[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP7068064B2 - Processing method of work piece - Google Patents

Processing method of work piece Download PDF

Info

Publication number
JP7068064B2
JP7068064B2 JP2018118692A JP2018118692A JP7068064B2 JP 7068064 B2 JP7068064 B2 JP 7068064B2 JP 2018118692 A JP2018118692 A JP 2018118692A JP 2018118692 A JP2018118692 A JP 2018118692A JP 7068064 B2 JP7068064 B2 JP 7068064B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
outer peripheral
peripheral edge
workpiece
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018118692A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019220632A (en
Inventor
義智 成田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2018118692A priority Critical patent/JP7068064B2/en
Priority to KR1020190061724A priority patent/KR20200000337A/en
Priority to CN201910519907.1A priority patent/CN110634736B/en
Priority to TW108121271A priority patent/TWI799604B/en
Publication of JP2019220632A publication Critical patent/JP2019220632A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7068064B2 publication Critical patent/JP7068064B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

本発明は、被加工物の加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a workpiece.

ウェーハなどの板状ワークには、外周に、表面から裏面に至る面取りが形成されているものがある。このような板状ワークを半分の厚み以下に薄化すると、いわゆるシャープエッジが外周に形成され、板状ワークが破損する可能性がある。これを防ぐため、板状ワークの外周をトリミングして面取りを除去してから、板状ワークを薄化する技術が知られている(たとえば、特許文献１参照)。 Some plate-shaped workpieces such as wafers have chamfers formed on the outer periphery from the front surface to the back surface. When such a plate-shaped work is thinned to less than half the thickness, so-called sharp edges are formed on the outer periphery, and the plate-shaped work may be damaged. In order to prevent this, a technique is known in which the outer periphery of the plate-shaped work is trimmed to remove the chamfer and then the plate-shaped work is thinned (see, for example, Patent Document 1).

また、板状ワークには、結晶方位を示すノッチが形成されたものがある。ノッチは、たとえば、板状ワークをデバイスに分割する際の目印として利用される(たとえば、特許文献２参照)。ノッチ形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチが形成された板状ワークについても、その外周をトリミングして面取りを除去してから薄化が行われている。 Further, some plate-shaped workpieces have a notch formed to indicate the crystal orientation. The notch is used, for example, as a mark when dividing the plate-shaped work into devices (see, for example, Patent Document 2). The notch shape is defined by, for example, the SEMI standard, which is an industry standard. The plate-shaped work in which the notch is formed is also thinned after the outer circumference is trimmed to remove the chamfer.

特開２０００－１７３９６１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-173961 特開２００４－１９８２６４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-198264

しかし、トリミングを実施した板状ワークでは、薄化後に、ノッチが小さくなる、もしくは消失することになる。このため、その後の工程で、板状ワークの結晶方位を正しく検出することが困難になる。 However, in the trimmed plate-shaped work, the notch becomes smaller or disappears after thinning. Therefore, it becomes difficult to correctly detect the crystal orientation of the plate-shaped work in the subsequent steps.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、板状ワークの外周をトリミングしても、板状ワークの結晶方位を認識できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to make it possible to recognize the crystal orientation of the plate-shaped work even if the outer periphery of the plate-shaped work is trimmed.

本発明の被加工物の加工方法は、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の該表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の該表面の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させるとともに、該切削ブレードを該被加工物の半径方向に揺動させることにより、該被加工物の該外周縁を、切削幅を変化させながら切削する外周縁除去ステップと、該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の該表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の該裏面を研削砥石で研削して、該被加工物を所定の厚さへと薄化する研削ステップと、を備え、該外周縁除去ステップにて該被加工物の該表面の該外周縁を切削幅を変化させながら切削し、該被加工物の該表面が、該被加工物の結晶方位に対応する楕円形状を有するように該外周縁を除去することにより、楕円形状により該被加工物の結晶方位を識別可能とすることを特徴とする。 The method for processing a workpiece of the present invention is a method for processing a workpiece having a surface in which a device is formed in a region partitioned by a plurality of scheduled division lines formed in a grid pattern. After performing the holding step of holding the back surface of the workpiece on a holding table to expose the surface of the workpiece and the holding step, the cutting blade is cut into the outer peripheral edge of the surface of the workpiece. An outer peripheral edge removing step for cutting the outer peripheral edge of the workpiece while changing the cutting width by rotating the holding table and swinging the cutting blade in the radial direction of the workpiece. After performing the outer peripheral edge removing step, a surface protection step of covering the region of the surface of the workpiece on which the device is formed with a surface protection member, and after performing the surface protection step, the workpiece of the workpiece. A grinding step of grinding the back surface with a grinding wheel to thin the workpiece to a predetermined thickness is provided, and the outer peripheral edge of the surface of the workpiece is cut in the outer peripheral edge removing step. By cutting while changing the width and removing the outer peripheral edge so that the surface of the work piece has an elliptical shape corresponding to the crystal orientation of the work piece, the work piece has an elliptical shape. It is characterized in that the crystal orientation can be identified.

本発明の加工方法では、外周縁除去ステップにて、被加工物の表面における外周縁を、切削幅を変化させながら切削する。これにより、被加工物の表面から外周縁が除去されるとともに、被加工物の表面が、被加工物の結晶方位に対応する楕円形状を有する。そして、外周縁除去ステップの後の研削ステップにより、被加工物の裏面の外周縁も研削（除去）されるため、被加工物の全体が、表面の形状である楕円形状を有する。このため、研削ステップの後、被加工物の外周縁に形成されていたノッチが消失しても、被加工物の楕円形状（たとえば、その長軸あるいは短軸の延びる方向）に基づいて、被加工物の結晶方位を判別することが可能である。 In the processing method of the present invention, the outer peripheral edge on the surface of the workpiece is cut while changing the cutting width in the outer peripheral edge removing step. As a result, the outer peripheral edge is removed from the surface of the workpiece, and the surface of the workpiece has an elliptical shape corresponding to the crystal orientation of the workpiece. Then, since the outer peripheral edge of the back surface of the workpiece is also ground (removed) by the grinding step after the outer peripheral edge removing step, the entire workpiece has an elliptical shape which is the shape of the surface. Therefore, even if the notch formed on the outer peripheral edge of the workpiece disappears after the grinding step, the workpiece is based on the elliptical shape of the workpiece (for example, the extending direction of its major axis or minor axis). It is possible to determine the crystal orientation of the work piece.

本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer which is an example of the workpiece which concerns on this embodiment. 図１に示したウェーハの断面図である。It is sectional drawing of the wafer shown in FIG. 保持テーブルによって保持され、トリミングが施されているウェーハを示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a wafer held by a holding table and trimmed. 外周縁除去ステップ後のウェーハの表面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the surface of the wafer after the outer peripheral edge removal step. 表面保護テープによって表面が覆われたウェーハを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wafer whose surface was covered with the surface protection tape. 研削装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the grinding apparatus. 研削ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the grinding step. 研削ステップ後のウェーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer after a grinding step. 図９（ａ）および図９（ｂ）は、外周縁除去ステップ後のウェーハにおける表面形状の他の例を示す平面図である。9 (a) and 9 (b) are plan views showing other examples of the surface shape of the wafer after the outer peripheral edge removal step.

本発明の一実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。まず、本実施形態にかかる被加工物の加工方法（本加工方法）における被加工物について、簡単に説明する。 An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the work piece in the work piece processing method (main processing method) according to the present embodiment will be briefly described.

図１に示すように、本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハ１は、たとえば、円板状を有するシリコン基板である。ウェーハ１の表面２ａには、デバイス領域５および外周余剰領域６が形成されている。デバイス領域５では、格子状の分割予定ライン３によって区画された領域のそれぞれに、デバイス４が形成されている。外周余剰領域６は、デバイス領域５を取り囲んでいる。 As shown in FIG. 1, the wafer 1 which is an example of the workpiece according to the present embodiment is, for example, a silicon substrate having a disk shape. A device region 5 and an outer peripheral surplus region 6 are formed on the surface 2a of the wafer 1. In the device region 5, the device 4 is formed in each of the regions partitioned by the grid-shaped division schedule lines 3. The outer peripheral surplus area 6 surrounds the device area 5.

図２に示すように、ウェーハ１の裏面２ｂは、デバイス４を有しておらず、研削砥石などによって研削される被研削面となっている。ウェーハ１の外周縁７には、表面２ａから裏面２ｂにかけて、円弧状に面取りが形成されている。なお、図２では、ウェーハ１の表面２ａに設けられているデバイス４を省略している。 As shown in FIG. 2, the back surface 2b of the wafer 1 does not have the device 4, and is a surface to be ground to be ground by a grinding wheel or the like. The outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is chamfered in an arc shape from the front surface 2a to the back surface 2b. In FIG. 2, the device 4 provided on the surface 2a of the wafer 1 is omitted.

さらに、図１に示すように、ウェーハ１の外周縁７には、ノッチ９が設けられている。ノッチ９は、ウェーハ１の結晶方位を示すマークである。すなわち、本実施形態のウェーハ１は、半導体単結晶を含んでいる。そして、ウェーハ１の結晶方位を示すために、ウェーハ１の外周縁７にノッチ９が設けられている。ノッチ９は、たとえば、ウェーハ１を半導体チップに分割する際のウェーハ１の方向合わせのための目印として利用される。ノッチ９の形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチ９は、たとえば、ウェーハ１の外周縁７に設けられた、ウェーハ１の中央に向かって延びる略三角形状の切り欠き部である。 Further, as shown in FIG. 1, a notch 9 is provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1. The notch 9 is a mark indicating the crystal orientation of the wafer 1. That is, the wafer 1 of the present embodiment contains a semiconductor single crystal. A notch 9 is provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 in order to indicate the crystal orientation of the wafer 1. The notch 9 is used, for example, as a mark for aligning the wafer 1 when dividing the wafer 1 into semiconductor chips. The shape of the notch 9 is defined by, for example, the SEMI standard, which is an industry standard. The notch 9 is, for example, a substantially triangular notch portion provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 and extending toward the center of the wafer 1.

次に、本加工方法に含まれるステップについて説明する。 Next, the steps included in this processing method will be described.

（１）保持ステップ
本加工方法では、まず、ウェーハ１を保持テーブル１０１によって保持する。図３に示すように、保持テーブル１０１により、ウェーハ１の裏面２ｂを保持する。これにより、ウェーハ１の表面２ａが露出する。このとき、たとえば、保持テーブル１０１に載置されたウェーハ１の裏面２ｂ側を、図示しない吸引源によって吸引することにより、保持テーブル１０１がウェーハ１を吸引保持する。 (1) Holding Step In this processing method, the wafer 1 is first held by the holding table 101. As shown in FIG. 3, the back surface 2b of the wafer 1 is held by the holding table 101. As a result, the surface 2a of the wafer 1 is exposed. At this time, for example, the holding table 101 sucks and holds the wafer 1 by sucking the back surface 2b side of the wafer 1 placed on the holding table 101 by a suction source (not shown).

（２）外周縁除去ステップ
保持ステップを実施した後、回転する切削ブレード１０３を、ウェーハ１の表面２ａにおける外周縁７に切り込ませ、保持テーブル１０１を回転させる。これにより、ウェーハ１の外周縁７の表面２ａ側を除去（トリミング）する。すなわち、ウェーハ１の表面２ａの外周縁７に、エッジトリミングを行う。使用される切削ブレード１０３は、フラットな刃先を有する。 (2) Outer peripheral edge removing step After performing the holding step, the rotating cutting blade 103 is cut into the outer peripheral edge 7 on the surface 2a of the wafer 1 to rotate the holding table 101. As a result, the surface 2a side of the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is removed (trimmed). That is, edge trimming is performed on the outer peripheral edge 7 of the surface 2a of the wafer 1. The cutting blade 103 used has a flat cutting edge.

このステップでは、たとえば、保持テーブル１０１を切削ブレード１０３の下方に配置し、切削ブレード１０３を矢印Ｂ方向に回転させながら、切削ブレード１０３をウェーハ１の表面２ａに接近する方向に降下させて、切削ブレード１０３の刃先を外周縁７に切り込ませる。次いで、保持テーブル１０１を、矢印Ａ方向に回転させる。そうすると、切削ブレード１０３が降下するにつれて、外周縁７が徐々に削られていく。これにより、外周縁７が、リング状にエッジトリミングされる。 In this step, for example, the holding table 101 is arranged below the cutting blade 103, the cutting blade 103 is rotated in the direction of arrow B, and the cutting blade 103 is lowered in a direction approaching the surface 2a of the wafer 1 to perform cutting. The cutting edge of the blade 103 is cut into the outer peripheral edge 7. Next, the holding table 101 is rotated in the direction of arrow A. Then, as the cutting blade 103 descends, the outer peripheral edge 7 is gradually scraped. As a result, the outer peripheral edge 7 is edge-trimmed in a ring shape.

この外周縁除去ステップにより、図４に示すように、ウェーハ１の外周縁７の一部分（表面２ａ側）が除去されて、外周切削部８が形成される。その結果、ウェーハ１の表面２ａでは、ノッチ９が消失する。 By this outer peripheral edge removing step, as shown in FIG. 4, a part (surface 2a side) of the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is removed, and the outer peripheral cutting portion 8 is formed. As a result, the notch 9 disappears on the surface 2a of the wafer 1.

特に、本加工方法では、外周縁除去ステップにおいて、切削ブレード１０３をウェーハ１の半径方向に揺動させながら、ウェーハ１の表面２ａにおける外周縁７を切削（除去）する。すなわち、切削ブレード１０３の回転軸心方向に切削ブレード１０３を前後移動させながら、外周縁７を、切削幅を変化させながら切削する。これにより、図４に示すように、ウェーハ１の表面２ａは、長軸（長辺）Ｌ１および短軸（短辺）Ｌ２を有する楕円形状を有する。なお、たとえば、外周縁除去ステップでは、表面２ａを楕円形状とするために、ウェーハ１を保持した保持テーブル１０１を１回転させるたびに、切削ブレード１０３を、２回（２往復）、ウェーハ１の半径方向に揺動させる。 In particular, in this processing method, in the outer peripheral edge removing step, the outer peripheral edge 7 on the surface 2a of the wafer 1 is cut (removed) while the cutting blade 103 is swung in the radial direction of the wafer 1. That is, the outer peripheral edge 7 is cut while changing the cutting width while moving the cutting blade 103 back and forth in the direction of the rotation axis of the cutting blade 103. As a result, as shown in FIG. 4, the surface 2a of the wafer 1 has an elliptical shape having a long axis (long side) L1 and a short axis (short side) L2. For example, in the outer peripheral edge removing step, in order to make the surface 2a an elliptical shape, each time the holding table 101 holding the wafer 1 is rotated once, the cutting blade 103 is moved twice (two reciprocations) of the wafer 1. Swing in the radial direction.

また、特に、この外周縁除去ステップでは、図４に示すように、ウェーハ１の表面２ａの楕円形状の短辺Ｌ２が、ノッチ９の延びる方向（ノッチ９とウェーハ１の中心とを結ぶ直線に平行）に沿うように、切削ブレード１０３が揺動され、表面２ａの楕円形状が形成される。 Further, in particular, in this outer peripheral edge removing step, as shown in FIG. 4, the elliptical short side L2 of the surface 2a of the wafer 1 becomes a straight line connecting the notch 9 and the center of the wafer 1 in the extending direction of the notch 9. The cutting blade 103 is swung along (parallel) to form an elliptical shape of the surface 2a.

このような楕円形状とノッチ９の位置との関係を実現するために、外周縁除去ステップを実施する加工者は、ウェーハ１におけるノッチ９の位置を、あらかじめ確認しておく。ここで、ノッチ９は比較的に小さい部位であるため、ノッチ９を視認しにくい場合もありえる。この場合、加工者は、ノッチ９を直接に視認することなく、ノッチ９の位置を確認することもできる。たとえば、ノッチ９が、デバイス４の配列方向（分割予定ライン３と平行）に延びている場合がある。この場合には、加工者は、デバイス４の配列方向に基づいて、ノッチ９の位置を確認することができる。 In order to realize the relationship between the elliptical shape and the position of the notch 9, the processor performing the outer peripheral edge removing step confirms the position of the notch 9 on the wafer 1 in advance. Here, since the notch 9 is a relatively small portion, it may be difficult to visually recognize the notch 9. In this case, the processor can also confirm the position of the notch 9 without directly visually recognizing the notch 9. For example, the notch 9 may extend in the arrangement direction of the device 4 (parallel to the planned division line 3). In this case, the processor can confirm the position of the notch 9 based on the arrangement direction of the device 4.

また、外周縁除去ステップを実施するための装置（切削装置）が、ウェーハ１のノッチ９を撮影して加工者に表示するためのカメラシステムを備えていてもよい。この場合、加工者は、カメラシステムの表示画面を用いてノッチ９の位置を確認しながら、外周縁除去ステップを実施することができる。また、カメラにより撮影した画像とあらかじめ記憶させたノッチ９を含む画像とのパターンマッチング処理によってノッチ９を検出するようにしてもよい。 Further, the device (cutting device) for carrying out the outer peripheral edge removing step may include a camera system for photographing the notch 9 of the wafer 1 and displaying it to the processor. In this case, the processor can carry out the outer peripheral edge removing step while confirming the position of the notch 9 using the display screen of the camera system. Further, the notch 9 may be detected by pattern matching processing between the image taken by the camera and the image including the notch 9 stored in advance.

（３）表面保護ステップ
外周縁除去ステップを実施した後、ウェーハ１の表面２ａのデバイス４が形成されたデバイス領域５を、表面保護部材としての表面保護テープ１０によって覆う。 (3) Surface Protection Step After performing the outer peripheral edge removal step, the device region 5 on which the device 4 is formed on the surface 2a of the wafer 1 is covered with the surface protection tape 10 as a surface protection member.

このステップでは、図５に示すように、表面保護テープ１０を、ウェーハ１の表面２ａに貼着する。表面保護テープ１０は、ウェーハ１の表面２ａに形成されたデバイス４を保護する。表面保護テープ１０は、ウェーハ１の表面２ａの全面を覆う面積を有している。 In this step, as shown in FIG. 5, the surface protective tape 10 is attached to the surface 2a of the wafer 1. The surface protective tape 10 protects the device 4 formed on the surface 2a of the wafer 1. The surface protective tape 10 has an area covering the entire surface 2a of the wafer 1.

表面保護テープ１０をウェーハ１に貼着する際には、たとえば、ウェーハ１の表面２ａの全面に対して、接着剤が塗布される。この接着剤を介して、表面保護テープ１０を貼着することで、ウェーハ１の表面２ａの全面を、表面保護テープ１０によって覆うことができる。接着剤は、たとえばシリコンからなるウェーハ１に対して接着力を有する材料（糊）を含んでいる。表面保護テープ１０は、デバイス４による凹凸を吸収しながら、ウェーハ１に密着する。これにより、表面保護テープ１０によって、ウェーハ１の表面２ａの全面が覆われ、デバイス４が保護される。 When the surface protective tape 10 is attached to the wafer 1, for example, an adhesive is applied to the entire surface of the surface 2a of the wafer 1. By attaching the surface protective tape 10 via this adhesive, the entire surface of the surface 2a of the wafer 1 can be covered with the surface protective tape 10. The adhesive contains, for example, a material (glue) having an adhesive force with respect to the wafer 1 made of silicon. The surface protective tape 10 adheres to the wafer 1 while absorbing the unevenness caused by the device 4. As a result, the surface protective tape 10 covers the entire surface 2a of the wafer 1 and protects the device 4.

なお、図５に示す例では、表面保護テープ１０が、デバイス４による凹凸に対し、空間を空けずに密着している。しかし、表面保護テープ１０は、凹凸の一部に接触するように貼付されてもよい。 In the example shown in FIG. 5, the surface protective tape 10 is in close contact with the unevenness caused by the device 4 without leaving a space. However, the surface protective tape 10 may be attached so as to come into contact with a part of the unevenness.

また、本実施形態では、ウェーハ１のデバイス領域５を保護する表面保護部材として、樹脂が用いられてもよい。すなわち、表面保護ステップは、ウェーハ１の表面２ａを樹脂で覆う樹脂被覆ステップを含んでいてもよい。 Further, in the present embodiment, a resin may be used as a surface protection member that protects the device region 5 of the wafer 1. That is, the surface protection step may include a resin coating step of covering the surface 2a of the wafer 1 with a resin.

（４）研削ステップ
表面保護ステップを実施した後、ウェーハ１の裏面２ｂを研削砥石で研削して、ウェーハ１を所定の厚さへと薄化する。 (4) Grinding Step After performing the surface protection step, the back surface 2b of the wafer 1 is ground with a grinding wheel to thin the wafer 1 to a predetermined thickness.

まず、研削ステップに用いられる研削装置の構成について説明する。図６に示す研削装置２００は、ウェーハ１に研削加工を施す装置である。研削装置２００は、搬送・収納部２０１、テーブル部２０２および研削部２０３を備えている。 First, the configuration of the grinding device used for the grinding step will be described. The grinding device 200 shown in FIG. 6 is a device that grinds the wafer 1. The grinding device 200 includes a transport / storage unit 201, a table unit 202, and a grinding unit 203.

搬送・収納部２０１は、研削の前後のウェーハ１を収納するとともに、テーブル部２０２との間でウェーハ１を搬送する。搬送・収納部２０１は、研削前のウェーハ１を収容する第１のカセット２１１と、研削済みのウェーハ１を収容する第２のカセット２１２と、ウェーハ１を搬送するロボットアーム部（搬送部材）２１３と、ウェーハ１の中心を一定の位置に合わせる位置あわせ部２１４と、研削後のウェーハ１を洗浄する洗浄手段２１５とを備えている。 The transport / storage unit 201 stores the wafer 1 before and after grinding, and also transports the wafer 1 to and from the table unit 202. The transport / storage unit 201 includes a first cassette 211 that accommodates the wafer 1 before grinding, a second cassette 212 that accommodates the ground wafer 1, and a robot arm unit (conveyance member) 213 that conveys the wafer 1. It is provided with an alignment portion 214 for aligning the center of the wafer 1 with a fixed position, and a cleaning means 215 for cleaning the wafer 1 after grinding.

テーブル部２０２は、ターンテーブル２２１、および、ターンテーブル２２１の上面に備えられた３つのチャックテーブル（保持テーブル）２２２を含んでいる。チャックテーブル２２２は、ウェーハ１を吸着・固定した状態で、ターンテーブル２２１の自転によって、ＸＹ平面上で公転可能である。ターンテーブル２２１は、チャックテーブル２２２を公転させることによって、ウェーハ１を研削部２０３の所定位置に配置する。また、３つのチャックテーブル２２２は、それぞれが自転可能である。 The table portion 202 includes a turntable 221 and three chuck tables (holding tables) 222 provided on the upper surface of the turntable 221. The chuck table 222 can revolve on the XY plane by the rotation of the turntable 221 in a state where the wafer 1 is attracted and fixed. The turntable 221 revolves the chuck table 222 to arrange the wafer 1 at a predetermined position of the grinding unit 203. Further, each of the three chuck tables 222 can rotate on its axis.

研削部２０３は、粗研削部２３１および仕上げ研削部２３２を備えている。粗研削部２３１は、回転軸２３３とともに回転可能な研削ホイール２３５を備えている。研削ホイール２３５の底面には、複数の粗研削砥石２３６が環状に配設されている。粗研削砥石２３６は、粗研削に用いられる砥石であり、例えば、砥石中に比較的大きい砥粒を含む。研削部２０３には、粗研削部２３１をＺ軸方向に研削送りする研削送り部２３８が備えられている。 The grinding unit 203 includes a rough grinding unit 231 and a finish grinding unit 232. The rough grinding unit 231 includes a grinding wheel 235 that can rotate together with the rotating shaft 233. A plurality of coarse grinding wheels 236 are arranged in an annular shape on the bottom surface of the grinding wheel 235. The rough grinding wheel 236 is a grindstone used for rough grinding, and for example, the grindstone contains relatively large abrasive grains. The grinding unit 203 is provided with a grinding feed unit 238 that grinds and feeds the rough grinding unit 231 in the Z-axis direction.

仕上げ研削部２３２は、粗研削によって仕上げ厚さ程度にまで薄化されたウェーハ１に対して、平坦性を高める仕上げ研削を行う。仕上げ研削部２３２は、粗研削砥石２３６に代えて仕上げ研削砥石２３７を備えていることを除いて、粗研削部２３１と同様の構成を有する。仕上げ研削砥石２３７は、粗研削砥石２３６に含まれる砥粒よりも小さい粒径の砥粒を含んでいる。研削部２０３には、仕上げ研削部２３２をＺ軸方向に研削送りする研削送り部２３９が備えられている。 The finish grinding unit 232 performs finish grinding to improve the flatness of the wafer 1 thinned to about the finish thickness by rough grinding. The finish grinding unit 232 has the same configuration as the rough grinding unit 231 except that the finish grinding wheel 237 is provided in place of the rough grinding wheel 236. The finish grinding wheel 237 contains abrasive grains having a smaller particle size than the abrasive grains contained in the rough grinding wheel 236. The grinding unit 203 is provided with a grinding feed unit 239 that grinds and feeds the finish grinding unit 232 in the Z-axis direction.

次に、研削ステップにおける研削装置２００の動作について説明する。まず、ロボットアーム部２１３が、第１のカセット２１１から研削前のウェーハ１を取り出し、テーブル部２０２のチャックテーブル２２２上に載置する。この際、図７に示すように、ウェーハ１の表面保護テープ１０が、チャックテーブル２２２に吸引保持される。これにより、ウェーハ１の裏面２ｂが、上向き（Ｚ方向）に露出する。 Next, the operation of the grinding device 200 in the grinding step will be described. First, the robot arm unit 213 takes out the wafer 1 before grinding from the first cassette 211 and places it on the chuck table 222 of the table unit 202. At this time, as shown in FIG. 7, the surface protective tape 10 of the wafer 1 is sucked and held by the chuck table 222. As a result, the back surface 2b of the wafer 1 is exposed upward (Z direction).

その後、粗研削が実施される。すなわち、図６に示すターンテーブル２２１が回転することによって、ウェーハ１を保持したチャックテーブル２２２が、粗研削部２３１の下方に移動する。 After that, rough grinding is carried out. That is, as the turntable 221 shown in FIG. 6 rotates, the chuck table 222 holding the wafer 1 moves below the rough grinding portion 231.

その後、図７に示すように、チャックテーブル２２２が、たとえば矢印Ａ方向に回転する。さらに、粗研削部２３１の研削ホイール２３５が、矢印Ａ方向に回転しながら降下する。そして、粗研削砥石２３６が、ウェーハ１の裏面２ｂを、押圧しながら研削する。この研削では、ウェーハ１の残存している外周縁７が除去されて、粗研削砥石２３６が外周切削部８に至るまで、ウェーハ１の裏面２ｂが削られる。 After that, as shown in FIG. 7, the chuck table 222 rotates in the direction of arrow A, for example. Further, the grinding wheel 235 of the rough grinding portion 231 descends while rotating in the direction of arrow A. Then, the rough grinding wheel 236 grinds the back surface 2b of the wafer 1 while pressing the back surface 2b. In this grinding, the remaining outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is removed, and the back surface 2b of the wafer 1 is ground until the rough grinding wheel 236 reaches the outer peripheral cutting portion 8.

さらにその後、仕上げ研削が実施される。すなわち、図６に示すターンテーブル２２１が回転することによって、ウェーハ１を保持したチャックテーブル２２２が、仕上げ研削部２３２の下方に移動する。仕上げ研削部２３２の研削ホイール２３５が、回転しながら降下し、仕上げ研削砥石２３７が、ウェーハ１の裏面２ｂを、押圧しながら仕上げ研削する。この仕上げ研削では、ウェーハ１の裏面２ｂの全面が略均一な厚さを有するように、裏面２ｂの平坦性が高められる。仕上げ研削されたウェーハ１は、ロボットアーム部２１３によってチャックテーブル２２２から取り外され、第２のカセット２１２に収納される。 After that, finish grinding is performed. That is, as the turntable 221 shown in FIG. 6 rotates, the chuck table 222 holding the wafer 1 moves below the finish grinding section 232. The grinding wheel 235 of the finish grinding unit 232 descends while rotating, and the finish grinding wheel 237 presses the back surface 2b of the wafer 1 for finish grinding. In this finish grinding, the flatness of the back surface 2b is enhanced so that the entire surface of the back surface 2b of the wafer 1 has a substantially uniform thickness. The finish-ground wafer 1 is removed from the chuck table 222 by the robot arm portion 213 and stored in the second cassette 212.

図８に示すように、研削ステップでは、ウェーハ１から外周縁７が除去されるため、外周縁７の裏面２ｂ側に残存していたノッチ９（図４参照）も消失する。また、研削ステップでは、外周切削部８に至るまでウェーハ１の裏面２ｂが削られるため、ウェーハ１の全体が、研削ステップ前の表面２ａの形状である楕円形状を有することになる。 As shown in FIG. 8, in the grinding step, since the outer peripheral edge 7 is removed from the wafer 1, the notch 9 (see FIG. 4) remaining on the back surface 2b side of the outer peripheral edge 7 also disappears. Further, in the grinding step, since the back surface 2b of the wafer 1 is scraped up to the outer peripheral cutting portion 8, the entire wafer 1 has an elliptical shape which is the shape of the surface 2a before the grinding step.

その後、ウェーハ１は、公知の方法で分割予定ライン３（図１参照）に沿って分断されて、最終製品であるチップが形成される（分断ステップ）。 After that, the wafer 1 is divided along the scheduled division line 3 (see FIG. 1) by a known method to form a chip as a final product (division step).

以上のように、本加工方法では、外周縁除去ステップにて、ウェーハ１の表面２ａの外周縁７を、切削ブレード１０３をウェーハ１の半径方向に揺動させながら（切削ブレード１０３の位置をウェーハ１の半径方向に変化させながら）、切削する。すなわち、外周縁７を、切削幅を変化させながら切削する。これにより、ウェーハ１の表面２ａから外周縁７が除去されるとともに、ウェーハ１の表面２ａが楕円形状を有する。さらに、この外周縁除去ステップでは、図４に示すように、ウェーハ１の表面２ａにおける楕円形状の短辺Ｌ２が、ウェーハ１の結晶方位を示すノッチ９の延びる方向（ノッチ９とウェーハ１の中心とを結ぶ直線に平行な方向）に沿うように、切削ブレード１０３が揺動される。したがって、ウェーハ１の表面２ａの楕円形状は、ウェーハ１の結晶方位に対応した形状となる。
そして、外周縁除去ステップの後の研削ステップにより、ウェーハ１の裏面２ｂの外周縁７も研削（除去）されるため、ウェーハ１の全体が、表面２ａの形状である楕円形状を有する。このため、ウェーハ１の楕円形状に基づいて、ウェーハ１の結晶方位を判別（識別）することが可能となっている。 As described above, in this processing method, in the outer peripheral edge removing step, the outer peripheral edge 7 of the surface 2a of the wafer 1 is swung in the radial direction of the wafer 1 with the cutting blade 103 (the position of the cutting blade 103 is changed to the wafer). (While changing in the radial direction of 1), cut. That is, the outer peripheral edge 7 is cut while changing the cutting width. As a result, the outer peripheral edge 7 is removed from the surface 2a of the wafer 1, and the surface 2a of the wafer 1 has an elliptical shape. Further, in this outer peripheral edge removing step, as shown in FIG. 4, the elliptical short side L2 on the surface 2a of the wafer 1 extends in the extending direction of the notch 9 indicating the crystal orientation of the wafer 1 (the center of the notch 9 and the wafer 1). The cutting blade 103 is swung along the direction parallel to the straight line connecting the and. Therefore, the elliptical shape of the surface 2a of the wafer 1 has a shape corresponding to the crystal orientation of the wafer 1.
Then, since the outer peripheral edge 7 of the back surface 2b of the wafer 1 is also ground (removed) by the grinding step after the outer peripheral edge removing step, the entire wafer 1 has an elliptical shape which is the shape of the surface surface 2a. Therefore, it is possible to discriminate (identify) the crystal orientation of the wafer 1 based on the elliptical shape of the wafer 1.

なお、本実施形態では、外周縁除去ステップにより、ウェーハ１（表面２ａ）の楕円形状の短辺Ｌ２が、ノッチ９の延びる方向に沿っている。しかしながら、これに限らず、ウェーハ１（表面２ａ）の楕円形状の長辺Ｌ１が、ノッチ９の延びる方向に沿うように、外周縁除去ステップが実施されてもよい。すなわち、ウェーハ１の表面２ａの楕円形状とノッチ９の位置とが、所定の関係を有していればよい。このような場合でも、ウェーハ１（表面２ａ）の楕円形状に基づいて、ウェーハ１の結晶方位を判別することが可能となる。 In this embodiment, the elliptical short side L2 of the wafer 1 (surface 2a) is along the extending direction of the notch 9 by the outer peripheral edge removing step. However, the present invention is not limited to this, and the outer peripheral edge removing step may be performed so that the long side L1 of the elliptical shape of the wafer 1 (surface 2a) is along the extending direction of the notch 9. That is, the elliptical shape of the surface 2a of the wafer 1 and the position of the notch 9 may have a predetermined relationship. Even in such a case, it is possible to determine the crystal orientation of the wafer 1 based on the elliptical shape of the wafer 1 (surface 2a).

また、本実施形態では、外周縁除去ステップにおいて、ウェーハ１の表面２ａを、ウェーハ１の結晶方位に対応する楕円形状としている。しかしながら、ウェーハ１の表面２ａは、ウェーハ１の結晶方位に対応する他の形状を有してもよい。たとえば、図９（ａ）（ｂ）に示すように、ウェーハ１の表面２ａは、しずく状の突出部３０１あるいはなだらかな凸部３０２を有する、扁平な形状を有してもよい。この構成では、突出部３０１および凸部３０２の位置および／または形状が、ウェーハ１の結晶方位と対応している。この構成では、研削ステップの後では、ウェーハ１の全体が、図９（ａ）（ｂ）に示す表面２ａと同様に、突出部３０１および凸部３０２を有する形状となる。したがって、突出部３０１あるいは凸部３０２に基づいて、ウェーハ１の結晶方位を判別（識別）することが可能である。 Further, in the present embodiment, in the outer peripheral edge removing step, the surface 2a of the wafer 1 has an elliptical shape corresponding to the crystal orientation of the wafer 1. However, the surface 2a of the wafer 1 may have another shape corresponding to the crystal orientation of the wafer 1. For example, as shown in FIGS. 9A and 9B, the surface 2a of the wafer 1 may have a flat shape having a drop-shaped protrusion 301 or a gentle protrusion 302. In this configuration, the positions and / or shapes of the protrusions 301 and 302 correspond to the crystal orientation of the wafer 1. In this configuration, after the grinding step, the entire wafer 1 has a shape having a protrusion 301 and a protrusion 302, similar to the surface 2a shown in FIGS. 9A and 9B. Therefore, it is possible to discriminate (identify) the crystal orientation of the wafer 1 based on the protrusion 301 or the protrusion 302.

また、本実施形態では、外周縁除去ステップ後におけるウェーハ１の表面２ａの形状（研削ステップ後におけるウェーハ１の形状）を、楕円と表現している。この「楕円」という表現は、当然のことながら、２つの焦点を有する厳密な楕円形状に限られず、ウェーハ１の結晶方位を判別できるような対称性（たとえば、１回対称性あるいは２回対称性）を有する任意の形状を含む。 Further, in the present embodiment, the shape of the surface 2a of the wafer 1 after the outer peripheral edge removal step (the shape of the wafer 1 after the grinding step) is expressed as an ellipse. The expression "ellipse" is, of course, not limited to an exact elliptical shape having two focal points, and is symmetric (for example, one-time symmetry or two-time symmetry) so as to determine the crystal orientation of the wafer 1. ) Includes any shape.

また、本実施形態では、ウェーハ１の表面２ａから裏面２ｂにかけて、円弧状に面取りが形成され、外周縁７が、リング状にエッジトリミングされる。しかし、トリミングされるべき外周縁７は、面取りによって形成されるものだけではない。たとえば、ウェーハ１の外周縁７に段差が形成されている場合にも、同様に、外周縁７をトリミングすることが好ましい。 Further, in the present embodiment, chamfering is formed in an arc shape from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 1, and the outer peripheral edge 7 is edge trimmed in a ring shape. However, the outer peripheral edge 7 to be trimmed is not limited to that formed by chamfering. For example, even when a step is formed on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1, it is preferable to trim the outer peripheral edge 7 in the same manner.

１：ウェーハ、２ａ：表面、２ｂ：裏面、３：分割予定ライン、４：デバイス、
５：デバイス領域、６：外周余剰領域、７：外周縁、８：外周切削部、９：ノッチ、
１０１：保持テーブル、１０３：切削ブレード
１０：表面保護テープ、１１：接着層
２００：研削装置、搬送・収納部２０１、２０２：テーブル部、２０３：研削部、
２１３：ロボットアーム部、２２１：ターンテーブル、２２２：チャックテーブル、
２３１：粗研削部、２３２：仕上げ研削部、
２３６：粗研削砥石、２３７：仕上げ研削砥石 1: Wafer, 2a: Front side, 2b: Back side, 3: Scheduled division line, 4: Device,
5: Device area, 6: Outer peripheral surplus area, 7: Outer peripheral edge, 8: Outer peripheral cutting part, 9: Notch,
101: Holding table, 103: Cutting blade 10: Surface protective tape, 11: Adhesive layer 200: Grinding device, Transport / storage section 201, 202: Table section, 203: Grinding section,
213: Robot arm part, 221: Turn table, 222: Chuck table,
231: Rough grinding part, 232: Finish grinding part,
236: Rough grinding wheel, 237: Finish grinding wheel

Claims (1)

格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の該表面を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の該表面の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させるとともに、該切削ブレードを該被加工物の半径方向に揺動させることにより、該被加工物の該外周縁を、切削幅を変化させながら切削する外周縁除去ステップと、
該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の該表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、
該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の該裏面を研削砥石で研削して、該被加工物を所定の厚さへと薄化する研削ステップと、を備え、
該外周縁除去ステップにて該被加工物の該表面の該外周縁を切削幅を変化させながら切削し、該被加工物の該表面が、該被加工物の結晶方位に対応する楕円形状を有するように該外周縁を除去することにより、楕円形状により該被加工物の結晶方位を識別可能とすることを特徴とする被加工物の加工方法。 A method for processing a workpiece having a surface on which a device is formed in a region partitioned by a plurality of scheduled division lines formed in a grid pattern.
A holding step of holding the back surface of the work piece on a holding table to expose the front side of the work piece,
After performing the holding step, the cutting blade is cut into the outer peripheral edge of the surface of the work piece, the holding table is rotated, and the cutting blade is swung in the radial direction of the work piece. With the outer peripheral edge removing step of cutting the outer peripheral edge of the workpiece while changing the cutting width.
After performing the outer peripheral edge removing step, a surface protection step of covering the region of the surface of the workpiece on which the device is formed with a surface protection member,
After performing the surface protection step, the back surface of the workpiece is ground with a grinding wheel to provide a grinding step for thinning the workpiece to a predetermined thickness.
In the outer peripheral edge removing step, the outer peripheral edge of the surface of the workpiece is cut while changing the cutting width, and the surface of the workpiece has an elliptical shape corresponding to the crystal orientation of the workpiece. A method for processing a workpiece, which comprises removing the outer peripheral edge so as to have an elliptical shape so that the crystal orientation of the workpiece can be identified.
JP2018118692A 2018-06-22 2018-06-22 Processing method of work piece Active JP7068064B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018118692A JP7068064B2 (en) 2018-06-22 2018-06-22 Processing method of work piece
KR1020190061724A KR20200000337A (en) 2018-06-22 2019-05-27 Method for processing a workpiece
CN201910519907.1A CN110634736B (en) 2018-06-22 2019-06-17 Method for processing object to be processed
TW108121271A TWI799604B (en) 2018-06-22 2019-06-19 Workpiece processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018118692A JP7068064B2 (en) 2018-06-22 2018-06-22 Processing method of work piece

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019220632A JP2019220632A (en) 2019-12-26
JP7068064B2 true JP7068064B2 (en) 2022-05-16

Family

ID=68968867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018118692A Active JP7068064B2 (en) 2018-06-22 2018-06-22 Processing method of work piece

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7068064B2 (en)
KR (1) KR20200000337A (en)
CN (1) CN110634736B (en)
TW (1) TWI799604B (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403315B (en) * 2020-03-03 2022-03-18 上海华力集成电路制造有限公司 Wafer trimming device and method
USD969050S1 (en) * 2020-12-03 2022-11-08 Ralph Preston Kirtland Vehicle bumper brace
JP2022139624A (en) 2021-03-12 2022-09-26 株式会社ディスコ Processing device and processing method
CN115132568A (en) * 2021-03-25 2022-09-30 三美电机株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
CN113510609B (en) * 2021-07-12 2023-09-08 长鑫存储技术有限公司 Wafer and wafer processing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283677A (en) 2008-05-22 2009-12-03 Sumco Corp Semiconductor wafer and method of manufacturing the same
JP2013115187A (en) 2011-11-28 2013-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256105A (en) * 1997-03-11 1998-09-25 Super Silicon Kenkyusho:Kk Wafer with laser mark
JP4354769B2 (en) * 2003-09-19 2009-10-28 株式会社ディスコ Wafer polishing method
JP2007329391A (en) * 2006-06-09 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd Crystal orientation indication mark detecting mechanism of semiconductor wafer
JP2009064801A (en) * 2007-09-04 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer
JP5352331B2 (en) * 2009-04-15 2013-11-27 ダイトエレクトロン株式会社 Wafer chamfering method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283677A (en) 2008-05-22 2009-12-03 Sumco Corp Semiconductor wafer and method of manufacturing the same
JP2013115187A (en) 2011-11-28 2013-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of wafer

Also Published As

Publication number Publication date
CN110634736A (en) 2019-12-31
TWI799604B (en) 2023-04-21
CN110634736B (en) 2023-08-04
JP2019220632A (en) 2019-12-26
KR20200000337A (en) 2020-01-02
TW202002093A (en) 2020-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7068064B2 (en) Processing method of work piece
KR102505700B1 (en) Method of machining wafer
US20160064230A1 (en) Wafer processing method
TW201630063A (en) Processing method for wafers of two-layer structure
TW201701344A (en) Method for machining wafer forming a first cutting groove with depth equivalent to product thickness of device by a cutting cutter with a first thickness along cutting scheduled line from surface side of wafer
TW201705257A (en) Processing method of wafer forms a plurality of division predetermined lines on the surface into lattice
JP5072020B2 (en) Grinding member dressing method and grinding apparatus
TWI804670B (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2019212797A (en) Wafer processing method and grinding device
JP2021174896A (en) Processing method and holding table
JP2009099870A (en) Processing method for wafer
JP2018060912A (en) Processing method
JP6938261B2 (en) Wafer processing method and cutting equipment
JP2009130315A (en) Cutting method of wafer
JP7075293B2 (en) Processing method of work piece
JP2009302369A (en) Method and apparatus for processing plate-like object
JP6890495B2 (en) Wafer processing method
JP7025249B2 (en) Grinding method for workpieces.
JP6045426B2 (en) Wafer transfer method and surface protection member
JP6938160B2 (en) Processing method of work piece
JP6770902B2 (en) Processing method of work piece
JP2017157750A (en) Processing method of wafer
JP6854707B2 (en) Wafer processing method
JP2021068744A (en) Wafer processing method
JP2007165802A (en) Grinding machine and method for substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210401

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220330

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7068064

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150