JP6852726B2 - 発光装置と発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N alumane;terbium Chemical compound [AlH3].[Tb] FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L33/486—
-
- H01L33/505—
-
- H01L33/60—
-
- H01L33/62—
-
- H01L2933/0033—
-
- H01L2933/0041—
-
- H01L2933/0058—
-
- H01L2933/0091—
-
- H01L33/502—
-
- H01L33/58—
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Description
発光素子と、
前記発光素子の側面及び上面を覆う蛍光体層と、
前記発光素子の側方に前記蛍光体層を介して配置された第1光拡散層と、
前記蛍光体層及び前記第1光拡散層の上方に配置された第2光拡散層と、
前記第2光拡散層の上に配置された第1光反射層と、
を含み、
前記第2光拡散層の下面において、前記蛍光体層の上面に対向する第1下面の少なくとも一部は、前記第1光拡散層の上面に対向する第2下面より下方に位置する。
第1支持体の上面に光拡散材を含む枠体を配置して、上面を枠体により囲まれた1又は2以上の実装領域に区分する枠体配置工程と、
前記区分された実装領域に発光素子を配置する発光素子配置工程と、
前記区分された実装領域に発光素子を覆う蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程と、
前記枠体及び蛍光体層を覆う光拡散層を形成する光拡散層形成工程と、
前記光拡散層の上に光反射層を形成する光反射層形成工程と、
前記光反射層の上に第2支持体を配置する第2支持体配置工程と、
前記第1支持体を除去し、前記第2支持体上で前記枠体を前記蛍光体層の周りに所定の厚さの枠体が残るように切断する切断工程と、
を含む。
また、本開示の一の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、発光装置の側面方向へ出射される光の方向を制御することができる発光装置を製造することができる。
本開示の実施形態に係る発光装置100を図1〜5に示す。図1は発光装置100を上側から見た斜視図であり、図2は発光装置100を下側から見た斜視図であり、図3は断面図であり、図4は発光装置100の上面図であり、図5は発光装置100の底面図である。
実施形態に係る発光装置100は、第2光反射層7と、第2光反射層7の上に設けられた発光素子2と、発光素子2を囲むように第2光反射層7の上に配置された第1光拡散層3と、発光素子2の面及び上面を覆うように第1光拡散層3の内側に設けられた蛍光体層5と、蛍光体層5及び第1光拡散層3の上方に配置された第2光拡散層4と、第2光拡散層4の上に配置された第1光反射層6と、を含む。
本実施形態に係る発光装置100に使用可能な発光素子2は特に限定されず、発光ダイオード(light emitting diode:LED)等の半導体発光素子であってよい。発光素子2は同一面側に一対の電極21および22を有する。電極21および22がCu等の酸化しやすい材料である場合、その表面に金属膜201および202をそれぞれ備えることが好ましい。
蛍光体層5は、発光素子2からの光(一次光)の一部を蛍光体層8に含まれる蛍光体によって波長変換して一次光とは異なる波長の光(二次光)を出射する。これにより、発光装置100からは、例えば、波長変換されなかった一次光と波長変換された二次光とが混合されて混色光を出射することができる。尚、蛍光体の量等により、主として波長変換された光である二次光のみを外部に出射することもできる。
第1光拡散層3は、蛍光体層5の側方に配置され、第1光拡散層3の外周面が発光装置1の側面の一部を構成する。蛍光体層5からの光は第1光拡散層3において拡散され、その結果、蛍光体層5からの光を効率よく側方に出射することができる。
第2光拡散層4は、蛍光体層5及び第1光拡散層3の上方に配置され、第2光拡散層4の外周面が発光装置100の側面の一部を構成する。第2光拡散層4を設けることにより、発光装置1の側面方向における光取り出し効率を向上させることができる。図3等に示すように、第2光拡散層4は第1光拡散層3の上面に対向するように配置することができる。第2光拡散層4は、第1光拡散層3と同様の材料で構成され得る。第1光拡散層3と、第2光拡散層4とは、同一の組成を有してよく、異なる組成を有してもよい。
第1光反射層6は第2光拡散層4の上に配置される。第1光反射層6は光反射性材料を含有する層であってよく、例えば、光反射性材料の粒子を分散させた樹脂層であってよい。樹脂は、特に限定されるものではなく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂等であってよい。光反射性材料として、例えば、平均粒径(体積基準のメジアン径)が0.1μm〜0.5μm程度の酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、チタン酸カリウム、窒化硼素等を用いることができる。
第2光反射層7は、発光素子2の電極21、22をそれぞれ露出させるようにして配置される。このような構成により、発光装置1の下面は、電極21、22と、第2光反射層7と、で構成される。発光装置1の下面に第2光反射層7を配置することにより、発光装置1の側方における光取り出し効率をより一層向上させることができる。
第2光反射層7を含まない発光装置であっても、例えば、実装されて使用される際に実装基板により発光素子2からの光及び蛍光体層5からの光を反射させることにより、第2光反射層7を含む発光装置100と同様、側面から所望の配光特性で光を出射させることができる。
しかしながら、本開示の発光装置は、第1下面4aが下方に向かって窪むように湾曲した曲面である場合に限定されるものではなく、例えば、平坦な面の一部に凹部が形成された第1下面4aであってもよい。すなわち、本開示の発光装置において、第1下面4aは少なくともその一部が第1光拡散層3の上面に対向する第2下面4bより下方に位置し、光をその界面により拡散させることができればよい。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法について、図6A〜図6Mを参照して以下に説明する。ただし、本実施形態に係る発光装置1の製造方法は、以下に説明する方法に限定されるものではない。
枠体配置工程では、第1支持体91の上面に光拡散材を含む枠体を配置して、第1支持体91の上面を枠体により囲まれた1又は2以上の実装領域に区分する。ここで、枠体は、個々の発光装置に分割されたときに、第1光拡散層3を構成する部材であり、図6A〜図6Mでは、枠体にも第1光拡散層と同じ符号3を付して示している。
具体的には、まず、枠体3を準備する(図6A)。枠体3は、例えば、所定濃度の光拡散性材料を含有する樹脂を圧縮成形する等により作製することができる。枠体3の厚み(高さ)は、研削等により調整することができる。尚、このような枠体3は、上述の工程を経て準備してもよく、あらかじめ成形されたものを購入することで準備してもよい。
図1等に示す発光素子2の下方に第2光反射層7を含む発光装置100を製造する場合には、支持テープ等の第1支持体91の上に第2光反射層7を形成する。第2光反射層7は、第1支持体91の上に、所定濃度の光反射性材料を含有する樹脂ペーストを塗布することにより作製することができる(図6C)。また、あらかじめ成形された第2光反射層7を第1支持体91上に配置してもよい。
以上のようにして、第1支持体91の上面を枠体3の孔3aにそれぞれ対応する1又は2以上の実装領域に区分する。
尚、図6A〜図6Mには、第2光反射層7を含む発光装置100を製造する場合の例を示しているが、上述したように第2光反射層7は必要に応じて設ければよい。
ここでは、第1支持体91上、または第1支持体91上に第2光反射層7を介して、区分された実装領域にそれぞれ発光素子を配置する。
具体的には、孔3aの内部に発光素子2を配置する(図6E)。発光素子2を配置は、樹脂ペーストを塗布することにより第2光反射層7を形成する場合には、樹脂ペーストを硬化させる前に、発光素子2の電極21および22が樹脂ペーストを貫通して基材91に接するように発光素子2を配置する。成形された第2光反射層7を基材91に配置する場合には、例えば、発光素子2を配置する前に、電極21および22が基材91に接するようにあらかじめ第2光反射層7に貫通孔を形成するようにする。
ここでは、区分された実装領域に発光素子を覆う蛍光体層5を形成する。
具体的には、図6Fに示すように、所定濃度の蛍光体を含有する樹脂ペーストを、発光素子2を被覆するように孔3aの内部にポッティングすることにより、各実装領域にそれぞれ蛍光体層5を形成する。ポッティングの際は、孔3aの内部で発光素子2を被覆しかつ樹脂ペーストを硬化させたときに所望の湾曲した凹部からなる上面が形成されるように、樹脂ペーストの粘度及び注入量を調整する。また、ポッティングの際、樹脂ペーストの粘度及び注入量を調整することにより、樹脂ペーストが第1光拡散層3の内周側面の上端まで濡れ拡がるようにできるし、第1光拡散層3の内周側面の途中まで濡れ拡がるようにもできる。
枠体3及び蛍光体層5を覆う第2光拡散層4を形成する。
具体的には、第1光拡散層3の上および蛍光体層5の上に、所定濃度の光拡散性材料を含有する樹脂を例えば圧縮成形することにより第2光拡散層4を形成する(図6G)。尚、第2光拡散層4の厚みは、研削等により調整することができる(図6H)。
ここでは、第2光拡散層4の上に第1光反射層6を形成する。、
具体的には、第2光拡散層4の上に、所定濃度の光反射性材料を含有する樹脂を圧縮成形することにより第1光反射層6を形成する(図6I)。第1光反射層6の厚みは、研削等により調整することができる(図6J)。
ここでは、第1光反射層6の上に第2支持体92を配置する。
具体的には、第1光反射層6を支持テープ等の第2支持体92に貼り合わせた後、第1支持体91を除去することにより転写する(図6K)。次いで、必要に応じて電極21および22上の第2光反射層7のバリを除去して発光素子2の電極21および22を露出させる(図6K)。電極21および22が、Cu等の酸化しやすい材料である場合、その表面にスパッタ等により金属膜201および202を形成することが好ましい(図6L)。
第2支持体92上で枠体3を各実装領域に形成された蛍光体層5の周りに所定の厚さの枠体3が残るように切断する(図6M)。
このようにして、実施形態に係る発光装置100、又は発光装置100において、第2光反射層を含んでいない発光装置を製造することができる。
例えば、枠体配置工程〜発光素子配置工程を同一の条件で行った後、蛍光体層形成工程において、蛍光体を含有する樹脂ペーストとして、蛍光体の含有量及び/又は樹脂ペーストの粘度及び注入量を変更した樹脂ペーストを用いて硬化させたときに湾曲度合いを変化させることにより、配光特性を異ならせることができる。
さらには、切断工程において、各実装領域に形成された蛍光体層5の周りに残す枠体3の厚さを調整することにより、配光特性を異ならせることができる。
21、22 電極
201、202 金属膜
3 第1光拡散層(枠体)
3a 孔
4 第2光拡散層
5 蛍光体層
6 第1光反射層
7 第2光反射層
91 第1支持体
92 第2支持体
100,200 発光装置
Claims (11)
- 発光素子と、
前記発光素子の側面及び上面を覆う蛍光体層と、
前記発光素子の側方に前記蛍光体層を介して配置された第1光拡散層と、
前記蛍光体層及び前記第1光拡散層の上方に配置された第2光拡散層と、
前記第2光拡散層の上に配置された第1光反射層と、
を含み、
前記第2光拡散層の下面において、前記蛍光体層の上面に対向する第1下面の少なくとも一部は、前記第1光拡散層の上面に対向する第2下面より下方に位置する発光装置。 - 前記発光素子の下方に第2光反射層を更に含む請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1下面は、下方に向かって窪むように湾曲している請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記第1下面の外周端部は、前記第2下面の内周端部と一致する請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1下面の外周端部は、前記第2下面の内周端部より下方に位置する請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 第1支持体の上面に光拡散材を含む枠体を配置して、上面を枠体により囲まれた1又は2以上の実装領域に区分する枠体配置工程と、
前記区分された実装領域に発光素子を配置する発光素子配置工程と、
前記区分された実装領域に発光素子を覆う蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程と、
前記枠体及び蛍光体層を覆う光拡散層を形成する光拡散層形成工程と、
前記光拡散層の上に光反射層を形成する光反射層形成工程と、
前記光反射層の上に第2支持体を配置する第2支持体配置工程と、
前記第1支持体を除去し、前記第2支持体上で前記枠体を前記蛍光体層の周りに所定の厚さの枠体が残るように切断する切断工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記枠体配置工程の前に、第1支持体の上面に第2光反射層を形成する第2光反射層形成工程を含み、
前記枠体配置工程において、前記枠体を第1支持体の上面に第2光反射層を介して配置する請求項6記載の発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層形成工程は、蛍光体粒子を含む樹脂を塗布することを含み、塗布する樹脂の粘度及び塗布量を調整して、蛍光体層を蛍光体層の上面が下方に窪んで湾曲するように形成する請求項6又は7に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層形成工程において、塗布する樹脂の粘度及び塗布量を蛍光体層の上面が所望の湾曲形状になるように調整する請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層形成工程において、塗布する樹脂の粘度及び塗布量を蛍光体層の上面の外周端が前記枠体の内周端部に一致するまで這い上がるように調整して前記樹脂を塗布する請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層形成工程において、塗布する樹脂の粘度及び塗布量を蛍光体層の上面の外周端が前記枠体の内周側面の途中まで這い上がるように調整して前記樹脂を塗布する請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018235655A JP6852726B2 (ja) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 発光装置と発光装置の製造方法 |
US16/711,560 US11205745B2 (en) | 2018-12-17 | 2019-12-12 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018235655A JP6852726B2 (ja) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 発光装置と発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020098832A JP2020098832A (ja) | 2020-06-25 |
JP6852726B2 true JP6852726B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=71072963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018235655A Active JP6852726B2 (ja) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 発光装置と発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11205745B2 (ja) |
JP (1) | JP6852726B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7381903B2 (ja) * | 2021-03-31 | 2023-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158639A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kyocera Corp | サイドエミッタ型発光装置 |
TWI426206B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 發光二極體裝置 |
KR20120134375A (ko) * | 2011-06-02 | 2012-12-12 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP2013115088A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2013118244A (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置 |
JP2013143430A (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置 |
WO2013111542A1 (ja) | 2012-01-23 | 2013-08-01 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP5980577B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-08-31 | シチズン電子株式会社 | 側面照射型led発光装置及び側面照射型led発光装置の製造方法 |
TWI721005B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置以及其製造方法 |
JP2018041857A (ja) | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層光拡散層被覆光半導体素子 |
JP6458793B2 (ja) | 2016-11-21 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-12-17 JP JP2018235655A patent/JP6852726B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-12 US US16/711,560 patent/US11205745B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11205745B2 (en) | 2021-12-21 |
US20200194639A1 (en) | 2020-06-18 |
JP2020098832A (ja) | 2020-06-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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