JP6886379B2 - 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 - Google Patents
保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6886379B2 JP6886379B2 JP2017188231A JP2017188231A JP6886379B2 JP 6886379 B2 JP6886379 B2 JP 6886379B2 JP 2017188231 A JP2017188231 A JP 2017188231A JP 2017188231 A JP2017188231 A JP 2017188231A JP 6886379 B2 JP6886379 B2 JP 6886379B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding member
- reflective layer
- groove
- elastic resin
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 54
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 84
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 13
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(切断装置の構成)
図1を参照して、本発明に係る切断装置の構成について説明する。本実施形態においては、例えば、切断対象物として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板を切断する場合について説明する。
図2を参照して、実施形態1において使用される保持部材13の構成について説明する。検査テーブル12に取り付けられる保持部材13は、例えば、板状の弾性樹脂を加工することによって製造される。
図3を参照して、図2に示した保持部材13を製造する工程と製造された保持部材13を検査テーブル12に取り付ける工程について説明する。
本実施形態の保持部材13は、複数の保持対象物である半導体パッケージ10を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、半導体パッケージ10を保持するように吸着する複数の吸着穴18、及び複数の吸着穴18の間に配置された格子状の溝19が設けられた弾性樹脂16と、溝19に配置された反射層20とを備える構成としている。
(保持部材の構成)
図4を参照して、実施形態2において使用される保持部材の構成について説明する。実施形態1との違いは、弾性樹脂を支持部材に取り付けて保持部材を構成したことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。
図5を参照して、図4に示した保持部材25を製造する工程と製造された保持部材25を検査テーブル12に取り付ける工程について説明する。
本実施形態によれば、支持部材26の上に弾性樹脂16を取り付けて保持部材25を製造する。弾性樹脂16は支持部材26の上に固定されるので、弾性樹脂16が撓むことを抑制することができる。したがって、支持部材16が、保持部材25の補強材として機能する。特に、保持部材25(弾性樹脂16)の面積が大きい場合には、本実施形態の効果がより顕著になる。
2 パッケージ基板
3 基板供給部
4 切断テーブル
5 保持部材
6 移動機構
7 回転機構
8 スピンドル
9 回転刃
10 半導体パッケージ(保持対象物)
11 搬送機構
12 検査テーブル
13、25 保持部材
14 検査用のカメラ(検査機構)
15 良品用トレイ
16 弾性樹脂
17 領域(吸着面)
18、27 吸着穴
19 格子状の溝
20、20a、20b 反射層
21 板状部材
22 空間
23 開口部
24 吸着機構
26 支持部材
28 マスク
A 基板供給モジュール
B 切断モジュール
C 検査モジュール
CTL 制御部
Claims (11)
- 複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、
前記保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴、及び複数の前記吸着穴の間に配置された格子状の溝が設けられた弾性樹脂と、
前記溝に配置された反射層とを備える、保持部材。 - 前記保持部材は、前記吸着穴が配置された領域の外側にも前記反射層が配置される、請求項1に記載の保持部材。
- 前記反射層は金属層、樹脂層、塗料層のいずれかを含む、請求項1又は2に記載の保持部材。
- 前記保持部材は、さらに前記弾性樹脂を支持する支持部材を備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の保持部材。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保持部材に保持された前記保持対象物を検査する検査機構が設けられる、検査装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保持部材を検査テーブルに備える、切断装置。
- 複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材の製造方法であって、
前記保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴と前記吸着穴の間に配置された格子状の溝が形成された弾性樹脂に対して、前記溝に反射層を形成する保持部材の製造方法。 - 前記反射層を形成するのに、
前記溝に対応する格子状の板状部材を前記溝に配置する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。 - 前記反射層を形成するのに、
前記吸着穴周囲の吸着面にマスクが形成され、かつ前記溝にマスクが形成されていない状態の前記弾性樹脂に対して、前記溝に前記反射層として膜を形成する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。 - 少なくとも前記溝が形成される前の前記弾性樹脂の吸着側にマスクを形成し、
前記弾性樹脂の前記マスク形成面に前記溝を形成し、
前記溝に膜を形成して、前記反射層を形成し、
前記マスクを除去する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。 - 前記反射層を形成するのに、
前記吸着穴が配置された領域の外側にも前記反射層を形成する、請求項7〜10にいずれか1項に記載の保持部材の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188231A JP6886379B2 (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 |
CN201810939377.1A CN109585352A (zh) | 2017-09-28 | 2018-08-17 | 保持构件、保持构件的制造方法、检查装置及切断装置 |
TW107130607A TWI683096B (zh) | 2017-09-28 | 2018-08-31 | 保持構件、保持構件的製造方法、檢查裝置及切斷裝置 |
KR1020180106383A KR20190037104A (ko) | 2017-09-28 | 2018-09-06 | 보유 지지 부재, 보유 지지 부재의 제조 방법, 검사 장치 및 절단 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188231A JP6886379B2 (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019066188A JP2019066188A (ja) | 2019-04-25 |
JP6886379B2 true JP6886379B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=65919678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017188231A Active JP6886379B2 (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6886379B2 (ja) |
KR (1) | KR20190037104A (ja) |
CN (1) | CN109585352A (ja) |
TW (1) | TWI683096B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6952737B2 (ja) * | 2019-05-24 | 2021-10-20 | Towa株式会社 | 保持部材、検査機構、切断装置、保持対象物の製造方法及び保持部材の製造方法 |
JP6968949B2 (ja) * | 2019-05-24 | 2021-11-24 | Towa株式会社 | 保持部材の製造方法 |
JP6823111B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2021-01-27 | 大成ラミック株式会社 | 断層観察キット |
JP2021019082A (ja) * | 2019-07-19 | 2021-02-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 転写用基板 |
JP2021021592A (ja) * | 2019-07-25 | 2021-02-18 | Towa株式会社 | 検査システム、検査方法、切断装置、及び樹脂成形装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3033350B2 (ja) * | 1992-07-23 | 2000-04-17 | 松下電器産業株式会社 | チップの観察装置 |
JPH06237094A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-23 | Tdk Corp | 吸着部品の照明方法及び装置 |
JP3321503B2 (ja) | 1994-12-28 | 2002-09-03 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品の外観検査装置 |
KR100331165B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2002-04-01 | 김도열 | 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법 |
JP4137471B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置 |
KR20090041236A (ko) * | 2007-10-23 | 2009-04-28 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 이송장치의 흡착패드 |
WO2012115012A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 株式会社ニコン | 観察装置、検査装置、半導体装置の製造方法、および基板支持部材 |
JP5627618B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2014-11-19 | Towa株式会社 | 固定治具の製造方法及び固定治具 |
JP5918003B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-05-18 | Towa株式会社 | 個片化装置用真空吸着シート及びそれを用いた固定治具の製造方法 |
US10317460B2 (en) * | 2013-06-07 | 2019-06-11 | Maxim Integrated Products, Inc. | Precision alignment unit for semiconductor trays |
JP6000902B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2016-10-05 | Towa株式会社 | 電子部品用の収容治具、その製造方法及び個片化装置 |
JP6235391B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-11-22 | Towa株式会社 | 検査用治具、切断装置及び切断方法 |
JP6430170B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2018-11-28 | Towa株式会社 | 切断装置及び切断方法並びに吸着機構及びこれを用いる装置 |
JP6382039B2 (ja) * | 2014-09-04 | 2018-08-29 | Towa株式会社 | 切断装置並びに吸着機構及びこれを用いる装置 |
JP6685126B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-04-22 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-09-28 JP JP2017188231A patent/JP6886379B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-17 CN CN201810939377.1A patent/CN109585352A/zh active Pending
- 2018-08-31 TW TW107130607A patent/TWI683096B/zh active
- 2018-09-06 KR KR1020180106383A patent/KR20190037104A/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019066188A (ja) | 2019-04-25 |
CN109585352A (zh) | 2019-04-05 |
TW201915462A (zh) | 2019-04-16 |
TWI683096B (zh) | 2020-01-21 |
KR20190037104A (ko) | 2019-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6886379B2 (ja) | 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 | |
US10607877B2 (en) | Chip mounting apparatus and method using the same | |
JP6685126B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI660414B (zh) | 切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法 | |
KR101659686B1 (ko) | 검사용 지그, 절단 장치 및 절단 방법 | |
JP2009130342A (ja) | 基板の切断方法及び装置 | |
TWI737266B (zh) | 保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法 | |
CN111326469A (zh) | 元件阵列的制造装置和特定元件的除去装置 | |
TWI747296B (zh) | 法蘭盤端面修正裝置、切斷裝置、法蘭盤端面修正方法以及切斷品的製造方法 | |
JP2018157010A (ja) | 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法 | |
JP6968949B2 (ja) | 保持部材の製造方法 | |
JP2007227726A (ja) | 集合基板加工方法 | |
JP7068409B2 (ja) | 切断装置及び切断品の製造方法 | |
KR20240095900A (ko) | 발광다이오드 모듈 제조 방법 | |
JP5175610B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6598811B2 (ja) | 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法 | |
TW202422738A (zh) | 黏晶裝置,黏晶方法及半導體裝置的製造方法 | |
JP2023039753A (ja) | 校正方法、及び電子部品の製造方法 | |
CN117476502A (zh) | 安装装置及半导体器件的制造方法 | |
TW202435337A (zh) | 轉移基板保持裝置、轉移裝置及轉移方法 | |
TW202312307A (zh) | 維護方法、及電子零件的製造方法 | |
KR20240095899A (ko) | 웨이퍼 상의 불량 발광다이오드 제거 방법 | |
KR20180102011A (ko) | 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 | |
JP2008153487A (ja) | 半導体装置の製造装置と製造方法 | |
CN107895714A (zh) | 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6886379 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |