JP5980577B2 - 側面照射型ｌｅｄ発光装置及び側面照射型ｌｅｄ発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明はＬＥＤ素子を用いた側面照射型ＬＥＤ発光装置及び側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法に関し、詳しくは側面の蛍光枠体を精度良く形成し、かつ、蛍光枠体を透光性樹脂で被覆保護して信頼性を高めた側面照射型ＬＥＤ発光装置及び側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法に関する。
近年、ＬＥＤ素子は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。
また、電子機器におけるキー照明等に使用される側面照射型ＬＥＤ発光装置として基板上にＬＥＤ素子を実装し、基板上のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆すると共に、封止樹脂の上面を反射体層で覆う構成の側面照射型ＬＥＤ発光装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
さらに、大判の集合基板上に実装した複数のＬＥＤ素子を蛍光樹脂で被覆し、さらに蛍光樹脂の周囲を透光性の封止樹脂で被覆すると共に、隣接するＬＥＤ素子の間の集合基板に溝加工を行い、できた溝に反射材を充填して反射枠体を形成し、この反射枠体部分で切断分離することによって、ＬＥＤ素子の発光を蛍光樹脂で波長変換し、その変換光を反射枠体で反射させて上方に出射光として出力する、上方照明型ＬＥＤ発光装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。
しかし、特許文献１に記載された側面照射型ＬＥＤ発光装置は、基板上のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆すると共に、封止樹脂の上面を反射体層で覆う構成の側面照射型ＬＥＤ発光装置ではあるが、ＬＥＤ素子の発光を蛍光体層によって波長変換する方式の側面照射型ＬＥＤ発光装置ではない。また引用文献２に記載された半導体発光装置はＬＥＤ素子の発光を蛍光体層によって波長変換する方式の発光装置であり、さらに封止樹脂の外側に樹脂枠体を形成する構成ではあるが、封止樹脂の外側に形成される樹脂枠体が反射層の樹脂枠体であり、上方照明型ＬＥＤ発光装置である。
従って引用文献１及び引用文献２に記載のＬＥＤ発光装置は、本発明の一部をなす構成ではあるが、ＬＥＤ素子の発光を蛍光体層によって波長変換し、この波長変換光を側面に出射して電子機器のキー照明等に使用する側面照射型ＬＥＤ発光装置の提案ではない。
そこで本発明の目的は、ＬＥＤ素子の発光を蛍光体層によって波長変換する側面照射型ＬＥＤ発光装置であって、蛍光体層の信頼性と発光色の均一化を図り、かつ製造の容易な、側面照射型ＬＥＤ発光装置及び側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法を提供することである。
上記目的を達成するための本発明におけるＬＥＤ発光装置の構成は、基板上にＬＥＤ素子を実装し、前記基板上のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆すると共に、前記封止樹脂の上面を反射体層で覆う構成の側面照射型ＬＥＤ発光装置において、前記封止樹脂の外周側面に蛍光枠体を設け、前記基板に設けた前記蛍光枠体の平面形状と同形状の溝部に前記蛍光枠体の底面部が収納され、前記蛍光枠体の外側に透光性樹脂層を設けたことを特徴とする。
上記構成によれば、蛍光枠体の内側と外側とを封止樹脂と透光性樹脂層とにより保護することができるため、蛍光枠体を構成する蛍光体層の信頼性を高めると同時に、ＬＥＤ素子から蛍光体層までの距離を略等しくすることによって発光色の均一化を図ることができ、発光特性及び信頼性の高い側面照射型ＬＥＤ発光装置を提供することができる。
前記溝部は前記透光性の封止樹脂に前記ＬＥＤ素子を取り囲むように設けられており、前記蛍光枠体は前記溝に蛍光体を含有した蛍光樹脂が充填されたものであると良い。
また、本発明における面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法は、集合基板上に複数のＬＥＤ素子を実装する素子実装工程と、前記集合基板上の複数のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆する樹脂封止工程と、前記封止樹脂をダイシングして各ＬＥＤ素子を取り囲む溝を形成する溝形成工程と、前記溝に蛍光体を含有した蛍光樹脂を充填して蛍光枠体を形成する蛍光枠体形成工程と、前記封止樹脂の上面に反射体層を形成する反射体層形成工程と、前記反射体層と封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断して個々の側面照射型ＬＥＤ発光装置に分離する切断分離工程とを有することを特徴とする。
上記製造方法によれば、ＬＥＤ素子を封止した封止樹脂の所定位置に形成した溝に、蛍光樹脂を充填して蛍光枠体を精度よく形成するとともに、封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断することによって、蛍光枠体の内側と外側とを封止樹脂と透光性樹脂層とにより保護して、蛍光枠体を構成する蛍光体層の信頼性を高めると同時に、ＬＥＤ素子から蛍光体層までの距離を略等しくすることによって発光色の均一化を図ることができ、発光特性及び信頼性の高い側面照射型ＬＥＤ発光装置を容易に量産することができる。
前記溝形成工程において、前記集合基板にもハーフダイシングにより溝を形成すると良い。
また、本発明における面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法は、集合基板上に複数のＬＥＤ素子を実装する素子実装工程と、前記集合基板上の複数のＬＥＤ素子を各々取り囲むように、蛍光体を含有した蛍光樹脂成型により蛍光枠体を形成する蛍光枠体形成工程と、前記集合基板の全面に透光性の封止樹脂を充填する樹脂封止工程と、前記封止樹脂の上面に反射体層を形成する反射体層形成工程と、前記反射体層と封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断して個々の側面照射型ＬＥＤ発光装置に分離する切断分離工程とを有することを特徴とする。
上記製造方法によれば、複数のＬＥＤ素子を実装した集合基板上の所定位置に蛍光樹脂成型により蛍光枠体を精度よく形成し、また集合基板の全面に透光性の封止樹脂を充填してＬＥＤ素子の封止を行い、さらに反射体層と封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断することによって、蛍光枠体の内側と外側とを封止樹脂と透光性樹脂層とにより保護して、蛍光枠体を構成する蛍光体層の信頼性を高めると同時に、ＬＥＤ素子から蛍光体層までの距離を略等しくすることによって発光色の均一化を図ることができ、発光特性及び信頼性の高い側面照射型ＬＥＤ発光装置を容易に量産することができる。
上記の如く本発明によれば、蛍光枠体を精度良く構成し、かつ蛍光枠体の内側と外側とを封止樹脂と透光性樹脂層とにより保護することによって、蛍光枠体を構成する蛍光体層の信頼性を高めると同時に、ＬＥＤ素子から蛍光体層までの距離を略等しくすることによって発光色の均一化を図ることができ、発光特性及び信頼性の高い側面照射型ＬＥＤ発光装置及び側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法を提供することができる。
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１〜図３は本発明の第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置を示し、図１は本発明の第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の断面図、図２は図１に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の反射体層を外した上面図、図３Ａ、図３Ｂは側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の各製造工程を示す斜視図である。
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１〜図３は本発明の第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置を示し、図１は本発明の第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の断面図、図２は図１に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の反射体層を外した上面図、図３Ａ、図３Ｂは側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の各製造工程を示す斜視図である。
側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の図１に示す断面図において、回路基板７の上面には図示しない配線電極が設けられ、この配線電極にはＬＥＤ素子１（以後単にＬＥＤと略記する）がフリップチップ実装又はワイヤーボンディング等により実装されており、回路基板７上のＬＥＤ１は透光性の封止樹脂２で被覆され、封止樹脂２の外周面側を取り囲む形状に蛍光枠体３を設け、さらに蛍光枠体３の外側に透光性樹脂層４を設けている。さらにＬＥＤ１の上面全体、すなわち封止樹脂２、蛍光枠体３、透光性樹脂層４の全体を覆う形状で反射体層である反射板５を設けている。なお１点鎖線で示すのは側面照射型ＬＥＤ発光装置１０を実装したマザーボード８である。
図２は図１に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の反射板５を取り除いた上面図であり、井桁形状の蛍光枠体３と、封止樹脂２及び透光性樹脂層４を透視して回路基板７とＬＥＤ１が見えている。
次に側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の照明動作を説明する。ＬＥＤ１に図示しない配線電極を介して駆動電流が供給されると、ＬＥＤ１が駆動されてその発光Ｐ１は直接、または反射板５や回路基板７によって反射された後に側面の蛍光枠体３に入射する。そして蛍光枠体３に入射した発光Ｐ１が蛍光枠体３に混入された蛍光粒子に衝突することにより励起動作が行われ、この励起によって波長変換された励起光Ｐ２が側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の側面側より出射されて、側面照明が行われる。
上記動作において、後述する如く蛍光枠体３が一定の厚さで精度良く構成されているため、ＬＥＤ１からの発光Ｐ１の蛍光枠体３を通過する距離が同じになるので出射される励起光Ｐ２の発光色を均一にすることができる。また蛍光枠体３の内側は封止樹脂２で保護され、さらに外側も透光性樹脂層４で保護されているので蛍光枠体３の外気との接触による劣化を減少させる効果がある。
次に側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の製造工程を図３Ａ、図３Ｂにより説明する。図３Ａ、図３Ｂの工程（ａ）〜（ｅ）はいずれも各要素の斜視図を示しており、図３Ａにおける工程（ａ）は回路基板７の中心にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ実装工程である。工程（ｂ）はＬＥＤ１の発光面上を含む回路基板７の全面に、成型金型等を用いて透光性を有する封止樹脂２を充填する樹脂封止工程である。工程（ｃ）は充填した封止樹脂２をダイシングによりＬＥＤ１を取り囲む位置に溝２ａを形成する溝形成工程であり、本実施形態においては４角形状のＬＥＤ１を取り囲む形状に４本の溝２ａを直交して形成しているため、井桁形状の溝になっている。そして封止樹脂２はダイシングによる溝２ａの加工により、溝２ａの内側でＬＥＤ１を封止している部分が封止樹脂２となり、溝２ａの外側が透光性樹脂層４となる。
図３Ｂの工程（ｄ）は井桁形状の溝２ａに蛍光体を含有した蛍光樹脂を充填して蛍光枠体３を形成する蛍光枠体形成工程であり、蛍光枠体３は封止樹脂２にダイシング加工によって精度良く形成された溝２ａに蛍光樹脂を充填して形成するため、極めて形状精度の良い蛍光枠体３が形成される。そして蛍光枠体３は溝２ａの両側に設けられた封止樹脂２と透光性樹脂層４とにより両面が保護されることによって外気との接触による劣化を減少させることができる。工程（ｅ）はＬＥＤ１の上面全体、すなわち封止樹脂２、蛍光枠体３、透光性樹脂層４の全体を覆う形状で反射板５を取り付ける反射体層形成工程であり、この反射板５としてはシリコーン樹脂等の透光性樹脂に酸化チタン等の白色顔料を混入した反射樹脂板や、樹脂板に金属蒸着膜を形成した金属反射板等を用いることができ、またその取り付け方法は例えば透明性の接着材を用いて接着すると良い。
上記各工程によって図１に断面図を示した側面照射型ＬＥＤ発光装置１０が完成する。そして、図３Ａの工程（ｃ）、図３Ｂの（ｄ）に示す如く蛍光枠体３は封止樹脂２のダイシング加工により溝２ａの両側に設けられた封止樹脂２と透光性樹脂層４とにより両面が保護されることによって外気との接触による劣化を減少させることができる。
（第２実施形態）
次に図４、図５Ａ、図５Ｂにより本発明の第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図４は本発明の第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の断面図、図５Ａ、図５Ｂは側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の製造工程を示す各要素の斜視図である。なお第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の基本的構成及び製造方法は、第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と同じであり、共通する要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
次に図４、図５Ａ、図５Ｂにより本発明の第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図４は本発明の第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の断面図、図５Ａ、図５Ｂは側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の製造工程を示す各要素の斜視図である。なお第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の基本的構成及び製造方法は、第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と同じであり、共通する要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
図４に示す第２実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置２０において、図１に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と異なる部分は、回路基板７にも溝７ａが形成され、この溝７ａに蛍光枠体１３の底部が係合しているところである。また図５Ａ、図５Ｂに示す側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の製造方法において図３Ａ、図３Ｂに示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の製造方法と異なるところは、図５Ａにおける工程（ｃ）の溝形成工程においては、ダイシング加工時に封止樹脂２に溝２ａを形成するのと同時に、回路基板７にもハーフダイシング加工を行って、回路基板７の中間までの深さの溝７ａを形成し、さらに図５Ｂにおける工程（ｄ）の蛍光枠体形成工程において、蛍光体を含有した蛍光樹脂を封止樹脂２の溝２ａに加えて回路基板７の溝７ａにも充填して、回路基板７に係合した蛍光枠体１３を形成している。従って側面照射型ＬＥＤ発光装置２０においては蛍光枠体１３が回路基板７にしっかり係合するので、樹脂部分と回路基板７との結合力が安定する効果がある。
（第３実施形態）
次に図６〜図８により本発明の第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図６は本発明の第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の断面図、図７は図６に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の反射体層を外した上面図、図８は側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の製造工程を示す斜視図である。なお第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の基本的構成及び製造方法は、第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と同じであり、共通する要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
次に図６〜図８により本発明の第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図６は本発明の第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の断面図、図７は図６に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の反射体層を外した上面図、図８は側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の製造工程を示す斜視図である。なお第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の基本的構成及び製造方法は、第１実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と同じであり、共通する要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
図６、図７に示す第３実施形態における側面照射型ＬＥＤ発光装置３０において、図１に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置１０と異なる部分は、図７の平面図に示す通り蛍光枠体２３の形状が、蛍光枠体３の井桁形状と異なり４角形状になっていることである。
次に側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の製造工程を図８により説明する。図８（ａ）〜（ｄ）はいずれも各要素の斜視図を示しており、図８における工程（ａ）は回路基板７の中心にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ実装工程である。
工程（ｂ）はＬＥＤ１を実装した回路基板７の周囲に、成型金型を用いて蛍光体を含有した蛍光樹脂成型により蛍光枠体２３を形成する蛍光枠体形成工程であり、蛍光枠体２３は回路基板７の周囲に透光性樹脂層４を形成するためのスペース７ｂを残して内側に形成されている。
工程（ｂ）はＬＥＤ１を実装した回路基板７の周囲に、成型金型を用いて蛍光体を含有した蛍光樹脂成型により蛍光枠体２３を形成する蛍光枠体形成工程であり、蛍光枠体２３は回路基板７の周囲に透光性樹脂層４を形成するためのスペース７ｂを残して内側に形成されている。
工程（ｃ）は同じく成型金型を用いて透光性を有する封止樹脂２を、回路基板７の全面に充填することにより、蛍光枠体２３の内側にＬＥＤ１を封止する封止樹脂２を形成し、蛍光枠体２３の外側のスペース７ｂに透光性樹脂層４を形成する樹脂封止工程である。工程（ｄ）はＬＥＤ１の上面全体、すなわち封止樹脂２、蛍光枠体２３、透光性樹脂層４の全体を覆う形状で反射板５を取り付ける反射体層形成工程であり、上記工程によって図６、図７に示す側面照射型ＬＥＤ発光装置３０が完成する。そして、工程（ｂ）（ｃ）に示す如く蛍光枠体２３は成型金型によって形状精度良く形成され、かつ樹脂成型工程によって設けられた封止樹脂２と透光性樹脂層４とにより両面が保護されて外気との接触による劣化を減少させることができる。
（第４実施形態）
次に本発明の第４実施形態として、集合基板方式によって製造した側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃの工程（ａ）〜（ｆ）は図１に示した側面照射型ＬＥＤ発光装置１０を集合基板方式によって製造した事例を示しており、いずれも集合体各要素の斜視図を示している。図９Ａの工程（ａ）は集合基板である大判の回路基板７Ｌの各位置にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ実装工程である。工程（ｂ）はＬＥＤ１の発光面上を含む大判の回路基板７Ｌの全面に、成型金型等を用いて透光性を有する大判の封止樹脂２Ｌを充填する樹脂封止工程である。
次に本発明の第４実施形態として、集合基板方式によって製造した側面照射型ＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃの工程（ａ）〜（ｆ）は図１に示した側面照射型ＬＥＤ発光装置１０を集合基板方式によって製造した事例を示しており、いずれも集合体各要素の斜視図を示している。図９Ａの工程（ａ）は集合基板である大判の回路基板７Ｌの各位置にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ実装工程である。工程（ｂ）はＬＥＤ１の発光面上を含む大判の回路基板７Ｌの全面に、成型金型等を用いて透光性を有する大判の封止樹脂２Ｌを充填する樹脂封止工程である。
図９Ｂの工程（ｃ）は充填した大判の封止樹脂２Ｌをダイシングにより各ＬＥＤ１を取り囲む位置に溝２ａを形成する溝形成工程であり、各ＬＥＤ１を取り囲む形状に４本の溝２ａを直交して形成しているため、各ＬＥＤ１に対する井桁形状の溝を連続して加工している。そして大判の封止樹脂２Ｌはダイシングによる溝２ａの加工により、各ＬＥＤ１に対して溝２ａの内側でＬＥＤ１を封止している部分が封止樹脂２となり、溝２ａの外側が透光性樹脂層４となる。なお、溝２ａによって形成される透光性樹脂層４の巾は、大判の封止樹脂２Ｌの外周に形成される透光性樹脂層４の巾に対して、大判の封止樹脂２Ｌの内側、すなわち各封止樹脂２の間に形成される透光性樹脂層４ａは２倍の巾となっている。この理由は後述する切断分離工程において、ダイシングによる切断分離を各ＬＥＤ１に対する蛍光枠体３の間にある透光性樹脂層４ａの中間で行うためである。
工程（ｄ）は井桁形状の溝２ａに蛍光体を含有した蛍光樹脂を充填して蛍光枠体３を形成する蛍光枠体形成工程であり、各ＬＥＤに対する蛍光枠体３は大判の封止樹脂２Ｌにダイシング加工によって精度良く形成された溝２ａに蛍光樹脂を充填して形成するため、極めて形状精度の良い蛍光枠体３が形成される。そして蛍光枠体３は溝２ａの両側に設けられた封止樹脂２と透光性樹脂層４とにより両面が保護されることによって外気との接触による劣化を減少させることができる。
図９Ｃの工程（ｅ）は各ＬＥＤ１の上面全体、すなわち大判の封止樹脂２Ｌに形成された蛍光枠体３、透光性樹脂層４の全体を覆う形状で大判の反射板５Ｌを取り付ける反射体層形成工程であり、この大判の反射板５Ｌとしてはシリコーン樹脂等の透光性樹脂に酸化チタン等の白色顔料を混入した反射樹脂板や、樹脂板に金属蒸着膜を形成した金属反射板等を用いることができ、またその取り付け方法は例えば透明性の接着材を用いて接着すると良い。上記工程により大判の側面照射型ＬＥＤ発光装置１０Ｌが完成する。
工程（ｆ）は大判の側面照射型ＬＥＤ発光装置１０Ｌを切断分離して複数の側面照射型ＬＥＤ発光装置１０を作成する切断分離工程であり、ダイシング加工を点線で示す切断線Ｃの位置、すなわち工程（ｄ）に示す各ＬＥＤ１に対する、蛍光枠体３の間の透光性樹脂層４ａの中間の位置で行うことにより、切断分離された各側面照射型ＬＥＤ発光装置１０は図１に示す構成となる。そして中間位置で切断された透光性樹脂層４ａは半分の厚さの透光性樹脂層４となる。
次に本発明の集合基板方式による製造方法を工程表により説明する。図１０、図１１は本発明にける側面照射型ＬＥＤ発光装置の、集合基板方式による製程を示す工程表であり、図１０は側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の製造工程を示し、図１１は側面照射型ＬＥＤ発光装置３０の製造工程を示めす。
図１０において工程ａは集合基板である大判の回路基板７Ｌに複数のＬＥＤ１を実装する素子実装工程、工程ｂは複数のＬＥＤ１を大判の封止樹脂２Ｌで被覆する樹脂封止工程、工程ｃは大判の封止樹脂２Ｌをダイシングして溝２ａを形成する溝形成工程、工程ｄは溝２ａに蛍光樹脂を充填して蛍光枠体３を形成する蛍光枠体形成工程、工程ｅは大判の封止樹脂２Ｌの上面に大判の反射板５Ｌを形成する反射体層形成工程、工程ｆは大判の反射板５Ｌと大判の封止樹脂２Ｌと大判の回路基板７Ｌとを、蛍光枠体３の間で切断して各側面照射型ＬＥＤ発光装置１０に分離する切断分離工程であり、以上の工程によって側面照射型ＬＥＤ発光装置１０が精度良く量産される。
また、上記側面照射型ＬＥＤ発光装置１０の製造工程において、大判の封止樹脂２Ｌをダイシングして溝２ａを形成する溝形成工程ｃにおいて、大判の回路基板７Ｌにハーフダイシングを行って溝７ａを形成し、大判の封止樹脂２Ｌの溝２ａと大判の回路基板７Ｌの溝７ａとに蛍光樹脂を充填して蛍光枠体１３を形成すれば、側面照射型ＬＥＤ発光装置２０の製造工程となる。
さらに、図１１において工程ａは集合基板である大判の回路基板７Ｌに複数のＬＥＤ１を実装する素子実装工程、工程ｂは大判の回路基板７Ｌ上の複数のＬＥＤ１の周囲に、蛍光樹脂の成型によって蛍光枠体２３を形成する蛍光枠体形成工程、工程ｃは大判の回路基板７Ｌの全面に透光性を有する封止樹脂２を充填する樹脂封止工程、工程ｄは大判の封止樹脂２Ｌの上面に大判の反射板５Ｌを形成する反射体層形成工程、工程ｅは大判の反射板５Ｌと大判の封止樹脂２Ｌと大判の回路基板７Ｌとを、蛍光枠体２３の間で切断して各側面照射型ＬＥＤ発光装置３０に分離する切断分離工程であり、以上の工程によって側面照射型ＬＥＤ発光装置３０が精度良く量産される。
上記の如く、本発明における集合基板方式の製造方法においては、各ＬＥＤに対する、蛍光枠体の間に透光性樹脂層４の約２倍の厚さの透光性樹脂層４ａを設け、この透光性樹脂層４ａの中間の位置で切断分離を行っているので、切断位置が多少ずれても透光性樹脂層４の厚みが多少変化するだけで、蛍光枠体の厚みが変化する心配がない。また透光性樹脂層４の厚さが多少変化しても蛍光枠体が露出することなく保護される。
本発明にける側面照射型ＬＥＤ発光装置においては、蛍光枠体を成型によって形成しているため、実施形態に示した矩形形状の蛍光枠体だけでなく円形や多角形等の任意の形状の蛍光枠体を精度良く形成することができる。また、本発明の実施形態では１個のＬＥＤの場合に付いて示したが、ＬＥＤを任意の個数にしても良く、ＬＥＤの種類も青色、紫外線など、蛍光体もＹＡＧ、ＲＧＢ蛍光体等を任意に選択できることは当然である。さらに、蛍光枠体を保護する透光性樹脂としては透明樹脂だけでなく、散乱剤を混入した透光性樹脂でも良い。
１ ＬＥＤ
２ 封止樹脂
２ａ、７ａ 溝
３、１３，２３ 蛍光枠体
４，４ａ 透光性樹脂層
５ 反射板
７ 回路基板
８ マザーボード
１０，２０，３０ 側面照射型ＬＥＤ発光装置
２Ｌ 大判の封止樹脂
５Ｌ 大判の反射板
７Ｌ 大判の回路基板
１０Ｌ 大判の側面照射型ＬＥＤ発光装置
２ 封止樹脂
２ａ、７ａ 溝
３、１３，２３ 蛍光枠体
４，４ａ 透光性樹脂層
５ 反射板
７ 回路基板
８ マザーボード
１０，２０，３０ 側面照射型ＬＥＤ発光装置
２Ｌ 大判の封止樹脂
５Ｌ 大判の反射板
７Ｌ 大判の回路基板
１０Ｌ 大判の側面照射型ＬＥＤ発光装置
Claims (5)
- 基板上にＬＥＤ素子を実装し、前記基板上のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆すると共に、前記封止樹脂の上面を反射体層で覆う構成の側面照射型ＬＥＤ発光装置において、前記封止樹脂の外周側面に蛍光枠体を設け、前記基板に設けた前記蛍光枠体の平面形状と同形状の溝部に前記蛍光枠体の底面部が収納され、前記蛍光枠体の外側に透光性樹脂層を設けたことを特徴とする側面照射型ＬＥＤ発光装置。
- 前記溝部は前記透光性の封止樹脂に前記ＬＥＤ素子を取り囲むように設けられており、前記蛍光枠体は前記溝に蛍光体を含有した蛍光樹脂が充填されたものであることを特徴とする請求項１に記載の側面照射型ＬＥＤ発光装置。
- 集合基板上に複数のＬＥＤ素子を実装する素子実装工程と、前記集合基板上の複数のＬＥＤ素子を透光性の封止樹脂で被覆する樹脂封止工程と、前記封止樹脂をダイシングして各ＬＥＤ素子を取り囲む溝を形成する溝形成工程と、前記溝に蛍光体を含有した蛍光樹脂を充填して蛍光枠体を形成する蛍光枠体形成工程と、前記封止樹脂の上面に反射体層を形成する反射体層形成工程と、前記反射体層と封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断して個々の側面照射型ＬＥＤ発光装置に分離する切断分離工程とを有することを特徴とする側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法。
- 前記溝形成工程において、前記集合基板にもハーフダイシングにより溝を形成することを特徴とする請求項３に記載の側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法。
- 集合基板上に複数のＬＥＤ素子を実装する素子実装工程と、前記集合基板上の複数のＬＥＤ素子を各々取り囲むように、蛍光体を含有した蛍光樹脂の成型により蛍光枠体を形成する蛍光枠体形成工程と、前記集合基板の全面に透光性の封止樹脂を充填する樹脂封止工程と、前記封止樹脂の上面に反射体層を形成する反射体層形成工程と、前記反射体層と封止樹脂と集合基板とを前記蛍光枠体の間で切断して個々の側面照射型ＬＥＤ発光装置に分離する切断分離工程とを有することを特徴とする側面照射型ＬＥＤ発光装置の製造方法。
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