JP6788549B2 - 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法に関する。

３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。

従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に保護テープを貼り、研削時の基板破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを支持基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適さない。

そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型基板を支持体から簡便に剥離できることが求められている。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層（又は仮接着材層）と呼ぶことにする。

これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。

また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、或いは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため、基板ごとにシリコーン粘着剤の塗布が必要で、さらに剥離に非常に長時間を要し、また、直接、基板又は支持体に溶液状態で積層されるため、塗布プロセスにおいて、基板の中心面と外周面において塗布ムラによる歪みが生じ、実際の製造プロセスへの適用は困難であった。

特許文献４には、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が積層されたものである仮接着剤層が記載されているが、液状の仮接着材料を基板や支持体へ塗布して使用するため、仮接着材層が形成された基板や支持体を得られるまで時間がかかるという問題があり、前記特許文献３と同様に歪みが生じる問題も改善できていなかった。また、プロセス中の温度領域において流動性を有する樹脂層を用いているため、特に高温領域においての適用に問題があった。

特開２００４−６４０４０号公報 特開２００６−３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報 特開２０１４−１３１００４号公報

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、基板と支持体との仮接着が容易であり、基板又は支持体への仮接着材層形成速度が速く、更には、寸法安定性に優れ、ＣＶＤ（化学的気相成長）等の熱プロセス耐性に優れ、剥離も容易であり、薄型基板の生産性を高めることができる仮接着材を供給可能な基板加工用仮接着フィルムロール及びこれを使用する薄型基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明によれば、巻き芯と、該巻き芯に巻き取られた、加工すべき基板を支持体に仮接着するための複合フィルム状仮接着材とを備え、該複合フィルム状仮接着材は、熱可塑性樹脂からなる第一仮接着材層（Ａ）と、熱硬化性樹脂からなる第二仮接着材層（Ｂ）と、該第二仮接着材層とは異なる熱硬化性樹脂からなる第三仮接着材層（Ｃ）とを有するものであることを特徴とする基板加工用仮接着フィルムロールを提供する。

このような本発明の基板加工用仮接着フィルムロールであれば、複合フィルム状仮接着材を、基板又は支持体上にラミネーションすることにより、３層の仮接着材層を一体的に同時にラミネーションすることができる。従って、本発明では、支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、加工すべき基板が積層されてなる積層体を容易に得ることができる。

このような、本発明の基板加工用仮接着フィルムロールであれば、基板と支持体との仮接着が容易で、寸法安定性に優れ、仮接着材層形成速度が高く、ＴＳＶ形成、基板裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、ＣＶＤ等の熱プロセス耐性も良好であり、剥離も容易で、薄型基板の生産性を高めることができる仮接着材を供給可能な基板加工用仮接着フィルムロールとなる。

またこの場合、前記基板加工用仮接着フィルムロールは、離型基材と、該離型基材上に形成された前記複合フィルム状仮接着材とが、前記巻き芯に巻き取られたものであり、前記複合フィルム状仮接着材は、前記離型基材側から順に前記第一仮接着材層（Ａ）、前記第二仮接着材層（Ｂ）、前記第三仮接着材層（Ｃ）が形成されたものであることが好ましい。

本発明の基板加工用仮接着フィルムロールは、このような順で仮接着材層が形成されたものである複合フィルム状仮接着材と離型基材とが巻き取られたものであることが好ましい。

またこの場合、前記第二仮接着材層（Ｂ）の硬化膜は、動的粘弾性測定によって測定される弾性率が、２５℃において、５０ＭＰａ以上１ＧＰａ以下のものであることが好ましい。

硬化膜がこのような弾性率を有する第二仮接着材層（Ｂ）であれば、仮固定時、特に基板研削後に基板が反ることが無いため好ましい。

またこの場合、前記第三仮接着材層（Ｃ）の硬化膜は、前記基板又は前記支持体との間の剥離力が、２５℃における１８０°方向への剥離試験において２０ｍＮ／２５ｍｍ以上５００ｍＮ／２５ｍｍ以下のものであることが好ましい。

第三仮接着材層（Ｃ）の硬化膜がこのような剥離力を有するものであれば、後加工のＣＶＤに対する耐性により一層優れ、基板研削時に基板のズレが生じるおそれがなく、剥離が確実に容易となるために好ましい。

またこの場合、前記第三仮接着材層（Ｃ）が、（ｃ１）分子中にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（ｃ２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（Ｃ−１）成分中のアルケニル基に対する（ｃ２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３から１５となる量、及び（ｃ３）白金系触媒、を含有する組成物の層であることが好ましい。

このような熱硬化性樹脂からなる第三仮接着材層（Ｃ）であれば、効率よく第三仮接着材層（Ｃ）と、基板や支持体を剥離することができるため好ましい。

またこの場合、前記第二仮接着材層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物からなる重合体層であることが好ましい。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。但しＡ＋Ｂ＝１である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。

（式中、Ｚは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ^５、Ｒ^６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］

このような第二仮接着材層（Ｂ）であれば、耐熱性により一層優れるため好ましい。

またこの場合、前記第二仮接着材層（Ｂ）が、下記一般式（３）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物からなる重合体層であることが好ましい。

［式中、Ｒ^７〜Ｒ^１０は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１００の整数であり、Ｄは正数、Ｃは０又は正数である。但し、Ｃ＋Ｄ＝１である。更に、Ｙは下記一般式（４）で示される２価の有機基である。

（式中、Ｖは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］

このような第二仮接着材層（Ｂ）であれば、耐熱性により一層優れるため好ましい。

またこの場合、前記離型基材と、前記複合フィルム状仮接着材との剥離力が、２５℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｍＮ／２５ｍｍ以上４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

このような複合フィルム状仮接着材であれば、簡単に離型基材を剥離することができるため、より一層、容易に基板と支持体とを仮接着することができる。

また、本発明では、
（ａ）前記基板の加工すべき面とは反対側の面を、前記支持体に接合する際に、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の基板加工用仮接着フィルムロールから前記複合フィルム状仮接着材を延伸し、該複合フィルム状仮接着材を前記基板又は支持体上にラミネーションし、前記基板と前記支持体とを前記複合フィルム状仮接着材を介して減圧下で貼り合わせる工程と、
（ｂ）前記第二仮接着材層（Ｂ）層及び前記第三仮接着材層（Ｃ）層を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記基板の加工すべき面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記基板の加工すべき面に加工を施す工程と、
（ｅ）該加工を施した前記基板を前記支持体から剥離する工程と
を含むことを特徴とする薄型基板の製造方法を提供する。

このような薄型基板の製造方法であれば、本発明の基板加工用仮接着フィルムロールから延伸された複合フィルム状仮接着材を、基板と支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して、貫通電極構造やバンプ接続構造を有する薄型基板を容易に製造することができる。

本発明の基板加工用仮接着フィルムロールであれば、複合フィルム状仮接着材を、基板又は支持体上にラミネーションすることにより、３層の仮接着材層を一体的に同時にラミネーションすることができる。このように、複合フィルム状仮接着材を一体的に使用することで、基板若しくは支持体上に仮接着材層を形成するまでにかかる時間を、液状仮接着材料を使用した場合に比べて大幅に短縮することができる。また、基板面又は支持体面に形成される仮接着材の寸法安定性が向上し、積層体の歪みが低減される。また、ＴＳＶ形成、基板裏面配線工程に対する工程適合性が高い。更には、多層構造のフィルム状仮接着ロールとすることで、埋め込み性や耐熱性に優れる一方で、薄型基板作製後、この基板を支持体より例えば室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型基板を容易に製造することができる。

本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの一例を示す構成図である。 本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの別の一例を示す構成図である。 本発明の基板加工用仮接着フィルムロールにおける複合フィルム状仮接着材を用いて作製した基板加工用積層体の一例を示す構成図である。

上記のように、仮接着が容易であり、基板又は支持体への仮接着材層形成速度が速く、寸法安定性に優れ、ＣＶＤといった基板熱プロセス耐性に優れ、剥離も容易で、薄型基板の生産性を高めることができる基板加工用仮接着材が求められている。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、
（Ａ）の熱可塑性樹脂層からなる第一仮接着材層と、
（Ｂ）の熱硬化性樹脂からなる第二仮接着材層と、
（Ｃ）の第二仮接着材層とは異なる熱硬化性樹脂からなる第三仮接着材層とを有する複合フィルム状仮接着材で構成されるロール状仮接着材を使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型基板を、簡単に製造する方法を見出した。以下、本発明をより詳細に説明する。

図１は、本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの一例を示す構成図である。図１に示すように、本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０は、巻き芯１と、該巻き芯１に巻き取られた、加工すべき基板を支持体に仮接着するための複合フィルム状仮接着材２とを備え、該複合フィルム状仮接着材２は、熱可塑性樹脂からなる第一仮接着材層（Ａ）と、熱硬化性樹脂からなる第二仮接着材層（Ｂ）と、該第二仮接着材層とは異なる熱硬化性樹脂からなる第三仮接着材層（Ｃ）とを有するものである。

ここで、図１に示すように、本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０は、離型基材３と、該離型基材３上に形成された複合フィルム状仮接着材２とが、巻き芯１に巻き取られたものとすることが好ましく、この場合の複合フィルム状仮接着材２は、離型基材３側から順に前記第一仮接着材層（Ａ）、前記第二仮接着材層（Ｂ）、前記第三仮接着材層（Ｃ）が形成されたものであることが好ましい。

また、図２に示すように、更に、必要により複合フィルム状仮接着材２に保護フィルム４を貼り合わせたものが巻き芯１に巻き取られたものとすることで、本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１００を得ることも可能である。

例えば、図１に示す本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０から、複合フィルム状仮接着材２を延伸させるとともに離型基材３を剥離させ、加工すべき基板５の表面に貼り合わせ、更に支持体６をその上に貼り合わせることによって薄型加工用の積層体７が得られる（図３）。

この積層体７は、表面に回路面を有し、裏面を加工すべき基板（デバイス基板）５と、基板５の加工時に基板５を支持する支持体６と、これら基板５と支持体６との間に介在する複合フィルム状仮接着材２を備え、この複合フィルム状仮接着材２が、後述する熱可塑性樹脂層（Ａ）（第一仮接着材層）と熱硬化性樹脂層（Ｂ）（第二仮接着材層）と、（Ｂ）とは異なる熱硬化性樹脂層（Ｃ）（第三仮接着材層）を備えているものである。

以下では、図３に示す薄型加工用の積層体７を作製可能な、即ち、仮接着層を基板側から仮接着材層（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の順で形成することができる基板加工用仮接着フィルムロール構造を中心に説明するが、本発明はこれに限定されない。また、本発明の基板加工用仮接着フィルムロールを用いて作製した、基板５と支持体６との間に複合フィルム状仮接着材２が形成された薄型加工用積層体７は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の順で仮接着材層が形成されたものであるが、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の層を備えていれば、その他の層を形成し備えていてもよい。

また、本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０、１００は、上記薄型加工用積層体７に用いることが可能な接着剤の積層体ロールであり、上記仮接着層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を少なくとも有するものである。

［仮接着材層］
−第一仮接着材層（Ａ）／熱可塑性樹脂層（熱可塑性重合体層）−
第一仮接着材層（Ａ）は、熱可塑性樹脂から構成される。段差を有する基板などへの適用性から、良好な埋め込み性を有する熱可塑性樹脂が第一仮接着層（Ａ）を形成する材料として好適に使用される。特に、オルガノポリシロキサンを有しない、ガラス転移温度−８０〜１５０℃程度の熱可塑性樹脂が好ましく、例えばオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ポリオレフィン系熱可塑性エラストマーなどが挙げられ、特に耐熱性に優れた水素添加ポリスチレン系エラストマーが好適である。

このような熱可塑性樹脂としては、市販品を使用することができ、具体的にはタフテック（旭化成ケミカルズ）、エスポレックスＳＢシリーズ（住友化学）、ラバロン（三菱化学）、セプトン（クラレ）、ＤＹＮＡＲＯＮ（ＪＳＲ）などが挙げられる。また、ゼオネックス（日本ゼオン）に代表されるシクロオレフィンポリマー及びＴＯＰＡＳ（日本ポリプラスチック）に代表される環状オレフィンコポリマーが挙げられる。

上記のように、第一仮接着材層（Ａ）の熱可塑性樹脂としては、熱可塑性エラストマーであることが好ましい。また、２種以上の樹脂を併用してもよい。

このようなものであれば、薄型基板作製後、この基板から仮接着材料を、より一層容易に剥離や洗浄することができるため、割れ易い薄型基板をより容易に扱うことができる。

上記熱可塑性樹脂層組成物は、溶剤に溶解して（Ａ）層溶液とし、仮接着材層の形成に用いることができる。溶剤としては、炭化水素系溶剤、好ましくは、ノナン、ｐ−メンタン、ピネン、イソオクタン、メシチレン等が挙げられるが、そのコーティング性より、ノナン、ｐ−メンタン、イソオクタン、メシチレンがより好ましい。さらに、必要に応じて濾過を行っても良い。その後、フォワードロールコータ、リバースロールコータ、コンマコータ、ダイコータ、リップコータ、グラビアコータ、ディップコータ、エアナイフコータ、キャピラリーコータ、レイジング＆ライジング（Ｒ＆Ｒ）コータ、ブレードコータ、バーコータ、アプリケータ、押し出し成形機等を用いて離型基材３上に塗布することが好ましい。その後、（Ａ）層溶液が塗布された離型基材３をインラインで溶剤の除去を行うことで、第一仮接着材層（Ａ）を形成する。

このとき、形成される膜厚に制約はないが、離型基材３上に樹脂皮膜（第一仮接着材層（Ａ））を形成することが望ましく、好適には、０．５〜８０μｍ、更に好ましくは０．５〜５０μｍの膜厚で形成される。また、この熱可塑性樹脂には、その耐熱性向上の目的で、酸化防止剤や、コーティング性向上のため、界面活性剤を添加することができる。酸化防止剤の具体例としては、ジ−ｔ−ブチルフェノールなどが好適に使用される。界面活性剤の例としては、フッ素シリコーン系界面活性剤Ｘ−７０−１１０２（信越化学工業株式会社製）等が好適に使用される。

−第二仮接着材層（Ｂ）／熱硬化性樹脂層−
本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの構成要素である熱硬化性樹脂層（Ｂ）は、熱硬化性樹脂からなるものであれば特に限定されないが、下記一般式（１）及び／又は（３）で示される熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物からなる重合体層が好ましい。

なお、第二仮接着材層（Ｂ）には、下記一般式（１）で示される重合体と、下記一般式（３）で示される重合体を併用することができる。その場合の割合（質量比）は、好ましくは（１）：（３）＝０．１：９９．９〜９９．９：０．１、より好ましくは（１）：（３）＝１：９９〜９９：１である。

一般式（１）の重合体（フェノール性シロキサン重合体）：
下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有するゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量が３，０００〜５００，０００、好ましくは１０，０００〜１００，０００のシロキサン結合含有重合体。

［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。Ａ＋Ｂ＝１である。また、好ましくはＡは０〜０．９、Ｂは０．１〜１、またＡが０より大きい場合には、好ましくはＡは０．１〜０．７、Ｂは０．３〜０．９である。

（式中、Ｚは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ^５、Ｒ^６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］

この場合、Ｒ^１〜Ｒ^４の具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、ｍは、１〜１００の整数であり、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｂ／Ａは０より大きく２０より小さく、特に０．５〜５である。

一般式（３）の重合体（エポキシ変性シロキサン重合体）：
下記一般式（３）で示される繰り返し単位を有するＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体。

［式中、Ｒ^７〜Ｒ^１０は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１００の整数であり、Ｄは正数、Ｃは０又は正数である。更に、Ｙは下記一般式（４）で示される２価の有機基である。Ｃ＋Ｄ＝１である。また、好ましくはＣは０〜０．９、Ｄは０．１〜１、またＣが０より大きい場合には、好ましくはＣは０．１〜０．７、Ｄは０．３〜０．９である。

（式中、Ｖは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］

この場合、Ｒ^７〜Ｒ^１０の具体例としては、上記一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^４で例示したものと同様のものが挙げられる。また、ｎは１〜１００の整数であり、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｄ／Ｃは０より大きく２０より小さく、特に０．５〜５である。

上記一般式（１）及び／又は（３）の熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物は、その熱硬化のために、一般式（１）のフェノール性シロキサン重合体の場合には、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上の架橋剤を含有する。

ここで、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂としては、以下のものを挙げることができる。例えば、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたメラミン樹脂（縮合物）は、変性メラミンモノマー（例えばトリメトキシメチルモノメチロールメラミン）、又はこの多量体（例えば二量体、三量体等のオリゴマー体）を公知の方法に従ってホルムアルデヒドと所望の分子量になるまで付加縮合重合させて得ることができる。なお、これらは１種又は２種以上を、混合して使用することができる。

また、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素樹脂（縮合物）の調製は、例えば公知の方法に従って所望の分子量の尿素縮合物をホルマリンでメチロール化して変性し、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性して行ってよい。ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素樹脂の具体例としては、例えばメトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。なお、これらは１種又は２種以上を、混合して使用することができる。

また、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物としては、例えば（２−ヒドロキシ−５−メチル）−１，３−ベンゼンジメタノール、２，２’，６，６’−テトラメトキシメチルビスフェノールＡ等を挙げることができる。なお、これらフェノール化合物は１種又は２種以上を、混合して使用することができる。

一方、一般式（３）のエポキシ変性シロキサン重合体の場合には、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、或いは、１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物のいずれか１種以上を架橋剤として含有する。

ここで、一般式（１）及び／又は（３）に用いられる多官能エポキシ基を有するエポキシ化合物としては、特にその制約はないが、２官能、３官能、４官能以上の多官能エポキシ樹脂、例えば、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＥＰＰＮ−２０１、ＧＡＮ、ＮＣ６０００や下記式のような架橋剤を含有することができる。

熱硬化性重合体が、上記一般式（３）のエポキシ変性シロキサン重合体の場合の架橋剤としての１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物の具体例としては、ｍ、ｐ−系クレゾールノボラック樹脂、例えば、旭有機材工業（株）製ＥＰ−６０３０Ｇや、３官能フェノール化合物、例えば、本州化学工業（株）製Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＰＡや、４官能性フェノール化合物、例えば、旭有機材工業（株）製ＴＥＰ−ＴＰＡなどが挙げられる。

架橋剤の配合量は、上記一般式（１）や式（３）の熱硬化性重合体１００質量部に対して０．１〜５０質量部とすることができ、好ましくは０．１〜３０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部であり、２種類又は３種類以上を混合して配合してもよい。

また、熱硬化性重合体１００質量部に対して、酸無水物のような硬化触媒を１０質量部以下含有させてもよい。

上記熱硬化性樹脂層組成物は、溶剤に溶解して（Ｂ）層溶液として、仮接着材層の形成に用いることができる。溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。さらに、必要に応じて濾過を行っても良い。その後、（Ａ）層と同様の方法で、離型基材に形成された（Ａ）層上に塗布し、溶剤を除去することで、（Ｂ）層を形成する。

なお、耐熱性を更に高めるため、熱硬化性重合体１００質量部に対して、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。更に、塗布均一性を向上させるため、界面活性剤を添加してもよい。

第二仮接着材層（Ｂ）中に添加することができる酸化防止剤の具体例としては、テトラキス［メチレン−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメート）］メタン（商品名：アデカスタブ ＡＯ−６０）等のヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。

このとき、形成される膜厚は特に限定されないが、好ましくは５〜１５０μｍ、更に好ましくは１０〜１２０μｍである。膜厚が５μｍ以上であれば、基板薄型化の研削工程に十分耐えることができ、１５０μｍ以下であれば、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。

−第三仮接着材層（Ｃ）／熱硬化性樹脂層−
本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの構成要素である第三仮接着材層（Ｃ）は、第二仮接着材層とは異なる熱硬化性樹脂からなるものであり、特に、下記（ｃ１）、（ｃ２）、（ｃ３）成分を含有する組成物であることが好ましい。

（ｃ１）分子中にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（ｃ２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（ｃ１）成分中のアルケニル基に対する（ｃ２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３〜１５となる量。
（ｃ３）白金系触媒：有効成分（質量換算）として０質量部を超え０．５質量部以下。

以下、各成分について説明する。
［（ｃ１）成分］
（ｃ１）成分は、分子中にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。（ｃ１）成分は、好ましくは、１分子中のＳｉモル数に対するアルケニル基のモル数（アルケニル基モル数／Ｓｉモル数）が０．３〜１０ｍｏｌ％であるアルケニル基を含有する、直鎖状又は分岐状のオルガノポリシロキサンである。特に好ましくは、上記Ｓｉモル数に対するアルケニル基のモル数が０．６〜９ｍｏｌ％のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンである。

このようなオルガノポリシロキサンとして、具体的には下記式（５）及び／又は（６）で示されるものを挙げることができる。
Ｒ^１３ _{（３−ａ）}Ｘ^１ _ａＳｉＯ−（Ｒ^１３Ｘ^１ＳｉＯ）_ｌ−（Ｒ^１３ _２ＳｉＯ）_ｒ−ＳｉＲ^１３ _{（３−ａ）}Ｘ^１ _ａ （５）
Ｒ^１３ _２（ＨＯ）ＳｉＯ−（Ｒ^１３Ｘ^１ＳｉＯ）_ｌ＋２−（Ｒ^１３ _２ＳｉＯ）_ｒ−ＳｉＲ^１３ _２（ＯＨ） （６）
（式中、Ｒ^１３は夫々独立して、脂肪族不飽和結合を有さない１価炭化水素基、Ｘ^１は夫々独立してアルケニル基含有１価有機基、ａは０〜３の整数である。また、式（５）において、２ａ＋ｌは１分子中にアルケニル基含有量が０．３〜１０ｍｏｌ％となる数である。式（６）において、ｌ＋２は１分子中にアルケニル基含有量が０．３〜１０ｍｏｌ％となる数である。ｌは０又は５００以下の正数であり、ｒは１〜１０，０００の正数である。）

上記式中、Ｒ^１３としては、脂肪族不飽和結合を有さない炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基が好ましく、例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；フェニル基、トリル基などのアリール基などであり、特にメチル基等のアルキル基又はフェニル基が好ましい。

Ｘ^１のアルケニル基含有１価有機基としては、炭素原子数２〜１０の有機基が好ましく、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基等の（メタ）アクリロイルアルキル基；アクリロキシプロピル基、アクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、メタクリロキシメチル基等の（メタ）アクリロキシアルキル基；シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基などのアルケニル基含有１価炭化水素基が挙げられ、特に、工業的にはビニル基が好ましい。

上記一般式（５）中、ａは０〜３の整数であるが、ａが１〜３であれば、分子鎖末端がアルケニル基で封鎖されるため、反応性の良いこの分子鎖末端アルケニル基により、短時間で反応を完結することができ好ましい。更には、コスト面において、ａ＝１が工業的に好ましい。このアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの性状はオイル状又は生ゴム状であることが好ましい。このアルケニル基含有オルガノポリシロキサンは直鎖状であっても分岐状であってもよい。また、（ｃ１）成分は２種以上を併用してもよい。

なお、上記（ｃ１）成分のＧＰＣによる数平均分子量（Ｍｎ）は１０００００〜５０００００であることが好ましい。

［（ｃ２）成分］
（ｃ２）成分は架橋剤であり、１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。（ｃ２）成分は、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を少なくとも２個、好ましくは２個以上１００個以下、更に好ましくは３個以上５０個以下有するものであり、直鎖状、分岐状、又は環状のものを使用できる。

（ｃ２）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの２５℃における粘度は、１〜５，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５〜５００ｍＰａ・ｓであるのが更に好ましい。このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは２種以上の混合物でもよい。なお、粘度は回転粘度計により測定される。

（ｃ２）成分は、（ｃ１）成分中のアルケニル基に対する（ｃ２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比（Ｓｉ−Ｈ基／アルケニル基）が０．３〜１５、好ましくは０．３〜１０、特に好ましくは１〜８の範囲となるように配合する。このＳｉＨ基とアルケニル基とのモル比が０．３以上の場合、架橋密度が低くなる恐れがなく、粘着剤層が硬化しないといった問題が起こる恐れないために好ましい。１５以下であれば、架橋密度が高くなりすぎるおそれがなく、十分な粘着力及びタックが得られる。

［（ｃ３）成分］
（ｃ３）成分は白金系触媒（即ち、白金族金属触媒）であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。

（ｃ３）成分の添加量は有効量であり、通常（ｃ１）、（ｃ２）の合計に対し、白金分（質量換算）として１〜５，０００ｐｐｍであり、５〜２，０００ｐｐｍであることが好ましい。１ｐｐｍ以上であれば組成物の硬化性が低下することもなく、架橋密度が低くなることも、保持力が低下することもない。５，０００ｐｐｍ以下であれば、処理液の使用可能時間を長くすることができる。

上記熱硬化性シロキサン重合体層組成物は、溶剤に溶解して（Ｃ）層溶液として、仮接着材層の形成に用いることができる。溶剤としては、例えばペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソオクタン、ノナン、デカン、ｐ−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤やヘキサメチルジシロキサンやオクタメチルトリシロキサンなどの揮発性低分子シロキサンが好適に使用され、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。また、この熱硬化性シロキサン重合体層組成物には、公知の酸化防止剤を耐熱性向上のために添加することができる。さらに、必要に応じて濾過を行っても良い。その後、（Ａ）層、（Ｂ）層と同様の方法で（Ｂ）層上に形成するか、保護フィルム４上に塗布し、溶剤を除去することで、（Ｃ）層を形成する。

このとき、形成される膜厚は０．１〜３０μｍ、特には１．０〜１５μｍの間であることが好ましい。膜厚が０．１μｍ以上であれば、基板や支持体からの剥離がより一層容易となる。一方、膜厚が３０μｍ以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に十分に耐えることができる。なお、この熱硬化性シロキサン重合体層（Ｃ）には、耐熱性を更に高めるため、シリカ等のフィラーを、熱硬化性シロキサン重合体の各成分（ｃ１）、（ｃ２）、（ｃ３）の混合した合計１００質量部に対して、５０質量部以下添加してもよい。

また、第三仮接着材層（Ｃ）の熱硬化後の硬化膜と、基板又は支持体との間の剥離力が、２５℃時において１８０°方向剥離試験で測定される試験力として、２０ｍＮ／２５ｍｍ以上５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このようなピール剥離力を有する第三仮接着材層（Ｃ）であれば、後加工のＣＶＤに対する耐性により一層優れ、ウエハ研削時にウエハのズレが生じるおそれがなく、確実に剥離が容易となるため好ましい。

［基板加工用仮接着フィルムロールの製造方法］
以下、本発明の基板加工用仮接着フィルムロールの製造方法について詳述するが、製造方法はこれに限定されない。

前記（Ａ）層の溶液をフォワードロールコータ、リバースロールコータ、コンマコータ、ダイコータ、リップコータ、グラビアコータ、ディップコータ、エアナイフコータ、キャピラリーコータ、レイジング＆ライジング（Ｒ＆Ｒ）コータ、ブレードコータ、バーコータ、アプリケータ、押し出し成形機等を用いて離型基材（離型フィルム）３上に塗布する。この場合、塗布速度は０．０５〜１０００ｍ／ｍｉｎ、特には０．１〜５００ｍ／ｍｉｎで支持フィルム上に塗布することが好ましい。

その後、（Ａ）層の溶液が塗布された離型基材３をインラインドライヤ（熱風循環オーブン）に通し、４０〜１３０℃にて１〜４０分間、より好ましくは５０〜１２０℃にて２〜３０分間で有機溶剤及び揮発成分を除去し、乾燥させて第一仮接着材層（Ａ）を形成する。また、必要に応じて、別の保護フィルム（離形基材）を前記第一仮接着材層（Ａ）上にロールラミネータを用いて圧着し、積層してもよい。この時、第一仮接着材層（Ａ）の製膜後の厚みは０．５〜８０μｍ、特には０．５〜５０μｍであることが好ましい。

続いて、前記（Ｂ）層の溶液をフォワードロールコータ、リバースロールコータ、コンマコータ、ダイコータ、リップコータ、グラビアコータ、ディップコータ、エアナイフコータ、キャピラリーコータ、レイジング＆ライジング（Ｒ＆Ｒ）コータ、ブレードコータ、バーコータ、アプリケータ、押し出し成形機等を用いて前記第一仮接着材層（Ａ）上に塗布する。この場合、塗布速度は０．０５〜１０００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．１〜５００ｍ／ｍｉｎで第一仮接着材層（Ａ）上に塗布することが好ましい。

その後、（Ｂ）層の溶液が塗布された積層フィルムをインラインドライヤ（熱風循環オーブン）に通し、４０〜１３０℃にて１〜４０分間、より好ましくは５０〜１２０℃にて２〜３０分間で有機溶剤及び揮発成分を除去し、乾燥させて前記第二仮接着材層（Ｂ）を形成する。また、必要に応じて、別の保護フィルム（離形基材）を第二仮接着材層（Ｂ）上にロールラミネータを用いて圧着し、積層してもよい。この時、第二仮接着材層（Ｂ）の製膜後の単独の厚みは１〜２００μｍ、特には５〜１００μｍであることが好ましい。

さらに、前記（Ｃ）層の溶液をフォワードロールコータ、リバースロールコータ、コンマコータ、ダイコータ、リップコータ、グラビアコータ、ディップコータ、エアナイフコータ、キャピラリーコータ、レイジング＆ライジング（Ｒ＆Ｒ）コータ、ブレードコータ、バーコータ、アプリケータ、押し出し成形機等を用いて前記第二仮接着材層（Ｂ）上に塗布する。この場合、塗布速度は０．０５〜１０００ｍ／ｍｉｎ、特には０．１〜５００ｍ／ｍｉｎで第二仮接着材層（Ｂ）上に塗布することが好ましい。その後、（Ｃ）溶液が塗布された支持フィルムをインラインドライヤ（熱風循環オーブン）に通し、４０〜１３０℃にて１〜４０分間、より好ましくは５０〜１２０℃にて２〜３０分間で有機溶剤及び揮発成分を除去し、乾燥させて第三仮接着材層（Ｃ）を形成する。また、必要に応じて、別の保護フィルム（離形基材）４を前記第三仮接着材層（Ｃ）上にロールラミネータを用いて圧着し、積層してもよい。この時、第三仮接着材層（Ｃ）の製膜後の単独の厚みは０．５〜５０μｍ、好ましくは０．５〜３０μｍであることが好ましい。

このように積層された複合フィルム状仮接着材２（及び必要に応じて、離型基材３及び保護フィルム４）は、直接、紙管、プラスチック管等の巻き芯１に複合フィルム状仮接着材２の端部を巻きつけて、巻き取ることで、基板加工用仮接着フィルムロール１０となる。

この際、複合フィルム状仮接着材２は、張力１０〜２００Ｎ/ｍ、好ましくは２０〜１５０Ｎ/ｍで、速度０．０５〜１０００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．１〜５００ｍ／ｍｉｎで巻き取られることで、フィルム全体に歪みのない基板加工用仮接着フィルムロール１０を得ることができる。

また、保護フィルム４を用いる場合には、最終的に二段式ロールによるラミネートを行い、巻き取ることが好ましい。

なお、得られる基板加工用仮接着フィルムロール１０の径は、製造の安定性及び巻き芯に対する巻き癖、所謂カール防止の観点から、１００ｍｍ〜３００ｍｍが好ましい。巻き芯は、例えばコア管を用いることができる。

巻き芯（例えばコア管）のサイズは、例えば、３インチ（７６．２ｍｍ）、６インチ（１５２．４ｍｍ）とすることができる。巻き芯が３インチの場合、５ｍの複合フィルム状仮接着材２が巻き取られることで、直径１００ｍｍの基板加工用仮接着フィルムロール１０となり、２００ｍの複合フィルム状仮接着材２が巻き取られることで、直径２４５ｍｍの基板加工用仮接着フィルムロール１０となる。また、巻き芯が６インチの場合、５ｍの複合フィルム状仮接着材２が巻き取られることで、直径１７２ｍｍの基板加工用仮接着フィルムロール１０となり、２００ｍの複合フィルム状仮接着材２が巻き取られることで、直径２８３ｍｍの基板加工用仮接着フィルムロール１０となる。

なお、本発明においては、離形基材３に塗工溶液を特定の成形条件及び成形機を用いた製造ラインで塗布することで、複合フィルム状仮接着材２が連続的にロールフィルム化され、所望な形状に扱える複合フィルム状仮接着材２を製造することが可能であり、また製膜された層上に保護フィルムを形成した場合も同様である。

また、必要に応じて用いることのできる離型基材３となる離型フィルム、保護フィルム４は、複合フィルム状仮接着材２の各層の形態を損なうことなく、複合フィルム状仮接着材２の表面の層から剥離できるものであれば特に限定されず、単一でも複数の重合体フィルムを積層した多層フィルムでも用いることができる。ナイロンフィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリメチルペンテン（ＴＰＸ）フィルム、ポリカーボネート、フッ素含有フィルム、特殊ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルム、離形処理を施したポリエステルフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。

これらの中から、離型基材（離型フィルム）３については、適度の可撓性、機械的強度及び耐熱性を有するポリエチレンテレフタレートが好ましい。また、これらのフィルムについては、コロナ処理や剥離剤が塗布されたような各種処理が行われたものでも良い。これらは市販品を使用することができ、例えば、セラピールＷＺ（ＲＸ）、セラピールＢＸ８（Ｒ）（以上、東レフィルム加工（株）製）、Ｅ７３０２、Ｅ７３０４（以上、東洋紡績（株）製）、ピューレックスＧ３１、ピューレックスＧ７１Ｔ１（以上、帝人デュポンフィルム（株）製）、ＰＥＴ３８×１−Ａ３、ＰＥＴ３８×１−Ｖ８、ＰＥＴ３８×１−Ｘ０８（以上、ニッパ（株）製）等が挙げられる。

更に、保護フィルム４については、適度の可撓性を有するポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンが好ましい。これらは市販品を使用することができ、ポリエチレンテレフタレートとしては上に例示したもの、またポリエチレンとしては、例えばＧＦ−８（タマポリ（株）製）、ＰＥフィルム０タイプ（ニッパ（株）製）等が挙げられる。

上記離型基材３及び保護フィルム４の厚みは、製造の安定性及び巻き芯に対する巻き癖、所謂カール防止の観点から、いずれも１０〜１００μｍが好ましい。

上記製造方法によって製造される基板加工用仮接着フィルムロール１０から取り出された複合フィルム状仮接着材は、仮接着材層間の密着性に優れており、例えばＣＶＤなどの減圧加熱プロセスに対する耐性に優れる。

［薄型基板の製造方法］
本発明の薄型基板の製造方法は、半導体回路等を有する基板と支持体との接着層として、上記本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０から延伸した複合フィルム状仮接着材２、即ち、第一仮接着材層（Ａ）、第二仮接着材層（Ｂ）及び第三仮接着材層（Ｃ）を含む複合仮接着材層で構成されるロールフィルムを用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型基板の厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。

本発明の薄型ウエハの製造方法は（ａ）〜（ｅ）の工程を有する。
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、基板の加工すべき面とは反対側の面を、支持体に接合する際に、本発明の基板加工用仮接着フィルムロール１０から複合フィルム状仮接着材２を延伸し、複合フィルム状仮接着材２を基板５又は支持体６上にラミネーションし、基板５と支持体６とを複合フィルム状仮接着材２を介して減圧下で貼り合わせる工程である。

加工すべき基板５は、例えば、一方の面が回路形成面であり、加工すべき他方の面（裏面）が回路非形成面である基板である。本発明が適用できる基板は、通常、半導体基板である。該半導体基板の例としては、円盤状のウエハや、角基板等が挙げられる。ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該基板の厚さは、特に制限はないが、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。

特に本発明の薄型ウエハの製造方法では、表面上に回路による段差を有している基板５が有効であり、特に段差が１０〜８０μｍ、好ましくは２０〜７０μｍの基板が有効である。

支持体６としては、特に限定されないが、シリコンウエハやガラス板、石英ウエハ等の基板が使用可能である。本発明においては、必ずしも、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体は、光線透過性を有さないものであってもよい。

仮接着材層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を有する複合フィルム状仮接着材２は、ポリエチレンやポリエステル等の離型基材３上に形成された状態で、基板加工用仮接着フィルムロール１０から取り出される。その後、基板又は支持体にラミネーションして、必要な長さに切断加工等を施される。若しくは、必要な長さに切断加工を施された後、基板又は支持体にラミネーションされる。この際、必要により離型基材３を複合フィルム状仮接着材２から剥がしながら基板５上に形成することができる。また、保護フィルム４を剥がしながら、または直接に、（Ｃ）層面を支持体６上に形成することもできる。更に、もう一方の保護フィルム４または離型材３を剥離しながら、基板５または支持体６と貼り合わせることもできる。

また、離型基材３又は保護フィルム４の剥離前もしくは剥離後に、密着性向上のため、６０〜２００℃、好ましくは７０〜１８０℃の温度で、予め熱処理を施したのちに、使用しても良い。

基板５や支持体６へ複合フィルム状仮接着材２をラミネーションする装置としては、ウエハの場合では真空ラミネーター、例えばタカトリ社のＴＥＡＭ−１００、ＴＥＡＭ−３００等が挙げられる。

仮接着材層である（Ａ）層と（Ｂ）層と（Ｃ）層が形成された基板及び支持体である積層体７は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）層を介して、接合された基板として形成される。このとき、好ましくは４０〜２００℃、より好ましくは６０〜１８０℃の温度領域で、この温度にて真空下（減圧下；圧力１Ｐａ以下）、この基板を均一に圧着し、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）層が接着され、基板が支持体と接合した積層体（積層体基板）７が形成される。このとき、圧着させる時間は１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜５分である。

基板貼り合わせ装置としては、ウエハの場合では市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＳ３００等が挙げられる。

［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、積層体７内の第二仮接着材層（Ｂ）及び第三仮接着材層（Ｃ）を熱硬化させる工程である。上記積層体（積層体基板）７が形成された後、１２０〜２２０℃、好ましくは１５０〜２００℃で１０分〜４時間、更に好ましくは３０分〜２時間加熱することによって、第二仮接着材層（Ｂ）及び第三仮接着材層（Ｃ）の硬化を行う。

［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、支持体と接合した基板の加工すべき面（裏面）を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ａ）にて貼り合わせて得られた積層体７の基板裏面側を研削又は研磨して、該基板の厚みを薄くしていく工程である。基板裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式を採用することができる。研削は、基板と砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。基板裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ８１０等が挙げられる。また、基板裏面側をＣＭＰ研磨してもよい。

［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、裏面（回路非形成面）を研削した積層体、即ち、裏面研削によって薄型化された積層体７の加工すべき面に加工を施す工程である。この工程には基板レベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。

［工程（ｅ）］
工程（ｅ）は、工程（ｄ）で加工を施した基板５を支持体６から剥離する工程、即ち、薄型化した基板に様々な加工を施した後、ダイシングする前に基板５を支持体６から剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施され、積層体７の基板５又は支持体６の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、加工された基板の加工面に保護フィルムを貼り、基板と保護フィルムをピール方式で積層体から剥離する方法等が挙げられる。

本発明には、これらの剥離方法のいずれも適用可能である。もちろん上記の方法には限定されない。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。

また、本発明の薄型ウエハの製造方法は（ｅ）の工程の後に、工程（ｆ）を行うことが好ましい。
［工程（ｆ）］
工程（ｆ）は、工程（ｅ）で剥離した基板の表面に残存する仮接着材料を洗浄する工程である。工程（ｅ）により支持体６より剥離された基板５の表面には、仮接着材層が残存している場合がある。仮接着材層の除去は、例えば、基板表面、つまり仮接着材層が残存する面に粘着フィルムを貼り付け、粘着フィルムを仮接着材層と同時に剥離する方法、又は、基板を洗浄することにより、行うことができる。

工程（ｆ）では、第一仮接着材層中の熱可塑性樹脂を溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、ｐ−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で（Ａ）層を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型基板を得ることも可能である。

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、下記例で部は質量部である。また、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。

［樹脂溶液作製例１］
水素添加スチレン・イソプレン・ブタジエン共重合体である熱可塑性樹脂セプトン４０３３（スチレン３０％含有、クラレ製）２４ｇをイソノナン１７６ｇに溶解し、１２質量％の水素添加スチレン・イソプレン・ブタジエン共重合体のイソノナン溶液を得た。得られた溶液を０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱可塑性樹脂のイソノナン溶液（Ａ−１）を得た。

［樹脂溶液作製例２］
水素添加スチレン・イソプレン・ブタジエン共重合体である熱可塑性樹脂セプトン４０４４（スチレン３２％含有、クラレ製）３０ｇをイソノナン１７６ｇに溶解し、１２質量％の水素添加スチレン・イソプレン・ブタジエン共重合体のイソノナン溶液を得た。得られた溶液を０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱可塑性樹脂のイソノナン溶液（Ａ−２）を得た。

［樹脂溶液作製例３］
３モル％のビニル基を両末端及び側鎖に有し、分子末端がＳｉＭｅ₂Ｖｉ基で封鎖されており、ＧＰＣによる数平均分子量（Ｍｎ）が５０，０００のポリジメチルシロキサン１００部、及びイソドデカン４００部からなる溶液に、下記式（Ｍ−７）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン１０部（アルケニル基に対して２モル）を添加し混合した。更にポリジメチルシロキサン１００部に対し、白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５（信越化学工業株式会社製）を０．０５部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シロキサン重合体溶液（Ｃ−１）を得た。

［樹脂溶液作製例４］
３モル％のビニル基を両末端及び側鎖に有し、分子末端がＳｉＭｅ₂Ｖｉ基で封鎖されており、ＧＰＣによる数平均分子量（Ｍｎ）が５０，０００のポリジメチルシロキサン１００部、及びイソドデカン４００部からなる溶液に、下記式（Ｍ−６）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部（アルケニル基に対して２モル）を添加し混合した。更にポリジメチルシロキサン１００部に対し、白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５（信越化学工業株式会社製）を０．０５部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シロキサン重合体溶液（Ｃ−２）を得た。

［樹脂溶液作製例５］
３モル％のビニル基を両末端及び側鎖に有し、分子末端がＳｉＭｅ₂Ｖｉ基で封鎖されており、ＧＰＣによる数平均分子量（Ｍｎ）が８０，０００のポリジメチルシロキサン１００部、及びイソドデカン４００部からなる溶液に、上記式（Ｍ−６）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン１６部（アルケニル基に対して６モル）を添加し混合した。更にポリジメチルシロキサン１００部に対し、白金触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５（信越化学工業株式会社製）を０．０５部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シロキサン重合体溶液（Ｃ−３）を得た。

［樹脂溶液作製例６］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に９，９’−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（Ｍ−１）４３．１ｇ、平均構造式（Ｍ−３）で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン２９．５ｇ、トルエン１３５ｇ、塩化白金酸０．０４ｇを仕込み、８０℃に昇温した。その後、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（Ｍ−５）１７．５ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、８５℃まで上昇した。滴下終了後、更に８０℃で２時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを８０ｇ添加して、樹脂固形分濃度５０質量％のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量４５，０００であった。更に、この樹脂溶液５０ｇに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるＥＯＣＮ−１０２０（日本化薬（株）製）を７．５ｇ、硬化触媒として、和光純薬工業（株）製、ＢＳＤＭ（ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン）を０．２ｇ、更に、酸化防止剤として、テトラキス［メチレン−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメート）］メタン（商品名：アデカスタブ ＡＯ−６０）を０．１ｇ添加し、１μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−１）を得た。（Ｂ−１）硬化膜の動的粘弾性測定によって測定される弾性率は、２５℃において３００ＭＰａであった。なお、動的弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７２４４により測定した。

［樹脂溶液作製例７］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内にエポキシ化合物（Ｍ−２）８４．１ｇをトルエン６００ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）２９４．６ｇ、化合物（Ｍ−４）２５．５ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）１ｇを投入し、内部反応温度が６５〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、９０℃まで加温し、３時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）６００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２７０ｇを添加して、固形分濃度６０質量％のＰＧＭＥＡを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量２８，０００であった。更にこの樹脂溶液１００ｇに４官能フェノール化合物であるＴＥＰ−ＴＰＡ（旭有機材工業（株）製）を９ｇ、テトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、リカシッドＨＨ−Ａ）０．２ｇを添加して、１μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−２）を得た。（Ｂ−２）硬化膜の動的粘弾性測定によって測定される弾性率は、２５℃において５００ＭＰａであった。

［樹脂溶液作製例８］
４つ口フラスコに、下記式（７）で示される分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサンであって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９０部と、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_０．５単位０．７５モルとＳｉＯ_２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００部中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン１０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８質量％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２，０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、減圧下でヘキサン等を除去して、ＧＰＣによる分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である重量平均分子量９００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ｃ−４）を得た。

（実施例１）
−フィルム製造工程−
前記熱可塑性樹脂溶液（Ａ−１）を、フィルムコーターとしてコンマコータを用いて、離型基材としてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）上に塗工速度０．４ｍ／ｍｉｎで塗布し、乾燥して第一仮接着材層である（Ａ−１）層を作製した。続いて前記樹脂溶液（Ｂ−１）を、フィルムコーターとしてコンマコータを用いて、上記（Ａ−１）層が形成されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工速度０．４ｍ／ｍｉｎで塗布し、乾燥して第二仮接着材層である（Ｂ−１）層を作製した。さらに、前記熱硬化性シロキサン重合体溶液（Ｃ−１）を、フィルムコーターとしてコンマコータと用い、上記（Ｂ−１）層及び（Ａ−１）層が形成されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、塗工速度０．４ｍ／ｍｉｎで塗布、乾燥して、第三仮接着材層である（Ｃ−１）層を作製した。その後、作製したフィルムの表面に、保護フィルムとしてポリエチレン（ＰＥ）フィルム（厚さ１００μｍ）を圧力１ＭＰａで貼り合わせ、速度：０．４ｍ／ｍｉｎ、張力：３０Ｎのもと、プラスチック管に巻き取り、直径１３０ｍｍのフィルムロールを作製した。

−貼り合わせウエハ作製工程−
続いて、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス板を支持体とし、真空ラミネーターＴＥＡＭ−１００（（株）タカトリ製）を用いて、真空チャンバー内を真空度８０Ｐａに設定し、上記基板加工用仮接着フィルムロールから保護フィルムを剥がしながら、（Ａ−１）層、（Ｂ−１）層及び（Ｃ−１）層からなる複合フィルム状仮接着材を延伸し、支持体に（Ｃ−１）層が配置されるようにラミネーションした後、離型基材を除去した。

その後、表面に高さ４０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）と、前記複合フィルム状仮接着付きガラス板を、それぞれ、シリコンウエハの銅ポスト面と、ガラス板上の仮接着材層の（Ａ−１）層面が隣接するように、真空貼り合わせ装置（ＥＶＧ５２０ＩＳ）内で表１に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した。接合温度は表１に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は１０^-3ｍｂａｒ以下、荷重は５ｋＮで実施した。そして、該積層体を１２０℃で１分間加熱を行い、接着させ、接合させ、次いで１８０℃で１時間オーブンを用いて積層体を加熱し、（Ｂ−１）層と（Ｃ−１）層を硬化させて、試料を作成した。

（実施例２〜５及び比較例２〜４）
表１に記載の条件で、実施例１と同様に処理し、試料を作成した。

（比較例１）
表面に高さ４０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）に上記樹脂溶液（Ａ−１）をスピンコート後、ホットプレートにて、１５０℃で５分間加熱することにより、表１に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に第一仮接着材層である（Ａ−１）’層を成膜した。一方、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス板を支持体とし、この支持体にまず上記重合体溶液（Ｃ−１）をスピンコート、及びホットプレートにより、１５０℃で５分間加熱することで、表１中に記載された膜厚で、ガラス支持体上に第三仮接着材層である（Ｃ−１）’層を成膜した。その後、熱硬化性シロキサン重合体の樹脂溶液（Ｂ−１）を、ガラス支持体上に形成された（Ｃ−１）’層上にスピンコートすることで、表１中の膜厚で第二仮接着材層である（Ｂ−１）’層を形成した。更にその後１５０℃で３分間、ホットプレート上で加熱した。このようにしてこの熱可塑性樹脂からなる（Ａ−１）’層を有するシリコンウエハと、熱硬化性（Ｃ−１）’層と、その（Ｃ−１）’層上に（Ｂ−１）’層を有するガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表１に示す条件にて貼り合わせ、ウエハ加工体を作製した。そして、該ウエハ加工体を１２０℃で１分間加熱を行い、接着させ、接合させ、次いで１８０℃で１時間オーブンを用いて基板（ガラス板）を加熱し、（Ｂ−１）’層と（Ｃ−１）’層を硬化させて、試料を作成した。

なお、ここでは、基板接着後の異常を目視で判別するために支持体としてガラス板を使用したが、ウエハなどの光を透過しないシリコン基板も使用可能である。

その後、この接合された基板（試料）に対し、下記試験を行い、実施例及び比較例の結果を表１に示した。また、下記の順で評価を実施したが、裏面研削耐性試験以降の評価で判定が「×」となった時点で、それ以後の評価を中止した。

−接着性試験−
上述したように、１８０℃で１時間オーブンで加熱硬化させて得られた積層体（試料）を室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認した。界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−裏面研削耐性試験−
グラインダー（（株）ディスコ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いて、上述したように１８０℃で１時間オーブンで加熱硬化させて得られた積層体（試料）について、シリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を「○」で示し、異常が発生した場合を「×」で示した。

−ＣＶＤ耐性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の加工体をＣＶＤ装置に導入し、２μｍのＳｉＯ₂膜の生成実験を行ない、その際の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等が発生した場合を「×」で示した。ＣＶＤ耐性試験の条件は、以下の通りである。
装置名：プラズマＣＶＤ ＰＤ２７０ＳＴＬ（サムコ（株）製）
ＲＦ５００Ｗ、内圧４０Ｐａ
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）：Ｏ₂＝２０ｓｃｃｍ：６８０ｓｃｃｍ

−剥離性試験−
基板の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、ＣＶＤ耐性試験を終えたウエハ加工体の５０μｍまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−洗浄除去性試験−
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された２００ｍｍウエハ（耐熱性試験条件に晒されたもの）を、スピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソノナンを３分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。

−剥離力試験−
直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を支持体として、作製した複合フィルム状仮接着材を、シリコンウエハと第三仮接着材層が隣接するようにラミネーションし、離型基材を除去した。その後、予め表面上に離型処理が施された、直径２００ｍｍ（厚さ：７２５μｍ）のシリコンウエハと、前記基板加工用フィルム状仮接着材付き支持体を、それぞれ、シリコンウエハの離型処理面と支持体上の仮接着材層の第一仮接着材層層面が隣接するように、真空貼り合わせ装置内で表１に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した。その後、そして、該積層体を１２０℃で１分間加熱を行い、接着させ、接合させ、次いで１８０℃で１時間オーブンを用いて積層体を加熱し、第二仮接着材層と第三仮接着材層を硬化させ、積層体からシリコンウエハのみを取り除き、シリコンウエハ、第三仮接着材層、第二仮接着材層、第一仮接着材層の順に積層された積層体を作製した。

その後、上記積層体の第一仮接着材層上に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着材層を除去した。（株）島津製作所製のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−Ｘｐｌｕｓ）を用いて２５℃雰囲気下で３００ｍｍ／ｍｉｎの速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、その仮接着材層の剥離力とした。

表１に示されるように、本発明の要件を満たす、基板加工用仮接着フィルムロールから取り出された複合フィルム状仮接着材は、基板と支持体との仮接着が容易で、剥離が容易であり、特にＣＶＤ耐性、洗浄除去性に優れていることが判った（実施例１〜５）。一方、使用形態が液状である比較例１では接着性が悪く、第三仮接着材層が本発明の要件を満たさない（熱硬化性樹脂ではない）比較例２ではＣＶＤ耐性が悪化し、第三仮接着材層を使用しない比較例３では、剥離性が悪化した。また、熱可塑性樹脂からなる第一仮接着材層を使用しない比較例４では、接着性に問題があり、後処理ができなかった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。

１…巻き芯、 ２…複合フィルム状仮接着材、 ３…離型基材、 ４…保護フィルム、
５…加工すべき基板、 ６…支持体、 ７…積層体、 １０，１００…基板加工用仮接着フィルムロール、 （Ａ）…第一仮接着材層（熱可塑性樹脂層）、 （Ｂ）…第二仮接着材層（熱硬化性樹脂層）、 （Ｃ）…第三仮接着材層（熱硬化性樹脂層）。

Claims (6)

1. 巻き芯と、該巻き芯に巻き取られた、加工すべき基板を支持体に仮接着するための複合フィルム状仮接着材とを備え、
   該複合フィルム状仮接着材は、熱可塑性樹脂からなる第一仮接着材層（Ａ）と、熱硬化性樹脂からなる第二仮接着材層（Ｂ）と、該第二仮接着材層とは異なる熱硬化性樹脂からなる第三仮接着材層（Ｃ）とを有する半導体基板加工用仮接着フィルムロールであって、
   前記半導体基板加工用仮接着フィルムロールは、離型基材と、該離型基材上に形成された前記複合フィルム状仮接着材とが、前記巻き芯に巻き取られたものであり、
   前記複合フィルム状仮接着材は、前記離型基材側から順に前記第一仮接着材層（Ａ）、前記第二仮接着材層（Ｂ）、前記第三仮接着材層（Ｃ）が形成されたものであり、
   前記第三仮接着材層（Ｃ）が、
   （ｃ１）分子中にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
   （ｃ２）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（ｃ１）成分中のアルケニル基に対する（ｃ２）成分中のＳｉ−Ｈ基のモル比が０．３から１５となる量、及び
   （ｃ３）白金系触媒、
   を含有する組成物の層であり、
   前記離型基材と、前記複合フィルム状仮接着材との剥離力が、２５℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｍＮ／２５ｍｍ以上４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体基板加工用仮接着フィルムロール。
2. 前記第二仮接着材層（Ｂ）の硬化膜は、動的粘弾性測定によって測定される弾性率が、２５℃において、５０ＭＰａ以上１ＧＰａ以下のものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板加工用仮接着フィルムロール。
3. 前記第三仮接着材層（Ｃ）の硬化膜は、前記基板又は前記支持体との間の剥離力が、２５℃における１８０°方向への剥離試験において２０ｍＮ／２５ｍｍ以上５００ｍＮ／２５ｍｍ以下のものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板加工用仮接着フィルムロール。
4. 前記第二仮接着材層（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物からなる重合体層であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板加工用仮接着フィルムロール。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。但しＡ＋Ｂ＝１である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。
   

   

   （式中、Ｚは
   

   

   のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ^５、Ｒ^６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
5. 前記第二仮接着材層（Ｂ）が、下記一般式（３）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物からなる重合体層であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板加工用仮接着フィルムロール。
   

   

   ［式中、Ｒ^７〜Ｒ^１０は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１００の整数であり、Ｄは正数、Ｃは０又は正数である。但し、Ｃ＋Ｄ＝１である。更に、Ｙは下記一般式（４）で示される２価の有機基である。
   

   

   （式中、Ｖは
   

   

   のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
6. （ａ）前記基板の加工すべき面とは反対側の面を、前記支持体に接合する際に、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体基板加工用仮接着フィルムロールから前記複合フィルム状仮接着材を延伸し、該複合フィルム状仮接着材を前記基板又は支持体上にラミネーションし、前記基板と前記支持体とを前記複合フィルム状仮接着材を介して減圧下で貼り合わせる工程と、
   （ｂ）前記第二仮接着材層（Ｂ）層及び前記第三仮接着材層（Ｃ）層を熱硬化させる工程と、
   （ｃ）前記基板の加工すべき面を研削又は研磨する工程と、
   （ｄ）前記基板の加工すべき面に加工を施す工程と、
   （ｅ）該加工を施した前記基板を前記支持体から剥離する工程と
   を含むことを特徴とする薄型基板の製造方法。

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