｃ8アルコキシラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、「ヒドロキシＣ1～Ｃ8アルキル」という用語は、上記に定義されている１個以上のヒドロキシ基によって置換されている、上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキレンラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、「ヒドロキシＣ1～Ｃ8アルコキシ」という用語は、上記に定義されている１個以上のヒドロキシ基によって置換されている、上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルコキシラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、「シアノＣ1～Ｃ8アルキル」という用語は、上記に定義されている１個以上のシアノ基により置換されている、上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキレンラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルコキシＣ1～Ｃ6アルコキシ」という用語は、式ＲbＯ－ＲaＯ－のラジカルを指し、ここで、Ｒbは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキルラジカルであり、及び、Ｒaは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ6アルキレンラジカルである。Ｃ1～Ｃ8アルコキシＣ1～Ｃ6アルコキシの例としては、これらに限定されないが、メトキシメトキシ、エトキシメトキシ及びメトキシエトキシが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニル」という用語は、式ＲaＯＣ（Ｏ）－のラジカルを指し、ここで、Ｒaは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキルラジカルである。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ6アルコキシＣ1～Ｃ8アルキル」という用語は、式ＲaＯＲb－のラジカルを指し、ここで、各Ｒaは独立して、上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ6アルキルラジカルであり、及び、Ｒbは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキレンラジカルである。
本明細書において用いられるところ、「ジ（Ｃ1～Ｃ6アルコキシ）Ｃ1～Ｃ8アルキル」という用語は、式（ＲaＯ）2Ｒb－のラジカルを指し、ここで、各Ｒaは独立して、上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ6アルキルラジカルであり、及び、Ｒbは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキレンラジカルである。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ」という用語は、式ＲaＯＣ（Ｏ）ＲbＯ－のラジカルを指し、ここで、Ｒaは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキルラジカルであり、及び、Ｒbは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ6アルキルラジカルである。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ1～Ｃ8アルキルカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ」という用語は、式ＲaＣ（Ｏ）ＲbＯ－のラジカルを指し、ここで、Ｒaは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ8アルキルラジカルであり、及び、Ｒbは上記に一般的に定義されているＣ1～Ｃ6アルキルラジカルである。
本明細書において用いられるところ、「Ｃ3～Ｃ8シクロアルキル」という用語は、飽和若しくは部分飽和であり、及び、３個～８個の炭素原子を含有する単環式環ラジカルを指す。Ｃ3～Ｃ6シクロアルキル及びＣ3～Ｃ5シクロアルキルは、相応に解釈されるべきである。Ｃ3～Ｃ8シクロアルキルの例としては、これらに限定されないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロペンタン－１－イル、シクロペンタン－３－イル及びシクロヘキセン－３－イルが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「フェニルＣ1～Ｃ3アルキル」という用語は、上記に定義されているＣ1～Ｃ3アルキルラジカルにより分子の残部に結合しているフェニル環を指す。フェニルＣ1～Ｃ3アルキルの例としては、これらに限定されないが、ベンジルが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、「ヘテロアリール」という用語は、一般に、窒素、酸素及び硫黄から個々に選択される１個又は２個のヘテロ原子を含む５又は６員単環式芳香族環ラジカルを指す。ヘテロアリールラジカルは、炭素原子又はヘテロ原子を介して分子の残部に結合していてもよい。ヘテロアリールの例としては、これらに限定されないが、フリル、ピロリル、チエニル、ピラゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラジニル、ピリダジニル、ピリミジル及びピリジルが挙げられる。
本明細書において用いられるところ、＝Ｏは、例えば、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）基において見出されるものといったオキソ基を意味する。
本明細書において用いられるところ、Ｏ－メシル又はメシレートは、式－ＯＳ（Ｏ）2ＣＨ3のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、Ｏ－トシル又はトシレートは、式－ＯＳ（Ｏ）2Ｃ6Ｈ4－ｐ－ＣＨ3のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、Ｏ－ノシル又はノシレートは、式－ＯＳ（Ｏ）2Ｃ6Ｈ4－ｐ－ＮＯ2のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、Ｏ－トリフリル又はトリフレートは、式－ＯＳ（Ｏ）2ＣＦ3のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、Ｏ－トリフルオロアセチル又はトリフルオロ酢酸塩は、式－ＯＣ（Ｏ）ＣＦ3のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、テトラフルオロボレートは、式ＢＦ4 -のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、テトラフェニルボレートは、式Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4 -のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボリルは、式Ｂ（３，５－（ＣＦ3）2Ｃ6Ｈ3）4 -のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、ヘキサフルオロリン酸は、式ＰＦ6 -のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、スルフェートは、式ＳＯ4 2-のラジカルを指す。
本明細書において用いられるところ、ハイドロジェンスルフェートは、式ＨＳＯ4 -のラジカルを指す。
国際公開第１０／０６３７００号に記載されているとおり、一般式（ＩＩ）のいく種かのヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩が、殺有害生物性化合物の中間体であることが公知である。
好適なイリジウム触媒（ＩＩＩａ）は、既知のシクロメタレート化クロロ錯体（ＶＩ）（Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，１１，６９３４；国際公開第２０１３／１５３４０７号）から、メタンスルホン酸銀、硫酸銀、銀ｐ－トルエンスルホネートなどの好適な金属塩（Ｘ－Ｍ、ここで、Ｘは（ＩＩＩａ）に定義されているとおりであり、及び、Ｍは金属を表す）を用いて、ハロゲン交換を介して調製され得る。或いは、イリジウム触媒（ＩＩＩａ）は、イリジウム錯体（ＶＩＩ）（ここで、Ｘは、（ＩＩＩａ）において定義されているとおりである）及び例えばＮ，１－ビス（４－メトキシフェニル）エタンイミンといった好適なＣ，Ｎリガンドのシクロメタル化を介して調製され得る。このような反応は、好ましくは、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン又はテトラヒドロフランなどの非配位性又は弱配位性溶剤中において行われる。
Figure 0007466538000009
触媒合成を例えばニトリル又は水といった配位性溶剤の存在下で行う場合、構造（ＩＩＩｂ）の錯体（Ｙ及びＺは上に定義されるとおりである）が代わりに単離され得る。
本発明のプロセスによれば、イリジウム触媒の量は通常、オキシム基材のモル数を基準として、０．００１ｍｏｌ％～５ｍｏｌ％、好ましくは０．０１ｍｏｌ％～１ｍｏｌ％である。
本発明のプロセスによれば、水素圧は通常、１～１００ｂａｒ、好ましくは５～８０ｂａｒ、より好ましくは７～６０ｂａｒ、最も好ましくは１０～５０ｂａｒである。
本発明のプロセスによれば、反応温度は通常、－２０℃～１２０℃、好ましくは０℃～１００℃、より好ましくは０℃～８０℃、さらにより好ましくは１０℃～６０℃である。
好ましくは、オキシム水素化は少なくとも化学量論量の酸の存在下で行われる。従って、酸のモル量は、還元されるオキシム基材の量以上であるべきであり、例えば少なくとも１～３モル当量、好ましくは１～２モル当量、及び、特に１、１．１又は２モル当量である。酸のｐＫａは、オキシム基材及びヒドロキシルアミン生成物を少なくとも部分的にプロトン化することが可能であるようなものでなければならない。従って、酸のｐＫａは、生成物であるヒドロキシルアミン塩（ＩＩ）のｐＫａよりも低いことが好ましい。ほとんどのオキシム基材に好適な酸としては、限定されるものではないが、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、硫酸、トリフルオロ酢酸及びトリフリック酸が挙げられ、好ましくは、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、硫酸、及びトリフリック酸から選択される。より好ましくは、酸は、メタンスルホン酸、カンファースルホン酸及び硫酸から選択される。
典型的には、オキシム水素化反応は溶剤の存在下で行われ、好ましい溶剤は、アルコール、エステル、エーテル又は炭化水素などの有機溶剤である。好ましい溶剤は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、２－メチル－２－ブタノール及び２－ブタノールなどのアルコール、並びに、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン及びメチルテトラヒドロフランなどのエーテルである。もっとも好ましい溶剤は、イソプロパノール及び２－ブタノールなどの第二級アルコール、並びに、テトラヒドロフラン及びメチルテトラヒドロフランなどのエーテルである。好ましくは、溶剤はイソプロパノールである。
本発明はまた、式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）のイリジウム触媒及び任意選択により酸の存在下における、水素による、例えば、アシレンアミン、イミン、エナミン、複素環、アルデヒド及びケトンといった他の不飽和基材のイオン性水素化に関する。
以下の実施例は本発明を例示するためのものである。
以下の略語が用いられている：ｓ＝一重項；ｂｓ＝幅広の一重項；ｄ＝二重項；ｂｒ ｄ＝幅広の二重項、ｄｄ＝二重の二重項、ｄｔ＝二重の三重項、ｔ＝三重項、ｔｔ＝三重の三重項、ｑ＝四重項、ｓｅｐｔ＝七重項、ｍ＝多重項、ＲＴ＝室温、Ｒt＝保持時間、ＭＨ+＝分子カチオンの分子量、ＤＣＭ＝ジクロロメタン。
1Ｈ及び19Ｆ ＮＭＲスペクトルを、ＢＢＦＯｐｌｕｓプローブを備えるＢｒｕｋｅｒ Ａｖａｎｃｅ ＩＩＩ ４００分光計で、それぞれ４００ＭＨｚ／３７６．６ＭＨｚで記録した。
以下の出発材料が市販されている：
クロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）［（２－ピリジニル－ｋＮ）フェニル－ｋＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（ＣＡＳ＝９４５４９１－５１－０）；
クロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）｛５－ニトロ－２－｛１－［（４－メトキシフェニル）イミノ－ｋＮ］エチル｝フェニル－ｋＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（ＣＡＳ＝１４３９４０２－２５－１）；
７－（２－メトキシエトキシ）テトラリン－１－オン（ＣＡＳ＝１６９７６４４－１５－７）；
メチル２－（４－オキソテトラリン－６－イル）オキシアセテート（ＣＡＳ＝１９３７１９７－９５－９）；
７－（２－ヒドロキシエトキシ）テトラリン－１－オン（ＣＡＳ＝１２６００１１－１３－９）。
以下の出発材料を文献手法に従って調製した：
イリジウム、クロロ［５－（エチルメチルアミノ）－２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］（ＣＡＳ＝１３７９１１４－６７－６）（Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１２，１８，６０６３－６０７８に従う）。
イリジウム、クロロ［４，５－ジメトキシ－２－［１－［（４－メトキシフェニル）イミノ－κＮ］エチル］フェニル－κＣ］［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］（ＣＡＳ＝１５０７３８８－４６－６）（Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１４，２０，２４５－２５２に従う）。
イリジウム、クロロ［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］［５，６，７，８－テトラヒドロ－３－メトキシ－８－［（４－メトキシフェニル）イミノ－κＮ］－１－ナフタレニル－κＣ］（ＣＡＳ＝１４６９４６８－１０－７）（ＳＹＮＬＥＴＴ ２０１４，２５，８１－８４に従う）。
イリジウム、クロロ［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］［５，６，７，８－テトラヒドロ－８－［（４－メトキシフェニル）イミノ－κＮ］－１－ナフタレニル－κＣ］（ＣＡＳ＝１４６９４６８－０８－３）（ＳＹＮＬＥＴＴ ２０１４，２５，８１－８４に従う）。
イリジウム、クロロ［４，５－ジメトキシ－２－［１－［（４－メトキシフェニル）イミノ－κＮ］エチル］フェニル－κＣ］［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］（ＣＡＳ＝１５０７３８８－４６－６）（Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１４，２０，２４５－２５２に従う）。
イリジウム（２＋）、トリアクア［（１，２，３，４，５－η）－１，２，３，４，５－ペンタメチル－２，４－シクロペンタジエン－１－イル］－、スルフェート（ＣＡＳ＝２５４７３４－８１－１）（国際公開第２００８／０９３６６８号に従う）。
基本手順１：式（ＩＶ）のＮ－アリールケチミンリガンドの合成
対応するケトン（１．０当量）、４－メトキシアニリン（１．１当量）及びトリエチルアミン（６．０当量）及びＤＣＭ（０．４Ｍ）を、乾燥した反応フラスコに仕込んだ。ＤＣＭ中の四塩化チタン（０．６当量）溶液（全体で反応を０．２Ｍとするため）を－７８℃で滴下した。反応混合物を２～８０時間撹拌した。反応混合物を飽和Ｎａ2ＣＯ3溶液で失活させ、混合物をセライト床を介してろ過した。水性層をＤＣＭで抽出し、有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、ろ過し、減圧下で濃縮して、粗生成物を得た。粗生成物を（ａ）Ｅｔ2Ｏ若しくはシクロヘキサンによる結晶化により、（ｂ）カラムクロマトグラフィにより精製するか、又は、（ｃ）粗生成物として用いた。
Figure 0007466538000010
Figure 0007466538000011
基本手順２：式（ＶＩ）のイリジウム－クロロ－錯体の合成
ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）イリジウム（ＩＩＩ）ダイマー（１．０当量）、酢酸ナトリウム（１０．０当量）及び対応するリガンド（２．２当量）を、乾燥した反応フラスコに仕込んだ。ＤＣＭ（４０ｍＬ／ｍｍｏｌ［Ｉｒ］）をアルゴン雰囲気下で添加し、反応混合物を室温で撹拌した。反応が完了した後（転換率を1Ｈ－ＮＭＲにより監視した）、反応混合物をＣｅｌｉｔｅ（登録商標）のプラグでろ過し、ＤＣＭで洗浄した。母液を乾燥するまで濃縮して、イリジウム－クロロ－錯体を得た。さらなる精製法に関しては、各生成物における詳細な説明を参照されたい。
実施例１：（Ｎ，１，１－トリス（４－メトキシフェニル）メタンイミンイリジウムクロロ錯体（ＶＩ－１）の調製
Figure 0007466538000012
 磁気撹拌棒及び凝縮器を備える一首丸底フラスコに、４－メトキシアニリン（０．５９８ｇ）、ビス（４－メトキシフェニル）メタノン（１．００ｇ）、分子ふるい及びトルエン（８．０ｍＬ）を仕込み、反応混合物を還流下に２４時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却し、ろ紙でろ過した。得られたろ液を減圧下で減量させて、Ｎ，１，１－トリス（４－メトキシフェニル）メタンイミンを得た。
磁気撹拌棒を備える一首丸底フラスコに、Ｎ，１，１－トリス（４－メトキシフェニル）メタンイミン（３２４ｍｇ）、ＤＣＭ（４．３ｍＬ）、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）－イリジウム（ＩＩＩ）ダイマー（３００ｍｇ）及び酢酸ナトリウム（１５０．０ｍｇ）を仕込み、反応混合物を還流下に３時間撹拌した。他の分量のＮ，１，１－トリス（４－メトキシフェニル）メタンイミン（１００ｍｇ）を添加し、混合物をさらに３０分間、還流下に撹拌した。次いで、反応混合物をシリカパッドを通してろ過し、ろ液を減圧下で減量させた。得られた固体を沸騰しているジクロロエタン（５ｍＬ）中に溶解し、ＭｅＯＨ（１５ｍＬ）を添加した。混合物を冷凍庫（－２２℃）中に一晩入れ、得られた結晶を傾瀉により単離し、ＭｅＯＨで洗浄し、減圧下で乾燥させて、３６１ｍｇの表題の化合物（ＶＩ－１）を赤色の結晶として得た。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝７．３８（ｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ），６．５７－７．３６（ｍ，９Ｈ），６．４９（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｓ，３Ｈ），１．４７（ｓ，１５Ｈ）ｐｐｍ．
Figure 0007466538000013
Figure 0007466538000014
Figure 0007466538000015
基本手順３：式（ＩＩＩ）のイリジウム－メシレート－錯体の合成
反応フラスコに、イリジウム－クロロ－錯体（１．０当量）及びメタンスルホン酸銀（１．１当量）をアルゴン雰囲気下で仕込み、反応フラスコをアルミニウム箔で包んだ（メタンスルホン酸銀は光感応性である）。ＣＤＣｌ3（２．５ｍＬ／ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物をアルゴン雰囲気下で２０時間撹拌した。反応混合物をＣＤＣｌ3で希釈し、シリンジフィルタ（０．２２μｍ）を通してろ過した。ろ液を減圧下で濃縮して、イリジウム－メシレート－錯体を得た。さらなる精製法に関しては、各生成物における詳細な説明を参照されたい。
実施例２：（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムメシレート錯体（ＩＩＩ－１）の調製
Figure 0007466538000016
 反応フラスコに、（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムクロリド錯体（４００ｍｇ、ＣＡＳ＝１２５８９６４－４８－５）及びメタンスルホン酸銀（１３６ｍｇ）をアルゴン雰囲気下で仕込み、反応フラスコをアルミニウム箔で包んだ（メタンスルホン酸銀は光感応性である）。ＣＤＣｌ3（２ｍＬ）を添加し、反応混合物をアルゴン雰囲気下で２０時間撹拌した。反応混合物をさらなる分量のＣＤＣｌ3（２ｍＬ）で希釈し、シリンジフィルタ（０．２２μｍ）を通してろ過した。ろ液を減圧下で濃縮して、表題の化合物（ＩＩＩ－１、４０１ｍｇ）を黄色の固体として得た。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ７．７０（ｂｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ），７．４６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），６．９８（ｂｓ，４Ｈ），６．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．８６（ｓ，３Ｈ），２．３２（ｓ，３Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．４２（ｓ，１５Ｈ）ｐｐｍ．
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １８２．２，１６８．８，１６２．３，１５７．８，１４３．４，１４２．８，１２９．８，１２１．０，１０８．５，８８．３，５５．５，５５．３，３９．１，１６．７，８．８ ｐｐｍ．２つの炭素シグナルが、シグナルの広がりによって観察されなかった。
Figure 0007466538000017
Figure 0007466538000018
Figure 0007466538000019
Figure 0007466538000020
Figure 0007466538000021
実施例３：（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムスルフェート錯体（ＩＩＩ－１４）の調製
Figure 0007466538000022
 反応バイアルに、ペンタメチルシクロペンタジエニルイリジウムスルフェート錯体（１４３ｍｇ、ＣＡＳ＝［２５４７３４－８１－１］）、（Ｅ）－Ｎ，１－ビス（４－メトキシフェニル）エタンイミン（７６ｍｇ）及びＣＤ3ＯＤ（１．２ｍＬ）を、アルゴン雰囲気下で仕込んだ。反応バイアルを一晩撹拌した。反応混合物の1Ｈ ＮＭＲ分析により、シクロメタレート化イリジウム錯体が７３％ＮＭＲ収率で形成されたことを明らかにした。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ７．６５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），６．７７（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．８７（ｓ，３Ｈ），２．４２（ｓ，３Ｈ），１．４２（ｓ，１５Ｈ）ｐｐｍ．４つのプロトンのシグナルは、シグナルの広がりによって観察されなかった。
実施例４：（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウム（アセトニトリル）テトラフルオロボレート錯体（ＩＩＩ－１５）の調製
Figure 0007466538000023
 反応バイアルに、（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムクロリド錯体（２５０ｍｇ、ＣＡＳ＝１２５８９６４－４８－５）、ナトリウムテトラフルオロボレート（８９ｍｇ）及びアセトニトリル（１．６ｍＬ）を仕込んだ。反応混合物を室温で４８時間撹拌し、セライトパッド（ＤＣＭで洗浄した）を通してろ過した。ろ液を減圧下で濃縮し、固体残渣をジエチルエーテルを用いて倍散して、２４６ｍｇの表題の化合物を黄色の固体として得た。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ７．５２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．２７（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．００－７．２０（ｂｓ，４Ｈ），６．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ），２．６０（ｓ，３Ｈ），２．４２（ｓ，３Ｈ），１．４９（ｓ，１５Ｈ）ｐｐｍ．
実施例５：（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムトリフルオロ酢酸塩錯体（ＩＩＩ－１６）の調製
Figure 0007466538000024
 反応バイアルに、（Ｅ）－４－メトキシ－Ｎ－（１－（４－メトキシフェニル）エチリデン）アニリンイリジウムクロリド錯体（２５０ｍｇ、ＣＡＳ＝１２５８９６４－４８－５）、銀トリフルオロ酢酸塩（１０７ｍｇ）及びＣＤＣｌ3（１．０ｍＬ）を仕込んだ。反応混合物を室温で２０時間撹拌し、セライトパッドを通してろ過した（ジクロロメタンで洗浄した）。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィ（シリカ、酢酸エチル－シクロヘキサン勾配）により精製した。単離した固体を最低量のジクロロメタン中に溶解し、ｎ－ペンタンで希釈した。生成物を、冷凍庫中において一晩で結晶化させた。生成物を傾瀉により回収し、ｎ－ペンタンで洗浄し、減圧下で乾燥させて、１２９ｍｇの表題の化合物を黄色の固体として得た。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ７．６６（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），６．０９－７．１０（ｂｍ，２Ｈ），６．５５－６．６５（ｍ，１Ｈ），３．９１（ｓ，３Ｈ），３．８７（ｓ，３Ｈ），２．２９（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，１５Ｈ）ｐｐｍ．２つのプロトンのシグナルは、シグナルの広がりによって観察されなかった。
実施例６：オキシム水素化を介したヒドロキシルアミン（ＩＩ－１）の合成
Figure 0007466538000025
 １００ｍＬのハステロイ反応器に、（Ｅ）－Ｎ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－イミン（２．００ｇ、９９：１＝Ｅ／Ｚ、９５％ＮＭＲ純度）及び触媒（ＩＩＩ－１）（５．０ｍｇ）を仕込み（固体として）、反応器を閉じ、アルゴンでフラッシュした。ｉＰｒＯＨ（１０ｍＬ、無水、アルゴンで脱気）及びメタンスルホン酸（０．７２ｍＬ）をアルゴン雰囲気下で反応器に添加し、反応器を水素（３×５ｂａｒ）でパージし、５０ｂａｒ Ｈ2に加圧し、２３℃で一晩撹拌した。水素を放出し、反応器を再度アルゴンでパージした。粗反応混合物のＧＣ及びＮＭＲ分析は完全な転換を示していた。反応混合物を飽和ＮａＨＣＯ3溶液（１５ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）にゆっくりと添加し、ジクロロメタンで抽出した（２×１５ｍＬ）。組み合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、ろ過し、蒸発させて、１．９７ｇ（９７％ＮＭＲ純度）の所望の生成物（ＩＩ－１）を得た。
実施例７：オキシム水素化によるヒドロキシルアミン（ＩＩ－１）の合成、種々の条件
Figure 0007466538000026
 条件：別に示される場合を除き、触媒ＩＩＩ－１、１．５当量のメタンスルホン酸、ｉＰｒＯＨ溶剤（２００ｇ基材／１Ｌ溶剤）。
Figure 0007466538000027
すべての反応において、所望の生成物に対する高い選択性（＞９５％）が得られた。
実施例８：種々の触媒を用いるオキシム水素化を介したヒドロキシルアミン（ＩＩ－１）の合成
Figure 0007466538000028
 条件：１．５当量のメタンスルホン酸、ｉＰｒＯＨ溶剤（２００ｇ基材／１Ｌ溶剤）、０．１ｍｏｌ％触媒、３０ｂａｒのＨ2、室温、１６時間（別に示される場合を除く）。
Figure 0007466538000029
すべての反応において、所望の生成物に対する高い選択性（＞９５％）が観察された。
実施例９：オキシム水素化を介したヒドロキシルアミン（ＩＩ）の合成、基材範囲
Figure 0007466538000030
 条件：１．５当量のメタンスルホン酸、ｉＰｒＯＨ溶剤、１ｍｏｌ％触媒ＩＩＩ－１、５０ｂａｒのＨ2、室温、１６時間
Figure 0007466538000031
Figure 0007466538000032
Figure 0007466538000033
Figure 0007466538000034
Figure 0007466538000035
Figure 0007466538000036
実施例１０：他の基材のイオン性水素化－アシレンアミン水素化を介したシス－Ｎ－［２－（２，４－ジクロロフェニル）シクロブチル］アセトアミドの合成
Figure 0007466538000037
 ５０ｍＬのガラスバイアルに、Ｎ－［２－（２，４－ジクロロフェニル）シクロブテン－１－イル］アセトアミド（２５６ｍｇ）、触媒（ＩＩＩ－１）（６．８ｍｇ）、メタンスルホン酸（４８ｍｇ）及びイソプロパノール（４ｍＬ）を仕込んだ。ガラスバイアルを、水素でパージ（３回）したパラレルオートクレーブに入れ、５０ｂａｒの水素、及び、２３℃で１６時間水素化した。水素を放出し、反応器をアルゴンでパージした。粗反応混合物のＧＣ及びＮＭＲ分析は完全な転換を示していた。反応混合物を飽和ＮａＨＣＯ3溶液（１５ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）にゆっくりと添加し、ＤＣＭ（２×１５ｍＬ）で抽出した。組み合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、ろ過し、蒸発させて、２５０ｍｇのｃｉｓＮ－［２－（２，４－ジクロロフェニル）シクロブチル］アセトアミドを得た。分析データは、文献：国際公開第１５／００３９５１号と合致している。
実施例１１：他の基材のイオン性水素化－複素環水素化を介した２－（トリフルオロメチル）ピペリジンの合成
Figure 0007466538000038
 ５０ｍＬのガラスバイアルに、２－トリフルオロメチルピリジン（１４４ｍｇ）、触媒（ＩＩＩ－１）（６．８ｍｇ）、メタンスルホン酸（１４４ｍｇ）及びイソプロパノール（４ｍＬ）を仕込んだ。ガラスバイアルを水素でパージ（３回）したパラレルオートクレーブに入れ、５０ｂａｒの水素、及び、５０℃で１６時間水素化した。水素を放出し、反応器をアルゴンでパージした。粗反応混合物のＧＣ及びＮＭＲ分析は完全な転換を示していた。反応混合物を蒸発させ、ＮＭＲにより分析した。出発材料の完全な転換、及び、２－（トリフルオロメチル）ピペリジン（ＣＡＳ＝１５４６３０－９３－０）の形成が確認された。
比較例１：
Figure 0007466538000039
 ２種の溶剤（ＴＨＦ／ＴＦＡ及びＭｅＯＨ）中、Ｔ＝６０℃、及び、Ｈ2＝５０ｂａｒの圧力、２％の触媒充填量における、９６種の多様な均一系触媒－金属前駆体（Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、中性／カチオン性）／リガンド分類（単座／二座、ホスフィン、亜リン酸塩等）のスクリーニング。所望の生成物（ＩＩ－１、以下の表において「生成物」とラベルを付した）に向かう転換をＧＣにより測定したところ、これは面積割合に基づいている。
Figure 0007466538000040
Figure 0007466538000041
Figure 0007466538000042
Figure 0007466538000043
これらの実験は、すべての事例において、形成された生成物（ＩＩ－１）の量が＜１％であったため、通例用いられる金属前駆体及びリガンドの組み合わせでは、（Ｉ－１）などのオキシム基材の均一系な水素化は可能ではないことを実証する。
比較例２：
Figure 0007466538000044
 水素化条件：温度＝６０℃、及び、Ｈ2圧力＝６０ｂａｒ、時間＝２０時間。欧州特許第１８６２４４６号明細書に記載の反応条件。所望の生成物（（ＩＩ－１）、以下の表において「生成物」とラベルを付した）に向かう転換をＧＣにより測定し、これは面積割合に基づいている。
Figure 0007466538000045
すべての事例において、低い選択性、及び、所望の生成物（ＩＩ－１、上記の表において「生成物」とラベルを付した）のゼロ又はきわめて低い収率が観察された。これらの実験は、欧州特許第１８６２４４６号明細書に記載の触媒及び条件は、（ＩＩ－１）などのオキシム基材の効率的な水素化が可能ではないことを実証する。
比較例３：
Figure 0007466538000046
 Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，１１，６９３４に記載されている反応条件下では、所望の生成物（ＩＩ－１）の形成は観察されなかった。
比較例４：
Figure 0007466538000047
Figure 0007466538000048
本発明者らによる発明に記載されている反応条件下ではあるが、イリジウムクロロ錯体（ＶＩ）（例えば、Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，１１，６９３４；国際公開第２０１３／１５３４０７号に報告されている）を使用しては、所望の生成物（ＩＩ－１）の形成は観察されなかった。これらの実験は、イリジウムハロゲン錯体が、本プロセスにおける触媒程には効率的でないことを実証している。
比較例５：
Figure 0007466538000049
 本発明の反応条件を酸を伴わずに利用した場合、所望の生成物（ＩＩ－１）の形成は観察されなかった。この実験は、本発明者らによる発明に係るプロセスにおいて、化学量論量の好適な酸が必須であることを実証している。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕オキシム（Ｉ）と水素とを、式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）のイリジウム触媒及び酸の存在下に反応させることによる、式（ＩＩ）のヒドロキシルアミン塩をもたらすための式（Ｉ）のオキシムの水素化に係るプロセス；
Figure 0007466538000050
 であって、ここで、Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 は各々独立して、水素、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 ヒドロキシアルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 シアノアルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルコキシＣ 1 ～Ｃ 8 アルキル、ジ（Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ）Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 ハロアルキル、Ｃ 2 ～Ｃ 6 アルケニル、Ｃ 3 ～Ｃ 8 シクロアルキル、フェニル、フェニルＣ 1 ～Ｃ 3 アルキル又はヘテロアリールであり、ここで、前記シクロアルキル及びフェニル部分は各々、任意選択により、ヒドロキシル、ハロゲン、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルキル、Ｃ 3 ～Ｃ 8 シクロアルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 6 ハロアルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ、フェニル、ヘテロアリール、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルコキシカルボニル、アシルアミノ、アミド、シアノ、ニトロ及びＣ 2 ～Ｃ 6 アルケニルから選択される１個～５個の基で置換されており；又は
Ｒ 1 及びＲ 2 は、これらが結合している炭素原子と一緒になって、４員～８員飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個、２個又は３個のヘテロ原子を含む非芳香族単環式環であり、ここで、前記ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択され；
Ｒ 6 、Ｒ 7 、Ｒ 8 、Ｒ 9 及びＲ 10 は各々独立して、水素又はＣ 1 ～Ｃ 3 アルキルであり；
Figure 0007466538000051
 は、イリジウムに配位する少なくとも１個の炭素原子及びイリジウムに配位する少なくとも１個の窒素原子を含む二座キレートリガンドを表し；
Ｘは、式Ｒ 14 －ＳＯ 2 Ｏ－又はＲ 15 －Ｃ（Ｏ）Ｏ－のアニオン基を表し、ここで、
Ｒ 14 は、ヒドロキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 6 ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ 16 から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されており；
Ｒ 16 は、Ｃ 1 ～Ｃ 4 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 4 ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンであり；
Ｒ 15 はＣ 1 ～Ｃ 6 ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、前記フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ 17 から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されており；
Ｒ 17 は、Ｃ 1 ～Ｃ 4 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 4 ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンであり；
Ｙは中性リガンドを表し；並びに
Ｚはアニオン基を表す、プロセス。
〔２〕Ｒ 6 、Ｒ 7 、Ｒ 8 、Ｒ 9 及びＲ 10 は各々、水素又はメチルを表す、前記〔１〕に記載のプロセス。
〔３〕Ｘは、式Ｒ 14 －ＳＯ 2 Ｏ - の基を表す、前記〔１〕又は前記〔２〕に記載のプロセス。
〔４〕前記二座キレートリガンドは、式（ＩＶ－１）、（ＩＶ－２）、（ＩＶ－３）、（ＩＶ－５）、（ＩＶ－６）、（ＩＶ－７）、（ＩＶ－８）、（ＩＶ－９）、（ＩＶ－１０）、（ＩＶ－１１）及び（ＩＶ－１２）：
Figure 0007466538000052
 の化合物から選択される、前記〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔５〕Ｚは、Ｒ 14 －ＳＯ 2 Ｏ - 、メシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートである、前記〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔６〕前記酸は、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、硫酸又はトリフリック酸である、前記〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔７〕ＹはＨ 2 Ｏ又はＭｅＣＮである、前記〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔８〕前記イリジウム触媒は、式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）、又は（ＩＩＩ－１９）：
Figure 0007466538000053
 の化合物である、前記〔１〕～〔７〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔９〕前記式（ＩＩ）のヒドロキシルアミンはＮ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）である、前記〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載のプロセス。
〔１０〕前記Ｎ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）を３－（ジフルオロメチル）－１－メチル－ピラゾール－４－塩化カルボニル（ＸＩＩ）とさらに反応させて、３－（ジフルオロメチル）－Ｎ－メトキシ－１－メチル－Ｎ－［１－メチル－２－（２，４，６－トリクロロフェニル）エチル］ピラゾール－４－カルボキサミド（ＸＩＩＩ）：
Figure 0007466538000054
 を得る、前記〔９〕に記載のプロセス。
〔１１〕式（ＩＩＩｃ）又は（ＩＩＩｄ）：
Figure 0007466538000055
 （式中、Ｒ 6 、Ｒ 7 、Ｒ 8 、Ｒ 9 及びＲ 10 は各々独立して、水素又はＣ 1 ～Ｃ 3 アルキルから選択され；
Ｒ 11A 、Ｒ 11B 、Ｒ 11C 、Ｒ 11D 、Ｒ 11E 、Ｒ 13A 、Ｒ 13B 、Ｒ 13C 及びＲ 13D は各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルコキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 8 ハロアルキル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 ハロアルコキシ、ヒドロキシＣ 1 ～Ｃ 8 アルコキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルコキシＣ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルコキシカルボニル、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルコキシカルボニルＣ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキルカルボニルＣ 1 ～Ｃ 6 アルコキシ、フェノキシ又はニトロであり；
Ｒ 12 は、水素、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキル又はフェニルであり、ここで、各フェニル部分は、Ｃ 1 ～Ｃ 8 アルキル及びＣ 1 ～Ｃ 8 アルコキシから選択される１個～５個の基により任意選択により置換されており；又は
Ｒ 12 及びＲ 13D は、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員～８員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、ここで、前記ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択され；
Ｘは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、トリフレート又はトリフルオロアセテートであり；
Ｙは、Ｈ 2 Ｏ、ＰｈＣＮ又はＭｅＣＮであり；並びに
Ｚは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、トリフレート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートである）
の化合物。
〔１２〕式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）及び（ＩＩＩ－１９）：
Figure 0007466538000056
 の化合物から選択される式（ＩＩＩ）の化合物。
〔１３〕式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）のイリジウム触媒及び任意選択により酸の存在下における、水素によるアシレンアミン、イミン、エナミン、複素環、アルデヒド及びケトンのイオン性水素化プロセス。

Claims (12)

  1. オキシム（Ｉ）と水素とを、式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）のイリジウム触媒及び酸の存在下に反応させることによる、式（ＩＩ）のヒドロキシルアミン塩をもたらすための式（Ｉ）のオキシムの水素化に係るプロセス；
    Figure 0007466538000057
     であって、ここで、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8ヒドロキシアルキル、Ｃ1～Ｃ8シアノアルキル、Ｃ1～Ｃ6アルコキシＣ1～Ｃ8アルキル、ジ（Ｃ1～Ｃ6アルコキシ）Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル、Ｃ2～Ｃ6アルケニル、Ｃ3～Ｃ8シクロアルキル、フェニル、フェニルＣ1～Ｃ3アルキル又はヘテロアリールであり、ここで、前記シクロアルキル及びフェニル部分は各々、任意選択により、ヒドロキシル、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ6アルキル、Ｃ3～Ｃ8シクロアルキル、Ｃ1～Ｃ6ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ6アルコキシ、フェニル、ヘテロアリール、Ｃ1～Ｃ6アルコキシカルボニル、アシルアミノ、アミド、シアノ、ニトロ及びＣ2～Ｃ6アルケニルから選択される１個～５個の基で置換されており；又は
    Ｒ1及びＲ2は、これらが結合している炭素原子と一緒になって、４員～８員飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個、２個又は３個のヘテロ原子を含む非芳香族単環式環であり、ここで、前記ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択され；
    Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して、水素又はＣ1～Ｃ3アルキルであり；
    Figure 0007466538000058
     は、イリジウムに配位する少なくとも１個の炭素原子及びイリジウムに配位する少なくとも１個の窒素原子を含む二座キレートリガンドを表し；
    Ｘは、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏ－又はＲ15－Ｃ（Ｏ）Ｏ－のアニオン基を表し、ここで、
    Ｒ14は、ヒドロキシ、Ｃ1 ～Ｃ6アルキル、Ｃ1 ～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1 ～Ｃ6ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ16から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されており；
    Ｒ16は、Ｃ1 ～Ｃ4アルキル、Ｃ1 ～Ｃ4ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンであり；
    Ｒ15はＣ1 ～Ｃ6ハロアルキル又はフェニルであり、ここで、前記フェニル部分は、同一であっても異なっていてもよい、Ｒ17から選択される１個、２個、３個又は４個の置換基により任意選択により置換されており；
    Ｒ17は、Ｃ1 ～Ｃ4アルキル、Ｃ1 ～Ｃ4ハロアルキル、ニトロ又はハロゲンであり；
    Ｙは中性リガンドを表し；並びに
    Ｚはアニオン基を表す、プロセス。
  2. Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々、水素又はメチルを表す、請求項１に記載のプロセス。
  3. Ｘは、式Ｒ14－ＳＯ2Ｏ-の基を表す、請求項１又は請求項２に記載のプロセス。
  4. 前記二座キレートリガンドは、式（ＩＶ－１）、（ＩＶ－２）、（ＩＶ－３）、（ＩＶ－５）、（ＩＶ－６）、（ＩＶ－７）、（ＩＶ－８）、（ＩＶ－９）、（ＩＶ－１０）、（ＩＶ－１１）及び（ＩＶ－１２）：
    Figure 0007466538000059
     の化合物から選択される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプロセス。
  5. Ｚは、Ｒ14－ＳＯ2Ｏ-、メシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートである、請求項１～４のいずれか一項に記載のプロセス。
  6. 前記酸は、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、硫酸又はトリフリック酸である、請求項１～５のいずれか一項に記載のプロセス。
  7. ＹはＨ2Ｏ又はＭｅＣＮである、請求項１～６のいずれか一項に記載のプロセス。
  8. 前記イリジウム触媒は、式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）、又は（ＩＩＩ－１９）：
    Figure 0007466538000060
     の化合物である、請求項１～７のいずれか一項に記載のプロセス。
  9. 前記式（ＩＩ）のヒドロキシルアミンはＮ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）である、請求項１～８のいずれか一項に記載のプロセス。
  10. 前記Ｎ－メトキシ－１－（２，４，６－トリクロロフェニル）プロパン－２－アミン（ＩＩ－１）を３－（ジフルオロメチル）－１－メチル－ピラゾール－４－塩化カルボニル（ＸＩＩ）とさらに反応させて、３－（ジフルオロメチル）－Ｎ－メトキシ－１－メチル－Ｎ－［１－メチル－２－（２，４，６－トリクロロフェニル）エチル］ピラゾール－４－カルボキサミド（ＸＩＩＩ）：
    Figure 0007466538000061
    を得る、請求項９に記載のプロセス。
  11. 式（ＩＩＩｃ）又は（ＩＩＩｄ）：
    Figure 0007466538000062
     （式中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立して、水素又はＣ1～Ｃ3アルキルから選択され；
    Ｒ11A、Ｒ11B、Ｒ11C、Ｒ11D、Ｒ11E、Ｒ13A、Ｒ13B、Ｒ13C及びＲ13Dは各々独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1～Ｃ8アルキル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8ハロアルキル、Ｃ1～Ｃ8ハロアルコキシ、ヒドロキシＣ1～Ｃ8アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニル、Ｃ1～Ｃ8アルコキシカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、Ｃ1～Ｃ8アルキルカルボニルＣ1～Ｃ6アルコキシ、フェノキシ又はニトロであり；
    Ｒ12は、水素、Ｃ1～Ｃ8アルキル又はフェニルであり、ここで、各フェニル部分は、Ｃ1～Ｃ8アルキル及びＣ1～Ｃ8アルコキシから選択される１個～５個の基により任意選択により置換されており；又は
    Ｒ12及びＲ13Dは、これらが結合している炭素原子と一緒になって、６員～８員部分飽和シクロアルキル又はヘテロシクリル環を形成し得、ここで、複素環式部分は、１個又は２個のヘテロ原子を含む非芳香族環であり、ここで、前記ヘテロ原子はＮ、Ｏ及びＳから個々に選択され；
    Ｘは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、トリフレート又はトリフルオロアセテートであり；
    Ｙは、Ｈ2Ｏであり；並びに
    Ｚは、メシレート、トシレート、ノシレート、スルフェート、ハイドロジェノスルフェート、トリフレート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフェニルボレート又はテトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートである）
    の化合物。
  12. 式（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＩＩ－１７）、（ＩＩＩ－１８）及び（ＩＩＩ－１９）：
    Figure 0007466538000063
     の化合物から選択される式（ＩＩＩ）の化合物。
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