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JP6519277B2 - 透明導電膜付基板 - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電膜付基板に関する。
プラズマディスプレイやエレクトロルミネセンス素子などにおいて、電極として用いる透明導電膜を、ガラス基板などの基板上に形成し、透明導電膜をレーザーでパターニングすることが知られている(特許文献1及び特許文献2)。
パターニングにより透明導電膜が除去された部分には、通常、パッシベーション等のため、絶縁膜が設けられる。
特開2007−207554号公報 特開2006−267834号公報
上記の絶縁膜は、基板から容易に剥離しないことが求められている。
本発明の目的は、透明導電膜が除去された部分に設けられる絶縁膜が剥離しにくい透明導電膜付基板を提供することにある。
本発明は、基板と、基板上に設けられ、パターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付基板であって、基板の上に、透明導電膜がパターニングにより除去された除去領域と、透明導電膜が除去されていない非除去領域と、除去領域と非除去領域の間に設けられた境界領域とが形成されてなり、境界領域において、透明導電膜が島状に形成された島状部分が形成されてなることを特徴としている。
平面視したときの島状部分の面積が、境界領域の面積の25%〜75%の範囲内であることが好ましい。
基板は、透明基板であることが好ましい。
基板は、ガラス基板であることが好ましい。
パターニングとしては、レーザーによるパターニングが挙げられる。この場合、レーザーは、フェムト秒レーザーであることが好ましい。
本発明によれば、透明導電膜が除去された部分に設けられる絶縁膜の剥離を抑制することができる。
本発明の一実施形態の透明導電膜付基板を示す模式的断面図である。 図1に示す実施形態の透明導電膜付基板に絶縁膜を設けた状態を示す模式的断面図である。 本発明の一実施形態の透明導電膜付基板における境界領域を示す走査型電子顕微鏡写真である。 図3に示す境界領域を模式的に示す平面図である。 図4に示す境界領域における島状部分にハッチングをつけた模式的平面図である。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
図1は、本発明の一実施形態の透明導電膜付基板を示す模式的断面図である。図1に示すように、本実施形態の透明導電膜付基板10は、基板1と、基板1の主面1a上に設けられた透明導電膜2とを備えている。透明導電膜2は、パターニングされている。透明導電膜2がパターニングされることにより、基板1の主面1aの上には、透明導電膜2がパターニングにより除去された除去領域A1と、透明導電膜2が除去されていない非除去領域A2とが形成されている。
また、基板1の主面1a上には、除去領域A1と非除去領域A2の間に設けられた境界領域A3が形成されている。図1に示すように、境界領域A3においては、透明導電膜2の厚みが除去領域A1に近づくにつれて徐々に薄くなっている。
透明導電膜2としては、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、アルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、フッ素をドープした錫酸化物(FTO)などの導電性を有する複合酸化物薄膜を用いることができる。特に、インジウム錫酸化物が好ましく用いられる。本実施形態においては、透明導電膜2をインジウム錫酸化物から形成している。透明導電膜2の厚みは、20nm〜200nmの範囲であることが好ましく、50nm〜150nmの範囲であることがさらに好ましい。
基板1は、ガラス基板などの透明基板であることが好ましい。ガラス基板としてはソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等が使用できる。本実施形態においては、ソーダ石灰ガラスからなるガラス基板を用いている。
透明導電膜2のパターニングは、レーザーによるパターニングであることが好ましい。透明導電膜2をレーザーでパターニングすることにより、透明導電膜2の一部を除去して、除去領域A1を形成する。レーザーとしては、その波長における透明導電膜2の吸収率が大きいレーザーが用いられる。例えば、ITO膜の場合、1000nm以上の波長において、吸収率が大きくなる。このため、1000nm以上の波長のレーザーを用いてパターニングすることにより、ITO膜をレーザー照射で除去して除去領域A1を形成することができる。このパターニングにより、除去領域A1が形成されるとともに、その周辺に境界領域A3が形成される。
レーザーの波長は、透明導電膜2がその波長において大きな吸収率を有するものであれば、特に限定されない。レーザーの波長は、例えば、1000nm以上であることが好ましく、1300nm以上であることがより好ましく、1500nm以上であることがさらに好ましい。レーザーの波長の上限値は、特に限定されるものではないが、レーザーの波長は、2000nm以下であることが一般的である。
レーザーは、10ピコ秒以下のパルスレーザーであることが好ましく、より好ましくは、1ピコ秒以下の超短パルスレーザーであり、特に好ましくは、フェムト秒レーザーである。このようなパルス幅の小さいレーザーを用いることにより、多光子吸収現象を生じさせ、周辺部分に熱を拡散させることなくパターニングすることができる。
レーザーのスポット径は、除去領域A1のy方向における幅の0.2倍〜5倍の範囲内であることが好ましく、0.5倍〜2倍の範囲内であることがさらに好ましい。除去領域A1のy方向における幅の寸法は、一般に、3μm〜50μmの範囲であることが好ましく、5μm〜20μmの範囲であることがさらに好ましい。除去領域A1が幅広い場合は、レーザーを複数回操作したり、複数のレーザーを用いてレーザーのスポットを若干オーバーラップさせてパターンニングしてもよい。また、境界領域A3のy方向における幅の寸法は、一般に、0.3μm〜10μmの範囲であることが好ましく、0.5μm〜5μmの範囲であることがさらに好ましい。
なお、レーザーは、一般に透明導電膜2の厚み方向(z方向)に、透明導電膜2側から照射される。
図1に示す実施形態の透明導電膜付基板10は、例えば、有機エレクトロルミネセンス素子の電極基板として用いることができる。この場合、透明導電膜付基板10の上に有機エレクトロルミネセンス層が設けられる。また、この場合、有機エレクトロルミネセンス層からの光の取り出し効率を向上させるため、基板1と透明導電膜2との間に、基板1よりも屈折率が高い下地ガラス層が設けられていてもよい。
図2は、図1に示す実施形態の透明導電膜付基板に絶縁膜を設けた状態を示す模式的断面図である。図2に示すように、透明導電膜付基板10の除去領域A1における基板1の主面1a及び境界領域A3の上を覆うように、絶縁膜3が設けられる。絶縁膜3は、主にパッシベーション等を目的として設けられる。
絶縁膜3は、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの無機材料や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の有機材料から形成することができる。
図3は、本発明の一実施形態の透明導電膜付基板における境界領域を示す走査型電子顕微鏡写真である。図4及び図5は、図3に示す境界領域を模式的に示す平面図である。なお、図5は、図4に示す境界領域における島状部分にハッチングをつけた模式的平面図である。図3、図4及び図5は、平面視における、すなわちz方向から見た境界領域A3並びにその近傍の除去領域A1及び非除去領域A2を示している。また、図3、図4及び図5は、絶縁膜3が設けられる前の図1に示す状態を示している。
図3、図4及び図5に示すように、本発明においては、境界領域A3には、非除去領域A2から連続してy方向に延びるように形成された透明導電膜2からなる半島状部分2aと、非除去領域A2から実質的に分離して形成された透明導電膜2からなる島状部分2bが形成されてなる。なお、透明導電膜2からなる島状部分2bは、透明導電膜2の材質等に応じた波長やパルス幅を有するレーザーを用いて所定の条件でパターニングすることで、境界領域A3に形成することができる。このように、境界領域A3において、透明導電膜2からなる島状部分2bを形成することで、その上に設けられる絶縁膜3の剥離を抑制することができる。絶縁膜3の剥離を抑制することができる理由は、以下の通りであると考えられる。
すなわち、島状部分2bの上に絶縁膜3を設けると、島状部分2bの周囲の側壁部と接するように絶縁膜3が形成される。このため、隣接する島状部分2bの間に食い込むように絶縁膜3が形成される。また、絶縁膜3に対しては、島状部分2bが食い込んだ状態で存在している。このため、強力なアンカー効果を発揮することができ、絶縁膜3の剥離を抑制することができると考えられる。なお、絶縁膜3の剥離を効果的に抑制するために、平面視したときの島状部分2bの面積(ハッチングをつけた部分面積)は、境界領域A3の面積の25%〜75%の範囲内であることが好ましい。島状部分2bの面積が上記範囲より少ないと、絶縁膜3に食い込む島状部分2bが少なくなり、絶縁膜3の剥離を抑制する効果が得られない場合がある。また、島状部分2bの面積が上記範囲より多くても、島状部分2bに食い込む絶縁膜3の部分が少なくなり、絶縁膜3の剥離を抑制する効果が得られない場合がある。島状部分2bの面積は、境界領域A3の面積の40%〜60%の範囲内であることがより好ましい。また、1つの島状部分2bの大きさは、円相当径で、0.1μm〜0.6μmの範囲であることが好ましく、0.1μm〜0.3μmの範囲であることがさらに好ましい。
尚、非除去領域A2と境界領域A3の境界の位置は、図4及び図5に示すように、透明導電膜2が除去されて主面1aが露出し始める位置であり、境界領域A3と除去領域A1の境界の位置は、島状部分2bが実質的に存在しなくなる位置である。
なお、島状部分2bの面積の割合は、境界領域A3の面積が0.7μm〜25μmの範囲内である視野において求めることが好ましい。
また、島状部分2bの面積を本発明の範囲内とするためのパターニング条件としては、フェムト秒レーザーを用いることが好ましい。
1…基板
1a…主面
2…透明導電膜
2a…半島状部分
2b…島状部分
3…絶縁膜
10…透明導電膜付基板
A1…除去領域
A2…非除去領域
A3…境界領域

Claims (4)

  1. 基板と、前記基板の主面上に設けられ、パターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付基板であって、
    前記基板の上に、前記透明導電膜がパターニングにより除去されて前記主面が露出されている除去領域と、前記透明導電膜が除去されていない非除去領域と、前記除去領域と前記非除去領域の間に設けられた境界領域とが形成されてなり、
    前記境界領域において、前記透明導電膜が島状に形成された島状部分が形成されてなり、絶縁膜が、前記除去領域の前記主面及び前記境界領域を覆うように設けられている、透明導電膜付基板。
  2. 平面視したときの前記島状部分の面積が、前記境界領域の面積の25%〜75%の範囲内である、請求項1に記載の透明導電膜付基板。
  3. 前記基板が、透明基板である、請求項1または2に記載の透明導電膜付基板。
  4. 前記基板が、ガラス基板である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電膜付基板。
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