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JP7213648B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置に関する。
半導体装置の製造においては、半導体ウエハ等の基板に対して、薬液洗浄処理、めっき処理、現像処理等の様々な液処理が施される。このような液処理を行う装置として、枚葉式の液処理装置があり、その一例が特許文献１に記載されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させることができるスピンチャックを有している。スピンチャックの周縁部に円周方向に間隔を空けて設けられた複数の保持部材が基板を保持する。スピンチャックに保持される基板の上方および下方には、ヒーターが内蔵された円板状の上面移動部材および下面移動部材がそれぞれ設けられている。特許文献１の基板処理装置では、以下の手順で処理が行われる。
まず、スピンチャックにより基板を保持させ、下面移動部材を上昇させて基板の下面（裏面）と下面移動部材の上面との間に小さな第１の隙間を形成する。次に、下面移動部材の上面の中心部に開口する下面供給路から、第１の隙間に、温調された薬液が供給され、第１の隙間が表面処理用の薬液で満たされる。薬液は、下面移動部材のヒーターにより所定の温度に温調される。一方、基板の上面（表面）の上方に上面供給ノズルが位置して表面処理用の薬液を供給し、基板の上面に薬液のパドルを形成する。次に、上面供給ノズルが基板の上方から退避し、上面移動部材が下降し、上面移動部材の下面と薬液のパドルの表面（上面）との間に小さな第２の隙間を形成する。薬液のパドルは、上面移動部材に内蔵されたヒーターにより所定の温度に温調される。この状態で、基板を低速で回転させるか、あるいはウエハを回転させずに、基板の表裏面の薬液処理工程が行われる。薬液処理工程の間、必要に応じて、上面移動部材の中心部に開口する薬液供給路、及び前述した下面供給路から、基板の表面及び裏面に薬液が補充される。
特許文献１の基板処理装置では、基板は、基板とヒーターとの間に介在する流体（処理液及び／又はガス）を介して加熱される。
特開２００２－２１９４２４号公報
本開示は、回転テーブルに基板を吸着した状態で基板の処理を行う基板処理装置において、回転テーブルのうちの基板と接触する部分を容易に交換することを可能とする構成を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、少なくとも１つの吸引口が設けられた表面を有するベースプレートと、基板の非処理面に接触して前記基板を吸着する表面と、前記ベースプレートの前記表面と接触する裏面と、前記表面と裏面とを接続する少なくとも１つの貫通孔を有する吸着プレートと、を備えた回転テーブルと、前記回転テーブルを回転軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記ベースプレートの前記吸引口に吸引力を作用させ、前記吸引力を前記ベースプレートと前記吸着プレートとの間に作用させることにより前記ベースプレートと前記吸着プレートとを密着させ、かつ、前記少なくとも１つの貫通孔を介して前記吸引力を前記吸着プレートと前記基板との間に作用させることにより前記吸着プレートと前記基板とを密着させる吸引部と、を備える。
本開示によれば、回転テーブルのうちの基板と接触する部分（吸着プレート）を容易に交換することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。 図１の基板処理装置に含まれる処理ユニットの構成の一例を示す概略断面図である。 上記の処理ユニットに設けられたホットプレートのヒーターの配置の一例を説明するための概略平面図である。 上記ホットプレートの上面を示す概略平面図である。 上記の処理ユニットに設けられた吸着プレートの下面の構成の一例を示す概略平面図である。 上記吸着プレートの上面の構成の一例を示す概略平面図である。 上記処理ユニットに設けられた第１電極部の構成の一例を示す概略平面図である。 上記処理ユニットの各種構成部品の動作の一例を説明するタイムチャートである。 図５及び図６に示した吸着プレートの概略断面図である。 図９とは別の切断面における吸着プレートの概略断面図である。 湾曲した吸着プレートについて説明する概略図である。 吸着プレートの変形例を示す概略平面図である。
以下に添付図面を参照して基板処理装置（基板処理システム）の一実施形態について説明する。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
次に、処理ユニット１６の一実施形態の構成について説明する。処理ユニット１６は、枚葉式のディップ液処理ユニットとして構成されている。
図２に示すように、処理ユニット１６は、回転テーブル１００と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給部７００と、回転した基板から飛散した処理液を回収する液受けカップ（処理カップ）８００と、を備えている。回転テーブル１００は、ウエハＷ等の円形の基板を水平姿勢で保持して回転させることができる。回転テーブル１００、処理液供給部７００、液受けカップ８００等の処理ユニット１６の構成部品は、ハウジング９００（処理チャンバとも呼ばれる）内に収容されている。図２は、処理ユニット１６の左半部のみを示している。
回転テーブル１００は、吸着プレート１２０と、ホットプレート１４０と、支持プレート１７０と、周縁カバー体１８０と、中空の回転軸２００と、を有している。吸着プレート１２０は、その上に載置されたウエハＷを水平姿勢で吸着する。ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０を支持するとともに加熱する、吸着プレート１２０にとってのベースプレートである。支持プレート１７０は、吸着プレート１２０及びホットプレート１４０を支持する。回転軸２００は、支持プレート１７０から下方に延びている。回転テーブル１００は、回転軸２００の周囲に配設された電動駆動部１０２（回転駆動機構）により、鉛直方向に延びる回転軸線Ａｘ周りに回転させられ、これにより、保持したウエハＷを回転軸線Ａｘ周りに回転させることができる。電動駆動部１０２（詳細は図示せず）は、電動モータで発生した動力を動力伝達機構（例えばベルト及びプーリー）を介して回転軸２００に伝達して回転軸２００を回転駆動するものとすることができる。電動駆動部１０２は、電動モータにより回転軸２００を直接回転駆動するものであってもよい。
吸着プレート１２０は、ウエハＷの直径よりやや大きい直径（構成次第では、同じ直径であってもよい）、つまりウエハＷの面積より大きいかあるいは等しい面積、を有する円板状の部材である。吸着プレート１２０は、ウエハＷの下面（処理対象ではない面）を吸着する上面（表面）１２０Ａと、ホットプレート１４０の上面に接触する下面（裏面）１２０Ｂとを有している。吸着プレート１２０は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成することができる。吸着プレート１２０を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。
ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０の直径と概ね等しい直径を有する円板状の部材である。ホットプレート１４０は、プレート本体１４１と、プレート本体１４１に設けられた電気式のヒーター（電気ヒーター）１４２とを有している。プレート本体１４１は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成されている。プレート本体１４１を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。
ヒーター１４２は、プレート本体１４１の下面（裏面）に設けられた面状ヒーター、例えば、ポリイミドヒーターにより構成することができる。好ましくは、ホットプレート１４０には、図３に示すような複数（例えば１０個）の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０が設定される。ヒーター１４２は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ割り当てられた複数のヒーター要素１４２Ｅから構成されている。各ヒーター要素１４２Ｅは、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－７内を蛇行して延びる導電体から形成されている。図３では、加熱ゾーン１４３－１内にあるヒーター要素１４２Ｅのみを示した。
これらの複数のヒーター要素１４２Ｅに、後述する給電部３００により、互いに独立して給電することができる。従って、ウエハＷの異なる加熱ゾーンを異なる条件で加熱することができ、ウエハＷの温度分布を制御することができる。
図４に示すように、プレート本体１４１の上面（表面）には、１つ以上（図示例では２つ）のプレート用吸引口１４４Ｐと、１つ以上の（図示例では中心部の１つ）基板用吸引口１４４Ｗと、１つ以上（図示例では外側の２つ）のパージガス供給口１４４Ｇと、を有している。プレート用吸引口１４４Ｐは、吸着プレート１２０をホットプレート１４０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。基板用吸引口１４４Ｗは、ウエハＷを吸着プレート１２０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。
さらにプレート本体１４１には、後述するリフトピン２１１が通過する複数（図示例では３つ）のリフトピン穴１４５Ｌと、回転テーブル１００の組み立て用のネジにアクセスするための複数（図示例では６つ）のサービスホール１４５Ｓが形成されている。通常運転時には、サービスホール１４５Ｓはキャップ１４５Ｃで塞がれている。
上述したヒーター要素１４２Ｅは、上記のプレート用吸引口１４４Ｐ、基板用吸引口１４４Ｗ、パージガス供給口１４４Ｇ、リフトピン穴１４５Ｌ及びサービスホール１４５Ｓを避けて配置されている。また、回転軸２００との連結を電磁石により行うことでサービスホールを無くすこともできる。
図５に示すように、吸着プレート１２０の下面１２０Ｂには、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとが形成されている。吸着プレート１２０がホットプレート１４０上に適切な位置関係で載置されているときに、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの少なくとも一部がプレート用吸引口１４４Ｐに連通する。同様に、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの少なくとも一部が基板用吸引口１４４Ｗに連通し、下面パージ流路溝１２１Ｇの少なくとも一部がパージガス供給口１４４Ｇに連通する。プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとは互いに分離されている（連通していない）。
図１０には、ホットプレート１４０の吸引口１４４Ｐ（あるいは１４４Ｗ，１４４Ｇ）と吸着プレート１２０の流路溝１２１Ｐ（あるいは１２１Ｗ，１２１Ｇ）とが重なりあい、互いに連通している状態が概略的に示されている。
図６及び図９に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａには、複数の（図示例では５個の）太い環状の仕切壁１２４が形成されている。太い仕切壁１２４は、上面１２０Ａに、互いに分離した複数の凹領域１２５Ｗ、１２５Ｇ（外側の４つの円環状領域と最も内側の円形領域）を画定する。
基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴１２９Ｗ（図９を参照）が形成されており、各貫通穴は、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと複数（図示例では４つ）の凹領域１２５Ｗのいずれか１つとを連通させている。
また、下面パージ流路溝１２１Ｇの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する貫通穴１２９Ｇ（図９を参照）が形成されており、各貫通穴は、下面パージ流路溝１２１Ｇと最も外側の凹領域１２５Ｇとを連通させている。最も外側の凹領域１２５Ｇは、単一の円環状の上面パージ流路溝となる。
内側の４つの凹領域１２５Ｗ内の各々には、複数の細い概ね環状の分離壁１２７が同心円状に設けられている。細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に、当該凹領域内を蛇行して延びる少なくとも１つの上面吸引流路溝１２５ＷＧを形成する。つまり、細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に吸引力を均等に分散させる。
吸着プレート１２０の上面１２０Ａは全体として平坦であってよい。吸着プレート１２０の上面１２０Ａを、図１１に概略的に示すように、全体として湾曲させてもよい。ウエハＷの表面に形成されるデバイスの構造、配列等に応じて、ウエハＷが特定の方向に湾曲することが知られている。処理対象のウエハＷの湾曲に合わせて上面１２０Ａを湾曲させた吸着プレート１２０を用いることにより、確実にウエハＷの吸着を行うことができる。
図６に示した実施形態では、仕切壁１２４により互いに隔離された複数の凹領域１２５Ｗが形成されていたが、これには限定されない。例えば図１２に模式的に示されるように、仕切壁１２４に連通路１２４Ａを設け、凹領域１２５Ｗ同士を連通させてもよい。この場合、唯一つの貫通穴１２９Ｗを、例えば吸着プレート１２０の中央部に設けてもよい。また、太い仕切壁１２４を設けずに、複数の細い分離壁１２７だけを、図１２の仕切壁１２４と同様の形態で設けてもよい。
図２に示すように、回転軸線Ａｘの付近には、吸引／パージ部１５０が設けられている。吸引／パージ部１５０は、中空の回転軸２００の内部に設けられたロータリージョイント１５１を有する。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａには、ホットプレート１４０のプレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗに連通する吸引配管１５２Ｗと、パージガス供給口１４４Ｇに連通するパージガス供給配管１５２Ｇが接続されている。
図示はしていないが、吸引配管１５２Ｗを分岐させて、分岐吸引配管を、プレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗの真下においてホットプレート１４０のプレート本体１４１に接続してもよい。この場合、プレート本体１４１に、プレート本体１４１を貫通して上下方向に延びる貫通穴を形成し、各貫通口に分岐吸引配管を接続してもよい。同様に、パージガス供給配管１５２Ｇを分岐させて、分岐パージガス供給配管を、パージガス供給口１４４Ｇの真下においてホットプレート１４０のプレート本体１４１に接続してもよい。この場合、この場合、プレート本体１４１に、プレート本体１４１を貫通して上下方向に延びる貫通穴を形成し、各貫通穴にパージガス供給配管を接続してもよい。上述した分岐吸引配管または分岐パージガス配管が、図１０に概略的に示されている（参照符号１５２ＷＢ、１５２ＧＢが付けられている）。
上記に代えて、吸引配管１５２Ｗ及びパージガス供給配管１５２Ｇをホットプレート１４０のプレート本体１４１の中央部に接続してもよい。この場合、プレート本体１４１の内部に、吸引配管１５２Ｗとプレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗとをそれぞれ連通させる流路と、パージガス供給配管１５２Ｇとパージガス供給口１４４Ｇとを連通させる流路と、が設けられる。
ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂには、吸引配管１５２Ｗに連通する吸引配管１５３Ｗと、パージガス供給配管１５１Ｇに連通するパージガス供給配管１５３Ｇが接続されている。ロータリージョイント１５１は、吸引配管１５２Ｗ，１５３Ｗ同士の連通、並びにパージガス供給配管１５２Ｇ，１５３Ｇ同士の連通を維持したまま、上ピース１５１Ａ及び下ピース１５１Ｂが相対回転可能であるように構成されている。このような機能を有するロータリージョイント１５１それ自体は、公知である。
吸引配管１５３Ｗは、真空ポンプ等の吸引装置１５４に接続されている。パージガス供給配管１５３Ｇは、パージガス供給装置１５５に接続されている。吸引配管１５３Ｗは、パージガス供給装置１５５にも接続されている。また、吸引配管１５３Ｗの接続先を吸引装置１５４とパージガス供給装置１５５との間で切り替える切替装置１５６（例えば三方弁）が設けられている。
ホットプレート１４０には、ホットプレート１４０のプレート本体１４１の温度を検出するための複数の温度センサ１４６が埋設されている。温度センサ１４６は、例えば、１０個の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０に一つずつ設けることができる。また、ホットプレート１４０のヒーター１４２に近接した位置に、ヒーター１４２の過熱を検出するための少なくとも１つのサーモスイッチ１４７が設けられている。
ホットプレート１４０と支持プレート１７０との間の空間Ｓには、上記温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７に加えて、温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７の検出信号を送信するための制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂと、ヒーター１４２の各ヒーター要素１４２Ｅに給電するための給電配線１４９と、が設けられている。
図２に示すように、ロータリージョイント１５１の周囲には、スイッチ機構１６０が設けられている。スイッチ機構１６０は、回転軸線Ａｘの方向に関して固定された第１電極部１６１Ａと、回転軸線Ａｘの方向に可動の第２電極部１６１Ｂと、第２電極部１６１Ｂを回転軸線Ａｘの方向に移動（昇降）させる電極移動機構１６２（昇降機構）と、を有している。
図７に示すように、第１電極部１６１Ａは、第１電極担持体１６３Ａと、第１電極担持体１６３Ａに担持された複数の第１電極１６４Ａとを有している。複数の第１電極１６４Ａには、制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂに接続された制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣ（図７では小さな「○」で示す。）と、給電配線１４９に接続されたヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（図７では大きな「○」で示す。）と、が含まれる。
第１電極担持体１６３Ａは、全体として円板状の部材である。第１電極担持体１６３Ａの中心部には、ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａが挿入される円形の穴１６７が形成されている。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａは、第１電極担持体１６３Ａに固定されていてもよい。第１電極担持体１６３Ａの周縁部は、ネジ穴１７１を用いて支持プレート１７０にねじ止めすることができる。
図２に概略的に示されるように、第２電極部１６１Ｂは、第２電極担持体１６３Ｂと、第２電極担持体１６３Ｂに担持された複数の第２電極１６４Ｂとを有している。第２電極担持体１６３Ｂは、図７に示した第１電極担持体１６３Ａと概ね同じ直径の全体として円板状の部材である。第２電極担持体１６３Ｂの中心部には、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂが通過しうるサイズの円形の穴が形成されている。
第１電極１６４Ａに対して昇降することにより第１電極１６４Ａに対して接離する第２電極１６４Ｂは、第１電極１６４Ａと同じ平面的配置を有している。なお、以下、ヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（受電電極）と接触する第２電極１６４Ｂ（給電電極）を「第２電極１６４ＢＰ」とも呼ぶ。また、制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣと接触する第２電極１６４Ｂを「第２電極１６４ＢＣ」とも呼ぶ。第２電極１６４ＢＰは、給電装置（給電部）３００の電力出力端子に接続されている。第２電極１６４ＢＣは給電部３００の制御用入出力端子に接続されている。
各第２電極１６４Ｂと給電部３００の電力出力端子及び制御用入出力端子とを接続する導電路１６８Ａ，１６８Ｂ，１６９（図２を参照）は、少なくとも部分的にフレキシブルな電線により形成されている。フレキシブルな電線により、第２電極１６４Ｂと給電部３００との導通が維持されたまま、第２電極部１６１Ｂ全体が回転軸線Ａｘ周りに中立位置から正転方向及び逆転方向にそれぞれ所定角度だけ回転することが可能となる。所定角度は例えば１８０度であるが、この角度に限定されるものではない。このことは、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとの接続を維持したまま、回転テーブル１００を概ね±１８０度回転させることができることを意味する。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂの一方をポゴピンとして構成してもよい。図２では、第２電極１６４Ｂの全てがポゴピンとして形成されている。なお、「ポゴピン」は、バネが内蔵された伸縮可能な棒状電極を意味する用語として広く用いられている。電極として、ポゴピンに代えて、コンセント、マグネット電極、誘導電極等を用いることもできる。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触しているときに第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとを相対回転不能にロックするロック機構１６５を設けることが好ましい。ロック機構１６５は、例えば図２に示すように、第１電極担持体１６３Ａに設けられた孔１６５Ａと、第２電極担持体に設けられるとともに孔に嵌合するピン１６５Ｂとから構成することができる。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触していることを検出するデバイス１７２（図２に概略的に示した）を設けることも好ましい。このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの角度位置関係が適切な状態にあることを検出する角度位置センサ１６６を設けてもよい。また、このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの回転軸線Ａｘ方向の距離が適切な状態にあることを検出する距離センサ（図示せず）を設けてもよい。さらには上記ロック機構１６５の孔１６５Ａにピン１６５Ｂが適切に嵌合していることを検出する接触式のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
図１において概略的に示された電極移動機構１６２は、図示はしないが、第２電極担持体１６３Ｂを押し上げるプッシュロッドと、プッシュロッドを昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）を備えて構成することができる（構成例１）。この構成を採用する場合には、例えば、永久磁石を第１電極担持体１６３Ａに設けるとともに電磁石を第２電極担持体１６３Ｂに設けることができる。これにより、必要に応じて、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを上下方向に相対移動不能に結合すること、並びに、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを分離することができる。
第１構成例を採用した場合、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとの結合及び切り離しが、回転テーブル１００の同じ角度位置で行われるのならば、第２電極部１６１Ｂが回転軸線Ａｘ周りに回転可能に支持されていなくてもよい。すなわち、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとが分離されたときに、第２電極部１６１Ｂを支持する部材（例えば上記のプッシュロッド、あるいは別の支持テーブル）があればよい。
上記の第１構成例に代えて、他の構成例２を採用することもできる。詳細に図示はしないが、電極移動機構１６２の第２構成例は、回転軸線Ａｘを中心とする円環の形状を有する第１リング状部材と、第１リング状部材を支持する第２リング状部材と、第１リング状部材と第２リング状部材の間に介設されて両者の相対回転を可能とするベアリングと、第２リング状部材を昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）と、を備える。
上記構成例１、２のいずれを採用した場合も、対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂを適切に接触させたまま、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとをある限られた範囲内で連動して回転させることが可能である。
回転テーブル１００の電動駆動部１０２は、回転テーブル１００を任意の回転角度位置で停止させる位置決め機能を有している。位置決め機能は、回転テーブル１００（または回転テーブル１００により回転させられる部材）に付設されたロータリーエンコーダーの検出値に基づいて電動駆動部１０２のモータを回転させることにより実現することができる。回転テーブル１００を予め定められた回転角度位置に停止させた状態で、第２電極部１６１Ｂを電極移動機構１６２により上昇させることにより、第１及び第２電極部１６１Ａ，１６１Ｂの対応する電極同士を適切に接触させることができる。第２電極部１６１Ｂを第１電極部１６１Ａから分離するときも、回転テーブル１００を上記の予め定められた回転角度位置に停止させた状態で分離を行うことが好ましい。
上述したように、吸着プレート１２０と支持プレート１７０との間の空間Ｓ内及び空間Ｓに面する位置に、複数の電装部品（ヒーター、配線、センサ類）が配置されている。周縁カバー体１８０は、ウエハＷに供給される処理液、特に腐食性の薬液が空間Ｓ内に侵入することを防止し、電装部品を保護する。空間Ｓに、パージガス供給配管１５２Ｇから分岐させた配管（図示せず）を介してパージガス（Ｎ２ガス）を供給してもよい。そうすることにより、空間Ｓの外部から空間Ｓ内に薬液由来の腐食性のガスが侵入することが防止され、空間Ｓ内を非腐食性の雰囲気に維持することができる。
図２に示すように、周縁カバー体１８０は、上部１８１、側周部１８２及び下部１８３を有する。上部１８１は、吸着プレート１２０の上方に張り出し、吸着プレート１２０に接続されている。周縁カバー体１８０の下部１８３は、支持プレート１７０に連結されている。
周縁カバー体１８０の上部１８１の内周縁は、吸着プレート１２０の外周縁よりも半径方向内側に位置している。上部１８１は、吸着プレート１２０の上面に接する円環状の下面１８４と、下面１８４の内周縁から立ち上がる傾斜した円環状の内周面１８５と、内周面１８５の外周縁から半径方向外側に概ね水平に延びる円環状の外周面１８６とを有している。内周面１８５は吸着プレート１２０の中心部に近づくに従って低くなるように傾斜している。
吸着プレート１２０の上面１２０Ａと周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４との間には、液の浸入を防止するためにシールが施されていることが好ましい。シールは、上面１２０Ａと下面１８４との間に配置されたＯリング１９２とすることができる。
図５に示すように、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの一部が、吸着プレート１２０の最外周部分において円周方向に延びている。また、図６に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａの最外周部分に、凹溝１９３が円周方向に連続的に延びている。図９に示すように、最外周の下面吸引流路溝１２１Ｐと凹溝１９３とは、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する円周方向に間隔を空けて設けられた複数の貫通穴１２９Ｐを介して連通している。凹溝１９３の上には、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４が載置される。従って、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐに作用する負圧により、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４は、吸着プレート１２０の上面１２０Ａに吸着される。この吸着により、Ｏリング１９２が潰れるため、確実なシールが実現される。
外周面１８６すなわち周縁カバー体１８０の頂部の高さは、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの上面の高さより高い。従って、ウエハＷが吸着プレート１２０に保持された状態で、ウエハＷの上面に処理液を供給すると、ウエハＷの上面が液面ＬＳよりも下に位置するようにウエハＷを浸漬しうる液溜まり（パドル）を形成することができる。すなわち、周縁カバー体１８０の上部１８１は、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの周囲を囲む堰を形成する。この堰及び吸着プレート１２０により処理液を貯留することができる凹所が画定される。
周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５の傾斜は、回転テーブル１００を高速回転させたときに、上記の槽内にある処理液を、外方にスムースに飛散させることを容易とする。つまりこの傾斜があることにより、回転テーブル１００を高速回転させたときに、周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面に液が留まることを防止することができる。
周縁カバー体１８０の半径方向外側には、周縁カバー体１８０と一緒に回転する回転カップ１８８（回転液受け部材）が設けられている。回転カップ１８８は、円周方向に間隔を空けて設けられた複数の連結部材１８９を介して、回転テーブル１００の構成部品、図示例では周縁カバー体１８０に連結されている。回転カップ１８８の上端は、ウエハＷから飛散する処理液を受け止め得る高さに位置している。周縁カバー体１８０の側周部１８２の外周面と回転カップ１８８の内周面との間に、ウエハＷから飛散する処理液が流下する通路１９０が形成されている。
液受けカップ８００は、回転テーブル１００の周囲を囲み、ウエハＷから飛散した処理液を回収する。図示された実施形態においては、液受けカップ８００は、固定外側カップ要素８０１と、固定内側カップ要素８０４と、昇降可能な第１可動カップ要素８０２及び第２可動カップ要素８０３と、固定内側カップ要素８０４とを有している。互いに隣接する２つのカップ要素の間（８０１と８０２の間、８０２と８０３の間、８０３と８０４の間）にそれぞれ第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８が形成される。第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３の位置を変更することにより、３つの排出通路８０６、８０７，８０８のうちのいずれか選択された１つに、周縁カバー体１８０と回転カップ１８８との間の通路１９０から流出する処理液を導くことができる。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、それぞれ、半導体製造工場に設置された酸系排液通路、アルカリ系排液通路及び有機系排液通路（いずれも図示せず）のいずれか一つに接続される。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８内には、図示しない気液分離構造が設けられている。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、エゼクタ等の排気装置（図示せず）を介して工場排気系に接続され、吸引されている。このような液受けカップ８００は、本件出願人による特許出願に関連する公開公報、特開２０１２－１２９４６２号、特開２０１４－１２３７１３号等により公知であり、詳細についてはこれらの公開公報を参照されたい。
回転軸線Ａｘの方向に関してホットプレート１４０の３つのリフトピン穴１４５Ｌと整列するように、吸着プレート１２０及び支持プレート１７０にもそれぞれ３つのリフトピン穴１２８Ｌ、１７１Ｌが形成されている。
回転テーブル１００には、リフトピン穴１４５Ｌ，１２８Ｌ，１７１Ｌを貫通して、複数（図示例では３つ）のリフトピン２１１が設けられている。各リフトピン２１１は、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａから上方に突出する受け渡し位置（上昇位置）と、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａの下方に位置する処理位置（下降位置）との間で、移動可能である。
各リフトピン２１１の下方にはプッシュロッド２１２が設けられている。プッシュロッド２１２は、昇降機構２１３例えばエアシリンダにより昇降させることができる。プッシュロッド２１２によりリフトピン２１１の下端を押し上げることにより、リフトピン２１１を受け渡し位置に上昇させることができる。複数のプッシュロッド２１２を回転軸線Ａｘを中心とするリング状支持体（図示せず）に設け、共通の昇降機構によりリング状支持体を昇降させることにより複数のプッシュロッド２１２を昇降させてもよい。
受け渡し位置にあるリフトピン２１１の上に載っているウエハＷは、固定外側カップ要素８０１の上端８０９よりも高い高さ位置に位置し、処理ユニット１６の内部に侵入してきた基板搬送装置１７のアーム（図１参照）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
リフトピン２１１がプッシュロッド２１２から離れると、リターンスプリング２１４の弾性力により、リフトピン２１１は処理位置に下降し、当該処理位置に保持される。図１において、符号２１５はリフトピン２１１の昇降をガイドするガイド部材、符号２１６はリターンスプリング２１４を受けるスプリング受けである。なお、固定内側カップ要素８０４には、回転軸線Ａｘ周りのスプリング受け２１６の回転を可能とするための円環状の凹所８１０が形成されている。
処理液供給部７００は、複数のノズルを備える。複数のノズルには、薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２、乾燥促進液ノズル７０３が含まれる。薬液ノズル７０１に、薬液供給源７０１Ａから、薬液供給ライン（配管）７０１Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む薬液供給機構７０１Ｂを介して薬液が供給される。リンス液供給源７０２Ａから、リンス液供給ライン（配管）７０２Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含むリンス液供給機構７０２Ｂを介してリンス液が供給される。乾燥促進液供給源７０３Ａから、乾燥促進液供給ライン（配管）７０３Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む乾燥促進液供給機構７０３Ｂを介して乾燥促進液、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が供給される。
薬液供給ライン７０１Ｃに、薬液を温調するための温調機構として、ヒーター７０１Ｄを設けることができる。さらに、薬液供給ライン７０１Ｃを構成する配管に、薬液を温調するためのテープヒーター（図示せず）を設けてもよい。リンス液供給ライン７０２Ｃにもこのようなヒーター類を設けてもよい。
薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２及び乾燥促進液ノズル７０３はノズルアーム７０４の先端により支持されている。ノズルアーム７０４の基端は、ノズルアーム７０４を昇降及び旋回させるノズルアーム駆動機構７０５により支持されている。ノズルアーム駆動機構７０５により、薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２及び乾燥促進液ノズル７０３をウエハＷの上方の任意の半径方向位置（ウエハＷの半径方向に関する位置）に位置させることが可能である。
ハウジング９００の天井部に、回転テーブル１００上にウエハＷが存在しているか否かを検出するウエハセンサ９０１と、ウエハＷの温度（あるいはウエハＷ上にある処理液の温度）を検出する１つまたは複数の赤外線温度計９０２（１つだけ図示した）が設けられている。複数の赤外線温度計９０２が設けられる場合、各赤外線温度計９０２は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ対応するウエハＷの領域の温度を検出することが好ましい。
次に、処理ユニット１６の動作について、処理ユニット１６で薬液洗浄処理を行う場合について、図８のタイムチャートも参照して説明する。以下に説明する動作は、図１に示した制御装置４（制御部１８）により、処理ユニット１６の各種構成部品の動作を制御することにより行うことができる。
図８のタイムチャートにおいて、横軸は時間経過を示す。項目は上から順に以下の通りである。
ＰＩＮ：リフトピン２１１の高さ位置を表しており、ＵＰが受け渡し位置、ＤＯＷＮが処理位置にあることを表している。
ＥＬ２：第２電極部１６１Ｂの高さ位置を表しており、ＵＰが第１電極部１６１Ａと接触する位置、ＤＯＷＮが第１電極部１６１Ａから離れた位置にあることを表している。
ＰＯＷＥＲ：給電部３００からヒーター１４２への給電状態を表しており、ＯＮが給電状態、ＯＦＦが給電停止状態であることを表している。
ＶＡＣ：吸引装置１５４から吸着プレート１２０の下面吸引流路溝１２１Ｗへの吸引力印加状態を表しており、ＯＮが吸引中、ＯＦＦが吸引停止中を表している。
Ｎ２－１：パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の下面吸引流路溝１２１Ｗへのパージガス供給状態を表しており、ＯＮが供給中、ＯＦＦが供給停止中を表している。
Ｎ２－２：パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の下面パージ流路溝１２１Ｇへのパージガス供給状態を表しており、ＯＮが供給中、ＯＦＦが供給停止中を表している。
ＷＳＣ：ウエハセンサ９０１の動作状態を表しており、ＯＮが吸着プレート１２０上のウエハＷの有無を検出している状態、ＯＦＦが検出を行っていない状態を示す。「On Wafer Check」はウエハＷが吸着プレート１２０上にウエハＷが存在していることを確認するための検出動作である。「Off Wafer Check」はウエハＷが吸着プレート１２０k上から確実に取り去られたことを確認するための検出動作である。
［ウエハＷ搬入工程（保持工程）］
基板搬送装置１７のアーム（図１参照）が、処理ユニット１６内に侵入し、吸着プレート１２０の真上に位置する。また、リフトピン２１１が受け渡し位置に位置する（以上時点ｔ０～ｔ１）。この状態で、基板搬送装置１７のアームが下降し、これによりウエハＷがリフトピン２１１の上端の上に載り、ウエハＷがアームから離れる。次いで、基板搬送装置１７のアームが処理ユニット１６から退出する。リフトピン２１１が処理位置まで下降し、その過程で、ウエハＷが吸着プレート１２０の上面１２０Ａに載る（時点ｔ１）。
次いで、吸引装置１５４が作動し、吸着プレート１２０がホットプレート１４０に吸着され、また、ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着される（時点ｔ１）。その後、ウエハセンサ９０１によりウエハＷが吸着プレート１２０に適切に吸着されているかの検査が開始される（時点ｔ２）。
パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の上面の最も外側の凹領域１２５Ｇに常時パージガス（例えばＮ２ガス）が供給されている。これにより、ウエハＷの下面の周縁部と吸着プレート１２０の周縁部の接触面に隙間があっても、その隙間からウエハＷの周縁部と吸着プレート１２０の周縁部との間に処理液が浸入することはない。
ウエハＷの搬入が開始される前の時点（時点ｔ０よりも前）から、第２電極部１６１Ｂは上昇位置にあり、第１電極部１６１Ａの複数の第１電極１６４Ａと、第２電極部１６１Ｂの複数の第２電極１６４Ｂが互いに接触している。給電部３００からホットプレート１４０のヒーター１４２に給電され、ホットプレート１４０のヒーター１４２が予備加熱状態となっている。
［ウエハ加熱工程］
ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着されたら、ホットプレート１４０の温度が予め定められた温度（吸着プレート１２０上のウエハＷがその後の処理に適した温度に加熱されるような温度）まで昇温するように、ホットプレート１４０のヒーター１４２への供給電力を調節する（時点ｔ１～ｔ３）。
［薬液処理工程（パドル形成工程及び撹拌工程を含む）］
次いで、処理液供給部７００のノズルアームにより、薬液ノズル７１０が、ウエハＷの中心部の真上に位置する。この状態で、薬液ノズル７１０から温調された薬液がウエハＷの表面（上面）に供給される（時点ｔ３～ｔ４）。薬液の供給は、薬液の液面ＬＳがウエハＷの上面よりも上に位置するまで続けられる。このとき、周縁カバー体１８０の上部１８１が堰として作用し、薬液が回転テーブル１００の外側にこぼれ落ちることを防止する。
薬液の供給中、あるいは薬液の供給後に、回転テーブル１００が低速で交互に正転及び逆転させる（例えば１８０度程度ずつ）させられる。これにより、薬液が撹拌され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。
一般に、液受けカップ内に引き込まれる気流の影響により、ウエハＷの周縁部の温度が低くなる傾向にある。ヒーター１４２の複数のヒーター要素１４２Ｅのうち、ウエハＷの周縁部領域（図３の加熱ゾーン１４３－１～１４３－４）の加熱を受け持つヒーター要素１４２Ｅへの供給電力を増大させてもよい。これにより、ウエハＷ面内におけるウエハＷの温度が均一化され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。
この薬液処理中において、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ホットプレート１４０に設けられた温度センサ１４６の検出値により行うことができる。これに代えて、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ウエハＷの表面温度を検出する赤外線温度計９０２の検出値に基づいて行ってもよい。赤外線温度計９０２の検出値を用いた方が、より精確にウエハＷの温度を制御することができる。ヒーター１４２への供給電力の制御を、薬液処理の前期に温度センサ１４６の検出値に基づいて行い、後期に赤外線温度計９０２の検出値に基づいて行ってもよい。
［薬液振り切り工程（薬液除去工程）］
薬液処理が終了したら、まず、給電部３００からのヒーター１４２への給電を停止し（時点ｔ４）、次いで、第２電極部１６１Ｂを下降位置に下降させる（時点ｔ５）。先に給電を停止することにより、第２電極部１６１Ｂの下降時に電極間にスパークが生じることを防止することができる。
次いで、回転テーブル１００を高速回転させ、ウエハＷ上の薬液を遠心力により外方に飛散させる（時点ｔ５～ｔ６）。周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５が傾斜しているため、上部１８１よりも半径方向内側の領域に存在する全ての薬液（ウエハＷ上の薬液も含む）が、スムースに除去される。飛散した薬液は、回転カップ１８８と周縁カバー体１８０との間の通路１９０を通って流下し、液受けカップ８００に回収される。なお、このとき、薬液の種類に適した排出通路（第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８のいずれか１つ）に飛散した薬液が導かれるように、第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３が適切な位置に位置している。
［リンス工程］
次に、回転テーブル１００を低速回転とし、リンスノズル７２０をウエハＷの中心部の真上に位置させ、リンスノズル７２０からリンス液を供給する（時点ｔ６～ｔ７）。これにより、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全ての薬液（ウエハＷ上に残留している薬液も含む）が、リンス液により洗い流される。
リンスノズル７２０から供給されるリンス液は常温のリンス液でも加熱されたリンス液でもよい。加熱されたリンス液を供給した場合には、吸着プレート１２０及びホットプレート１４０の温度低下を防止することができる。加熱されたリンス液は、工場用力系から供給を受けることができる。これに代えて、常温のリンス液を加熱するために、リンス液供給源７０２Ａとリンスノズル７０２とを接続するリンス液供給ラインに、ヒーター（図示せず）を設けてもよい。
［振り切り乾燥工程］
次に、回転テーブル１００を高速回転にし、リンスノズル７２０からのリンス液の吐出を停止し、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全てのリンス液（ウエハＷ上に残留しているリンス液も含む）を、遠心力により外方に飛散させる（時点ｔ７～ｔ８）。これにより、ウエハＷが乾燥する。
リンス処理と乾燥処理の間に、ウエハＷに乾燥促進液を供給し、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全てのリンス液（ウエハＷ上に残留しているリンス液も含む）を乾燥促進液に置換してもよい。乾燥促進液は、リンス液より揮発性が高く、表面張力が低いことが好ましい。乾燥促進液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とすることができる。
振り切り乾燥工程の後に、ウエハＷを加熱する加熱乾燥を行ってもよい。この場合には、まず、回転テーブル１００の回転を停止させる。次に、第２電極部１６１Ｂを上昇位置に上昇させ（時点ｔ８）、次いで、給電部３００からヒーター１４２への給電を行い（時点ｔ９）、ウエハＷを昇温させ（高速昇温が好ましい）、ウエハの周縁部およびその近傍に僅かに残留しているリンス液（または乾燥促進液）を蒸発させることにより、除去する。上述したＩＰＡを用いた振り切り乾燥工程を行うことにより、ウエハＷの表面は十分に乾燥するため、ヒーター１４２による加熱乾燥は行わなくてもよい。つまり、図８のタイムチャートにおいて、時点ｔ７とｔ８の間の時点から時点ｔ１０とｔ１１との間の時点までの動作を省略してもよい。
［ウエハ搬出工程］
次に、切替装置（三方弁）１５６を切り替えて、吸引配管１５５Ｗの接続先を吸引装置１５７Ｗからパージガス供給装置１５９に変更する。これにより、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐにパージガスを供給するとともに、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗを介して吸着プレート１２０の上面１２０Ａの凹領域１２５Ｗにパージガスを供給する。これにより、吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除される（時点ｔ１０）。
上記の操作に伴い、ホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着も解除される。１枚のウエハＷの処理が終了する毎にホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着を解除しなくてもよいため、この吸着解除が行われないような配管系統に変更しても構わない。
次いで、リフトピン２１１を受け渡し位置まで上昇させる（時点ｔ１１）。上記のパージにより吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除されているため、ウエハＷを吸着プレート１２０から容易に離すことができる。このため、ウエハＷの傷付きを防止することができる。
次いで、リフトピン２１１上に載っているウエハＷを、基板搬送装置１７のアーム（図１参照）で持ち上げて、処理ユニット１６の外部に搬出する（時点ｔ１２）。その後、ウエハセンサ９０１により、吸着プレート１２０上にウエハＷが存在しないことの確認が行われる。以上により、１枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。
薬液洗浄処理で用いられる薬液としては、ＳＣ１、ＳＰＭ（硫酸過水）、Ｈ３ＰＯ４（リン酸水溶液）などが例示される。一例として、ＳＣ１の温度は常温～７０℃、ＳＰＭの温度は１００～１２０℃、Ｈ３ＰＯ４の温度は１００～１６５℃である。このように、常温より高い温度で薬液が供給される場合、上記実施形態は有益である。
上記の実施形態によれば、吸着プレート１２０を吸引によりホットプレート１４０に吸着しているため、吸着プレート１２０を容易に交換することができる。このため、例えば吸着プレート１２０の汚染、損傷などが生じた場合に、吸着プレート１２０を交換することにより容易に対応することができる。また、吸着により吸着プレート１２０がホットプレート１４０に密接するため、吸着プレート１２０とホットプレート１４０との間の十分な熱伝導を確保することができる。すなわち、吸着プレート１２０とホットプレート１４０とを別部材として構成したことによる熱伝導の低下を最小限に抑制することができる。さらに、前述したように、反りのパターンが異なるウエハＷを処理する場合に、吸着プレート１２０を交換することにより容易に対応することができる。
上記の実施形態では、吸着プレート１２０の下面１２０Ｂに設けられたプレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗが互いに分離していたが、これには限定されない。下面吸引流路溝１２１Ｐ、１２１Ｗを互いに連通させて統合してもよい。この場合、統合された流路溝に、当該流路溝と上面１２０Ａの凹領域１２５Ｗとを連通させる貫通穴が設けられる。またこの場合、プレート本体１４１の上面に、プレート用吸引口１４４Ｐと基板用吸引口１４４Ｗとを別々に設けなくてもよい。
上記の処理ユニット１６を用いて、液処理として、メッキ処理（特に無電解メッキ処理）を行うこともできる。無電解メッキ処理を行う場合、プレクリーン工程（薬液洗浄工程）、メッキ工程、リンス工程、ポストクリーン工程（薬液洗浄工程）、ＩＰＡ置換工程、振り切り乾燥工程（場合によっては続いて加熱乾燥工程）が順次行われる。このうち、メッキ工程において、処理液として例えば５０～７０℃のアルカリ性薬液（無電解メッキ液）が用いられる。プレクリーン工程、リンス工程、ポストクリーン工程、ＩＰＡ置換工程で用いられる処理液（薬液またはリンス液）は常温である。従って、メッキ工程時に、上述したウエハ加熱工程及び薬液処理工程と同様の工程を行えばよい。プレクリーン工程、リンス工程、ポストクリーン工程、ＩＰＡ置換工程においては、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとを離間させた状態で、回転テーブルを回転させながら、必要な処理液を、吸着プレート１２０に吸着されたウエハＷの上面に供給すればよい。勿論、処理液供給部７００には、必要な処理液を供給するのに十分なノズル及び処理液供給源が設けられる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ 基板
１００ 回転テーブル
１０２ 回転駆動機構
１２０ 吸着プレート
１２９Ｗ 貫通穴
１４０ ベースプレート（ホットプレート）
１５０ 吸引部（吸引／パージ部）

Claims (12)

  1. 少なくとも１つの吸引口が設けられた表面を有するベースプレートと、基板の非処理面に接触して前記基板を吸着する表面と、前記ベースプレートの前記表面と接触する裏面と、前記表面と前記裏面とを接続する少なくとも１つの吸着用貫通穴と、を有し、前記ベースプレートに対して着脱可能な吸着プレートと、を備えた回転テーブルと、
    前記回転テーブルを回転軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
    前記ベースプレートの前記吸引口に吸引力を作用させ、前記吸引力を前記ベースプレートと前記吸着プレートとの間に作用させることにより前記ベースプレートと前記吸着プレートとを密着させ、かつ、前記少なくとも１つの吸着用貫通穴を介して前記吸引力を前記吸着プレートと前記基板との間に作用させることにより前記吸着プレートと前記基板とを密着させる吸引部と、
    前記吸着プレートに前記基板を載置することおよび前記吸着プレートから前記基板を離すために前記基板を昇降させる複数のリフトピンと、
    前記複数のリフトピンを昇降させるリフトピン昇降機構と、
    を備え、
    前記吸着プレートが予め定められた位置関係で前記ベースプレートに接触し、かつ、前記吸着プレートに予め定められた位置関係で前記基板が接触しているときに、前記各リフトピンが通過しうる位置に、前記吸着プレートおよび前記ベースプレートにリフトピン用貫通穴が設けられている、基板処理装置。
  2. 前記吸着プレートの表面に、前記少なくとも１つの吸着用貫通穴と連通する少なくとも１つの表面吸引流路溝が設けられ、前記吸着プレートの裏面に、前記ベースプレートの前記少なくとも１つの吸引口と連通する少なくとも１つの裏面吸引流路溝が設けられ、前記少なくとも１つの表面吸引流路溝が前記吸引力を前記吸着プレートの表面の面内に分散させる、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記ベースプレートの前記少なくとも１つの吸引口は、第１吸引口と第２吸引口とを含み、
    前記少なくとも１つの裏面吸引流路溝は、前記第１吸引口に連通する第１裏面吸引流路溝と、前記第２吸引口に連通する第２裏面吸引流路溝と、含み、
    前記第１裏面吸引流路溝に作用する吸引力が前記ベースプレートと前記吸着プレートとを密着させ、前記第１裏面吸引流路溝が、前記吸引力を前記吸着プレートの裏面の面内に分散させ、
    前記少なくとも１つの吸着用貫通穴は、前記第２裏面吸引流路溝と前記少なくとも１つの表面吸引流路溝とを連通させ、前記第２裏面吸引流路溝、前記少なくとも１つの吸着用貫通穴を介して前記少なくとも１つの表面吸引流路溝に作用する吸引力が前記吸着プレートと前記基板とを密着させる、
    請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記表面吸引流路溝は同心円状に複数設けられ、前記吸着用貫通穴は複数設けられ、前記複数の吸着用貫通穴は前記表面吸引流路溝の各々に連通している、請求項２または３記載の基板処理装置。
  5. パージガスを供給するパージガス供給部と、
    前記ベースプレートの前記少なくとも１つの吸引口のうちの少なくとも前記表面吸引流路溝に連通する吸引口に対して前記パージガス供給部が接続されている状態と、前記吸引部が接続されている状態とを切り替える切替部と、
    をさらに備えた、請求項２から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. パージガスを供給するパージガス供給部をさらに備え、前記吸着プレートの表面の周縁部に、円周方向に連続的に延びるパージ流路溝が形成され、前記ベースプレートの前記表面に前記パージガス供給部と連通するパージガス供給口が設けられ、前記吸着プレートに、前記吸着プレートを厚さ方向に貫通して前記パージガス供給口と前記パージ流路溝とを連通させる連通孔が設けられ、前記パージガスは、前記吸着プレートと前記基板の周縁部との間に流体が進入することを阻止する、請求項１記載の基板処理装置。
  7. 前記ベースプレートは、電気ヒーターが設けられたホットプレートからなる、請求項１記載の基板処理装置。
  8. 前記吸着プレートは前記ホットプレートより薄い、請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記吸着プレートの表面は、中央部が周縁部よりも高いか、あるいは、周縁部が中央部よりも高い、請求項１記載の基板処理装置。
  10. 前記吸着プレートは、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導性セラミックスから形成されている、請求項１記載の基板処理装置。
  11. 前記回転軸線の方向から見て、前記吸着プレートおよび前記ベースプレートは円形である、請求項１記載の基板処理装置。
  12. 前記回転軸線の方向から見て、前記吸着プレートは、前記基板の直径以上の直径を有する、請求項１１記載の基板処理装置。
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