[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6886379B2 - 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 - Google Patents

保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6886379B2
JP6886379B2 JP2017188231A JP2017188231A JP6886379B2 JP 6886379 B2 JP6886379 B2 JP 6886379B2 JP 2017188231 A JP2017188231 A JP 2017188231A JP 2017188231 A JP2017188231 A JP 2017188231A JP 6886379 B2 JP6886379 B2 JP 6886379B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding member
reflective layer
groove
elastic resin
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017188231A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019066188A (ja
Inventor
原田 昭如
昭如 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2017188231A priority Critical patent/JP6886379B2/ja
Priority to CN201810939377.1A priority patent/CN109585352A/zh
Priority to TW107130607A priority patent/TWI683096B/zh
Priority to KR1020180106383A priority patent/KR20190037104A/ko
Publication of JP2019066188A publication Critical patent/JP2019066188A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6886379B2 publication Critical patent/JP6886379B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置に関する。
従来技術として、例えば、特許文献1に電子部品の外観検査装置が開示されている。この電子部品の外観検査装置は、電子部品における被検査部位のエッジを検出し、該エッジ位置に基づき被検査部位の寸法計測及びその良否判定を行う電子部品の外観検査装置において、検査部品を所定方向から撮像する画像入力手段と、検査部品に対し撮像方向と鋭角を成す少なくとも2方向から別々に光を照射可能な照明手段と、照明手段による方向別の光照射毎に画像入力手段を作動させて撮像を行う撮像制御手段と、光照射毎に得られた画像信号に基づいて電極部のエッジ位置を検出するエッジ位置検出手段とを具備した、ことを特徴とする。
特開平8−184410号公報
特許文献1に開示された電子部品の外観検査装置では、カメラ1の撮像中心1aを挟んで各照明器2が左右対称に配置され、左側の照明器2からA方向の光を検査部品Pに照射し、右側の照明器2からB方向の光を検査部品Pに照射する。A方向照明とB方向照明で得られた各画像データの輝度値を比較し、影及び発色部の有無によって明暗の差が現れる部分を探索して検査部品Pのエッジ位置を検出する。したがって、エッジ位置を検出する検出機構の構成が複雑になり、かつエッジ位置の検出に要する時間が長くなるという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するもので、簡単な構成で保持対象物のエッジ検出を精度よく行うことができる保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明に係る保持部材は、複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴、及び複数の吸着穴の間に配置された格子状の溝が設けられた弾性樹脂と、溝に配置された反射層とを備える。
上記の課題を解決するために、本発明に係る保持部材の製造方法は、複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材の製造方法であって、保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴と吸着穴の間に配置された格子状の溝が形成された弾性樹脂に対して、溝に反射層を形成する。
本発明によれば、保持対象物のエッジ検出を精度よく行うことができる。
本発明に係る切断装置の概要を示す概略平面図である。 (a)〜(b)は、実施形態1における保持部材を示す概要図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 (a)〜(e)は、実施形態1における保持部材の製造方法を示す概略工程断面図である。 (a)〜(b)は、実施形態2における保持部材を示す概要図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 (a)〜(f)は、実施形態2における保持部材の製造方法を示す概略工程断面図である。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
〔実施形態1〕
(切断装置の構成)
図1を参照して、本発明に係る切断装置の構成について説明する。本実施形態においては、例えば、切断対象物として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板を切断する場合について説明する。
パッケージ基板としては、例えば、BGA(Ball grid array )パッケージ基板、LGA(Land grid array )パッケージ基板、CSP(Chip Size Package )パッケージ基板、LED(Light emitting diode )パッケージ基板等が使用される。また、パッケージ基板だけでなく、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止した封止済みリードフレームが、切断対象物として使用されることもある。
図1に示されるように、切断装置1は、例えば、パッケージ基板2を供給する基板供給モジュールAとパッケージ基板2を切断する切断モジュールBと切断されて個片化された半導体パッケージを検査する検査モジュールCとを、それぞれ構成要素として備える。各構成要素は、それぞれ他の構成要素に対して着脱可能かつ交換可能である。
基板供給モジュールAには、パッケージ基板2を供給する基板供給部3が設けられる。パッケージ基板2は、例えば、基板と、基板が有する複数の領域に装着された複数の半導体チップと、複数の領域が一括して覆われるようにして形成された封止樹脂とを有する。パッケージ基板2は、搬送機構(図示なし)によって、基板供給モジュールAから切断モジュールBに搬送される。
切断モジュールBには、パッケージ基板2を吸着して切断するための切断テーブル4が設けられる。切断テーブル4の上には、パッケージ基板2を吸着して保持する保持部材5が取り付けられる。切断テーブル4は、移動機構6によって図のY方向に移動可能である。かつ、切断テーブル4は、回転機構7によってθ方向に回転可能である。
切断モジュールBには、パッケージ基板2を切断して複数の半導体パッケージに個片化する切断機構としてスピンドル8が設けられる。切断装置1は、例えば、1個のスピンドル8が設けられるシングルスピンドル構成の切断装置である。スピンドル8は、独立してX方向及びZ方向に移動可能である。スピンドル8には、パッケージ基板2を切断するための回転刃9が装着される。
スピンドル8には、高速回転する回転刃9に向かって切削水を噴射する切削水用ノズル、冷却水を噴射する冷却水用ノズル、切断屑などを洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水用ノズル(いずれも図示なし)等が設けられる。切断テーブル4とスピンドル8とを相対的に移動させることによってパッケージ基板2が切断される。
切断モジュールBに2個のスピンドルが設けられるツインスピンドル構成の切断装置にすることも可能である。さらに、切断テーブルを2個設けて、それぞれの切断テーブルにおいてパッケージ基板2を切断するツインカットテーブル構成にすることも可能である。ツインスピンドル構成、ツインカットテーブル構成にすることによって切断装置の生産性を向上させることができる。
検査モジュールCには、パッケージ基板2を切断して個片化された複数の半導体パッケージ10を吸着して搬送する搬送機構11が設けられる。搬送機構11は、X方向及びZ方向に移動可能である。搬送機構11は、個片化された複数の半導体パッケージ10を一括して吸着して搬送する。
検査モジュールCには、個片化された複数の半導体パッケージ10を吸着して検査するための検査テーブル12が設けられる。検査テーブル12の上には、複数の半導体パッケージ10を吸着して保持する保持部材13が取り付けられる。搬送機構11によって、複数の半導体パッケージ10は検査テーブル12の上に一括して載置される。
複数の半導体パッケージ10は、検査機構である検査用のカメラ14によって外観検査される。保持部材13は、保持対象物として個片化された複数の半導体パッケージ10を吸着し、光学的な検査に用いられる保持部材である。後述するように、検査テーブル12の上に取り付けられた保持部材13は、半導体パッケージ10のエッジ検出を精度よく行うように製造された保持部材である。
切断装置1において、個片化されて外観検査される半導体パッケージとしては、例えば、BGA、LGA、CSP、LED、QFN(Quad Flat Non-leaded Package)などの半導体パッケージが挙げられる。
検査テーブル12で検査された複数の半導体パッケージ10は良品と不良品とに区別される。移送機構(図示なし)によって良品は良品用トレイ15に、不良品は不良品用トレイ(図示なし)にそれぞれ移送されて収納される。
基板供給モジュールAには制御部CTLが設けられる。制御部CTLは、切断装置1の動作、パッケージ基板2の搬送、パッケージ基板2の切断、個片化された半導体パッケージ10の搬送、半導体パッケージ10の検査、半導体パッケージ10の収納等を制御する。本実施形態においては、制御部CTLを基板供給モジュールAに設けた。これに限らず、制御部CTLを他のモジュールに設けても良い。また、制御部CTLは、複数に分割して、基板供給モジュールA、切断モジュールB及び検査モジュールCのうちの少なくとも2つのモジュールに設けても良い。
(保持部材の構成)
図2を参照して、実施形態1において使用される保持部材13の構成について説明する。検査テーブル12に取り付けられる保持部材13は、例えば、板状の弾性樹脂を加工することによって製造される。
図2(a)、(b)に示されるように、保持部材13の基台として板状の弾性樹脂16が用いられる。弾性樹脂16として、例えば、シリコーン系の樹脂やフッ素系の樹脂などが使用される。弾性樹脂16には、保持対象物である半導体パッケージ10を吸着して保持する複数の領域17に対応するように、複数の吸着穴18が形成される。複数の吸着穴18は、弾性樹脂16を貫通するように形成される。複数の吸着穴18の間及び複数の吸着穴18の外側に、格子状の溝19が形成される。格子状の溝19によって囲まれた複数の突起状の領域17が、個片化された半導体パッケージ10をそれぞれ吸着して保持する領域となる。
半導体パッケージ10と弾性樹脂16とは、例えば、どちらも同じような黒っぽい色を有しており、半導体パッケージ10の反射特性と弾性樹脂16の反射特性とは類似している。したがって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストが明確でなく、従来の光学的な検査方法(照明機構)では、半導体パッケージ10のエッジを検出することが難しかった。かつ、エッジを検出するのに時間がかかっていた。
ここで、「反射光」を、光照射側から反射面に照射光が照射された際に、反射面から発せられる光と定義する。本実施形態においては、半導体パッケージの吸着側から半導体パッケージ及び溝底面の反射面に照射光が照射された際に、反射面から半導体パッケージ吸着側に発せられる光が反射光となる。したがって、「反射特性」とは、その反射光の特性を意味する。反射特性としては、反射率、反射光のスペクトルなどの波長特性を含む。また、後述するが、反射層に蛍光材料を用いた場合には、蛍光(燐光を含む)も反射光に含まれる。
本実施形態においては、保持部材13に吸着された半導体パッケージ10のエッジ検出を容易にするために、格子状の溝19に半導体パッケージ10と反射特性が異なる反射層20を配置する。反射層20として、例えば、半導体パッケージ10よりも反射率が大きい(反射する光強度が大きい)金属層などを格子状の溝19に配置する。格子状の溝19に半導体パッケージ10と反射率が異なる反射層20を配置することによって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストをより明確にすることができる。したがって、半導体パッケージ10のエッジ検出を容易に精度よく行うことが可能となる。かつ、エッジを検出する時間を短縮することができる。
反射層20としては、保持対象物と反射特性が異なる部材であれば特に構わない。反射層と保持対象物との反射率の差(反射する光強度の差)がより大きいことが好ましい。保持対象物が半導体パッケージ10であれば、半導体パッケージ10よりも反射率が大きい部材を配置すればよい。半導体パッケージ10よりも反射率が大きい部材としては、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)などの金属層が挙げられる。金属層には、めっきにより形成するめっき層が含まれる。金属層以外にも、導電性粒子を含む樹脂層、金属光沢のある塗料層、蛍光塗料層など、半導体パッケージ10よりも反射率が大きい材料のものを格子状の溝19に配置してもよい。半導体パッケージ10と反射特性が異なるものであれば特に構わない。前述の通り、蛍光塗料層を用いた場合には、蛍光塗料層から発せされる蛍光(燐光を含む)を含む反射光の特性となる。
(保持部材の製造方法)
図3を参照して、図2に示した保持部材13を製造する工程と製造された保持部材13を検査テーブル12に取り付ける工程について説明する。
図3(a)に示されるように、まず、保持部材13を製造するための基台となる板状の弾性樹脂16を準備する。次に、半導体パッケージ10を吸着して保持する複数の領域17に複数の吸着穴18をそれぞれ形成する。複数の吸着穴18は、弾性樹脂16を貫通するように形成される。複数の吸着穴18は、例えば、ドリル又はレーザなどによって形成される。
次に、図3(b)に示されるように、複数の吸着穴18の間及び複数の吸着穴18の外側に格子状の溝19を形成する。格子状の溝19は、例えば、回転刃(切断ブレード)又はレーザなどによって形成される。格子状の溝19を形成することによって、格子状の溝19によって囲まれる複数の突起状の領域17が、半導体パッケージ10をそれぞれ吸着して保持する吸着面となる。レーザを用いて吸着穴18及び溝19を形成すれば、共通の工程で形成できるので、効率的である。
次に、図3(c)に示されるように、例えば、格子状の溝19に対応したパターンに形成された板状部材21を予め準備しておく。板状部材21には、弾性樹脂16の吸着面に対応する領域17に穴部が形成されている。板状部材21は、例えば、半導体パッケージ10よりも反射率が大きいアルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)などの金属板によって形成されることが好ましい。板状部材21は、半導体パッケージ10と反射特性が異なる材料のものであればよい。平面視して、格子状の溝19のパターンと板状部材21のパターンとが対応して重なるように形成される。板状部材の形状は、弾性樹脂の溝と板状部材の穴部との間に隙間を設けて、板状部材の取付け又は取外しが容易となるように設計されるのが好ましい。
次に、図3(d)に示されるように、板状部材21を格子状の溝21に挿入して配置する。言い換えれば、板状部材21を格子状の溝19にはめ込んで固定する。したがって、板状部材21を保持部材13から取り外して交換することが可能となる。半導体パッケージ10に対応して反射特性の異なる板状部材21を格子状の溝19に配置することができる。したがって、半導体パッケージ10の反射特性によって、適した板状部材21を使用することができる。ここまでの工程によって、半導体パッケージ10を吸着して保持する保持部材13が製造される。
次に、図3(e)に示されるように、保持部材13を検査テーブル12の上に取り付ける。検査テーブル12には空間22が形成されており、保持部材13の複数の吸着穴18はそれぞれ検査テーブル12の空間22につながる。検査テーブル12の空間22は、開口部23を介して吸着機構24に接続される。吸着機構24としては、例えば、真空ポンプなどが使用される。複数の半導体パッケージ10は、吸着穴18、空間22、開口部23を介して保持部材13に吸着されて保持される。
本実施形態においては、格子状の溝19に半導体パッケージ10とは反射特性の異なる板状部材21を配置した。これに限らず、格子状の溝19に半導体パッケージ10とは反射特性の異なる部材を塗布するようにしてもよい。格子状の溝19に半導体パッケージ10とは反射特性の異なるものを形成すればよい。
(作用効果)
本実施形態の保持部材13は、複数の保持対象物である半導体パッケージ10を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、半導体パッケージ10を保持するように吸着する複数の吸着穴18、及び複数の吸着穴18の間に配置された格子状の溝19が設けられた弾性樹脂16と、溝19に配置された反射層20とを備える構成としている。
本実施形態の保持部材13の製造方法は、複数の保持対象物である半導体パッケージ10を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材の製造方法であって、半導体パッケージ10を保持するように吸着する複数の吸着穴18と吸着穴18の間に配置された格子状の溝19が形成された弾性樹脂16に対して、溝19に反射層20を形成する。
この構成によれば、保持部材13は複数の半導体パッケージ10を複数の吸着穴18に吸着して保持する。保持部材13は弾性樹脂16で構成され、弾性樹脂16に格子状の溝19を形成する。格子状の溝19に半導体パッケージ10とは反射特性が異なる反射層20を配置する。このことによって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。したがって、半導体パッケージ10のエッジ検出を精度よく行うことができる。かつ、エッジ検出を容易にすることができる。
より詳細には、本実施形態によれば、切断装置1において、検査テーブル12の上に弾性樹脂16によって構成される保持部材13を取り付ける。保持部材13にパッケージ基板2を切断して個片化された複数の半導体パッケージ10を吸着して保持する。弾性樹脂16に形成された格子状の溝19に、半導体パッケージ10とは反射特性が異なる反射層20を配置する。このことにより、半導体パッケージ10の反射光と反射層20の反射光との光強度の差を大きくすることができる。したがって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。よって、半導体パッケージ10のエッジ検出を精度よく行うことができる。
本実施形態によれば、弾性樹脂16に形成された格子状の溝19に、半導体パッケージ10とは反射特性が異なる反射層20を配置する。保持部材13に簡単な加工を施すことによって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。従来の照明を備えた光学的な検査方法を使用しても、半導体パッケージ10のエッジ検出を容易にすることができる。したがって、エッジ検出に要する時間を短縮し、外観検査の作業性を向上させることができる。かつ、切断装置1における検査効率を向上させることができる。
本実施形態によれば、半導体パッケージ10と反射特性が異なる反射層として、格子状の溝19に対応したパターンに形成された金属板からなる板状部材21を使用した。板状部材21は、保持部材13から取り外して交換することが可能である。したがって、半導体パッケージ10に対応して、反射率の異なる板状部材21を格子状の溝19に配置することができる。半導体パッケージ10の反射特性に対応して、適した板状部材21を使用することができる。
〔実施形態2〕
(保持部材の構成)
図4を参照して、実施形態2において使用される保持部材の構成について説明する。実施形態1との違いは、弾性樹脂を支持部材に取り付けて保持部材を構成したことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。
図4(a)、(b)に示されるように、保持部材25は、例えば、支持部材26の上に弾性樹脂16を取り付けて構成される。支持部材26としては、金属板、アクリル板、硬質樹脂板などが使用される。弾性樹脂16には、実施形態1と同様に、格子状の溝19が形成される。格子状の溝19によって囲まれる複数の突起状の領域17が、半導体パッケージ10が配置されて吸着される領域となる。複数の突起状の領域17には、半導体パッケージ10を吸着して保持するための吸着穴27がそれぞれ形成される。吸着穴27は、弾性樹脂16及び保持部材26を貫通するように形成される。
実施形態1と同様に、格子状の溝19には、半導体パッケージ10のエッジ検出を容易にするために、半導体パッケージ10とは反射特性が異なる反射層20が配置される。反射層20として、半導体パッケージ10よりも反射率が大きい(反射する光強度が大きい)金属層などが配置される。格子状の溝19に半導体パッケージ10よりも反射率が大きい反射層20を配置することによって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストをより明確にすることができる。したがって、半導体パッケージ10のエッジ検出を容易に精度よく行うことができる。反射層20としては、実施形態1と同様に、半導体パッケージ10と反射特性が異なる部材として、金属層以外にも、めっき層、導電性粒子を含む樹脂層、金属光沢のある塗料層、蛍光塗料層などが使用される。
本実施形態では、弾性樹脂16を支持部材26の上に取り付ける。弾性樹脂16は支持部材26の上に固定されるので、弾性樹脂16が撓むことを抑制することができる。したがって、支持部材16は、保持部材25の補強材として機能する。保持部材25(弾性樹脂16)の面積が大きい場合には、その効果はいっそう顕著になる。
(保持部材の製造方法)
図5を参照して、図4に示した保持部材25を製造する工程と製造された保持部材25を検査テーブル12に取り付ける工程について説明する。
図5(a)に示されるように、まず、基台となる板状の弾性樹脂16の上にマスク28を形成する。マスク28としては、例えば、反射層20と弾性樹脂16とを溶解しない液体に溶解する材料を用いることが出来る。マスク28の材料としては、弾性樹脂16との密着性が良好で、弾性樹脂16から化学的に除去することが可能な材料であることが好ましい。
次に、図5(b)に示されるように、マスク28及び弾性樹脂16を機械的に加工することによって格子状の溝19を形成する。格子状の溝19は、例えば、回転刃(切断ブレード)又はレーザなどによって形成される。この状態においては、格子状の溝19によって囲まれる複数の領域17にはマスク28が残った状態である。
次に、図5(c)に示されるように、マスク28を弾性樹脂16の上に残した状態で、弾性樹脂16の吸着面側に露出した部分及びマスクの露出側に反射層20を形成する。このことによって、マスク28の表面には反射層20aが形成され、格子状の溝19の底面には反射層20bが形成される。マスク28の表面及び格子状の溝19の底面には反射層20(20a、20b)が形成されるが、マスク28及び弾性樹脂16の側面には反射層が形成されない。
反射層20(20a、20b)としては、実施形態1と同様に、半導体パッケージ10と反射特性が異なる部材が形成される。半導体パッケージ10よりも反射率が大きい部材を形成することが好ましい。半導体パッケージ10よりも反射率が大きい部材としては、金属層、導電性粒子を含む樹脂層、金属光沢のある塗料層などが挙げられる。反射層20を、マスク28の表面及び格子状の溝19の底面には形成するが、マスク28及び格子状の溝19の側面には形成されないようにする。
次に、図5(d)に示されるように、弾性樹脂16上のマスク28を除去する。このことによって、マスク28上に形成された反射層20(20a)もマスク28とともに除去される。所謂、リフトオフプロセスによってマスク28上の反射層20(20a)をマスク28とともに除去する。この結果、半導体パッケージ10と反射特性が異なる反射層20を格子状の溝19の底面にのみ残すことができる。
マスクの除去は、溶液中に浸漬してマスクを溶解させる方法を採用することができる。この場合、溶液としては、マスクを溶解するが弾性樹脂と反射層とを溶解しない溶液を用いればよい。また、溶液中に浸漬した際に、マスクが溶液に接触するように溝側面の少なくとも一部に金属層が形成されていないことが好ましい。なお、溝側面に形成された金属層が溝底面に形成された金属層よりも薄い場合は、超音波槽に浸漬し超音波振動により溝側面の金属層を剥離して、マスクが溶液に接触するようにすることもできる。
マスク28の表面及び格子状の溝19の底面に反射層20を形成する方法として次のような方法がある。第1の方法として、スパッタリング法又は真空蒸着法によって、金属層をマスク28の表面及び格子状の溝19の底面に形成することができる。第2の方法として、無電解めっき法によって、金属層をマスク28の表面及び格子状の溝19の底面に形成することができる。第3の方法として、導電性粒子を含む樹脂層を塗布することによって、樹脂層をマスク28の表面及び格子状の溝19の底面に形成することができる。第4の方法として、金属光沢のある塗料層又は蛍光塗料層などをスプレー法により吹き付けることによって、塗料層をマスク28の表面及び格子状の溝19の底面に形成することができる。
次に、図5(e)に示されるように、格子状の溝19に反射層20が形成された弾性樹脂16を支持部材26に取り付ける。次に、格子状の溝19によって囲まれる複数の突起状の領域17に、吸着穴27をそれぞれ形成する。吸着穴27を、弾性樹脂16及び支持部材26を貫通するように形成する。吸着穴27を、ドリル又はレーザ等によって形成する。ここまでの工程によって、半導体パッケージ10を吸着して保持する保持部材25が製造される。
この場合には、格子状の溝19に反射層20が形成された弾性樹脂16を支持部材26に取り付けた後に、吸着穴27を弾性樹脂16及び支持部材26を貫通するように形成した。これに限らず、弾性樹脂16及び支持部材26にそれぞれ貫通穴を形成した後に、弾性樹脂16を支持部材26に取り付け、それぞれの貫通穴を接続して吸着穴27を形成してもよい。吸着穴27を形成する工程は、弾性樹脂16を支持部材26に取り付ける前であっても、取り付けた後であっても、どちらでも構わない。
吸着穴を形成する工程が、弾性樹脂に取付ける前の場合、例えば、吸着穴形成後に吸着穴の吸着面にマスク用の接着シートを接着し、溝形成を行う。その後、弾性樹脂の吸着面側に露出した部分及び接着シートの露出側に反射層を形成する。接着シートとしては、反射層20と弾性樹脂16とを溶解しない液体に溶解する材料を用い、樹脂シートの少なくとも片面に接着剤を配置した構成を用いることができる。接着剤としては、例えば粘着剤(感圧接着剤:pressure sensitive adhesive)を用いることができる。
次に、図5(f)に示されるように、保持部材25を検査テーブル12の上に取り付ける。複数の半導体パッケージ10は、保持部材25の吸着穴27、検査テーブル12の空間22及び開口部23を介して保持部材25に吸着されて保持される。
(作用効果)
本実施形態によれば、支持部材26の上に弾性樹脂16を取り付けて保持部材25を製造する。弾性樹脂16は支持部材26の上に固定されるので、弾性樹脂16が撓むことを抑制することができる。したがって、支持部材16が、保持部材25の補強材として機能する。特に、保持部材25(弾性樹脂16)の面積が大きい場合には、本実施形態の効果がより顕著になる。
本実施形態によれば、弾性樹脂16の上にマスク28を残した状態で、格子状の溝19を形成する。反射層20は、マスク28の表面及び格子状の溝19の底面に形成されるが、マスク28及び格子状の溝19の側面には形成されない。マスク28を除去することによって、反射層20を格子状の溝19の底面にのみ残すことができる。したがって、半導体パッケージ10のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。半導体パッケージ10のエッジ検出を精度よく容易に行うことができる。かつ、本実施形態においても、実施形態1と同様の効果を奏することは言うまでもない。
各実施形態においては、切断対象物として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板を使用した場合について説明した。パッケージ基板としては、BGAパッケージ基板、LGAパッケージ基板、CSPパッケージ基板などが使用される。さらには、ウェーハレベルパッケージにも本発明を適用することができる。また、切断対象物として、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止した封止済みリードフレームにも本発明を適用することができる。
各実施形態においては、保持対象物として、パッケージ基板を切断して個片化された半導体パッケージを使用した場合について説明した。半導体パッケージとして、BGA、LGA、CSP、QFN、LEDなどの半導体パッケージに本発明を適用することができる。さらに、これらの半導体パッケージ以外にも、個片化された半導体パッケージ全般に本発明を適用することができる。
以上のように、上記実施形態の保持部材は、複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴、及び複数の吸着穴の間に配置された格子状の溝が設けられた弾性樹脂と、溝に配置された反射層とを備える構成としている。
この構成によれば、格子状の溝に保持対象物とは反射特性が異なる反射層を配置する。このことによって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。したがって、保持対象物のエッジ検出を精度よく行うことができる。
さらに、上記実施形態の保持部材では、吸着穴が配置された領域の外側にも反射層が配置される構成としている。
この構成によれば、最外周の保持対象物の外側にも反射層を配置する。したがって、最外周の保持対象物においてもエッジ検出を精度よく行うことができる。
さらに、上記実施形態の保持部材では、反射層は金属層、樹脂層、塗料層のいずれかを含む構成としている。
この構成によれば、格子状の溝に保持対象物と反射特性が異なる反射層を配置する。したがって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。
さらに、上記実施形態の保持部材では、さらに弾性樹脂を支持する支持部材を備える構成としている。
この構成によれば、弾性樹脂は支持部材の上に取り付けられて固定される。したがって、弾性樹脂が撓むことを抑制することができる。
さらに、上記実施形態の検査装置では、保持部材に保持された保持対象物を検査する検査機構が設けられる構成としている。
この構成によれば、検査機構によって保持部材に保持された保持対象物を検査する。保持部材に反射層が配置されているので、保持対象物のエッジ検出を精度よく行うことができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、保持部材を検査テーブルに備える構成としている。
この構成によれば、検査テーブルに反射層が配置されている保持部材を取り付ける。したがって、保持対象物のエッジ検出を容易にすることができる。
上記実施形態の保持部材の製造方法は、複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材の製造方法であって、保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴と吸着穴の間に配置された格子状の溝が形成された弾性樹脂に対して、溝に反射層を形成する。
この方法によれば、格子状の溝が形成された弾性樹脂に対して、溝に反射層を形成して保持部材を製造する。このことによって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。したがって、保持対象物のエッジ検出を精度よく行うことができる。
さらに、上記実施形態の保持部材の製造方法は、反射層を形成するのに、溝に対応する格子状の板状部材を溝に配置する。
この方法によれば、格子状の溝に保持対象物と反射特性が異なる板状部材を配置する。しがって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。かつ、板状部材を交換して使用することができる。
さらに、上記実施形態の保持部材の製造方法は、反射層を形成するのに、吸着穴周囲の吸着面にマスクが形成され、かつ溝にマスクが形成されていない状態の弾性樹脂に対して、溝に反射層として膜を形成する。
この方法によれば、吸着面にマスクを形成することによってマスクが形成されていない格子状の溝に容易に反射層を形成することができる。したがって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。
さらに、上記実施形態の保持部材の製造方法は、少なくとも溝が形成される前の弾性樹脂の吸着側にマスクを形成し、弾性樹脂のマスク形成面に溝を形成し、溝に膜を形成して、反射層を形成し、前記マスクを除去する。
この方法によれば、弾性樹脂の吸着側にマスクを形成し、マスク形成面に格子状の溝を形成する。格子状の溝に反射層を形成してからマスクを除去する。このことによって、格子状の溝にのみ反射層を残すことができる。したがって、保持対象物のエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。
さらに、上記実施形態の保持部材の製造方法は、反射層を形成するのに、吸着穴が配置された領域の外側にも反射層を形成する。
この方法によれば、最外周の保持対象物の外側にも反射層を配置する。したがって、最外周の保持対象物においてもエッジ境界部のコントラストを明確にすることができる。
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
1 切断装置
2 パッケージ基板
3 基板供給部
4 切断テーブル
5 保持部材
6 移動機構
7 回転機構
8 スピンドル
9 回転刃
10 半導体パッケージ(保持対象物)
11 搬送機構
12 検査テーブル
13、25 保持部材
14 検査用のカメラ(検査機構)
15 良品用トレイ
16 弾性樹脂
17 領域(吸着面)
18、27 吸着穴
19 格子状の溝
20、20a、20b 反射層
21 板状部材
22 空間
23 開口部
24 吸着機構
26 支持部材
28 マスク
A 基板供給モジュール
B 切断モジュール
C 検査モジュール
CTL 制御部

Claims (11)

  1. 複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材であって、
    前記保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴、及び複数の前記吸着穴の間に配置された格子状の溝が設けられた弾性樹脂と、
    前記溝に配置された反射層とを備える、保持部材。
  2. 前記保持部材は、前記吸着穴が配置された領域の外側にも前記反射層が配置される、請求項1に記載の保持部材。
  3. 前記反射層は金属層、樹脂層、塗料層のいずれかを含む、請求項1又は2に記載の保持部材。
  4. 前記保持部材は、さらに前記弾性樹脂を支持する支持部材を備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の保持部材。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保持部材に保持された前記保持対象物を検査する検査機構が設けられる、検査装置。
  6. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保持部材を検査テーブルに備える、切断装置。
  7. 複数の保持対象物を保持し、光学的な検査に用いられる保持部材の製造方法であって、
    前記保持対象物を保持するように吸着する複数の吸着穴と前記吸着穴の間に配置された格子状の溝が形成された弾性樹脂に対して、前記溝に反射層を形成する保持部材の製造方法。
  8. 前記反射層を形成するのに、
    前記溝に対応する格子状の板状部材を前記溝に配置する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。
  9. 前記反射層を形成するのに、
    前記吸着穴周囲の吸着面にマスクが形成され、かつ前記溝にマスクが形成されていない状態の前記弾性樹脂に対して、前記溝に前記反射層として膜を形成する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。
  10. 少なくとも前記溝が形成される前の前記弾性樹脂の吸着側にマスクを形成し、
    前記弾性樹脂の前記マスク形成面に前記溝を形成し、
    前記溝に膜を形成して、前記反射層を形成し、
    前記マスクを除去する、請求項7に記載の保持部材の製造方法。
  11. 前記反射層を形成するのに、
    前記吸着穴が配置された領域の外側にも前記反射層を形成する、請求項7〜10にいずれか1項に記載の保持部材の製造方法。
JP2017188231A 2017-09-28 2017-09-28 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置 Active JP6886379B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188231A JP6886379B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置
CN201810939377.1A CN109585352A (zh) 2017-09-28 2018-08-17 保持构件、保持构件的制造方法、检查装置及切断装置
TW107130607A TWI683096B (zh) 2017-09-28 2018-08-31 保持構件、保持構件的製造方法、檢查裝置及切斷裝置
KR1020180106383A KR20190037104A (ko) 2017-09-28 2018-09-06 보유 지지 부재, 보유 지지 부재의 제조 방법, 검사 장치 및 절단 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188231A JP6886379B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019066188A JP2019066188A (ja) 2019-04-25
JP6886379B2 true JP6886379B2 (ja) 2021-06-16

Family

ID=65919678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017188231A Active JP6886379B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6886379B2 (ja)
KR (1) KR20190037104A (ja)
CN (1) CN109585352A (ja)
TW (1) TWI683096B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6952737B2 (ja) * 2019-05-24 2021-10-20 Towa株式会社 保持部材、検査機構、切断装置、保持対象物の製造方法及び保持部材の製造方法
JP6968949B2 (ja) * 2019-05-24 2021-11-24 Towa株式会社 保持部材の製造方法
JP6823111B2 (ja) * 2019-06-07 2021-01-27 大成ラミック株式会社 断層観察キット
JP2021019082A (ja) * 2019-07-19 2021-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ 転写用基板
JP2021021592A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 Towa株式会社 検査システム、検査方法、切断装置、及び樹脂成形装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3033350B2 (ja) * 1992-07-23 2000-04-17 松下電器産業株式会社 チップの観察装置
JPH06237094A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Tdk Corp 吸着部品の照明方法及び装置
JP3321503B2 (ja) 1994-12-28 2002-09-03 太陽誘電株式会社 電子部品の外観検査装置
KR100331165B1 (ko) * 1999-08-05 2002-04-01 김도열 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법
JP4137471B2 (ja) * 2002-03-04 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置
KR20090041236A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 이송장치의 흡착패드
WO2012115012A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 株式会社ニコン 観察装置、検査装置、半導体装置の製造方法、および基板支持部材
JP5627618B2 (ja) * 2012-02-23 2014-11-19 Towa株式会社 固定治具の製造方法及び固定治具
JP5918003B2 (ja) * 2012-04-27 2016-05-18 Towa株式会社 個片化装置用真空吸着シート及びそれを用いた固定治具の製造方法
US10317460B2 (en) * 2013-06-07 2019-06-11 Maxim Integrated Products, Inc. Precision alignment unit for semiconductor trays
JP6000902B2 (ja) * 2013-06-24 2016-10-05 Towa株式会社 電子部品用の収容治具、その製造方法及び個片化装置
JP6235391B2 (ja) * 2014-03-27 2017-11-22 Towa株式会社 検査用治具、切断装置及び切断方法
JP6430170B2 (ja) * 2014-08-12 2018-11-28 Towa株式会社 切断装置及び切断方法並びに吸着機構及びこれを用いる装置
JP6382039B2 (ja) * 2014-09-04 2018-08-29 Towa株式会社 切断装置並びに吸着機構及びこれを用いる装置
JP6685126B2 (ja) * 2015-12-24 2020-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019066188A (ja) 2019-04-25
CN109585352A (zh) 2019-04-05
TW201915462A (zh) 2019-04-16
TWI683096B (zh) 2020-01-21
KR20190037104A (ko) 2019-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6886379B2 (ja) 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置
US10607877B2 (en) Chip mounting apparatus and method using the same
JP6685126B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
TWI660414B (zh) 切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法
KR101659686B1 (ko) 검사용 지그, 절단 장치 및 절단 방법
JP2009130342A (ja) 基板の切断方法及び装置
TWI737266B (zh) 保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法
CN111326469A (zh) 元件阵列的制造装置和特定元件的除去装置
TWI747296B (zh) 法蘭盤端面修正裝置、切斷裝置、法蘭盤端面修正方法以及切斷品的製造方法
JP2018157010A (ja) 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法
JP6968949B2 (ja) 保持部材の製造方法
JP2007227726A (ja) 集合基板加工方法
JP7068409B2 (ja) 切断装置及び切断品の製造方法
KR20240095900A (ko) 발광다이오드 모듈 제조 방법
JP5175610B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6598811B2 (ja) 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法
TW202422738A (zh) 黏晶裝置,黏晶方法及半導體裝置的製造方法
JP2023039753A (ja) 校正方法、及び電子部品の製造方法
CN117476502A (zh) 安装装置及半导体器件的制造方法
TW202435337A (zh) 轉移基板保持裝置、轉移裝置及轉移方法
TW202312307A (zh) 維護方法、及電子零件的製造方法
KR20240095899A (ko) 웨이퍼 상의 불량 발광다이오드 제거 방법
KR20180102011A (ko) 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
JP2008153487A (ja) 半導体装置の製造装置と製造方法
CN107895714A (zh) 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210420

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210514

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6886379

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250