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CN104862668B - 利用旋转台的基板处理装置 - Google Patents

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CN104862668B CN201510087374.6A CN201510087374A CN104862668B CN 104862668 B CN104862668 B CN 104862668B CN 201510087374 A CN201510087374 A CN 201510087374A CN 104862668 B CN104862668 B CN 104862668B
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Abstract

一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及3个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正三角形的顶点，并分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。

Description

利用旋转台的基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种向设于真空容器内的旋转台上的基板供给气体并进行处理的基板处理装置。
背景技术
作为在半导体晶圆等基板(以下称作“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法，公知有进行ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)的成膜装置。在该成膜装置中，在其内部被排气而成为真空气氛的处理容器内设有水平的旋转台，在该旋转台上沿其周向设有多个用于收纳晶圆的凹部。通过旋转台的间歇性的旋转和在上述凹部的底面上升降的升降销的动作，依次向凹部交接晶圆。
在交接晶圆之后，上述旋转台进行旋转，同时从与该旋转台相对的多个气体喷嘴供给气体。作为上述气体喷嘴，例如交替配置有为了形成上述氧化硅膜而供给处理气体并形成处理气氛的气体喷嘴和供给用于在旋转台上分离各种处理气氛的分离气体的气体喷嘴。
发明内容
发明要解决的问题
为了提高晶圆的膜质，研究了如下内容：使上述成膜装置进行处理时的晶圆的温度比以往的温度高，设为进行退火的600℃以上。在如此进行处理的情况下，在向上述凹部交接晶圆之后，为了迅速开始成膜处理，晶圆交接时的旋转台的温度也例如设为600℃以上。
但是，确认了如下内容：若将晶圆载置在形成为这样高温的上述凹部的底面上，则该晶圆产生了翘曲。发明人考虑这是因为，在从载置于上述底面上起的预定的时间内，相对于晶圆整体的面积向该晶圆流动的热量较大，即朝向晶圆的热通量较大，因此晶圆的面内的各部分的温度以具有比较大的差的状态上升。在翘曲产生之后，若晶圆的温度进一步上升，则上述凹部的底面与上述晶圆成为热平衡状态，通过晶圆的面内的热传导使该面内的温度梯度(温度差)变缓和，消除晶圆的翘曲。
在如上所述晶圆翘曲的状态下，有时该晶圆成为比上述凹部的侧壁的上端向上方突出的状态。若在该状态下使旋转台旋转，则有可能该晶圆干扰构成后述的分离区域的、真空容器的顶部。另外，在由于翘曲使晶圆的周缘部突出到凹部的侧壁上的状态下，若上述旋转台旋转，则有可能在离心力的作用下该周缘部爬到上述侧壁上、晶圆自上述凹部脱离。另外，如果晶圆以晶圆的下表面向下方突出的方式发生翘曲，从而该晶圆的下表面与上述凹部的底面之间的接触面积变小，则也会担心在上述旋转台旋转时产生的离心力和惯性力的作用下凹部内的晶圆的位置向旋转方向偏移。这种晶圆的翘曲除了由朝向晶圆的热通量较大引起以外，也由对上述旋转台加热的加热器的特性引起，还有可能由以下原因导致：晶圆交接时在上述凹部的底面内形成有温度分布，结果在晶圆的面内形成温度梯度。
根据这种情况，在向一个凹部交接了晶圆之后，直到晶圆的翘曲被缓和之前都无法进行上述旋转台的旋转，因此难以谋求成膜装置的生产率的提高。以往，公知有在上述凹部的底面上设置用于支承基板的突起的技术，但是并未研究如上所述在高温下对晶圆进行处理而产生的问题。
本发明提供一种在形成真空气氛并向基板供给气体以进行处理的基板处理装置中能够防止被交接到旋转台上的基板发生翘曲、由此能够提高装置的生产能力的技术。
用于解决问题的方案
本发明的基板处理装置一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及
6个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正六边形的顶点，并分别对与上述基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。
本发明的其他基板处理装置一边在真空容器内使载置在旋转台上的上述基板公转一边对基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；
底面形成部，其在上述旋转台上构成用于载置上述基板的凹部的底面；以及
台主体，其在上述旋转台上构成上述底面的外侧；
为了提高上述底面内的温度的均匀性并抑制上述基板的面内的温度差，上述底面形成部构成为以导热性比上述台主体的导热性高的材质为主要成分。
本发明的另一其他基板处理装置一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及
多个支承销，其为了以使上述基板自上述凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设于该底面；
为了抑制从上述凹部的底面向上述基板的传热速度，相对于支承于上述支承销的上述基板的一面的整体的面积，该一面的与上述支承销相接触的面积的比例为8％～12％。
附图说明
添加的附图被作为本说明书的一部分编入并表示本申请的实施方式，与上述的一般说明和后述的实施方式的详细内容一起说明本申请的概念。
图1是本发明的第1实施方式的成膜装置的纵剖视图。
图2是表示上述成膜装置的内部的概略结构的立体图。
图3是上述成膜装置的横剖视图。
图4是上述成膜装置的旋转台的凹部的俯视图。
图5是上述旋转台的纵剖视图。
图6是比较例的旋转台的纵剖视图。
图7是比较例的旋转台的纵剖视图。
图8是上述旋转台的纵剖视图。
图9是上述旋转台的纵剖视图。
图10是上述旋转台的纵剖视图。
图11是上述成膜装置的真空容器的沿着周向的纵剖视图。
图12是上述成膜装置的真空容器的沿着周向的纵剖视图。
图13是上述成膜装置的真空容器的沿着周向的纵剖视图。
图14是表示成膜处理中的气体的流动的说明图。
图15是上述旋转台的纵剖视图。
图16是上述旋转台的纵剖视图。
图17是比较例的旋转台的纵剖视图。
图18是比较例的旋转台的纵剖视图。
图19是第2实施方式的旋转台的凹部的俯视图。
图20是上述旋转台的纵剖视图。
图21是上述旋转台的纵剖视图。
图22是第2实施方式的变形例的旋转台的纵剖视图。
图23是第3实施方式的旋转台的凹部的俯视图。
图24是上述旋转台的纵剖视图。
图25是上述旋转台的纵剖视图。
图26是第3实施方式的变形例的旋转台的凹部的俯视图。
图27是第1实施方式的第1变形例的上述凹部的俯视图。
图28是第1实施方式的第2变形例的上述凹部的俯视图。
图29是第1实施方式的第3变形例的上述凹部的俯视图。
图30是第1实施方式的第4变形例的上述凹部的俯视图。
具体实施方式
以下，参照添加附图详细说明本申请的各种实施方式。在下述的详细说明中，为了能够充分地理解本申请而给出了很多具体的详细内容。但是，没有这种详细的说明本领域技术人员就能够获得本申请是不言自明的。在其他例子中，为了避免难以理解各种实施方式，对公知的方法、顺序、系统、构成元件并未详细示出。
(第1实施方式)
这是本发明的基板处理装置的一实施方式，一边参照图1～图3一边说明对作为例如由硅构成的基板的晶圆W进行ALD的成膜装置1。图1是成膜装置1的纵剖视图，图2是表示成膜装置1的内部的概略立体图，图3是成膜装置1的横剖视图。成膜装置1包括大致圆形状的扁平的真空容器(处理容器)11和设于真空容器11内的圆板状的水平的旋转台2。真空容器11由顶板12和构成真空容器11的侧壁与底部的容器主体13构成。在图1中，附图标记14是堵塞容器主体13的下侧中央部的罩。
旋转台2由石英构成，并连接于旋转驱动机构15，利用该旋转驱动机构15绕其中心轴线在周向上旋转。在旋转台2的表面侧(一面侧)，沿着上述旋转方向形成有5个圆形的凹部21。在该凹部21内收纳有晶圆W。晶圆W构成为其直径为300mm的圆形。凹部21的直径形成得稍微大于上述晶圆W的直径，凹部21的侧壁沿着晶圆W的外形而形成。通过旋转台2的旋转，凹部21内的晶圆W绕上述旋转台2的中心轴线公转。关于凹部21的结构，后面进行详细说明。
在真空容器11的侧壁上，晶圆W的输送口16开口，并构成为利用闸阀17开闭自如。成膜装置1的外部的晶圆输送机构18能够经由输送口16进入真空容器11内。晶圆输送机构18向与输送口16相面对的凹部21交接晶圆W。
在旋转台2上，依次沿周向配置有分别从旋转台2的外周朝向中心延伸的棒状的第1反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33以及分离气体喷嘴34。这些气体喷嘴31～气体喷嘴34在下方具有开口部35，分别沿着旋转台2的直径供给气体。第1反应气体喷嘴31喷出BTBAS(双叔丁基氨基硅烷)气体，第2反应气体喷嘴33喷出O3(臭氧)气体。分离气体喷嘴32、34喷出N2(氮)气体。
上述真空容器11的顶板12包括向下方突出的扇状的两个突状部41，突状部41在周向上隔开间隔地形成。上述分离气体喷嘴32、34设置为，分别嵌入突状部41内，并且在周向上分割该突状部41。上述第1反应气体喷嘴31和第2反应气体喷嘴33设置为与各个突状部41分开。将第1反应气体喷嘴31的下方的气体供给区域作为第1处理区域P1，将第2反应气体喷嘴33的下方的气体供给区域作为第2处理区域P2。突状部41、41的下方构成为要供给来自分离气体喷嘴32、34的N2(氮)气体的分离区域D、D。
在真空容器11的底面上，在旋转台2的径向外侧设有环板36，在该环板36上，沿旋转台2的旋转方向隔开间隔地开设有排气口37、37。各个排气口37与排气管38的一端连接，各个排气管38的另一端合流，并经由排气量调整机构39连接于由真空泵构成的排气机构30。利用排气量调整机构39调整来自各个排气口37的排气量，由此调整真空容器11内的压力。
在旋转台2的中心部区域C上的空间内，构成为利用气体供给管43供给有N2气体。该N2气体作为吹扫气体经由呈环状向顶板12的中央部下方突出的环状突出部42的下方的流路而向旋转台2的径向外侧流动。环状突出部42的下表面构成为与形成上述分离区域D的突状部41的下表面连续。
在图1中，附图标记44是用于在成膜处理中向旋转台2的下方供给N2气体作为吹扫气体的气体供给管。另外，在真空容器11的底部呈环状形成有加热器收纳空间45，在该加热器收纳空间45内，沿着旋转台2的旋转方向呈俯视同心圆状设有多个加热器46。在图1中，附图标记47是用于堵塞加热器收纳空间45的上侧的板，设有供后述的升降销53通过的通孔48。利用加热器46的辐射热对板47进行加热，进而利用来自该板47的辐射热对旋转台2进行加热，从而对晶圆W进行加热。在图1中，附图标记49是用于在成膜处理中向上述加热器收纳空间45内供给N2气体作为吹扫气体的气体供给管。
在真空容器11的容器主体13的底部，以与上述板47的通孔48重叠的方式穿设有3个沿上下方向贯穿该底部的通孔51(为了便于图示，在图1中仅表示两个)。以从容器主体13的下方侧堵塞通孔51的方式设有有底的筒状体52，在该筒状体52内设有3个升降销53。这些升降销53设置为分别进入上述通孔51内，并且与设于筒状体52的外侧的驱动机构54相连接，构成为利用该驱动机构54升降自如。
接着，也一边参照作为旋转台2的凹部21的俯视图的图4一边说明该凹部21的结构。在凹部21的底面22上设有3个通孔23，上述升降销53能够经由该通孔23在旋转台2的上方升降。在凹部21的底面22的周缘部上呈环状形成有槽24。槽24具有当该晶圆W以晶圆W的周端部比晶圆W的中央部更朝向下方的方式发生翘曲时、防止上述周端部与凹部21的底面22发生摩擦的作用，但是也可以不设置该槽24来构成凹部21。
在底面22上设有3个支承销25。支承销25构成为圆柱形，例如由石英构成。图4所示的支承销25的直径L1例如为10mm。另外，图1所示的支承销25的高度H1例如为0.6mm。在图4中，点P是底面22的中心，以晶圆W的中心与该点P重叠的方式将晶圆W交接到底面22上。在附图中，附图标记Q1、Q2、Q3表示各个支承销25的上表面的中心点。这些点Q1、Q2、Q3依次位于以上述点P为中心的圆(在图4中用双点划线表示)的圆周上，该双点划线的圆的直径L2为200mm。另外，线段PQ3与线段PQ1的夹角θ1、线段PQ1与线段PQ2的夹角θ2以及线段PQ2与线段PQ3的夹角θ3分别为120°。这样，晶圆W被支承销25支承的各个位置与晶圆W的中心分开晶圆W的半径的2/3，而且，如图4所示，各个支承销25设置为位于正三角形的顶点。
然而，本发明也能够应用于直径为450mm的晶圆W(以下，记载为450mm晶圆W)。在支承该450mm晶圆W的情况下，也以能够对与该晶圆W的中心分开了晶圆W的半径的2/3的点、即与晶圆W的中心分开了150mm的点进行支承的方式配置支承销25。而且，与支承直径为300mm的晶圆W(以下，记载为300mm晶圆W)的情况一样，在底面22上以位于正三角形的顶点的方式配置有各个支承销25。
但是，由于无法避免产生装置的制造误差、基板的直径的误差等，因此即使支承销25的位置从在已述的凹部21的底面22上成为正三角形的顶点的、并且分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承的位置偏移了1mm，也包含于本发明的保护范围内。具体地说，例如在支承300mm晶圆W的情况下，当沿300mm晶圆W的径向观察时，在上述说明中说明了支承销25支承与晶圆W的中心分开了100mm的位置的情况，但是即使是设置为支承与晶圆W的中心分开了99mm～101mm的位置的情况也包含于本发明的保护范围内。不仅是径向上，而且晶圆W的周向上的支承位置偏移了1mm的情况也属于本发明的保护范围，因此上述θ1～θ3也并不准确地限于120°。
如图5所示，利用这些支承销25，晶圆W自底面22浮起而被支承，由此抑制从该底面22向晶圆W的传热速度、即热通量。详细地说，在交接晶圆W时，旋转台2被加热器46加热。在未设有支承销25的情况下，晶圆W直接接触凹部21的底面22。即，晶圆W的下表面的整体或者大致整体接触旋转台2，因此晶圆W与旋转台2之间的接触面积比较大。因而，从旋转台2向晶圆W的传热速度较大。而且，如此载置于底面22的晶圆W受到例如形成于该底面22内的温度分布的影响，在该面内的各部分形成有温度差的状态下被急速地传热。作为结果，在晶圆W的面内的各部分之间的上述温度差未被缓和的状态下，晶圆W温度急速上升，如背景技术部分中所说明的那样晶圆W产生翘曲。
但是，通过设置上述支承销25，从而晶圆W的下表面的与旋转台2之间的接触面积成为3个支承销25的上表面的面积之和，因此被抑制得较小，由此抑制了从旋转台2向晶圆W的传热速度。从支承销25向晶圆W传递的热量在晶圆W的面内扩散。由于抑制了从旋转台2向晶圆W的传热速度，因此热量在晶圆W的面内被充分地扩散，晶圆W的面内的各部分的温度梯度被缓和，并且该晶圆W的面内的各部分的温度上升。这样，抑制在晶圆W的面内形成温度梯度，并且对晶圆W进行加热，因此抑制晶圆W产生翘曲或翘曲变大。
然而，将各个支承销25配置在已述的位置的目的在于，当将晶圆W交接到支承销25上时，抑制该晶圆W的由自重引起的挠曲，将该晶圆W以成为平板或者大致平板的方式载置在底面22上。为了便于说明，作为比较例示出了图6、图7。在图6中示出了将各个支承销25配置在比图4、图5所示的位置与凹部21的中心P分开的位置、且在如此配置的支承销25上支承有晶圆W的状态。该晶圆W因自重而以其中央部比周缘部低的方式挠曲的状态被支承。在图7中示出了将各个支承销25配置在比图4所示的位置靠近凹部21的中心P的位置、且在如此配置的支承销25上支承有晶圆W的状态。该晶圆W因自重而以其中央部比周缘部高的方式挠曲的状态被支承。
在图6、图7的支承销25的配置中，晶圆W的挠曲较大，晶圆W的面内的各部分与上述底面22之间的距离的均匀性较低。由此晶圆W的面内的各部分自上述底面22受到的辐射热的热量的均匀性较低，在晶圆W的面内易于形成温度差。另外，若以挠曲比图6、图7所示的状态大的方式支承晶圆W，且晶圆W的一部分接触底面22，则该部位因热传导而使温度急速上升，因此晶圆W的面内的各部分的温度差进一步变大。
但是，在图4、图5的支承销25的配置中，与图6、图7的支承销25的配置相比，能够抑制上述挠曲地载置晶圆W，由此，在晶圆W的面内自底面22受到的辐射热的均匀性较高，而且，也能够防止晶圆W与底面22的接触。因而，能够抑制晶圆W的面内的各部分的温度差，能够防止晶圆W发生翘曲或翘曲变大。另外，如果如图4、图5那样抑制挠曲地支承晶圆W，则即使在晶圆W发生翘曲的情况下，也能够抑制晶圆W向凹部21的上方突出的高度，后面说明这一点。
支承销25的高度H1(参照图1)并不限于上述值，为了利用来自底面22的辐射热高效地对晶圆W进行加热，并且防止晶圆W自凹部21突出，例如将支承销25的高度H1设定为0.01mm～1mm。另外，支承销25的直径L1(参照图4)也并不限于上述值，能够设定在能够在凹部21与晶圆W之间获得充分的摩擦力以使得在旋转台2的旋转过程中晶圆W不会自凹部21脱离、并且能够有效地抑制向晶圆W的传热的范围内，具体地说，例如设为5mm～20mm。
返回到图2、图3，说明成膜装置1的其他各部分。在附图中，附图标记55是清洁气体喷嘴，该清洁气体喷嘴55从其顶端向旋转台2上喷出例如作为ClF3(三氟化氯)等氟系气体的清洁气体。氟系气体是含有氟或氟化合物作为主要成分的气体。所喷出的清洁气体从旋转台2的周缘部朝向中心部供给，去除被成膜于旋转台2的氧化硅。
如图1所示，在该成膜装置1中设有用于进行装置整体的动作的控制的、由计算机构成的控制部10。如后所述，在该控制部10内存储有用于执行晶圆输送机构18与旋转台2之间的晶圆W的交接、对晶圆W的成膜处理以及清洁处理的程序。上述程序向成膜装置1的各部分发送控制信号，并控制各部分的动作。
具体地说，控制各种气体从未图示的气体供给源向各个气体喷嘴31～气体喷嘴34、清洁气体喷嘴55、中心部区域C等的供给与断开供给、基于旋转驱动机构15的旋转台2的旋转速度的控制、基于排气量调整机构39的来自各个排气口37、37的排气量的调整、基于驱动机构54的升降销53的升降、向加热器46的电力供给等各个动作。在上述程序中，控制这些动作，编入步骤组以执行后述的各个处理。从硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质将该程序安装到控制部10内。
接着，一边参照图8～图13一边说明晶圆W从晶圆输送机构18向旋转台2的交接。图8～图10表示旋转台2的径向上的纵剖面，图11～图13表示真空容器11的沿着旋转台2的周向的纵剖面。首先，真空容器11内被排气口37、37排气而成为预定压力的真空气氛。为了防止真空容器11内的气氛流入这些中心部区域C、分离气体喷嘴32、34而从中心部区域C和分离气体喷嘴32、34供给极少量的N2气体。
在上述真空气氛下，利用加热器46将旋转台2加热到600℃以上、例如720℃，旋转台2的一个凹部21位于其通孔23与旋转台2的下方的板47的通孔48重叠的位置。将该凹部21的位置表记为与输送口16相面对的位置。在这种状态下打开闸阀17，保持着晶圆W(第1张晶圆W)的晶圆输送机构18从输送口16进入真空容器11内，而位于上述凹部21上(图8)。
当升降销53上升并自晶圆输送机构18顶起晶圆W的下表面时(图9)，晶圆输送机构18为了接收接下来输送到真空容器11内的晶圆W(第2张晶圆W)而自真空容器11退避。升降销53下降，晶圆W因其自重以挠曲的状态被支承在升降销53上，并且朝向凹部21的底面22下降，如利用图4说明的那样，以晶圆W的中心点与凹部21的中心P重叠的方式被交接到支承销25(图10)。升降销53进一步下降，自晶圆W的下表面离开，并在板47的下方静止。晶圆W利用支承销25如利用图5所说明的那样抑制了由自重引起的挠曲，以成为平板的状态被支承。在图11中也示出了如此被支承于支承销25的晶圆W。
所支承的晶圆W被来自支承销25的热传导和来自凹部21的底面22的辐射热加热。如上所述，支承销25与晶圆W之间的接触面积较小，因此抑制了朝向晶圆W的热通量，抑制了在晶圆W的面内形成温度梯度、即温度差。由此，抑制了晶圆W产生翘曲，并且该晶圆W被升温。
在上述升降销53静止之后，旋转台2旋转，交接有上述第1张晶圆W的凹部21的相邻的凹部21朝向与输送口16相面对的位置移动。在该旋转台2的旋转中，上述第1张晶圆W被抑制了翘曲的产生，因此收纳于凹部21内。即，抑制了该晶圆W向凹部21的上方的突出。因而，该第1张晶圆W难以受到形成于旋转台2的上表面的排气流的压力。因此，即使作用有由旋转台2的旋转引起的离心力，也将施加于该第1张晶圆W的力抑制得较小，防止了该第1张晶圆W在凹部21内的位置偏移、自凹部21的脱离。
当上述相邻的凹部21位于与输送口16相面对的位置时，旋转台2的旋转停止，第2张晶圆W与第1张晶圆W相同地被交接到该凹部21，并被加热(图12)。接着，为了进行第3张晶圆W的交接，旋转台2旋转，输送有第2张晶圆W的凹部21的相邻的凹部21向与上述输送口16相面对的位置移动。在该旋转中也抑制了翘曲，因此防止了第1张晶圆W和第2张晶圆W的位置偏移、自凹部21的脱离。另外，在该旋转中，升温中的第1张晶圆W通过形成分离区域D的突状部41和分离气体喷嘴34的下方(图11)。如上所述抑制了翘曲，该第1张晶圆W未向凹部21的上方突出，因此该第1张晶圆W能够不干扰突状部41和分离气体喷嘴34地进行移动。
第3张晶圆W也与第1张、第2张晶圆W相同地被交接到凹部21，并被加热。之后也重复进行旋转台2的旋转和停止，第4张、第5张晶圆W被交接到凹部21。而且，在该交接动作中，在旋转台2旋转时被交接到各个凹部21的晶圆W分别被抑制了翘曲，因此不会干扰各个突状部41、分离气体喷嘴32、34以及第1、第2反应气体喷嘴31、33地一边移动一边被加热。另外，也抑制了凹部21内的位置偏移、自凹部21的脱离。
第5张晶圆W向凹部21交接之后，关闭闸阀17。然后，已停止的旋转台2旋转，所有的晶圆W的温度上升以使旋转台2的温度成为例如720℃。然后，若从第5张晶圆W的交接起经过预定的时间，则N2气体向分离气体喷嘴32、34和中心部区域C的供给量上升，来自这些各部分的N2气体的喷出量上升。另外，与该N2气体的喷出量的增大同时地分别从第1反应气体喷嘴31、第2反应气体喷嘴33供给反应气体，开始进行成膜处理。
晶圆W交替通过第1反应气体喷嘴31的下方的第1处理区域P1与第2反应气体喷嘴33的下方的第2处理区域P2，BTBAS气体吸附于晶圆W，接着O3气体吸附并将BTBAS分子氧化而形成一层或多层氧化硅的分子层。这样依次层叠氧化硅的分子层，形成预定膜厚的氧化硅膜。另外，氧化硅膜被如此形成并被加热到600℃以上，由此，被退火，消除了氧化硅的分子排列的变形。
在图14中用箭头示出了真空容器11内的气体的流动。从分离气体喷嘴32、34供给到上述分离区域D的N2气体在该分离区域D内沿周向扩散，防止了BTBAS气体与O3气体在旋转台2上混合。另外，供给到中心部区域C的N2气体向旋转台2的径向外侧供给，防止了BTBAS气体与O3气体在上述中心部区域C内混合。另外，在该成膜处理中，利用气体供给管44、49(参照图1)，也向加热器收纳空间45和旋转台2的背面侧供给N2气体，吹扫反应气体。
当旋转台2旋转预定的次数而形成预定膜厚的氧化硅膜时，来自各个气体喷嘴31～气体喷嘴34的各种气体的供给、N2气体向中心部区域C的供给流量降低。旋转台2的旋转停止，打开闸阀17。打开闸阀17，利用旋转台2的间歇性的旋转和升降销53的升降动作，将晶圆W依次交接到晶圆输送机构18并被输出到真空容器11外。当输出了所有的晶圆W时，关闭闸阀17。
然后，旋转台2再次连续地旋转，从清洁气体喷嘴55向旋转台2上供给清洁气体并开始清洁处理。供给到旋转台2上的清洁气体对成膜于旋转台2的氧化硅进行分解，并与该分解物一起被向排气口37抽吸，旋转台2旋转预定的次数之后，清洁气体的供给停止，并且旋转台2的旋转停止，清洁处理结束。之后再次向真空容器11内输送晶圆W，进行成膜处理。
然而，在已述的各个附图中，示出了在交接到支承销25上时晶圆W未产生翘曲的情况，但是有时也产生些许翘曲。在图15中，示出了在如上所述将晶圆W交接到支承销25时该晶圆W以晶圆W的周缘部的高度高于中央部的高度的方式发生翘曲的例子。即使晶圆W如此翘曲，也在晶圆W的升温中进行晶圆W的面内的传热而缓和该面内的温度梯度，此时，逐渐消除翘曲，如图5所示，该晶圆W恢复为平板状。
在图16中，示出了在向支承销25交接时晶圆W不是如图15所示发生翘曲而以其中央部的高度高于周缘部的高度的方式发生翘曲的例子。即使晶圆W如此翘曲，也如上所述缓和温度梯度，此时，如图5所示，该晶圆W恢复为平板状。
然而，将被作为比较例列举的图6的支承销25支承的晶圆W与上述图15的晶圆W相同地翘曲的例子表示在图17中。如上所述图6的晶圆W通过使支承销25与凹部21的中心P比较大地分开而以周缘部的高度变高的方式发生挠曲并被支承，因此即使以与图15的晶圆W相同的翘曲量发生翘曲，从旋转台2的表面到晶圆W的上端的高度也进一步变大。即，图15、图17中分别所示的到上述晶圆W的上端的高度H11、H13满足H11＜H13。
另外，将被作为比较例列举的图7的支承销25支承的晶圆W与上述图16的晶圆W相同地翘曲的例子表示在图18中。如上所述图7的晶圆W通过使支承销25与凹部21的中心P之间的距离比较近而以中央部的高度变高的方式发生挠曲并被支承，因此即使以与图16的晶圆W相同的翘曲量发生翘曲，如图18所示从旋转台2的表面到晶圆W的上端的高度也变大。即，图16、图18中分别所示的到上述晶圆W的上端的高度H12、H14满足H12＜H14。
通过这样如利用图4所说明的那样配置支承销25，从而即使晶圆W产生翘曲，也能够抑制晶圆W自凹部21的侧壁的上端突出的突出量。即使在晶圆W上形成有翘曲，如果该突出量得以抑制，那么在旋转台2的旋转中也难以受到气流的影响，因此难以引起晶圆W的位置偏移，而且晶圆W也不会干扰分离区域D的突状部41、各个喷嘴31～喷嘴34。即，即使晶圆W产生翘曲，也能够进行旋转台2的旋转，该旋转台2的旋转用于进行上述晶圆W的移载、成膜处理。
根据该成膜装置1，利用在旋转台2的凹部21的底面22上设置的支承销25，对晶圆W以被抑制了由其自重引起的挠曲的状态进行支承并加热。由此，抑制了从底面22向晶圆W的传热速度，并且在晶圆W的面内各部分抑制了从底面22受到的辐射热的参差不齐，从而抑制了晶圆W产生翘曲。另外，通过抑制挠曲地进行支承，从而抑制了产生翘曲时的晶圆W向凹部21上的突出。因而，在将晶圆交接到一个凹部21之后，能够为了将晶圆W交接到下一个凹部21而在较早的时刻使旋转台2旋转，因此能够快速地将晶圆W载置于成膜装置1的各个凹部21。另外，能够等待在使旋转台2旋转的状态下最后交接到旋转台2的第5张晶圆W达到设定温度，在达到了设定温度之后，能够快速向公转的各个晶圆W供给反应气体并进行成膜处理。即，与达到设定温度并消除第5张晶圆W的翘曲之后再开始旋转台2的旋转相比，能够使喷出反应气体并开始成膜处理的时刻提前。这样能够缩短晶圆W的载置所需的时间，并且能够谋求成膜处理开始时刻的提前化，能够提高成膜装置1的生产能力。另外，由于晶圆W的下表面(背面)与支承销25之间的接触面积比较小，因此抑制了该下表面发生摩擦，因此能够谋求微粒产生的减少化。
为了调整晶圆W的面内的温度分布，或者提高晶圆W的下表面相对于凹部21的摩擦力，更可靠地防止晶圆W的脱离，除了支承销25之外，也可以将与该支承销25同样地构成的支承销(为了便于说明，设为辅助用支承销)配置于凹部21的底面22。即，也可以利用3个支承销25和上述辅助用支承销将晶圆W支承在底面22上。辅助用支承销既可以是一个，也可以是多个。另外，作为支承销25，只要是抑制了向晶圆W的传热速度和晶圆W的挠曲的结构即可，因此作为其形状，并不限于圆柱形，例如也可以是方柱形。
(第2实施方式)
接着，说明第2实施方式。第2实施方式在旋转台2的结构方面与第1实施方式不同。第2实施方式的旋转台2由台主体61和底面形成部62构成。将该第2实施方式的旋转台2的上表面、纵截面分别表示在图19、图20中。在设于台主体61的上表面的凹部的底部上设有构成为扁平的圆形的上述底面形成部62，从而构成了形成上述晶圆W的载置区域的凹部21。即，底面形成部62的上表面形成凹部21的底面22，底面形成部62的外周构成了凹部21的槽24。
台主体61由石英构成。底面形成部62由以碳化硅(SiC)为主要成分构成的主体部63和覆盖主体部63的表面的氧化钇(Y2O3)的覆膜64构成。覆膜64是为了防止在上述清洁时主体部63被清洁气体蚀刻而设置的。由于以SiC为主要成分构成上述底面形成部62，因此凹部21的底面22的导热性比台主体61的导热性高，在该底面22的面内抑制了温度梯度的形成。
在该第2实施方式中，如图20所示，与第1实施方式相同地利用升降销53朝向凹部21输送晶圆W，如图21所示，以晶圆W的下表面整体直接接触凹部21的底面22的方式载置晶圆W。由于如此载置晶圆W，因此与第1实施方式相比，向晶圆W的传热速度较大，但是由于上述底面22内的温度梯度较小，因此在晶圆W的面内的各部分防止了温度梯度变大，同时该晶圆W的面内的各部分的温度上升。即，在晶圆W的各部分的热通量的均匀性保持得较高的状态下，对晶圆W进行加热。通过如此进行晶圆W的加热，从而与第1实施方式相同地能够获得抑制晶圆W的翘曲的效果。因而，抑制了晶圆W向凹部21上的突出，因此与第1实施方式相同地具有能够快速地进行晶圆W向凹部21的交接、并且能够使成膜处理的开始时刻提前这样的效果。
只要底面22上的导热性高于构成该底面22的外侧并且由石英构成的台主体61的导热性即可，作为底面形成部62的材质，并不限于上述例子。例如也可以设为取代以SiC为主要成分而以碳为主要成分来构成上述主体部63、并由上述覆膜64覆盖上述主体部63的结构。另外，也能够以氮化铝(AlN)为主要成分来构成主体部63。上述清洁气体如上所述含有氟或氟化合物，但是由于AlN难以被该清洁气体腐蚀，因此在利用AlN构成主体部63的情况下，也可以不设置上述覆膜64。
也可以将该第2实施方式与上述第1实施方式组合。即，也可以如图22所示在底面形成部62上设置上述支承销25。在该情况下，也抑制了凹部21的底面22内的温度梯度，因此抑制了来自该底面22各部分的向晶圆W供给的辐射热的热量的参差不齐。因而，能够更可靠地抑制晶圆W的面内的温度梯度的形成，因此能够抑制晶圆W产生翘曲及翘曲变大。
(第3实施方式)
在图23、图24中分别示出了第3实施方式的凹部21的俯视图、纵剖视图。作为与第1实施方式的不同之处，在第3实施方式的凹部21的底面22上，取代支承销25而设有许多支承销71，支承销71呈俯视矩阵状排列。各个支承销71构成为圆柱形状，与第1实施方式的支承销25相同地在其上表面上支承晶圆W。图25表示在支承销71上支承有晶圆W的状态。通过如此支承晶圆W，从而支承销71与支承销25相同地使晶圆W的下表面自凹部21的底面22浮起，并降低向晶圆W的传热速度。
为了如此限制向晶圆W的传热速度，若将支承销71与晶圆W之间的接触面积的合计/晶圆W的下表面的面积×100(单位：％)设为晶圆W相对于支承销的接触率，则以该接触率成为8％～12％的方式设置支承销71。图23中的支承销71的直径L3例如为5mm。图24中的支承销71的高度H15例如为0.01mm～1mm，在该图24的例子中为0.05mm。与第1实施方式的支承销25的高度H1相同地将，以能够利用来自底面22的辐射热高效地对晶圆W进行加热、并且能够防止晶圆W自凹部21的突出的方式设定支承销71的高度H15。
在该第3实施方式中也能够与第1实施方式相同地抑制交接到凹部21的晶圆W的翘曲，由此与第1实施方式相同地能够快速地进行晶圆W向凹部21的交接，并且能够使成膜处理的开始时刻提前，能够提高成膜装置1的生产能力。然而，许多支承销71中的3个既可以构成为配置在与利用图4说明的支承销25相同的位置，也可以不如此配置。在将支承销71中的3个配置在与图4的支承销25相同的位置的情况下，与第1实施方式相同地，即使在晶圆W产生翘曲的情况下，也能够更可靠地抑制该晶圆W向凹部21上的突出。
图26是第3实施方式的变形例，与图23所示的例子相比，支承销71的个数较少。如图23所示配置支承销71，在交接晶圆W之后，当在底面22内看到微粒产生时，考虑是由于晶圆W翘曲而与支承销71发生摩擦，因此拉大产生微粒的部位周边的支承销71的间距是有效的。图26表示如此拉大了支承销71的间距的结构的一例。这样，作为支承销71的配置的布局，能够任意进行设定。支承销71也与第1实施方式的支承销25相同地并不限于圆柱形，能够设为任意的形状。能够将第2实施方式也与该第3实施方式组合，使用上述底面形成部62来构成凹部21的底面。
本发明除了成膜装置以外，也能够应用于对处理气体进行等离子体化并利用该等离子体使晶圆W的膜改性、或者进行蚀刻的装置等。而且所形成的膜也并不限于氧化硅膜。例如在利用ALD形成氮化硅膜、氮化铝膜等的情况下，也能够应用上述成膜装置。
(第1实施方式的变形例)
接着，说明第1实施方式的变形例的凹部21。在图27所示的第1变形例中，与利用图4说明的第1实施方式不同，在凹部21设有6个支承销25。图27和表示后述的各个变形例的附图中的虚线和双点划线是为了使各个支承销25的位置关系明确而示出的、假想的线。另外，在包含该第1变形例在内的各个变形例中，没有示出凹部21的底面22的槽24，但是与第1实施方式相同地既可以设置该槽24，也可以不设置该槽24。
将上述6个支承销25中的3个作为第1组，该第1组的支承销25设置在与利用图4说明的位置相同的位置，将各个支承销25的上表面的中心点与图4相同地示为Q1～Q3。将其他3个支承销25作为第2组，第2组的支承销25的上表面的中心点示为Q4～Q6。点Q4～点Q6与点Q1～点Q3相同地位于以上述点P为中心的圆周上，点Q4～点Q6位于正三角形的顶点。而且，若从点P沿周向观察凹部21的底面22，则以Q4～Q6为顶点的三角形的顶点和以Q1～Q3为顶点的三角形的顶点交替设置。在上述周向上相邻的点Q在从点P观察时分开θa＝60°。即，点Q1～点Q6构成正六边形。
这样，晶圆W被支承销25支承的各个位置是与晶圆W的中心分开晶圆W的半径的2/3、且以晶圆W的中心为重心的正六边形的顶点。在该第1变形例中，具有在图4的第1实施方式中说明的位置关系的支承销25在底面22上分散设有两组，从而能够更可靠地抑制挠曲并将晶圆W支承为水平形状，能够更可靠地防止晶圆W与底面22的接触。由此，能够进一步提高晶圆W的温度分布的均匀性，抑制翘曲。该第1变形例也与第1实施方式所说明的支承销25相同地，即使支承晶圆W的位置自上述位置偏移了1mm的情况也属于本发明的保护范围。即，支承销25未严格地配置在正六边形的顶点的情况也包含于保护范围内。以下，只要没有特别说明，后述的其他支承销就也同样地容许误差。
在图28中示出了第1实施方式的第2变形例的凹部21。在该第2变形例中，除了第1变形例所说明的6个支承销25以外，还在比该支承销25靠近上述凹部21的底面的中心点P的位置设有3个支承销。为了便于说明，将这3个支承销作为内侧辅助用支承销26进行说明。内侧辅助用支承销26除了配置位置的不同以外，与支承销25相同地构成。
将该内侧辅助用支承销(第2辅助用支承销)26的上表面的中心示为点Q11、Q12、Q13。点Q11、Q12、Q13位于以点P为中心、具有晶圆W的半径的1/3大小的半径的圆的圆周上。另外，Q11、Q12、Q13位于正三角形的顶点。内侧辅助用支承销26设置为不干扰通孔23。在该例子中，从点P沿着周向观察时相对于相邻的两个支承销25的点Q，以位于该两个支承销25之间的内侧辅助用支承销26的点Q绕上述点P分别偏移θb＝30°的方式配置各个内侧辅助用支承销26。该第2变形例除了第1变形例所说明的两组支承销25以外，还利用辅助用支承销26支承晶圆W，因此能够更可靠地抑制晶圆W的挠曲地进行支承。
在图29中示出了第3变形例的凹部21。在该第3变形例中，除了第1变形例所说明的6个支承销25以外，还在比该支承销25靠凹部21的底面22的周缘部侧的位置设有6个支承销。为了便于说明，将这6个支承销作为外侧辅助用支承销27进行说明。外侧辅助用支承销27除了配置位置的不同以外，与支承销25相同地构成。
将该外侧辅助用支承销(第1辅助用支承销)27的上表面的中心示为点Q21～点Q26。点Q21～点Q26设置为支承比晶圆W的周端靠晶圆W的中心3mm的位置。在此所说的晶圆W既包括上述300mm晶圆W的情况，也包括450mm晶圆W的情况。通过如此配置点Q21～点Q26，从而外侧辅助用支承销27以不接触晶圆W的周端的方式支承晶圆W。另外，上述点Q21～26与支承销25相同地位于正六边形的顶点。以该点Q21～点Q26为顶点的正六边形的重心(中心)和以支承销25的点Q1～点Q6为顶点的正六边形的重心一致。从点P沿周向观察时，交替设有支承销25和外侧辅助用支承销27。而且，关于在上述周向上相邻的支承销25和外侧辅助用支承销27，若将该支承销25的点Q与上述点P所成的线段和该外侧辅助用支承销27的点Q与上述点P所成的线段所成的角度设为θc，则θc＝30°。
该第3变形例也与第2变形例相同地能够以更可靠地抑制挠曲的方式支承晶圆W。另外，如图17等所示，当晶圆W以其中心部变低且周缘部变高的方式发生翘曲时，若利用支承销支承晶圆W的靠中心的位置，则有可能自凹部21突出的高度变大，因此与设置上述内侧辅助用支承销26相比，设置该外侧辅助用支承销27的做法抑制了上述晶圆W的突出高度，故而优选。
然而，作为如上所述设置外侧辅助用支承销27的理由，其目的在于通过在比支承销25更与点P分开的位置支承晶圆W，从而稳定地支承晶圆W。外侧辅助用支承销27的位置越沿凹部21的底面22的径向与支承销25分开，越抑制晶圆W的周缘部的挠曲。但是，若支承销接触晶圆W的周端，则易于产生微粒，因此如上所述以不接触晶圆W的周端的方式设置了外侧辅助用支承销27。
即，作为外侧辅助用支承销27，并不限于设置为上述点Q21～点Q26支承比晶圆W的周端靠内侧3mm的位置。具体地说，外侧辅助用支承销27只要设置为沿着以点P为中心的圆周隔开间隔地对比支承销25所支承的位置靠外侧的位置进行支承、并且其上表面不接触晶圆W的周端即可。因而，例如也可以构成为点Q21～点Q26支承比晶圆W的周端靠内侧5mm的位置。但是，为了如上所述在水平方向上稳定地载置晶圆W，支承与支承销25分开的位置的做法较好，而且出于兼顾避免外侧辅助用支承销27与晶圆W的周端接触的风险考虑，在上述例子中构成为点Q21～点Q26支承晶圆W的周端的靠内侧3mm的位置。另外，外侧辅助用支承销27也与支承销25相同地容许误差，因此支承晶圆W的位置并不严格地限于成为正六边形。
在图30中示出了第1实施方式的第4变形例的凹部21。在该第4变形例中，除了第1变形例所示的6个支承销25以外，还设有第2变形例所示的内侧辅助用支承销26和第3变形例所示的外侧辅助用支承销27。即使如此形成凹部21，也能够以抑制挠曲的方式支承晶圆W。这些第1实施方式的各个变形例也能够组合于第2、第3实施方式。
根据本发明，利用3个支承销以基板自凹部的底面浮起的状态支承基板，此时通过支承销的配置来抑制基板的由自重引起的变形。由此抑制了向基板的传热速度，并且抑制了凹部的底面与基板之间的距离在基板的面内参差不齐。作为结果，基板在其面内均匀性较高地被加热。另外，根据本发明的其他技术方案，在旋转台中构成用于载置基板的凹部的底面的底面形成部构成为，以导热性比构成该底面的外侧的台主体的导热性高的材质为主要成分。由此，上述底面内的温度的均匀性提高，基板在其面内均匀性较高地被加热。另外，根据本发明的另一其他技术方案，为了抑制从旋转台的凹部的底面向基板的传热速度，相对于基板的一面整体的面积，限定了支承基板的支承销接触该一面的面积。通过这些本发明的结构，能够抑制在基板的面内形成温度差而产生翘曲的情况，能够抑制基板向凹部21上突出。因而，在向一个凹部交接了基板之后，能够迅速地向下一个凹部移载后续的基板，或者能够迅速地对基板开始处理，因此能够提高装置的生产能力。
应该认为，这次申请的实施方式在所有方面都只是例示而并不是限制性的记载。实际上，上述实施方式能够以多种方式具体化。另外，上述实施方式也可以不脱离添加的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、替换、变更。本发明的范围是指包括添加的权利要求书及其均等的意思和范围内的所有变更。
本申请基于2014年2月25日提出申请的日本特许出愿第2014－034336号的优先权的利益，将该日本申请的全部内容作为参考文献引用于此。

Claims (9)

1.一种利用旋转台的基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，
该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧，其底面上开设有从一面侧朝向另一面侧贯穿该旋转台的多个通孔；
上述处理气体的供给部，其在上述旋转台的一面侧与由上述公转引起的基板的移动区域相对设置；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；
6个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正六边形的顶点，并分别对与上述基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的；
多个升降销，为了在将上述基板输送到上述旋转台的上方的基板输送机构与上述凹部之间交接该基板，该多个升降销的上端在比该旋转台靠下方的位置与比该旋转台靠上方的位置之间分别通过上述通孔并升降，且分别支承该基板；以及
控制部，其输出控制信号，以在利用上述加热部将上述旋转台加热至600℃以上的状态下，使上述基板进入上述真空容器，
其中，在上述凹部的底面的周缘部上呈环状形成有槽，
上述旋转台由构成上述凹部的底面的底面形成部和构成上述底面的外侧的台主体构成，上述底面形成部构成为以导热性比上述台主体的导热性高的材质为主要成分，
在上述底面形成部的表面上涂覆有氧化钇。
2.根据权利要求1所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
为了对比上述基板的由上述支承销支承的位置靠该基板的外侧并且与上述基板的周端向该基板的中心侧分开的位置进行支承，该基板处理装置还包括在上述凹部的底面上设置的多个辅助用支承销。
3.根据权利要求2所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
上述辅助用支承销在上述凹部的底面上以分别位于正六边形的顶点的方式设有6个，由该辅助用支承销构成的正六边形的重心与由上述支承销构成的正六边形的重心一致。
4.根据权利要求1所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
为了对比上述基板的由上述支承销支承的位置靠该基板的内侧的位置进行支承，该基板处理装置还包括在上述凹部的底面上设置的多个辅助用支承销。
5.根据权利要求1所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
上述基板是直径300mm大小的硅晶圆。
6.根据权利要求1所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
上述底面形成部构成为以碳化硅、碳或氮化铝为主要成分。
7.一种利用旋转台的基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，
该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧，其底面上开设有从一面侧朝向另一面侧贯穿该旋转台的多个通孔；
上述处理气体的供给部，其在上述旋转台的一面侧与由上述公转引起的基板的移动区域相对设置；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；
底面形成部，其在上述旋转台上构成用于载置上述基板的凹部的底面；
台主体，其在上述旋转台上构成上述底面的外侧；
多个升降销，为了在将上述基板输送到上述旋转台的上方的基板输送机构与上述凹部之间交接该基板，该多个升降销的上端在比该旋转台靠下方的位置与比该旋转台靠上方的位置之间分别通过上述通孔并升降，且分别支承该基板；以及
控制部，其输出控制信号，以在利用上述加热部将上述旋转台加热至600℃以上的状态下，使上述基板进入上述真空容器；
为了提高上述底面内的温度的均匀性并抑制上述基板的面内的温度差，上述底面形成部构成为以导热性比上述台主体的导热性高的材质为主要成分，
其中，在上述凹部的底面的周缘部上呈环状形成有槽，
在上述底面形成部的表面上涂覆有氧化钇。
8.一种利用旋转台的基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，
该基板处理装置包括：
凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧，其底面上开设有从一面侧朝向另一面侧贯穿该旋转台的多个通孔；
上述处理气体的供给部，其在上述旋转台的一面侧与由上述公转引起的基板的移动区域相对设置；
加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；
多个支承销，其为了以使上述基板自上述凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设于该底面；
多个升降销，为了在将上述基板输送到上述旋转台的上方的基板输送机构与上述凹部之间交接该基板，该多个升降销的上端在比该旋转台靠下方的位置与比该旋转台靠上方的位置之间分别通过上述通孔并升降，且分别支承该基板；以及
控制部，其输出控制信号，以在利用上述加热部将上述旋转台加热至600℃以上的状态下，使上述基板进入上述真空容器；
为了抑制从上述凹部的底面向上述基板的传热速度，相对于支承于上述支承销的上述基板的一面的整体的面积，该一面的与上述支承销相接触的面积的比例为8％～12％，
其中，在上述凹部的底面的周缘部上呈环状形成有槽，
上述旋转台由构成上述凹部的底面的底面形成部和构成上述底面的外侧的台主体构成，上述底面形成部构成为以导热性比上述台主体的导热性高的材质为主要成分，
在上述底面形成部的表面上涂覆有氧化钇。
9.根据权利要求8所述的利用旋转台的基板处理装置，其中，
上述支承销的高度为0.01mm～1mm。
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