JP6543902B2 - 金属錯体およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体および該金属錯体を用いた発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。

発光素子の発光層に用いる金属錯体として、特許文献１では、３つのベンゼン環から構成されるデンドロンを有するフェニルイソキノリン構造を配位子として有する金属錯体１が提案されている。また、特許文献２では、トリアジン環と２つのベンゼン環とから構成されるデンドロンを有するフェニルピリジン構造を配位子として有する金属錯体２が提案されている。また、特許文献３では、トリアジン環と２つのベンゼン環とから構成されるデンドロンを有するフェニルピリジン構造、および、３つのベンゼン環から構成されるデンドロンを有するフェニルイソキノリン構造を配位子として有する金属錯体３が提案されている。

特開２００６−１８８６７３号公報 特開２００８−１７９６１７号公報 特開２０１１−１０５７０１号公報

しかしながら、上記の特許文献１、２および３に記載された金属錯体の量子収率（以下、「ＰＬＱＹ」ともいう。）は必ずしも十分ではなかった。金属錯体の量子収率は、金属錯体の発光スペクトルの長波長化に伴い低下する傾向があるため、赤色燐光発光を示す金属錯体では、量子収率の向上が求められていた。

そこで、本発明は、赤色燐光発光を示す金属錯体であって、量子収率に優れる金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。本発明はさらに、該金属錯体の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｍは１、２または３を表し、ｎは０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｍ＋ｎは３であり、Ｍが白金原子の場合、ｍ＋ｎは２である。
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、−ＣＲ^Ｚ＝または窒素原子を表す。Ｒ^Ｚは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｚが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３からなる群から選ばれる少なくとも１つは窒素原子である。
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基、または、２つ以上の環が縮合した複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^１およびＡｒ^２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、および、Ｒ^１５とＲ^１６は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

本発明は、第二に、上記の金属錯体と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物を提供する。

本発明は、第三に、上記の金属錯体を用いて得られる発光素子を提供する。

本発明は、第四に、下記式（１Ｍ）で表される化合物を提供する。

［式中、
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、−ＣＲ^Ｚ＝または窒素原子を表す。Ｒ^Ｚは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｚが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３からなる群から選ばれる少なくとも１つは窒素原子である。
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基、または、２つ以上の環が縮合した複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、および、Ｒ^１５とＲ^１６は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

本発明によれば、赤色燐光発光を示す金属錯体であって、量子収率に優れる金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。さらに、本発明によれば、該金属錯体の製造に有用な化合物を提供することができる。本発明の金属錯体は、量子収率に優れるため、該金属錯体を用いて得られる発光素子は外部量子効率に優れたものとなる。

金属錯体Ｍ３〜Ｍ５および金属錯体ＣＭ１〜ＣＭ３の発光スペクトルの最大ピーク波長とＰＬＱＹとの関係を示す図である。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

本明細書において、水素原子は重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

本明細書において、金属錯体を表す構造式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計100モル％である。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基およびシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、置換基を有するアルキル基およびシクロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基およびシクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル）アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル）アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)、(B-5)、(B-6)、(B-7)、(B-8)、(B-9)、(B-10)、(B-11)、(B-12)、(B-13)、(B-14)、(B-15)、(B-16)または(B-17)で表される基である。

［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーと呼ぶ場合がある。）としては、例えば、ＷＯ０２／０６７３４３、特開２００３−２３１６９２、WO２００３／０７９７３６、WO２００６／０９７７１７等の文献に記載の構造が挙げられる。前記式（Ｄ−Ａ）で表される基および前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基も、デンドロンである。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、通常10以下の整数であり、5以下の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが更に好ましい。また、ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA4、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA5、または、式(D-B)におけるＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。

＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１）で表される金属錯体である。

式（１）中、Ｍは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、イリジウム原子であることがより好ましい。

式（１）中、ｎは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れることと、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、０であることが好ましい。

式（１）中、Ｍがイリジウム原子の場合、ｍ＋ｎは３であり、ｍは２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

式（１）中、Ｍが白金原子の場合、ｍ＋ｎは２であり、ｍは２であることが好ましい。

式（１）中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、−ＣＲ^Ｚ＝または窒素原子を表す。Ｒ^Ｚは、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることがさらに好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

式（１）中、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３からなる群から選ばれる少なくとも２つが窒素原子であることが好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３の全てが窒素原子であることが好ましい。

式（１）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基であることが好ましい。

式（１）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、同一の基であることが好ましい。

２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基とは、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常８〜６０であり、好ましくは８〜２０であり、より好ましくは８〜１４である。２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基およびアリール基が挙げられる。

２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基としては、例えば、式（２−１）〜（２−１３）で表される基が挙げられ、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（２−１）〜（２−５）、（２−１２）または（２−１３）で表される基が好ましく、式（２−１）または（２−２）で表される基がより好ましく、式（２−１）で表される基が更に好ましい。

［式中、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^２は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^２同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。複数存在するＲ^３は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^３同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２つ以上の環が縮合した複素環基とは、２つ以上の環が縮合した複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。２つ以上の環が縮合した複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは８〜１４である。２つ以上の環が縮合した複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基およびアリール基が挙げられる。

２つ以上の環が縮合した複素環基としては、例えば、式（２−２１）〜（２−３５）で表される基が挙げられ、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、（２−２１）〜（２−２８）で表される基であることが好ましく、（２−２５）〜（２−２８）で表される基であることがより好ましい。

［式中、Ｒ^２は前記と同じ意味を表す。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表す。］

式（２−１）〜（２−１３）および式（２−２１）〜（２−３５）中、Ｒ^２は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。

式（２−１）〜（２−１３）中、Ｒ^３は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。

式（２−２１）〜（２−３５）中、Ｒ^４は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。

式（１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましい。

式（１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６からなる群から選ばれる少なくとも１つは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるので、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましい。アリール基、１価の複素環基および置換アミノ基としては、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である場合、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）、（Ｄ−Ａ３）、（Ｄ−Ｂ１）、（Ｄ−Ｂ２）または（Ｄ−Ｂ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）または式（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）であることが更に好ましい。式（Ｄ−Ａ１）で表される基としては、式（３−１）で表される基であることが好ましい。式（Ｄ−Ｂ１）で表される基としては、式（３−２）で表される基であることが好ましい。

［式中、
Ｒ^３１、Ｒ^３２およびＲ^３３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^３１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^３２は、同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^３３は、同一でも異なっていてもよい。］

式（３−１）および（３−２）中、Ｒ^３１は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましい。
式（３−１）および（３−２）中、Ｒ^３２は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基または置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましい。
式（３−１）および（３−２）中、Ｒ^３３は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましい。

式（１）中、Ｒ^１４は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）または式（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）、（Ｄ−Ａ３）、（Ｄ−Ｂ１）、（Ｄ−Ｂ２）または（Ｄ−Ｂ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）または（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることが更に好ましい。式（Ｄ−Ａ１）で表される基としては、式（３−１）で表される基であることが好ましい。式（Ｄ−Ｂ１）で表される基としては、式（３−２）で表される基であることが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子であることが好ましい。

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を示す。］

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。ただし、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｍでその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２０）で表される金属錯体が挙げられる。これらの中でも、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１１）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−２）〜（Ｉｒ−６）または（Ｉｒ−８）で表される金属錯体がより好ましい。また、これらの中でも、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、式（Ｉｒ−２）〜（Ｉｒ−６）で表される金属錯体が更に好ましく、式（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−４）または（Ｉｒ−６）で表される金属錯体が特に好ましい。

［式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２０）中、
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６およびＲ^２は、前記と同意味を表す。
Ｒ^Ｌ５は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^Ｌ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２０）中、
Ｒ^Ｌ５は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−１４）で表される基および下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。

＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

式（１）で表される金属錯体の具体例としては、式（Ｉｒ−１０１）〜（Ｉｒ−１１２）で表される金属錯体が挙げられる。

本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本発明の金属錯体の発光スペクトルの半値幅がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更により好ましく、１００モル％（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。

＜化合物＞
次に、本発明の化合物について説明する。本発明の化合物は、式（１Ｍ）で表される化合物である。本発明の化合物は、後述する本発明の金属錯体の製造において有用な化合物である。

式（１Ｍ）中のＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６の例および好ましい範囲は、式（１）中のＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６の例および好ましい範囲と同じである。

式（１Ｍ）で表される化合物としては、例えば、式（１Ｍ−１）〜（１Ｍ−２０）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、本発明の化合物の合成が容易になるため、式（１Ｍ−１）〜（１Ｍ−９）で表される化合物が好ましい。

［式（１Ｍ−１）〜（１Ｍ−２０）中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、前記と同じ意味を表す。］

式（１Ｍ）で表される化合物の具体例としては、式（１Ｍ−１０１）〜（１Ｍ−１１２）で表される化合物が挙げられる。

＜式（１）で表される金属錯体および式（１Ｍ）で表される化合物の製造方法＞
［製造方法１］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であるものは、例えば、
式（１Ｍ）で表される化合物と、イリジウム化合物またはその水和物とを反応させることで、式（１Ｍ−１）で表される金属錯体を合成する工程Ａ１、および、
式（１Ｍ−１）で表される金属錯体と、式（１Ｍ）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ１を含む方法により製造することができる。

［式（１Ｍ）および（１Ｍ−１）中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、前記と同じ意味を表す。］

工程Ａ１において、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられ、イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。

工程Ａ１および工程Ｂ１は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。

工程Ａ１および工程Ｂ１において、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

工程Ａ１において、式（１Ｍ）で表される化合物の量は、イリジウム化合物またはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ｂ１において、式（１Ｍ）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、式（１Ｍ−１）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。

工程Ｂ１において、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（１Ｍ−１）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

式（１Ｍ）で表される化合物は、例えば、式（１Ｍ−２）で表される化合物と、式（１Ｍ−３）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応させる工程Ｃ１により合成することができる。

［式（１Ｍ−２）および（１Ｍ−３）中、
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^１およびＷ^２は、それぞれ独立に、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環を形成していてもよい。］

−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）〜（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。

Ｗ^１としては、式（１Ｍ−２）で表される化合物と式（１Ｍ−３）で表される化合物とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましい。これらの中でも、式（１Ｍ−２）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子または式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。

Ｗ^２としては、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、これらの中でも、式（１Ｍ−３）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子または式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。

式（１Ｍ−２）で表される化合物と式（１Ｍ−３）で表される化合物とのカップリング反応（工程Ｃ１）は、通常、溶媒中で行う。用いられる溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａ１および工程Ｂ１について説明したものと同じである。

式（１Ｍ−２）で表される化合物と式（１Ｍ−３）で表される化合物とのカップリング反応において、式（１Ｍ−３）で表される化合物の量は、式（１Ｍ−２）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。

式（１Ｍ−２）で表される化合物の実施形態の１つである式（１Ｍ−２−１）で表される化合物は、例えば、式（１Ｍ−２−１ａ）で表される化合物と、式（１Ｍ−２−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させる工程Ｄ１により製造することができる。このカップリング反応は、式（１Ｍ）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式中、
Ｒ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^３は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｗ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（１Ｍ−３）で表される化合物の実施形態の１つである式（１Ｍ−３−１）で表される化合物は、例えば、式（１Ｍ−３−１ａ）で表される化合物と、式（１Ｍ−３−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させる工程Ｅ１により製造することができる。このカップリング反応は、式（１Ｍ）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式中、
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^４およびＷ^５は、それぞれ独立に、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｗ１は、前記と同じ意味を表す。］

［製造方法２］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。

式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であるものは、例えば、
式（１Ｍ−２）で表される化合物と、式（１Ｍ−４）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（１Ｍ）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式（１Ｍ−４）および（１Ｍ−２）中、
ｍ、ｎ、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６およびＷ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^６は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｗ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（１Ｍ−４）で表される化合物の実施形態の一つである式（１Ｍ−４ａ）で表される化合物は、式（１Ｍ−４ａ−１）で表される化合物とイリジウム化合物またはその水和物とを反応させることで、式（１Ｍ−４ａ−２）で表される金属錯体を合成する工程Ａ２、および、
式（１Ｍ−４ａ−２）で表される金属錯体と、式（１Ｍ−４ａ−１）で表される化合物とを反応させる工程Ｂ２を含む方法により製造することができる。

この工程Ａ２および工程Ｂ２の反応は、それぞれ前記工程Ａ１および工程Ｂ２で説明した反応と同じである。

［製造方法１および製造方法２におけるカップリング反応］
カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられる。

パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（１Ｍ−２）、式（１Ｍ−３）または式（１Ｍ−４）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくはパラジウム元素換算で、０．００００１〜１０モルである。

カップリング反応において、必要に応じて、塩基を併用してもよい。

＜金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。

本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子効率がより優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０１〜８０重量部であり、好ましくは０．０５〜４０重量部であり、より好ましくは０．１〜２０重量部であり、更に好ましくは１〜２０重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子効率がより優れるため、本発明の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、例えば、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物が挙げられる。ホスト材料に用いられる低分子化合物の具体例としては、下記で表される化合物が挙げられる。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［高分子ホスト］
ホスト化合物として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。

高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式(AA-1)〜式(AA-4)、式(AA-10)〜式(AA-15)、式(AA-18)〜式(AA-21)、式(AA-33)または式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)または式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)〜(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)、(Y-2)または(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)〜(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)〜(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−またはＣ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)〜(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)〜(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)〜(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)〜(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)〜(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜100モル％であり、より好ましくは60〜95モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは3〜20モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2およびＲ^X3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ａ^X1は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)または式(AA-7)〜式(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)〜式(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)〜(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)〜(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)〜(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは2〜30モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)〜(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)〜(X1-10)で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、下記表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−７が挙げられる。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応およびＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、特に限定されないが、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式(X)で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。

膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、外部量子効率が良好になるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

膜は、発光素子における発光層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内または分子間で架橋されたものであってもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されたものであってもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。

［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ／ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料約０．１ｍｇを、２００μＬのテトラヒドロフランに溶解させて、試料溶液を調製した。１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン約４ｍｇを、４００μＬのテトラヒドロフランに溶解させて、マトリックス溶液を調製した。試料溶液１０μＬとマトリックス溶液５０μＬとを混合し、これをＭＡＬＤＩプレートに塗布して、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定を行った。測定は、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ装置：ＲＥＦＬＥＸ ＩＩＩ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて、測定モード：リフレクターモード、加速電圧：２７．５ｋＶ、レーザー:Ｎ_２（３３７ｎｍ）で行った。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名 ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

ＴＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を、トルエン、テトラヒドロフランまたはクロロホルムに任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製 ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子（ＪＥＯＬ Ｌｔｄ．）社製、商品名 ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調整した。

ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定は、下記の方法で行った。
金属錯体を、０．０００８重量％の濃度となるように、キシレンに溶解させた。得られたキシレン溶液を１ｃｍ角の石英セルに入れた後、窒素ガスでバブリングすることにより酸素を脱気することにより測定試料を作製した。得られた測定試料に対して、絶対ＰＬ量子収率測定装置（自動制御電動モノクロ光源タイプ）（Ｃ９９２０−０２Ｇ 浜松ホトニクス株式会社製）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルを測定した。なお、励起波長は４００ｎｍとした。

＜実施例１＞ 金属錯体Ｍ１の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｍ１ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、１−ブロモナフタレン（化合物Ｍ１ａ、１３２．５ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、３．１Ｌ）を加え、攪拌しながら−７３℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、４００ｍＬ）を、反応容器内の反応液を−７３℃で攪拌しながら滴下した。得られた反応液を「反応液Ａ」と呼ぶ。
別の反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、塩化シアヌル（５９．０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１．０Ｌ）を加え、攪拌しながら−７５℃まで冷却した。その後、そこへ、上記の反応液Ａを、反応容器内の反応液を−７５℃で攪拌しながら滴下し、滴下終了後に室温まで昇温させ、室温で一晩攪拌した。その後、そこへ、希薄な塩化アンモニウム水溶液（５００ｍＬ）を加えた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をクロロホルム（１．５Ｌ）に溶解させた後、水（１Ｌ）、５重量％食塩水（１Ｌ）で順次洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、溶媒量が約半分となるまで濃縮した。その後、そこへ、ｎ−ヘキサン（４００ｍＬ）を加え、シリカゲルを用いてろ過した後、得られたろ液を減圧留去した。得られた残渣を、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、次いで、アセトニトリルおよびｎ−ヘキサンの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した。その後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｍ１ｂ（７４．３ｇ、収率６３％）を白色固体として得た。化合物Ｍ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．０％であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ^＋＝３６８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．１５−９．１１（ｍｕｌｔ，２Ｈ），８．５５（ｄｄ，２Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．００（ｄｄ，２Ｈ），７．７０−７．５７（ｍｕｌｔ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ２：金属錯体Ｍ１の合成）
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１ｂ（６１．４ｇ）、特開２００８−１７９６１７号公報記載の方法に従って合成した金属錯体Ｍ０（４３．１ｇ）、炭酸セシウム（８１．５ｇ）、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（０．９ｇ）、１，４−ジオキサン（７８３ｍＬ）およびイオン交換水（５ｍＬ）を加え、６５℃で３６時間撹拌した。得られた反応液をろ過した後、得られたろ液を減圧留去した。得られた残渣をトルエンおよびクロロホルムの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、次いで、クロロホルムおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した。その後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ１（１９ｇ、収率２７％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６４９．５［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．０１（ｄ，３Ｈ），８．７９（ｄ，６Ｈ），８．６１（ｄｄ，３Ｈ），８．１０（ｄｄ，６Ｈ），８．００（ｄ，３Ｈ），７．８５（ｄ，３Ｈ），７．７７（ｔ，１２Ｈ），７．４９−７．３６（ｍｕｌｔ，１８Ｈ），７．０３-６．９０（ｍｕｌｔ，９Ｈ）．

＜実施例２＞ 金属錯体Ｍ２の合成

遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１（１５．７ｇ）、クロロホルム（４６０ｍＬ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（４４ｍＬ）を加えた。その後、氷浴を用いて０℃に冷却しながら攪拌した。その後、そこへ、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（６．７６ｇ）を加えた。その後、氷浴を用いて冷却しながら３時間攪拌した後、室温で３時間攪拌した。その後、そこへ、クロロホルム（２Ｌ）およびジクロロメタン（３Ｌ）を加え、５重量％チオ硫酸ナトリウム水溶液（７２０ｍＬ）、イオン交換水（７２０ｍＬ）で順次洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をジクロロメタン（２．５Ｌ）に溶解させた後、セライトおよびシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、ジクロロメタンおよびメタノールの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した後、乾燥させることにより、金属錯体Ｍ２（１７ｇ、収率８６％）を白色固体として得た。金属錯体Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．２％であった。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ／ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８８２［Ｍ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．９２（ｄ，３Ｈ），８．７６（ｄ，６Ｈ），８．６１（ｄｄ，３Ｈ），８．１０（ｄｄ，６Ｈ），７．９４−７．９０（ｍｕｌｔ，６Ｈ），７．７８（ｔ，１２Ｈ），７．５０−７．３６（ｍｕｌｔ，１８Ｈ），７．０４（ｄｄ，３Ｈ），６．８８（ｄ，３Ｈ）．

＜実施例３＞ 金属錯体Ｍ３の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ２（３４２ｍｇ）、特開２０１１−１９５８２９号公報記載の方法に従って合成した化合物Ｍ３ａ（２７７ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２６ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．５ｍＬ）を加え、加熱還流下で１７時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した。その後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ３（３７０ｍｇ、収率７７％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６７０［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．１３（ｄ，３Ｈ），８．８１（ｄ，６Ｈ），８．７０（ｄｄ，３Ｈ），８．２４（ｄ，３Ｈ），８．１９（ｄ，３Ｈ），８．１２（ｄｄ，６Ｈ），７．９０（ｄｄ，６Ｈ），７．７９−７．７４（ｍｕｌｔ，１５Ｈ），７．７０−７．６６（ｍｕｌｔ，１２Ｈ），７．５３−７．３５（ｍｕｌｔ，３３Ｈ），７．２８（ｄ，３Ｈ），１．３６（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例４＞ 金属錯体Ｍ４の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ２（１．２７ｇ）、化合物Ｍ４ａ（１．０４ｇ）、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９４ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．５ｍＬ）を加え、加熱還流下で１９時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をトルエンおよびヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した。その後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ４（１．１６ｇ、収率６４％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。なお、化合物Ｍ４ａは、後述の化合物Ｌ４ｅと同様の方法で合成した。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２７１２［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．０２（ｄ，３Ｈ），８．７６（ｄ，６Ｈ），８．５９（ｄｄ，３Ｈ），８．１３（ｄ，３Ｈ），８．０９−８．０５（ｍｕｌｔ，９Ｈ），７．７７−７．７２（ｍｕｌｔ，１２Ｈ），７．５６（ｓ，６Ｈ），７．４８−７．２８（ｍｕｌｔ，４５Ｈ），７．１８（ｄ，３Ｈ），２．１５（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例５＞ 化合物Ｌ５の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ５ｃの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ５ａ（１５ｇ）、化合物Ｌ５ｂ（２４ｇ）、テトラヒドロフラン（４３０ｍＬ）、イオン交換水（２１ｍＬ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（３．６ｇ）および炭酸セシウム（２５０ｇ）を加え、６０℃で６４時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（４００ｍＬ）を加え、セライトを用いてろ過した。得られたろ液を５重量％食塩水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた油状物を、トルエンおよびヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ５ｃ（２０ｇ、収率８２％）を黄色油状物として得た。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２９０［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ５ｅの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ５ｃ（９．４ｇ）、化合物Ｌ５ｄ（１２ｇ）、［１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（２．７ｇ）、酢酸カリウム（１９ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（１００ｍＬ）を加え、８０℃で３時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（１５０ｍＬ）を加え、セライトを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣にヘキサン（１８０ｍＬ）を加えて溶解させ、これをろ過し、得られたろ液を濃縮した。その後、そこへ、トルエン（７０ｍＬ）およびアセトニトリル（７０ｍＬ）を加え、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン（６０ｍＬ）および活性炭（７．５ｇ）を加え、５０℃で１時間攪拌した。その後、セライトを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ５ｅ（１２ｇ）を無色油状物として得た。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３３８［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ５の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ５ｅ（８．８ｇ）、化合物Ｍ１ｂ（１１ｇ）、１，４−ジオキサン（４５０ｍＬ）、イオン交換水（２４ｍL）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．６ｇ）および炭酸セシウム（７０ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、セライトを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層を５重量％食塩水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた油状物を、トルエンおよびヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、溶媒を減圧留去した。その後、そこへ、トルエン（１００ｍＬ）および活性炭（３．６ｇ）を加え、６０℃で１時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（２５０ｍＬ）を加え、攪拌した後、セライトを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ５（９．９ｇ、収率６９％）を白色粉末として得た。化合物Ｌ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１０．０１（ｄｄ，１Ｈ），９．２５−９．２１（ｍｕｌｔ，２Ｈ），９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．６１（ｄｄ，２Ｈ），８．２５（ｔ，１Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．０４−７．９９（ｍｕｌｔ，４Ｈ），７．９６（ｄｔ，１Ｈ），７．７４−７．４５（ｍｕｌｔ，７Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ）．

＜実施例６＞ 金属錯体Ｍ５の合成

（Ｓｔａｇｅ１：金属錯体Ｍ５ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ５（７３６ｍｇ）および２−エトキシエタノール（１３ｍＬ）を加え、９０℃まで昇温した。その後、そこへ、イオン交換水（５．４ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（２７３ｍｇ）を加え、１０５℃で２１時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（５０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過し、得られた残渣を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ５ａを含む赤色固体（８５０ｍｇ）を得た。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６６０［Ｍ＋Ｋ］^＋

（Ｓｔａｇｅ２ａ）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ５ａを含む赤色固体（８３４ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（２０７ｍｇ）およびアセトニトリル（１５ｍＬ）を加え、９０℃で２時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、セライトおよびアルミナを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、ヘキサンを加え、攪拌した。得られた沈殿をろ取することにより、赤橙色固体（８００ｍｇ）を得た。

（Ｓｔａｇｅ２ｂ：金属錯体Ｍ５の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記のＳｔａｇｅ２ａで得られた赤橙色固体（７６９ｍｇ）、化合物Ｌ５（１．２ｇ）、２，６−ルチジン（６６０ｍｇ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（１７ｍＬ）を加え、１５０℃で２１時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（５０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、これをろ過し、得られた残渣にトルエン（５０ｍＬ）を加え、攪拌し、ろ過した。得られた沈殿をクロロホルム（３００ｍL）に溶解させ、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、メタノールを加え、攪拌し、ろ過した。得られた沈殿を、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ５（４５０ｍｇ）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８５６［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．０４（ｄ，３Ｈ），８．７９（ｄ，６Ｈ），８．６２（ｄｄ，３Ｈ），８．０６（ｄｄ，６Ｈ），８．０２（ｄ，３Ｈ），７．８５（ｄ，３Ｈ），７．７９−７．７２（ｍｕｌｔ，１２Ｈ），７．４８−７．３５（ｍｕｌｔ，１８Ｈ），７．０５（ｄｄ，３Ｈ），６．８６（ｄ，３Ｈ），１．３６（ｓ，２７Ｈ）．

＜実施例７＞ 化合物Ｌ４の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ４ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ａ（５０ｇ）、化合物Ｌ４ｂ（７５ｇ）、トルエン（５００ｍＬ）、イオン交換水（５００ｍL）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．２ｇ）および炭酸ナトリウム（８５ｇ）を加え、９０℃で５時間撹拌した。室温へ冷却後、得られた反応液を、セライトを用いてろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に活性炭（５ｇ）を加え、室温で１時間攪拌した後、セライトを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をトルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて晶析することにより精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｃ（６５ｇ、収率９１％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３５７［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ４ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｃ（６１ｇ）、化合物Ｌ４ｄ（５５０ｍｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（４９０ｍＬ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）二量体（６８０ｍｇ）および化合物Ｌ５ｄ（５４ｇ）を加え、１０５℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（９２０ｍＬ）に加え、攪拌し、ろ過した。得られた固体をトルエン（７５０ｍＬ）に溶解させた後、活性白土（７．５ｇ）を加え、６０℃で３０分間攪拌した。その後、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をトルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いた晶析により精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｅ（７０ｇ、収率８５％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５２１［Ｍ＋Ｋ］^＋

（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ４ｇの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｅ（６９ｇ）、化合物Ｌ４ｆ（４１ｇ）、トルエン（６９０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．７ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４２０ｇ）を加え、８５℃で２時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（２８０ｍＬ）を加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をトルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いた晶析により精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｇ（６６ｇ、収率９０％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｇのＨＰＬＣ面積百分率値は９６．０％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４９［Ｍ＋Ｋ］^＋

（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ４ｈの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｇ（６６ｇ）、化合物Ｌ５ｄ（３９ｇ）、［１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（２．１ｇ）、酢酸カリウム（３８ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）（６５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、トルエン（３３０ｍＬ）を加え、セライトを用いてろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮した後、トルエン（５５０ｍＬ）および活性炭（９．８ｇ）を加え、室温で１時間攪拌した。その後、セライトを用いてろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析することによりで精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｈ（５７ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｈのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５９７［Ｍ＋Ｋ］^＋

（Ｓｔａｇｅ５：化合物Ｌ４ｊの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｈ（５７ｇ）、化合物Ｌ４i（２４ｇ）、トルエン（５７０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．２ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３００ｇ）を加え、６４℃で４時間撹拌した。得られた反応液を５℃まで冷却し、５℃で１時間攪拌した後、ろ過した。得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をトルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いた再結晶晶析により精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｊ（４５ｇ、収率７４％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｊのＨＰＬＣ面積百分率値は９７．６％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５８８［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ６：化合物Ｌ４ｋの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｊ（４４ｇ）、化合物Ｌ５ｄ（２３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（１．２ｇ）、酢酸カリウム（２２ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）（４４０ｍＬ）を加え、８５℃で３時間攪拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、トルエン（３３０ｍＬ）を加え、セライトを用いてろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。その後、そこへ、トルエン（７５０ｍＬ）および活性炭（６．６ｇ）を加え、室温で１時間攪拌した後、セライトを用いてろ過した。得られたろ液を、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析により精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４ｋ（４１ｇ、収率８６％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４ｋのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．７％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６３６［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ７：化合物Ｌ４の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４ｋ（１５ｇ）、化合物Ｍ１ｂ（１０ｇ）、トルエン（３００ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２７０ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７０ｇ）を加え、７０℃で１時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを用いてろ過し、得られたろ液にトルエン（６０ｍＬ）を加えた。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。その後、そこへ、トルエン（３２０ｍＬ）および活性炭（２．３）を加え、室温で３０分攪拌した後、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧留去した。得られた残渣を、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、次いで、ｎ−ヘプタンを用いて洗浄することにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ４（１７ｇ、収率８３％）を白色固体として得た。化合物Ｌ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８４１［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１０．２９（ｄ，１Ｈ），９．２５（ｄ，２Ｈ），９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．６２（ｄ，２Ｈ），８．４１（ｓ，１Ｈ），８．１１（ｄ，３Ｈ），８．０２−７．９７（ｍｕｌｔ，３Ｈ），７．７７（ｄ，１Ｈ），７．７１−７．５５（ｍｕｌｔ，９Ｈ），７．４８（ｄ，４Ｈ），７．３９（ｄ，４Ｈ），２．２１（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｓ，１８Ｈ）．

＜実施例８＞ 金属錯体Ｍ４の合成（その２）

（Ｓｔａｇｅ１：金属錯体Ｍ４ａの合成）
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４（１６ｇ）および２−エトキシエタノール（２１０ｍＬ）を加え、９５℃まで昇温した。その後、そこへ、イオン交換水（２７ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（３．１ｇ）を加え、１２０℃で４時間攪拌した。得られた反応液から、水と２−エトキシエタノールの混合物（１５０ｍＬ）を留去した後、２−エトキシエタノール（１５０ｍＬ）を加え、１２５℃で１６時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（７０ｍＬ）を加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過し、得られた残渣を減圧乾燥した。得られた残渣を、トルエンおよびｎ−ヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ４ａ（１１ｇ）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ４ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．１％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９４６［Ｍ＋２Ｋ］^２＋

（Ｓｔａｇｅ２：金属錯体Ｍ４の合成）
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ４ａ（１０ｇ）、化合物Ｌ４（４．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（１．８ｇ）、２，６−ルチジン（７４０ｍｇ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（１１５ｍＬ）を加え、１５０℃で２時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４５０ｍＬ）を加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過し、得られた固体をトルエン（２３０ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣を、トルエンおよびｎ−ヘキサンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、次いで、トルエンおよびアセトニトリルを用いた晶析により精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ４（７．２ｇ、収率９１％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．３％であった。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２７１２［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．０２（ｄ，３Ｈ），８．７６（ｄ，６Ｈ），８．５９（ｄｄ，３Ｈ），８．１３（ｄ，３Ｈ），８．０９−８．０５（ｍｕｌｔ，９Ｈ），７．７７−７．７２（ｍｕｌｔ，１２Ｈ），７．５６（ｓ，６Ｈ），７．４８−７．２８（ｍｕｌｔ，４５Ｈ），７．１８（ｄ，３Ｈ），２．１５（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，５４Ｈ）．

＜比較例２＞ 金属錯体ＣＭ１の合成
金属錯体ＣＭ１は、特開２０１０−４３２４３号公報に記載の方法に従って合成した。

＜比較例２＞ 金属錯体ＣＭ２の合成
金属錯体ＣＭ２は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜比較例３＞ 金属錯体ＣＭ３の合成
金属錯体ＣＭ３は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に従って合成した。

＜測定例１＞ 金属錯体Ｍ３のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体Ｍ３のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６１５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは７１％であった。

＜測定例２＞ 金属錯体Ｍ４のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
実施例４で合成した金属錯体Ｍ４のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６２２ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは６７％であった。

＜測定例３＞ 金属錯体Ｍ５のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体Ｍ５のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６２６ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは５９％であった。

＜測定例Ｃ１＞ 金属錯体ＣＭ１のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体ＣＭ１のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。５９８ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは６６％であった。

＜測定例Ｃ２＞ 金属錯体ＣＭ２のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体ＣＭ２のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６１３ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは５９％であった。

＜測定例Ｃ３＞ 金属錯体ＣＭ３のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体ＣＭ１のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＰＬＱＹは５７％であった。

金属錯体Ｍ３〜Ｍ５および金属錯体ＣＭ１〜ＣＭ３の発光スペクトルの最大ピーク波長とＰＬＱＹとの関係を示す図１に示されるとおり、本発明の金属錯体は、赤色燐光発光を示す金属錯体であって、量子収率に優れる金属錯体であることがわかる。

Claims (10)

1. 下記式（１）で表される金属錯体（但し、下記のＩｒ（Ｌ３９）_３、Ｉｒ（Ｌ４８）_３、Ｉｒ（Ｌ５７）_３、Ｉｒ（Ｌ７６）_３、Ｉｒ（Ｌ７８）_３、Ｉｒ（Ｌ７９）_３、Ｉｒ（Ｌ１０４）_３、Ｉｒ（Ｌ１０８）_３、Ｉｒ（Ｌ１３１）_３ 、Ｉｒ（Ｌ１７６）_３ 、Ｉｒ（Ｌ２０９）_３ 、Ｉｒ（Ｌ２１６） _３ 及びＩｒ（Ｌ２２２）_３を除く。）。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基、または、２つ以上の環が縮合した複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^１およびＡｒ^２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基または置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、および、Ｒ^１５とＲ^１６は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
   

   

   

   

   
2. 前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が、下記式（２−１）または（２−２）で表される芳香族炭化水素基である、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲ^２は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^２同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
3. 前記Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６からなる群から選ばれる少なくとも１つが、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である、請求項１または２に記載の金属錯体。
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、芳香族炭化水素基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基を表し、この基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、芳香族炭化水素基を表し、この基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基を表し、この基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
4. 前記Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６からなる群から選ばれる少なくとも１つが、下記式（３−１）または（３−２）で表される基である、請求項３に記載の金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^３１、Ｒ^３２およびＲ^３３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基または置換アミノ基を表す。Ｒ^３１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^３２は、同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^３３は、同一でも異なっていてもよい。］
5. 前記Ｒ^１４が、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である、請求項３または４に記載の金属錯体。
6. 前記Ｒ^１４が、前記式（３−１）または（３−２）で表される基である、請求項５に記載の金属錯体。
7. 前記Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６が、水素原子である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
9. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体を発光層に用いて得られる発光素子。
10. 下記式（１Ｍ）で表される化合物（但し、下記のＬ３９、Ｌ４８、Ｌ５７、Ｌ７６、Ｌ７８、Ｌ７９、Ｌ１０４、Ｌ１０８、Ｌ１３１、Ｌ１７６、Ｌ２０９、Ｌ２１６及びＬ２２２を除く。）。
    

    

    ［式中、
    Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、２つ以上の環が縮合した芳香族炭化水素基、または、２つ以上の環が縮合した複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
    Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基または置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、および、Ｒ^１５とＲ^１６は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
    

    

    

    

    

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