JP6823856B1 - 接合体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1] 耐酸化性金属製部材と銅製部材または銅製部材同士が、両部材間に介在する銀粒子焼結物により接合されている接合体であって、銀粒子焼結物に接している銅製部材の内部には平均粒径が5nm以上50nm以下である微粒子状銅酸化物が散在することを特徴とする、耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体。
[2] 銀粒子焼結物に接している銅製部材の、電子顕微鏡による断面写真において、銀粒子焼結物との境界線に短辺が接する長方形(ただし、境界線に接する短辺の長さが100nmであり、境界線から銅製部材内部方向に延びる長辺の長さが300nmである)内に、微粒子状銅酸化物が3個以上存在することを特徴とする、[1]に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体。
[3] 微粒子状銅酸化物の形状が、球状、粒状または涙滴状であることを特徴とする、[1]または[2]に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体。
[4] 銀粒子焼結物の体積抵抗率が1×10−5Ω・cm以下であり、かつ、熱伝導率が100W/m・K以上であることを特徴とする、[1]から[3]のいずれかに記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体。
[5] (A1)平均粒径が0.005μm以上0.5μm以下であり、極性基を有する有機物で被覆された加熱焼結性銀微粒子、(A2)平均粒径が0.6μm以上10μm以下であり、極性基を有する有機物で被覆された加熱焼結性銀粒子、および、(B)揮発性分散媒とからなり、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の合計質量に対する加熱焼結性銀微粒子(A1)の質量比率が5%以上40%以下であり、加熱焼結性銀粒子(A2)の質量比率が60%以上95%以下であるペースト状銀粒子組成物を、耐酸化性金属製部材と銅製部材間または銅製部材同士間に介在させ、酸素ガス濃度が0.01体積%以上2体積%以下の低酸素濃度不活性ガス中で、70℃以上300℃以下で加熱することにより、揮発性分散媒(B)を揮散させ、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の混合物を焼結せしめて耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体を製造する方法であって、該混合物から生成した銀粒子焼結物と接する銅製部材の内部には平均粒径が5nm以上50nm以下である微粒子状銅酸化物が散在することを特徴とする、耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
[6] (A1)の平均粒径が0.005μm以上0.4μm以下であり、(A2)の平均粒径が0.7μm以上10μm以下であり、銀粒子焼結物に接している銅製部材の、電子顕微鏡による断面写真において、銀粒子焼結物との境界線に短辺が接する長方形(ただし、境界線に接する短辺の長さが100nmであり、境界線から銅製部材内部方向に延びる長辺の長さが300nmである)内に、微粒子状銅酸化物が3個以上存在することを特徴とする、[5]に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
[7] 微粒子状銅酸化物の形状が、球状、粒状または涙滴状であることを特徴とする、[5]または[6]に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
[8] 耐酸化性金属製部材の金属が、銀、金、白金、パラジウム、または、これら各金属の合金から選択され、不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、[5]から[7]のいずれかに記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
[9] 耐酸化性金属製部材と銅製部材または銅製部材同士が、両部材間に介在する銀粒子焼結物により接合されている接合体を有する電子装置であって、銀粒子焼結物と接する銅製部材の内部には平均粒径が5nm以上50nm以下である微粒子状銅酸化物が散在することを特徴とする、電子装置。
[10] 銀粒子焼結物に接している銅製部材の、電子顕微鏡による断面写真において、銀粒子焼結物との境界線に短辺が接する長方形(ただし、境界線に接する短辺の長さが100nmであり、境界線から銅製部材内部方向に延びる長辺の長さが300nmである)内に、微粒子状銅酸化物が3個以上存在することを特徴とする、[9]に記載の電子装置。
[11] 微粒子状銅酸化物の形状が、球状、粒状または涙滴状であることを特徴とする、[9]または[10]に記載の電子装置。
[12] 銅製部材が銅製もしくは銅メッキ回路基板または銅製もしくは銅メッキリードフレームであり、耐酸化性金属製部材が耐酸化性金属部分を有するコンデンサおよび抵抗から選択されるチップ部品、または、耐酸化性金属部分を有するダイオード、トランジスタ、メモリ、ICおよびCPUから選択される半導体チップであることを特徴とする、[9]から[11]のいずれかに記載の電子装置により達成される。
本発明の接合体の製造方法によれば、接合強度が大きく、接合強度の耐熱衝撃性が優れる接合体を確実に製造することができる。また、銅製部材がほぼ変色していない接合体を確実に製造することができる。
本発明の電子装置は、耐酸化性金属製部材と銅製部材または銅製部材同士が、両部材間に介在する銀粒子焼結物により接合されている接合体を有するので、信頼性が高い。
この長方形から粒子の一部がはみ出している微粒子状銅酸化物は測定の対象外である。
なお、本願では、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の混合物の焼結物は、厳密には、銀微粒子と銀粒子の焼結物であるが、便宜上、銀粒子焼結物と記載している。
加熱焼結性銀粒子(A2)は単結晶、多結晶のいずれでもよいが、耐酸化性金属製部材と銅製部材への接着性の点で多結晶であることが好ましい。
加熱焼結性銀微粒子(A1)の質量比率が5%未満または40%を超える場合、および、加熱焼結性銀粒子(A2)の質量比率が60%未満または95%を超える場合は、前記ペースト状銀粒子組成物を、耐酸化性金属製部材と銅製部材間または銅製部材同士間に介在させ、酸素ガス濃度が0.01体積%以上2体積%以下の低酸素濃度不活性ガス中で、70℃以上300℃以下で加熱することにより、揮発性分散媒(B)を揮散させ、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の混合物を焼結せしめて接合体を製造した場合、生成した銀粒子焼結物と接する銅製部材の内部に微粒子状銅酸化物が生成しにくくなるからである。
加熱焼結性銀微粒子(A1)および加熱焼結性銀粒子(A2)の形状は限定されないが、球状、粒状、涙滴状またはフレーク状であることが好ましい。加熱焼結性銀微粒子(A1)および加熱焼結性銀粒子(A2)の形状は、JIS Z 2500、ISO/DIS 3252等の公的規格に記載された客観的な分類により確認できる。これによると、球状は表面に凹凸がほとんどなく、実質的に真球状である。
そのような極性基を有する有機物としては、(a)脂肪酸またはそのアルカリ金属塩若しくはエステル、(b)酸性官能基および/または塩基性官能基を有する高分子分散剤、(c)含窒素有機化合物が例示される。
また、アミノ基、イミノ基(=NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基であることが好ましい。
炭素原子含有極性基の炭素原子数は好ましくは1以上54以下であり、より好ましくは1以上18以下である。
脂肪酸のエステルとして、アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル)、フェニルエステルが例示される。これらアルキルエステルのアルキル基は炭素原子数1以上6以下が好ましい。
また、塩基性官能基として、アミノ基、イミノ基(=NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基、アンモニウム塩基(例えば、第3級アンモニウム塩基、第4級アンモニウム塩基)であることが好ましい。アミノ基は、第1級アミノ基(-NH2)、第2級アミノ基(-NHR)、第3級アミノ基(-NRR')のいずれでもよい。RとR'はアルキル基、フェニル基、アラルキル基などであり、炭素原子数は好ましくは1以上8以下である。
酸価とは、高分子分散剤固形分1gあたりの酸価を表し、JIS K 0070に準じ、電位差滴定法によって求めることができる。アミン価とは、高分子分散剤固形分1gあたりのアミン価を表し、0.1Nの塩酸水溶液を用い、電位差滴定法によって求めたのち、水酸化カリウムの当量に換算した値をいう。
また、銅製部材表面が真新しい10円硬貨の色と同様の色から赤褐色、ついで黒褐色に変色し、半田付性が悪くなるからである。
酸素ガス濃度の下限値は、下記のとおり実用上の観点から0.01体積%である。
不活性ガスとして窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスが例示されるが、調達容易性とコストの点で窒素ガスであることが好ましい。
空孔率の測定は通常の測定方法が利用できる。焼結体の断面を電子顕微鏡で写真撮影し、画像解析ソフトにより、写真における銀部分と空間部分の面積比率を求める方法、電子顕微鏡により撮影した写真を均質な紙等に印刷し、銀部分と空間部分をはさみ等で切り分けて各々の質量を測定し、その質量比率を面積比率とする方法が例示される。
耐酸化性金属製部材として、全体または一部が耐酸化性金属部分を有するコンデンサおよび抵抗から選択されるチップ部品、または、耐酸化性金属部分を有するダイオード、トランジスタ、メモリ、ICおよびCPUから選択される半導体チップが例示される。
また、その表面が酸化されて銅酸化物の被膜が形成されていても良いが、銅酸化膜の被膜が厚いと銀粒子焼結物と接合しにくくなるので、銅酸化物の被膜の厚さは100nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、特には10nm以下であることが好ましい。銅は酸素により表面が酸化され、例えば、銅酸化物の被膜を有しない純銅を常温の大気中で保管すると、その表面は自然に酸化され、通常、厚さが3nm以上10nm以下である銅酸化物の被膜が形成される。
銅製部材は、母材が銅でメッキされたものであってもよい。母材として鉄、ニッケル、シリコンが例示される。
銅製部材として、銅メッキ半導体素子、銅製もしくは銅メッキ回路基板または銅製もしくは銅メッキリードフレームが例示される。
試験体は低温と高温に交互に曝されることによりその温度差に相当する熱衝撃を受ける。低温側の温度は通常−20℃から−55℃の範囲であり、高温側の温度は通常100℃から150℃の範囲である。試験体はそれぞれの温度に通常10分間から60分間、暴露される。
示差熱熱重量同時測定装置(島津製作所株式会社製DTG−60AH型)を用い、空気雰囲気中で加熱焼結性銀微粒子(A1)または加熱焼結性銀粒子(A2)を昇温速度10℃/分にて室温(約25℃)から500℃まで昇温して、加熱焼結性銀微粒子(A1)または加熱焼結性銀粒子(A2)の重量の減少率を、極性基を有する有機物の被覆剤量として算出した。
幅50mm×長さ50mm×厚さ2.0mmのガラス板上に、15mm角の開口部を有する2mm厚のメタルマスクを用いてペースト状銀粒子組成物を塗布し、イナートガスオーブン内で、200℃または250℃で1時間加熱して、板状の銀粒子焼結物とした。
ガラス板からはがした板状の銀粒子焼結物を自動精密切断装置(日本電子株式会社製、商品名アイソメット)により削り出し、イオンミリング装置(日本電子株式会社製、商品名クロスセクションポリッシャ)により切削面を研磨して得られた銀粒子焼結物の断面を走査型電子顕微鏡で撮影し、その画像を均質な印刷用紙に印刷して多孔質銀粒子焼結物の固体部分と空間部分を切り分け、各々の質量を測定して空間部分の占める割合を空隙率として%で示した。
幅50mm×長さ50mm×厚さ2.0mmのガラス板上に、10mm角の開口部を有する2mm厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物を塗布し、イナートガスオーブン内で、200℃または250℃で1時間加熱して板状の銀粒子焼結物とした。
ガラス板からはがした板状の銀粒子焼結物について、JIS K 7194に準じた方法により体積抵抗率(単位;Ω・cm)を測定した。
幅50mm×長さ50mm×厚さ2.0mmのガラス板上に、10mm角の開口部を有する2mm厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物を塗布し、イナートガスオーブン内で、200℃または250℃で1時間加熱して板状の銀粒子焼結物とした。
多孔質銀粒子焼結物が接着しているガラス板を該オーブンから取り出し、室温に冷却した。
ガラス板からはがした板状の多孔質銀粒子焼結物について、レーザーフラッシュ法により熱伝導率(単位;W/m・K)を測定した。
幅25mm×長さ70mm、厚さ1.0mmの銅基板(銅純度99.96質量%)上に、10mmの間隔をおいて4つの開口部(2.5mm×2.5mm)を有する100μm厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物を印刷塗布し、その上にサイズが2.5mm×2.5mm×0.5mmの表面が金メッキされたシリコンチップ(金純度99.9%質量以上)または銅チップ(銅純度99.96質量%)を載せ、イナートガスオーブン中で、200℃または250℃で1時間加熱して、銀粒子焼結物により銅基板と金メッキシリコンチップまたは銅チップを接合してそれらの接合体である板状の試験体を得た。この試験体を自動精密切断装置(日本電子株式会社製、商品名アイソメット)により切削し、切削面をイオンミリング装置(日本電子株式会社製、商品名クロスセクションポリッシャ)により研磨して、銅基板と金メッキシリコンチップの接合部または銅基板と銅チップの接合部の断面を透過型電子顕微鏡で撮影した。
幅25mm×長さ70mm、厚さ1.0mmの銅基板(銅純度99.96質量%)上に、10mmの間隔をおいて4つの開口部(2.5mm×2.5mm)を有する100μm厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物を印刷塗布し、その上にサイズが2.5mm×2.5mm×0.5mmの表面が金メッキされたシリコンチップ(金純度99.9質量%以上)または銅チップ(銅純度99.96質量%)を載せ、イナートガスオーブン中で、200℃または250℃で1時間加熱して、銀焼結物により銅基板と金メッキシリコンチップまたは銅チップを接合した。
銅基板と金メッキシリコンチップの接合体または銅基板と銅チップの接合体である接合強度測定用試験体を冷熱衝撃試験機に入れて、−55℃で15分間放置と+150℃で15分間放置を1サイクルとする冷熱衝撃を500サイクルおこなった。かくして得られた冷熱サイクル試験後の接合強度測定用試験体を接着強さ試験機の試験体取付け具にセットし、金メッキシリコンチップまたは銅チップの側面を接着強さ試験機の押圧棒により押厚速度23mm/分で押圧し、接合部がせん断破壊したときの荷重をもってせん断接着強さ(単位;MPa)とした。4個の試験体の平均値をせん断接着強さとした。
ミキサー中で、平均粒径が0.02μmであり、ヘキサン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(ヘキサン酸量2.5質量%)15質量部、平均粒径が1.0μmであり、ステアリン酸で表面被覆された粒状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.3質量%)85質量部、および、沸点が219℃であるα−ターピネオール(関東化学株式会社製)12質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が0.02μmであり、ヘキサン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(ヘキサン酸量2.5質量%)10質量部、平均粒径が0.7μmであり、ステアリン酸で表面被覆された粒状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.3質量%)90質量部、および、沸点が219℃であるα−ターピネオール(関東化学株式会社製)11質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が0.2μmであり、オクタン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(オクタン酸量0.8質量%)30質量部、平均粒径が3.5μmであり、ステアリン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.3質量%)70質量部、および、沸点が244℃であるオクタンジオール(関東化学株式会社製)12質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
実施例1において、酸素ガス濃度が0.05体積%である低酸素濃度窒素ガスの代わりに、酸素ガス濃度が1.5体積%の低酸素濃度窒素ガスを用いた以外は同様にして、酸素ガス濃度が1.5体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物の空隙率、体積抵抗率および熱伝導率を測定し銅基板中の微粒子状銅酸化物の形状、平均粒径および個数を測定した。また、このペースト状銀粒子組成物の酸素ガス濃度が1.5体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物により接合された銅基板と金メッキシリコンチップ接合体のせん断接着強さ、および、銅基板と金メッキシリコンチップの接合体を冷熱サイクル試験にかけた後のせん断接着強さを測定し、結果を表2にまとめて示した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
実施例1において、酸素ガス濃度が0.05体積%である低酸素濃度窒素ガスの代わりに、酸素ガス濃度が0.02体積%の低酸素濃度窒素ガスを用い、200℃の代わりに250℃で加熱した以外は同様にして、酸素ガス濃度が0.02体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物の空隙率、体積抵抗率および熱伝導率を測定し、銅基板中の微粒子状銅酸化物の形状、平均粒径および個数を測定した。また、このペースト状銀粒子組成物の酸素ガス濃度が0.02体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物により接合された銅基板と金メッキシリコンチップの接合体のせん断接着強さ、および、銅基板と金メッキシリコンチップの接合体を冷熱サイクル試験にかけた後のせん断接着強さを測定し、結果を表2にまとめて示した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
実施例1において、金メッキシリコンチップの代わりに、銅チップ用い、200℃の代わりに250℃で加熱した以外は同様にして、酸素ガス濃度が0.05体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物の空隙率、体積抵抗率および熱伝導率を測定し、銅基板中の微粒子状銅酸化物の形状、平均粒径および個数を測定した。また、このペースト状銀粒子組成物の酸素ガス濃度が0.05体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物により接合された銅基板と銅チップの接合体のせん断接着強さ、および、銅チップと銅基板の接合体を冷熱サイクル試験にかけた後のせん断接着強さを測定し、結果を表2にまとめて示した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法が銅チップと銅基板を強固に接合し、耐熱衝撃性に優れる銅チップと銅基板の接合体を得るのに有用なことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が0.4μmであり、ヒドロキノンで表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(ヒドロキノン量0.1質量%)100質量部、および、沸点が100℃であるイオン交換水(自社製)7.5質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法では金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合できず、しかも、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得ることができないことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が3.0μmであり、ステアリン酸で表面被覆されたフレーク状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.7質量%)100質量部、および、沸点が157℃である1−ヘキサノール(関東化学株式会社製)10質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法では金メッキシリコンチップと銅基板を強固に接合できず、しかも、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得ることができないことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が1.1μmであり、ステアリン酸で表面被覆された粒状の加熱焼結性の球状銀粒子(ステアリン酸量0.3質量%)100質量部、および、沸点が245℃である酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル(関東化学株式会社製)10質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
なお、観察したところ、該接合体中の銅基板は、ほぼ変色なしであった。
以上の結果により、この接合方法では金メッキシリコンチップと銅基板の接合強度は実施例1−実施例6と遜色はないが、耐熱衝撃性に優れる金メッキシリコンチップと銅基板の接合体を得ることができないことがわかった。
実施例1において、酸素ガス濃度が0.05体積%である低酸素濃度窒素ガスの代わりに、酸素ガス濃度が2.5体積%である酸素含有窒素ガスを用いた以外は同様にして、このペースト状銀粒子組成物の酸素ガス濃度が2.5体積%である酸素含有窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物の空隙率、体積抵抗率および熱伝導率を測定し、銅基板中の微粒子状銅酸化物の形状、平均粒径および個数を測定した。また、このペースト状銀粒子組成物の酸素ガス濃度が2.5体積%である低酸素濃度窒素ガス中での加熱による銀粒子焼結物により接合された銅基板と金メッキシリコンチップの接合体のせん断接着強さ、および、銅基板と金メッキシリコンチップの接合体を冷熱サイクル試験にかけた後のせん断接着強さを測定した。さらに、接合体中の銅基板の変色を観察した。これらの結果を表4にまとめて示した。
接合体の銅基板中に微粒子状銅酸化物が1個含まれるので、請求項1発明の実施例相当である。接合強度が実施例1−実施例6と遜色がなく、耐熱衝撃性が実施例1−実施例6ほどではないが、優れている。
しかし、観察したところ、接合体中の銅基板が赤褐色に変色しており、実用性がないことがわかった。
ミキサー中で、平均粒径が0.5μmであり、オクタン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(オクタン酸量0.8質量%)15質量部、平均粒径が1.0μmであり、ステアリン酸で表面被覆された粒状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.3質量%)85質量部、および、沸点が219℃であるα−ターピネオール(関東化学株式会社製)10質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
接合体の銅基板中に微粒子状銅酸化物が2個含まれるので、請求項1発明の実施例相当である。接合強度が実施例1−実施例6と遜色がなく、耐熱衝撃性が実施例1−実施例6ほどではないが、優れている。
ミキサー中で、平均粒径が0.02μmであり、ヘキサン酸で表面被覆された球状の加熱焼結性銀微粒子(ヘキサン酸量2.5質量%)15質量部、平均粒径が0.5μmであり、ステアリン酸で表面被覆された粒状の加熱焼結性銀粒子(ステアリン酸量0.4質量%)85質量部、および、沸点が219℃であるα−ターピネオール(関東化学株式会社製)13質量部を均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
接合体の銅基板中に微粒子状銅酸化物が2個含まれるので、請求項1発明の実施例相当ということができる。接合強度が実施例1−実施例6と遜色がなく、耐熱衝撃性が実施例1−実施例6ほどではないが、優れている。
1 銅基板
2 ペースト状銀粒子組成物(加熱焼結後は多孔質の銀粒子焼結物)
3 金メッキシリコンチップまたは銅チップ
Claims (4)
- (A1)平均粒径が0.005μm以上0.5μm以下であり、極性基を有する有機物で被覆された加熱焼結性銀微粒子、(A2)平均粒径が0.6μm以上10μm以下であり、極性基を有する有機物で被覆された加熱焼結性銀粒子、および、(B)揮発性分散媒とからなり、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の合計質量に対する加熱焼結性銀微粒子(A1)の質量比率が5%以上40%以下であり、加熱焼結性銀粒子(A2)の質量比率が60%以上95%以下であるペースト状銀粒子組成物を、耐酸化性金属製部材と銅製部材間または銅製部材同士間に介在させ、酸素ガス濃度が0.01体積%以上2体積%以下の低酸素濃度不活性ガス中で、70℃以上300℃以下で加熱することにより、揮発性分散媒(B)を揮散させ、加熱焼結性銀微粒子(A1)と加熱焼結性銀粒子(A2)の混合物を焼結せしめて耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体を製造する方法であって、該混合物から生成した銀粒子焼結物と接する銅製部材の内部には平均粒径が5nm以上50nm以下である微粒子状銅酸化物が散在することを特徴とする、耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
- (A1)の平均粒径が0.005μm以上0.4μm以下であり、(A2)の平均粒径が0.7μm以上10μm以下であり、銀粒子焼結物に接している銅製部材の、電子顕微鏡による断面写真において、銀粒子焼結物との境界線に短辺が接する長方形(ただし、境界線に接する短辺の長さが100nmであり、境界線から銅製部材内部方向に延びる長辺の長さが300nmである)内に、微粒子状銅酸化物が3個以上存在することを特徴とする、請求項1に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
- 微粒子状銅酸化物の形状が、球状、粒状または涙滴状であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
- 耐酸化性金属製部材の金属が、銀、金、白金、パラジウム、または、これら各金属の合金から選択され、不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の耐酸化性金属製部材と銅製部材の接合体または銅製部材同士の接合体の製造方法。
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