JP7120904B2 - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。
特許文献1には、ワークを保持する保持機構と、保持機構に保持されたワークにレーザ光を照射するレーザ照射機構と、を備えるレーザ加工装置が記載されている。特許文献1に記載のレーザ加工装置では、集光レンズを有するレーザ照射機構が基台に対して固定されており、集光レンズの光軸に垂直な方向に沿ったワークの移動が保持機構によって実施される。
ところで、例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハからその外縁部分を不要部分として除去するトリミング加工が実施される場合がある。しかし、対象物からその外縁部分を除去するために、対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿ってレーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、当該ラインに沿って改質領域を形成すると、外縁部分が除去された対象物のトリム面の品質が場所によって低下するおそれがあることが分かった。
そこで、本発明は、外縁部分が除去された対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを課題とする。
本発明に係るレーザ加工装置は、対象物に少なくとも集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、対象物を支持する支持部と、支持部によって支持された対象物にレーザ光を照射する照射部と、支持部及び照射部を制御する制御部と、を備え、照射部は、レーザ光の光軸に垂直な面内における集光領域の一部の形状が長手方向を有するようにレーザ光を成形する成形部を有し、制御部は、対象物に関する対象物情報、及び、対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合のラインに関するライン情報に基づいて、長手方向が集光領域の一部の移動方向と交差するように、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合の長手方向の向きを決定する決定部と、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間に、決定部によって決定された向きとなるように長手方向の向きを調整する調整部と、を有する。
このレーザ加工装置では、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間に、レーザ光の光軸に垂直な面内における集光領域の一部の形状(以下、「ビーム形状」ともいう)の長手方向の向きが、集光領域の一部の移動方向(以下、「加工進行方向」ともいう)と交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された向きへ調整される。したがって、ビーム形状の長手方向が加工進行方向と一致した状態でラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させただけでは、例えば対象物の物性に起因して場所によってトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、外縁部分が除去された対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、対象物情報は、対象物の結晶方位に関する情報を含み、ライン情報は、集光領域の一部の移動方向に関する情報を含んでいてもよい。これにより、対象物が結晶方位を有する場合にも、対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、成形部は、空間光変調器を含み、調整部は、空間光変調器を制御することにより、長手方向の向きを調整してもよい。これにより、レーザ光の光軸に垂直な面内における集光領域の一部の形状の長手方向の向きを確実に調整することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、決定部は、ラインの第1領域に沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合の長手方向の向きである第1向きと、ラインの第2領域に沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合の長手方向の向きである第2向きと、を決定し、調整部は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間において、第1領域に集光領域の一部が位置する場合には第1向きとなるように長手方向の向きを調整し、第2領域に集光領域の一部が位置する場合には第2向きとなるように長手方向の向きを調整してもよい。これにより、第1領域及び第2領域のそれぞれにおいて対象物のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、対象物は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位を有するウェハであり、ラインは、主面に垂直な方向から見た場合に円環状に延在しており、第1領域は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合に、第1結晶方位に対する集光領域の一部の移動方向の角度である加工角度が0°以上45°未満となる領域を含み、第2領域は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合に、加工角度が45°以上90°未満となる領域を含んでいてもよい。これにより、対象物が(100)面を主面とするウェハである場合に、対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、第1向き及び第2向きは、第1結晶方位及び第2結晶方位のうち移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように、移動方向に対して傾斜した方向の向きであってもよい。これにより、対象物が(100)面を主面とするウェハである場合に、第1領域及び第2領域のそれぞれにおいて対象物のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、第1向き及び第2向きは、第1結晶方位及び第2結晶方位のうち移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように移動方向から10°~35°傾斜した方向の向きであってもよい。これにより、対象物が(100)面を主面とするウェハである場合に、第1領域及び第2領域のそれぞれにおいて対象物のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、調整部は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間において、連続的に変化するように長手方向の向きを調整してもよい。これにより、ラインの各場所において対象物のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工装置では、対象物は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位を有するウェハであり、決定部は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合の長手方向の向きを、第1結晶方位に対する集光領域の一部の移動方向の角度である加工角度毎に決定し、調整部は、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間において、加工角度に応じて、決定部によって決定された向きとなるように連続的に変化させてもよい。これにより、対象物が(100)面を主面とするウェハである場合に、ラインの各場所において対象物のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本発明に係るレーザ加工方法は、対象物に少なくとも集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、対象物に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、対象物に関する対象物情報、及び、対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合のラインに関するライン情報に基づいて、レーザ光の光軸に垂直な面内における集光領域の一部の形状が有する長手方向が集光領域の一部の移動方向と交差するように、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させる場合の長手方向の向きを決定する決定工程と、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間に、決定された向きとなるように長手方向の向きを調整する調整工程と、を備える。
このレーザ加工方法では、ラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させている間に、ビーム形状の長手方向の向きが、加工進行方向と交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された向きへ調整される。したがって、ビーム形状の長手方向が加工進行方向と一致した状態でラインに沿って集光領域の一部を相対的に移動させただけでは、例えば対象物の物性に起因して場所によってトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、外縁部分が除去された対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本発明によれば、外縁部分が除去された対象物のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
まず、レーザ加工装置の基本的な構成、作用、効果及び変形例について説明する。
[レーザ加工装置の構成]
図1に示されるように、レーザ加工装置1は、複数の移動機構5,6と、支持部7と、1対のレーザ加工ヘッド(第1レーザ加工ヘッド、第2レーザ加工ヘッド)10A,10Bと、光源ユニット8と、制御部9と、を備えている。以下、第1方向をX方向、第1方向に垂直な第2方向をY方向、第1方向及び第2方向に垂直な第3方向をZ方向という。本実施形態では、X方向及びY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。
図1に示されるように、レーザ加工装置1は、複数の移動機構5,6と、支持部7と、1対のレーザ加工ヘッド(第1レーザ加工ヘッド、第2レーザ加工ヘッド)10A,10Bと、光源ユニット8と、制御部9と、を備えている。以下、第1方向をX方向、第1方向に垂直な第2方向をY方向、第1方向及び第2方向に垂直な第3方向をZ方向という。本実施形態では、X方向及びY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。
移動機構5は、固定部51と、移動部53と、取付部55と、を有している。固定部51は、装置フレーム1aに取り付けられている。移動部53は、固定部51に設けられたレールに取り付けられており、Y方向に沿って移動することができる。取付部55は、移動部53に設けられたレールに取り付けられており、X方向に沿って移動することができる。
移動機構6は、固定部61と、1対の移動部(第1移動部、第2移動部)63,64と、1対の取付部(第1取付部、第2取付部)65,66と、を有している。固定部61は、装置フレーム1aに取り付けられている。1対の移動部63,64のそれぞれは、固定部61に設けられたレールに取り付けられており、それぞれが独立して、Y方向に沿って移動することができる。取付部65は、移動部63に設けられたレールに取り付けられており、Z方向に沿って移動することができる。取付部66は、移動部64に設けられたレールに取り付けられており、Z方向に沿って移動することができる。つまり、装置フレーム1aに対しては、1対の取付部65,66のそれぞれが、Y方向及びZ方向のそれぞれに沿って移動することができる。移動部63,64のそれぞれは、第1及び第2水平移動機構(水平移動機構)をそれぞれ構成する。取付部65,66のそれぞれは、第1及び第2鉛直移動機構(鉛直移動機構)をそれぞれ構成する。
支持部7は、移動機構5の取付部55に設けられた回転軸に取り付けられており、Z方向に平行な軸線を中心線として回転することができる。つまり、支持部7は、X方向及びY方向のそれぞれに沿って移動することができ、Z方向に平行な軸線を中心線として回転することができる。支持部7は、対象物100を支持する。対象物100は、例えば、ウェハである。
図1及び図2に示されるように、レーザ加工ヘッド10Aは、移動機構6の取付部65に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Aは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光L1(「第1レーザ光L1」とも称する)を照射する。レーザ加工ヘッド10Bは、移動機構6の取付部66に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Bは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光L2(「第2レーザ光L2」とも称する)を照射する。レーザ加工ヘッド10A,10Bは、照射部を構成する。
光源ユニット8は、1対の光源81,82を有している。光源81は、レーザ光L1を出力する。レーザ光L1は、光源81の出射部81aから出射され、光ファイバ2によってレーザ加工ヘッド10Aに導光される。光源82は、レーザ光L2を出力する。レーザ光L2は、光源82の出射部82aから出射され、別の光ファイバ2によってレーザ加工ヘッド10Bに導光される。
制御部9は、レーザ加工装置1の各部(支持部7、複数の移動機構5,6、1対のレーザ加工ヘッド10A,10B、及び光源ユニット8等)を制御する。制御部9は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部9では、メモリ等に読み込まれたソフトウェア(プログラム)が、プロセッサによって実行され、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信が、プロセッサによって制御される。これにより、制御部9は、各種機能を実現する。
以上のように構成されたレーザ加工装置1による加工の一例について説明する。当該加工の一例は、ウェハである対象物100を複数のチップに切断するために、格子状に設定された複数のラインに沿って対象物100の内部に改質領域を形成する例である。
まず、対象物100を支持している支持部7がZ方向において1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bと対向するように、移動機構5が、X方向及びY方向のそれぞれに沿って支持部7を移動させる。続いて、対象物100において一方向に延在する複数のラインがX方向に沿うように、移動機構5が、Z方向に平行な軸線を中心線として支持部7を回転させる。
続いて、一方向に延在する一のライン上にレーザ光L1の集光点(集光領域の一部)が位置するように、移動機構6が、Y方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Aを移動させる。その一方で、一方向に延在する他のライン上にレーザ光L2の集光点が位置するように、移動機構6が、Y方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Bを移動させる。続いて、対象物100の内部にレーザ光L1の集光点が位置するように、移動機構6が、Z方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Aを移動させる。その一方で、対象物100の内部にレーザ光L2の集光点が位置するように、移動機構6が、Z方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Bを移動させる。
続いて、光源81がレーザ光L1を出力してレーザ加工ヘッド10Aが対象物100にレーザ光L1を照射すると共に、光源82がレーザ光L2を出力してレーザ加工ヘッド10Bが対象物100にレーザ光L2を照射する。それと同時に、一方向に延在する一のラインに沿ってレーザ光L1の集光点が相対的に移動し且つ一方向に延在する他のラインに沿ってレーザ光L2の集光点が相対的に移動するように、移動機構5が、X方向に沿って支持部7を移動させる。このようにして、レーザ加工装置1は、対象物100において一方向に延在する複数のラインのそれぞれに沿って、対象物100の内部に改質領域を形成する。
続いて、対象物100において一方向と直交する他方向に延在する複数のラインがX方向に沿うように、移動機構5が、Z方向に平行な軸線を中心線として支持部7を回転させる。
続いて、他方向に延在する一のライン上にレーザ光L1の集光点が位置するように、移動機構6が、Y方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Aを移動させる。その一方で、他方向に延在する他のライン上にレーザ光L2の集光点が位置するように、移動機構6が、Y方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Bを移動させる。続いて、対象物100の内部にレーザ光L1の集光点が位置するように、移動機構6が、Z方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Aを移動させる。その一方で、対象物100の内部にレーザ光L2の集光点が位置するように、移動機構6が、Z方向に沿ってレーザ加工ヘッド10Bを移動させる。
続いて、光源81がレーザ光L1を出力してレーザ加工ヘッド10Aが対象物100にレーザ光L1を照射すると共に、光源82がレーザ光L2を出力してレーザ加工ヘッド10Bが対象物100にレーザ光L2を照射する。それと同時に、他方向に延在する一のラインに沿ってレーザ光L1の集光点が相対的に移動し且つ他方向に延在する他のラインに沿ってレーザ光L2の集光点が相対的に移動するように、移動機構5が、X方向に沿って支持部7を移動させる。このようにして、レーザ加工装置1は、対象物100において一方向と直交する他方向に延在する複数のラインのそれぞれに沿って、対象物100の内部に改質領域を形成する。
なお、上述した加工の一例では、光源81は、例えばパルス発振方式によって、対象物100に対して透過性を有するレーザ光L1を出力し、光源82は、例えばパルス発振方式によって、対象物100に対して透過性を有するレーザ光L2を出力する。そのようなレーザ光が対象物100の内部に集光されると、レーザ光の集光点に対応する部分においてレーザ光が特に吸収され、対象物100の内部に改質領域が形成される。改質領域は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。
パルス発振方式によって出力されたレーザ光が対象物100に照射され、対象物100に設定されたラインに沿ってレーザ光の集光点が相対的に移動させられると、複数の改質スポットがラインに沿って1列に並ぶように形成される。1つの改質スポットは、1パルスのレーザ光の照射によって形成される。1列の改質領域は、1列に並んだ複数の改質スポットの集合である。隣り合う改質スポットは、対象物100に対するレーザ光の集光点の相対的な移動速度及びレーザ光の繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。設定されるラインの形状は、格子状に限定されず、環状、直線状、曲線状及びこれらの少なくとも何れかを組合せた形状であってもよい。
[レーザ加工ヘッドの構成]
[レーザ加工ヘッドの構成]
図3及び図4に示されるように、レーザ加工ヘッド10Aは、筐体11と、入射部12と、調整部13と、集光部14と、を備えている。
筐体11は、第1壁部21及び第2壁部22、第3壁部23及び第4壁部24、並びに、第5壁部25及び第6壁部26を有している。第1壁部21及び第2壁部22は、X方向において互いに対向している。第3壁部23及び第4壁部24は、Y方向において互いに対向している。第5壁部25及び第6壁部26は、Z方向において互いに対向している。
第3壁部23と第4壁部24との距離は、第1壁部21と第2壁部22との距離よりも小さい。第1壁部21と第2壁部22との距離は、第5壁部25と第6壁部26との距離よりも小さい。なお、第1壁部21と第2壁部22との距離は、第5壁部25と第6壁部26との距離と等しくてもよいし、或いは、第5壁部25と第6壁部26との距離よりも大きくてもよい。
レーザ加工ヘッド10Aでは、第1壁部21は、移動機構6の固定部61側に位置しており、第2壁部22は、固定部61とは反対側に位置している。第3壁部23は、移動機構6の取付部65側に位置しており、第4壁部24は、取付部65とは反対側であってレーザ加工ヘッド10B側に位置している(図2参照)。第5壁部25は、支持部7とは反対側に位置しており、第6壁部26は、支持部7側に位置している。
筐体11は、第3壁部23が移動機構6の取付部65側に配置された状態で筐体11が取付部65に取り付けられるように、構成されている。具体的には、次のとおりである。取付部65は、ベースプレート65aと、取付プレート65bと、を有している。ベースプレート65aは、移動部63に設けられたレールに取り付けられている(図2参照)。取付プレート65bは、ベースプレート65aにおけるレーザ加工ヘッド10B側の端部に立設されている(図2参照)。筐体11は、第3壁部23が取付プレート65bに接触した状態で、台座27を介してボルト28が取付プレート65bに螺合されることで、取付部65に取り付けられている。台座27は、第1壁部21及び第2壁部22のそれぞれに設けられている。筐体11は、取付部65に対して着脱可能である。
入射部12は、第5壁部25に取り付けられている。入射部12は、筐体11内にレーザ光L1を入射させる。入射部12は、X方向においては第2壁部22側(一方の壁部側)に片寄っており、Y方向においては第4壁部24側に片寄っている。つまり、X方向における入射部12と第2壁部22との距離は、X方向における入射部12と第1壁部21との距離よりも小さく、Y方向における入射部12と第4壁部24との距離は、X方向における入射部12と第3壁部23との距離よりも小さい。
入射部12は、光ファイバ2の接続端部2aが接続可能となるように構成されている。光ファイバ2の接続端部2aには、ファイバの出射端から出射されたレーザ光L1をコリメートするコリメータレンズが設けられており、戻り光を抑制するアイソレータが設けられていない。当該アイソレータは、接続端部2aよりも光源81側であるファイバの途中に設けられている。これにより、接続端部2aの小型化、延いては、入射部12の小型化が図られている。なお、光ファイバ2の接続端部2aにアイソレータが設けられていてもよい。
調整部13は、筐体11内に配置されている。調整部13は、入射部12から入射したレーザ光L1を調整する。調整部13が有する各構成は、筐体11内に設けられた光学ベース29に取り付けられている。光学ベース29は、筐体11内の領域を第3壁部23側の領域と第4壁部24側の領域とに仕切るように、筐体11に取り付けられている。光学ベース29は、筐体11と一体となっている。調整部13が有する各構成は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられている調整部13が有する各構成の詳細については後述する。
集光部14は、第6壁部26に配置されている。具体的には、集光部14は、第6壁部26に形成された孔26aに挿通された状態で、第6壁部26に配置されている。集光部14は、調整部13によって調整されたレーザ光L1を集光しつつ筐体11外に出射させる。集光部14は、X方向においては第2壁部22側(一方の壁部側)に片寄っており、Y方向においては第4壁部24側に片寄っている。つまり、X方向における集光部14と第2壁部22との距離は、X方向における集光部14と第1壁部21との距離よりも小さく、Y方向における集光部14と第4壁部24との距離は、X方向における集光部14と第3壁部23との距離よりも小さい。
図5に示されるように、調整部13は、アッテネータ31と、ビームエキスパンダ32と、ミラー33と、を有している。入射部12、並びに、調整部13のアッテネータ31、ビームエキスパンダ32及びミラー33は、Z方向に沿って延在する直線(第1直線)A1上に配置されている。アッテネータ31及びビームエキスパンダ32は、直線A1上において、入射部12とミラー33との間に配置されている。アッテネータ31は、入射部12から入射したレーザ光L1の出力を調整する。ビームエキスパンダ32は、アッテネータ31で出力が調整されたレーザ光L1の径を拡大する。ミラー33は、ビームエキスパンダ32で径が拡大されたレーザ光L1を反射する。
調整部13は、反射型空間光変調器34と、結像光学系35と、を更に有している。調整部13の反射型空間光変調器34及び結像光学系35、並びに、集光部14は、Z方向に沿って延在する直線(第2直線)A2上に配置されている。反射型空間光変調器34は、ミラー33で反射されたレーザ光L1を変調する。反射型空間光変調器34は、例えば、反射型液晶(LCOS:Liquid Crystal on Silicon)の空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)である。結像光学系35は、反射型空間光変調器34の反射面34aと集光部14の入射瞳面14aとが結像関係にある両側テレセントリック光学系を構成している。結像光学系35は、3つ以上のレンズによって構成されている。
直線A1及び直線A2は、Y方向に垂直な平面上に位置している。直線A1は、直線A2に対して第2壁部22側(一方の壁部側)に位置している。レーザ加工ヘッド10Aでは、レーザ光L1は、入射部12から筐体11内に入射して直線A1上を進行し、ミラー33及び反射型空間光変調器34で順次に反射された後、直線A2上を進行して集光部14から筐体11外に出射する。なお、アッテネータ31及びビームエキスパンダ32の配列の順序は、逆であってもよい。また、アッテネータ31は、ミラー33と反射型空間光変調器34との間に配置されていてもよい。また、調整部13は、他の光学部品(例えば、ビームエキスパンダ32の前に配置されるステアリングミラー等)を有していてもよい。
レーザ加工ヘッド10Aは、ダイクロイックミラー15と、測定部16と、観察部17と、駆動部18と、回路部19と、を更に備えている。
ダイクロイックミラー15は、直線A2上において、結像光学系35と集光部14との間に配置されている。つまり、ダイクロイックミラー15は、筐体11内において、調整部13と集光部14との間に配置されている。ダイクロイックミラー15は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられている。ダイクロイックミラー15は、レーザ光L1を透過させる。ダイクロイックミラー15は、非点収差を抑制する観点では、例えば、キューブ型、又は、ねじれの関係を有するように配置された2枚のプレート型が好ましい。
測定部16は、筐体11内において、調整部13に対して第1壁部21側(一方の壁部側とは反対側)に配置されている。測定部16は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられている。測定部16は、対象物100の表面(例えば、レーザ光L1が入射する側の表面)と集光部14との距離を測定するための測定光L10を出力し、集光部14を介して、対象物100の表面で反射された測定光L10を検出する。つまり、測定部16から出力された測定光L10は、集光部14を介して対象物100の表面に照射され、対象物100の表面で反射された測定光L10は、集光部14を介して測定部16で検出される。
より具体的には、測定部16から出力された測定光L10は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられたビームスプリッタ20及びダイクロイックミラー15で順次に反射され、集光部14から筐体11外に出射する。対象物100の表面で反射された測定光L10は、集光部14から筐体11内に入射してダイクロイックミラー15及びビームスプリッタ20で順次に反射され、測定部16に入射し、測定部16で検出される。
観察部17は、筐体11内において、調整部13に対して第1壁部21側(一方の壁部側とは反対側)に配置されている。観察部17は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられている。観察部17は、対象物100の表面(例えば、レーザ光L1が入射する側の表面)を観察するための観察光L20を出力し、集光部14を介して、対象物100の表面で反射された観察光L20を検出する。つまり、観察部17から出力された観察光L20は、集光部14を介して対象物100の表面に照射され、対象物100の表面で反射された観察光L20は、集光部14を介して観察部17で検出される。
より具体的には、観察部17から出力された観察光L20は、ビームスプリッタ20を透過してダイクロイックミラー15で反射され、集光部14から筐体11外に出射する。対象物100の表面で反射された観察光L20は、集光部14から筐体11内に入射してダイクロイックミラー15で反射され、ビームスプリッタ20を透過して観察部17に入射し、観察部17で検出される。なお、レーザ光L1、測定光L10及び観察光L20のそれぞれの波長は、互いに異なっている(少なくともそれぞれの中心波長が互いにずれている)。
駆動部18は、第4壁部24側において光学ベース29に取り付けられている。筐体11の第6壁部26に取り付けられている。駆動部18は、例えば圧電素子の駆動力によって、第6壁部26に配置された集光部14をZ方向に沿って移動させる。
回路部19は、筐体11内において、光学ベース29に対して第3壁部23側に配置されている。つまり、回路部19は、筐体11内において、調整部13、測定部16及び観察部17に対して第3壁部23側に配置されている。回路部19は、例えば、複数の回路基板である。回路部19は、測定部16から出力された信号、及び反射型空間光変調器34に入力する信号を処理する。回路部19は、測定部16から出力された信号に基づいて駆動部18を制御する。一例として、回路部19は、測定部16から出力された信号に基づいて、対象物100の表面と集光部14との距離が一定に維持されるように(すなわち、対象物100の表面とレーザ光L1の集光点との距離が一定に維持されるように)、駆動部18を制御する。なお、筐体11には、回路部19を制御部9(図1参照)等に電気的に接続するための配線が接続されるコネクタ(図示省略)が設けられている。
レーザ加工ヘッド10Bは、レーザ加工ヘッド10Aと同様に、筐体11と、入射部12と、調整部13と、集光部14と、ダイクロイックミラー15と、測定部16と、観察部17と、駆動部18と、回路部19と、を備えている。ただし、レーザ加工ヘッド10Bの各構成は、図2に示されるように、1対の取付部65,66間の中点を通り且つY方向に垂直な仮想平面に関して、レーザ加工ヘッド10Aの各構成と面対称の関係を有するように、配置されている。
例えば、レーザ加工ヘッド10Aの筐体(第1筐体)11は、第4壁部24が第3壁部23に対してレーザ加工ヘッド10B側に位置し且つ第6壁部26が第5壁部25に対して支持部7側に位置するように、取付部65に取り付けられている。これに対し、レーザ加工ヘッド10Bの筐体(第2筐体)11は、第4壁部24が第3壁部23に対してレーザ加工ヘッド10A側に位置し且つ第6壁部26が第5壁部25に対して支持部7側に位置するように、取付部66に取り付けられている。
レーザ加工ヘッド10Bの筐体11は、第3壁部23が取付部66側に配置された状態で筐体11が取付部66に取り付けられるように、構成されている。具体的には、次のとおりである。取付部66は、ベースプレート66aと、取付プレート66bと、を有している。ベースプレート66aは、移動部63に設けられたレールに取り付けられている。取付プレート66bは、ベースプレート66aにおけるレーザ加工ヘッド10A側の端部に立設されている。レーザ加工ヘッド10Bの筐体11は、第3壁部23が取付プレート66bに接触した状態で、取付部66に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Bの筐体11は、取付部66に対して着脱可能である。
[作用及び効果]
[作用及び効果]
レーザ加工ヘッド10Aでは、レーザ光L1を出力する光源が筐体11内に設けられていないため、筐体11の小型化を図ることができる。更に、筐体11において、第3壁部23と第4壁部24との距離が第1壁部21と第2壁部22との距離よりも小さく、第6壁部26に配置された集光部14がY方向において第4壁部24側に片寄っている。これにより、集光部14の光軸に垂直な方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、第4壁部24側に他の構成(例えば、レーザ加工ヘッド10B)が存在したとしても、当該他の構成に集光部14を近付けることができる。よって、レーザ加工ヘッド10Aは、集光部14をその光軸に垂直な方向に沿って移動させるのに好適である。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、入射部12が、第5壁部25に設けられており、Y方向において第4壁部24側に片寄っている。これにより、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第3壁部23側の領域に他の構成(例えば、回路部19)を配置する等、当該領域を有効に利用することができる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、集光部14が、X方向において第2壁部22側に片寄っている。これにより、集光部14の光軸に垂直な方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、第2壁部22側に他の構成が存在したとしても、当該他の構成に集光部14を近付けることができる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、入射部12が、第5壁部25に設けられており、X方向において第2壁部22側に片寄っている。これにより、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第1壁部21側の領域に他の構成(例えば、測定部16及び観察部17)を配置する等、当該領域を有効に利用することができる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、測定部16及び観察部17が、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第1壁部21側の領域に配置されており、回路部19が、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第3壁部23側に配置されており、ダイクロイックミラー15が、筐体11内において調整部13と集光部14との間に配置されている。これにより、筐体11内の領域を有効に利用することができる。更に、レーザ加工装置1において、対象物100の表面と集光部14との距離の測定結果に基づいた加工が可能となる。また、レーザ加工装置1において、対象物100の表面の観察結果に基づいた加工が可能となる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、回路部19が、測定部16から出力された信号に基づいて駆動部18を制御する。これにより、対象物100の表面と集光部14との距離の測定結果に基づいてレーザ光L1の集光点の位置を調整することができる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、入射部12、並びに、調整部13のアッテネータ31、ビームエキスパンダ32及びミラー33が、Z方向に沿って延在する直線A1上に配置されており、調整部13の反射型空間光変調器34、結像光学系35及び集光部14、並びに、集光部14が、Z方向に沿って延在する直線A2上に配置されている。これにより、アッテネータ31、ビームエキスパンダ32、反射型空間光変調器34及び結像光学系35を有する調整部13をコンパクトに構成することができる。
また、レーザ加工ヘッド10Aでは、直線A1が、直線A2に対して第2壁部22側に位置している。これにより、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第1壁部21側の領域において、集光部14を用いた他の光学系(例えば、測定部16及び観察部17)を構成する場合に、当該他の光学系の構成の自由度を向上させることができる。
以上の作用及び効果は、レーザ加工ヘッド10Bによっても同様に奏される。
また、レーザ加工装置1では、レーザ加工ヘッド10Aの集光部14が、レーザ加工ヘッド10Aの筐体11においてレーザ加工ヘッド10B側に片寄っており、レーザ加工ヘッド10Bの集光部14が、レーザ加工ヘッド10Bの筐体11においてレーザ加工ヘッド10A側に片寄っている。これにより、1対のレーザ加工ヘッド10A,10BのそれぞれをY方向に沿って移動させる場合に、レーザ加工ヘッド10Aの集光部14とレーザ加工ヘッド10Bの集光部14とを互いに近付けることができる。よって、レーザ加工装置1によれば、対象物100を効率良く加工することができる。
また、レーザ加工装置1では、1対の取付部65,66のそれぞれが、Y方向及びZ方向のそれぞれに沿って移動する。これにより、対象物100をより効率良く加工することができる。
また、レーザ加工装置1では、支持部7が、X方向及びY方向のそれぞれに沿って移動し、Z方向に平行な軸線を中心線として回転する。これにより、対象物100をより効率良く加工することができる。
[変形例]
[変形例]
例えば、図6に示されるように、入射部12、調整部13及び集光部14は、Z方向に沿って延在する直線A上に配置されていてもよい。これによれば、調整部13をコンパクトに構成することができる。その場合、調整部13は、反射型空間光変調器34及び結像光学系35を有していなくてもよい。また、調整部13は、アッテネータ31及びビームエキスパンダ32を有していてもよい。これによれば、アッテネータ31及びビームエキスパンダ32を有する調整部13をコンパクトに構成することができる。なお、アッテネータ31及びビームエキスパンダ32の配列の順序は、逆であってもよい。
また、筐体11は、第1壁部21、第2壁部22、第3壁部23及び第5壁部25の少なくとも1つがレーザ加工装置1の取付部65(又は取付部66)側に配置された状態で筐体11が取付部65(又は取付部66)に取り付けられるように、構成されていればよい。また、集光部14は、少なくともY方向において第4壁部24側に片寄っていればよい。これらによれば、Y方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、第4壁部24側に他の構成が存在したとしても、当該他の構成に集光部14を近付けることができる。また、Z方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、対象物100に集光部14を近付けることができる。
また、集光部14は、X方向において第1壁部21側に片寄っていてもよい。これによれば、集光部14の光軸に垂直な方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、第1壁部21側に他の構成が存在したとしても、当該他の構成に集光部14を近付けることができる。その場合、入射部12は、X方向において第1壁部21側に片寄っていてもよい。これによれば、筐体11内の領域のうち調整部13に対して第2壁部22側の領域に他の構成(例えば、測定部16及び観察部17)を配置する等、当該領域を有効に利用することができる。
また、光源ユニット8の出射部81aからレーザ加工ヘッド10Aの入射部12へのレーザ光L1の導光、及び光源ユニット8の出射部82aからレーザ加工ヘッド10Bの入射部12へのレーザ光L2の導光の少なくとも1つは、ミラーによって実施されてもよい。図7は、レーザ光L1がミラーによって導光されるレーザ加工装置1の一部分の正面図である。図7に示される構成では、レーザ光L1を反射するミラー3が、Y方向において光源ユニット8の出射部81aと対向し且つZ方向においてレーザ加工ヘッド10Aの入射部12と対向するように、移動機構6の移動部63に取り付けられている。
図7に示される構成では、移動機構6の移動部63をY方向に沿って移動させても、Y方向においてミラー3が光源ユニット8の出射部81aと対向する状態が維持される。また、移動機構6の取付部65をZ方向に沿って移動させても、Z方向においてミラー3がレーザ加工ヘッド10Aの入射部12と対向する状態が維持される。したがって、レーザ加工ヘッド10Aの位置によらず、光源ユニット8の出射部81aから出射されたレーザ光L1を、レーザ加工ヘッド10Aの入射部12に確実に入射させることができる。しかも、光ファイバ2による導光が困難な高出力長短パルスレーザ等の光源を利用することもできる。
また、図7に示される構成では、ミラー3は、角度調整及び位置調整の少なくとも1つが可能となるように、移動機構6の移動部63に取り付けられていてもよい。これによれば、光源ユニット8の出射部81aから出射されたレーザ光L1を、レーザ加工ヘッド10Aの入射部12に、より確実に入射させることができる。
また、光源ユニット8は、1つの光源を有するものであってもよい。その場合、光源ユニット8は、1つの光源から出力されたレーザ光の一部を出射部81aから出射させ且つ当該レーザ光の残部を出射部82bから出射させるように、構成されていればよい。
また、レーザ加工装置1は、1つのレーザ加工ヘッド10Aを備えていてもよい。1つのレーザ加工ヘッド10Aを備えるレーザ加工装置1でも、集光部14の光軸に垂直なY方向に沿って筐体11を移動させる場合に、例えば、第4壁部24側に他の構成が存在したとしても、当該他の構成に集光部14を近付けることができる。よって、1つのレーザ加工ヘッド10Aを備えるレーザ加工装置1によっても、対象物100を効率良く加工することができる。また、1つのレーザ加工ヘッド10Aを備えるレーザ加工装置1において、取付部65がZ方向に沿って移動すれば、対象物100をより効率良く加工することができる。また、1つのレーザ加工ヘッド10Aを備えるレーザ加工装置1において、支持部7が、X方向に沿って移動し、Z方向に平行な軸線を中心線として回転すれば、対象物100をより効率良く加工することができる。
また、レーザ加工装置1は、3つ以上のレーザ加工ヘッドを備えていてもよい。図8は、2対のレーザ加工ヘッドを備えるレーザ加工装置1の斜視図である。図8に示されるレーザ加工装置1は、複数の移動機構200,300,400と、支持部7と、1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bと、1対のレーザ加工ヘッド10C,10Dと、光源ユニット(図示省略)と、を備えている。
移動機構200は、X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれの方向に沿って支持部7を移動させ、Z方向に平行な軸線を中心線として支持部7を回転させる。
移動機構300は、固定部301と、1対の取付部(第1取付部、第2取付部)305,306と、を有している。固定部301は、装置フレーム(図示省略)に取り付けられている。1対の取付部305,306のそれぞれは、固定部301に設けられたレールに取り付けられており、それぞれが独立して、Y方向に沿って移動することができる。
移動機構400は、固定部401と、1対の取付部(第1取付部、第2取付部)405,406と、を有している。固定部401は、装置フレーム(図示省略)に取り付けられている。1対の取付部405,406のそれぞれは、固定部401に設けられたレールに取り付けられており、それぞれが独立して、X方向に沿って移動することができる。なお、固定部401のレールは、固定部301のレールと立体的に交差するように配置されている。
レーザ加工ヘッド10Aは、移動機構300の取付部305に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Aは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光を照射する。レーザ加工ヘッド10Aから出射されるレーザ光は、光源ユニット(図示省略)から光ファイバ2によって導光される。レーザ加工ヘッド10Bは、移動機構300の取付部306に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Bは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光を照射する。レーザ加工ヘッド10Bから出射されるレーザ光は、光源ユニット(図示省略)から光ファイバ2によって導光される。
レーザ加工ヘッド10Cは、移動機構400の取付部405に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Cは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光を照射する。レーザ加工ヘッド10Cから出射されるレーザ光は、光源ユニット(図示省略)から光ファイバ2によって導光される。レーザ加工ヘッド10Dは、移動機構400の取付部406に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Dは、Z方向において支持部7と対向した状態で、支持部7に支持された対象物100にレーザ光を照射する。レーザ加工ヘッド10Dから出射されるレーザ光は、光源ユニット(図示省略)から光ファイバ2によって導光される。
図8に示されるレーザ加工装置1における1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bの構成は、図1に示されるレーザ加工装置1における1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bの構成と同様である。図8に示されるレーザ加工装置1における1対のレーザ加工ヘッド10C,10Dの構成は、図1に示されるレーザ加工装置1における1対のレーザ加工ヘッド10A,10BをZ方向に平行な軸線を中心線として90°回転した場合の1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bの構成と同様である。
例えば、レーザ加工ヘッド10Cの筐体(第1筐体)11は、第4壁部24が第3壁部23に対してレーザ加工ヘッド10D側に位置し且つ第6壁部26が第5壁部25に対して支持部7側に位置するように、取付部65に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Cの集光部14は、Y方向において第4壁部24側(すなわち、レーザ加工ヘッド10D側)に片寄っている。
レーザ加工ヘッド10Dの筐体(第2筐体)11は、第4壁部24が第3壁部23に対してレーザ加工ヘッド10C側に位置し且つ第6壁部26が第5壁部25に対して支持部7側に位置するように、取付部66に取り付けられている。レーザ加工ヘッド10Dの集光部14は、Y方向において第4壁部24側(すなわち、レーザ加工ヘッド10C側)に片寄っている。
以上により、図8に示されるレーザ加工装置1では、1対のレーザ加工ヘッド10A,10BのそれぞれをY方向に沿って移動させる場合に、レーザ加工ヘッド10Aの集光部14とレーザ加工ヘッド10Bの集光部14とを互いに近付けることができる。また、1対のレーザ加工ヘッド10C,10DのそれぞれをX方向に沿って移動させる場合に、レーザ加工ヘッド10Cの集光部14とレーザ加工ヘッド10Dの集光部14とを互いに近付けることができる。
また、レーザ加工ヘッド及びレーザ加工装置は、対象物100の内部に改質領域を形成するためのものに限定されず、他のレーザ加工を実施するためのものであってもよい。
次に、各実施形態を説明する。以下、上述した実施形態と重複する説明は省略する。
[第1実施形態]
図9に示される第1実施形態に係るレーザ加工装置101は、レーザ加工装置1は、対象物100に集光点(少なくとも集光領域の一部)を合わせて第1レーザ光L1を照射することにより、対象物100に改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、対象物100にトリミング加工を施し、半導体デバイスを取得(製造)する。レーザ加工装置101は、対象物100の外縁の内側において環状に延在するラインM3に沿って、改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、ステージ107、第1レーザ加工ヘッド10A、第1Z軸レール106A、X軸レール108、アライメントカメラ110、並びに、制御部9を備える。
図9に示される第1実施形態に係るレーザ加工装置101は、レーザ加工装置1は、対象物100に集光点(少なくとも集光領域の一部)を合わせて第1レーザ光L1を照射することにより、対象物100に改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、対象物100にトリミング加工を施し、半導体デバイスを取得(製造)する。レーザ加工装置101は、対象物100の外縁の内側において環状に延在するラインM3に沿って、改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、ステージ107、第1レーザ加工ヘッド10A、第1Z軸レール106A、X軸レール108、アライメントカメラ110、並びに、制御部9を備える。
トリミング加工は、対象物100において不要部分を除去する加工である。トリミング加工は、対象物100に集光点(少なくとも集光領域の一部)を合わせて第1レーザ光L1を照射することにより、対象物100に改質領域4を形成するレーザ加工方法を含む。対象物100は、例えば円板状に形成された半導体ウェハを含む。対象物としては特に限定されず、種々の材料で形成されていてもよいし、種々の形状を呈していてもよい。対象物100の表面100aには、機能素子(不図示)が形成されている。機能素子は、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。なお、以下においては、X方向が上記レーザ加工装置1(図1参照)のY方向に対応し、Y方向が上記レーザ加工装置1(図1参照)のX方向に対応する。
図10(a)及び図10(b)に示されるように、対象物100には、有効領域R及び除去領域Eが設定されている。有効領域Rは、取得する半導体デバイスに対応する部分である。ここでの有効領域Rは、対象物100を厚さ方向から見て中央部分を含む円板状の部分である。除去領域Eは、対象物100における有効領域Rよりも外側の領域である。除去領域Eは、対象物100において有効領域R以外の外縁部分である。ここでの除去領域Eは、有効領域Rを囲う円環状の部分である。除去領域Eは、対象物100を厚さ方向から見て周縁部分(外縁のベベル部)を含む。有効領域R及び除去領域Eの設定は、制御部9において行うことができる。有効領域R及び除去領域Eは、座標指定されたものであってもよい。
ステージ107は、対象物100が載置される支持部である。ステージ107は、上記支持部7(図1参照)と同様に構成されている。本実施形態のステージ107には、対象物100の裏面100bをレーザ光入射面側である上側にした状態(表面100aをステージ107側である下側にした状態)で、対象物100が載置されている。ステージ107は、その中心に設けられた回転軸Cを有する。回転軸Cは、Z方向に沿って延びる軸である。ステージ107は、回転軸Cを中心に回転可能である。ステージ107は、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により回転駆動される。
第1レーザ加工ヘッド10Aは、ステージ107に載置された対象物100に第1レーザ光L1をZ方向に沿って照射し、当該対象物100の内部に改質領域を形成する。第1レーザ加工ヘッド10Aは、第1Z軸レール106A及びX軸レール108に取り付けられている。第1レーザ加工ヘッド10Aは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、第1Z軸レール106Aに沿ってZ方向に直線的に移動可能である。第1レーザ加工ヘッド10Aは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、X軸レール108に沿ってX方向に直線的に移動可能である。第1レーザ加工ヘッド10Aは、照射部を構成する。
第1レーザ加工ヘッド10Aは、上述したように、反射型空間光変調器34を備えている。反射型空間光変調器34は、第1レーザ光L1の光軸に垂直な面内における集光点の形状(以下、「ビーム形状」ともいう)を成形する成形部を構成する。反射型空間光変調器34は、ビーム形状が長手方向を有するように第1レーザ光L1を成形する。例えば反射型空間光変調器34は、ビーム形状を楕円形状とする変調パターンを液晶層に表示させることで、ビーム形状を楕円形状へ成形する。
ビーム形状は、楕円形状に限定されず、長尺形状であればよい。ビーム形状は、扁平円形状、長円形状又はトラック形状であってもよい。ビーム形状は、長尺な三角形形状、矩形形状又は多角形形状であってもよい。このようなビーム形状を実現する反射型空間光変調器34の変調パターンは、スリットパターン及び非点パターンの少なくとも何れかを含んでいてもよい。なお、第1レーザ光L1が非点収差等によって複数の集光点を有する場合、複数の集光点のうち、第1レーザ光L1の光路における最も上流側の集光点の形状が、本実施形態のビーム形状である(その他のレーザ光において同じ)。ここでの長手方向は、ビーム形状に係る楕円形状の長軸方向であり、楕円長軸方向とも称される。
ビーム形状は、集光点の形状に限定されず、集光点付近の形状であってもよく、要は、集光領域(集光する領域)の一部の形状であればよい。例えば、非点収差を有する第1レーザ光L1の場合、図71(a)に示されるように、集光点付近におけるレーザ光入射面側の領域では、ビーム形状71が長手方向NHを有する。図71(a)のビーム形状71の平面内(集光点付近におけるレーザ光入射面側のZ方向位置での平面内)のビーム強度分布では、長手方向NHに強い強度を持つ分布になっており、ビーム強度の強い方向が長手方向NHと一致している。
非点収差を有する第1レーザ光L1の場合、図71(c)に示されるように、集光点付近におけるレーザ光入射面の反対面側の領域では、ビーム形状71が、レーザ光入射面側の領域の長手方向NH(図71(a)参照)に対して垂直な長手方向NH0を有する。図71(c)のビーム形状71の平面内(集光点付近におけるレーザ光入射面の反対面側のZ方向位置での平面内)のビーム強度分布では、長手方向NH0に強い強度を持つ分布になっており、ビーム強度の強い方向が長手方向NH0と一致している。非点収差を有する第1レーザ光L1の場合、図71(b)に示されるように、集光点付近におけるレーザ光入射面側とその反対面側との間の領域では、ビーム形状71が長手方向を有さずに円形となる。
このような非点収差を有する第1レーザ光L1の場合において、本実施形態が対象とする集光領域の一部は、集光点付近におけるレーザ光入射面側の領域を含み、本実施形態が対象とするビーム形状は、図71(a)に示されるビーム形状71である。
なお、反射型空間光変調器34の変調パターンを調整することによって、集光領域における図71(a)に示されるビーム形状71となる位置を、所望に制御することができる。例えば、集光点付近におけるレーザ光入射面の反対面側の領域にて図71(a)に示されるビーム形状71を有するように制御することができる。また例えば、集光点付近におけるレーザ光入射面側とその反対面側との間の領域にて図71(a)に示されるビーム形状71を有するように制御することができる。集光領域の一部の位置は、特に限定されず、対象物100のレーザ光入射面からその反対面までの間の何れかの位置であればよい。
また例えば、変調パターンの制御及び/又は機械式機構によるスリット又は楕円光学系を用いた場合、図72(a)に示されるように、集光点付近におけるレーザ光入射面側の領域では、ビーム形状71が長手方向NHを有する。図72(a)のビーム形状71の平面内(集光点付近におけるレーザ光入射面側のZ方向位置での平面内)のビーム強度分布では、長手方向NHに強い強度を持つ分布になっており、ビーム強度の強い方向が長手方向NHと一致している。
スリット又は楕円光学系を用いた場合、図72(c)に示されるように、集光点付近におけるレーザ光入射面の反対面側の領域では、ビーム形状71が、レーザ光入射面側の領域の長手方向NH(図71(a)参照)と同じ長手方向NHを有する。図72(c)のビーム形状71の平面内(集光点付近におけるレーザ光入射面の反対面側のZ方向位置での平面内)のビーム強度分布では、長手方向NHに強い強度を持つ分布になっており、ビーム強度の強い方向が長手方向NHと一致している。スリット又は楕円光学系を用いた場合、図72(b)に示されるように、集光点では、ビーム形状71が、レーザ光入射面側の領域の長手方向NH(図72(a)参照)に対して垂直な長手方向NH0を有する。図72(b)のビーム形状71の平面内(集光点のZ方向位置での平面内)のビーム強度分布では、長手方向NH0に強い強度を持つ分布になっており、ビーム強度の強い方向が長手方向NH0と一致している。
このようなスリット又は楕円光学系を用いた場合には、集光点以外のビーム形状71が長手方向を有する形状となり、集光点以外のビーム形状71は、本実施形態が対象とするビーム形状である。すなわち、本実施形態が対象とする集光領域の一部は、集光点付近におけるレーザ光入射面側の領域を含み、本実施形態が対象とするビーム形状は、図72(a)に示されるビーム形状71である。
第1レーザ加工ヘッド10Aは、測距センサ36を備えている。測距センサ36は、対象物100のレーザ光入射面に対して測距用レーザ光を出射し、当該レーザ光入射面によって反射された測距用の光を検出することで、対象物100のレーザ光入射面の変位データを取得する。測距センサ36としては、第1レーザ光L1と別軸のセンサである場合、三角測距方式、レーザ共焦点方式、白色共焦点方式、分光干渉方式、非点収差方式等のセンサを利用することができる。測距センサ36としては、第1レーザ光L1と同軸のセンサである場合、非点収差方式等のセンサを利用することができる。第1レーザ加工ヘッド10Aの回路部19(図3参照)は、測距センサ36で取得した変位データに基づいて、集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。これにより、対象物100のレーザ光入射面と第1レーザ光L1の集光点である第1集光点との距離が一定に維持されるように、当該変位データに基づき集光部14がZ方向に沿って移動する。このような測距センサ36及びその制御(以下、「追従制御」ともいう)については、他のレーザ加工ヘッドにおいても同様である。
第1Z軸レール106Aは、Z方向に沿って延びるレールである。第1Z軸レール106Aは、取付部65を介して第1レーザ加工ヘッド10Aに取り付けられている。第1Z軸レール106Aは、第1レーザ光L1の第1集光点がZ方向に沿って移動するように、第1レーザ加工ヘッド10AをZ方向に沿って移動させる。第1Z軸レール106Aは、上記移動機構6(図1参照)又は上記移動機構300(図8参照)のレールに対応する。第1Z軸レール106Aは、鉛直移動機構を構成する。
X軸レール108は、X方向に沿って延びるレールである。X軸レール108は、第1及び第2Z軸レール106A,106Bのそれぞれに取り付けられている。X軸レール108は、第1レーザ光L1の第1集光点がX方向に沿って移動するように、第1レーザ加工ヘッド10AをX方向に沿って移動させる。X軸レール108は、第1集光点が回転軸C又はその付近を通過するように、第1レーザ加工ヘッド10Aを移動させる。X軸レール108は、上記移動機構6(図1参照)又は上記移動機構300(図8参照)のレールに対応する。X軸レール108は、水平移動機構を構成する。
アライメントカメラ110は、各種の調整に用いられる画像を取得するカメラである。アライメントカメラ110は、対象物100を撮像する。アライメントカメラ110は、第1レーザ加工ヘッド10Aが取り付けられた取付部65に設置されており、第1レーザ加工ヘッド10Aと同期して可動する。
制御部9は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部9では、メモリ等に読み込まれたソフトウェア(プログラム)が、プロセッサによって実行され、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信が、プロセッサによって制御される。これにより、制御部9は、各種機能を実現する。
制御部9は、ステージ107及び第1レーザ加工ヘッド10Aを制御する。制御部9は、ステージ107の回転、第1レーザ加工ヘッド10Aからの第1レーザ光L1の照射、ビーム形状、及び、第1集光点の移動を制御する。制御部9は、ステージ107の回転量に関する回転情報(以下、「θ情報」ともいう)に基づいて、各種の制御を実行可能である。θ情報は、ステージ107を回転させる駆動装置の駆動量から取得されてもよいし、別途のセンサ等により取得されてもよい。θ情報は、公知の種々の手法により取得することができる。ここでのθ情報は、対象物100が0°方向の位置に位置するときの状態を基準にした回転角度を含む。
制御部9は、ステージ107を回転させながら、対象物100におけるラインM3(有効領域Rの周縁)に沿った位置に第1集光点を位置させた状態で、θ情報に基づいて第1レーザ加工ヘッド10Aにおける第1レーザ光L1の照射の開始及び停止を制御することにより、有効領域Rの周縁に沿って改質領域を形成させる周縁処理を実行する。
制御部9は、ステージ107を回転させずに、除去領域Eに第1レーザ光L1を照射させると共に、当該第1レーザ光L1の第1集光点を移動させることにより、除去領域Eに改質領域を形成させる除去処理を実行する。
制御部9は、改質領域に含まれる複数の改質スポットのピッチ(加工進行方向に隣接する改質スポットの間隔)が一定になるように、ステージ107の回転、第1レーザ加工ヘッド10Aからの第1レーザ光L1の照射、並びに、第1集光点の移動の少なくとも何れかを制御する。
制御部9は、アライメントカメラ110の撮像画像から、対象物100の回転方向の基準位置(0°方向の位置)及び対象物100の直径を取得する。制御部9は、第1レーザ加工ヘッド10Aがステージ107の回転軸C上までX軸レール108に沿って移動できるように、第1レーザ加工ヘッド10Aの移動を制御する。
次に、レーザ加工装置101を用いて、対象物100にトリミング加工を施し、半導体デバイスを取得(製造)する方法の一例について、以下に説明する。
まず、裏面100bをレーザ光入射面側にした状態でステージ107上に対象物100を載置する。対象物100において機能素子が搭載された表面100a側は、支持基板ないしテープ材が接着されて保護されている。
続いて、トリミング加工を実施する。トリミング加工では、制御部9により周縁処理を実行する。具体的には、図11(a)に示されるように、ステージ107を一定の回転速度で回転しながら、対象物100における有効領域Rの周縁に沿った位置に第1集光点(集光点)P1を位置させた状態で、θ情報に基づいて第1レーザ加工ヘッド10Aにおける第1レーザ光L1の照射の開始及び停止を制御する。これにより、図11(b)及び11(c)に示されるように、ラインM3(有効領域Rの周縁)に沿って改質領域4を形成する。形成した改質領域4は、改質スポット及び改質スポットから延びる亀裂を含む。
トリミング加工では、制御部9により除去処理を実行する。具体的には、図12(a)に示されるように、ステージ107を回転させずに、除去領域Eにおいて第1レーザ光L1を照射すると共に、第1レーザ加工ヘッド10AをX軸レール108に沿って互いに離れる方向に移動し、当該第1レーザ光L1の第1集光点P1を対象物100の中心から離れる方向に移動する。ステージ107を90°回転させた後、除去領域Eにおいて第1レーザ光L1を照射すると共に、第1レーザ加工ヘッド10AをX軸レール108に沿って互いに離れる方向に移動し、当該第1レーザ光L1の第1集光点P1を対象物100の中心から離れる方向に移動する。
これにより、図12(b)に示されるように、Z方向から見て除去領域Eに4等分するように延びるラインに沿って、改質領域4を形成する。形成した改質領域4は、改質スポット及び改質スポットから延びる亀裂を含む。この亀裂は、表面100a及び裏面100bの少なくとも何れかに到達していてもよいし、表面100a及び裏面100bの少なくとも何れかに到達していなくてもよい。その後、図13(a)及び図13(b)に示されるように、例えば冶具又はエアーにより、改質領域4を境界として除去領域Eを取り除く。
続いて、図13(c)に示されるように、対象物100の剥離面100hに対して仕上げの研削、ないし砥石等の研磨材KMによる研磨を行う。エッチングにより対象物100を剥離している場合、当該研磨を簡略化することができる。以上の結果、半導体デバイス100Kが取得される。
次に、本実施形態のトリミング加工に関して、より詳細に説明する。
図14に示されるように、対象物100は、板状を呈し、その主面として表面100a及び裏面100b(図10参照)を有する。対象物100は、(100)面を主面とするウェハである。対象物100は、シリコンで形成されたシリコンウェハである。対象物100は、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位K1と、他方の(110)面に垂直な第2結晶方位K2と、を有する。(110)面は、へき開面である。第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2は、へき開方向、すなわち、対象物100において最も亀裂が延びやすい方向である。第1結晶方位K1と第2結晶方位K2とは、互いに直交する。
対象物100には、アライメント対象100nが設けられている。例えばアライメント対象100nは、対象物100の0°方向の位置に対してθ方向(ステージ107の回転軸C回りの回転方向)に一定の関係を有する。0°方向の位置とは、θ方向において基準となる対象物100の位置である。例えばアライメント対象100nは、外縁部に形成されたノッチである。なお、アライメント対象100nは、特に限定されず、対象物100のオリエンテーションフラットであってもよいし、機能素子のパターンであってもよい。図示する例では、アライメント対象100nは、対象物100の0°方向の位置に設けられている。換言すると、アライメント対象100nは、対象物100における第2結晶方位K2の方向に延びる直径上の位置に設けられている。
対象物100には、トリミング予定ラインとしてのラインM3が設定されている。ラインM3は、改質領域4の形成を予定するラインである。ラインM3は、対象物100の外縁の内側において環状に延在する。ここでのラインM3は、円環状に延在する。ラインM3は、対象物100の有効領域Rと除去領域Eとの境界に設定されている。ラインM3の設定は、制御部9において行うことができる。ラインM3は、仮想的なラインであるが、実際に引かれたラインであってもよい。ラインM3は、座標指定されたものであってもよい。
図9に示されるように、レーザ加工装置101の制御部9は、取得部9a、決定部9b、加工制御部9c、及び調整部9dを有している。取得部9aは、対象物100に関する対象物情報を取得する。対象物情報は、例えば対象物100の結晶方位(第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2)に関する情報と、対象物100の0°方向の位置及び対象物100の直径に関するアライメント情報と、を含む。を含む。取得部9aは、アライメントカメラ110の撮像画像、並びに、ユーザの操作又は外部からの通信等による入力に基づいて、対象物情報を取得することができる。
取得部9aは、ラインM3に関するライン情報を取得する。ライン情報は、ラインM3の情報、及び、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の当該移動の移動方向(「加工進行方向」ともいう)に関する情報を含む。例えば加工進行方向は、ラインM3上に位置する第1集光点P1を通るラインM3の接線方向である。取得部9aは、ユーザの操作又は外部からの通信等による入力に基づいて、ライン情報を取得することができる。
決定部9bは、取得部9aによって取得された対象物情報及びライン情報に基づいて、ビーム形状の長手方向が加工進行方向と交差するように、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向の向きを決定する。具体的には、決定部9bは、対象物情報及びライン情報に基づいて、長手方向NHの向きを第1向き及び第2向きに決定する。第1向きは、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合のビーム形状の長手方向の向きである。第2向きは、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合のビーム形状の長手方向の向きである。以下、「ビーム形状の長手方向の向き」を、単に「ビーム形状の向き」ともいう。
第1領域M31は、ラインM3が対象物100の第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合に、0°の点から45°の点の前までの間の部分、90°の点から135°の点の前までの間の部分、180°の点から225°の点の前までの間の部分、及び270°の点から315°の点の前までの間の部分を含む。第2領域M32は、ラインM3が対象物100の第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合に、45°の点から90°の点の前までの間の部分、135°の点から180°の点の前までの間の部分、225°の点から270°の点の前までの間の部分、及び315°の点から360°の点の前までの間の部分を含む。以下、このようなラインM3上における各点の角度の定義について同様である。
第1領域M31は、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、後述の加工角度が0°以上45°未満もしくは-90°以上-45°未満となる領域を含む。第2領域M32は、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、後述の加工角度が45°以上90°未満もしくは-45°以上0°未満となる領域を含む。ちなみに、ラインM3における第1領域M31及び第2領域M32のそれぞれは、後述の第4実施形態の第1部分に対応する。
図15(b)に示されるように、加工角度αは、第1結晶方位K1に対する加工進行方向BDの角度である。加工角度αは、レーザ光入射面である裏面100bから見て、反時計回りに向かう角度を正(プラス)の角度とし、時計回りに向かう角度を負(マイナス)の角度とする。加工角度αは、ステージ107のθ情報、対象物情報及びライン情報に基づき取得できる。第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動している場合は、加工角度αが0°以上45°未満もしくは-90°以上-45°未満の場合として認識することができる。第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動する場合は、加工角度αが45°以上90°未満もしくは-45°以上0°未満の場合として認識することができる。
第1向き及び第2向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方(より離れている一方)に近づくように、加工進行方向BDに対して傾斜した方向の向きである。
第1向き及び第2向きは、加工角度αが0°以上90°未満の場合、次のとおりである。第1向きは、第2結晶方位K2に近づく側へ長手方向NHが加工進行方向BDに対して傾斜した方向の向きである。第2向きは、第1結晶方位K1に近づく側へ長手方向NHが加工進行方向BDに対して傾斜した方向の向きである。第1向きは、加工進行方向BDから第2結晶方位K2に近づく側へ10°~35°傾斜した方向の向きである。第2向きは、加工進行方向BDから第1結晶方位K1に近づく側へ10°~35°傾斜した方向の向きである。
第1向きは、ビーム角度βが+10°~+35°の場合のビーム形状71の向きである。第2向きは、ビーム角度βが-35°~-10°の場合のビーム形状71の向きである。ビーム角度βは、加工進行方向BDと長手方向NHとの間の角度である。ビーム角度βは、レーザ光入射面である裏面100bから見て、反時計回りに向かう角度を正(プラス)の角度とし、時計回りに向かう角度を負(マイナス)の角度とする。ビーム角度βは、ビーム形状71の向きと加工進行方向BDとに基づき取得できる。
加工制御部9cは、対象物100に対するレーザ加工の開始及び停止を制御する。加工制御部9cは、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域での改質領域4の形成を停止させる第1処理を実行する。加工制御部9cは、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させると共に、ラインM3の第2領域M32以外の領域での改質領域4の形成を停止させる第2処理と、を実行する。
加工制御部9cによる改質領域4の形成及びその停止の切り替えは、次のようにして実現することができる。例えば、第1レーザ加工ヘッド10Aにおいて、第1レーザ光L1の照射(出力)の開始及び停止(ON/OFF)を切替えることで、改質領域4の形成と当該形成の停止とを切り替えることが可能である。具体的には、レーザ発振器が固体レーザで構成されている場合、共振器内に設けられたQスイッチ(AOM(音響光学変調器)、EOM(電気光学変調器)等)のON/OFFが切り替えられることで、第1レーザ光L1の照射の開始及び停止が高速に切り替えられる。レーザ発振器がファイバレーザで構成されている場合、シードレーザ、アンプ(励起用)レーザを構成する半導体レーザの出力のON/OFFが切り替えられることで、第1レーザ光L1の照射の開始及び停止が高速に切り替えられる。レーザ発振器が外部変調素子を用いている場合、共振器外に設けられた外部変調素子(AOM、EOM等)のON/OFFが切り替えられることで、第1レーザ光L1の照射のON/OFFが高速に切り替えられる。
或いは、加工制御部9cによる改質領域4の形成及びその停止の切り替えは、次のようにして実現してもよい。例えば、シャッタ等の機械式機構を制御するによって第1レーザ光L1の光路を開閉し、改質領域4の形成と当該形成の停止とを切り替えてもよい。第1レーザ光L1をCW光(連続波)へ切り替えることで、改質領域4の形成を停止させてもよい。反射型空間光変調器34の液晶層に、第1レーザ光L1の集光状態を改質できない状態とするパターン(例えば、レーザ散乱させる梨地模様のパターン)を表示することで、改質領域4の形成を停止させてもよい。アッテネータ等の出力調整部を制御し、改質領域が形成できないように第1レーザ光L1の出力に低下させることで、改質領域4の形成を停止させてもよい。偏光方向を切り替えることで、改質領域4の形成を停止させてもよい。第1レーザ光L1を光軸以外の方向に散乱させて(飛ばして)カットすることで、改質領域4の形成を停止させてもよい。
調整部9dは、反射型空間光変調器34を制御することにより、ビーム形状71の向きを調整する。調整部9dは、加工制御部9cによって第1処理を実行する場合に、第1向きとなるようにビーム形状71の向きを調整する。調整部9dは、加工制御部9cによって第2処理を実行する場合に、第2向きとなるようにビーム形状71の向きを調整する。調整部9dは、加工進行方向BDに対して±35°の範囲で変化するように、ビーム形状71の長手方向NHを調整する。
上述したレーザ加工装置101では、以下のトリミング加工(レーザ加工方法)を実施する。
トリミング加工では、まず、アライメントカメラ110が対象物100のアライメント対象100nの直上に位置し且つアライメント対象100nにアライメントカメラ110のピントが合うように、ステージ107を回転させると共にアライメントカメラ110が搭載されている第1レーザ加工ヘッド10AをX軸レール108及び第1Z軸レール106Aに沿って移動させる。
アライメントカメラ110により撮像を行う。アライメントカメラ110の撮像画像に基づいて、対象物100の0°方向の位置を取得する。取得部9aにより、アライメントカメラ110の撮像画像、並びに、ユーザの操作又は外部からの通信等による入力に基づいて、対象物情報及びライン情報を取得する(情報取得工程)。対象物情報は、対象物100の0°方向の位置及び直径に関するアライメント情報を含む。上述したように、アライメント対象100nは0°方向の位置に対してθ方向に一定の関係を有することから、撮像画像からアライメント対象100nの位置を得ることで、0°方向の位置を取得できる。アライメントカメラ110の撮像画像に基づくことで、対象物100の直径を取得できる。なお、対象物100の直径は、ユーザからの入力により設定されてもよい。
取得された対象物情報及びライン情報に基づいて、決定部9bにより、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合のビーム形状71の長手方向NHの向きとして第1向き及び第2向きを決定する(決定工程)。
続いて、ステージ107を回転させ、対象物100を0°方向の位置に位置させる。X方向において、第1集光点P1がトリミング所定位置に位置するように、第1レーザ加工ヘッド10AをX軸レール108及び第1Z軸レール106Aに沿って移動させる。例えばトリミング所定位置は、対象物100におけるラインM3上の所定位置である。
続いて、ステージ107の回転を開始する。測距センサによる裏面100bの追従を開始する。なお、測距センサの追従開始の前に、第1集光点P1の位置が測距センサの測長可能範囲内であることを予め確認する。ステージ107の回転速度が一定(等速)になった時点で、第1レーザ加工ヘッド10Aによる第1レーザ光L1の照射を開始する。
ステージ107を回転させながら、加工制御部9cにより第1レーザ光L1の照射のON/OFFを切り替えることで、図15(a)に示されるように、ラインM3のうち第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域での改質領域4の形成を停止させる(第1加工工程)。図15(b)に示されるように、第1加工工程を実行する場合、調整部9dにより、第1向きとなるようにビーム形状71の向きを調整する。つまり、第1加工工程におけるビーム形状71の向きは、第1向きで固定されている。
続いて、ステージ107を回転させながら、加工制御部9cにより第1レーザ光L1の照射のON/OFFを切り替えることで、図16(a)に示されるように、ラインM3のうち第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域での改質領域4の形成を停止させる(第2加工工程)。図16(b)に示されるように、第2加工工程を実行する場合、調整部9dにより、第2向きとなるようにビーム形状71の向きを調整する。つまり、第2加工工程におけるビーム形状71の向きは、第2向きで固定されている。
上述した第1加工工程及び第2加工工程を、トリミング所定位置のZ方向位置を変えて繰り返し行う。以上により、対象物100の内部において、有効領域Rの周縁のラインM3に沿って、Z方向に複数列の改質領域4を形成する。
以上、本実施形態のレーザ加工装置101では、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域での改質領域4の形成を停止させる第1処理を実行する。第1処理では、ビーム形状71の長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された第1向きへ調整される。また、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成すると共に、ラインM3の第2領域M32以外の領域での改質領域4の形成を停止させる第2処理を実行する。第2処理では、ビーム形状71の長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された第2向きへ調整される。したがって、長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態でラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、例えば対象物100の物性に起因して第1領域M31及び第2領域M32のトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、レーザ加工装置101では、外縁部分である除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101によるレーザ加工方法では、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成すると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域では、改質領域4の形成を停止する第1加工工程を実施する。第1加工工程では、長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された第1向きへ調整される。また、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成すると共に、ラインM3の第2領域M32以外の領域では、改質領域4の形成を停止する第2加工工程を実施する。第2加工工程では、長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された第2向きへ調整される。したがって、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態でラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、例えば対象物100の物性に起因して第1領域M31及び第2領域M32のトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、レーザ加工装置101によるレーザ加工方法では、外縁部分である除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が、場所によって低下するのを抑制することができる。
特に本実施形態においては、第1処理(第1加工工程)では、ビーム形状71の向きが第1向きで固定されており、同様に、第2処理(第2加工工程)では、ビーム形状71の向きが第2向きで固定されている。第1処理及び第2処理(第1加工工程及び第2加工工程)のそれぞれにおいて、ビーム形状71が変動せずに一定となることから、安定したレーザ加工を実現することが可能となる。
ところで、改質領域4が形成される場所によっては、改質領域4から延びる亀裂が、へき開しやすい結晶方位の影響で加工進行方向BDに伸展し難くなり、トリム面の品質が悪化してしまうおそれがある。この点、レーザ加工装置101では、対象物情報は、対象物100の結晶方位(第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2)に関する情報を含む。ライン情報は、加工進行方向BDに関する情報を含む。これにより、対象物100が結晶方位を有する場合にも、対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、反射型空間光変調器34が成形部として含まれ、調整部9dは、反射型空間光変調器34を制御することにより、長手方向NHの向きを調整する。これにより、長手方向NHの向きを確実に調整することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、対象物100は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位K1及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位K2を有するウェハである。ラインM3は、対象物100の主面に垂直な方向から見た場合に円環状に延在する。第1領域M31は、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、加工角度αが0°以上45°未満となる領域を含む。第2領域M32は、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、加工角度αが45°以上90°未満となる領域を含む。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、第1向き及び第2向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方に近づくように、加工進行方向BDに対して傾斜した方向の向きである。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、第1領域M31及び第2領域M32のそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
例えば第1結晶方位K1に亀裂が引っ張れる場合には、ビーム形状71の向きを加工進行方向BDの向きにするのではなく、加工進行方向BDに対して第1結晶方位K1側とは反対側の第2結晶方位K2に近づくように傾斜させる。これにより、図15(b)に示されるように、結晶方位(結晶軸)による亀裂伸展力W1に対して、ビーム形状71を長尺状にしたことによる亀裂伸展力W2が打ち消すように作用し、亀裂が加工進行方向BDに精度よく沿って伸びるようになる。
例えば第2結晶方位K2に亀裂が引っ張れる場合には、ビーム形状71の向きを加工進行方向BDの向きにするのではなく、加工進行方向BDに対して第2結晶方位K2側とは反対側の第1結晶方位K1に近づくように傾斜させる。これにより、図16(b)に示されるように、結晶方位による亀裂伸展力W1に対して、ビーム形状71を長尺状にしたことによる亀裂伸展力W2が打ち消すように作用し、亀裂が加工進行方向BDに精度よく沿って伸びるようになる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、第1向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方に近づく側へ、加工進行方向BDから10°~35°傾斜した方向の向きである。第2向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方に近づく側へ、加工進行方向BDから10°~35°傾斜した方向の向きである。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、第1領域M31及び第2領域M32のそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101及びレーザ加工装置101によるレーザ加工方法では、ラインM3の第1部分(第1領域M31又は第2領域M32)において、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと交差した状態で、ラインM3に沿って第1集光点P1が相対的に移動させられる。これにより、例えば、長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態でラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、対象物100の物性に起因してラインM3の第1部分においてトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。トリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
図17は、図9のレーザ加工装置101でレーザ加工を実行する場合の、具体的な第1運用例を示すタイムテーブルである。図17中のトレース加工とは、測距センサ36により対象物100のレーザ光入射面に対して測距用レーザ光を出射し、レーザ光入射面によって反射された測距用の光を検出することで、レーザ光入射面の変位データを取得する処理である。図17中の追従制御とは、測距センサ36による上述の制御である。追従制御の記録とは、当該変位データを取得する制御であり、追従制御の再生とは、当該変位データに基づき集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる制御である。「Z方向の加工位置」は、集光部14(図5参照)の集光位置(焦点)である。「レーザ光の照射」は、第1レーザ光L1の照射である。
図17中のレーザ加工では、Z方向に7列の改質領域4を対象物100の内部に形成する。7列の改質領域4は、レーザ光入射面から最も遠い位置から順に、「SD1」、「SD2」、「SD3」、「SD4」、「SD5」、「SD6」及び「SD7」と称される(以下、同様)。SD1~SD3の形成時においては、第1向き及び第2向きへビーム形状71の向きを調整し、SD4~SD7の形成時においては、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させている。
図17では、時間T1~T10の順に時間が進展する。図17に示される各種の処理は、キャリブレーション、アライメント及びハイトセットの終了後に実施される。キャリブレーションは、各種の計測値の較正処理である。アライメントは、各種部品の調整処理である。ハイトセットは、レーザ光入射面を撮像し、投影されるレチクルパターンのコントラストが最大になるようにステージ107をZ方向に相対移動させ、このときのレーザ光入射面のZ方向位置をピント位置(変位が0μm)とする処理である。各種の処理のタイミングは、例えばステージ107のθ情報及び回転速度等に基づいている。図17に関する以上の点については、図18~図20においても同様である。
レーザ加工装置101では、図17のタイムテーブルに例示される手順で各種の処理を実行することができる。図17の例では、ステージ107は、θ方向(回転軸C回りの回転方向)の一方向に連続回転せず、θ方向の一方向と他方向とに回転する。
具体的には、レーザ加工装置101では、図17に示されるように、時間T1までトレース加工を実施する。時間T1まででは、ステージ107を一方向の回転方向に加速する。Z方向の加工位置をレーザ光入射面とし、追従制御は停止する。ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替える。第1レーザ光L1の照射は停止する。時間T2では、引き続きトレース加工を実施する。時間T2では、ステージ107を一方向に等速回転し、追従制御によりレーザ光入射面の変位データを取得する。それ以外の時間T2の処理内容は、時間T1の処理内容と同様である。
時間T3では、引き続きトレース加工を実施する。時間T3では、ステージ107の一方向の回転を減速し、Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止する。それ以外の時間T3の処理内容は、時間T2の処理内容と同様である。時間T4では、SD1の形成に係るレーザ加工(SD1加工)を実施する。時間T4では、ステージ107を他方向の回転方向に加速する。それ以外の時間T4の処理内容は、時間T3の処理内容と同様である。
時間T5では、引き続きSD1加工を実施する。時間T5では、ステージ107を他方向に等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T5では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T6では、引き続きSD1加工を実施する。時間T6では、ステージ107の他方向の回転を減速し、追従制御を停止し、ビーム形状71の向きを第2向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。時間T6では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置である。時間T7では、引き続きSD1加工を実施する。時間T7では、ステージ107を一方向の回転方向に加速する。それ以外の時間T7の処理内容は、時間T6の処理内容と同様である。
時間T8では、引き続きSD1加工を実施する。時間T8では、ステージ107を一方向に等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T8では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第2向きである。ラインM3の第2領域M32に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第1領域M31に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T9では、引き続きSD1加工を実施する。時間T9では、ステージ107の一方向の回転を減速し、Z方向の加工位置をSD2の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止する。時間T9では、ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T10では、SD2の形成に係るレーザ加工(SD2加工)を実施する。時間T10では、ステージ107を他方向の回転方向に加速する。それ以外の時間T10の処理内容は、時間T9の処理内容と同様である。以降、レーザ加工が完了するまで、同様に処理を繰り返す。
なお、等速には、おおよそ等速の意味が含まれる。トレース加工における等速回転と改質領域4の形成時における等速回転とでは、回転速度は異なっていてもよい。改質領域4の形成時における等速回転は、加工速度(パルスピッチ)が一定となる回転である。等速回転時におけるレーザ加工は、等速回転になった後に指定座標の位置(例えばノッチ等が設けられたθ方向位置)から開始してもよい。回転の減速と加速との間で、ステージ107が一度停止してもよいし、当該停止中にZ方向の加工位置又はビーム形状71の向きを変更してもよい。これらは、以下においても同様である。
図18は、図9のレーザ加工装置101でレーザ加工を実行する場合の、具体的な第2運用例を示すタイムテーブルである。レーザ加工装置101では、図18のタイムテーブルに例示される手順で各種の処理を実行することができる。図18の例では、ステージ107は、θ方向の一方向に連続回転せず、θ方向の一方向と他方向とに回転する。
図18に示されるように、時間T1まで、SD1加工を実施する。時間T1まででは、ステージ107を一方向の回転方向に加速する。Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置とし、追従制御は停止する。ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替える。第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T2では、引き続きSD1加工を実施する。時間T2では、ステージ107を一方向に等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T2では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T3では、引き続きSD1加工を実施する。時間T3では、ステージ107の一方向の回転を減速し、Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止する。時間T3では、ビーム形状71の向きを第2向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。時間T4では、引き続きSD1加工を実施する。時間T4では、ステージ107を他方向の回転方向に加速する。それ以外の時間T4の処理内容は、時間T3の処理内容と同様である。
時間T5では、引き続きSD1加工を実施する。時間T5では、ステージ107を他方向に等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T5では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第2向きである。ラインM3の第2領域M32に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第1領域M31に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T6では、引き続きSD1加工を実施する。時間T6では、ステージ107の他方向の回転を減速し、Z方向の加工位置をSD2の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止し、ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。時間T7では、SD2加工を実施する。時間T7では、ステージ107を一方向の回転方向に加速する。それ以外の時間T7の処理内容は、時間T6の処理内容と同様である。以降、レーザ加工が完了するまで、同様に処理を繰り返す。なお、図18の時間T2の追従制御では、測長範囲が長い場合として、追従動作を実施したが、測長範囲が狭い場合には、記録又は再生の動作を実施してもよい。
図19は、図9のレーザ加工装置101でレーザ加工を実行する場合の、具体的な第3運用例を示すタイムテーブルである。レーザ加工装置101では、図19のタイムテーブルに例示される手順で各種の処理を実行することができる。図19の例では、ステージ107は、θ方向の一方向又は他方向に連続回転する。
図19に示されるように、時間T1まで、トレース加工を実施する。時間T1まででは、ステージ107を加速する。Z方向の加工位置をレーザ光入射面とし、追従制御は停止する。ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替える。第1レーザ光L1の照射は停止する。時間T2では、引き続きトレース加工を実施する。時間T2では、ステージ107を等速回転し、追従制御によりレーザ光入射面の変位データを取得する。それ以外の時間T2の処理内容は、時間T1の処理内容と同様である。
時間T3では、引き続きトレース加工を実施する。時間T3では、ステージ107の回転を維持し、Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止する。それ以外の時間T3の処理内容は、時間T2の処理内容と同様である。時間T4では、SD1加工を実施する。時間T4では、ステージ107を等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T4では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T5では、引き続きSD1加工を実施する。時間T5では、ステージ107の回転を維持し、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置のままとし、追従制御を停止し、ビーム形状71の向きを第2向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T6では、引き続きSD1加工を実施する。時間T6では、ステージ107を等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T6では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第2向きである。ラインM3の第2領域M32に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第1領域M31に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T7では、引き続きSD1加工を実施する。時間T7では、ステージ107の回転を維持し、Z方向の加工位置をSD2の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止する。時間T7では、ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T8では、SD2加工を実施する。時間T8では、ステージ107を等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T8では、Z方向の加工位置はSD2の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。以降、レーザ加工が完了するまで、同様に処理を繰り返す。
なお、時間T3,T5,T7における回転の維持では、回転速度は等速でなくてもよいし、回転速度を可変してよいし、要は、回転が停止していなければよい。時間T3,T5,T7における回転の維持では、ビーム形状71の向きを切り替えるに要する時間が長い場合には、その間に2回転以上ステージ107が回転していてもよい。これらは、以下においても同様である。
図20は、図9のレーザ加工装置101でレーザ加工を実行する場合の、具体的な第4運用例を示すタイムテーブルである。レーザ加工装置101では、図20のタイムテーブルに例示される手順で各種の処理を実行することができる。図20の例では、ステージ107は、θ方向の一方向又は他方向に連続回転する。
図20に示されるように、時間T1まで、SD1加工を実施する。時間T1まででは、ステージ107を加速する。Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置とし、追従制御は停止する。ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替える。第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T2では、引き続きSD1加工を実施する。時間T2では、ステージ107を等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T2では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T3では、引き続きSD1加工を実施する。時間T3では、ステージ107の回転を維持し、Z方向の加工位置をSD1の形成時の加工位置のままとし、追従制御を停止する。時間T3では、ビーム形状71の向きを第2向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T4では、引き続きSD1加工を実施する。時間T4では、ステージ107を他方向に等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T4では、Z方向の加工位置はSD1の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第2向きである。ラインM3の第2領域M32に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第1領域M31に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。
時間T5では、引き続きSD1加工を実施する。時間T6では、ステージ107の回転を維持し、Z方向の加工位置をSD2の形成時の加工位置へ移動し、追従制御を停止し、ビーム形状71の向きを第1向きへ切り替え、第1レーザ光L1の照射は停止する。
時間T6では、SD2加工を実施する。時間T6では、ステージ107を等速回転し、追従制御により集光部14がレーザ光入射面に追従するように駆動部18(図5参照)を駆動させる。時間T6では、Z方向の加工位置はSD2の形成時の加工位置であり、ビーム形状71の向きは第1向きである。ラインM3の第1領域M31に沿って、第1レーザ光L1を照射(ON)して第1集光点P1を移動し、改質領域4を形成する。一方、ラインM3の第2領域M32に沿っては、第1レーザ光L1を照射せず(OFF)、改質領域4の形成を停止する。以降、レーザ加工が完了するまで、同様に処理を繰り返す。
ちなみに、上記第1~第4運用例では、ラインM3の第1領域M31に沿って改質領域4を形成した後にラインM3の第2領域M32に沿って改質領域4を形成したが、第2領域M32に沿って改質領域4を形成した後に第1領域M31に沿って改質領域4を形成してもよい。また、第2領域M32に沿ってSD1に係る改質領域4を形成した後、第2領域M32に沿ってSD2に係る改質領域4を形成し、第1領域M31に沿ってSD2に係る改質領域4を形成してもよい。また、第1領域M31に沿ってSD1に係る改質領域4を形成し、第1領域M31に沿ってSD2に係る改質領域4を形成した後に、第2領域M32に沿ってSD1に係る改質領域4を形成し、第2領域M32に沿ってSD2に係る改質領域4を形成してもよい。
図21(a)は、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させた場合のトリミング加工後の対象物100の一部を示す写真図である。図21(b)は、図9のレーザ加工装置101によるトリミング加工後の対象物100の一部を示す写真図である。図21(a)及び図21(b)の写真図は、対象物100においてラインM3の第1領域M31に沿って形成された改質領域4を境界として切断した場合の切断面であるトリム面を示す。図21(a)及び図21(b)のレーザ加工では、対象物100においてZ方向に7列の改質領域4を形成している。
図21(a)では、SD1~SD7の形成時において、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させている。図21(b)では、SD1~SD3の形成時において、第1加工工程で第1向きとなるようにビーム形状71の向きを調整し、SD4~SD7の形成時において、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させている。対象物100は、シリコンで形成されたミラーウェハであり、厚さが775μmである。対象物100は、(100)面を主面とし、抵抗率が1Ω・cmである。レーザ光入射面を裏面100bとし、表面100aからSD1までの距離が60μmである。
図21(a)及び図21(b)の対比からわかるように、ラインM3の第1領域M31に沿って改質領域4を形成する場合、加工進行方向BDであったビーム形状71の向きが第1向きとなるように調整することで、SD1から表面100aにまで到達するツイストハックルを抑え、品質悪化を抑制できるということが確認できる。
図22(a)は、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させた場合のトリミング加工後の対象物100の一部を示す写真図である。図22(b)は、図9のレーザ加工装置101によるトリミング加工後の対象物100の一部を示す写真図である。図22(a)及び図22(b)の写真図は、対象物100においてラインM3の第2領域M32に沿って形成された改質領域4を境界として切断した場合の切断面であるトリム面を示す。
図22(a)では、SD1~SD7の形成時において、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させている。図22(b)では、SD1~SD3の形成時において、第2加工工程で第2向きとなるようにビーム形状71の向きを調整し、SD4~SD7の形成時において、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させている。対象物100は、シリコンで形成されたミラーウェハであり、厚さが775μmである。対象物100は、(100)面を主面とし、抵抗率が1Ω・cmである。レーザ光入射面を裏面100bとし、表面100aからSD1までの距離が60μmである。
図22(a)及び図22(b)の対比からわかるように、ラインM3の第2領域M32に沿って改質領域4を形成する場合、加工進行方向BDに向いていたビーム形状の向きを第2向きとなるように調整することで、SD1から表面100aにまで到達するツイストハックルを抑え、品質悪化を抑制できるということが確認できる。
図23は、トリミング加工後の対象物100の一部を示す図である。図23中の写真図は、対象物100においてラインM3に沿って形成された改質領域4を境界として切断した場合の切断面であるトリム面を示す。図23の各写真図は、全列(SD1~SD7)の改質領域4を形成する際にビーム角度βを0°にした場合と、SD1の改質領域4を形成する際にビーム角度βを+15°にし且つその他の改質領域4を形成する際にビーム角度βを0°にした場合と、SD1及びSD2の改質領域4を形成する際にビーム角度βを+15°にし且つその他の改質領域4を形成する際にビーム角度βを0°にした場合と、SD1~SD3の改質領域4を形成する際にビーム角度βを+15°にし且つその他の改質領域4を形成する際にビーム角度βを0°にした場合と、の結果を示す。
図23に示されるように、全列の改質領域4を形成する際にビーム角度βを0°にした場合には加工品質が悪化し、ビーム角度βを調整して形成した改質領域4の列数が増えるほど、加工品質が良好になることを確認できる。ビーム角度βを調整して形成した改質領域4の列数は1列から効果あり、ビーム角度βを調整して形成した改質領域4を3列形成すれば、一層最適なレーザ加工が実現可能であることを確認できる。
図24は、ビーム角度β及び加工角度αを変化させた場合の加工品質を評価した実験結果をまとめた表である。図25~図54は、図24の実験結果に係る各対象物100のトリム面を示す写真図である。ここでの評価実験では、対象物100に複数列の改質領域4を形成している。対象物100は、シリコンで形成されたミラーウェハであり、(100)面を主面とし、抵抗率が1Ω・cmである。レーザ光入射面は裏面100bである。図24中では、大変良好な加工品質を「○」、良好(ほぼ良好)な加工品質を「△」、悪化している加工品質を「×」として示す。SD1(レーザ光入射面から最も遠い位置の改質領域4)の下にツイストハックルが生じていても、それがレーザ光入射面とは反対側の面である表面100aまで到達していないような場合には、良好な加工品質(図24中の「△」)となる。
図24、図25及び図40に示されるように、加工角度αが0°の場合においては、ビーム角度βが5°~30°及び-5°~-30°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図26及び図41に示されるように、加工角度αが5°の場合においては、ビーム角度βが10°~35°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図27及び図42に示されるように、加工角度αが10°の場合においては、ビーム角度βが10°~35°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図28及び図43に示されるように、加工角度αが15°の場合においては、ビーム角度βが5°~10°及び20°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図29及び図44に示されるように、加工角度αが20°の場合においては、ビーム角度βが0°~35°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図30及び図45に示されるように、加工角度αが22.5°の場合においては、ビーム角度βが-5°~30°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図31及び図46に示されるように、加工角度αが25°の場合においては、ビーム角度βが0°~30°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図32及び図47に示されるように、加工角度αが30°の場合においては、ビーム角度βが0°~10°及び22°~25°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図33及び図48に示されるように、加工角度αが35°の場合においては、ビーム角度βが0°~22°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図34及び図49に示されるように、加工角度αが40°の場合においては、ビーム角度βが0°~10°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図35及び図50に示されるように、加工角度αが45°の場合においては、ビーム角度βが-5°~10°、-15°及び-22°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図36及び図51に示されるように、加工角度αが50°の場合においては、ビーム角度βが-5°~0°、-15°及び-22°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図37及び図52に示されるように、加工角度αが55°の場合においては、ビーム角度βが-30°~0°及び-5のときに加工品質が大変良好になることがわかる。図24、図38及び図53に示されるように、加工角度αが80°の場合においては、ビーム角度βが-35°~-15°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図39及び図54に示されるように、加工角度αが85°の場合においては、ビーム角度βが-35°~-10°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24、図39及び図54に示されるように、加工角度αが85°の場合においては、ビーム角度βが-35°~-10°のときに加工品質が大変良好になることがわかる。
図24~図54の結果に示されるように、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させた場合に少し品質が悪化する加工角度αは、15°~30°及び60°~75°であることがわかる。この加工角度域(15°~30°及び60°~75°)で加工品質改善効果が特に奏されるビーム角度βは、0°~35°であることがわかる。また、ビーム形状71の長手方向NHを加工進行方向BDと一致させた場合に品質悪化が特に激しい加工角度αは、5°~15°及び75°~85°であることがわかる。この加工角度域(5°~15°及び75°~85°)で加工品質改善効果が特に奏されるビーム角度βは、10°~35°及び-35°~-10°であることがわかる。
加工角度αが0°以上45°では、品質悪化が特に激しい加工角度αである5°~15°においての加工品質改善が重要となるため、ビーム角度βは、そのときの改善効果が特に奏されるである10°~35°としてもよい。加工角度αが45°以上90°未満では、品質悪化が特に激しい加工角度αである75°~85°においての加工品質改善が重要となるため、ビーム角度βは、そのときの改善効果が特に奏されるである-35°~-10°としてもよい。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第2実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第2実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第2実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
本実施形態の加工制御部9cは、対象物100において、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に1周移動させることで、ラインM3に沿った環状の改質領域4を形成させる周回処理を実行する。周回処理では、ステージ107を回転させながら、対象物100のZ方向における所定位置に第1集光点P1が位置するように第1レーザ光L1を照射し、第1レーザ光L1の当該照射の開始からステージ107が1回転(360°回転)したときに当該照射を停止させることで、ラインM3に沿った環状の改質領域4を形成させる。
本実施形態の調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間に、決定部9bによって決定された向きとなるように長手方向NHの向きを調整する。具体的には、調整部9dは、加工制御部9cで周回処理を実行し、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に1周移動させている間において、第1領域M31に第1集光点P1が位置する場合には第1向き(図55(b)及び図57(b)参照)となるように長手方向NHの向きをリアルタイムに切り替え、第2領域M32に第1集光点P1が位置する場合には第2向き(図56(b)及び図58(b)参照)となるように長手方向NHの向きをリアルタイムに切り替える。
本実施形態のレーザ加工装置101では、例えば以下のトリミング加工を実施する。
図55(a)に示されるように、ステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第1領域M31に沿って改質領域4を形成する。このとき、ビーム形状71の向きは、調整部9dにより、図55(b)に示される第1向きとなるように調整されている。
第1領域M31から第2領域M32へ第1集光点P1が移動するとき、調整部9dにより、ビーム形状71の向きを図56(b)に示される第2向きとなるように調整する(調整工程)。図56(a)に示されるように、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第2領域M32に沿って改質領域4を形成する。
第2領域M32から第1領域M31へ第1集光点P1が移動するとき、調整部9dにより、ビーム形状71の向きを図57(b)に示される第1向きとなるように調整する(調整工程)。図57(a)に示されるように、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第1領域M31に沿って改質領域4を形成する。
第1領域M31から第2領域M32へ第1集光点P1が移動するとき、調整部9dにより、ビーム形状71の向きを図58(b)に示される第2向きとなるように調整する(調整工程)。図58(a)に示されるように、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第2領域M32に沿って改質領域4を形成する。このような第1領域M31及び第2領域M32に沿った第1集光点P1の移動を、第1レーザ光L1の照射の開始からステージ107が1回転(360°回転)するまで繰り返した後、当該照射を停止する。
上述したレーザ加工を、トリミング所定位置のZ方向位置を変えて繰り返し行う。以上により、対象物100の内部において、有効領域Rの周縁のラインM3に沿って、Z方向に複数列の改質領域4を形成する。
以上、本実施形態のレーザ加工装置101では、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間に、ビーム形状71の長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された向きへ調整される。したがって、長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態でラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、例えば対象物100の物性に起因して場所によってトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、外縁部分である除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
特に本実施形態では、ラインM3に沿って改質領域4を形成しながら、長手方向NHの向きを対象物情報及びライン情報に基づき決定された向きへリアルタイムに可変することができる。タクトアップを図りながら、トリム面の品質の低下を抑制することが可能となる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、決定部9bは、ラインM3の第1領域M31に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きである第1向きと、ラインM3の第2領域M32に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きである第2向きと、を決定する。調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間において、第1領域M31に第1集光点P1が位置する場合には第1向きとなるように長手方向NHの向きを調整する。調整部9dは、第2領域M32に第1集光点P1が位置する場合には第2向きとなるように長手方向NHの向きを調整する。これにより、第1領域M31及び第2領域M32のそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
レーザ加工装置101によるレーザ加工方法では、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間に、ビーム形状71の長手方向NHの向きが、加工進行方向BDと交差する向きであって対象物情報及びライン情報に基づいて決定された向きへ調整される。したがって、長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態でラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、例えば対象物100の物性に起因して場所によってトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、外縁部分である除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
ちなみに、本実施形態において、ビーム形状71の向きを切り替えるタイミングは、ラインM3が第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合において、ラインM3の0°、45°、90°、135°、180°及び225°の各点及びその付近に第1集光点P1が位置するタイミングである。これにより、ビーム角度βの影響が加工品質に比較的及び難いタイミングで、ビーム形状71の向きを切り替えることができる。
ビーム形状71の向きの切り替えは、ビーム角度βが±35°以上変化しないように実行される。つまり、ビーム形状71の向きを変化させる場合には、時計回りにビーム形状71を回転させる場合と反時計回りにビーム形状71を回転させる場合とがあるが、その中で、図59(a)の例では、時計回りにビーム形状71を回転させ、ビーム角度βが±35°以上変化しないようにしている。これは、図59(b)の例のように、ビーム角度βを±35°以上変化させてビーム形状71の向きを切り替えると、加工品質が悪化するためである。なお、反射型空間光変調器34を用いてビーム形状71の向きを切り替える場合には、瞬時にビーム角度βが変化するため、上述したビーム角度βの切り替えの制限はなくてもよい。
[第3実施形態]
次に、第3実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第3実施形態の説明では、第2実施形態と異なる点を説明し、第2実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第3実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第3実施形態の説明では、第2実施形態と異なる点を説明し、第2実施形態と重複する説明を省略する。
本実施形態の決定部9bは、取得部9aによって取得された対象物情報及びライン情報に基づいて、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きを加工角度α毎に決定する。一例として、決定部9bは、長手方向NHの向きを、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方に近づくように加工進行方向BDに対して傾斜した方向であって加工角度αに応じた方向の向きに決定する。決定部9bは、加工角度αが0°以上22.5°未満の間では、長手方向NHの向きを、加工角度αが大きくなるに連れてビーム角度βが正側へ大きくなるように決定する。加工角度αが22.5°以上45°未満の間では、長手方向NHの向きを、加工角度αが大きくなるに連れて正側のビーム角度βが小さくなるように決定する。加工角度αが45°以上67.5°未満の間では、長手方向NHの向きを、加工角度αが大きくなるに連れてビーム角度βが負側へ大きくなるように決定する。加工角度αが67.5°以上90°未満の間では、長手方向NHの向きを、加工角度αが大きくなるに連れて負側のビーム角度βが小さくなるように(ビーム角度βが0に近づくように)決定する。
本実施形態の調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間において、連続的に変化するように長手方向NHの向きを調整する。調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間において、加工角度αに応じて、決定部9bによって決定された向きとなるように連続的に変化させる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、例えば以下のトリミング加工を実施する。
ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きを、決定部9bにより加工角度α毎に当該加工角度αに応じて決定する(決定工程)。ステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、ラインM3に沿って改質領域4を形成する。
このとき、加工角度αに応じて決定された向きとなるように、長手方向NHの向きを連続的に変化させる(調整工程)。図60(a)及び図60(b)に示されるように、例えば加工角度αが0°の場合(ラインM3の0°の点Q1に第1集光点P1が位置する場合)、ビーム形状71の向きを、ビーム角度βが0°の向きとなるように調整する。図61(a)及び図61(b)に示されるように、例えば加工角度αが5°~15°の場合(ラインM3の5°~15°の点Q2に第1集光点P1が位置する場合)、ビーム形状71の向きを、ビーム角度βが10°~35°の向きとなるように調整する。
図62(a)及び図62(b)に示されるように、例えば加工角度αが45°の場合(ラインM3の0°の点Q3に第1集光点P1が位置する場合)、ビーム形状71の向きを、ビーム角度βが0°の向きとなるように調整する。加工角度αが45°の場合には、第1結晶方位K1による亀裂伸展力と第2結晶方位K2による亀裂伸展力とが釣り合うため(互いに引っ張り合うため)、ビーム形状71の向きを加工進行方向BDから傾けることは不要である。
図63(a)及び図63(b)に示されるように、例えば加工角度αが75°~85°の場合(ラインM3の75°~85°の点Q4に第1集光点P1が位置する場合)、ビーム形状71の向きを、ビーム角度βが-35°~-10°の向きとなるように調整する。
図64(a)及び図64(b)に示されるように、例えば加工角度αが90°の場合(ラインM3の90°の点Q5に第1集光点P1が位置する場合)、ビーム形状71の向きを、ビーム角度βが0°の向きとなるように調整する。このようなラインM3に沿った第1集光点P1の移動を、第1レーザ光L1の照射の開始からステージ107が1回転(360°回転)するまで繰り返した後、当該照射を停止する。
上述したレーザ加工を、トリミング所定位置のZ方向位置を変えて繰り返し行う。以上により、対象物100の内部において、有効領域Rの周縁のラインM3に沿って、Z方向に複数列の改質領域4を形成する。
以上、本実施形態のレーザ加工装置101においても、外縁部分である除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間において、連続的に変化するように長手方向NHの向きを調整する。これにより、ラインM3の各場所において対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、対象物は、(100)面を主面とし、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2を有するウェハである。決定部9bは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きを加工角度α毎に決定する。調整部9dは、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させている間において、加工角度αに応じて、決定部9bによって決定された向きとなるように連続的に変化させる。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、ラインM3の各場所において対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
[第4実施形態]
次に、第4実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第4実施形態の説明では、第3実施形態と異なる点を説明し、第3実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第4実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。第4実施形態の説明では、第3実施形態と異なる点を説明し、第3実施形態と重複する説明を省略する。
図65に示されるように、ラインM3は、第1部分M3A、第2部分M3B及び第3部分M3Cを含む。第1部分M3Aは、ラインM3が第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合に、5°の点から15°の点までの間の部分、95°の点から105°の点までの間の部分、185°の点から195°の点までの間の部分、及び、275°の点から285°の点までの間の部分を含む。第2部分M3Bは、第1部分M3Aから離れたラインM3の部分である。第2部分M3Bは、ラインM3が第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合に、75°の点から85°の点までの間の部分、145°の点から175°の点までの間の部分、55°の点から85°の点までの間の部分、及び、55°の点から85°の点までの間の部分を含む。第3部分M3Cは、第1部分M3Aと第2部分M3Bとの間に位置する部分である。
本実施形態の決定部9bは、取得部9aによって取得された対象物情報及びライン情報に基づいて、長手方向NHが加工進行方向BDと交差するように、第1部分M3Aにおける長手方向NHの向きを第1向きに決定する。決定部9bは、対象物情報及びライン情報に基づいて、長手方向NHが加工進行方向BDと交差するように、第2部分M3Bにおける長手方向NHの向きを第2向きに決定する。
本実施形態の調整部9dは、決定された第1向きになるように第1部分M3Aにおける長手方向NHの向きを調整する。調整部9dは、決定された第2向きになるように第2部分M3Bにおける長手方向NHの向きを調整する。調整部9dは、第1部分M3Aに沿って第1集光点P1を相対的に移動させた後に第2部分M3Bに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、ラインM3の第3部分M3Cにおいて長手方向NHの向きを第1向きから第2向きに変化させる。
本実施形態のレーザ加工装置101は、例えば以下のトリミング加工を実施する。
対象物情報及びライン情報に基づいて、決定部9bにより、ラインM3の第1部分M3Aにおける長手方向NHの向きを第1向きに決定し、ラインM3の第2部分M3Bにおける長手方向NHの向きを第2向きに決定する。
調整部9dにより長手方向NHの向きを第1向き(図66(b)参照)へ調整する。図66(a)に示されるように、ステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第1部分M3Aに沿って、長手方向NHの向きが第1向きのビーム形状71の第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第1部分M3Aに沿って改質領域4を形成する。
続いて、図67(a)に示されるように、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第3部分M3Cに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、ラインM3の第3部分M3Cに沿って改質領域4を形成する。第3部分M3Cに沿って改質領域4を形成している間には、図67(b)に示されるように、調整部9dにより長手方向NHの向きを第1向きから第2向きに変化させる。
続いて、図68(a)に示されるように、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第2部分M3Bに沿って、長手方向NHの向きが第2向きのビーム形状71の第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、第2部分M3Bに沿って改質領域4を形成する。
続いて、引き続きステージ107を回転させながら第1レーザ光L1を照射して、ラインM3の第3部分M3Cに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる。これにより、対象物100におけるZ方向の所定位置に、ラインM3の第3部分M3Cに沿って改質領域4を形成する。第3部分M3Cに沿って改質領域4を形成している間には、調整部9dにより長手方向NHの向きを第2向きから第1向きに変化させる。
このようなラインM3に沿った第1集光点P1の移動を、第1レーザ光L1の照射の開始からステージ107が1回転(360°回転)するまで繰り返した後、当該照射を停止する。上述したレーザ加工を、トリミング所定位置のZ方向位置を変えて繰り返し行う。以上により、対象物100の内部において、有効領域Rの周縁のラインM3に沿って、Z方向に複数列の改質領域4を形成する。
以上、本実施形態のレーザ加工装置101では、ラインM3の第1部分M3Aにおいて、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと交差した状態で、ラインM3に沿って第1集光点P1が相対的に移動させられる。これにより、例えば、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態で、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、対象物100の物性に起因してラインM3の第1部分M3Aにおいてトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、本実施形態のレーザ加工装置101によれば、外縁部分としての除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、決定部9bは、取得部9aによって取得された対象物情報及びライン情報に基づいて、長手方向NHが加工進行方向BDと交差するように、第1部分M3Aから離れた第2部分M3Bにおける長手方向NHの向きを第2向きに決定する。調整部9dは、決定部9bによって決定された第2向きになるように、第2部分M3Bにおける長手方向NHの向きを調整する。これにより、互いに離れた第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、第1部分M3Aに沿って第1集光点P1を相対的に移動させた後に第2部分M3Bに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、調整部9dは、第1部分M3Aと第2部分M3Bとの間に位置する第3部分M3Cにおいて、長手方向NHの向きを第1向きから第2向きに変化させる。また同様に、第2部分M3Bに沿って第1集光点P1を相対的に移動させた後に第1部分M3Aに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合に、調整部9dは、第2部分M3Bと第1部分M3Aとの間に位置する第3部分M3Cにおいて、長手方向NHの向きを第2向きから第1向きに変化させる。
これにより、互いに離れた第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。ビーム角度βについて、重要な角度領域としての第1部分M3A及び第2部分M3Bでは最適角度とし、第1部分M3Aと第2部分M3Bとの間であってビーム角度βの影響を比較的受けにくい第3部分M3Cでは、その切り替えを実施することができる。タクトアップと高い加工品質との両立を図ることが可能となる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、対象物100は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位K1及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位K2を有するウェハである、ラインM3は、当該主面に垂直な方向から見た場合に円環状に延在する。ラインM3が第2結晶方位K2と直交する1点を0°の点とした場合に、第1部分M3Aは、5°の点から15°の点までの間の部分を含む。第2部分M3Bは、55°の点から85°の点までの間の部分を含む。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、第1向き及び第2向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方(より離れている一方)に近づくように、加工進行方向BDに対して傾斜した方向の向きである。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、互いに離れた第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工装置101では、第1向き及び第2向きは、第1結晶方位K1及び第2結晶方位K2のうち加工進行方向BDとの間の角度が大きい一方に近づくように加工進行方向BDから10°~35°傾斜した方向の向きである。これにより、対象物100が(100)面を主面とするウェハである場合に、互いに離れた第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいて対象物100のトリム面の品質が低下するのをより確実に抑制することができる。
本実施形態のレーザ加工方法では、互いに離れた第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいて、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと交差した状態で、ラインM3に沿って第1集光点P1が相対的に移動させられる。これにより、例えば、ビーム形状71の長手方向NHが加工進行方向BDと一致した状態で、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させただけでは、対象物100の物性に起因して第1部分M3A及び第2部分M3Bのそれぞれにおいてトリム面の品質が低下するような場合に、そのようなトリム面の品質の低下を抑制することができる。よって、除去領域Eが除去された対象物100のトリム面の品質が場所によって低下するのを抑制することができる。
[変形例]
以上、本発明の一態様は、上述した実施形態に限定されない。
以上、本発明の一態様は、上述した実施形態に限定されない。
上記実施形態では、対象物情報は、対象物100の結晶方位に関する情報を含んでいるが、対象物に関する情報であれば、その他の種々の情報を含んでいてもよい。対象物情報は、対象物100の物性に係る他の情報を更に含んでいてもよいし、対象物100の形状及びサイズに係る情報を更に含んでいてもよい。上記実施形態では、ライン情報は、ラインM3に沿った加工進行方向BD(集光点の移動方向)に関する情報を含んでいるが、ラインM3に沿って集光点を移動させる場合の当該ラインM3に関する情報であれば、その他の種々の情報を含んでいてもよい。
上記実施形態では、ラインM3に沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合のビーム形状71の長手方向NHの向き(ビーム角度β)に関する情報が、ユーザの操作又は外部からの通信等によって制御部9に入力される場合がある。この場合、取得部9aは、長手方向NHの向きに関する入力情報を取得する。決定部9bは、当該入力情報に基づいて長手方向NHの向きを決定する。入力される長手方向NHの向きは、ラインM3の延在方向及び対象物100の物性等に依拠するものであるところ、ラインM3及び対象物100に関する情報である。すなわち、長手方向NHの向きに関する入力情報は、対象物情報及びライン情報に対応し得る。なお、入力される長手方向NHの向きは、ラインM3の各領域(各部分)、加工角度α又は加工角度域毎に入力されてもよいし、数値、範囲又は演算式として入力されてもよい。
上記実施形態では、ラインM3におけるN個の領域(部分)それぞれに沿って第1集光点P1を相対的に移動させる場合の長手方向NHの向きである第1~第N向きを決定してもよい(Nは3以上の整数)。そして、第1~第N領域それぞれに沿って第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域4を形成させる場合に、長手方向NHの向きを第1~第N向きそれぞれへ調整してもよい。
上記実施形態は、照射部として複数のレーザ加工ヘッドを備えていてもよい。例えば図69に示されるように、第1レーザ光を照射する第1レーザ加工ヘッド10Aに加えて、第2レーザ光を照射する第2レーザ加工ヘッド10Bを有していてもよい。
第2レーザ加工ヘッド10Bは、ステージ107に載置された対象物100に第2レーザ光をZ方向に沿って照射し、当該対象物100の内部に改質領域を形成する。第2レーザ加工ヘッド10Bは、第2Z軸レール106B及びX軸レール108に取り付けられている。第2レーザ加工ヘッド10Bは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、第2Z軸レール106Bに沿ってZ方向に直線的に移動可能である。第2レーザ加工ヘッド10Bは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、X軸レール108に沿ってX方向に直線的に移動可能である。第1レーザ加工ヘッド10Aと第2レーザ加工ヘッド10Bとは、内部構造が回転軸Cを介して互いに鏡像となっている。その他の構成については、第2レーザ加工ヘッド10Bは、第1レーザ加工ヘッド10Aと同様に構成されている。
第2Z軸レール106Bは、Z方向に沿って延びるレールである。第2Z軸レール106Bは、取付部66を介して第2レーザ加工ヘッド10Bに取り付けられている。第2Z軸レール106Bは、第2レーザ光の第2集光点がZ方向に沿って移動するように、第2レーザ加工ヘッド10BをZ方向に沿って移動させる。第2Z軸レール106Bは、上記移動機構6(図1参照)又は上記移動機構300(図8参照)のレールに対応する。第2Z軸レール106Bは、鉛直移動機構を構成する。
照射部として第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bを備える場合、上述の第1処理では、ラインM3の第1領域M31に沿って第1レーザ光L1の第1集光点P1を相対的に移動させて改質領域を形成させると共に、ラインM3の第1領域M31以外の領域での改質領域の形成を停止させる。上述の第2処理では、ラインM3の第2領域M32に沿って第2レーザ光の第2集光点を相対的に移動させて改質領域を形成させると共に、ラインM3の第2領域M32以外の領域での改質領域の形成を停止させる。調整部9dは、第1処理を実行する場合に、第1レーザ光L1のビーム形状71の長手方向NHの向きを第1向きとなるように調整し、第2処理を実行する場合に、第2レーザ光のビーム形状の長手方向の向きを第2向きとなるように調整する。
照射部として第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bを備える場合、第1処理と第2処理とを並列的に(同時に)に実行してもよい。これにより、タクトアップを実現することができる。照射部として第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bを備える場合、第1処理と第2処理とを時間的に別で(異時に)実行してもよい。照射部として第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bを備える場合、第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bが協働してZ方向の所定位置に改質領域4を一列形成してもよい。照射部として第1及び第2レーザ加工ヘッド10A,10Bを備える場合、第1レーザ加工ヘッド10Aによって改質領域4を一列形成すると共に、それとは異なるZ方向位置に第2レーザ加工ヘッド10Bによって改質領域4を一列形成してもよい。
また、例えば図70に示されるレーザ加工装置800のように、4つのレーザ加工ヘッドを備えていてもよい。レーザ加工装置800は、図69に示されるレーザ加工装置101に対して、第3及び第4レーザ加工ヘッド10C,10D、第3及び第4Z軸レール106C,106D、並びに、Y軸レール109を更に備えている。
第3レーザ加工ヘッド10Cは、ステージ107に載置された対象物100に第3レーザ光をZ方向に沿って照射し、当該対象物100の内部に改質領域4を形成する。第3レーザ加工ヘッド10Cは、第3Z軸レール106C及びY軸レール109に取り付けられている。第3レーザ加工ヘッド10Cは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、第3Z軸レール106Cに沿ってZ方向に直線的に移動可能である。第3レーザ加工ヘッド10Cは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、Y軸レール109に沿ってY方向に直線的に移動可能である。その他の構成については、第3レーザ加工ヘッド10Cは、第1レーザ加工ヘッド10Aと同様に構成されている。
第4レーザ加工ヘッド10Dは、ステージ107に載置された対象物100に第4レーザ光をZ方向に沿って照射し、当該対象物100の内部に改質領域4を形成する。第4レーザ加工ヘッド10Dは、第4Z軸レール106D及びY軸レール109に取り付けられている。第4レーザ加工ヘッド10Dは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、第4Z軸レール106Dに沿ってZ方向に直線的に移動可能である。第4レーザ加工ヘッド10Dは、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により、Y軸レール109に沿ってY方向に直線的に移動可能である。その他の構成については、第4レーザ加工ヘッド10Dは、第1レーザ加工ヘッド10Aと同様に構成されている。第3レーザ加工ヘッド10Cと第4レーザ加工ヘッド10Dとは、内部構造が回転軸Cを介して互いに鏡像となっている。
第3Z軸レール106Cは、Z方向に沿って延びるレールである。第3Z軸レール106Cは、取付部65と同様な取付部865を介して第3レーザ加工ヘッド10Cに取り付けられている。第3Z軸レール106Cは、第3レーザ光の第3集光点がZ方向に沿って移動するように、第3レーザ加工ヘッド10CをZ方向に沿って移動させる。第3Z軸レール106Cは、鉛直移動機構を構成する。
第4Z軸レール106Dは、Z方向に沿って延びるレールである。第4Z軸レール106Dは、取付部66と同様な取付部866を介して第4レーザ加工ヘッド10Dに取り付けられている。第4Z軸レール106Dは、第4レーザ光の第4集光点がZ方向に沿って移動するように、第4レーザ加工ヘッド10DをZ方向に沿って移動させる。第4Z軸レール106Dは、鉛直移動機構を構成する。
Y軸レール109は、Y方向に沿って延びるレールである。Y軸レール109は、第3及び第4Z軸レール106C,106Dのそれぞれに取り付けられている。Y軸レール109は、第3レーザ光の第3集光点がY方向に沿って移動するように、第3レーザ加工ヘッド10CをY方向に沿って移動させる。Y軸レール109は、第4レーザ光の第4集光点がY方向に沿って移動するように、第4レーザ加工ヘッド10DをY方向に沿って移動させる。Y軸レール109は、第3及び第4集光点が回転軸C又はその付近を通過するように、第3及び第4レーザ加工ヘッド10C,10Dを移動させる。Y軸レール109は、移動機構400(図8参照)のレールに対応する。Y軸レール109は、水平移動機構を構成する。X軸レール108とY軸レール109とは、高さ位置が異なるように設置されている。例えばX軸レール108が下側で、Y軸レール109が上側に設置されている。
上記実施形態では、成形部として反射型空間光変調器34を採用したが、成形部は空間光変調器に限定されず、種々の装置又は光学系を採用してもよい。例えば、成形部として、楕円ビーム光学系、スリット光学系又は非点収差光学系を採用してもよい。また、グレーティングパターン等を変調パターンに用い、集光点を分岐させて2点以上の集光点を組み合わせることにより、長手方向NHを有するビーム形状71を作成してもよい。また、偏光を利用することにより、長手方向NHを有するビーム形状71を作成してもよく、偏光方向を回転させる方法は、例えば1/2λ波長板を回転させることで実現できる。また、空間光変調器は反射型のものに限定されず、透過型の空間光変調器を採用してもよい。
上記実施形態では、加工制御部9cにより第1レーザ光L1又はその光学系を制御することで、改質領域4の形成及びその停止を切り替えたが、これに限定されない。公知の種々の技術を利用して、改質領域4の形成及びその停止の切替えを実現してもよい。例えば、対象物100上に直接マスクを設けて第1レーザ光L1を遮光することで、改質領域4の形成及びその停止を切り替えてもよい。
上記実施形態では、対象物100の種類、対象物100の形状、対象物100のサイズ、対象物100が有する結晶方位の数及び方向、並びに、対象物100の主面の面方位は特に限定されない。上記実施形態では、ラインM3の形状は特に限定されない。上記実施形態では、決定部9bが第1向き及び第2向きのうち何れか一方のみを決定し、調整部9dが当該何れか一方となるように長手方向NHの向きを調整してもよい。
上述した実施形態では、対象物100の裏面100bをレーザ光入射面としたが、対象物100の表面100aをレーザ光入射面としてもよい。上述した実施形態では、改質領域4は、例えば対象物100の内部に形成された結晶領域、再結晶領域、又は、ゲッタリング領域であってもよい。結晶領域は、対象物100の加工前の構造を維持している領域である。再結晶領域は、一旦は蒸発、プラズマ化あるいは溶融した後、再凝固する際に単結晶あるいは多結晶として凝固した領域である。ゲッタリング領域は、重金属等の不純物を集めて捕獲するゲッタリング効果を発揮する領域であり、連続的に形成されていてもよいし、断続的に形成されていてもよい。また、例えば加工装置は、アブレーション等の加工へ適用されてもよい。
上述した実施形態に係るレーザ加工装置は、取得部9aは備えなくてもよい。上述した実施形態に係るレーザ加工方法は、対象物情報及びライン情報を取得する工程(情報取得工程)を含まなくてもよい。この場合、例えばレーザ加工を行う対象物100等が予め決まっており、対象物情報及びライン情報が予め記憶されている。
上述した実施形態及び変形例における各構成には、上述した材料及び形状に限定されず、様々な材料及び形状を適用することができる。また、上述した実施形態又は変形例における各構成は、他の実施形態又は変形例における各構成に任意に適用することができる。
1,101,800…レーザ加工装置、4…改質領域、9…制御部、9a…取得部、9b…決定部、9c…加工制御部、9d…調整部、10A…第1レーザ加工ヘッド(照射部)、10B…第2レーザ加工ヘッド(照射部)、10C…第3レーザ加工ヘッド(照射部)、10D…第4レーザ加工ヘッド(照射部)、34…反射型空間光変調器(成形部)、71…ビーム形状(集光領域の一部の形状)、100…対象物、100a…表面(主面)、100b…裏面(主面,レーザ光入射面)、107…ステージ(支持部)、K1…第1結晶方位(結晶方位)、K2…第2結晶方位(結晶方位)、L1…第1レーザ光(レーザ光)、L2…第2レーザ光(レーザ光)、M3…ライン、M31…第1領域(第1部分)、M32…第2領域(第1部分)、M3A…第1部分、M3B…第2部分、M3C…第3部分、NH…長手方向、P1…第1集光点(集光領域の一部)。
Claims (10)
- 対象物に集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記対象物を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記対象物に前記レーザ光を照射する照射部と、
前記支持部及び前記照射部を制御する制御部と、を備え、
前記照射部は、
前記レーザ光の光軸に垂直な面内における前記集光領域の一部の形状が長手方向を有するように前記レーザ光を成形する成形部を有し、
前記制御部は、
前記対象物に関する対象物情報、及び、前記対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記ラインに関するライン情報に基づいて、前記長手方向が前記集光領域の一部の移動方向と交差するように、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記長手方向の向きを決定する決定部と、
前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させている間に、前記決定部によって決定された向きとなるように前記長手方向の向きを調整する調整部と、を有する、レーザ加工装置。 - 前記対象物情報は、前記対象物の結晶方位に関する情報を含み、
前記ライン情報は、前記集光領域の一部の移動方向に関する情報を含む、請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記成形部は、空間光変調器を含み、
前記調整部は、前記空間光変調器を制御することにより、前記長手方向の向きを調整する、請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。 - 前記決定部は、前記ラインの第1領域に沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記長手方向の向きである第1向きと、前記ラインの第2領域に沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記長手方向の向きである第2向きと、を決定し、
前記調整部は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させている間において、前記第1領域に前記集光領域の一部が位置する場合には前記第1向きとなるように前記長手方向の向きを調整し、前記第2領域に前記集光領域の一部が位置する場合には前記第2向きとなるように前記長手方向の向きを調整する、請求項1~3の何れか一項に記載のレーザ加工装置。 - 前記対象物は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位を有するウェハであり、
前記ラインは、前記主面に垂直な方向から見た場合に円環状に延在しており、
前記第1領域は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合に、前記第1結晶方位に対する前記集光領域の一部の移動方向の角度である加工角度が0°以上45°未満となる領域を含み、
前記第2領域は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合に、前記加工角度が45°以上90°未満となる領域を含む、請求項4に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1向き及び前記第2向きは、前記第1結晶方位及び前記第2結晶方位のうち前記移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように、前記移動方向に対して傾斜した方向の向きである、請求項5に記載のレーザ加工装置。
- 前記第1向き及び前記第2向きは、前記第1結晶方位及び前記第2結晶方位のうち前記移動方向との間の角度が大きい一方に近づくように前記移動方向から10°~35°傾斜した方向の向きである、請求項6に記載のレーザ加工装置。
- 前記調整部は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させている間において、連続的に変化するように前記長手方向の向きを調整する、請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 前記対象物は、(100)面を主面とし、一方の(110)面に垂直な第1結晶方位及び他方の(110)面に垂直な第2結晶方位を有するウェハであり、
前記決定部は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記長手方向の向きを、前記第1結晶方位に対する前記集光領域の一部の移動方向の角度である加工角度毎に決定し、
前記調整部は、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させている間において、前記加工角度に応じて、前記決定部によって決定された向きとなるように連続的に変化させる、請求項8に記載のレーザ加工装置。 - 対象物に集光領域の一部を合わせてレーザ光を照射することにより、前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、
前記対象物に関する対象物情報、及び、前記対象物の外縁の内側において環状に延在するラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記ラインに関するライン情報に基づいて、前記レーザ光の光軸に垂直な面内における前記集光領域の一部の形状が有する長手方向が前記集光領域の一部の移動方向と交差するように、前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させる場合の前記長手方向の向きを決定する決定工程と、
前記ラインに沿って前記集光領域の一部を相対的に移動させている間に、決定された向きとなるように前記長手方向の向きを調整する調整工程と、を備える、レーザ加工方法。
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