JP6447393B2 - 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6447393B2 JP6447393B2 JP2015135370A JP2015135370A JP6447393B2 JP 6447393 B2 JP6447393 B2 JP 6447393B2 JP 2015135370 A JP2015135370 A JP 2015135370A JP 2015135370 A JP2015135370 A JP 2015135370A JP 6447393 B2 JP6447393 B2 JP 6447393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- rotary table
- film forming
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 191
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 121
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 39
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 21
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
- C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側に基板を載置し、前記回転テーブルを回転させることにより基板を公転させながら当該基板に対して処理ガスを供給して成膜処理する成膜処理装置において、
前記真空容器内の基板の熱処理領域全体を加熱する第1の加熱部と、
前記回転テーブルに載置された基板に対応して当該回転テーブルに対向して設けられ、基板を同心形状の面内温度分布で加熱するための第2の加熱部と、
前記回転テーブルの一面側に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記回転テーブル上の基板が前記第2の加熱部に対応する位置に置かれるように当該回転テーブルの回転位置を設定し、前記基板を前記第2の加熱部により加熱して当該基板に同心形状の面内温度分布を形成する第1のステップと、次いで前記基板が第2の加熱部から受ける加熱エネルギーを、前記第1のステップよりも小さくした状態で、前記回転テーブルを回転させながら前記処理ガスを供給して基板に対して成膜処理を行う第2のステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
第1の加熱部と、前記回転テーブルに載置された基板に対応して当該回転テーブルに対向して設けられた第2の加熱部と、を用い、
前記真空容器内の基板の熱処理領域全体を第1の加熱部により加熱する工程と、
前記回転テーブル上の基板が前記第2の加熱部に対応する位置に置かれるように当該回転テーブルの回転位置を設定し、前記基板を前記第2の加熱部により加熱して当該基板に同心形状の面内温度分布を形成する第1の工程と、
次いで前記基板が第2の加熱部から受ける加熱エネルギーを、前記第1の工程よりも小さくした状態で、前記回転テーブルを回転させながら基板に対して処理ガスを供給して成膜処理を行う第2の工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の成膜処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
評価試験1
評価試験1−1として、既述した成膜処理装置1の成膜処理と略同様の成膜処理によってウエハWにTiO2膜を形成した。この評価試験1−1の成膜処理では、上記の成膜処理との差異点として、既述のALDのサイクル実施時に、ウエハWに同心円状の温度分布は形成していない。また、この評価試験1−1の成膜処理では処理を行うたびに、上記のサイクル実施中のウエハWの温度を150℃〜180℃の範囲内で変更した。各成膜処理後のウエハWについては、TiO2膜の膜厚を測定し、測定された膜厚を成膜を行った時間で除したデポレート(単位:nm/分)を算出した。
評価試験2−1〜2−3として、図1で示した成膜処理装置1と略同様に構成された成膜処理装置の回転テーブル2にウエハWを載置してヒーターで加熱した後に、昇降ピン27によってヒーターとウエハWとの距離を変更し、然る後にヒーターへの電力供給を停止させた。このように昇降ピン27及びヒーターの動作を制御する一方で、ウエハWの各部に設けられた熱電対を用いて当該ウエハWの各部の温度の推移を調べた。この評価試験2の成膜処理装置では、ヒーター43が設けられず、ヒーター42を回転テーブル2の周方向に沿って同心円状に形成し、上記のウエハWの加熱を行った。
1 成膜処理装置
10 制御部
11 真空容器
2 回転テーブル
22 駆動機構
23 凹部
31 原料ガスノズル
42、43 ヒーター
43A〜43E ヒーター素子
Claims (7)
- 真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側に基板を載置し、前記回転テーブルを回転させることにより基板を公転させながら当該基板に対して処理ガスを供給して成膜処理する成膜処理装置において、
前記真空容器内の基板の熱処理領域全体を加熱する第1の加熱部と、
前記回転テーブルに載置された基板に対応して当該回転テーブルに対向して設けられ、基板を同心形状の面内温度分布で加熱するための第2の加熱部と、
前記回転テーブルの一面側に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記回転テーブル上の基板が前記第2の加熱部に対応する位置に置かれるように当該回転テーブルの回転位置を設定し、前記基板を前記第2の加熱部により加熱して当該基板に同心形状の面内温度分布を形成する第1のステップと、次いで前記基板が第2の加熱部から受ける加熱エネルギーを、前記第1のステップよりも小さくした状態で、前記回転テーブルを回転させながら前記処理ガスを供給して基板に対して成膜処理を行う第2のステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。 - 前記回転テーブルを前記第2の加熱部に対して相対的に接近、離隔させるための接離機構を備え、
前記回転テーブルと前記第2の加熱部との間の離間距離は、前記第1のステップよりも第2のステップの方が大きいことを特徴とする請求項1記載の成膜処理装置。 - 前記第2の加熱部の発熱量は、前記第1のステップよりも第2のステップの方が小さいことを特徴とする請求項1または2記載の成膜処理装置。
- 前記制御部は、前記第1のステップ及び第2のステップを繰り返し行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の成膜処理装置。
- 前記制御部は、前記成膜処理後の基板を真空容器から搬出する前に、前記回転テーブル上の基板全体を、前記第1のステップ時において同心形状の面内温度分布を形成したときの基板面内における最高温度以上の温度に前記第2の加熱部により加熱するステップを実行するように制御信号を出力することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の成膜処理装置。
- 真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側に基板を載置し、前記回転テーブルを回転させることにより基板を公転させながら当該基板に対して処理ガスを供給して成膜処理する方法において、
第1の加熱部と、前記回転テーブルに載置された基板に対応して当該回転テーブルに対向して設けられた第2の加熱部と、を用い、
前記真空容器内の基板の熱処理領域全体を第1の加熱部により加熱する工程と、
前記回転テーブル上の基板が前記第2の加熱部に対応する位置に置かれるように当該回転テーブルの回転位置を設定し、前記基板を前記第2の加熱部により加熱して当該基板に同心形状の面内温度分布を形成する第1の工程と、
次いで前記基板が第2の加熱部から受ける加熱エネルギーを、前記第1の工程よりも小さくした状態で、前記回転テーブルを回転させながら基板に対して処理ガスを供給して成膜処理を行う第2の工程と、を含むことを特徴とする成膜処理方法。 - 真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側に基板を載置し、前記回転テーブルを回転させることにより基板を公転させながら当該基板に対して処理ガスを供給して成膜処理する成膜処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6記載の成膜処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015135370A JP6447393B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
KR1020160081532A KR102030882B1 (ko) | 2015-07-06 | 2016-06-29 | 성막 처리 장치, 성막 처리 방법 및 기억 매체 |
US15/200,258 US20170009345A1 (en) | 2015-07-06 | 2016-07-01 | Film-forming processing apparatus, film-forming method, and storage medium |
TW105121061A TWI652373B (zh) | 2015-07-06 | 2016-07-04 | 成膜處理方法、成膜處理裝置以及記憶媒體 |
US16/750,390 US20200157683A1 (en) | 2015-07-06 | 2020-01-23 | Film-forming processing apparatus, film-forming method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015135370A JP6447393B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017014602A JP2017014602A (ja) | 2017-01-19 |
JP6447393B2 true JP6447393B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=57730708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015135370A Active JP6447393B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20170009345A1 (ja) |
JP (1) | JP6447393B2 (ja) |
KR (1) | KR102030882B1 (ja) |
TW (1) | TWI652373B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7145648B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
TWI837391B (zh) | 2019-06-26 | 2024-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
JP7325350B2 (ja) | 2020-02-03 | 2023-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121342A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
US20010001384A1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-05-24 | Takeshi Arai | Silicon epitaxial wafer and production method therefor |
KR100319494B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2002-01-09 | 김용일 | 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치 |
US6576062B2 (en) * | 2000-01-06 | 2003-06-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
JP4380236B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2009-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び熱処理装置 |
CN100358097C (zh) * | 2005-08-05 | 2007-12-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体工艺处理系统及其处理方法 |
JP4983159B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP5358956B2 (ja) | 2008-01-19 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台装置、処理装置、温度制御方法及び記憶媒体 |
US8465591B2 (en) * | 2008-06-27 | 2013-06-18 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
US8465592B2 (en) * | 2008-08-25 | 2013-06-18 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
US8808456B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and substrate process apparatus |
JP5195175B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5276388B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び基板処理装置 |
US8961691B2 (en) * | 2008-09-04 | 2015-02-24 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, computer readable storage medium for storing a program causing the apparatus to perform the method |
JP2010084230A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及び回転テーブル |
JP5253932B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2010073823A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
JP5062144B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスインジェクター |
JP5062143B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5445044B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5031013B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 |
US9297072B2 (en) * | 2008-12-01 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
JP5083193B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
CN101768731B (zh) * | 2008-12-29 | 2012-10-17 | K.C.科技股份有限公司 | 原子层沉积装置 |
US20100227059A1 (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer readable storage medium |
JP5141607B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5131240B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5287592B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5434484B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5553588B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5482196B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5396264B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5599350B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013038169A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JP5696619B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2015-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5758829B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | ボロン含有シリコン酸炭窒化膜の形成方法およびシリコン酸炭窒化膜の形成方法 |
JP5794194B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5842750B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP5953994B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5861583B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5859927B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6040609B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP6010451B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6195528B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2017-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
KR102135740B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2020-07-20 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6294151B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2018-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6294194B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US10273578B2 (en) * | 2014-10-03 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Top lamp module for carousel deposition chamber |
JP6330630B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6407762B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
2015
- 2015-07-06 JP JP2015135370A patent/JP6447393B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-29 KR KR1020160081532A patent/KR102030882B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-01 US US15/200,258 patent/US20170009345A1/en not_active Abandoned
- 2016-07-04 TW TW105121061A patent/TWI652373B/zh active
-
2020
- 2020-01-23 US US16/750,390 patent/US20200157683A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170009345A1 (en) | 2017-01-12 |
KR102030882B1 (ko) | 2019-10-10 |
TWI652373B (zh) | 2019-03-01 |
US20200157683A1 (en) | 2020-05-21 |
KR20170005761A (ko) | 2017-01-16 |
JP2017014602A (ja) | 2017-01-19 |
TW201716622A (zh) | 2017-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11020760B2 (en) | Substrate processing apparatus and precursor gas nozzle | |
TWI514507B (zh) | 基板處理裝置 | |
CN104862668B (zh) | 利用旋转台的基板处理装置 | |
TWI494459B (zh) | 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體 | |
JP6123688B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5780062B2 (ja) | 基板処理装置及び成膜装置 | |
JP5093162B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
TWI613312B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2010050439A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011096986A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
TW201028497A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer readable storage medium | |
US20220157628A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate suppport and method of manufacturing semiconductor device | |
US9735007B2 (en) | Method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP2017139430A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP6557992B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5173685B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、並びにこの成膜方法を成膜装置に実施させるプログラムおよびこれを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 | |
US11390948B2 (en) | Film forming apparatus | |
US20200157683A1 (en) | Film-forming processing apparatus, film-forming method, and storage medium | |
JP2011029441A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US20180258527A1 (en) | Film Forming Apparatus | |
JP7079340B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP2005142355A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR102478901B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 | |
JP6481363B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP6906439B2 (ja) | 成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171107 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6447393 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |