JP4780828B2 - ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法に関し、より詳細には、主に半導体製造工程において、ウエハをチップに切断加工する際ウエハを固定保持するために用いるウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン、ガリウムヒ素、ゲルマニウムケイ素などの半導体ウエハは、大きな径を有するウエハの状態で回路パターンを形成した後、ウエハの裏面を研削して、このウエハをチップに切断加工する（ダイシング）工程を経て、マウント工程に移され実装される。このダンシング工程においては、半導体ウエハを固定保持するためにウエハ加工用粘着テープが用いられている。
【０００３】
このウエハ加工用粘着テープには、感圧型の粘着テープのほか、粘着力を制御する紫外線硬化型または電子線硬化型の粘着テープが使用されているが、何れの場合にも、ウエハをチップに切断加工する際に、欠けや亀裂が発生するという問題がある。
【０００４】
この感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープでは、ウエハを加工したのちチップをウエハ加工用粘着テープから剥離した時に、粘着剤或いは基材の切削屑がチップ表面に付着することがある。その切削屑は、チップの回路部分を腐食したり、チップと樹脂モールドとの密着性を悪化させ、チップの不良原因とになり得る場合がある。
【０００５】
また、感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープは、製造時の加工安定性や長期保存安定性に劣るため、管理された製造環境や、輸送および保管環境を必要とし、使用可能期間が短いという問題がある。また、このタイプのウエハ加工用粘着テープでは、製造条件或いは保存条件等の何らかの変動要因により粘着層の劣化が進行すると、ウエハ加工用粘着テープを原因とするチップの不良品が大量に発生することがあった。
【０００６】
さらに、感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するテープの製造法は、基材層用のフィルムを製造した後に表面処理を施し、溶剤に溶解した粘着層用の組成物を塗布し、溶剤を乾燥する方法が一般的である。この方法では、塗布する際に有機溶剤を使う点や、溶剤の乾燥工程等に、より多くのエネルギーを使用する点で環境に負荷が大きい上、高コストとなる。
【０００７】
一方、切断加工時の欠けや亀裂の発生を防ぐ方法として、ウエハをワックスで固定してチップに切断加工する方法が知られているが、生産性が非常に低いため、脆いウエハや高精度の加工面を要求される場合を除いて、一般に半導体製造工程で回路パターンを形成したウエハの加工には使われていない。
【０００８】
欠けや亀裂の拡大によるチップの損壊を防ぐための方法として、特開平５−３３５４１１号公報には、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、これを裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。特開２０００−６８２３７号公報には、回路パターンを形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切れ込み深さの溝を形成した後、ウエハ裏面を研削してチップに分割加工する際に用いられる表面保護シートに、４０℃における弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上である粘着層を有するものを用いることが開示されている。しかし、研削時に発生すると考えられるチップの欠けや亀裂の大きさは明示されていない。
【０００９】
特開平１０−２４２０８６号公報には、０〜１０℃の範囲における貯蔵弾性率が３×１０6〜１×１０10 dyn/cm2である粘着層を持つ保持シートが開示されている。しかし、ダイシング加工時、チップに発生した欠けまたは亀裂の大きさを７５μｍ以下で合格とする非常に緩やかな評価条件で、欠けや亀裂の抑制効果を判断しているにすぎない。
このように、ウエハ加工時に発生する欠けや亀裂の大きさを、ワックスによる固定法と同程度に極小化できるウエハ加工用粘着テープは得られていなかった。
【００１０】
特公平３−３９５２４号公報には、２５℃で測定した動的弾性率Ｅ'が３×１０7〜5×１０9dye/cm2の範囲にあり、かつ損失係数ｔａｎδが０．４以上である特定のα−オレフィン系共重合体が開示され、この共重合体を金属と積層すると制振性能を示すことが開示されていが、ウエハ加工用粘着テープとしての具体的な用途記載はない。
【００１１】
さらに、特開平７−２３３３５４号公報、特開平１０−２９８５１４号公報、特開平１１−４３６５５号公報、特開平１１−２１５１９号公報、特開平１１−１０６７１６号公報には、いずれも粘着層に特定のα−オレフィン共重合体を含む表面保護フィルムが開示されている。しかし、性能要求の厳しいウエハ加工用粘着テープに関する記載はない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウエハをチップに切断加工する際に、欠けや亀裂の大きさを極小化し、その発生も抑制できるウエハ加工用粘着テープを提供することにある。さらには、特別な装置を用いることなくウエハを加工してもチップへの汚染を少なくでき、長期保存安定性に優れ、環境への負荷が少ない材料からなるウエハ加工用粘着テープを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、安定な品質が得られ、製造工程において発生する有害物質や廃棄物、或いはエネルギー等を最小限にできる環境に優しいウエハ加工用粘着テープの製造方法を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の目的は、ウエハ加工用粘着テープの性能を最大限に発揮できる使用方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ウエハを加工する温度域において特定の弾性率を有する粘着層、或いはさらにその温度域において特定のtanδを有する粘着層を介してウエハを粘着テープに貼着し固定保持することにより、ウエハ加工する際に発生する内部応力や振動を大幅に低減できることを見出し、また、その様な特定の粘着テープを用いることにより、チップの欠けや亀裂の大きさを、従来のウエハ加工用粘着テープでは達成し得なかったレベルまで小さくできることを見出して本発明に至った。
【００１６】
即ち、本発明においては、基材層の片面に粘着層を有する粘着テープであって、該テープの粘着層に貼着されたシリコンウエハを、ダイサーによりダイシング速度７０ｍｍ／ｍｉｎでフルカットしてチップに切断加工するとき、チップの欠けまたは亀裂の最大長さが３０μｍ以下であることを特徴とするウエハ加工用粘着テープが提供される。
【００１７】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの好適な態様においては、前記チップの欠けまたは亀裂の最大長さが、好ましくは１０μｍ以下である。
【００１８】
また、本発明においては、基材層の片面に粘着層を有する粘着テープであって、該粘着層の１５〜３５℃における貯蔵弾性率Ｇ'が１〜５０ＭＰａであることを特徴とするウエハ加工用粘着テープが提供される。
【００１９】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの好適な態様においては、さらに、前記粘着層の１５〜３５℃における、損失弾性率Ｇ"の貯蔵弾性率Ｇ'に対する比であるtanδが０．０５〜１であることが好ましい。
【００２０】
本発明においては、前記した粘着層が、オレフィン系重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２１】
また、前記粘着層が、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の、１種または２種以上の混合物を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２２】
また、前記粘着層が、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマーと、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーとからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００２３】
前記熱可塑性エラストマーは、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることが好ましい。
【００２４】
また、前記α−オレフィン共重合体は、プロピレン、１−ブテン及び炭素原子数が５〜１２のα−オレフィンを共重合してなるα−オレフィン共重合体であることが好ましい。
【００２５】
前記炭素原子数５〜１２のα−オレフィンは、４−メチル−１−ペンテンであることが好ましい。
【００２６】
本発明においては、前記した基材層が、１層または複数の層からなり、オレフィン系共重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２７】
また、前記基材層が、表面層と中間層とからなり、表面層、中間層、粘着層の順に３層積層されてなるウエハ加工用粘着テープであることが好ましい。
【００２８】
また、前記中間層が、オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００２９】
また、前記中間層が複数の層からなり、そのうちの少なくとも１層が、オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００３０】
前記熱可塑性エラストマーは、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることが好ましい。
【００３１】
前記表面層が、オレフィン系重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００３２】
また、本発明に係るウエハ加工用粘着テープにおいては、２０〜８０℃の温度範囲において、ＪＩＳ Ｚ０２３７（参考）に準拠して測定されるプローブタック力が、０．０１〜１Ｎ／５ｍｍφの範囲にあるものが好ましい。
【００３３】
また、本発明に係るウエハ加工用粘着テープでは、共押出成形法によって成形されてなるものが好ましい。
【００３４】
本発明によれば、１層または複数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重2.16kgによる測定値）が５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であり、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下になるようにして多層ダイを用い共押出成形法により成形することを特徴とする前記したウエハ加工用粘着テープの製造方法が提供される。
【００３５】
また、本発明によれば、前記したウエハ加工用粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着したのち、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工し、次いで該粘着テープを４０〜８０℃で拡張し、その後、室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離することを特徴とするウエハ加工用粘着テープの使用方法が提供される。
【００３６】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの使用方法においては、前記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシングであることが好ましい。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のウエハ加工用粘着テープ（以下「本発明の粘着テープ」という）及びその製造方法（以下「本発明の製造方法」という）並びにその使用方法（以下「本発明の使用方法」という）について、添付図面を参照して具体的に説明する。
なお、全図において同一又は相当部分については、同一の符号を付すこととする。
【００３８】
図１は、本発明の粘着テープの一実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、基材層１と、基材層１の片面に積層された粘着層２とからなる。
【００３９】
基材層１の構成成分は、特に限定されず、種々の薄層品、例えば、合成樹脂、紙、金属箔、天然樹脂などを用いることができる。中でも、本発明においては、耐水性、耐熱性、廃棄処理性等から、非ハロゲン系合成樹脂を主成分とするものが好ましく、具体例としては、オレフィン系重合体、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどが挙げられる。特に、オレフィン系重合体、ポリエステル、ポリエーテルなどの様に、例えば、使用後に焼却処理する場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない炭素、水素、酸素からなる合成樹脂、即ち、環境に対して負荷が少ない合成樹脂が好ましい。
【００４０】
基材層１としては、ウエハを固定保持する強さ、チップに切断加工後の拡張性、そのものの生産性、保存安定性等の要求に対して、多種多様な特性を持ち、他材料と複合化により機能を付与することができる点、環境に優しい点、複数の層からなる場合に相互に強固な接着を形成し易い点から、その構成成分としては、とりわけ、オレフィン系重合体を主成分とするものが好ましい。
【００４１】
オレフィン系重合体としては、具体的には、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、また、エチレンと炭素数３〜１２のα−オレフィン、スチレン、酢酸ビニル、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、アイオノマー等の各種ビニル化合物との共重合体等エチレン系重合体が挙げられ、さらに、プロピレン単独の重合体、ブロック型のプロピレン・エチレン共重合体、ランダム型のプロピレン・エチレン共重合体、ブロック型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、ランダム型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、超高分子量ポリプロピレン等プロピレン系重合体が挙げられ、さらにまた、ポリブテン、ポリメチルペンテン、超高分子量ポリブテン、超高分子量ポリメチルペンテン等炭素数４以上のα−オレフィン重合体を挙げることができる。
本発明において主成分とは、それ以外の含まれている構成成分に比べて、相対的に最も大きな割合で含まれる構成成分を言う。
【００４２】
基材層が２層以上の複数層から構成される場合には、各層にウエハ加工用粘着テープとして要求される各種の特性を分担して受け持たせるように構成することができる。例えば、中間層には加工時の伸び特性や、引き裂き耐性を付与し、また、耐候安定剤を添加して耐候性を付与し、最外層には表面疵の耐性や、巻き上げた保護フィルムが簡単に巻戻せるように粘着層との剥離性を付与した態様が挙げられる。また、隣合う層は、その構成成分が、溶融共押出しによって強固に接着できるものであれば、いずれのものからなる層であってもよい。好ましい態様としては、その粘着層と反対側の最外層（表面層）の主成分を、エチレン系共重合体とする態様である。
【００４３】
図２は、本発明の粘着テープの、別の実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、中間層３と表面層４からなる基材層１と、中間層３の片面に積層された粘着層２とからなる。
【００４４】
中間層の構成成分としては、オレフィン系重合体を主成分とするものが好ましい。また、中間層の構成成分としては、前記のオレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。このようにすることにより、ウエハを弛みなく固定保持できる強度が高められるとともに、ウエハ加工時、中間層の一部にまで切削され形成される溝が拡大せず、加工後にテープを拡張した際に溝が裂けず、テープの弛みもない（いわゆるネッキングが生じない）。また、チップ間隔（溝間隔）がチップの縦横方向ともに均一に十分拡張されるという特長がある。
【００４５】
オレフィン系重合体としては、前記のものと同様なものが挙げられる。
また、熱可塑性エラストマーとしては、例えばポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが挙げられる。このうちポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーは、例えば、使用後に焼却処理する場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない炭素、水素、酸素からなる熱可塑性エラストマーである点、即ち環境に対する負荷が少ない熱可塑性エラストマーである点で好ましい。
【００４６】
なかでも、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であると、前記オレフィン系重合体からなる連続相に分散した相を形成し易いため望ましい。
【００４７】
ポリスチレン系エラストマーとしては、硬質部（結晶部）となるポリスチレンブロックと、軟質部となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）などを例示することができる。これらは、１種単独でも２種以上を組み合わせても用いられる。
【００４８】
前記ポリオレフィン系エラストマーとして、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリマーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン（結晶性）・エチレン・ブチレン・オレフィン（結晶性）ブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリオレフィン（非晶性）・ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。
【００４９】
前記ポリエステル系エラストマーとして具体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例示することができる。
【００５０】
図３は、本発明の粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、第一中間層３ａ、第二中間層３ｂ、表面層４の順に積層された基材層１と、第一中間層３ａの片面に積層された粘着層２とからなる。
基材層１が、３層の場合には、第一中間層３ａと第二中間層３ｂのどちらかの層或いは２層が、連続相を形成するオレフィン系重合体と、分散相を形成する熱可塑性エラストマーであることが望ましい態様である。この場合、第二中間層３ｂが、連続相を形成するオレフィン系重合体と、分散相を形成する熱可塑性エラストマーであることがより望ましい態様である。なお、中間層３ａの厚さは、例えば１０〜２００μｍ程度であり、好ましくは３０〜１５０μｍである。また、中間層３ｂの厚さは、例えば１〜１００μｍ程度であり、好ましくは５〜５０μｍである。
【００５１】
基材層のうち、粘着層に接する側の中間層（図３では第一中間層３ａ）は、前記のα−オレフィンを含む重合体の１種単独または２種以上の混合物を主成分として含有していてもよい。また、この粘着層に接する側の中間層は、α−オレフィンを含む重合体以外に、ブリードアウトして粘着層への影響を与えるものでなければ、炭化水素以外の酸素原子含有基などの官能基を分子内に有する樹脂を副成分として含んでいてもよい。
前記粘着層に接する中間層における前記α−オレフィンを含む重合体の含有量は、通常、５０〜１００重量％程度であり、好ましくは７０〜１００重量％程度である。
【００５２】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４の主成分は、オレフィン系重合体であることが好ましい。なかでも、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体が好適である。この場合、基材層１の最外層となる表面層４における前記エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の含有量は、通常、５０〜１００重量％程度であり、好ましくは７０〜１００重量％程度であり、主成分以外の成分としては、α−オレフィン(共)重合体などが挙げられる。
【００５３】
また、表面層の主成分としては、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体とともに、ポリエチレン、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂とを含む混合物を主成分とするもの、または、前記α−オレフィンを含む重合体に加えて、ポリビニルアルコールまたはエチレン・ビニルアルコール共重合体と長鎖アルキルイソシアナートとの反応物（剥離剤）等の少量を含有するものが好ましく、巻き戻し力が５Ｎ／２５ｍｍ以下である粘着テープを得ることができる。
【００５４】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４が、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体とともに、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂を含む層である場合、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂の含有割合は、１〜５０重量％、中でも特に３〜４０重量％が好ましい。
【００５５】
また本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４が、α−オレフィンを含む重合体を主成分とする場合、これらの他に、少量のポリビニルアルコールまたはエチレン・ビニルアルコール共重合体と長鎖アルキルイソシアナートとの反応物等の剥離剤を配合することが望ましいが、その剥離剤の含有割合は、基材層１の当該層の通常０．５〜２０重量％、中でも特に、１〜１０重量％が好適である。
【００５６】
基材層１は、この種のウエハ加工用粘着テープの基材層に一般に用いられる各種添加剤を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等をウエハ加工やチップに影響を与えない程度に含有していてもよい。
【００５７】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍ程度であり、より好ましく疵防止性、貼付け作業性および価格の点で、３０〜１５０μｍ程度が好ましい。また、基材層が中間層と表面層からなる場合、中間層の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍ程度、より好ましくは３０〜１５０μｍ程度であり、表面層は、好ましくは１〜１００μｍ程度、より好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００５８】
本発明の粘着テープは、基材層と、該基材層の片面に積層された粘着層とを有する２層以上の多層構造の積層フィルムであって、被着体であるシリコンウエハが粘着層を介してウエハ加工用粘着テープに貼着された後、該ウエハをダイサーによりダイシング速度７０ｍｍ／ｍｉｎでフルカットして矩形のチップに切断加工するとき、該チップの加工面から発生しうる欠けまたは亀裂の最大長さが３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下である。このレベルであれば、ウエハ加工時の欠けや亀裂を原因とするチップ不良が無くなり、ワックス固定法に近い品質を達成することができる。
【００５９】
なお、本発明において、チップの欠けまたは亀裂の最大長さ測定方法は、シリコンウエハをウエハ加工用粘着テープによりフレームに貼り付けて固定し、ダイサーによりダイヤモンド切削刃により特定の加工速度で、一回でフルカットして矩形のチップに切断加工するとき、チップ加工面から発生しうる欠けまたは亀裂の距離を測定する方法による。測定方法の例を次に示す。
【００６０】
図９は、チップ２０の直線加工面に発生した欠け２２或いは亀裂２３について、チップ上面の垂直方向から見た模式図である。欠け２２は、チップから剥がれ落ちた部分を斜線で示し、亀裂２３は、チップに発生した割れであり太い実線で示す。
【００６１】
図１０と図１１は、チップ２０のコーナー加工面に発生した欠け２２或いは亀裂２３について、チップ上面の垂直方向から見た模式図である。コーナー部分の加工では、縦と横の切断加工方向が交差するため、欠け或いは亀裂が最大になる傾向が強い。図１０は、コーナー部の欠け２２が長辺形状を示す一例であり、縦或いは横の加工面からの距離の長い方を、その欠けの最大長さ２４とする。図１１は、コーナー部分の亀裂２３についての一例であり、縦或いは横の加工面からの距離の長い方を、その欠けの最大長さ２４とする。
【００６２】
本発明の粘着層２は、ウエハ加工する環境である１５〜３５℃の範囲において、貯蔵弾性率Ｇ'が１ＭＰａ以上、好ましくは１〜２００ＭＰａとなるものである。さらには、損失弾性率Ｇ"の貯蔵弾性率Ｇ'に対する比であるｔａｎδが０．０５以上の範囲にあることが望ましい。これにより、切断する回転刃によってウエハに発生する内部応力の共振現象による増幅を抑えて、チップの欠けまたは亀裂の発生率を極小化させるとともに、その大きさを最小限度にとどめることができる。
【００６３】
本発明の粘着テープの粘着層２は、前記基材層１の片面に積層され、その主成分としてオレフィン系重合体を含有するものが好ましい。さらには、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の１種または２種以上の混合物を主成分とするものが好ましい。特に、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマー、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものが好ましい。
【００６４】
α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることは、図１３及び図１４の粘着層の断面写真により明らかである。図１３は粘着層の流れ方向に垂直な断面写真であり、図１４は粘着層の流れ方向に平行な断面写真である。このようにすることにより、粘着層のガラス転移温度が低下するので、貼付け温度を低くしても、本発明の粘着テープとウエハとを互いに隙間なく密着させることができ、プローブタック力で示される初期粘着強度を適正な範囲に調整することができる。すなわち、低温粘着特性を改善できる。加えて、α−オレフィン共重合体が連続層を形成しているので、貯蔵弾性率Ｇ'とtanδの高い粘着層が得られる。
【００６５】
炭素原子数２〜１２のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が挙げられる。これらのα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種の単量体からなる共重合体を、粘着層２の主成分とする場合、粘着層２中に占めるこのα−オレフィン共重合体の総含有割合は、通常、３０重量％以上、なかでも特に５０重量％以上とすることが好ましい。
【００６６】
これらのα−オレフィン共重合体の中でも、プロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなる共重合体を含有する粘着層が好ましい。特に、プロピレン１０〜８５モル％、１−ブテン３〜６０モル％および炭素原子数５〜１２のα−オレフィン１０〜８５モル％の構造単位組成を有する共重合体を含有する粘着層は、常温付近での粘着特性に優れる点で好ましく、さらに、プロピレン１５〜７０モル％、１−ブテン５〜５０モル％およびα−オレフィン１５〜７０モル％の構造単位組成の割合で含む共重合体を含有する粘着層が好ましい。炭素原子数５〜１２のα−オレフィンとしては、４−メチル−１−ペンテンが好ましい。
【００６７】
また、このプロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなる共重合体を粘着層に含有する場合、粘着層中に占めるこの共重合体の含有割合は、通常、２０重量％以上、好ましくは３０重量％以上である。
【００６８】
前記の熱可塑性エラストマーの具体例としては、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが挙げられる。
この熱可塑性エラストマーの好ましい構造としては、構造要素であるブロック共重合体が、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂで表されるものである。ここで、Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す。
【００６９】
ポリスチレン系エラストマーとしては、硬質部（結晶部）となるポリスチレンブロックと、軟質部となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）などを例示することができる。これらは、１種単独でも２種以上を組み合わせても用いられる。
【００７０】
例えばスチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン系重合体ブロックを平均分子量に換算して１２０００〜１０００００程度、イソプレン重合体ブロックを平均分子量に換算して１００００〜３０００００程度含むものである。このＳＩＳにおけるスチレン重合体ブロック／イソプレン重合体ブロックの含有割合は、通常、重量比で５〜５０／５０〜９５であり、好ましくは１０〜３０／７０〜９０である。
【００７１】
スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体を水素添加してなるものである。
このＳＩＳの具体例としては、ＪＳＲ株式会社から商品名：ＪＳＲ ＳＩＳとして、またはシェル化学社から商品名：クレイトンＤとして市販されているものなどが挙げられる。また、ＳＥＰＳの具体例としては、株式会社クラレから商品名：セプトンとして市販されているものなどが挙げられる。
【００７２】
前記ポリオレフィン系エラストマーとして、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリマーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン（結晶性）・エチレン・ブチレン・オレフィン（結晶性）ブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリオレフィン（非晶性）・ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。具体例としては、ＳＲ株式会社から商品名：ＤＹＮＡＲＯＮとして市販されているものが挙げられる。
【００７３】
前記ポリエステル系エラストマーとして具体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例示することができる。
【００７４】
本発明の粘着テープの、粘着層の成分として、前記熱可塑性エラストマーを用いる場合、粘着層に占める熱可塑性エラストマーの含有割合は、通常、０〜６０重量％で、好ましくは、５〜５０重量％である。
【００７５】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層２のプローブタック力で示される粘着性能を向上させるため、前記炭素原子数２〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、他のα−オレフィン共重合体を含有させた粘着層とすることができる。このとき、前記のプロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分からなる共重合体と、他のα−オレフィン共重合体の粘着層中に占める合計の含有量は、５０重量％以上であることが好ましい。
【００７６】
前記他のα−オレフィン共重合体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテンおよび１−ヘキセンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンからなる共重合体が好ましい。このα−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・１−ヘキセン共重合体、プロピレン・１−ブテン共重合体、プロピレン・１−ヘキセン共重合体、１−ブテン・１−ヘキセン共重合体等を例示できる。この共重合体の具体例としては、三井化学株式会社から商品名：タフマーＡ、タフマーＰ等で市販されているものなどを挙げることができる。
【００７７】
また、前記のエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーは、エチレンと他のα−オレフィンとの低分子量共重合体であって、常温で液体状のものである。α−オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、４−メチル−１−ペンテン等の炭素数３〜２０のα−オレフィンが挙げられる。これらの中でも、炭素数３〜１４のα−オレフィンが好ましい。
【００７８】
このコオリゴマーは、下記式
【化１】
で表される構造単位を有するものである。前記式中、ＲはＣnＨ2n+1（ｎは正の整数である）で表される基であり、ｘ、ｙおよびｐは正の整数である。
【００７９】
このコオリゴマーは、通常、数平均分子量が１００〜１００００の範囲のものであり、好ましくは数平均分子量が２００〜５０００の範囲のものである。また、このコオリゴマー中のエチレン単位含有量は、通常、３０〜７０モル％、好ましくは４０〜６０モル％である。
【００８０】
本発明の粘着テープの、粘着層の構成成分中に、前記コオリゴマーを用いる場合、このコオリゴマーの粘着層に占める含有割合は、通常０〜２０重量％、好ましくは０〜１０重量％である。
【００８１】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層の構成成分として、前記炭素原子数２〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、前記の他のα−オレフィン共重合体を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整できるとともに、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
【００８２】
また、粘着層の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体とエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーの組み合わせからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整することができるとともに、粘度を適正な範囲に調整できる点で有利である。
【００８３】
また、粘着層の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体と熱可塑性エラストマーとからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整することができるとともに、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
【００８４】
本発明の粘着テープの粘着層には、前記α−オレフィン系共重合体、熱可塑性エラストマー、およびエチレンと他のα-オレフィンとのコオリゴマー以外に、さらに各種の副成分を、本発明の目的を損ねない範囲で含んでいてもよい。例えば、液状ブチルゴム等の可塑剤、ポリテルペン等のタッキファイヤーなどを含んでいてもよい。本発明において、これらの副成分のうち接着性の官能基、不飽和結合を有するものは、貼り付けた後での粘着強度の経時変化（加温、加圧、湿度、紫外線等による）を起こさせないように、その種類、配合量等を調整することが好ましい。
【００８５】
また、本発明の粘着テープの粘着層には、この種の粘着層の素材に一般的に配合される各種添加剤を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等を含有していてもよい。
【００８６】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層の厚さは、通常、１〜５０μｍ程度であり、好ましくは、５〜３０μｍ程度である。
また、粘着テープの全体の厚さは、通常、３０〜２００μｍ程度であり、疵防止性、貼り付け作業性および価格の点で、好ましくは６０〜１８０μｍ程度である。
【００８７】
本発明の粘着テープは、引張弾性率が１００〜５００ＭＰａの範囲にある。
さらにまた、本発明の粘着テープの粘着力については、粘着テープを２０〜６０℃の範囲に調整した後、ＪＩＳ Ｚ０２３７（参考）に準拠して測定されるプローブタック力が、０．０１〜１Ｎ／５ｍｍφの範囲に入ることが好ましい。通常粘着テープの粘着力は、２３℃で貼着して測定されるが、本発明の粘着テープの場合、被着体との密着性を高めるために２０〜６０℃の範囲に加熱調整されることが好ましい。
【００８８】
また、プローブタック力が０．０１Ｎ／５ｍｍφを越えて小さくなり過ぎると、チップフライの発生を防止することが困難になることがあり好ましくない。また、プローブタック力が１Ｎ／５ｍｍφを越えて大きくなり過ぎると、ピックアップ性が悪化することがあり好ましくない。プローブタック力が０．０１Ｎ／５ｍｍφ以上の場合、本発明の粘着テープとウエハとが確実に密着できるため、ウエハ加工時のチップフライが無くなる点、欠けまたは亀裂の長さと発生率を極小化できる点、切削屑の付着が無くなる点等に良好な効果を与えると考えられる。プローブタック力が１Ｎ／５ｍｍφ以下の場合、本発明の粘着テープとチップとが容易に剥離できるため、ピックアップ性に良好な効果を与える。
【００８９】
本発明の粘着テープは、粘着後、ピール剥離する場合に、光や電子線を用いて粘着層を硬化させて粘着力を低下させる方法におけるような特別な装置を使うことが無く、テープからの剥離が容易である。
また、剥離した後、チップへの糊残りが無く、その後工程のボンディング工程とモールディング工程を阻害する成分等の付着の無いものである。
【００９０】
図４は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、基材層１と、基材層１の表面に積層された粘着層２と、粘着層２側に離型テープ５が設けられる。
【００９１】
図５は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、中間層３と表面層４からなる基材層１と、中間層３の表面に積層された粘着層２とからなり、その粘着層２側に、離型テープ５が設けられる。
【００９２】
図６は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、第一中間層３a、第二中間層３ｂ、表面層４の順に積層された基材層１と、中間層３ａの表面に積層された粘着層２とからなり、その粘着層２側に、離型テープ５が設けられる。
【００９３】
図７は、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０をそのままロール６に巻いて保管される状態を示す図であり、図８は、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０の粘着層側に離型テープ５を貼り付けて、ロール６に巻いて保管される状態を示す図である。
【００９４】
離型テープとしては、例えば熱可塑性フィルムにＵＶ硬化型のシロキサン系架橋化合物からなる離型層を有するものが用いられる。離型テープの凹凸が粘着層の表面に転写されるため、表面粗さが１μｍ以下の平滑性を有するものが好ましい。また。離型テープの厚さは、ロール巻きに支障のない厚さで、廃棄処理量を減らす観点から出来るだけ薄いものが良く、例えば５〜２００μｍであり、好ましくは１０〜１００μｍである。
【００９５】
本発明の粘着テープの製造方法としては、基材層（表面層及び中間層）および粘着層を構成する素材を、それぞれ溶融加熱して共押出し成形し、所定の厚さを有する多層構造の積層フィルムを製造する方法が、高効率でしかも省エネルギーため安価に本発明の粘着テープを製造できる点で、好ましい。また、基材層に粘着層を溶融押出ラミネートする等の方法にしたがって行うこともできる。
【００９６】
また、本発明の製造方法は、１層または複数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重21.18Nによる測定値）が５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であり、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下になるようにして多層ダイを用いた共押出成形法により成形すると、好ましい。
【００９７】
多層ダイを用いた共押出成形法として、例えば、各層の溶融物をあらかじめ層状に組み合わせて一体としたものをフラットダイに送り込みダイ内で接着させる方法（フィードブロック法）、各層の溶融物をフラットダイ内の別のマニホールドに送り込み、ダイ内の共通の場所（一般にはダイリップ入り口前）にて、各層を層状に接合して一体としたものをフラットダイに送り込みダイ内で接着させる方法（多数マニホールド法）、さらにフィードブロック法と多数マニホールド法の組み合わせた方法等が挙げられる。
【００９８】
前記ＭＦＲが５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であると、異なる材料で構成される各層の厚みが均一になる点、表面性が良好で多層構造を形成できので、好ましい。また、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下であると、異なる材料で構成される各層の厚み均一になる点、表面性が良好で異物の発生も無く多層構造を形成できる点等で、好ましい。
【００９９】
また、本発明の使用方法は、前記したウエハ加工用粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着したのち、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工し、次いで該粘着テープを４０〜８０℃で拡張し、その後、室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離することからなる。
【０１００】
ウエハとしては、一般的な固体のものであればいずれのものでもよく、例えば絶縁体としては、ガラス、セラミック、硬質プラスチックなど、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、セレン、テルル等の元素半導体；ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ等の２元系化合物半導体；ＡｌＧａＡｓ等の３元系化合物半導体；ＡｌＧａＩｎＡｓ等の４元系化合物半導体；ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ5等の金属酸化物半導体など、その他の金属酸化物からなるものなどが挙げられる。ウエハの厚さは数１０μｍ〜数ｍｍ、ウエハの面積は、数１０ｍｍ2〜数１００００ｍｍ2であるものが使用でき、形状は円形、正方形、長方形などのいずれでもよい。
【０１０１】
本発明の粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着することにより、テープとウエハを互いに隙間なく密着することができ、テープ及びウエハの加熱による変質を防げる。また、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工すれば、特別な冷却装置や加熱装置が不要であり、粘着テープを４０〜８０℃で拡張することにより、テープの切削溝から裂けが発生することなく、チップ間隔を均一に拡大することができる。
【０１０２】
本発明の使用方法の好ましい態様では、前記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシングである場合である。
また、本発明の粘着テープは、回路パターンが形成された半導体ウエハの表面からウエハ厚みよりも浅い切り込み深さの溝を形成し、その後半導体ウエハの裏面研削をすることで、ウエハの厚みを薄くするとともに最終的に個々のチップへ分割するウエハ裏面研削において用いられる表面保護シートにも応用可能である。
【０１０３】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでない。
なお、以下の実施例および比較例において、粘弾性、ＭＦＲ、プローブタック力、粘着力の温度依存性、巻き戻し力、チップフライ、欠け及び亀裂の長さと発生率、切削屑汚染性、拡張性、ピックアップ性を下記に示す測定方法により試験し、評価した。
【０１０４】
（１）粘弾性
レオメトリック・サイエンティフィック社製メカニカルスペクトロメーターＲＭＳ−８００を用いて、直径８ｍｍのパラレルプレートを使用し、プレート間のギャップを１．５ｍｍとし、試験片には８ｍｍφ×１．５ｍｍ(厚さ)の円板を用い、周波数ω=１００rad/secで、−５０℃〜３５０℃の範囲を３℃／minの昇温速度で、貯蔵弾性率Ｇ'（Ｐａ）と損失弾性率Ｇ"（Ｐａ）の測定を行った値を使用した。ｔａｎδは、測定された貯蔵弾性率Ｇ'と損失弾性率Ｇ"を関係式ｔａｎδ＝Ｇ"／Ｇ'に代入して算出した。
【０１０５】
（２）メルトフローレート（ＭＦＲ）
ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に記載のＭＦＲ試験に準拠して、温度２３０℃、荷重２１．１８Ｎ（２．１６ｋｇｆ）の試験条件により測定した値を用いた。
（３）プローブタック力
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１（参考）に記載のプローブタック試験に準拠して、（株）東洋精機製作所製のプローブタックテスターＭＯＤＥＬ ＴＭ１を用いて測定した。測定温度２３℃、湿度５０％(ＲＨ)下、直径５ｍｍのプローブを、試験片の粘着面に１０ｇｆの荷重を１０秒間接触させた後、プローブを垂直方向に速度１０ｍｍ／秒で引きはがし、そのときの要する力（単位：Ｎ／５ｍｍφ）を測定した。試験は、５枚の試験片について繰り返し行い、その平均値をプローブタック力とした。
【０１０６】
（４）粘着力の温度依存性
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１に記載されている粘着力測定法に準拠して測定した。ただし、シリコンミラー面に試験片を２３℃で貼り付け、２３℃、５０℃の環境下に３０分間置いてから、シリコンミラー面に対する１８０度引きはがし粘着力（単位：Ｎ/２５ｍｍ）として測定し、次の基準により温度依存性の評価を行った。（５０℃の粘着力）／（２３℃の粘着力）が、０．７以上〜１．３以下の範囲を合格（○で示す）とし、（５０℃の粘着力）／（２３℃の粘着力）が、０．７未満１．３を越えるものを不合格（×で示す）とした。
【０１０７】
（５）巻き戻し力
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１に記載されている高速巻き戻し力の測定法に準拠して測定した。ただし、試験片であるロール状に巻かれたウエハ加工用粘着テープを、３０ｍ／分の速度で巻き戻した時の抵抗力を、高速巻き戻し力（単位：Ｎ／２５ｍｍ）として測定した。
【０１０８】
（６）チップフライ
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いて、貼り付け温度２０℃、４０℃、６０℃の３条件において、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介して、シリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、０．５０ｍｍ角と１ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１０９】
貼り付け温度２０℃、４０℃、６０℃のうち、少なくとも一つ以上の貼り付け温度において、上記シリコンウエハからダイシング加工して得られる０．５０ｍｍ角或いは１．０ｍｍ角のチップを全て観察し、飛散した個数を調査して次の飛散率の基準によりチップフライを評価した。チップサイズ５ｍｍ角、１ｍｍ角共に飛散率０．３％以下である場合を合格（○で示す）とし、チップサイズ０．５ｍｍ角、１ｍｍ角のどちらか一方だけが飛散率０．３％以下である場合を準合格（△で示す）とし、チップサイズ０．５ｍｍ角、１ｍｍ角のどちらも飛散率０．３％を越える場合を不合格（×で示す）とした。
【０１１０】
（７）欠けまたは亀裂の長さと発生率
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープの粘着層をシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）のミラー面に貼付け、粘着テープを介してシリコンウエハをフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１１】
チップの切削加工面から発生しうる欠けまたは亀裂は、図９に示すように切断加工面から欠けまたは亀裂の先端までの垂直方向の距離を、欠けまたは亀裂の長さとして測定し、その内の最大値をチップに発生した欠けまたは亀裂の最大長さ（μｍ）とした。ただし、コーナー部に発生する欠けまたは亀裂については、図１０ａと図１０ｂに模式的示す様な方法で長さを測定した。
また、１０μｍを越える欠けまたは亀裂が３ｍｍ角のチップ内に一箇所でも発生した場合、欠けまたは亀裂が発生したチップとして数を計量し、６インチウエハ内のチップ総数に対するその数の割合を、欠け亀裂の発生率（％）とした。
【０１１２】
（８）切削屑汚染性
マウンター（ヒューグル エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１３】
次いで、６インチウエハからダイシング加工される全ての３ｍｍ角サイズのチップについて、光学顕微鏡（倍率１００倍）により切削屑の有無を観察し、切削屑が付着しているチップの数の、全体のチップ数に対する発生率を調査し、次の基準により切削屑汚染性を評価した。発生率が０．３％以下を合格（○で示す）とし、０．３％を越えるものを不合格（×で示す）とした。
【０１１４】
（９）拡張性
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１５】
次に、ウエハ拡張機（ヒューグル エレクトロニクス製 HS-1800）を用いて、ダイシング加工後のウエハ加工用粘着テープを６０℃に加熱し、そのウエハの貼着された粘着テープ部分を直径１８０ｍｍの円柱状の押圧具で上方にストローク２０ｍｍまで押し上げることで、粘着テープ上に貼着されたチップ間隔を拡張した。拡張性の評価は、次の３項目の基準（ａ）〜（ｃ）を全て満たす場合を合格（○で示す）として、何れか一項目でも達成できない場合を不合格（×で示す）とした。
基準（ａ）：前記押圧具の端部部分に接触した粘着テープ厚さが、非接触部の厚さに対して９０％以上であること。即ち、ネッキングしないこと。
基準（ｂ）：拡張されたチップ間隔が、２００μｍ以上であること。
基準（ｃ）：チップ間隔の縦方向と横方向の比が、０．７以上１．３以下であること。
【０１１６】
（１０）ピックアップ性
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。ただし、ＵＶ硬化タイプの粘着テープは、ダイシング加工後、ＵＶ照射装置（ディスコ製 DUV100）を用いて６０秒間光を粘着テープへ照射した（約360mJ/cm2の光量）。
【０１１７】
さらに、ピックアンドプレース装置（ヒューグル・エレクトロニクス製 DE35）を用いて、ダイシング加工後のウエハ加工用粘着テープを６０℃に加熱し、チップの間隔を拡張した後、ピン突き上げてから０．３秒後にピックアップする条件における捕獲率（％）を調査し、次に基準によりピックアップ性を評価した。チップ４９個（１トレー）のピックアップを３回実施して、全てピックアップできる場合は合格（○で示す）とし、１個でもピックアップできない場合は不合格（×で示す）とした。
【０１１８】
（実施例１）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、以下の材料を用いた。すなわち、基材層１を構成する成分として、プロピレン・エチレン・１-ブテンランダム共重合体（r-ＰＰ；エチレン成分５モル％、１-ブテン成分５モル％）８０重量部と、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ；旭化成工業（株）製タフテックTMＨ１０５２）２０重量部を用い、粘着層２を構成する成分として、プロピレン・１-ブテン・４-メチル-１-ペンテン共重合体（ＰＢ(４-ＭＰ)；プロピレン成分５０モル％、１-ブテン成分２０モル％、４-メチル-１-ペンテン成分３０モル％）１００重量部を用いた。図１２は、前記粘弾性の測定方法に従って測定した粘着層の貯蔵弾性率Ｇ'、損失弾性率Ｇ"、ｔａｎδの結果を示した。
【０１１９】
各層のＭＦＲは、異なるＭＦＲの同一樹脂を混合して調整し、粘着層：１５ｇ／１０ｍｉｎ、基材層：１5ｇ／１０ｍｉｎとした。次いで、各層の材料をフルルライト型のスクリューを備えた押し出し機により溶融した。成形条件（溶融温度）は、粘着層：２３０℃、基材層：２３０℃であり、この２層の溶融樹脂を多層ダイ内で積層させた（共押出温度：２３０℃）。押し出された粘着テープを冷却し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
【０１２０】
このようにして得られた粘着テープは、１層からなる基材層と粘着層が積層され、離型テープが粘着層側に設けられたものであり、各層の厚さは、粘着層：２０μｍ、基材層：７０μｍで、合計厚さ９０μｍであった。
【０１２１】
得られたウエハ加工用粘着テープのプローブタック力は、貼り付け温度６０℃で０．１Ｎ／５ｍｍφ、４０℃で０．０１Ｎ／５ｍｍφ、２０℃で０Ｎ／５ｍｍφであった。その結果、６０℃を最適な貼り付け温度とした。
１８０度引き剥がし粘着力の温度依存性については、試験温度２３℃で１Ｎ／２５ｍｍ、５０℃で１Ｎ／２５ｍｍとなり、（５０℃の引き剥がし粘着力）／（２３℃の引き剥がし粘着力）が、１であり温度依存性が無かった。
ロールからの巻き戻し力は、０．０５Ｎ／２５ｍｍであり、軽く扱いやすい巻物であった。以上の測定または評価した結果を表３に示す。
【０１２２】
さらに、得られたウエハ加工用粘着テープの加工性を評価するために、粘着テープを６０℃に加温してウエハに貼り付け、チップフライ、欠けまたは亀裂の最大長さと発生率、切削屑汚染性、拡張性、ピックアップ性について試験した結果を表４に示す。
チップフライについては、チップの飛散は発生せず、チップフライによる不良の発生が無いことを示した。
欠けまたは亀裂の最大長さと発生率については、ワックス固定法（欠けまたは亀裂の最大長さ５μｍ以下、発生率０）とほぼ同等レベルとなった。
切削屑汚染性については、チップに付着した切削屑が全く観察されなかった。
拡張性については、基準（ａ）が９８％、基準（ｂ）が４００μｍ、基準（ｃ）が１．１であり、全ての基準について合格し、拡張性に優れていることを示した。
ピックアップ性については、全てのチップを拾い落とすことなく剥離でき、ピックアップ性に優れていることを示した。
【０１２３】
（実施例２）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ８０重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＰＳ；（株）クラレ製セプトンTM２０６３）２０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例１と同じＰＢ(４-ＭＰ)９５重量部と、エチレンとα−オレフィンのコオリゴマー（ＬＥＯ；三井化学（株）製ルーカントTMＨＣ−２０）５重量部とを用いた。粘着層の粘弾性の測定結果を、１５℃、２５℃、３５℃の３点について表３に示す。
【０１２４】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２５】
（実施例３）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；密度０．９２ｇ／ｃｍ3）を用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ８０重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＰＳ；（株）クラレ製セプトンTM２０６３）２０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例１と同じＰＢ(４-ＭＰ)８０重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ；ＪＳＲ（株）製ＳＩＳ５２２９Ｎ）１５重量部を用いた。
【０１２６】
表１に示される条件により、表面層、中間層、共押出温度を２２０℃にした以外は実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２７】
（実施例４）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ ９０重量部と、スチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物（ＨＳＢＲ；ＪＳＲ（株）製ＤＹＮＡＲＯＮTM１３２１Ｐ）１０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)６０重量部と、ＳＩＳ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、エチレン・プロピレン共重合体（ＥＰ-Ａ；密度０．８７ｇ／ｃｍ2）２０重量部を用いた。
【０１２８】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２９】
（実施例５）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥ ９５重量部と、エチレン・メタアクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂（アイオノマー；三井・デュポンポリケミカル(株)製ハイミランTM１６５２）５重量部を用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例４と同じr-ＰＰ ８０重量部と、ＨＳＢＲ １０重量部と、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ；密度０．９６ｇ／ｃｍ3）を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)５０重量部と、ＳＩＳ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、オレフィン結晶・エチレン・ブチレン・オレフィン結晶ブロック共重合体（ＣＥＢＣ：ＪＳＲ（株）製ＤＹＮＡＲＯＮTM６２００Ｐ）３０重量部を用いた。
【０１３０】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３１】
（実施例６）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例５と同じＬＤＰＥ ８５重量部と、アイオノマー５重量部、エチレン・メタアクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ；三井・デュポンポリケミカル(株)製ニュクレルTMＮ１１０８Ｃ）１０重量部を用い、基材層１の中間層３の成分として、上記のＬＤＰＥ ６０重量部と、ＥＭＡＡ ２０重量部と、実施例４と同じＥＰ-Ａ ２０重量部とを用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)４０重量部と、ＥＰ-Ａ ３０重量部と、ＳＩＳ ２０重量部と、ＬＥＯ １０重量部を用いた。
【０１３２】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３３】
（実施例７）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例４と同じＨＳＢＲ １５重量部と、実施例１と同じｒ−ＰＰ ８５重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)５０重量部と、ＥＰ-Ａ ３０重量部と、実施例５と同じＣＥＢＣ ２０重量部を用いた。
【０１３４】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３５】
（実施例８）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じｒ−ＰＰ ９０重量部と、実施例５と同じＣＥＢＣ １０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)４０重量部と、ＥＰ-Ａ ３５重量部と、ＳＩＳ ２０重量部とＬＥＯ ５を用いた。
【０１３６】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３７】
（実施例９）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４及び第一中間層３ａの成分として、実施例６と同じＬＤＰＥ ９０重量部と、ＥＭＡＡ １０重量部を用い、基材層１の第二中間層３ｂの成分として、実施例７と同じr-ＰＰ ６０重量部と、ＨＳＢＲ ４０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)８５重量部と、ＳＩＳ １０重量部と、ＬＥＯ ５重量部を用いた。
【０１３８】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３９】
（実施例１０）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４及び第一中間層３ａの成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の第二中間層３ｂの成分として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ；密度：０．９４ｇ／ｃｍ3）６０重量部と、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ；三井・デュポンポリケミカル（株）製エバフレックスTMＰ−１４０７）４０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例５と同じＰＢ(４-ＭＰ)８０重量部と、ＣＥＢＣ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部を用いた。
【０１４０】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４１】
（比較例１）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として厚さ７０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（ＰＶＣ）を用い、アクリル酸メチル７０重量部、アクリル酸ブチル３０重量部、アクリル酸５重量部をトルエン中で共重合させて得られた数平均分子量３０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、そのアクリル系共重合体１００重量部あたり７０重量部のウレタンオリゴマーと５重量部の多官能イソシアネート化合物を加えてアクリル系粘着剤を調製し、それを前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４２】
（比較例２）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として比較例１と同じポリ塩化ビニルフィルムを用い、ポリカーボネートジオール８０重量部とアジピン酸２０重量部とジブチルチンオキサイド０．５重量部をトルエン中で共重合させて得られた数平均分子量５８万のポリエステルを含有する溶液に、そのポリエステル１００重量部あたり５重量部の多官能イソシアネート化合物を加えて調製したポリエステル系粘着剤を、前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４３】
（比較例３）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として比較例１と同じポリ塩化ビニルフィルムを用い、アクリル酸ブチル９０重量部と、アクリロニトリル５重量部と、アクリル酸５重量部をトルエン中で共重合させて得た数平均分子量５０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、そのアクリル系共重合体１００重量部あたり５０重量部の多官能アクリル系モノマーと、５重量部の多官能イソシアネート化合物と、５重量部の光重合開始剤を加えてアクリル系粘着剤を調製し、それを前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成した。次いで、それを８０Ｗ／ｃｍ2の高圧水銀灯の下で６０秒間放置して紫外線照射処理して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４４】
（比較例４）＜ＵＶ硬化型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として、厚さ８０μｍのエチレン・メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ；メチルメタクリレート成分含量１０重量％、融点１００℃）を用い、粘着層として、アクリル系共重合体（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部と分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシアネート系）１０重量部と、紫外線硬化反応開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を厚さ１０μｍとなるように塗布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４５】
（比較例５）＜ＵＶ硬化型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として、厚さ１４０μｍのエチレン・メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ；メチルメタクリレート成分含量１０重量％、融点１００℃）を用い、粘着層として、アクリル系共重合体（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部と分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマー７０重量部と、硬化剤（ジイソシアネート系）５重量部と、紫外線硬化反応開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を厚さ１０μｍとなるように塗布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４６】
【表１】
【０１４７】
【表２】
【０１４８】
【表３】
【０１４９】
【表４】
【０１５０】
【発明の効果】
本発明のウエハ加工用粘着テープは、ウエハのダイシングによる切断加工時に、ウエハの欠けや亀裂の大きさを３０μｍ以下に小さくし、その発生率も極小化させることができるので、加工時のチップ不良発生を画期的に防止することができる。また、低プローブタック力でウエハを固定保持することができるため、光や電子線硬化装置等の特別な装置を用いることなく切断加工ができる。
本発明の製造方法によれば、異なる材料で構成される各層の厚み均一性と表面性が良好で、異物の発生が無い多層構造の本発明の粘着テープを、簡単な製造工程で生産性良く製造できる。
本発明のウエハ加工用粘着テープの使用方法によれば、粘着力を低下させる特別な装置を使わずにチップを本発明の粘着テープから剥離ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハ加工用粘着テープの一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明のウエハ加工用粘着テープの別の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明のウエハ加工用粘着テープをロール状に巻き取った状態を示す側面図である。
【図８】本発明のウエハ加工用粘着テープをロール状に巻き取った状態を示す別の側面図である。
【図９】チップ上面の垂直方向から見た模式図である。
【図１０】チップのコーナー部に発生した欠け或いは亀裂についてチップ上面の垂直方向から見た模式図である。
【図１１】チップのコーナー部に発生した欠け或いは亀裂についてチップ上面の垂直方向から見た別の模式図である。
【図１２】粘着層の貯蔵弾性率Ｇ'、損失弾性率Ｇ"、ｔａｎδの測定結果を示す図である。
【図１３】粘着層の流れ方向に垂直な電子顕微鏡断面写真である。
【図１４】粘着層の流れ方向に平行な電子顕微鏡断面写真である。
【符号の説明】
１ 基材層
２ 粘着層
３ 中間層
３ａ 第一中間層
３ｂ 第二中間層
４ 表面層
５ 離型テープ
６ ロール
１０ ウエハ加工用粘着テープ
２０ チップ
２２ 欠け
２３ 亀裂
２４ 欠け或いは亀裂の長さ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法に関し、より詳細には、主に半導体製造工程において、ウエハをチップに切断加工する際ウエハを固定保持するために用いるウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン、ガリウムヒ素、ゲルマニウムケイ素などの半導体ウエハは、大きな径を有するウエハの状態で回路パターンを形成した後、ウエハの裏面を研削して、このウエハをチップに切断加工する（ダイシング）工程を経て、マウント工程に移され実装される。このダンシング工程においては、半導体ウエハを固定保持するためにウエハ加工用粘着テープが用いられている。
【０００３】
このウエハ加工用粘着テープには、感圧型の粘着テープのほか、粘着力を制御する紫外線硬化型または電子線硬化型の粘着テープが使用されているが、何れの場合にも、ウエハをチップに切断加工する際に、欠けや亀裂が発生するという問題がある。
【０００４】
この感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープでは、ウエハを加工したのちチップをウエハ加工用粘着テープから剥離した時に、粘着剤或いは基材の切削屑がチップ表面に付着することがある。その切削屑は、チップの回路部分を腐食したり、チップと樹脂モールドとの密着性を悪化させ、チップの不良原因とになり得る場合がある。
【０００５】
また、感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープは、製造時の加工安定性や長期保存安定性に劣るため、管理された製造環境や、輸送および保管環境を必要とし、使用可能期間が短いという問題がある。また、このタイプのウエハ加工用粘着テープでは、製造条件或いは保存条件等の何らかの変動要因により粘着層の劣化が進行すると、ウエハ加工用粘着テープを原因とするチップの不良品が大量に発生することがあった。
【０００６】
さらに、感圧型や紫外線または電子線硬化型の粘着剤を有するテープの製造法は、基材層用のフィルムを製造した後に表面処理を施し、溶剤に溶解した粘着層用の組成物を塗布し、溶剤を乾燥する方法が一般的である。この方法では、塗布する際に有機溶剤を使う点や、溶剤の乾燥工程等に、より多くのエネルギーを使用する点で環境に負荷が大きい上、高コストとなる。
【０００７】
一方、切断加工時の欠けや亀裂の発生を防ぐ方法として、ウエハをワックスで固定してチップに切断加工する方法が知られているが、生産性が非常に低いため、脆いウエハや高精度の加工面を要求される場合を除いて、一般に半導体製造工程で回路パターンを形成したウエハの加工には使われていない。
【０００８】
欠けや亀裂の拡大によるチップの損壊を防ぐための方法として、特開平５−３３５４１１号公報には、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、これを裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。特開２０００−６８２３７号公報には、回路パターンを形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切れ込み深さの溝を形成した後、ウエハ裏面を研削してチップに分割加工する際に用いられる表面保護シートに、４０℃における弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上である粘着層を有するものを用いることが開示されている。しかし、研削時に発生すると考えられるチップの欠けや亀裂の大きさは明示されていない。
【０００９】
特開平１０−２４２０８６号公報には、０〜１０℃の範囲における貯蔵弾性率が３×１０6〜１×１０10 dyn/cm2である粘着層を持つ保持シートが開示されている。しかし、ダイシング加工時、チップに発生した欠けまたは亀裂の大きさを７５μｍ以下で合格とする非常に緩やかな評価条件で、欠けや亀裂の抑制効果を判断しているにすぎない。
このように、ウエハ加工時に発生する欠けや亀裂の大きさを、ワックスによる固定法と同程度に極小化できるウエハ加工用粘着テープは得られていなかった。
【００１０】
特公平３−３９５２４号公報には、２５℃で測定した動的弾性率Ｅ'が３×１０7〜5×１０9dye/cm2の範囲にあり、かつ損失係数ｔａｎδが０．４以上である特定のα−オレフィン系共重合体が開示され、この共重合体を金属と積層すると制振性能を示すことが開示されていが、ウエハ加工用粘着テープとしての具体的な用途記載はない。
【００１１】
さらに、特開平７−２３３３５４号公報、特開平１０−２９８５１４号公報、特開平１１−４３６５５号公報、特開平１１−２１５１９号公報、特開平１１−１０６７１６号公報には、いずれも粘着層に特定のα−オレフィン共重合体を含む表面保護フィルムが開示されている。しかし、性能要求の厳しいウエハ加工用粘着テープに関する記載はない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウエハをチップに切断加工する際に、欠けや亀裂の大きさを極小化し、その発生も抑制できるウエハ加工用粘着テープを提供することにある。さらには、特別な装置を用いることなくウエハを加工してもチップへの汚染を少なくでき、長期保存安定性に優れ、環境への負荷が少ない材料からなるウエハ加工用粘着テープを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、安定な品質が得られ、製造工程において発生する有害物質や廃棄物、或いはエネルギー等を最小限にできる環境に優しいウエハ加工用粘着テープの製造方法を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の目的は、ウエハ加工用粘着テープの性能を最大限に発揮できる使用方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ウエハを加工する温度域において特定の弾性率を有する粘着層、或いはさらにその温度域において特定のtanδを有する粘着層を介してウエハを粘着テープに貼着し固定保持することにより、ウエハ加工する際に発生する内部応力や振動を大幅に低減できることを見出し、また、その様な特定の粘着テープを用いることにより、チップの欠けや亀裂の大きさを、従来のウエハ加工用粘着テープでは達成し得なかったレベルまで小さくできることを見出して本発明に至った。
【００１６】
即ち、本発明においては、基材層の片面に粘着層を有する粘着テープであって、該テープの粘着層に貼着されたシリコンウエハを、ダイサーによりダイシング速度７０ｍｍ／ｍｉｎでフルカットしてチップに切断加工するとき、チップの欠けまたは亀裂の最大長さが３０μｍ以下であることを特徴とするウエハ加工用粘着テープが提供される。
【００１７】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの好適な態様においては、前記チップの欠けまたは亀裂の最大長さが、好ましくは１０μｍ以下である。
【００１８】
また、本発明においては、基材層の片面に粘着層を有する粘着テープであって、該粘着層の１５〜３５℃における貯蔵弾性率Ｇ'が１〜５０ＭＰａであることを特徴とするウエハ加工用粘着テープが提供される。
【００１９】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの好適な態様においては、さらに、前記粘着層の１５〜３５℃における、損失弾性率Ｇ"の貯蔵弾性率Ｇ'に対する比であるtanδが０．０５〜１であることが好ましい。
【００２０】
本発明においては、前記した粘着層が、オレフィン系重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２１】
また、前記粘着層が、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の、１種または２種以上の混合物を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２２】
また、前記粘着層が、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマーと、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーとからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００２３】
前記熱可塑性エラストマーは、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることが好ましい。
【００２４】
また、前記α−オレフィン共重合体は、プロピレン、１−ブテン及び炭素原子数が５〜１２のα−オレフィンを共重合してなるα−オレフィン共重合体であることが好ましい。
【００２５】
前記炭素原子数５〜１２のα−オレフィンは、４−メチル−１−ペンテンであることが好ましい。
【００２６】
本発明においては、前記した基材層が、１層または複数の層からなり、オレフィン系共重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００２７】
また、前記基材層が、表面層と中間層とからなり、表面層、中間層、粘着層の順に３層積層されてなるウエハ加工用粘着テープであることが好ましい。
【００２８】
また、前記中間層が、オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００２９】
また、前記中間層が複数の層からなり、そのうちの少なくとも１層が、オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
【００３０】
前記熱可塑性エラストマーは、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることが好ましい。
【００３１】
前記表面層が、オレフィン系重合体を主成分として含有するものであることが好ましい。
【００３２】
また、本発明に係るウエハ加工用粘着テープにおいては、２０〜８０℃の温度範囲において、ＪＩＳ Ｚ０２３７（参考）に準拠して測定されるプローブタック力が、０．０１〜１Ｎ／５ｍｍφの範囲にあるものが好ましい。
【００３３】
また、本発明に係るウエハ加工用粘着テープでは、共押出成形法によって成形されてなるものが好ましい。
【００３４】
本発明によれば、１層または複数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重2.16kgによる測定値）が５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であり、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下になるようにして多層ダイを用い共押出成形法により成形することを特徴とする前記したウエハ加工用粘着テープの製造方法が提供される。
【００３５】
また、本発明によれば、前記したウエハ加工用粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着したのち、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工し、次いで該粘着テープを４０〜８０℃で拡張し、その後、室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離することを特徴とするウエハ加工用粘着テープの使用方法が提供される。
【００３６】
本発明に係るウエハ加工用粘着テープの使用方法においては、前記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシングであることが好ましい。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のウエハ加工用粘着テープ（以下「本発明の粘着テープ」という）及びその製造方法（以下「本発明の製造方法」という）並びにその使用方法（以下「本発明の使用方法」という）について、添付図面を参照して具体的に説明する。
なお、全図において同一又は相当部分については、同一の符号を付すこととする。
【００３８】
図１は、本発明の粘着テープの一実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、基材層１と、基材層１の片面に積層された粘着層２とからなる。
【００３９】
基材層１の構成成分は、特に限定されず、種々の薄層品、例えば、合成樹脂、紙、金属箔、天然樹脂などを用いることができる。中でも、本発明においては、耐水性、耐熱性、廃棄処理性等から、非ハロゲン系合成樹脂を主成分とするものが好ましく、具体例としては、オレフィン系重合体、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどが挙げられる。特に、オレフィン系重合体、ポリエステル、ポリエーテルなどの様に、例えば、使用後に焼却処理する場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない炭素、水素、酸素からなる合成樹脂、即ち、環境に対して負荷が少ない合成樹脂が好ましい。
【００４０】
基材層１としては、ウエハを固定保持する強さ、チップに切断加工後の拡張性、そのものの生産性、保存安定性等の要求に対して、多種多様な特性を持ち、他材料と複合化により機能を付与することができる点、環境に優しい点、複数の層からなる場合に相互に強固な接着を形成し易い点から、その構成成分としては、とりわけ、オレフィン系重合体を主成分とするものが好ましい。
【００４１】
オレフィン系重合体としては、具体的には、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、また、エチレンと炭素数３〜１２のα−オレフィン、スチレン、酢酸ビニル、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、アイオノマー等の各種ビニル化合物との共重合体等エチレン系重合体が挙げられ、さらに、プロピレン単独の重合体、ブロック型のプロピレン・エチレン共重合体、ランダム型のプロピレン・エチレン共重合体、ブロック型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、ランダム型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、超高分子量ポリプロピレン等プロピレン系重合体が挙げられ、さらにまた、ポリブテン、ポリメチルペンテン、超高分子量ポリブテン、超高分子量ポリメチルペンテン等炭素数４以上のα−オレフィン重合体を挙げることができる。
本発明において主成分とは、それ以外の含まれている構成成分に比べて、相対的に最も大きな割合で含まれる構成成分を言う。
【００４２】
基材層が２層以上の複数層から構成される場合には、各層にウエハ加工用粘着テープとして要求される各種の特性を分担して受け持たせるように構成することができる。例えば、中間層には加工時の伸び特性や、引き裂き耐性を付与し、また、耐候安定剤を添加して耐候性を付与し、最外層には表面疵の耐性や、巻き上げた保護フィルムが簡単に巻戻せるように粘着層との剥離性を付与した態様が挙げられる。また、隣合う層は、その構成成分が、溶融共押出しによって強固に接着できるものであれば、いずれのものからなる層であってもよい。好ましい態様としては、その粘着層と反対側の最外層（表面層）の主成分を、エチレン系共重合体とする態様である。
【００４３】
図２は、本発明の粘着テープの、別の実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、中間層３と表面層４からなる基材層１と、中間層３の片面に積層された粘着層２とからなる。
【００４４】
中間層の構成成分としては、オレフィン系重合体を主成分とするものが好ましい。また、中間層の構成成分としては、前記のオレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが好ましい。このようにすることにより、ウエハを弛みなく固定保持できる強度が高められるとともに、ウエハ加工時、中間層の一部にまで切削され形成される溝が拡大せず、加工後にテープを拡張した際に溝が裂けず、テープの弛みもない（いわゆるネッキングが生じない）。また、チップ間隔（溝間隔）がチップの縦横方向ともに均一に十分拡張されるという特長がある。
【００４５】
オレフィン系重合体としては、前記のものと同様なものが挙げられる。
また、熱可塑性エラストマーとしては、例えばポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが挙げられる。このうちポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーは、例えば、使用後に焼却処理する場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない炭素、水素、酸素からなる熱可塑性エラストマーである点、即ち環境に対する負荷が少ない熱可塑性エラストマーである点で好ましい。
【００４６】
なかでも、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であると、前記オレフィン系重合体からなる連続相に分散した相を形成し易いため望ましい。
【００４７】
ポリスチレン系エラストマーとしては、硬質部（結晶部）となるポリスチレンブロックと、軟質部となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）などを例示することができる。これらは、１種単独でも２種以上を組み合わせても用いられる。
【００４８】
前記ポリオレフィン系エラストマーとして、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリマーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン（結晶性）・エチレン・ブチレン・オレフィン（結晶性）ブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリオレフィン（非晶性）・ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。
【００４９】
前記ポリエステル系エラストマーとして具体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例示することができる。
【００５０】
図３は、本発明の粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の粘着テープ１０は、第一中間層３ａ、第二中間層３ｂ、表面層４の順に積層された基材層１と、第一中間層３ａの片面に積層された粘着層２とからなる。
基材層１が、３層の場合には、第一中間層３ａと第二中間層３ｂのどちらかの層或いは２層が、連続相を形成するオレフィン系重合体と、分散相を形成する熱可塑性エラストマーであることが望ましい態様である。この場合、第二中間層３ｂが、連続相を形成するオレフィン系重合体と、分散相を形成する熱可塑性エラストマーであることがより望ましい態様である。なお、中間層３ａの厚さは、例えば１０〜２００μｍ程度であり、好ましくは３０〜１５０μｍである。また、中間層３ｂの厚さは、例えば１〜１００μｍ程度であり、好ましくは５〜５０μｍである。
【００５１】
基材層のうち、粘着層に接する側の中間層（図３では第一中間層３ａ）は、前記のα−オレフィンを含む重合体の１種単独または２種以上の混合物を主成分として含有していてもよい。また、この粘着層に接する側の中間層は、α−オレフィンを含む重合体以外に、ブリードアウトして粘着層への影響を与えるものでなければ、炭化水素以外の酸素原子含有基などの官能基を分子内に有する樹脂を副成分として含んでいてもよい。
前記粘着層に接する中間層における前記α−オレフィンを含む重合体の含有量は、通常、５０〜１００重量％程度であり、好ましくは７０〜１００重量％程度である。
【００５２】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４の主成分は、オレフィン系重合体であることが好ましい。なかでも、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体が好適である。この場合、基材層１の最外層となる表面層４における前記エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の含有量は、通常、５０〜１００重量％程度であり、好ましくは７０〜１００重量％程度であり、主成分以外の成分としては、α−オレフィン(共)重合体などが挙げられる。
【００５３】
また、表面層の主成分としては、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体とともに、ポリエチレン、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂とを含む混合物を主成分とするもの、または、前記α−オレフィンを含む重合体に加えて、ポリビニルアルコールまたはエチレン・ビニルアルコール共重合体と長鎖アルキルイソシアナートとの反応物（剥離剤）等の少量を含有するものが好ましく、巻き戻し力が５Ｎ／２５ｍｍ以下である粘着テープを得ることができる。
【００５４】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４が、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体とともに、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂を含む層である場合、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂の含有割合は、１〜５０重量％、中でも特に３〜４０重量％が好ましい。
【００５５】
また本発明の粘着テープにおいて、基材層１の最外層である表面層４が、α−オレフィンを含む重合体を主成分とする場合、これらの他に、少量のポリビニルアルコールまたはエチレン・ビニルアルコール共重合体と長鎖アルキルイソシアナートとの反応物等の剥離剤を配合することが望ましいが、その剥離剤の含有割合は、基材層１の当該層の通常０．５〜２０重量％、中でも特に、１〜１０重量％が好適である。
【００５６】
基材層１は、この種のウエハ加工用粘着テープの基材層に一般に用いられる各種添加剤を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等をウエハ加工やチップに影響を与えない程度に含有していてもよい。
【００５７】
本発明の粘着テープにおいて、基材層１の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍ程度であり、より好ましく疵防止性、貼付け作業性および価格の点で、３０〜１５０μｍ程度が好ましい。また、基材層が中間層と表面層からなる場合、中間層の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍ程度、より好ましくは３０〜１５０μｍ程度であり、表面層は、好ましくは１〜１００μｍ程度、より好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００５８】
本発明の粘着テープは、基材層と、該基材層の片面に積層された粘着層とを有する２層以上の多層構造の積層フィルムであって、被着体であるシリコンウエハが粘着層を介してウエハ加工用粘着テープに貼着された後、該ウエハをダイサーによりダイシング速度７０ｍｍ／ｍｉｎでフルカットして矩形のチップに切断加工するとき、該チップの加工面から発生しうる欠けまたは亀裂の最大長さが３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下である。このレベルであれば、ウエハ加工時の欠けや亀裂を原因とするチップ不良が無くなり、ワックス固定法に近い品質を達成することができる。
【００５９】
なお、本発明において、チップの欠けまたは亀裂の最大長さ測定方法は、シリコンウエハをウエハ加工用粘着テープによりフレームに貼り付けて固定し、ダイサーによりダイヤモンド切削刃により特定の加工速度で、一回でフルカットして矩形のチップに切断加工するとき、チップ加工面から発生しうる欠けまたは亀裂の距離を測定する方法による。測定方法の例を次に示す。
【００６０】
図９は、チップ２０の直線加工面に発生した欠け２２或いは亀裂２３について、チップ上面の垂直方向から見た模式図である。欠け２２は、チップから剥がれ落ちた部分を斜線で示し、亀裂２３は、チップに発生した割れであり太い実線で示す。
【００６１】
図１０と図１１は、チップ２０のコーナー加工面に発生した欠け２２或いは亀裂２３について、チップ上面の垂直方向から見た模式図である。コーナー部分の加工では、縦と横の切断加工方向が交差するため、欠け或いは亀裂が最大になる傾向が強い。図１０は、コーナー部の欠け２２が長辺形状を示す一例であり、縦或いは横の加工面からの距離の長い方を、その欠けの最大長さ２４とする。図１１は、コーナー部分の亀裂２３についての一例であり、縦或いは横の加工面からの距離の長い方を、その欠けの最大長さ２４とする。
【００６２】
本発明の粘着層２は、ウエハ加工する環境である１５〜３５℃の範囲において、貯蔵弾性率Ｇ'が１ＭＰａ以上、好ましくは１〜２００ＭＰａとなるものである。さらには、損失弾性率Ｇ"の貯蔵弾性率Ｇ'に対する比であるｔａｎδが０．０５以上の範囲にあることが望ましい。これにより、切断する回転刃によってウエハに発生する内部応力の共振現象による増幅を抑えて、チップの欠けまたは亀裂の発生率を極小化させるとともに、その大きさを最小限度にとどめることができる。
【００６３】
本発明の粘着テープの粘着層２は、前記基材層１の片面に積層され、その主成分としてオレフィン系重合体を含有するものが好ましい。さらには、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の１種または２種以上の混合物を主成分とするものが好ましい。特に、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマー、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものが好ましい。
【００６４】
α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることは、図１３及び図１４の粘着層の断面写真により明らかである。図１３は粘着層の流れ方向に垂直な断面写真であり、図１４は粘着層の流れ方向に平行な断面写真である。このようにすることにより、粘着層のガラス転移温度が低下するので、貼付け温度を低くしても、本発明の粘着テープとウエハとを互いに隙間なく密着させることができ、プローブタック力で示される初期粘着強度を適正な範囲に調整することができる。すなわち、低温粘着特性を改善できる。加えて、α−オレフィン共重合体が連続層を形成しているので、貯蔵弾性率Ｇ'とtanδの高い粘着層が得られる。
【００６５】
炭素原子数２〜１２のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が挙げられる。これらのα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種の単量体からなる共重合体を、粘着層２の主成分とする場合、粘着層２中に占めるこのα−オレフィン共重合体の総含有割合は、通常、３０重量％以上、なかでも特に５０重量％以上とすることが好ましい。
【００６６】
これらのα−オレフィン共重合体の中でも、プロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなる共重合体を含有する粘着層が好ましい。特に、プロピレン１０〜８５モル％、１−ブテン３〜６０モル％および炭素原子数５〜１２のα−オレフィン１０〜８５モル％の構造単位組成を有する共重合体を含有する粘着層は、常温付近での粘着特性に優れる点で好ましく、さらに、プロピレン１５〜７０モル％、１−ブテン５〜５０モル％およびα−オレフィン１５〜７０モル％の構造単位組成の割合で含む共重合体を含有する粘着層が好ましい。炭素原子数５〜１２のα−オレフィンとしては、４−メチル−１−ペンテンが好ましい。
【００６７】
また、このプロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなる共重合体を粘着層に含有する場合、粘着層中に占めるこの共重合体の含有割合は、通常、２０重量％以上、好ましくは３０重量％以上である。
【００６８】
前記の熱可塑性エラストマーの具体例としては、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが挙げられる。
この熱可塑性エラストマーの好ましい構造としては、構造要素であるブロック共重合体が、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂで表されるものである。ここで、Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す。
【００６９】
ポリスチレン系エラストマーとしては、硬質部（結晶部）となるポリスチレンブロックと、軟質部となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）などを例示することができる。これらは、１種単独でも２種以上を組み合わせても用いられる。
【００７０】
例えばスチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン系重合体ブロックを平均分子量に換算して１２０００〜１０００００程度、イソプレン重合体ブロックを平均分子量に換算して１００００〜３０００００程度含むものである。このＳＩＳにおけるスチレン重合体ブロック／イソプレン重合体ブロックの含有割合は、通常、重量比で５〜５０／５０〜９５であり、好ましくは１０〜３０／７０〜９０である。
【００７１】
スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体を水素添加してなるものである。
このＳＩＳの具体例としては、ＪＳＲ株式会社から商品名：ＪＳＲ ＳＩＳとして、またはシェル化学社から商品名：クレイトンＤとして市販されているものなどが挙げられる。また、ＳＥＰＳの具体例としては、株式会社クラレから商品名：セプトンとして市販されているものなどが挙げられる。
【００７２】
前記ポリオレフィン系エラストマーとして、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリマーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン（結晶性）・エチレン・ブチレン・オレフィン（結晶性）ブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリオレフィン（非晶性）・ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。具体例としては、ＳＲ株式会社から商品名：ＤＹＮＡＲＯＮとして市販されているものが挙げられる。
【００７３】
前記ポリエステル系エラストマーとして具体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例示することができる。
【００７４】
本発明の粘着テープの、粘着層の成分として、前記熱可塑性エラストマーを用いる場合、粘着層に占める熱可塑性エラストマーの含有割合は、通常、０〜６０重量％で、好ましくは、５〜５０重量％である。
【００７５】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層２のプローブタック力で示される粘着性能を向上させるため、前記炭素原子数２〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、他のα−オレフィン共重合体を含有させた粘着層とすることができる。このとき、前記のプロピレン、１−ブテンおよび炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分からなる共重合体と、他のα−オレフィン共重合体の粘着層中に占める合計の含有量は、５０重量％以上であることが好ましい。
【００７６】
前記他のα−オレフィン共重合体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテンおよび１−ヘキセンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンからなる共重合体が好ましい。このα−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・１−ヘキセン共重合体、プロピレン・１−ブテン共重合体、プロピレン・１−ヘキセン共重合体、１−ブテン・１−ヘキセン共重合体等を例示できる。この共重合体の具体例としては、三井化学株式会社から商品名：タフマーＡ、タフマーＰ等で市販されているものなどを挙げることができる。
【００７７】
また、前記のエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーは、エチレンと他のα−オレフィンとの低分子量共重合体であって、常温で液体状のものである。α−オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、４−メチル−１−ペンテン等の炭素数３〜２０のα−オレフィンが挙げられる。これらの中でも、炭素数３〜１４のα−オレフィンが好ましい。
【００７８】
このコオリゴマーは、下記式
【化１】
【００７９】
このコオリゴマーは、通常、数平均分子量が１００〜１００００の範囲のものであり、好ましくは数平均分子量が２００〜５０００の範囲のものである。また、このコオリゴマー中のエチレン単位含有量は、通常、３０〜７０モル％、好ましくは４０〜６０モル％である。
【００８０】
本発明の粘着テープの、粘着層の構成成分中に、前記コオリゴマーを用いる場合、このコオリゴマーの粘着層に占める含有割合は、通常０〜２０重量％、好ましくは０〜１０重量％である。
【００８１】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層の構成成分として、前記炭素原子数２〜１２のα−オレフィンの３成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、前記の他のα−オレフィン共重合体を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整できるとともに、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
【００８２】
また、粘着層の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体とエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーの組み合わせからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整することができるとともに、粘度を適正な範囲に調整できる点で有利である。
【００８３】
また、粘着層の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体と熱可塑性エラストマーとからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範囲に調整することができるとともに、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
【００８４】
本発明の粘着テープの粘着層には、前記α−オレフィン系共重合体、熱可塑性エラストマー、およびエチレンと他のα-オレフィンとのコオリゴマー以外に、さらに各種の副成分を、本発明の目的を損ねない範囲で含んでいてもよい。例えば、液状ブチルゴム等の可塑剤、ポリテルペン等のタッキファイヤーなどを含んでいてもよい。本発明において、これらの副成分のうち接着性の官能基、不飽和結合を有するものは、貼り付けた後での粘着強度の経時変化（加温、加圧、湿度、紫外線等による）を起こさせないように、その種類、配合量等を調整することが好ましい。
【００８５】
また、本発明の粘着テープの粘着層には、この種の粘着層の素材に一般的に配合される各種添加剤を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等を含有していてもよい。
【００８６】
本発明の粘着テープにおいて、粘着層の厚さは、通常、１〜５０μｍ程度であり、好ましくは、５〜３０μｍ程度である。
また、粘着テープの全体の厚さは、通常、３０〜２００μｍ程度であり、疵防止性、貼り付け作業性および価格の点で、好ましくは６０〜１８０μｍ程度である。
【００８７】
本発明の粘着テープは、引張弾性率が１００〜５００ＭＰａの範囲にある。
さらにまた、本発明の粘着テープの粘着力については、粘着テープを２０〜６０℃の範囲に調整した後、ＪＩＳ Ｚ０２３７（参考）に準拠して測定されるプローブタック力が、０．０１〜１Ｎ／５ｍｍφの範囲に入ることが好ましい。通常粘着テープの粘着力は、２３℃で貼着して測定されるが、本発明の粘着テープの場合、被着体との密着性を高めるために２０〜６０℃の範囲に加熱調整されることが好ましい。
【００８８】
また、プローブタック力が０．０１Ｎ／５ｍｍφを越えて小さくなり過ぎると、チップフライの発生を防止することが困難になることがあり好ましくない。また、プローブタック力が１Ｎ／５ｍｍφを越えて大きくなり過ぎると、ピックアップ性が悪化することがあり好ましくない。プローブタック力が０．０１Ｎ／５ｍｍφ以上の場合、本発明の粘着テープとウエハとが確実に密着できるため、ウエハ加工時のチップフライが無くなる点、欠けまたは亀裂の長さと発生率を極小化できる点、切削屑の付着が無くなる点等に良好な効果を与えると考えられる。プローブタック力が１Ｎ／５ｍｍφ以下の場合、本発明の粘着テープとチップとが容易に剥離できるため、ピックアップ性に良好な効果を与える。
【００８９】
本発明の粘着テープは、粘着後、ピール剥離する場合に、光や電子線を用いて粘着層を硬化させて粘着力を低下させる方法におけるような特別な装置を使うことが無く、テープからの剥離が容易である。
また、剥離した後、チップへの糊残りが無く、その後工程のボンディング工程とモールディング工程を阻害する成分等の付着の無いものである。
【００９０】
図４は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、基材層１と、基材層１の表面に積層された粘着層２と、粘着層２側に離型テープ５が設けられる。
【００９１】
図５は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、中間層３と表面層４からなる基材層１と、中間層３の表面に積層された粘着層２とからなり、その粘着層２側に、離型テープ５が設けられる。
【００９２】
図６は、本発明のウエハ加工用粘着テープの、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すように、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、第一中間層３a、第二中間層３ｂ、表面層４の順に積層された基材層１と、中間層３ａの表面に積層された粘着層２とからなり、その粘着層２側に、離型テープ５が設けられる。
【００９３】
図７は、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０をそのままロール６に巻いて保管される状態を示す図であり、図８は、本発明のウエハ加工用粘着テープ１０の粘着層側に離型テープ５を貼り付けて、ロール６に巻いて保管される状態を示す図である。
【００９４】
離型テープとしては、例えば熱可塑性フィルムにＵＶ硬化型のシロキサン系架橋化合物からなる離型層を有するものが用いられる。離型テープの凹凸が粘着層の表面に転写されるため、表面粗さが１μｍ以下の平滑性を有するものが好ましい。また。離型テープの厚さは、ロール巻きに支障のない厚さで、廃棄処理量を減らす観点から出来るだけ薄いものが良く、例えば５〜２００μｍであり、好ましくは１０〜１００μｍである。
【００９５】
本発明の粘着テープの製造方法としては、基材層（表面層及び中間層）および粘着層を構成する素材を、それぞれ溶融加熱して共押出し成形し、所定の厚さを有する多層構造の積層フィルムを製造する方法が、高効率でしかも省エネルギーため安価に本発明の粘着テープを製造できる点で、好ましい。また、基材層に粘着層を溶融押出ラミネートする等の方法にしたがって行うこともできる。
【００９６】
また、本発明の製造方法は、１層または複数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重21.18Nによる測定値）が５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であり、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下になるようにして多層ダイを用いた共押出成形法により成形すると、好ましい。
【００９７】
多層ダイを用いた共押出成形法として、例えば、各層の溶融物をあらかじめ層状に組み合わせて一体としたものをフラットダイに送り込みダイ内で接着させる方法（フィードブロック法）、各層の溶融物をフラットダイ内の別のマニホールドに送り込み、ダイ内の共通の場所（一般にはダイリップ入り口前）にて、各層を層状に接合して一体としたものをフラットダイに送り込みダイ内で接着させる方法（多数マニホールド法）、さらにフィードブロック法と多数マニホールド法の組み合わせた方法等が挙げられる。
【００９８】
前記ＭＦＲが５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であると、異なる材料で構成される各層の厚みが均一になる点、表面性が良好で多層構造を形成できので、好ましい。また、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下であると、異なる材料で構成される各層の厚み均一になる点、表面性が良好で異物の発生も無く多層構造を形成できる点等で、好ましい。
【００９９】
また、本発明の使用方法は、前記したウエハ加工用粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着したのち、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工し、次いで該粘着テープを４０〜８０℃で拡張し、その後、室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離することからなる。
【０１００】
ウエハとしては、一般的な固体のものであればいずれのものでもよく、例えば絶縁体としては、ガラス、セラミック、硬質プラスチックなど、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、セレン、テルル等の元素半導体；ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ等の２元系化合物半導体；ＡｌＧａＡｓ等の３元系化合物半導体；ＡｌＧａＩｎＡｓ等の４元系化合物半導体；ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ5等の金属酸化物半導体など、その他の金属酸化物からなるものなどが挙げられる。ウエハの厚さは数１０μｍ〜数ｍｍ、ウエハの面積は、数１０ｍｍ2〜数１００００ｍｍ2であるものが使用でき、形状は円形、正方形、長方形などのいずれでもよい。
【０１０１】
本発明の粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着することにより、テープとウエハを互いに隙間なく密着することができ、テープ及びウエハの加熱による変質を防げる。また、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工すれば、特別な冷却装置や加熱装置が不要であり、粘着テープを４０〜８０℃で拡張することにより、テープの切削溝から裂けが発生することなく、チップ間隔を均一に拡大することができる。
【０１０２】
本発明の使用方法の好ましい態様では、前記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシングである場合である。
また、本発明の粘着テープは、回路パターンが形成された半導体ウエハの表面からウエハ厚みよりも浅い切り込み深さの溝を形成し、その後半導体ウエハの裏面研削をすることで、ウエハの厚みを薄くするとともに最終的に個々のチップへ分割するウエハ裏面研削において用いられる表面保護シートにも応用可能である。
【０１０３】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでない。
なお、以下の実施例および比較例において、粘弾性、ＭＦＲ、プローブタック力、粘着力の温度依存性、巻き戻し力、チップフライ、欠け及び亀裂の長さと発生率、切削屑汚染性、拡張性、ピックアップ性を下記に示す測定方法により試験し、評価した。
【０１０４】
（１）粘弾性
レオメトリック・サイエンティフィック社製メカニカルスペクトロメーターＲＭＳ−８００を用いて、直径８ｍｍのパラレルプレートを使用し、プレート間のギャップを１．５ｍｍとし、試験片には８ｍｍφ×１．５ｍｍ(厚さ)の円板を用い、周波数ω=１００rad/secで、−５０℃〜３５０℃の範囲を３℃／minの昇温速度で、貯蔵弾性率Ｇ'（Ｐａ）と損失弾性率Ｇ"（Ｐａ）の測定を行った値を使用した。ｔａｎδは、測定された貯蔵弾性率Ｇ'と損失弾性率Ｇ"を関係式ｔａｎδ＝Ｇ"／Ｇ'に代入して算出した。
【０１０５】
（２）メルトフローレート（ＭＦＲ）
ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に記載のＭＦＲ試験に準拠して、温度２３０℃、荷重２１．１８Ｎ（２．１６ｋｇｆ）の試験条件により測定した値を用いた。
（３）プローブタック力
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１（参考）に記載のプローブタック試験に準拠して、（株）東洋精機製作所製のプローブタックテスターＭＯＤＥＬ ＴＭ１を用いて測定した。測定温度２３℃、湿度５０％(ＲＨ)下、直径５ｍｍのプローブを、試験片の粘着面に１０ｇｆの荷重を１０秒間接触させた後、プローブを垂直方向に速度１０ｍｍ／秒で引きはがし、そのときの要する力（単位：Ｎ／５ｍｍφ）を測定した。試験は、５枚の試験片について繰り返し行い、その平均値をプローブタック力とした。
【０１０６】
（４）粘着力の温度依存性
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１に記載されている粘着力測定法に準拠して測定した。ただし、シリコンミラー面に試験片を２３℃で貼り付け、２３℃、５０℃の環境下に３０分間置いてから、シリコンミラー面に対する１８０度引きはがし粘着力（単位：Ｎ/２５ｍｍ）として測定し、次の基準により温度依存性の評価を行った。（５０℃の粘着力）／（２３℃の粘着力）が、０．７以上〜１．３以下の範囲を合格（○で示す）とし、（５０℃の粘着力）／（２３℃の粘着力）が、０．７未満１．３を越えるものを不合格（×で示す）とした。
【０１０７】
（５）巻き戻し力
ＪＩＳ Ｚ０２３７-１９９１に記載されている高速巻き戻し力の測定法に準拠して測定した。ただし、試験片であるロール状に巻かれたウエハ加工用粘着テープを、３０ｍ／分の速度で巻き戻した時の抵抗力を、高速巻き戻し力（単位：Ｎ／２５ｍｍ）として測定した。
【０１０８】
（６）チップフライ
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いて、貼り付け温度２０℃、４０℃、６０℃の３条件において、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介して、シリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、０．５０ｍｍ角と１ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１０９】
貼り付け温度２０℃、４０℃、６０℃のうち、少なくとも一つ以上の貼り付け温度において、上記シリコンウエハからダイシング加工して得られる０．５０ｍｍ角或いは１．０ｍｍ角のチップを全て観察し、飛散した個数を調査して次の飛散率の基準によりチップフライを評価した。チップサイズ５ｍｍ角、１ｍｍ角共に飛散率０．３％以下である場合を合格（○で示す）とし、チップサイズ０．５ｍｍ角、１ｍｍ角のどちらか一方だけが飛散率０．３％以下である場合を準合格（△で示す）とし、チップサイズ０．５ｍｍ角、１ｍｍ角のどちらも飛散率０．３％を越える場合を不合格（×で示す）とした。
【０１１０】
（７）欠けまたは亀裂の長さと発生率
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープの粘着層をシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）のミラー面に貼付け、粘着テープを介してシリコンウエハをフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１１】
チップの切削加工面から発生しうる欠けまたは亀裂は、図９に示すように切断加工面から欠けまたは亀裂の先端までの垂直方向の距離を、欠けまたは亀裂の長さとして測定し、その内の最大値をチップに発生した欠けまたは亀裂の最大長さ（μｍ）とした。ただし、コーナー部に発生する欠けまたは亀裂については、図１０ａと図１０ｂに模式的示す様な方法で長さを測定した。
また、１０μｍを越える欠けまたは亀裂が３ｍｍ角のチップ内に一箇所でも発生した場合、欠けまたは亀裂が発生したチップとして数を計量し、６インチウエハ内のチップ総数に対するその数の割合を、欠け亀裂の発生率（％）とした。
【０１１２】
（８）切削屑汚染性
マウンター（ヒューグル エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１３】
次いで、６インチウエハからダイシング加工される全ての３ｍｍ角サイズのチップについて、光学顕微鏡（倍率１００倍）により切削屑の有無を観察し、切削屑が付着しているチップの数の、全体のチップ数に対する発生率を調査し、次の基準により切削屑汚染性を評価した。発生率が０．３％以下を合格（○で示す）とし、０．３％を越えるものを不合格（×で示す）とした。
【０１１４】
（９）拡張性
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。
【０１１５】
次に、ウエハ拡張機（ヒューグル エレクトロニクス製 HS-1800）を用いて、ダイシング加工後のウエハ加工用粘着テープを６０℃に加熱し、そのウエハの貼着された粘着テープ部分を直径１８０ｍｍの円柱状の押圧具で上方にストローク２０ｍｍまで押し上げることで、粘着テープ上に貼着されたチップ間隔を拡張した。拡張性の評価は、次の３項目の基準（ａ）〜（ｃ）を全て満たす場合を合格（○で示す）として、何れか一項目でも達成できない場合を不合格（×で示す）とした。
基準（ａ）：前記押圧具の端部部分に接触した粘着テープ厚さが、非接触部の厚さに対して９０％以上であること。即ち、ネッキングしないこと。
基準（ｂ）：拡張されたチップ間隔が、２００μｍ以上であること。
基準（ｃ）：チップ間隔の縦方向と横方向の比が、０．７以上１．３以下であること。
【０１１６】
（１０）ピックアップ性
マウンター（ヒューグル・エレクトロニクス製 HS-7800）を用いチップフライが発生しない貼り付け温度にて、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリコンウエハ（Ｐ型、厚さ４００μｍ、直径６インチ）をフレーム（ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H）に張りつけ固定した後、ダイサー（ディスコ製 DAD320）にセットし、ブレード（NBC-ZH-２５００、サイズ：27HEDD）の回転速度３００００回転／min、切断速度７０ｍｍ／min、切り込み量はフルカットでフィルムを３０μｍ深さまで切り込む様にし、切削水量（２０℃の恒温水使用）はウエハ面へのノズルから１．５Ｌ／min、回転ブレード落射ノズルから１．０Ｌ／minとし、３ｍｍ角サイズのチップにダイシング加工した。ただし、ＵＶ硬化タイプの粘着テープは、ダイシング加工後、ＵＶ照射装置（ディスコ製 DUV100）を用いて６０秒間光を粘着テープへ照射した（約360mJ/cm2の光量）。
【０１１７】
さらに、ピックアンドプレース装置（ヒューグル・エレクトロニクス製 DE35）を用いて、ダイシング加工後のウエハ加工用粘着テープを６０℃に加熱し、チップの間隔を拡張した後、ピン突き上げてから０．３秒後にピックアップする条件における捕獲率（％）を調査し、次に基準によりピックアップ性を評価した。チップ４９個（１トレー）のピックアップを３回実施して、全てピックアップできる場合は合格（○で示す）とし、１個でもピックアップできない場合は不合格（×で示す）とした。
【０１１８】
（実施例１）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、以下の材料を用いた。すなわち、基材層１を構成する成分として、プロピレン・エチレン・１-ブテンランダム共重合体（r-ＰＰ；エチレン成分５モル％、１-ブテン成分５モル％）８０重量部と、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ；旭化成工業（株）製タフテックTMＨ１０５２）２０重量部を用い、粘着層２を構成する成分として、プロピレン・１-ブテン・４-メチル-１-ペンテン共重合体（ＰＢ(４-ＭＰ)；プロピレン成分５０モル％、１-ブテン成分２０モル％、４-メチル-１-ペンテン成分３０モル％）１００重量部を用いた。図１２は、前記粘弾性の測定方法に従って測定した粘着層の貯蔵弾性率Ｇ'、損失弾性率Ｇ"、ｔａｎδの結果を示した。
【０１１９】
各層のＭＦＲは、異なるＭＦＲの同一樹脂を混合して調整し、粘着層：１５ｇ／１０ｍｉｎ、基材層：１5ｇ／１０ｍｉｎとした。次いで、各層の材料をフルルライト型のスクリューを備えた押し出し機により溶融した。成形条件（溶融温度）は、粘着層：２３０℃、基材層：２３０℃であり、この２層の溶融樹脂を多層ダイ内で積層させた（共押出温度：２３０℃）。押し出された粘着テープを冷却し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
【０１２０】
このようにして得られた粘着テープは、１層からなる基材層と粘着層が積層され、離型テープが粘着層側に設けられたものであり、各層の厚さは、粘着層：２０μｍ、基材層：７０μｍで、合計厚さ９０μｍであった。
【０１２１】
得られたウエハ加工用粘着テープのプローブタック力は、貼り付け温度６０℃で０．１Ｎ／５ｍｍφ、４０℃で０．０１Ｎ／５ｍｍφ、２０℃で０Ｎ／５ｍｍφであった。その結果、６０℃を最適な貼り付け温度とした。
１８０度引き剥がし粘着力の温度依存性については、試験温度２３℃で１Ｎ／２５ｍｍ、５０℃で１Ｎ／２５ｍｍとなり、（５０℃の引き剥がし粘着力）／（２３℃の引き剥がし粘着力）が、１であり温度依存性が無かった。
ロールからの巻き戻し力は、０．０５Ｎ／２５ｍｍであり、軽く扱いやすい巻物であった。以上の測定または評価した結果を表３に示す。
【０１２２】
さらに、得られたウエハ加工用粘着テープの加工性を評価するために、粘着テープを６０℃に加温してウエハに貼り付け、チップフライ、欠けまたは亀裂の最大長さと発生率、切削屑汚染性、拡張性、ピックアップ性について試験した結果を表４に示す。
チップフライについては、チップの飛散は発生せず、チップフライによる不良の発生が無いことを示した。
欠けまたは亀裂の最大長さと発生率については、ワックス固定法（欠けまたは亀裂の最大長さ５μｍ以下、発生率０）とほぼ同等レベルとなった。
切削屑汚染性については、チップに付着した切削屑が全く観察されなかった。
拡張性については、基準（ａ）が９８％、基準（ｂ）が４００μｍ、基準（ｃ）が１．１であり、全ての基準について合格し、拡張性に優れていることを示した。
ピックアップ性については、全てのチップを拾い落とすことなく剥離でき、ピックアップ性に優れていることを示した。
【０１２３】
（実施例２）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ８０重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＰＳ；（株）クラレ製セプトンTM２０６３）２０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例１と同じＰＢ(４-ＭＰ)９５重量部と、エチレンとα−オレフィンのコオリゴマー（ＬＥＯ；三井化学（株）製ルーカントTMＨＣ−２０）５重量部とを用いた。粘着層の粘弾性の測定結果を、１５℃、２５℃、３５℃の３点について表３に示す。
【０１２４】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２５】
（実施例３）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；密度０．９２ｇ／ｃｍ3）を用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ８０重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＰＳ；（株）クラレ製セプトンTM２０６３）２０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例１と同じＰＢ(４-ＭＰ)８０重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ；ＪＳＲ（株）製ＳＩＳ５２２９Ｎ）１５重量部を用いた。
【０１２６】
表１に示される条件により、表面層、中間層、共押出温度を２２０℃にした以外は実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２７】
（実施例４）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じr-ＰＰ ９０重量部と、スチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物（ＨＳＢＲ；ＪＳＲ（株）製ＤＹＮＡＲＯＮTM１３２１Ｐ）１０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)６０重量部と、ＳＩＳ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、エチレン・プロピレン共重合体（ＥＰ-Ａ；密度０．８７ｇ／ｃｍ2）２０重量部を用いた。
【０１２８】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１２９】
（実施例５）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥ ９５重量部と、エチレン・メタアクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂（アイオノマー；三井・デュポンポリケミカル(株)製ハイミランTM１６５２）５重量部を用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例４と同じr-ＰＰ ８０重量部と、ＨＳＢＲ １０重量部と、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ；密度０．９６ｇ／ｃｍ3）を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)５０重量部と、ＳＩＳ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部と、オレフィン結晶・エチレン・ブチレン・オレフィン結晶ブロック共重合体（ＣＥＢＣ：ＪＳＲ（株）製ＤＹＮＡＲＯＮTM６２００Ｐ）３０重量部を用いた。
【０１３０】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３１】
（実施例６）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例５と同じＬＤＰＥ ８５重量部と、アイオノマー５重量部、エチレン・メタアクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ；三井・デュポンポリケミカル(株)製ニュクレルTMＮ１１０８Ｃ）１０重量部を用い、基材層１の中間層３の成分として、上記のＬＤＰＥ ６０重量部と、ＥＭＡＡ ２０重量部と、実施例４と同じＥＰ-Ａ ２０重量部とを用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)４０重量部と、ＥＰ-Ａ ３０重量部と、ＳＩＳ ２０重量部と、ＬＥＯ １０重量部を用いた。
【０１３２】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３３】
（実施例７）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例４と同じＨＳＢＲ １５重量部と、実施例１と同じｒ−ＰＰ ８５重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)５０重量部と、ＥＰ-Ａ ３０重量部と、実施例５と同じＣＥＢＣ ２０重量部を用いた。
【０１３４】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３５】
（実施例８）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４の成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の中間層３の成分として、実施例１と同じｒ−ＰＰ ９０重量部と、実施例５と同じＣＥＢＣ １０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例４と同じＰＢ(４-ＭＰ)４０重量部と、ＥＰ-Ａ ３５重量部と、ＳＩＳ ２０重量部とＬＥＯ ５を用いた。
【０１３６】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３７】
（実施例９）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４及び第一中間層３ａの成分として、実施例６と同じＬＤＰＥ ９０重量部と、ＥＭＡＡ １０重量部を用い、基材層１の第二中間層３ｂの成分として、実施例７と同じr-ＰＰ ６０重量部と、ＨＳＢＲ ４０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例３と同じＰＢ(４-ＭＰ)８５重量部と、ＳＩＳ １０重量部と、ＬＥＯ ５重量部を用いた。
【０１３８】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１３９】
（実施例１０）
粘着テープ１０を構成する各層の材料として、基材層１のうち表面層４及び第一中間層３ａの成分として、実施例３と同じＬＤＰＥを用い、基材層１の第二中間層３ｂの成分として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ；密度：０．９４ｇ／ｃｍ3）６０重量部と、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ；三井・デュポンポリケミカル（株）製エバフレックスTMＰ−１４０７）４０重量部を用い、粘着層２の成分として、実施例５と同じＰＢ(４-ＭＰ)８０重量部と、ＣＥＢＣ １５重量部と、ＬＥＯ ５重量部を用いた。
【０１４０】
表１に示される条件により、実施例１と同様にして粘着テープを成形し、離型テープ（東セロ（株）製、トーセロセパレータTMＳＰ T-18、厚さ３７μｍ）を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。
得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４１】
（比較例１）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として厚さ７０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（ＰＶＣ）を用い、アクリル酸メチル７０重量部、アクリル酸ブチル３０重量部、アクリル酸５重量部をトルエン中で共重合させて得られた数平均分子量３０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、そのアクリル系共重合体１００重量部あたり７０重量部のウレタンオリゴマーと５重量部の多官能イソシアネート化合物を加えてアクリル系粘着剤を調製し、それを前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４２】
（比較例２）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として比較例１と同じポリ塩化ビニルフィルムを用い、ポリカーボネートジオール８０重量部とアジピン酸２０重量部とジブチルチンオキサイド０．５重量部をトルエン中で共重合させて得られた数平均分子量５８万のポリエステルを含有する溶液に、そのポリエステル１００重量部あたり５重量部の多官能イソシアネート化合物を加えて調製したポリエステル系粘着剤を、前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４３】
（比較例３）＜感圧型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として比較例１と同じポリ塩化ビニルフィルムを用い、アクリル酸ブチル９０重量部と、アクリロニトリル５重量部と、アクリル酸５重量部をトルエン中で共重合させて得た数平均分子量５０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、そのアクリル系共重合体１００重量部あたり５０重量部の多官能アクリル系モノマーと、５重量部の多官能イソシアネート化合物と、５重量部の光重合開始剤を加えてアクリル系粘着剤を調製し、それを前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し１３０℃で３分間加熱して厚さ１５μmの粘着層を形成した。次いで、それを８０Ｗ／ｃｍ2の高圧水銀灯の下で６０秒間放置して紫外線照射処理して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４４】
（比較例４）＜ＵＶ硬化型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として、厚さ８０μｍのエチレン・メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ；メチルメタクリレート成分含量１０重量％、融点１００℃）を用い、粘着層として、アクリル系共重合体（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部と分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシアネート系）１０重量部と、紫外線硬化反応開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を厚さ１０μｍとなるように塗布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４５】
（比較例５）＜ＵＶ硬化型粘着剤の例＞
粘着テープの基材層として、厚さ１４０μｍのエチレン・メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ；メチルメタクリレート成分含量１０重量％、融点１００℃）を用い、粘着層として、アクリル系共重合体（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部と分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマー７０重量部と、硬化剤（ジイソシアネート系）５重量部と、紫外線硬化反応開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を厚さ１０μｍとなるように塗布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を表３、表４に示す。
【０１４６】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【発明の効果】
本発明のウエハ加工用粘着テープは、ウエハのダイシングによる切断加工時に、ウエハの欠けや亀裂の大きさを３０μｍ以下に小さくし、その発生率も極小化させることができるので、加工時のチップ不良発生を画期的に防止することができる。また、低プローブタック力でウエハを固定保持することができるため、光や電子線硬化装置等の特別な装置を用いることなく切断加工ができる。
本発明の製造方法によれば、異なる材料で構成される各層の厚み均一性と表面性が良好で、異物の発生が無い多層構造の本発明の粘着テープを、簡単な製造工程で生産性良く製造できる。
本発明のウエハ加工用粘着テープの使用方法によれば、粘着力を低下させる特別な装置を使わずにチップを本発明の粘着テープから剥離ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハ加工用粘着テープの一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明のウエハ加工用粘着テープの別の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明のウエハ加工用粘着テープの他の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明のウエハ加工用粘着テープをロール状に巻き取った状態を示す側面図である。
【図８】本発明のウエハ加工用粘着テープをロール状に巻き取った状態を示す別の側面図である。
【図９】チップ上面の垂直方向から見た模式図である。
【図１０】チップのコーナー部に発生した欠け或いは亀裂についてチップ上面の垂直方向から見た模式図である。
【図１１】チップのコーナー部に発生した欠け或いは亀裂についてチップ上面の垂直方向から見た別の模式図である。
【図１２】粘着層の貯蔵弾性率Ｇ'、損失弾性率Ｇ"、ｔａｎδの測定結果を示す図である。
【図１３】粘着層の流れ方向に垂直な電子顕微鏡断面写真である。
【図１４】粘着層の流れ方向に平行な電子顕微鏡断面写真である。
【符号の説明】
１ 基材層
２ 粘着層
３ 中間層
３ａ 第一中間層
３ｂ 第二中間層
４ 表面層
５ 離型テープ
６ ロール
１０ ウエハ加工用粘着テープ
２０ チップ
２２ 欠け
２３ 亀裂
２４ 欠け或いは亀裂の長さ
Claims (15)
- 基材層の片面にプロピレン、１−ブテン及び炭素原子数５〜１２のα−オレフィンを単位成分とするα−オレフィン共重合体１種または２種以上の混合物、または該α−オレフィン共重合体と熱可塑性エラストマーおよび／またはエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーとの混合物からなり、α−オレフィン共重合体の含有量が３０重量％以上である粘着層を有する粘着テープであって、該粘着層の１５〜３５℃における貯蔵弾性率Ｇ'が１〜５０ＭＰａであり、損失弾性率Ｇ"の貯蔵弾性率Ｇ'に対する比であるtanδが、０．０５〜１であることを特徴とするウエハ加工用粘着テープ。
- 前記粘着層が、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマーと、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーとからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記熱可塑性エラストマーが、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記炭素原子数５〜１２のα−オレフィンが、４−メチル−１−ペンテンであることを特徴とする請求項３に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記基材層が、１層または複数の層からなり、オレフィン系重合体を主成分として含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記基材層が、表面層と中間層とからなり、表面層、中間層、粘着層の順に３層積層されてなることを特徴とする請求項５に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記中間層が、オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることを特徴とする請求項６に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記中間層が複数の層からなり、そのうちの少なくとも１層が、前記オレフィン系重合体と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることを特徴とする請求項６に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記熱可塑性エラストマーが、一般式Ａ−Ｂ−ＡまたはＡ−Ｂ（Ａは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Ｂはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す）で表されるブロック共重合体であることを特徴とする請求項７または８に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 前記表面層が、オレフィン系重合体を主成分として含有することを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- ２０〜８０℃の温度範囲において、ＪＩＳ Ｚ０２３７（参考）に準拠して測定されるプローブタック力が、０．０１〜１Ｎ／５ｍｍφの範囲にあることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- 共押出成形法によって成形されてなるものであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
- １層または複数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の、１種または２種以上の混合物を主成分として含有する粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重2.16kgによる測定値）が５〜４０ｇ／１０分、かつ隣合う層でのＭＦＲ差が１０ｇ／１０分以下であり、溶融温度が２００〜２６０℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が３０℃以下になるようにして多層ダイを用い共押出成形法により成形することを特徴とする請求項５〜１０のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープの製造方法。
- 請求項１〜１２のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープとウエハとを２０〜８０℃で圧着したのち、１５〜３５℃でウエハをチップに切断加工し、次いで該粘着テープを４０〜８０℃で拡張し、その後、室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離することを特徴とするウエハ加工用粘着テープの使用方法。
- 前記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシングであることを特徴とする請求項１４に記載のウエハ加工用粘着テープの使用方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356807A JP4780828B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
| PCT/JP2001/010165 WO2002042389A1 (fr) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Bande adhesive pour usinage de tranches et procedes de fabrication et d'utilisation associes |
| EP01997530A EP1347025B1 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Use of a wafer processing adhesive tape |
| US10/181,726 US20030054643A1 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method |
| CNB018039669A CN1333030C (zh) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | 晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法 |
| TW90128933A TW574341B (en) | 2000-11-22 | 2001-11-22 | Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method |
| US11/003,373 US7358158B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-12-06 | Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356807A JP4780828B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011124009A Division JP2012036374A (ja) | 2011-06-02 | 2011-06-02 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002155249A JP2002155249A (ja) | 2002-05-28 |
| JP4780828B2 true JP4780828B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=18828980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000356807A Expired - Fee Related JP4780828B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030054643A1 (ja) |
| EP (1) | EP1347025B1 (ja) |
| JP (1) | JP4780828B2 (ja) |
| CN (1) | CN1333030C (ja) |
| TW (1) | TW574341B (ja) |
| WO (1) | WO2002042389A1 (ja) |
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| JP2017183642A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
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| US7141300B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-11-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing |
| JP3443110B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2003-09-02 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート |
| CN1264940C (zh) * | 2001-08-10 | 2006-07-19 | 日东电工株式会社 | 切割用胶粘薄膜及切割方法 |
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- 2001-11-21 EP EP01997530A patent/EP1347025B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-21 US US10/181,726 patent/US20030054643A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-21 WO PCT/JP2001/010165 patent/WO2002042389A1/ja active IP Right Grant
- 2001-11-21 CN CNB018039669A patent/CN1333030C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-22 TW TW90128933A patent/TW574341B/zh not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| CN1395602A (zh) | 2003-02-05 |
| EP1347025A1 (en) | 2003-09-24 |
| EP1347025B1 (en) | 2007-02-14 |
| EP1347025A4 (en) | 2005-04-06 |
| CN1333030C (zh) | 2007-08-22 |
| US20030054643A1 (en) | 2003-03-20 |
| US20050153127A1 (en) | 2005-07-14 |
| US7358158B2 (en) | 2008-04-15 |
| JP2002155249A (ja) | 2002-05-28 |
| WO2002042389A1 (fr) | 2002-05-30 |
| TW574341B (en) | 2004-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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