TWI853898B - 基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用套件 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為，從將支撐體分離之後的基板去除分離層之殘渣。 本發明之解決手段為，一種基板洗淨方法，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之分離層變質，而將從支撐體分離的基板進行洗淨，該基板洗淨方法，係包含：第1洗淨工程，係藉由使特定的樹脂溶解於可溶解接著層之第1溶劑中的第1洗淨液來將基板進行洗淨、以及第2洗淨工程，係在第1洗淨工程之後，藉由具有可溶解接著層之第2溶劑的第2洗淨液來將基板進行洗淨。

Description

基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用套件

本發明，係有關於基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用套件。

近年來，作為製造電子裝置的方法之一例，已知有被稱為所謂的扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)技術的手法。於扇出型PLP技術中，例如，係於玻璃板等之支撐體，層積藉由光的吸收或是加熱而變質的分離層、及隔著接著層而具有電子零件的基板，而形成層積體。提案有：在進行了對於層積體之處理之後，對分離層施加光或是熱來使其變質，從支撐體將基板分離，而將附著於基板的接合層去除(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-064040號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻1中，係將在將支撐體分離之後之殘留於基板的接著層藉由洗淨液來去除。即使藉由此洗淨液來使接著層溶解並作了去除，也有分離層的殘渣不會從基板被洗掉而殘留的情況。在附著有分離層之殘渣的基板之狀態下，恐有使最終得到的電子裝置之品質降低的疑慮。

本發明，係以提供能夠從將支撐體分離之後的基板去除分離層之殘渣的基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用套件作為目的。 [用以解決問題之手段]

於本發明之第1樣態中，係提供一種基板洗淨方法，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之分離層變質，而將從支撐體分離的基板進行洗淨，該基板洗淨方法，係包含：第1洗淨工程，係藉由使特定的樹脂溶解於可溶解接著層之第1溶劑中的第1洗淨液來將基板進行洗淨、以及第2洗淨工程，係在第1洗淨工程之後，藉由具有可溶解接著層之第2溶劑的第2洗淨液來將基板進行洗淨。

於本發明之第2樣態中，係提供一種基板洗淨裝置，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之分離層變質，而將從支撐體分離的基板進行洗淨，該基板洗淨裝置，係具備：第1洗淨部，係藉由使特定的樹脂溶解於可溶解接著層之第1溶劑中的第1洗淨液來將基板進行洗淨、以及第2洗淨部，係在第1洗淨工程之後，藉由具有可溶解接著層之第2溶劑的第2洗淨液來將基板進行洗淨。

於本發明之第3樣態中，係提供一種基板洗淨用套件，其係用以使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之分離層變質，而將從支撐體分離的基板進行洗淨，該基板洗淨用套件，係包含：第1洗淨液，係使特定的樹脂溶解於可溶解接著層之第1溶劑中，用以將基板進行洗淨、以及第2洗淨液，係被使用於以第1洗淨液所進行之洗淨後，具有可溶解接著層之第2溶劑，用以將基板進行洗淨。 [發明效果]

若依據本發明之樣態，則能夠從將支撐體分離之後的基板去除分離層之殘渣。其結果，可防止電子裝置之品質降低。

以下，針對本發明之實施形態，一邊參照附圖一邊進行說明。但是，本發明係不被限定於此實施形態。又，於附圖中，為了使實施形態之各構成變得容易了解，係將一部分放大或是強調，或者是將一部分簡化來作展示，而有與實際的構造或形狀、比例尺等相異的情況。

＜基板洗淨方法＞ 第1圖，係包含實施形態之基板洗淨方法之其中一例的流程圖。於第1圖之流程圖中，係對包含實施形態之基板洗淨方法的其中一例之製造電子裝置的方法之其中一例作展示。於本實施形態中，係列舉藉由所謂的扇出型PLP技術來製造電子裝置的方法為例來作說明。如第1圖所示般地，電子裝置之製造方法，係包含：分離層形成工程(步驟S01)、接著層形成工程(步驟S02)、基板形成工程(步驟S03)、封模研磨工程(步驟S04)、分離層變質工程(步驟S05)、支撐體剝離工程(步驟S06)、第1洗淨工程(步驟S07)、以及第2洗淨工程(步驟S08)。

第1圖中之第1洗淨工程(步驟S07)及第2洗淨工程(步驟S08)，係對實施形態之基板洗淨方法的其中一例作展示。又，分離層形成工程(步驟S01)、接著層形成工程(步驟S02)、基板形成工程(步驟S03)、及封模研磨工程(步驟S04)，係為用以形成層積體100的構成。層積體100，係為依序層積有支撐體1、分離層2、接著層3與基板4的構造體(參照第6圖)。以下，沿著第1圖所展示之流程圖來說明電子裝置之製造方法中的各工程。

[分離層形成工程(步驟S01)] 首先，於步驟S01中，係於支撐體形成分離層。第2圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之分離層形成工程作展示的圖。如第2圖所示般地，分離層2，係被形成於支撐體1之其中一面上。

(支撐體) 支撐體1，係隔著分離層2及接著層3而被貼合於基板4(4A)(參照第5圖、第6圖)，來將基板4作支撐。支撐體1，較理想為具有為了防止基板4之破損、變形所需要的強度。又，支撐體1，較理想為藉由使特定波長的光(可使後述之分離層2變質之波長的光)透過的材質所形成。支撐體1的材料，例如，係可使用玻璃、矽、丙烯酸系樹脂等。支撐體1的形狀，雖可列舉例如平面觀察時為矩形狀，或是圓形狀等，但不被限定於此些。

支撐體1，係亦可在由前述之材料所構成的基體上具有塗覆層等。塗覆層，係可為單層，亦可為複數層。作為塗覆層，係可列舉例如包含硬化樹脂之層(硬化膜)。作為硬化樹脂，雖可列舉例如，環氧樹脂、丙烯酸樹脂、烴系單體及丙烯酸單體之共聚物等，但不被限定於此些。塗覆層，例如，係亦可被配置於支撐體1與分離層2之間。支撐體1，例如，厚度為500～1500μm左右，但是，不被限定於此厚度。

(分離層) 分離層2，係被配置成與接著層3(參照第3圖)相接觸。分離層2，係藉由光之照射、加熱、於溶劑中之浸漬等而變質。分離層2「變質」，係意味著使分離層2成為受到些許外力即可被破壞的狀態，或是使分離層2和所接觸的層之間的接著力降低的狀態之現象。針對分離層2之形成方法並無特別限定，可使用周知的方法。例如，係可使用旋轉塗佈、浸漬、輥式刮刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈、化學氣相沉積(CVD)等之方法。

分離層2的厚度，例如，更理想為0.05～50μm，再更理想為0.3～1μm。只要分離層2的厚度落在0.05～50μm之範圍內，則可藉由短時間之光的照射及低能量之光的照射，或是短時間的加熱、於溶劑中之短時間的浸漬等，而於分離層2產生所期望的變質。又，分離層2的厚度，就生產性的觀點而言，特別理想係落在1μm以下之範圍內。

在此，作為身為形成分離層2的材料之分離層形成用組成物，係如前述內容般地，只要是藉由短時間之光的照射及低能量之光的照射，或是短時間的加熱、於溶劑中之短時間的浸漬等，而使所形成的分離層2變質之物質即可。作為分離層形成用組成物，例如，係可使用具有酚骨架之樹脂成分、具有包含具光吸收性之構造的重複單元的聚合物、氟碳、無機物、具有紅外線吸收性之構造的化合物、紅外線吸收物質、反應性聚倍半矽氧烷，或是含有此些者。又，分離層形成用組成物，係亦可作為任意成分而含有填料、可塑劑、熱酸產生劑成分、光酸產生劑成分、有機溶劑成分、界面活性劑、增感劑、或是可提昇支撐基體之分離性的成分等。

＜＜具有酚骨架之樹脂成分＞＞ 分離層2，係由於具有酚骨架，因此藉由加熱等而容易變質(氧化等)而提高光反應性。在此所謂的「具有酚骨架」，係意味著包含有羥基苯構造。具有酚骨架之樹脂成分，係具有膜形成能，較理想係分子量為1000以上。藉由樹脂成分之分子量為1000以上，而提昇膜形成能。樹脂成分之分子量，更理想為1000～30000，再更理想為1500～20000，特別理想為2000～15000。藉由使樹脂成分之分子量為較理想之範圍的上限值以下，而可提高分離層形成用組成物之對於溶劑的溶解性。另外，作為樹脂成分之分子量，係為使用以GPC(凝膠滲透層析法)所得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)者。

作為具有酚骨架之樹脂成分，係可列舉例如，酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、羥苯基倍半矽氧烷樹脂、羥苄基倍半矽氧烷樹脂、含有酚骨架之丙烯酸樹脂、具有以下述一般式(P2)所表示之重複單元的樹脂(以下，稱作「樹脂(P2)」)等。此些之中，更理想為，酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、樹脂(P2)等。

[前述式中，L^p1 係為2價之連結基。R^P 係為(n_P0 +1)價之芳香族烴基。n_P0 係為1～3之整數。]

前述式(P2)中，L^p1 係為2價之連結基，較理想為包含雜原子的2價之連結基。作為L^p1 ，係可列舉為了賦予所期望的特性，而導入有各種骨架的連結基。 前述式(P2)中，R^P 係為(n_P0 +1)價之芳香族烴基。 作為R^P 中之芳香族烴基，係可列舉從芳香環中排除了(n_P0 +1)個之氫原子之基。在此之芳香環，係只要具有4n+2個之π電子的環狀共軛系，則無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數，較理想為5～30，更理想為碳數5～20，再更理想為碳數6～15，特別理想為碳數6～12。作為芳香環，係可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環、構成此芳香族烴環之碳原子的一部分被雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，係可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言係可列舉吡啶環、噻吩環等。 又，作為R^P 中之芳香族烴基，係亦可列舉包含2以上之芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)中排除了(n_P0 +1)個之氫原子之基。 前述式(P2)中，n_P0 係為1～3之整數，較理想為1或2，特別理想為1。

作為上述樹脂(P2)，係亦可使用使胺基酚類、胺基萘酚類或是苯胺類，與於1分子中具有2個環氧基的化合物作反應所生成的樹脂。 作為胺基酚類，係可列舉2-胺基酚、3-胺基酚、4-胺基酚、4-胺基-3-甲基酚、2-胺基-4-甲基酚、3-胺基-2-甲基酚、5-胺基-2-甲基酚等。作為胺基萘酚類，係可列舉1-胺基-2-萘酚、3-胺基-2-萘酚、5-胺基-1-萘酚等。

作為於1分子中具有2個環氧基的化合物，係可列舉例如，商品名為EPICLON850、EPICLON830(DIC股份有限公司製)、jERYX-4000(三菱化學股份有限公司製)等之雙酚型環氧樹脂；DENACOL EX-211、DENACOL EX-212、DENACOL EX-810、DENACOL EX-830、DENACOL EX-911、DENACOL EX-920、DENACOL EX-930(Nagase chemteX股份有限公司製)等之二醇型環氧樹脂；DENACOL EX-711、DENACOL EX-721(Nagase chemteX股份有限公司製)、jER191P(三菱化學股份有限公司製)等之二羧酸酯型環氧樹脂；X-22-163、KF-105(信越化學工業股份有限公司製)等之矽酮型環氧樹脂等。 該反應時之加熱處理溫度，較理想係設為60℃以上250℃以下，更理想係設為80℃以上180℃以下。

＜＜具有包含具光吸收性的構造之重複單元的聚合物＞＞ 分離層2，係亦可含有具有包含具光吸收性的構造之重複單元的聚合物。此聚合物係會受到光的照射而變質。具有光吸收性的構造，係可列舉例如，包含由取代或非取代之苯環、縮合環或是雜環所構成之共軛π電子系的原子團。具有光吸收性的構造，更具體而言，係可列舉Cardo構造、或是存在於該聚合物之側鏈的二苯基酮構造、二苯基亞碸構造、二苯基碸構造(雙苯基碸構造)、二苯基構造或是二苯基胺構造。

具有上述之光吸收性的構造，係因應於其之種類，而可吸收具有所期望之範圍的波長之光。例如，具有上述之光吸收性的構造所能夠吸收的光之波長，較理想為100～2000nm之範圍內，更理想為100～500nm之範圍內。

具有上述之光吸收性的構造所能夠吸收的光，例如，係為從高壓水銀燈(波長254nm以上、436nm以下)、KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、F₂ 準分子雷射(波長157nm)、XeCl雷射(波長308nm)、XeF雷射(波長351nm)或是固體UV雷射(波長355nm)所發出的光、或者是g線(波長436nm)、h線(波長405nm)或是i線(波長365nm)等。

＜＜氟碳＞＞ 分離層2係亦可由氟碳所構成。分離層2，係由於藉由氟碳所構成，因此成為藉由吸收光而變質，其結果，會喪失接受光的照射之前的強度或接著性。因而，藉由施加些許的外力(例如，將支撐體1抬起等)，分離層2會被破壞，而可將支撐體1與基板4輕易分離。構成分離層2的氟碳，係可藉由電漿CVD(化學氣相沉積)法而適宜地成膜。

氟碳，係依據其之種類而吸收固有之範圍的波長之光。藉由對分離層照射使用於分離層2之氟碳會吸收之範圍的波長之光，而可使氟碳適宜地變質。另外，於分離層2中之光的吸收率較理想為80%以上。

作為對分離層2照射的光，係因應於氟碳所能吸收的波長，例如，只要適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或是非雷射光即可。作為可使氟碳變質的波長，雖無特別限定於此，但例如，可使用600nm以下之範圍者。

＜＜無機物＞＞ 分離層2，係亦可由無機物所構成。此無機物，係只要藉由吸收光而變質者即可，可適宜地列舉例如，選自由金屬、金屬化合物及碳所成之群中的1種以上。金屬化合物，係指包含金屬原子之化合物，可列舉例如金屬氧化物、金屬氮化物。作為這種無機物，係可列舉，選自由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO₂ 、SiN、Si₃ N₄ 、TiN、及碳所成之群中的1種類以上。另外，所謂的碳，係指亦可包括碳之同素異形體的概念，例如，包含金剛石、富勒烯、類鑽碳、奈米碳管等。上述之無機物，係依據其之種類而吸收具有固有之範圍的波長之光。

作為對由無機物所構成之分離層2照射的光，係因應於上述之無機物所能吸收的波長，例如，只要適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或是非雷射光即可。由無機物所構成之分離層2，例如，係藉由濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、電鍍、電漿CVD、旋轉塗佈等之周知的技術，而可形成於支撐體1上。

＜＜具有紅外線吸收性之構造的化合物＞＞ 分離層2，係亦可含有具有紅外線吸收性之構造的化合物。此具有紅外線吸收性之構造的化合物，係藉由吸收紅外線而變質。作為具有紅外線吸收性之構造，或者是具有此構造的化合物，係可列舉例如，烷烴、烯(乙烯、反式、順式、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、疊烯、環式)、炔烴(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇或是酚類(自由OH、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚物、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族醯氯化物、芳香族醯氯化物、酸酐(共役、非共役、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二醯亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族異硫氰酸酯、芳香族異硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝基胺、亞硝基胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇或是硫酚或是硫醇酸等之硫化合物、硫羰基、亞碸、碸、磺醯氯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵、Si-A¹ 鍵(A¹ 為H、C、O或是鹵素)、P-A² 鍵(A² 為H、C或是O)或是Ti-O鍵。

作為包含上述之碳-鹵素鍵之構造，係可列舉例如，-CH₂ Cl、-CH₂ Br、-CH₂ I、-CF₂ -、-CF₃ 、-CH=CF₂ 、-CF=CF₂ 、芳基氟或是芳基氯等。

作為包含上述之Si-A¹ 鍵之構造，係可列舉例如，SiH、SiH₂ 、SiH₃ 、Si-CH₃ 、Si-CH₂ -、Si-C₆ H₅ 、SiO-脂肪族、Si-OCH₃ 、Si-OCH₂ CH₃ 、Si-OC₆ H₅ 、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF₂ 或是SiF₃ 等。作為包含Si-A¹ 鍵之構造，特別是以形成有矽氧烷骨架或是倍半矽氧烷骨架者較為理想。

作為包含上述之P-A² 鍵之構造，係可列舉例如，PH、PH₂ 、P-CH₃ 、P-CH₂ -、P-C₆ H₅ 、A³ ₃ -P-O(A³ 為脂肪族基或是芳香族基)、(A⁴ O)₃ -P-O(A⁴ 為烷基)、P-OCH₃ 、P-OCH₂ CH₃ 、P-OC₆ H₅ 、P-O-P、P-OH或是O=P-OH等。

作為包含上述之Ti-O鍵的化合物，係可列舉例如，(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦或是鈦-i-丙氧基辛甘醇酸酯等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦或是丙烷二氧基鈦雙(乙醯乙酸乙酯)等之螯合物鈦；(iii)i-C₃ H₇ O-[-Ti(O-i-C₃ H₇ )₂ -O-]_n -i-C₃ H₇ 或是n-C₄ H₉ O-[-Ti(O-n-C₄ H₉ )₂ -O-]_n -n-C₄ H₉ 等之鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、鈦硬脂酸酯、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸酯或是(2-n-丁氧基羰基苯甲醯氧基)三丁氧基鈦等之醯化物鈦；(v)二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺化物)鈦等之水溶性鈦化合物等。該等之中，作為包含Ti-O鍵之化合物，較理想為二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺化物)鈦(Ti(OC₄ H₉ )₂ [OC₂ H₄ N(C₂ H₄ OH)₂ ]₂ )。

上述之紅外線吸收性的構造，係依據其之種類的選擇，而可吸收具有所期望之範圍的波長之紅外線。具體而言，上述之紅外線吸收性的構造所能吸收的紅外線之波長，例如，係為1～20μm之範圍內，可更適宜地吸收2～15μm之範圍內。進而，在上述構造為Si-O鍵、Si-C鍵或是Ti-O鍵的情況時，較理想為9～11μm之範圍內。

另外，上述之各構造所能夠吸收的紅外線之波長，係只要是該業者則可容易理解。例如，作為各構造中之吸收帶，係可參照非專利文獻：SILVERSTEIN･BASSLER･MORRILL著「有機化合物之以光譜所致之鑑定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁～第151頁的記載。

作為被使用於分離層2之形成的具有紅外線吸收性之構造的化合物，係於具有如前述般之構造的化合物中，只要是可為了塗佈而溶解於溶劑中，並可固化而形成固體層者，則無特別限定。然而，為了使分離層2中之化合物有效地變質，使支撐基體與基板之分離容易，較理想係分離層2中之紅外線的吸收為大，亦即是，對分離層2照射紅外線時之紅外線之透過率為低。具體而言，較理想係分離層2之紅外線之透過率低於90%，更理想係紅外線之透過率低於80%。

＜＜紅外線吸收物質＞＞ 分離層2，係亦可含有紅外線吸收物質。此紅外線吸收物質，係只要是藉由吸收光而變質者即可，例如，可適宜使用碳黑、鐵粒子、或是鋁粒子。紅外線吸收物質，係依據其之種類而吸收具有固有之範圍的波長之光。藉由對分離層2照射使用於分離層2之紅外線吸收物質會吸收的範圍之波長的光，而可使紅外線吸收物質適宜地變質。

＜＜反應性聚倍半矽氧烷＞＞ 分離層2，係可藉由使反應性聚倍半矽氧烷聚合而形成。藉由此而被形成的分離層，係具備有高耐藥品性與高耐熱性。

所謂「反應性聚倍半矽氧烷」，係指於聚倍半矽氧烷骨架的末端具有矽醇基或是能夠藉由水解而形成矽醇基的官能基之聚倍半矽氧烷。藉由將該矽醇基或是能夠形成矽醇基的官能基作縮合，而能夠相互聚合。又，反應性聚倍半矽氧烷，係只要具有矽醇基或是能夠形成矽醇基的官能基即可，可採用具備有無規構造、籠型構造、梯狀構造等之倍半矽氧烷骨架的反應性聚倍半矽氧烷。

反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量，較理想為70～99莫耳%，更理想為80～99莫耳%。若是反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量為前述之較理想的範圍內，則可形成能夠藉由照射紅外線(較理想為遠紅外線，更理想為波長9～11μm之光)而適宜地變質的分離層。反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)，較理想為500～50000，更理想為1000～10000。若是反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為前述之較理想的範圍內，則可適宜地溶解於溶劑中，而可適宜地塗佈於支撐板上。作為能夠作為反應性聚倍半矽氧烷來使用的市售品，係可列舉例如，小西化學工業股份有限公司製之SR-13、SR-21、SR-23或是SR-33(商品名)等。

[接著層形成工程(步驟S02)] 接著，於步驟S02中，係於支撐體形成接著層。第3圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之接著層形成工程作展示的圖。如第3圖所示般地，接著層3，係被形成於分離層2之支撐體1所不存在之側的面上。針對接著層3之形成方法，係可為了形成接著層3而塗佈使接著劑(以接著層形成物質所構成)溶解於溶劑中的溶液，亦可將在兩面塗佈有接著劑的接著膠帶貼附於分離層2。作為接著劑之塗佈方法，雖無特別限定，但可列舉例如，以旋轉塗佈法、浸漬法、輥式刮刀法、刮刀法、噴塗法、狹縫噴嘴法所進行之塗佈法等。又，亦可在將接著劑塗佈於分離層2上之後，藉由加熱等而使其乾燥。

接著層3的厚度，例如，較理想為1～200μm之範圍內，更理想為5～150μm之範圍內。又，接著層3的厚度，較理想係較分離層2更厚。另外，針對構成接著劑之接著劑組成物，係在後述之第1洗淨工程及第2洗淨工程之說明時一併作說明。

[基板形成工程(步驟S03)] 接著，於步驟S03中，係於支撐體形成基板。第4圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之基板形成工程作展示的圖。第5圖，係接續第4圖，對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之基板形成工程作展示的圖。首先，如第4圖所示般地，複數個電子零件41，係被配置於接著層3之分離層2所不存在之側的面，亦即是表面3a上。電子零件41之配置，係藉由未圖示之搬送裝置(晶粒接合器、貼片機)等而進行。另外，電子零件41，係亦可藉由接著層3而被接著且配置位置被作保持。又，亦可在配置有複數個電子零件41之後，在真空下一面加熱(例如100℃左右)，一面藉由搬送裝置等來使電子零件41壓附於接著層3。

在配置有複數個電子零件41之後，如第5圖所示般地，以覆蓋包含電子零件41之接著層表面3a之全面的方式來形成封模42。電子零件41，係成為被埋入封模42的狀態來形成基板4A。又，藉由步驟S03之基板形成工程，而形成依序層積有支撐體1、分離層2、接著層3、與基板4A的層積體100A。

另外，封模42，係亦可以使電子零件41的一部分(例如上面)露出的方式而被形成。又，封模42，例如，係亦可使用能夠讓用以使分離層2變質的光透過之材料而被作形成。作為此種材料，係可列舉例如，玻璃、矽、丙烯酸樹脂等。

[封模研磨工程(步驟S04)] 接著，於步驟S04中，封模係被研磨。第6圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之封模研磨工程作展示的圖。如第6圖所示般地，藉由未圖示的研磨裝置，使封模42之支撐體1所不存在之側，也就是封模42的上面42a被作研磨。藉由步驟S04之封模研磨工程，而使電子零件41從封模42露出。藉由封模42之研磨，而使電子零件41的上面41a與研磨後的封模42之新的上面42b成為大致同一面。

將封模42進行研磨的手法，係可適用周知的手法。另外，於上述之步驟S03之基板形成工程中，在封模42被形成為使電子零件41的一部分露出的情況時，可省略此封模研磨工程。又，藉由步驟S04之封模研磨工程，而形成依序層積有支撐體1、分離層2、接著層3、與基板4的層積體100。

另外，亦可在封模研磨工程之後，於電子零件41及封模42的上面42b藉由具有導電性的材料而形成配線。又，亦能夠以與此配線作電性連接的方式來配置電子零件41，並以覆蓋此電子零件41的方式來形成新的封模42。另外，配線與電子零件41之連接係可使用凸塊、焊接等。亦可如此般地，形成使配置有電子零件41之層被作複數層層積的基板4。

[分離層變質工程(步驟S05)] 接著，於步驟S05中，使分離層變質。第7圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之分離層變質工程作展示的圖。如第7圖所示般地，於層積體100中，從支撐體1之分離層2所不存在之側來對於分離層2，從照射裝置IR照射光L，而使分離層2變質。光L，係透過支撐體1來被照射至分離層2。從照射裝置IR所照射的光L，係使用能夠使分離層2變質的波長之光。分離層2之變質，係可藉由以所吸收的光L之能量所致之(發熱性或非發熱性之)分解、交聯、立體配置之變化或是官能基之解離(接著，伴隨著該等而來的分離層2之硬化、脫氣、收縮或膨脹)等而產生。

藉由使分離層2變質，而使此分離層2成為受到些許外力即可被破壞的狀態，或是使分離層2與所接觸之層(支撐體1及接著層3)之間的接著力降低的狀態。亦即是，成為能夠從基板4使支撐體1分離的狀態。另外，於第7圖中，係使層積體100由第6圖所展示的狀態上下逆轉，也就是說，將支撐體1作為上側(將基板4作為下側)，從上方之照射裝置IR來朝向下方照射光L，但是，並不被限定於此形態。例如，亦可將基板4作為上側，來從支撐體1的下方，藉由照射裝置IR來照射光L。

[支撐體剝離工程(步驟S06)] 接著，於步驟S06中，支撐體係被剝離。第8圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之支撐體剝離工程作展示的圖。如第8圖所示般地，藉由在將基板4作為下側的狀態下，一面將基板4作保持一面將支撐體1抬起，使分離層2被破壞，而從基板4剝離支撐體1。亦即是，基板4與支撐體1被作拉離。將支撐體1抬起的作業，例如，係亦可使用將支撐體1吸附來抬起的裝置。另外，基板4，係被吸附於平台等，藉由將支撐體1抬起，而從支撐體1被拉離。

在支撐體1被作了剝離的基板4，係如第8圖所示般地，殘留有接著層3。在此接著層3的表面3a，已變質的分離層2之殘渣2a並不會被完全地去除而殘留著。又，已變質的分離層2之殘渣2a，係有進入到接著層3內的情況。在此狀態下，若使用能夠溶解接著層3的溶劑單質，一邊在接著層3的表面3a流動一邊將接著層3溶解去除，則存在有接著層3雖然會被溶解，但是分離層2之殘渣2a的全部或一部分會殘留在接著層3，即使是在接著層3被去除之後，殘渣2a也會殘留在基板4的表面之情況。於本實施形態中，係構成為藉由後述之第1洗淨工程及第2洗淨工程，而不會在基板4的表面殘留殘渣2a。

[第1洗淨工程(步驟S07)] 於步驟S07中，將殘留有接著層3的基板4藉由第1洗淨液進行洗淨。第9圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之第1洗淨工程作展示的圖。如第9圖所示般地，在將接著層3朝向上側的狀態下，從噴嘴612來將第1洗淨液R1供給至基板4(接著層3)。第1洗淨液R1，係從基板4之大致中央的上方被作供給，在接著層3的上面流動而從基板4的緣部流落。另外，亦可在第1洗淨液R1之供給時，使基板4於垂直軸的周圍作旋轉。作為第1洗淨液R1，係可使用使特定的樹脂溶解於可溶解接著層3之第1溶劑中的液體。第1溶劑，係為於前述之接著層形成工程(步驟S02)中，能夠將在形成接著層3時所使用之接著劑中所包含的接著劑組成物作溶解的溶劑。首先，針對接著劑組成物進行說明。

(接著劑組成物) 作為接著劑組成物，係可列舉例如丙烯酸系、酚醛清漆系、萘醌系、烴系、聚醯亞胺系、彈性體、聚碸系等之在該領域中周知的各種接著劑組成物。又，作為接著劑組成物，係可列舉例如含有熱塑性樹脂、稀釋溶劑、以及添加劑等之其他成分者。於熱塑性樹脂中，只要是展現有接著力者即可，例如，可適宜地使用烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、彈性體樹脂、聚碸系樹脂等、或是將該等組合而成者等。另外，接著劑組成物，係包含稀釋溶劑。

＜＜烴樹脂＞＞ 烴樹脂，係具有烴骨架，並由單體組成物聚合而成的樹脂。作為烴樹脂，雖可列舉，環烯烴聚合物(以下，稱作「樹脂(A)」)，以及選自由萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群中的至少1種之樹脂(以下，稱作「樹脂(B)」)等，但並不被限定於此。

作為樹脂(A)，係可適宜地列舉例如，包含環烯烴單體之單體成分的開環聚合物、將包含環烯烴單體的單體成分作加成聚合而成的加成聚合物。環烯烴聚合物，係亦可將能夠與環烯烴單體共聚合的單體作為單體單元來具有。

又，作為構成樹脂(A)之單體成分，而含有環烯烴單體者，係就高耐熱性(低熱分解、熱重量減少性)的觀點而言，為理想。環烯烴單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體的比例，較理想為5莫耳%以上，更理想為10莫耳%以上，再更理想為20莫耳%以上。又，環烯烴單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體的比例，雖無特別限定，但就溶解性及在溶液中之經時安定性的觀點而言，較理想為80莫耳%以下，更理想為70莫耳%以下。

又，作為構成樹脂(A)之單體成分，亦可含有直鏈狀或分支鏈狀的烯類單體。烯類單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體的比例，就溶解性及柔軟性的觀點而言，較理想為10～90莫耳%，更理想為20～85莫耳%，再更理想為30～80莫耳%。另外，樹脂(A)，例如，如使由環烯烴單體與烯類單體所構成的單體成分進行聚合而成的樹脂般地不具有極性基的樹脂者，係在對高溫下之氣體的產生作抑制方面為理想。針對將單體成分進行聚合時之聚合方法或聚合條件等，並無特別限制，只要依照常法來作適當設定即可。

作為可作為樹脂(A)使用的環烯烴聚合物之市售品，係可列舉例如，Polyplastics股份有限公司製之「TOPAS(商品名)」、三井化學股份有限公司製之「APEL(商品名)」、日本ZEON股份有限公司製之「ZEONOR(商品名)」、日本ZEON股份有限公司製之「ZEONEX(商品名)」、JSR股份有限公司製之「ARTON(商品名)」等。樹脂(A)之玻璃轉移溫度(Tg)，較理想為60℃以上，特別理想為70℃以上。若樹脂(A)之玻璃轉移溫度為60℃以上，則可對在被暴露於高溫環境時接著層之軟化作抑制。

樹脂(B)，係選自由萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群中的至少1種之樹脂。具體而言，作為萜烯系樹脂，係可列舉例如，萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、變性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。作為松香系樹脂，係可列舉例如松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、變性松香等。作為石油樹脂，可列舉例如脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、變性石油樹脂、脂環族石油樹脂、苯并呋喃-茚石油樹脂等。此等之中，更理想為氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂。

樹脂(B)之軟化點雖無特別限定，但較理想為80～160℃。若樹脂(B)之軟化點為80～160℃，則可對在被暴露於高溫環境時軟化一事作抑制，而不會產生接著不良。樹脂(B)之重量平均分子量雖無特別限定，但較理想為300～3,000。若樹脂(B)之重量平均分子量為300以上，則會使耐熱性成為充分，而在高溫環境下脫氣量會變少。另一方面，若樹脂(B)之重量平均分子量為3,000以下，則會使對於烴系溶劑之接著層的溶解速度成為良好。因此，可將在將支撐體分離之後的裝置層上之接著層的殘渣迅速地溶解並作去除。另外，本實施形態中之樹脂(B)之重量平均分子量，係意味著以凝膠滲透層析法(GPC)所測定的聚苯乙烯換算之分子量者。

作為烴樹脂，係亦可使用混合有樹脂(A)與樹脂(B)者。藉由混合，而使耐熱性成為良好。例如，作為樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例為(A)：(B)=80：20～55：45(質量比)者，係由於高溫環境時之熱耐性、及柔軟性優異，故為理想。

＜＜丙烯酸-苯乙烯系樹脂＞＞ 作為丙烯酸-苯乙烯系樹脂，係可列舉例如將苯乙烯或苯乙烯之衍生物與(甲基)丙烯酸酯等作為單體來使用並進行聚合而成的樹脂。

作為(甲基)丙烯酸酯，係可列舉例如由鏈式構造所構成的(甲基)丙烯酸烷基酯、具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯。作為由鏈式構造所構成的(甲基)丙烯酸烷基酯，係可列舉具有碳數15～20之烷基的丙烯酸系長鏈烷基酯、具有碳數1～14之烷基的丙烯酸系烷基酯等。作為丙烯酸系長鏈烷基酯，係可列舉烷基為n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、n-十九烷基、n-二十烷基等之丙烯酸或是甲基丙烯酸之烷基酯。另外，該烷基係亦可為分支鏈狀。

作為具有碳數1～14之烷基的丙烯酸系烷基酯，係可列舉於既有的丙烯酸系接著劑中所使用之周知的丙烯酸系烷基酯。可列舉例如烷基為由甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基等所構成的丙烯酸或是甲基丙烯酸之烷基酯。

作為具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯，係可列舉環己基(甲基)丙烯酸酯、環戊基(甲基)丙烯酸酯、1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯、降莰基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、三環癸基(甲基)丙烯酸酯、四環十二烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯等，但是，更理想為異莰基甲基丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯。

作為具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯，雖無特別限定，但作為芳香族環，係可列舉例如苯基、苄基、基、茬基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧甲基、苯氧乙基等。又，芳香族環，係亦可具有碳數1～5之直鏈狀或分支鏈狀的烷基。具體而言，較理想為苯氧乙基丙烯酸酯。

＜＜馬來醯亞胺系樹脂＞＞ 作為馬來醯亞胺系樹脂，可列舉例如，將作為單體之N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-tert-丁基馬來醯亞胺、N-n-戊基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-庚基馬來醯亞胺、N-n-辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂基馬來醯亞胺等之具有烷基的馬來醯亞胺、N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基的馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-m-甲基苯基馬來醯亞胺、N-o-甲基苯基馬來醯亞胺、N-p-甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基的芳香族馬來醯亞胺等聚合所得之樹脂。

＜＜彈性體樹脂＞＞ 彈性體樹脂(以下，有時稱作「彈性體」)，較理想為作為主鏈之構造單元而包含有苯乙烯單元，該「苯乙烯單元」係亦可具有取代基。作為取代基，係可列舉例如，碳數1～5之烷基、碳數1～5之烷氧基、碳數1～5之烷氧烷基、乙醯氧基、羧基等。又，更理想係該苯乙烯單元之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內。進而，彈性體，較理想係重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內。

由於只要苯乙烯單元之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，彈性體之重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則容易溶解於後述之烴系的溶劑中，因此可更容易且迅速地去除接著層。又，藉由使苯乙烯單元之含量及重量平均分子量為上述之範圍內，而對於被使用在光微影製程的抗蝕溶劑(例如PGMEA、PGME等)、酸(氫氟酸等)、鹼(TMAH等)發揮優異的耐性。

另外，於彈性體中，係亦可進一步混合前述之(甲基)丙烯酸酯。苯乙烯單元之含量，更理想為17重量%以上，又，更理想為40重量%以下。重量平均分子量之更理想的範圍為20,000以上，又，更理想的範圍為150,000以下。

作為彈性體，係只要是苯乙烯單元之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，彈性體之重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則可使用各種的彈性體。可列舉例如，聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)、及此等之氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SeptonV9461(股份有限公司kuraray製)、SeptonV9475(股份有限公司kuraray製))、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(具有反應性之聚苯乙烯系硬嵌段的SeptonV9827 (股份有限公司kuraray製))、聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS-OH：末端羥基變性)等，並可使用彈性體之苯乙烯單元的含量及重量平均分子量為前述之範圍內者。

又，彈性體之中亦以氫化物為更理想。若為氫化物，則對於熱的安定性會提昇，而不易引起分解或聚合等之變質。又，就對於烴系溶劑之溶解性及對於抗蝕溶劑之耐性的觀點而言，亦更理想。又，彈性體之中亦以兩端為苯乙烯之嵌段聚合物者為更理想。藉由將熱安定性高的苯乙烯於兩末端嵌段，而展現更高的耐熱性。更具體而言，彈性體，係以苯乙烯及共軛二烯之嵌段共聚物之氫化物者為更理想。對於熱的安定性會提昇，而不易引起分解或聚合等之變質。又，藉由將熱安定性高的苯乙烯於兩末端嵌段而展現更高的耐熱性。進而，就對於烴系溶劑之溶解性及對於抗蝕溶劑之耐性的觀點而言，亦更理想。

作為可被使用作為於接著劑組成物中所包含之彈性體的市售品，係可列舉例如，股份有限公司kuraray製「Septon(商品名)」、股份有限公司kuraray製「HYBRAR(商品名)」、旭化成股份有限公司製「Tuftec(商品名)」、JSR股份有限公司製「DYNARON(商品名)」等。

作為於接著劑組成物中所包含的彈性體之含量，例如，係將接著劑組成物全量設為100重量份，而較理想為50重量份以上、99重量份以下之範圍內，更理想為60重量份以上、99重量份以下之範圍內，最理想為70重量份以上、95重量份以下之範圍內。藉由設為該等之範圍內，而可一面維持耐熱性，一面將基板適宜地固定在支撐體上。

又，彈性體係亦可將複數種混合。亦即是，接著劑組成物，係亦可包含複數種的彈性體。並且，只要複數種的彈性體之中至少一個是作為主鏈之構造單元而包含有苯乙烯單元即可。又，只要複數種的彈性體之中的至少一個，係苯乙烯單元之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，或是重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則為本發明之範疇。又，於在接著劑組成物中包含複數種之彈性體的情況，亦能夠以使混合後的結果是苯乙烯單元之含量成為上述之範圍內的方式來作調整。例如，若將苯乙烯單元之含量為30重量%的股份有限公司kuraray製的Septon(商品名)之Septon4033、與苯乙烯單元之含量為13重量%的Septon(商品名)之Septon2063以重量比1比1進行混合，則苯乙烯含量相對於接著劑中所包含之彈性體全體，係成為21～22重量%，因此成為14重量%以上。又，例如，若將苯乙烯單元為10重量%者與60重量%者以重量比1比1進行混合，則成為35重量%，而成為上述之範圍內。本發明亦可為此種之形態。又，於接著劑組成物中所包含的複數種的彈性體，最理想係全部皆以上述之範圍內包含苯乙烯單元，且為上述之範圍內之重量平均分子量。

＜＜聚碸系樹脂＞＞ 接著劑組成物，係亦可包含聚碸系樹脂。藉由以聚碸系樹脂來形成接著層3，於基板形成工程中，即使在形成封模42時進行高溫的處理，亦可於後續的工程中，將接著層3溶解，並從支撐體1將基板4剝離。若是使接著層3含有聚碸樹脂，則可於基板形成工程中，使用以例如300℃以上的高溫來作處理的高溫製程。聚碸系樹脂，係具有由以下述一般式(ad1)所表示的構造單元及以下述一般式(ad2)所表示的構造單元之中的至少1種構造單元所構成的構造。

[式中，R^C3 、R^C4 、R^C5 ，係各自獨立地選自由伸苯基、伸萘基及伸蒽基所成之群中之基，X’，係碳數1～3之伸烷基。]

聚碸系樹脂，係具備有由以上述之式(ad1)所表示的聚碸構造單元及以上述之式(ad2)所表示的聚醚碸構造單元之中的至少1個，藉由此，在將接著層形成於支撐體上之後，即使進行高溫度條件之處理，亦可防止因分解及聚合等而使接著層不溶化的情形。又，聚碸系樹脂，係只要是由以上述之式(ad1)所表示的聚碸構造單元所成之聚碸樹脂，則即使加熱至更高的溫度亦為安定。

聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)，較理想為30,000以上、70,000以下之範圍內，更理想為30,000以上、50,000以下之範圍內。若是聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)為30,000以上之範圍內，則可得到能夠在例如300℃以上之高溫度中作使用的接著劑組成物。又，若是聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)為70,000以下之範圍內，則可藉由溶劑而適宜地溶解。也就是說，可得到能夠藉由溶劑而適宜地去除之接著劑組成物。

＜＜稀釋溶劑＞＞ 作為稀釋溶劑，係可列舉例如，己烷、庚烷、辛烷、壬烷、異壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀的烴、碳數4至15之分支鏈狀的烴，例如，環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等之環狀烴、p-薄荷烷、o-薄荷烷、m-薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降莰烷、蒎烷、側柏烷、蒈烷、長葉烯、香葉草醇、橙花醇、沉香醇、檸檬油醛、香茅醇、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、二氫松香醇乙酸酯、1,4-桉油醇、1,8-桉油醇、冰片、香旱芹酮、紫羅酮、側柏酮、樟腦、d-檸檬烯、l-檸檬烯、雙戊烯等之萜烯系溶劑；γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或是二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物、前述多元醇類或是具有前述酯鍵之化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或是單苯基醚等之具有醚鍵的化合物等之多元醇類之衍生物(該等之中，較理想為丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME))；如二噁烷一般的環式醚類、或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基丁基乙酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚等之芳香族系有機溶劑等。又，亦可將該等之複數種作混合來使用。

接著劑組成物，係亦可含有添加劑。又，接著劑組成物，係亦可在不損害本質性的特性之範圍內，添加有具有混合性之其他的物質。作為這種添加劑，例如，係可進一步使用用以改良接著劑之性能的加成性樹脂、硬化性單體、聚合抑制劑、聚合起始劑、可塑劑、接著輔助劑、安定劑、著色劑、及界面活性劑等一般慣用的各種添加劑。

(特定的樹脂) 針對溶解於第1洗淨液R1中之特定的樹脂來作說明。特定的樹脂，係可列舉例如，於上述之接著劑組成物中所包含的樹脂。又，作為特定的樹脂，係可選擇後述之可溶解於第1溶劑中的樹脂。特定的樹脂，係可為與在被使用於接著層3之形成的接著劑中所包含的樹脂相同之樹脂，亦可為相異之樹脂。又，特定的樹脂，係可使用單一種類的樹脂，亦可使用混合有複數種類的樹脂。

於第1洗淨液R1中之特定的樹脂的含量(重量%)，較理想為，較被使用於接著層3之形成時的接著劑中之樹脂的含量(重量%)更小。其原因在於，若是於第1洗淨液R1中特定的樹脂的含量為較被使用於接著層3之形成時的接著劑中所包含之樹脂的含量(重量%)更大，則藉由第1洗淨液R1而將接著層3作溶解並去除，另一方面，於第1洗淨液R1中所包含之特定的樹脂會大量殘留在基板4之故。又，特定的樹脂，較理想為，於第1洗淨液R1中被包含有3～5重量%。若是特定的樹脂少於3重量%，則會使基板4a上分離層2之殘渣2a殘留的可能性提高。

(第1溶劑) 第1溶劑，係為可溶解接著層3的溶劑，亦即是，將形成接著層3之接著劑組成物溶解的溶劑。第1溶劑，係只要能夠溶解接著層3則無特別限定，可因應於接著層3(接著劑組成物)而適當選擇。第1溶劑，例如，係可使用與在形成接著層3時之被使用於接著劑的稀釋溶劑的極性為一致或是極性為相近者。另外，亦可為與在形成接著層3時之被使用於接著劑的稀釋溶劑相同。作為能夠溶解接著層3的溶劑之第1溶劑，係可列舉例如，烴系溶劑、酯系溶劑。另外，亦可於第1溶劑中適當地添加有添加劑等之任意成分。任意成分雖無特別限定，但可列舉例如界面活性劑。又，亦可使用混合有烴系溶劑與酯系溶劑者。又，第1溶劑，係可使用單一種類的溶劑，亦可使用混合有複數種類的溶劑。

＜＜烴系溶劑＞＞ 烴系溶劑，係可為脂肪族烴系溶劑，亦可為芳香族烴系溶劑。在此，所謂「脂肪族」，係對於芳香族之相對性的概念，意味著不具有芳香族性之基、化合物等。作為脂肪族烴系溶劑，係可列舉烷烴系之烴溶劑。烷烴系之烴系溶劑，係亦可為直鏈狀、分支鏈狀、及環狀之任一者。作為直鏈狀或是分支鏈狀烷烴之烴系溶劑，係可列舉例如，碳數4～20之直鏈狀或是分支鏈狀烷烴，可列舉例如，丁烷、戊烷、2-甲基丁烷、3-甲基戊烷、己烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、庚烷、辛烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、壬烷、異壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、2,2,4,6,6-五甲基庚烷、十三烷、十五烷、十四烷、十六烷等。作為環狀烷烴之烴系溶劑，係可列舉例如，碳數4～20之環狀烷烴，可列舉例如，環戊烷、環己烷、甲基環己烷、乙基環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環烷烴、十氫萘等之雙環烷烴等。該等之中，作為烷烴系之烴系溶劑，較理想為乙基環己烷及十氫萘。又，作為脂肪族烴系溶劑，係亦可列舉萜烯系之烴溶劑。作為萜烯系之烴溶劑，可列舉例如，D-檸檬烯、P-薄荷烷等。

作為芳香族烴系溶劑，係可列舉例如，苯、萘、四氫萘等。又，烴系溶劑，例如，較理想係藉由蒸餾等來將較烴系溶劑的沸點更高沸點之雜質去除。藉由此，當將接著劑藉由洗淨來去除時，可防止包含有烴系溶劑的高沸點之雜質作為殘渣而殘留在基板4的情形。

＜＜酯系溶劑＞＞ 酯系溶劑，係可列舉例如，乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基丁基乙酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)等。

於此第1洗淨工程中，藉由第1洗淨液R1，使接著層3被溶解去除，並且賦予溶解於第1洗淨液R1中之特定的樹脂。殘留在接著層3的表面3a或是接著層3內之分離層2的殘渣2a，係藉由第1洗淨液R1的流動而從接著層3(基板4)被沖掉，藉由第1洗淨液R1之特定的樹脂而使附著於基板4的情形被作抑制。其結果，可防止殘渣2a殘留在接著層3消失後之基板4的表面。第1洗淨工程之後，在基板4的表面，係殘留有第1洗淨液R1之特定的樹脂，而形成有由此樹脂所致之層(膜)。

第10圖，係對第1洗淨工程後之基板4的狀態作展示的圖。如第10圖所示般地，在基板4的表面4a，係形成有由第1洗淨液R1之特定的樹脂所致之樹脂層5。也就是說，從基板4的表面4a接著層3被溶解去除，進而分離層2的殘渣2a也被去除，但是，藉由第1洗淨液R1而形成有樹脂層5。

[第2洗淨工程(步驟S08)] 接著，於步驟S08中，將形成有樹脂層5的基板4藉由第2洗淨液進行洗淨。第11圖，係對身為電子裝置之製造方法的其中一工程之第2洗淨工程作展示的圖。如第11圖所示般地，在將樹脂層5朝向上側的狀態下，從噴嘴622來將第2洗淨液R2供給至基板4(樹脂層5)。第2洗淨液R2，係從基板4之大致中央的上方被作供給，而在樹脂層5的上面流動來從基板4的緣部流落。另外，亦可在第2洗淨液R2之供給時，使基板4於垂直軸的周圍作旋轉。作為第2洗淨液R2，係可使用能夠溶解樹脂層5的第2溶劑。

(第2溶劑) 第2溶劑，係可使用能夠溶解樹脂層5的溶劑。第2溶劑，係只要能夠溶解樹脂層5則無特別限定，可因應於樹脂層5的組成而適當選擇。第2溶劑，係可使用與第1溶劑的極性為一致，或是極性為相近者。亦即是，第2溶劑，係可溶解接著層3。第2溶劑，係可與上述之第1溶劑相同，亦可相異。又，第2溶劑，係由於與第1溶劑的極性為一致或是極性為相近，因此亦可與在形成接著層3時所使用的接著劑之稀釋溶劑相同。又，第2溶劑，係可使用單一種類的溶劑，亦可使用混合有複數種類的溶劑。

於此第2洗淨工程中，藉由第2洗淨液R2，使樹脂層5被溶解去除。另外，作為第2洗淨液R2，較理想為並未溶解有樹脂等或是樹脂等之濃度為低的洗淨液，如此一來，在樹脂層5被作去除之後，於基板4上不易形成新的層(膜)。亦即是，這種洗淨液之固體成分濃度，較理想係被設定為0.5重量%以下，更理想係被設定為0.3重量%以下，再更理想係被設定為0.1重量%以下。 第12圖，係對第2洗淨工程後之基板4的狀態作展示的圖。如第12圖所示般地，在基板4的表面4a，係形成有由第1洗淨液R1之特定的樹脂所致之樹脂層5。也就是說，從基板4的表面4a樹脂層5被溶解去除，且不會形成新的層。另外，於第1洗淨工程後，即使於基板4殘留有些許分離層2的殘渣2a，也會有藉由此第2洗淨工程而從基板4被作去除的情況。

第2洗淨工程後，例如，藉由沿著預先所設定的線來將基板4作切割，而可得到個別的電子裝置。另外，切割裝置係可使用任意的裝置。

＜基板洗淨裝置＞ 第13圖，係對實施形態之基板洗淨裝置的其中一例作展示的圖。第13圖所示之基板洗淨裝置6，係可進行上述之第1洗淨工程與第2洗淨工程。如第13圖所示般，基板洗淨裝置6，係具有第1洗淨部61、和第2洗淨部62、以及平台63。另外，平台63，係在第1洗淨部61與第2洗淨部62被作共用。又，平台63，係亦可具備用以保持所載置之基板4的吸附機構。又，平台63，係亦可為藉由電動馬達等之驅動源，而於垂直軸周圍作旋轉的構成。

第1洗淨部61，係為了執行上述之第1洗淨工程而被作設置。第1洗淨部61，係具備第1洗淨液供給裝置611和噴嘴612。第1洗淨液供給裝置611，係將第1洗淨液R1(參照第9圖)供給至噴嘴612。第1洗淨液供給裝置611，例如，係被形成為包含泵等之送液機構，藉由將此送液機構作驅動，而從儲存有第1洗淨液R1的槽經由配管來將第1洗淨液R1供給至噴嘴612。噴嘴612，係被配置於平台63的上面，將從第1洗淨液供給裝置611所送出的第1洗淨液R1朝下方吐出。另外，噴嘴612，係亦可為能夠在水平方向上作移動。

於此第1洗淨部61中，係在將基板4載置於平台63上的狀態下，從噴嘴612吐出第1洗淨液R1，藉此而可對基板4供給第1洗淨液R1，而可執行上述之第1洗淨工程。另外，對於平台63之基板4的搬入、搬出，係藉由未圖示之搬送裝置來進行。

第2洗淨部62，係為了執行上述之第2洗淨工程而被作設置。第2洗淨部62，係具備第2洗淨液供給裝置621和噴嘴622。第2洗淨液供給裝置621，係將第2洗淨液R2(參照第11圖)供給至噴嘴622。第2洗淨液供給裝置621，例如，係被形成為包含泵等之送液機構，藉由將此送液機構作驅動，而從儲存有第2洗淨液R2的槽經由配管來將第2洗淨液R2供給至噴嘴622。噴嘴622，係被配置於平台63的上面，將從第2洗淨液供給裝置621所送出的第2洗淨液R2朝下方吐出。另外，噴嘴622，係亦可為能夠在水平方向上作移動。

於此第2洗淨部62中，係在將基板4載置於平台63上的狀態下，從噴嘴622吐出第2洗淨液R2，藉此而可對基板4供給第2洗淨液R2，而可執行上述之第2洗淨工程。另外，基板洗淨裝置6，係在第1洗淨液R1與第2洗淨液R2使用專用的噴嘴611、621。因而，亦能夠以在執行第1洗淨工程的情況時使噴嘴611配置於基板4的中央上方，且在執行第2洗淨工程的情況時，於使噴嘴611退避之後，使噴嘴621配置於基板4的中央上方的方式，來藉由未圖示之控制裝置而被作控制。

第14圖，係對實施形態之基板洗淨裝置的另一例作展示的圖。第14圖所示之基板洗淨裝置6A，係可進行上述之第1洗淨工程與第2洗淨工程。另外，針對與上述之基板洗淨裝置6相同的構成，係標示相同的符號，並省略或是簡化其之說明。如第14圖所示般地，基板洗淨裝置6A，係具有第1洗淨部61、和第2洗淨部62、和平台63、以及切換部64。

第1洗淨部61及第2洗淨部62，係具備共用的噴嘴641。噴嘴641，係被配置在被載置於平台63之基板4的中央上方。另外，噴嘴641，係亦可為能夠在水平方向上作移動。切換部64，係對於從第1洗淨部61之第1洗淨液供給裝置611來對噴嘴641供給第1洗淨液R1的流路與從第2洗淨部62之第2洗淨液供給裝置621來對噴嘴641供給第2洗淨液R2的流路作切換。因而，在執行第1洗淨工程的情況，係藉由切換部64而從噴嘴641吐出第1洗淨液R1，在執行第2洗淨工程的情況，係藉由切換部64來切換流路而從噴嘴641吐出第2洗淨液R2。以切換部64所致之流路的切換，係亦可藉由未圖示之控制裝置而被作控制。

另外，於上述之基板洗淨裝置6、6A中，雖在第1洗淨部61與第2洗淨部62使用共用的平台63，但是，並不限定於此構成。例如，亦可為如同配置有2個平台63，其中一方為第1洗淨部61專用的平台63，而另一方為第2洗淨部62一般的構成。又，亦可將上述之第1洗淨工程與第2洗淨工程，藉由分別獨立的基板洗淨裝置來進行。

＜基板洗淨用套件＞ 本實施形態之套件，係為了使依序層積有支撐體1、分離層2、接著層3與基板4的層積體100中之分離層2變質，並將從支撐體1分離的基板4進行洗淨而被作使用。基板洗淨用套件，係包含：第1洗淨液R1，係使特定的樹脂溶解於可溶解接著層3之第1溶劑中，用以將基板4進行洗淨、以及第2洗淨液R2，係被使用於以第1洗淨液R1所進行之洗淨後，具有可溶解接著層3之第2溶劑，用以將基板4進行洗淨。此基板洗淨用套件，係可使用於上述之基板洗淨方法。

如此般地，若依據本實施形態，則藉由在從基板4將支撐體2剝離之後進行第1洗淨工程及第2洗淨工程，而可將殘留在接著層3的表面3a及接著層3內之殘渣2a的大部分從基板4去除。其結果，由於在基板4上不需要的殘渣2a等係為極少，因此可精度佳地進行後續的工程，而可防止電子裝置之品質降低。 [實施例]

接著，雖針對實施例來作說明，但本發明係並不被限定於該等實施例。 ・層積體之形成 首先，於支撐基體上旋轉塗佈分離層形成用組成物，以溫度90℃、300秒鐘的條件進行加熱，而形成了膜。接著，對該所形成的膜，在大氣環境下，以300℃、10分鐘的條件進行燒成，而於支撐體上形成了厚度0.3μm的分離層。 接著，於此分離層上，旋轉塗佈接著劑組成物，以90℃、4分鐘、以160℃、4分鐘、以220℃、4分鐘進行加熱，藉由此，而於分離層上形成了厚度50μm的接著層。 然後，使用晶粒接合器，於接著層上壓接矽製之基板而得到層積體。

於分離層形成用組成物中係使用有以下之物。 TZNR(註冊商標)-CTRL9(東京應化工業股份有限公司製)：具有胺基酚骨架之樹脂(GSP-01、GSP-02(群榮化學工業股份有限公司製)) 於接著劑組成物中係使用有以下之物。 TZNR(註冊商標)-A4017(東京應化工業股份有限公司製)：包含H1051(旭化成股份有限公司製)及Septon2002(股份有限公司kuraray製)之彈性體接著劑。

・支撐體之剝離 從上述之層積體的支撐體側，對於分離層，以掃描速度6400mm/秒、頻率40kHz、輸出(電流值)22A、照射節距180μm的條件，照射波長532nm之雷射光。其後，從此層積體之基板將支撐體剝離。

・第1洗淨工程 作為第1洗淨液之第1溶劑，係使用有「十氫萘與乙酸丁酯之混合液」、「乙酸丁酯與p-薄荷烷之混合液」、「p-薄荷烷」之3種類。 作為特定的樹脂，係以使身為接著劑組成物之苯乙烯系熱塑性彈性體之「Septon2002(股份有限公司kuraray製)」於3種類之第1溶劑中，分別成為相對於第1洗淨液而為3重量%、3.5重量%、5重量%的方式作溶解。

將如以上方式所製成的各第1洗淨液，對於將支撐體剝離之後的基板，以流量90g/min進行了槳式洗淨1分鐘、旋轉洗淨1分鐘。其後，進行1分鐘的乾燥。

・第2洗淨工程 將進行了第1洗淨工程的各基板，以具有第2溶劑的第2洗淨液來進行洗淨。另外，第2洗淨液之第2溶劑，係使用與第1溶劑相同者。亦即是，在第1洗淨液之第1溶劑為「十氫萘與乙酸丁酯之混合液」的情況時，作為第2洗淨液之第2溶劑係使用「十氫萘與乙酸丁酯之混合液」。又，在第1洗淨液之第1溶劑為「乙酸丁酯與p-薄荷烷之混合液」的情況時，作為第2洗淨液之第2溶劑係使用「乙酸丁酯與p-薄荷烷之混合液」。又，在第1洗淨液之第1溶劑為「p-薄荷烷」的情況時，作為第2洗淨液之第2溶劑係使用「p-薄荷烷」。

以第2洗淨液所進行之洗淨，係以流量90g/min進行了槳式洗淨1分鐘、旋轉洗淨1分鐘。其後，進行1分鐘的乾燥。在第2洗淨工程後，將殘留在基板之表面的殘渣(直徑為10μm以上)藉由粒子計數器來測定並進行評價。將評價結果展示於表1。於表1中，符號○係代表殘渣為30個以下，符號×係代表31個以上。又，於表1中，－係代表未計測。

[表1]

濃度 混合溶液	3%	3.5%	5%
十氫萘與乙酸丁酯	○	○	○
乙酸丁酯與p-薄荷烷	－	○	－
p-薄荷烷	－	－	○

(比較例) 對於將支撐體剝離後之基板，將「十氫萘與乙酸丁酯之混合液」、「乙酸丁酯與p-薄荷烷之混合液」、「p-薄荷烷」之3種類作為洗淨液來使用。以此洗淨液所進行之洗淨，係以流量90g/min進行了槳式洗淨1分鐘、旋轉洗淨1分鐘。其後，進行1分鐘的乾燥。在洗淨後，將殘留在基板之表面的殘渣(直徑為10μm以上)藉由粒子計數器來測定並進行評價。將評價結果展示於表2。於表2中，符號○係代表殘渣為30個以下，符號×係代表31個以上。另外，在比較例之洗淨液中，係由於不使樹脂溶解，因此表記為濃度0%。

[表2]

濃度 混合溶液	0%
十氫萘與乙酸丁酯	×
乙酸丁酯與p-薄荷烷	×
p-薄荷烷	×

如表2所示般地，可確認到：在將「十氫萘與乙酸丁酯之混合液」、「乙酸丁酯與p-薄荷烷之混合液」、「p-薄荷烷」以單質來作使用的情況時，殘留在基板之表面的直徑10μm以上之殘渣成為31個以上。另一方面，如表1所示般地，可確認到：存在有若是使用於3種的第1溶劑中分別以濃度為3～5重量%溶解有Septon2002的第1洗淨液來進行第1洗淨工程，接著，藉由具有與第1溶劑相同之第2溶劑的第2洗淨液來進行第1洗淨工程，則殘留在基板之表面的直徑10μm以上之殘渣成為30個以下的情況。

以上，雖針對實施形態及實施例來作了說明，但本發明並不限定於上述之說明，在不脫離本發明之要旨的範圍內可作各種變更。例如，於上述之實施形態中，形成層積體100(100A)的手法係為其中一例，亦可藉由其他的手法來形成層積體100(100A)。

1:支撐體 2:分離層 2a:殘渣 3:接著層 3a:表面 4,4A:基板 41:電子零件 41a:上面 42:封模 42a,42b:上面 5:樹脂層 6,6A:基板洗淨裝置 61:第1洗淨部 611:第1洗淨液供給裝置 612:噴嘴 62:第2洗淨部 621:第2洗淨液供給裝置 622:噴嘴 64:切換部 641:噴嘴

[第1圖]係包含實施形態之基板洗淨方法之其中一例的流程圖。 [第2圖]係對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第3圖]係接續第2圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第4圖]係接續第3圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第5圖]係接續第4圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第6圖]係接續第5圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第7圖]係接續第6圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第8圖]係接續第7圖，來對電子裝置之製造方法的其中一工程作展示的圖。 [第9圖]係對第1洗淨工程作展示的圖。 [第10圖]係對第1洗淨工程後之基板的狀態作展示的圖。 [第11圖]係對第2洗淨工程作展示的圖。 [第12圖]係對第2洗淨工程後之基板的狀態作展示的圖。 [第13圖]係對實施形態之基板洗淨裝置的其中一例作展示的圖。 [第14圖]係對實施形態之基板洗淨裝置的另一例作展示的圖。

Claims (13)

1. 一種基板洗淨方法，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨，該基板洗淨方法，係包含：第1洗淨工程，係藉由使在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中的第1洗淨液來將前述基板進行洗淨、以及第2洗淨工程，係在前述第1洗淨工程之後，藉由具有可溶解前述接著層之第2溶劑的第2洗淨液來將前述基板進行洗淨，在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，係在前述第1洗淨液中被包含有3~5重量%，前述第2洗淨液之固體成分濃度，係為0.5重量%以下。
2. 如請求項1所記載之基板洗淨方法，其中，前述基板係包含電子零件。
3. 如請求項1或請求項2所記載之基板洗淨方法，其中，前述分離層，係藉由光的照射而變質，藉由對於前述層積體來照射前述光而使前述分離層變質，並對於從前述支撐體分離的前述基板進行前述第1洗淨工程。
4. 如請求項1或請求項2所記載之基板洗淨方法，其中， 前述層積體中之前述接著層，係為藉由將溶解有接著劑的溶液進行塗佈、乾燥所形成者，前述第1溶劑及前述第2溶劑之其中一者或是兩者，係與被使用於前述接著層之形成的前述溶液之溶劑的極性為一致或是極性為相近。
5. 如請求項4所記載之基板洗淨方法，其中，前述第1溶劑及前述第2溶劑之其中一者或是兩者，係與前述溶液之溶劑相同。
6. 如請求項1或請求項2所記載之基板洗淨方法，其中，前述第1洗淨液及前述第2洗淨液之其中一者或是兩者，係包含烴系溶劑。
7. 如請求項6所記載之基板洗淨方法，其中，前述第1洗淨液及前述第2洗淨液之其中一者或是兩者，係除了前述烴系溶劑之外，亦進一步包含酯系溶劑。
8. 如請求項1或請求項2所記載之基板洗淨方法，其中，前述特定的樹脂，係為苯乙烯系熱塑性彈性體或是環狀烯烴共聚物。
9. 一種基板洗淨方法，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨， 該基板洗淨方法，係具備：第1洗淨工程，係藉由第1洗淨液來將前述基板進行洗淨，該第1洗淨液，係使較在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂之含有量而更小之量的在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中、以及第2洗淨工程，係在前述第1洗淨工程之後，藉由第2洗淨液來將前述基板進行洗淨，該第2洗淨液，係具有可溶解前述接著層與藉由在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂而被形成於前述基板上的樹脂層之第2溶劑，並且固體成分濃度為0.5重量%以下。
10. 一種基板洗淨裝置，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨，該基板洗淨裝置，係具備：第1洗淨部，係藉由第1洗淨液來將前述基板進行洗淨，該第1洗淨液，係使在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中、以及第2洗淨部，係在前述第1洗淨工程之後，藉由具有可溶解前述接著層之第2溶劑的第2洗淨液來將前述基板進行洗淨，在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，係在前述第1洗淨液中被包含有3~5重量%，前述第2洗淨液之固體成分濃度，係為0.5重量%以下。
11. 一種基板洗淨裝置，其係使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨，該基板洗淨裝置，係具備：第1洗淨部，係藉由第1洗淨液來將前述基板進行洗淨，該第1洗淨液，係使較在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂之含有量而更小之量的在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中、以及第2洗淨部，係在前述第1洗淨工程之後，藉由第2洗淨液來將前述基板進行洗淨，該第2洗淨液，係具有可溶解前述接著層與藉由在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂而被形成於前述基板上的樹脂層之第2溶劑，並且固體成分濃度為0.5重量%以下。
12. 一種基板洗淨用套件，其係用以使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨，該基板洗淨用套件，係包含：第1洗淨液，係使在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中，用以將前述基板進行洗淨、以及第2洗淨液，係被使用於以前述第1洗淨液所進行之洗淨後，具有可溶解前述接著層之第2溶劑，用以將前述基 板進行洗淨，在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，係在前述第1洗淨液中被包含有3~5重量%，前述第2洗淨液之固體成分濃度，係為0.5重量%以下。
13. 一種基板洗淨用套件，其係用以使依序層積有支撐體、分離層、接著層與基板的層積體中之前述分離層變質，而將從前述支撐體分離的前述基板進行洗淨，該基板洗淨用套件，係包含：第1洗淨液，係使較在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂之含有量而更小之量的在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂，溶解於可溶解前述接著層之第1溶劑中、以及第2洗淨液，係被使用於以前述第1洗淨液所進行之洗淨後，用以將前述基板進行洗淨，並具有可溶解前述接著層與藉由在被使用於前述接著層之形成中的接著劑中所包含之樹脂而被形成於前述基板上的樹脂層之第2溶劑，並且固體成分濃度為0.5重量%以下。

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