JP7169834B2 - 積層体処理システム及び積層体処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体処理システム及び積層体処理方法に関する。

半導体装置等の電子装置では、小型化及び薄型化が求められている。このような電子装置を製造する場合、例えば複数の電子部品を有する基板を、接着層を介してガラス等の支持体に積層し、積層体を形成する。続いて、積層体をダイシングテープ等の保持膜に固定し、基板から支持体を剥離した後、基板の接着剤等を洗浄液で洗浄し、この基板を電子部品ごとに切断して、保持膜から切断後の各基板を取り出すことで電子装置が得られる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１４－１７０８４７号公報

特許文献１に記載の製造方法では、基板上の接着剤等を洗浄する際に、洗浄液による保持膜の膨潤を防ぐため、保持膜のうち基板に密着する側の面にバリア層を形成している。しかしながら、この構成では、保持膜のうちバリア層が形成されない裏面側に洗浄液が回り込んで保持膜に洗浄液が付着又は浸透する場合がある。保持膜に洗浄液が浸透して膨潤すると、保持膜が撓んで基板が下方に突出した状態となる。この状態では、厚さ方向の寸法が大きくなるので、搬送時あるいは保管時等において基板又は保持膜が他の部分に接触して破損する可能性がある。また、保持膜に洗浄液が付着又は浸透すると、保持膜に付着又は浸透した洗浄液に起因する臭気等が生じ、周辺環境を汚損させる可能性がある。また、保持膜の両面にバリア層を形成することも考えられるが、バリア層によって保持膜の弾性が低下するため、基板を切断した後、保持膜を引き伸ばした際に保持膜が割れてしまい、切断後の基板を保持膜から容易に取り出すことが難しい可能性がある。

本発明は、洗浄後の基板及び保持膜から洗浄液を除去して、保持膜の撓みを抑制しつつ、保持膜からの臭気等の発生を抑制することが可能な積層体処理システム及び積層体処理方法を提供することを目的とする。

本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去する除去装置と、を備え、除去装置は、基板及び保持膜を収容可能なチャンバを備え、チャンバは、収容された基板及び保持膜を加熱する加熱部を備える。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去する除去装置と、を備え、除去装置は、基板及び保持膜を収容可能なチャンバを備え、チャンバは、基板及び保持膜が配置される空間を減圧する減圧部を備える。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去する除去装置と、を備え、除去装置により液体が除去された基板及び保持膜を冷却する冷却装置を備える。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去する除去装置と、を備える。

本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄することと、洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去することと、を含み、基板上を液体で洗浄する際に、基板及び保持膜をチャンバに収容することと、チャンバ内において、基板及び保持膜を加熱部により加熱することと、を含む。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄することと、洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去することと、を含み、基板上を液体で洗浄する際に、基板及び保持膜をチャンバに収容することと、チャンバ内において、基板及び保持膜が配置される空間を減圧部により減圧することと、を含む。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄することと、洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去することと、を含み、液体が除去された基板及び保持膜を冷却装置により冷却することと、を含む。
また、本発明の態様は、支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に積層体から支持体を剥離した基板上を液体で洗浄することと、洗浄された基板及び保持膜に付着又は浸透している液体を除去することと、を含む。

本発明の態様によれば、基板を洗浄した後に保持膜の撓みを抑制し、さらに、洗浄液に起因する保持膜からの臭気等の発生を低減することができる。

実施形態に係る積層体処理システムの一例を機能ブロックで示す図である。 積層体処理システムで処理される積層体の一例を示し、（Ａ）は接着層を含む積層体の図、（Ｂ）は接着層を含まない積層体の図、（Ｃ）は積層体の他の例を示す図である。 積層体を保持する保持具の一例を示し、（Ａ）は積層体を保持した保持具の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 除去装置の一例を示す図である。 除去装置の他の例を示す図である。 除去装置の他の例を示す図である。 除去装置の他の例を示す図である。 実施形態に係る積層体処理方法の一例を示すフローチャートである。 光照射ユニット及び光照射工程の一例を示し、（Ａ）は積層体の全面に光を照射する場合の図、（Ｂ）は積層体に対して光を走査する場合の図である。 剥離ユニット及び剥離工程の一例を示し、（Ａ）は支持体を剥離する前の図、（Ｂ）は支持体を剥離した後の図である。 洗浄装置及び洗浄工程の一例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は洗浄工程後の基板及び保持膜を示す図である。 除去装置及び除去工程の一例を示し、（Ａ）は基板及び保持膜を支持ピン上に載置する状態の図、（Ｂ）は基板及び保持膜を加熱している状態を示す図である。 （Ａ）は、切断工程の一例を示す図、（Ｂ）は分離工程の一例を示す図である。 積層体処理システムの各ユニットの配置の一例を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、図面においては、各構成をわかりやすくするために、一部を強調して、あるいは一部を簡略化して表している部分があり、実際の構造又は形状、縮尺等と異なっている場合がある。

＜積層体処理システム＞
図１は、実施形態に関する積層体処理システム１の一例を機能ブロックで示す図である。図１に示す積層体処理システム１は、積層体５０、５０Ａ、５０Ｂ（図２参照）を処理する。積層体処理システム１は、支持体剥離装置３と、洗浄装置４と、除去装置５、搬送装置６とを備えている。積層体処理システム１は、例えば、積層体形成装置２で形成された積層体５０、５０Ａ、５０Ｂが供給される。なお、積層体処理システム１は、積層体形成装置２を含んで構成されてもよい。

＜積層体＞
図２は、積層体処理システム１における処理対象となる積層体の例を示す図である。図２（Ａ）は接着層３０を含む積層体５０の図、図２（Ｂ）は接着層３０を含まない積層体５０Ａの図、図２（Ｃ）は積層体の他の例を示す図である。本実施形態において、積層体に備えられる中間層は、典型的には接着層及び／又は反応層を備えるものであり、図２（Ａ）に示す積層体５０は、支持体１０と、反応層２０と、接着層３０と、基板４０とを備える。また、図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａは、支持体１０と、反応層２０と、基板４０とを備える。図２（Ｃ）に示す積層体５０Ｂは、支持体１０と、反応層２０と、接着層３０と、基板１４０とを備える。なお、積層体５０Ｂにおいて、接着層３０はなくてもよい。以下では上記した積層体５０、５０Ａ、５０Ｂの各部で用いられる要素について説明する。

（支持体）
支持体１０は、例えば、厚さが４００～１５００μｍの円形状又はほぼ円形状のガラス板などが用いられる。ガラス板の厚さは任意である。また、支持体１０は、ガラス板に代えて、例えば、厚さが５００～７７５μｍのシリコンウェハなどが用いられてもよい。支持体１０は、円形状又はほぼ円形状であることに限定されず、例えば、矩形状、楕円形状、多角形状など、他の形状であってもよい。

（反応層）
反応層２０は、中間層の１つ又は全部である。反応層２０は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。本実施形態において、反応層２０が変質するとは、反応層２０がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は反応層２０と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。反応層２０は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又は支持体１０に対する接着性が低下する。このため、変質後の反応層２０は、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げるなど）こと等により、破壊され又は支持体１０から剥離する。

反応層２０の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう反応層２０の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。反応層２０の変質は、反応層２０を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、反応層２０の変質の種類は、反応層２０を構成する材料の種類に応じて変化し得る。また、反応層２０は、光を吸収することによって変質する材料に限定されない。例えば、光によらずに与えられた熱を吸収することによって変質する材料、あるいは、他の溶剤等によって変質する材料であってもよい。

反応層２０の厚さは、例えば、０．０５～５０μｍであることがより好ましく、０．３～１μｍであることがさらに好ましい。反応層２０の厚さが０．０５～５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、反応層２０に所望の変質を生じさせることができる。また、反応層２０の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。

以下、吸収した光のエネルギーにより変質する反応層２０について説明する。反応層２０は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、反応層２０を形成してもよい。また、反応層２０における接着層３０に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、この構成により、接着層３０の形成が容易に行なえ、かつ貼り付け時においても均一に貼り付けることが可能となる。

反応層２０は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、反応層２０を変質させるために反応層２０に照射される光（後述する光照射ユニットの照射装置から出射する光）は、レーザから照射されたものであってもよい。反応層２０に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。反応層２０に照射する光を発射するレーザは、反応層２０を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、反応層２０を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。

（フルオロカーボン）
反応層２０は、フルオロカーボンからなっていてもよい。反応層２０は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。反応層２０を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を光照射ユニットにおいて反応層２０に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、反応層２０における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

反応層２０に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、波長が６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
反応層２０は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光照射ユニットにおいて光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。反応層２０は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^１）（Ｒ^２）基であり（ここで、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は－ＣＯ－、－ＳＯ_２－、－ＳＯ－若しくは－ＮＨ－であり、ｎは０又は１～５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）～（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１～２の整数であり、Ｘは、（ａ）～（ｅ）において上記の化学式［化１］に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の［化１］に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、－ＣＯ－又は－ＳＯ_２－である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）

上記の化学式［化１］に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオレン、置換フルオレン、フルオレノン、置換フルオリレノン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ－アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－ＳＯ_２－である場合の例としては、ビス（２、４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３、４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３、５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３、６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３、５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－ＳＯ－である場合の例としては、ビス（２、３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２、３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２、４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３、４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３、５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、３、４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、３、４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２、３、４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２、４、６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２、４、６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－Ｃ（＝Ｏ）－である場合の例としては、２、４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２、３、４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２、２’、４、４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２、２’、５、６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２、２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２、６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２、２’‐ジヒドロキシ‐４、４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’、４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’、４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、反応層２０の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、反応層２０が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体５０からの支持体１０の除去（あるいは分離、剥離）が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２、０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した反応層２０は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、反応層２０はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
反応層２０は、無機物からなっていてもよい。反応層２０は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

光照射ユニットにおいて、無機物からなる反応層２０に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる反応層２０は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持体１０上に形成され得る。無機物からなる反応層２０の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、反応層２０を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体１０及び基板４０に貼り付けてもよい。

なお、反応層２０として金属膜を使用する場合には、反応層２０の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射あるいは膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜及び帯電防止膜の一方又は双方を反応層２０の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
反応層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。反応層２０は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１、３－ジケトンのエノール、ｏ－ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β－、γ－、δ－）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素－ハロゲン結合、Ｓｉ－Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ－Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ－Ｏ結合であり得る。

上記炭素－ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、－ＣＨ_２Ｃｌ、－ＣＨ_２Ｂｒ、－ＣＨ_２Ｉ、－ＣＦ_２－、－ＣＦ_３、－ＣＨ＝ＣＦ_２、－ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ－Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ－ＣＨ_３、Ｓｉ－ＣＨ_２－、Ｓｉ－Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ－脂肪族、Ｓｉ－ＯＣＨ_３、Ｓｉ－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ－ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、Ｓｉ－ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ－Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ－Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ－ＣＨ_３、Ｐ－ＣＨ_２－、Ｐ－Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３－Ｐ－Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３－Ｐ－Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ－ＯＣＨ_３、Ｐ－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ－ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ－Ｏ－Ｐ、Ｐ－ＯＨ、及びＯ＝Ｐ－ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ－Ｏ結合、Ｓｉ－Ｃ結合及びＴｉ－Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）－ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用－」（１９９２年発行）第１４６頁～第１５１頁の記載を参照することができる。

反応層２０の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、反応層２０における化合物を効果的に変質させ、支持体１０と基板４０との分離を容易にするには、反応層２０における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、光照射ユニットにより反応層２０に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、反応層２０における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化４］中、Ｒ^３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ－ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）－ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ－ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化６］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化７］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化６］中、Ｒ^４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、上記の化学式［化７］中、Ｒ^５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７－２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０－１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９－２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９－２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位を５：５～９：１の範囲で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ－ｉ－プロポキシチタン、テトラ－ｎ－ブトキシチタン、テトラキス（２－エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム－ｉ－プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ－ｉ－プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ－Ｃ_３Ｈ_７Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｉ－Ｃ_３Ｈ_７）_２－Ｏ－］_ｎ－ｉ－Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ－Ｃ_４Ｈ_９Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｎ－Ｃ_４Ｈ_９）_２－Ｏ－］_ｎ－ｎ－Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ－ｎ－ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ－ｉ－プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２－ｎ－ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した反応層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、反応層２０はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
反応層２０は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。反応層２０は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を光照射ユニットにおいて反応層２０に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

反応層２０は、上記の材料を含む液状体を支持体１０のうち一方の面（反応層形成面）１１０に配置させることで形成させる。例えば、支持体１０を塗布装置などのステージ上に載置して、液状体を吐出するスリットノズルと支持体１０とを相対的に移動させつつ、スリットノズルから液状体を反応層形成面１０ａに吐出させる。その結果、支持体１０の反応層形成面１０ａの全面に反応層２０が形成される。なお、反応層２０の塗布方法としては、上記のようなスリットノズル法に限定されず、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法による塗布法等で行ってもよい。

（接着層）
接着層３０は、中間層の１つ又は全部である。接着層３０に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

接着剤のガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂のＴｇは－６０℃以上、２００℃以下の範囲内が好ましく、－２５℃以上、１５０℃以下の範囲内がより好ましい。接着剤に使用する樹脂のＴｇが－６０℃以上、２００℃以下の範囲内であることによって、冷却に過剰なエネルギーを要することなく、好適に接着層３０の接着力を低下させることができる。また、接着層３０のＴｇは、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン、イソブテン、１－ヘキセン、α－オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０～９０モル％であることが好ましく、２０～８５モル％であることがより好ましく、３０～８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３０の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０～１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００～３、０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３、０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０～５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル－スチレン系樹脂）
アクリル－スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５～２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１～１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。

炭素数１～１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１～５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ－メチルマレイミド、Ｎ－エチルマレイミド、Ｎ－ｎ－プロピルマレイミド、Ｎ－イソプロピルマレイミド、Ｎ－ｎ－ブチルマレイミド、Ｎ－イソブチルマレイミド、Ｎ－ｓｅｃ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ペンチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ヘキシルマレイミド、Ｎ－ｎ－へプチルマレイミド、Ｎ－ｎ－オクチルマレイミド、Ｎ－ラウリルマレイミド、Ｎ－ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ－シクロプロピルマレイミド、Ｎ－シクロブチルマレイミド、Ｎ－シクロペンチルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－シクロヘプチルマレイミド、Ｎ－シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ｍ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｏ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｐ－メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

例えば、下記の化学式［化１０］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化１１］で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（上記の化学式［化１１］中、ｎは０又は１～３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、炭素数１～５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０、０００以上、２００、０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０、０００以上、２００、０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層３０を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０、０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０、０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０、０００以上、２００、０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３０を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０、０００以上、２００、０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３０を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１～２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３０を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３０を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３０の剥離又は除去の後に、基板４０の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３０を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板４０に物理的な力を加えることなく、接着層３０を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３０の除去に際して、強度が低下した基板４０からでさえ、基板４０を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３０を除去することができる。

（希釈溶剤）
接着層３０を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１、４－テルピン、１、８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１、４－シネオール、１、８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

接着層３０は、上記の材料を含む液状体を反応層２０上に配置させることで形成させる。例えば、支持体１０を塗布装置などのステージ上に載置して、液状体を吐出するスリットノズルと支持体１０とを相対的に移動させつつ、スリットノズルから液状体を反応層２０上に吐出させる。その結果、反応層２０上の全面に接着層３０が形成される。なお、接着層３０の塗布方法としては、上記のようなスリットノズル法に限定されず、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法による塗布法等で行ってもよい。また、接着層３０を反応層２０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。

（基板）
積層体５０、５０Ａの基板４０は、例えば、１枚又は複数枚が積層された半導体基板を用いて複数の電子部品が形成されている。また、積層体５０Ｂの基板１４０は、電子部品１４１と、モールド１４２とを有する。電子部品１４１は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。図２（Ａ）に示す積層体５０では、基板４０は、接着層３０上に配置される。また、図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａでは、基板４０は、反応層２０上に配置される。積層体５０、５０Ａの基板４０は、電子部品形成層４１を備える。電子部品形成層４１には、例えば、シリコンウェハ等の基板４０に形成されたトランジスタなどの活性素子（電子素子、機能素子）、貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）、配線、層間絶縁膜などを含む。

また、図２（Ｃ）に示す積層体５０Ｂでは、電子部品１４１は、接着層３０上に配置される。積層体５０Ｂにおいて、モールド１４２は、電子部品１４１を保持する。モールド１４２は、電子部品１４１を含む接着層３０の基板形成面３０ａの全面を覆うように形成される。モールド１４２により、電子部品１４１がモールド１４２に埋まった状態で保持される。なお、基板１４０は、電子部品１４１を備えなくてもよい。電子部品１４１を備えない場合、例えば、接着層３０上には単にモールド１４２が形成されてもよいし、このモールド１４２に再配線された電子回路が形成されてもよい。

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す基板４０は、トランジスタ等の形成プロセス、貫通電極の形成プロセス、配線の形成プロセスなどが適用されて、電子部品形成層４１において複数の電子部品が形成される。なお、電子部品形成層４１における電子部品の形成プロセスは任意である。例えば、トランジスタ等の形成前（例えば、ゲート酸化やトランジスタの拡散層の活性化アニール前）に貫通電極を形成するプロセス（Via Firstプロセス）が適用されてもよいし、トランジスタ等の形成後から配線を形成する前、あるいは配線形成を行っている際に貫通電極を形成するプロセス（Via Middleプロセス）が適用されてもよいし、配線の形成後に貫通電極を形成するプロセス（Via Lastプロセス）が適用されてもよい。また、複数の基板４０が積層される場合、上下に積層された基板４０の電子部品間を、基板４０に形成された貫通電極により電気的に接続する形態が適用されてもよい。なお、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す例では、電子部品形成層４１を上面とした状態で、中間層（反応層２０、接着層３０）を介して支持体１０と積層されているが、この形態に代えて、電子部品形成層４１が中間層（反応層２０又は接着層３０）に接触した状態で支持体１０と積層されてもよい。この場合、例えば、中間層（反応層２０又は接着層３０）に配線の形成プロセスが適用された後に、トランジスタ等が形成された基板４０が積層されてもよい。

また、図２（Ｃ）に示す基板１４０を製造する場合、まず、接着層３０上に複数の電子部品１４１が配置される。電子部品１４１の配置数は任意である。電子部品１４１は、接着層３０により接着されて固定される。その後、電子部品１４１を含む接着層３０の全面を覆うようにモールド１４２を形成する。

なお、電子部品１４１がモールド１４２に埋まった状態からモールド１４２の一部を研削等により除去することにより、電子部品１４１の一部（例えば上面）を露出させることができる。また、基板１４０は、電子部品１４１を配置する単一の層であることに限定されない。例えば、電子部品１４１を配置するモールド１４２上に、さらに電子部品１４１を配置してモールド１４２を形成してもよい。このような電子部品１４１を配置する層が２以上積層されてもよい。また、積層された電子部品１４１間は、パターニング手法等により形成された配線等により電気的に接続されてもよい。

＜保持具＞
図３は、上記のように構成された積層体５０、５０Ａ、５０Ｂ（又は基板４０、１４０）を保持する保持具の一例を示し、図３（Ａ）は積層体５０を保持した保持具の斜視図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図３においては、保持具６０が積層体５０を保持する場合の例として示しており、積層体５０Ａ、５０Ｂであっても同様である。また、保持具６０は、積層体５０、５０Ａ、５０Ｂから支持体１０を剥離した基板４０、１４０が保持される。なお、保持具６０が基板４０を保持する形態については、図１１（Ｂ）等において示されている。

保持具６０は、後述する支持体剥離装置３の剥離ユニットにおいて、基板４０側を貼り付けた状態で積層体５０を保持し、剥離ユニットでの処理により、積層体５０から支持体１０を剥離した後の基板４０を保持する。保持具６０は、剥離ユニット以降の基板４０の処理及び搬送において用いられる。保持具６０は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、保持膜６１と、リング６２とを有する。保持膜６１は、積層体５０よりも広く、かつ弾性を有する。保持膜６１は、例えば樹脂等の弾性変形可能な材料を用いて形成される。保持膜６１は、例えばリング６２の外周形状に合わせるように円板状に形成される。

リング６２は、円環状であり、樹脂、金属等の剛性の高い材料を用いて形成される。リング６２は、保持膜６１の面６１ａに接着剤等により貼り付けられた状態で固定され、保持膜６１から容易に外れないようにしている。また、積層体５０は、保持膜６１の面６１ａのうち、リング６２で囲まれた領域のほぼ中央に接着剤等により貼り付けられた状態で保持される。積層体５０は、基板４０側が保持膜６１の面６１ａに貼り付けられる。ここで使用される接着剤は、例えば、保持膜６１から基板４０を剥離可能な接着力を持つものが適用される。

積層体５０から支持体１０を剥離した後の基板４０は、積層体５０と比べて薄くなり、かつ、支持体１０の剛性がなくなっているので、各種処理中あるいは搬送中に割れ等の破損が生じる可能性がある。従って、積層体５０から支持体１０を剥離する支持体剥離装置３において、支持体１０の剥離前に予め積層体５０を保持具６０に保持させ、この状態で支持体１０を基板４０から剥離することにより、基板４０を保持具６０に保持させ、基板４０の破損等を防止することができる。基板４０は、剛性が高い保持具６０のリング６２に囲まれ、さらに、弾性変形可能な保持膜６１に支持されるので、その後の処理又は搬送において衝撃又は振動などが緩和され、破損等が生じるのを回避できる。また、各種処理又は搬送では、保持具６０を把持等すればよいので、搬送装置６等のロボットアーム等が基板４０に直接接触することを回避できる。

＜支持体剥離装置＞
支持体剥離装置３は、積層体５０に対して光を照射して反応層２０を変質させ、基板４０を支持体１０から剥離させる。支持体剥離装置３は、光照射ユニット及び剥離ユニットを有する。光照射ユニットは、積層体５０に対して、光を照射することで反応層２０を変質させる。光照射ユニットは、例えば、積層体５０を載置する載置台と、反応層２０を変質させることが可能な波長の光を照射する照射装置とを有する。この照射装置からの光は、積層体５０の支持体１０側から照射される。照射装置に備える光源、及びこの光源から出射する光の詳細については後述する。また、照射装置からの光の照射は、スポット光を走査する手法、あるいは積層体５０の全面に光を照射する手法、積層体５０の一部に光を照射しつつ光の照射部分をステップしてずらしていく手法のいずれであってもよい。

光照射ユニットは、積層体処理システム１内において、例えば、光照射ユニット専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、照射装置から出射した光が積層体処理システム１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

剥離ユニットは、基板４０を支持体１０から剥離させる。剥離ユニットには、上記した光照射ユニットにより反応層２０が変質した状態の積層体５０が搬入される。剥離ユニットは、例えば、積層体５０を固定する不図示の固定台と、支持体１０を吸着する不図示の吸着装置とを有する。剥離ユニットは、支持体１０を上側として積層体５０を固定台に固定し、その状態で例えば吸着装置を支持体１０に吸着させて引き上げること、あるいは固定台を下降させることで、支持体１０を基板４０から剥離する。

＜洗浄装置＞
洗浄装置４は、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する。洗浄装置４は、液体洗浄装置である。洗浄装置４は、例えば、基板４０を載置する不図示の載置台と、この載置台に載置された基板４０に対して液体を供給する不図示の液体供給装置と、基板４０を洗浄した液体を排出する不図示の排出部とを有する。洗浄装置４は、支持体１０から剥離された基板４０に付着している接着層３０を液体により除去する。洗浄装置４の詳細については後述する。

洗浄装置４において用いられる液体は、積層体５０における基板４０に積層された接着層３０及び／又はその残渣を洗浄する洗浄液である。液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む。炭化水素系溶媒とは、炭素原子と水素原子とから構成される化合物（炭化水素）からなる溶媒である。炭化水素系溶媒は、特に限定されないが、例えば、テルペン系の炭化水素系溶媒、アルカン系の炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。

テルペン系の炭化水素系溶媒としては、例えば、ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ツヨン、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン、フェンカン、α－テルピネン、β－テルピネン、γ－テルピネン、α－ピネン、β－ピネン、アビエタン等が挙げられる。これらの中でも、テルペン系溶媒としては、ｐ－メンタン、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン及びピナンを用いることが好ましく、ｐ－メンタン及びｄ－リモネンを用いることがより好ましい。特に、接着剤が、水添スチレン系エラストマーを含む場合には、テルペン系溶媒として、ｐ－メンタン、リモネン、ジペンテン及びピナンを用いることが好ましい。それらのテルペン系溶媒を用いることにより、水添スチレン系エラストマーを含む接着剤を迅速に溶解することができる剥離用組成物を得ることができる。また、テルペン系溶媒として、ｐ－メンタンを用いれば、水添スチレン系エラストマーを含む接着剤をより迅速に溶解することができる剥離用組成物を得ることができる。

テルペン系溶媒として、ｐ－メンタンを用いる場合、ｐ－メンタンのシス体及びトランス体の比率を調整してもよい。これによって、水添スチレン系エラストマーを含む接着剤の溶解速度を調節することができる。例えば、ｐ－メンタンのトランス体の比率をシス体の比率より高くすることにより、ｐ－メンタンによる水添スチレン系エラストマーを含む接着剤の溶解速度をより速くすることができる。したがって、水添スチレン系エラストマーを含む接着剤に対するｐ－メンタンによる洗浄性をより高くすることができる。

アルカン系の炭化水素系溶媒は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状又は分岐鎖状アルカンの炭化水素系溶媒としては、例えば、炭素数４～２０の直鎖状若しくは分岐鎖状アルカンが挙げられ、例えば、ブタン、ペンタン、２－メチルブタン、３－メチルペンタン、ヘキサン、２，２－ジメチルブタン、２，３－ジメチルブタン、ヘプタン、オクタン、２，２，４－トリメチルペンタン、２，２，３－トリメチルヘキサン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、２，２，４，６，６－ペンタメチルヘプタン、トリデカン、ペンタデカン、テトラデカン、ヘキサデカン等が挙げられる。環状アルカンの炭化水素系溶媒としては、例えば、炭素数４～２０の環状アルカンが挙げられ、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどのモノシクロアルカン；デカリンなどのビシクロアルカン等が挙げられる。これらの中でも、アルカン系の炭化水素系溶媒としては、エチルシクロヘキサン及びデカリンが好ましい。

芳香族炭化水素系としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。

また、洗浄装置４において用いられる液体は、エステル結合、エーテル結合、ケトン基、アミド結合、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の構造を含む溶剤であってもよい。具体例としては、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、カンファー等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤；Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤等が挙げられる。中でも、エステル結合、エーテル結合及びケトン基からなる群より選択される構造を少なくとも１個含む溶剤が好ましく、酢酸ブチル、ＰＧＭＥＡ、及び２－ヘプタノン等が好ましく例示される。
その他、入手容易性の高い溶媒としては、東京応化工業株式会社製ＴＺＮＲ（登録商標）－ＨＣシンナー等を用いることができる。

洗浄装置４は、積層体処理システム１内において、例えば、洗浄装置４専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、液体供給装置から供給された液体が積層体処理システム１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

＜除去装置＞
除去装置５は、洗浄装置４で洗浄された基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している液体を除去する。図４は、本実施形態に係る除去装置５の一例を示す図であり、図５から図７は、本実施形態に係る除去装置５の他の例を示す図である。図４に示す除去装置５Ａは、チャンバＣＡと、支持部ＳＡと、ヒータＨＡと、ファンＦＡと、吸気口ＩＡと、排気口ＥＡとを有する。チャンバＣＡは、複数の基板４０及び保持膜６１を収容可能である。チャンバＣＡの側面には、基板４０及び保持膜６１を搬入及び搬出するための不図示の開口部が設けられており、この開口部を開閉可能なシャッタが設けられてもよい。

支持部ＳＡは、チャンバＣＡ内において、上下方向に間隔を空けて多段に配置される。各支持部ＳＡは、基板４０及び保持膜６１を支持する複数の（例えば３本の）支持ピンＰＡを有する。支持ピンＰＡは、保持具６０のリング６２の下面に当接するように配置されている。支持ピンＰＡは、上下方向に移動可能であってもよい。支持ピンＰＡにより、基板４０及び保持膜６１を上下方向に間隔を空けて基板４０及び保持膜６１を支持することができる。

ヒータＨＡは、チャンバＣＡに収容された基板４０及び保持膜６１を加熱する加熱部である。ヒータＨＡは、面ヒータが用いられてもよいし、棒状のヒータが平行に複数並べて配置されてもよい。ヒータＨＡは、チャンバＣＡの底部に配置される。従って、ヒータＨＡは、複数の支持部ＳＡの下方に配置される。ファンＦＡは、例えば上下方向において最も下側の支持部ＳＡとヒータＨＡとの間に配置される。ファンＦＡは、ヒータＨＡの熱を上方に向けて送り出す。その結果、ファンＦＡは、ヒータＨＡの熱をチャンバＣＡ内において撹拌又は循環させ、チャンバＣＡ内の温度勾配が生じないようにしている。

吸気口ＩＡは、外部の空気をチャンバＣＡの内部に吸入するために設けられる。吸気口ＩＡは、チャンバＣＡの下部に配置される。本実施形態において、吸気口ＩＡは、例えばチャンバＣＡの側面の下側と、底面との２か所に配置される。排気口ＥＡは、チャンバＣＡの内部の空気を外部に排出する。排気口ＥＡは、例えばチャンバＣＡの天井部のほぼ中央に配置される。排気口ＥＡからはチャンバＣＡ内の暖められた空気が出ていき、これに伴って吸気口ＩＡから外部の空気がチャンバＣＡ内に導入される。なお、排気口ＥＡに吸引ポンプを接続してチャンバＣＡ内の空気を吸引してもよいし、吸気口ＩＡに給気ポンプを接続してチャンバＣＡに外気を送り込むようにしてもよい。チャンバＣＡ内には、不図示の温度センサが配置され、この温度センサの出力を用いてヒータＨＡ及びファンＦＡの駆動を制御している。

除去装置５Ａでは、ヒータＨＡ及びファンＦＡを駆動することで、ヒータＨＡの熱がチャンバＣＡに拡散する。この熱により基板４０及び保持膜６１が加熱されることにより、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している液体が気化してチャンバＣＡ内に放出されることにより液体が除去される。チャンバＣＡ内に放出された液体は、排気口ＥＡを介してチャンバＣＡの外部に排出される。

なお、除去装置５の構成については、図４に示す構成に限定されず、他の構成としてもよい。例えば、図５に示す除去装置５Ｂは、チャンバＣＢと、支持部ＳＢと、ヒータＨＢと、吸気口ＩＢと、排気口ＥＢとを有する。チャンバＣＢ及び支持部ＳＢの構成については、除去装置５ＡのチャンバＣＡ及び支持部ＳＡとほぼ同様である。

また、支持部ＳＢは複数の支持ピンＰＢを備える。支持ピンＰＢは、上下方向に移動可能であってもよい。ヒータＨＢは、支持部ＳＢに配置された複数の基板４０及び保持膜６１に対して上方及び下方の両側に配置される。ヒータＨＢは、チャンバＣＢに収容された基板４０及び保持膜６１を加熱する加熱部である。ヒータＨＢは、面ヒータが用いられてもよいし、棒状のヒータが平行に複数並べて配置されてもよい。支持部ＳＢの支持ピンＰＢに支持された複数の基板４０及び保持膜６１は、上方のヒータＨＢ及び下方のヒータＨＢに挟まれた状態で加熱される。各ヒータＨＢの温度は適宜制御されており、上下のヒータＨＢが同一温度に設定されてもよいし、異なる温度に設定されてもよい。例えば、下方のヒータＨＢが上方のヒータＨＢより温度を高く設定されてもよい。

除去装置５Ｂでは、各ヒータＨＢを加熱させることで、チャンバＣＢ内において熱の対流により高温となり、支持部ＳＢに配置された基板４０及び保持膜６１が加熱され、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している液体が気化してチャンバＣＢ内に放出される。チャンバＣＢ内に放出された液体は、除去装置５Ａと同様に、排気口ＥＢを介してチャンバＣＡの外部に排出される。

図６に示す除去装置５Ｃは、チャンバＣＣと、ホットプレートＨＣと、吸気口ＩＣと、排気口ＥＣとを有する。チャンバＣＣの構成については、除去装置５ＡのチャンバＣＡとほぼ同様である。

ホットプレートＨＣは、チャンバＣＣ内において上下方向に多段に配置される。ホットプレートＨＣは、チャンバＣＣに収容された基板４０及び保持膜６１を加熱する加熱部である。各ホットプレートＨＣは、基板４０及び保持膜６１を支持する複数の（例えば３本の）支持ピンＰＣを有する。支持ピンＰＣは、保持具６０のリング６２の下面に当接するように配置されている。支持ピンＰＣは、上下方向に移動可能であってもよい。支持ピンＰＢで基板４０及び保持膜６１を支持することにより、基板４０及び保持膜６１がホットプレートＨＣにより直接接触することを防止できる。各ホットプレートＨＣの温度は適宜制御されており、複数のホットプレートＨＣが同一温度に設定されてもよいし、異なる温度に設定されてもよい。

除去装置５Ｃでは、ホットプレートＨＣの熱により各基板４０及び保持膜６１が加熱され、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している液体が気化してチャンバＣＣ内に放出される。チャンバＣＣ内に放出された液体は、除去装置５Ａと同様に、排気口ＥＣを介してチャンバＣＣの外部に排出される。

図７に示す除去装置５Ｄは、チャンバＣＤと、支持部ＳＤと、減圧部ＲＤとを有する。除去装置５Ｄは、除去装置５Ａから５Ｃが備える加熱部に代えて減圧部ＲＤが設けられた構成である。チャンバＣＤには、吸気部が設けられておらず、底部に排気口ＥＤが設けられる。チャンバＣＤの側面には、基板４０及び保持膜６１を搬入及び搬出するための不図示の開口部が設けられており、この開口部を開閉可能なシャッタが設けられてもよい。

チャンバＣＤ内には、複数の支持部ＳＤが上下方向に多段に設けられている。支持部ＳＤは、基板４０及び保持膜６１を支持する複数の支持ピンＰＤを有する。支持ピンＰＤは、保持具６０のリング６２の下面に当接するように配置されている。支持ピンＰＤは、上下方向に移動可能であってもよい。支持ピンＰＤで基板４０及び保持膜６１を支持することにより、複数の基板４０及び保持膜６１を上下方向に多段に支持する。

減圧部ＲＤは、基板４０及び保持膜６１が配置されるチャンバＣＤ内を減圧する。減圧部ＲＤは、排気口ＥＤに接続される配管ＲＤａと、配管ＲＤａに接続される吸引ポンプＲＤｂとを有する。減圧部ＲＤは、吸引ポンプＲＤｂを駆動することにより、チャンバＣＤ内の空気を吸引し、その結果、チャンバＣＤ内が減圧される。チャンバＣＤ内を減圧することにより、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している液体が気化してチャンバＣＤ内に放出される。チャンバＣＤ内に放出された液体は、排気口ＥＤ及び配管ＰＤａを介してチャンバＣＤの外部に排出される。

＜搬送装置＞
図１に戻り、積層体処理システム１は、搬送装置６を備える。搬送装置６は、積層体処理システム１内において、支持体剥離装置３と洗浄装置４との間、及び洗浄装置４と除去装置５との間で積層体５０、５０Ａ、５０Ｂを搬送する。搬送装置６は、例えば、ガイドあるいはレールに沿って移動する本体部と、この本体部に設けられたロボットアームあるいはマニュピレータ等とを備える。搬送装置６は、ロボットアーム等により保持具６０のリング６２を把持あるいは吸着した状態で基板４０及び保持膜６１を搬送する。なお、搬送装置６の構成は任意であり、上記した構成に限定されない。また、搬送装置６は、積層体形成装置２で形成された積層体５０、５０Ａ、５０Ｂを、支持体剥離装置３に搬送する。

なお、上記した各装置の動作については、後述する積層体処理方法においても説明している。

＜積層体処理方法＞
次に、本実施形態に係る積層体処理方法について説明する。図８は、実施形態に関する積層体処理方法の一例を示すフローチャートである。この積層体処理方法は、上記した積層体処理システム１を用いて行うことができる。図８に示すように、積層体処理方法は、支持体剥離工程Ｓ０１と、洗浄工程Ｓ０２と、乾燥工程Ｓ０３と、除去工程Ｓ０４と、冷却工程Ｓ０５と、を含む。以下の例では、接着層３０を含む積層体５０（図２（Ａ）参照）を例に挙げて説明するが、接着層３０を含まない積層体５０Ａ、他の例に係る積層体５０Ｂにおいても同様の説明が可能である。なお、支持体剥離工程Ｓ０１に先立って、積層体形成工程Ｓ１１が行われる。積層体形成工程Ｓ１１では、例えば、積層体形成装置２（図１参照）により上記した積層体５０等が形成される。

（支持体剥離工程）
支持体剥離工程Ｓ０１は、積層体５０に対して、光を照射することで反応層２０を変質させる光照射工程と、反応層２０を変質させた状態で基板４０を支持体１０から剥離させる剥離工程とを含む。光照射工程は、支持体剥離装置３の光照射ユニット３Ａ、３Ｂにおいて行う。図９は、光照射ユニット及び光照射工程の一例を示し、図９（Ａ）は、積層体５０の全面に光を照射する場合の図、図９（Ｂ）は積層体５０に対して光を走査する場合の図である。なお、光照射ユニット３Ａ、３Ｂへの積層体５０の搬送は、搬送装置６により行う。積層体５０は、予め光照射ユニット３Ａの載置台２ａに載置された保持具６０上に搬送装置６により搬送され、搬送装置６によって保持具６０に載置されることにより保持膜６１に貼り付けられる。光照射ユニット３Ａは、載置台２ａ上の保持具６０を真空吸着等により固定する。保持具６０には積層体５０が貼り付けられているため、積層体５０は、載置台２ａに保持された状態となる。

図９（Ａ）に示すように、光照射ユニット３Ａは、載置台２ａに保持された積層体５０に対して、基板４０と反対側から、つまり支持体１０の底面１０ｂから反応層２０に対して、照射装置２ｂにより光Ｌを照射する。照射装置２ｂは、上記したように、反応層２０を変質させることが可能な波長の光Ｌを照射する。光照射工程により、反応層２０が変質して変質層（あるいは変質部）２０ｂが形成される（図１０（Ａ）等参照）。変質層２０ｂは、強度又は支持体１０に対する接着力が反応層２０と比べて低下している。なお、図９（Ａ）に示すように、変質層２０ｂは、深さ方向の全体にわたって形成される必要はなく、反応層２０のうち少なくとも支持体１０に接している領域に形成されていればよい。図９（Ａ）では、反応層２０のうち支持体１０に接する一部の領域に変質層２０ｂが形成される場合の例を示している。

照射装置２ｂは、積層体５０の全面に光Ｌを照射するように、不図示の光学素子を備えている。照射装置２ｂは、反応層２０の全面に対して光Ｌを照射可能な構成とすることができるが、この構成に限定されない。例えば、照射装置２ｂは、積層体５０の全面ではなく、積層体５０の全面に対して数分の１などの面積に光Ｌを照射し、光Ｌの照射位置をステップさせて積層体５０の全面に光Ｌを照射する手法が用いられてもよい。また、図９（Ｂ）に示す光照射ユニット３Ｂように、例えば、積層体５０の表面に光Ｌとしてスポット光を照射可能な照射装置２ｃが用いられてもよい。照射装置２ｃは、スポット光である光Ｌと積層体５０とを相対的に移動させることにより、反応層２０の全面にわたって光Ｌを走査して照射することができる。図９（Ｂ）では、照射装置２ｃからの光Ｌを揺動させることにより光Ｌを走査する構成を例に挙げているが、この構成に限定されない。例えば、照射装置２ｃは、光Ｌをスライドさせて走査する構成であってもよいし、ガルバノミラー等の光学素子を用いることにより光Ｌを走査する構成であってもよい。

光照射工程を行った後、反応層２０に変質層２０ｂが形成された積層体５０に対して、剥離ユニット３Ｃにより剥離工程を行う。剥離工程は、光照射工程後に積層体５０を搬送せずに、同一のチャンバ内において基板４０を支持体１０から剥離させる。図１０は、剥離ユニット３Ｃ及び剥離工程の一例を示し、図１０（Ａ）は支持体１０を剥離する前の図、図１０（Ｂ）は支持体１０を剥離した後の図である。

剥離工程では、載置台２ａに保持具６０を固定した状態で、図１０（Ａ）に示すように、支持体１０のうち反応層形成面１０ａとは反対側の底面１０ｂを吸着装置７０により真空吸着する。この状態で吸着装置７０を上方に移動させることにより、図１０（Ｂ）に示すように、反応層２０を分離面として、基板４０から支持体１０が持ち上げられる。反応層２０内の変質層２０ｂは、光Ｌの照射により強度が低下しており、あるいは接着力が低下しており、吸着装置７０の上方への移動により、容易に破壊され、あるいは接着面が容易に剥がれることになる。その結果、支持体１０は、基板４０から容易に剥離される。剥離工程により、支持体１０が積層体５０の反応層２０から剥離される。

剥離工程を行った後、支持体１０が剥離された基板４０は、保持具６０に保持されたまま、搬送装置６により、剥離ユニット３Ｃから洗浄装置４に搬送する搬送工程を行う。なお、光照射ユニット３Ａ、３Ｂと剥離ユニット３Ｃとは別のユニットであってもよい。すなわち、光照射工程後、搬送装置６により光照射ユニット３Ａ、３Ｂから剥離ユニット３Ｃに積層体５０が搬送されて、剥離ユニット３Ｃにより剥離工程が行われてもよい。

（洗浄工程）
洗浄工程Ｓ０２は、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する。図１１は、洗浄装置４及び洗浄工程Ｓ０２の一例を示し、図１１（Ａ）は液体により基板４０及び保持膜６１を洗浄している状態の図、図１１（Ｂ）は洗浄工程Ｓ０２後の基板４０及び保持膜６１を示す図である。

図１１（Ａ）に示すように、洗浄工程Ｓ０２では、まず、基板４０よりも面積が大きな支持台４ａにより基板４０の下面側を、保持膜６１を介して吸着する。なお、支持台４ａで基板４０を吸着した後、保持具６０のリング６２の上面を支持部４ｂで押さえつつ、支持台４ａを持ち上げることにより、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態としてもよい。この場合、保持膜６１が弾性変形して延びるため、基板４０を容易にリング６２の上方に突出させることができ、保持膜６１上に滞留する洗浄液Ｒ１、Ｒ２を容易にリング６２の下方に排出できる。

続いて、基板４０を吸着した状態で、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ１を反応層２０に対して吐出する。洗浄液Ｒ１は、上記したように、例えば、反応層２０を剥離させる液体である。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ１は、反応層２０を剥離しながら保持膜６１側に流れ、リング６２から落下する。リング６２から落下した洗浄液Ｒ１は、不図示の回収部により回収されて処理される。

洗浄液Ｒ１により、接着層３０上の反応層２０が除去される。また、反応層２０のうちの変質層２０ｂは、洗浄液Ｒ１によって流されて大半が基板４０上から除去される。続いて、洗浄液ノズル４ｃを切り替えて、又は別の洗浄装置４に基板４０を搬送して、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ２を接着層３０に対して吐出する。洗浄液Ｒ２は、上記したように、例えば、接着層３０を溶解させる液体である。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ２は、接着層３０を溶解しながら保持膜６１側に流れ、リング６２から落下する。リング６２から落下した洗浄液Ｒ２は、不図示の回収部により回収されて処理される。この場合、洗浄液Ｒ２の流れによって、接着層３０に残留していた変質層２０ｂの一部は、洗浄液Ｒ２の流れによって基板４０上から除去される。また、洗浄装置４において、接着層３０を溶解させる洗浄液Ｒ２のみを洗浄液ノズル４ｃから吐出させてもよい。この場合、接着層３０が洗浄液Ｒ２により溶解されることで、接着層３０上の反応層２０（変質層２０ｂを含む）も洗浄液Ｒ２の流れによって基板４０上から除去される。

（乾燥工程）
洗浄工程Ｓ０２を行った後には、図１１（Ｂ）に示すように、基板４０及び保持膜６１に洗浄液Ｒ１が付着又は浸透する場合がある。そこで、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透した洗浄液Ｒ１を除去するため、洗浄工程Ｓ０２を行った後、基板４０及び保持膜６１を乾燥させる乾燥工程Ｓ０３を行う。乾燥工程Ｓ０３は、洗浄装置４内において吸着部４ａを回転させて、保持具６０を回転させることにより行う。保持具６０の回転により基板４０及び保持膜６１はスピン乾燥される。この場合、洗浄装置４内を排気しながら（外気を導入しながら）乾燥工程Ｓ０３を行ってもよい。また、基板４０を洗浄装置４から除去装置５に搬送する搬送工程において、基板４０及び保持膜６１を乾燥させる乾燥工程Ｓ０３を行ってもよい。例えば、搬送装置６により基板４０及び保持膜６１を搬送する過程において、基板４０及び保持膜６１を自然乾燥させてもよい。なお、乾燥工程Ｓ０３は、なくてもよい。

（除去工程）
洗浄工程Ｓ０２又は乾燥工程Ｓ０３の後、除去工程Ｓ０４を行う。除去工程Ｓ０４は、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している洗浄液Ｒ１、Ｒ２を除去する。図１２は、除去装置５及び除去工程Ｓ０４の一例を示す。以下の説明では、除去装置５として、図４に示す除去装置５Ａを例に挙げているが、図５、図６、図７にそれぞれ示す除去装置５Ｂ、５Ｃ、５Ｄを用いても同様の説明が可能である。図１２では、除去装置５Ａにおいて、複数の支持部ＳＡのうちの１つについて示している。図１２（Ａ）は基板４０及び保持膜６１を支持ピンＰＢ上に載置する状態の図、図１２（Ｂ）は基板４０及び保持膜６１を加熱している状態を示す図である。

図１２（Ａ）に示すように、除去工程Ｓ０４では、まず、搬送装置６により、基板４０及び保持膜６１がチャンバＣＡ内の支持ピンＰＡ上に載置される。基板４０及び保持膜６１の搬入時には、チャンバＣＡの側面に備えるシャッタが開いている。また、基板４０及び保持膜６１の搬入時に支持ピンＰＡを予め下げた状態としてもよい。支持ピンＰＡが下がっているので、基板４０及び保持膜６１を搬送装置６により搬入する際に、基板４０又は保持膜６１が支持ピンＰＡと干渉するのを防止できる。この場合、下がった支持ピンＰＡを基板４０及び保持膜６１の搬入後に上昇させ、基板４０及び保持膜６１に当接した後に、搬送装置６による基板４０及び保持膜６１の保持を解放させてもよい。

搬送装置６は、チャンバＣＡ内の上下方向に多段に配置される支持部ＳＡにおいて、順次、支持ピンＰＡ上に基板４０及び保持膜６１を載置する。なお、支持部ＳＡの全て又は一部に基板４０及び保持膜６１が載置される前からヒータＨＡ及びファンＦＡ（図４参照）は駆動されており、チャンバＣＡ内を所望の温度に維持している。ヒータＨＡによりチャンバＣＡ内が高温となっているので、図１２（Ｂ）に示すように、基板４０及び保持膜６１が加熱される。なお、チャンバＣＡ内の温度は、例えば基板４０及び保持膜６１の耐熱温度以下に設定される。基板４０及び保持膜６１が加熱されることにより、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透していた洗浄液Ｒ１、Ｒ２が気化してチャンバＣＡ内に放出される。その結果、基板４０及び保持膜６１から洗浄液Ｒ１、Ｒ２が除去される。チャンバＣＡ内に放出された洗浄液Ｒ１、Ｒ２は、例えば排気口ＥＡ（図４参照）からチャンバＣＢの外部に排出される。

除去工程Ｓ０４において基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している洗浄液Ｒ１、Ｒ２を除去するので、保持膜６１に洗浄液Ｒ１、Ｒ２が浸透して膨潤することを抑制し、保持膜６１が延びて基板４０が下方に突出することを防止できる。その結果、例えば、除去工程Ｓ０４の基板４０及び保持膜６１を保管用又は搬送用のカセット等の容器に収容する場合、下方に突出した基板４０がカセット等に接触して破損するのを回避できる。

（冷却工程）
除去工程Ｓ０４を行った後、基板４０及び保持膜６１を冷却するため、搬送装置６により、除去装置５から積層体処理システム１に設けられる冷却装置７（図１４等参照）に、基板４０及び保持膜６１が搬送される。冷却工程Ｓ０５は、除去工程Ｓ０４で加熱された基板４０及び保持膜６１を冷却する。冷却工程Ｓ０５は、積層体処理システム１に設けられる冷却装置７（図１４等参照）において行う。冷却装置７は、例えばチャンバ内において、複数の基板４０及び保持膜６１を上下方向に多段に配置した状態で冷却を行う。冷却装置７のチャンバ内は、例えば室温に設定されるが、室温以下であってもよいし、室温以上であってもよい。さらに、冷却装置７のチャンバ内で空気が循環又は外部と流通するようにファンが設けられてもよい。

冷却工程Ｓ０５を行った後、基板４０及び保持具６０は、搬送装置６により積層体処理システム１の回収カセット等に搬送される。回収カセット等に搬送された基板４０及び保持具６０は、一例として、以下に示す切断工程Ｓ１２、分離工程Ｓ１３が行われる。図１３（Ａ）は、切断工程Ｓ１２の一例を示し、切断装置８０により基板４０を切断する状態を示す図である。

図１３（Ａ）に示すように、例えば、切断工程Ｓ１２では、切断装置８０を用いて、支持台８１に載置された基板４０を、例えばワイヤーソーなどのダイシングソー８２により所定のダイシングラインＤＬに沿って基板４０を切断する。ダイシングラインＤＬは、基板４０における複数の電子部品に対応して予め設定されている。また、ダイシングソー８２は、保持膜６１を切断しないように切断高さが調整される。その結果、基板４０が切断されて、保持膜６１に保持された状態で複数の電子装置１００が形成される。なお、図２（Ｃ）に示す基板１４０においては、電子部品１４１ごとに切断されて複数の電子装置１００が形成される。

切断工程Ｓ１２を行った後、保持膜６１に保持された電子装置１００を保持膜６１から分離する分離工程Ｓ１３を行う。分離工程Ｓ１３は、切断装置８０を含むユニットにより行ってもよいし、切断装置８０と異なるユニットで行ってもよい。図１３（Ｂ）に示すように、分離工程Ｓ１３では、保持具６０のリング６２を保持しながら支持台８１を上昇させ、保持膜６１を拡げて電子装置１００同士の間隔が拡げる。この状態で、不図示のピックアップ装置等により１つ又は複数の電子装置１００を把持して持ち上げることにより、電子装置１００を保持膜６１から引き剥がすことができる。その結果、個々の電子装置１００が得られる。

以上のように、本実施形態に係る積層体処理システム１及び積層体処理方法によれば、洗浄工程Ｓ０２後において基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透している洗浄液Ｒ１、Ｒ２を、除去装置５による除去工程Ｓ０４において除去することにより、保持膜６１に洗浄液Ｒ１、Ｒ２が浸透して膨潤することを抑制できる。その結果、保持膜６１が延びて基板４０が下方に突出することを防止し、搬送装置６により基板４０及び保持膜６１を搬送する際に基板４０が他と接触することを防止できる。また、基板４０及び保持膜６１から洗浄液Ｒ１、Ｒ２を除去することで、洗浄液Ｒ１、Ｒ２に起因する臭気等が抑制されるため、基板４０及び保持膜６１の搬送領域などを含む周辺環境の汚損を抑制できる。

＜積層体処理システムのユニットの配置＞
図１４は、積層体処理システム１の各ユニットの配置の一例を示す図である。図１４では、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系において、鉛直方向をＺ方向とし、水平方向をＸ方向及びＹ方向とする。また、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の各方向について、矢印が指す方向を＋方向（例えば、＋Ｘ方向）と称し、その反対方向を－方向（例えば、－Ｘ方向）と称する。図１４に示す積層体処理システム１は、接着層３０を含む積層体５０（図２（Ａ）参照）を処理対象としているが、接着層３０を含まない積層体５０Ａ（図２（Ｂ）参照）を処理対象とする場合も同様である。積層体処理システム１は、上述した支持体剥離装置３と、洗浄装置４と、除去装置５と、搬送装置６と、冷却装置７とを有する。また、積層体処理システム１は、複数の積層体５０又は基板４０を収容する容器（例えば、ダイシングフレームカセットなど）を載置するロードポート９と、剥離した支持体１０を搬出入又は一時保管するロードポート８とを有する。

積層体処理システム１は、その全体が平面視において一方向（Ｙ方向）に長い長方形状の範囲に収められている。積層体処理システム１内において、＋Ｘ側には、＋Ｙ方向に向けて、支持体剥離装置３（１ユニットとしての光照射ユニット３Ａ（３Ｂ）及び剥離ユニット３Ｃ）、及び洗浄装置４の洗浄装置４Ｂが配置される。洗浄装置４Ｂは、基板４０上の接着層３０の除去を行う。また、積層体処理システム１内において、－Ｘ側には、＋Ｙ方向に向けて、制御基盤等が収容される制御装置ＣＯＮ、及び２台の洗浄装置４としての洗浄装置４Ａ、４Ｂが配置される。洗浄装置４Ａは、基板４０上の反応層２０の除去を行う。また、制御装置ＣＯＮの－Ｘ側には、除去装置５が配置される。

支持体剥離装置３（光照射ユニット３Ａ及び剥離ユニット３Ｃ）は、積層体処理システム１内の＋Ｘ側において、平面視で洗浄装置４Ｂよりロードポート８側に配置される。洗浄装置４は、積層体処理システム１内の＋Ｘ側に洗浄装置４Ｂが１台配置され、－Ｘ側に洗浄装置４Ａ、４Ｂがそれぞれ１台配置される。この場合、上記した洗浄工程Ｓ０２において接着層３０の除去に時間がかかるので、２台の洗浄装置４Ｂを交互に用いることにより、処理効率を向上できる。また、２台の洗浄装置４Ｂのうちの１台をメインとして用い、残りをメインの故障時等に用いるサブとして用いてもよい。

積層体処理システム１において、－Ｙ側には、ロードポート８、９が配置されている。ロードポート８、９は、積層体処理システム１の－Ｙ側において、Ｘ方向に並んで配置されている。搬送装置６は、積層体５０又は基板４０を搬送する搬送機構６ａと、搬送機構６ａの移動経路である搬送路６ｂとを有する。搬送機構６ａは、搬送路６ｂに設けられた不図示のレール等により、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間を移動可能となっている。搬送機構６ａは、積層体５０又は基板４０を保持可能な不図示のロボットアーム等を有する。搬送路６ｂは、積層体処理システム１内において、－Ｙ側でＸ方向に設けられ、＋Ｘ側のユニットの列と－Ｘ側のユニットの列との間でＹ方向に設けられている。搬送路６ｂは、Ｌ型に形成されている。搬送機構６ａは、搬送路６ｂを移動して、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間で積層体５０又は基板４０の受け渡しを行う。なお、搬送路６ｂの＋Ｘ側には、冷却装置７が配置される。

このように構成された積層体処理システム１によれば、搬送装置６により積層体５０（基板４０及び保持膜６１）を各ユニットに効率よく搬送するので、上記した支持体剥離工程Ｓ０１、洗浄工程Ｓ０２、乾燥工程Ｓ０３、除去工程Ｓ０４、及び冷却工程Ｓ０５の各工程を効率よく行うことができる。

上記した実施形態に係る積層体処理方法により、基板４０及び保持膜６１に付着又は浸透した洗浄液Ｒ１（Ｒ２）を除去した後、基板４０及び保持膜６１における洗浄液Ｒ１（Ｒ２）の臭気を測定した。洗浄工程Ｓ０２で用いる洗浄液Ｒ１（Ｒ２）として、上記したＨＣシンナーを用いた。まず、上記の除去装置５Ｃにおいて上から２段目のホットプレートＨＣの支持ピンＰＣに基板４０及び保持膜６１を支持させて加熱を行った。ホットプレートＨＣの加熱温度は、６０℃とした。その結果、洗浄工程Ｓ０２前の状態を０とすると、洗浄液Ｒ１（Ｒ２）を除去する前には臭気が４５３（単位は相対値）であったのに対して、洗浄液Ｒ１（Ｒ２）を除去した後には臭気が２６（相対値）まで低減した。

次に、上記の除去装置５Ｃにおいて、上から４段目のホットプレートＨＣの支持ピンＰＣには、洗浄工程Ｓ０２を行わない基板４０を載置した。また、上から２段目及び３段目のホットプレートＨＣの支持ピンＰＣには、洗浄工程Ｓ０２を行った後の基板４０及び保持膜６１を配置した。この状態で、ホットプレートＨＣの加熱温度を６０℃として加熱を行った。その後、洗浄工程Ｓ０２を行わない基板４０の臭気を測定した結果、この基板４０の臭気の値は０（相対値）であった。従って、除去装置５Ｃにおいて洗浄工程Ｓ０２を行った後の基板４０及び保持膜６１を複数配置した場合、複数の基板４０及び保持膜６１同士の間で臭気の影響は認められなかった。

次に、上記実施形態における除去装置５Ａと除去装置５Ｃとにおいて、複数の基板４０及び保持膜６１を、ヒータＨＡ及びホットプレートＨＣの加熱温度を６０℃として加熱し、１５分経過時、２５分経過時、３０分経過時の臭気をそれぞれ測定した。その結果、洗浄工程Ｓ０２前の状態を０とすると、除去装置５Ａについては、加熱前の臭気が４３１（相対値）、１５分経過時の臭気が１９０（相対値）、２５分経過時の臭気が１０６（相対値）、３０分経過時の臭気が５６（相対値）であった。また、除去装置５Ｃについては、加熱前の臭気が４０７（相対値）、１５分経過時の臭気が１８８（相対値）、２５分経過時の臭気が１５３（相対値）、３０分経過時の臭気が１０７（相対値）であった。従って、除去装置５Ａ及び除去装置５Ｃのいずれを用いた場合でも、臭気が低減することが確認された。

以上、実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、切断工程Ｓ１２及び分離工程Ｓ１３を行う切断装置８０を上記した積層体処理システム１が含んでいてもよいし、切断装置８０が積層体処理システム１に接続されて配置されていてもよい。

ＣＡ、ＣＢ、ＣＣ、ＣＤ・・・チャンバ ＦＡ・・・ファン ＨＡ、ＨＢ・・・ヒータ ＨＣ・・・ホットプレート ＰＡ、ＰＢ、ＰＣ、ＰＤ、ＳＢ・・・支持ピン Ｒ１、Ｒ２・・・洗浄液（液体） ＲＤ・・・減圧部 １・・・積層体処理システム ２・・・積層体形成装置 ３・・・支持体剥離装置 ４、４Ａ、４Ｂ・・・洗浄装置 ５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ・・・除去装置 ６・・・搬送装置 ７・・・冷却装置 １０・・・支持体 ４０、１４０・・・基板 ２０・・・反応層（中間層） ２０ａ・・・変質層 ３０・・・接着層（中間層） ５０、５０Ａ、５０Ｂ・・・積層体 ６０・・・保持具 ６１・・・保持膜 １００・・・電子装置

Claims (14)

1. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、
   前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、
   前記洗浄装置で洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去する除去装置と、を備え、
   前記除去装置は、前記基板及び前記保持膜を収容可能なチャンバを備え、
   前記チャンバは、収容された前記基板及び前記保持膜を加熱する加熱部を備える、積層体処理システム。
2. 前記加熱部は、前記チャンバ内に配置されるヒータと、前記ヒータの熱を前記チャンバ内において攪拌又は循環させるファンと、を備える、請求項１に記載の積層体処理システム。
3. 前記チャンバは、収容する複数の前記基板及び前記保持膜を上下方向に間隔を空けて支持する多段の支持部を備え、
   前記ヒータは、前記支持部より上方および下方に配置される、請求項２に記載の積層体処理システム。
4. 前記加熱部は、前記チャンバ内に配置されるホットプレートを備える、請求項１に記載の積層体処理システム。
5. 前記加熱部は、前記ホットプレートに対して上方側に間隔を空けて前記基板及び前記保持膜を支持するピンを備える、請求項４に記載の積層体処理システム。
6. 前記ホットプレートは、前記チャンバ内において上下方向に間隔を空けて複数配置される、請求項４又は請求項５に記載の積層体処理システム。
7. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、
   前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、
   前記洗浄装置で洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去する除去装置と、を備え、
   前記除去装置は、前記基板及び前記保持膜を収容可能なチャンバを備え、
   前記チャンバは、前記基板及び前記保持膜が配置される空間を減圧する減圧部を備える、積層体処理システム。
8. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理するシステムであって、
   前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄する洗浄装置と、
   前記洗浄装置で洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去する除去装置と、を備え、
   前記除去装置により前記液体が除去された前記基板及び前記保持膜を冷却する冷却装置を備える、積層体処理システム。
9. 前記除去装置は、前記基板及び前記保持膜を収容可能なチャンバを備える、請求項８に記載の積層体処理システム。
10. 前記液体は、前記積層体における前記基板に積層された前記中間層及び／又はその残渣を洗浄する洗浄液である、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の積層体処理システム。
11. 前記保持膜は、前記積層体よりも広く、かつ弾性を有する、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の積層体処理システム。
12. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、
    前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄することと、
    洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去することと、を含み、
    前記基板上を前記液体で洗浄する際に、前記基板及び前記保持膜をチャンバに収容することと、
    前記チャンバ内において、前記基板及び前記保持膜を加熱部により加熱することと、を含む、積層体処理方法。
13. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、
    前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄することと、
    洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去することと、を含み、
    前記基板上を前記液体で洗浄する際に、前記基板及び前記保持膜をチャンバに収容することと、
    前記チャンバ内において、前記基板及び前記保持膜が配置される空間を減圧部により減圧することと、を含む、積層体処理方法。
14. 支持体と基板とが中間層を介して積層され、かつ前記基板と保持膜とが互いに密着された積層体を処理する方法であって、
    前記積層体への光の照射後又は溶剤の供給後に前記積層体から前記支持体を剥離した前記基板上を液体で洗浄することと、
    洗浄された前記基板及び前記保持膜に付着又は浸透している前記液体を除去することと、を含み、
    前記液体が除去された前記基板及び前記保持膜を冷却装置により冷却することと、を含む、積層体処理方法。

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