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JP6318844B2 - 発光装置 - Google Patents

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JP6318844B2 JP2014104299A JP2014104299A JP6318844B2 JP 6318844 B2 JP6318844 B2 JP 6318844B2 JP 2014104299 A JP2014104299 A JP 2014104299A JP 2014104299 A JP2014104299 A JP 2014104299A JP 6318844 B2 JP6318844 B2 JP 6318844B2
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Description

本開示は、発光装置に関する。
従来から、電子機器において種々の光源が使用されている。例えば、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置が使用されている。
このような発光装置では、基材と発光素子とを備えており、基材は、凹部を備えるチップ状の母材と、この母材の表面に形成され、発光素子と接続される一組の端子とを有する。
特開平８−２６４８４２号公報
より小型化及び薄型化が要求されている発光装置、特にサイドビュー型の発光装置では、チップスケールのパッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基材の平坦化及び縮小化等について、種々の検討がなされている。
しかし、基材を縮小化するために薄肉化するのみでは、特にフリップチップ実装による発光素子の基材への接合において、十分な基材強度及び固着強度を維持することが困難である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、小型かつ薄型の発光装置において、十分な強度を確保して、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
本発明は以下の実施形態を含む。
第１主面上から該第１主面と反対面である第２主面にわたって配置された一対の接続端子と、母材とを備える基体、
前記第１主面上で前記接続端子と接続された発光素子、
該発光素子の側面を被覆する光反射性部材を備える発光装置であって、
（１）前記母材は、第２主面上に凸部を有し、
前記接続端子は、前記凸部の両側の第２主面上から前記第１主面上に配置され、前記第１主面上の両側で、その一部が前記光反射性部材から露出しているか、あるいは
（２）前記母材は、第２主面側に折れ曲がった屈曲部を有し、
前記接続端子は、前記２主面上の屈曲部から前記第１主面上に配置され、前記第１主面上の両側で、その一部が前記光反射性部材から露出している、側面発光型の発光装置。
このような発光装置によれば、小型かつ薄型の発光装置において、十分な強度を確保して、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
本発明の一実施形態の発光装置を示す概略斜視図である。 図１Ａの発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。 図１Ａの発光装置の概略平面透視図である。 図１Ａの発光装置が実装部材に実装された状態を示す概略斜視図である。 図１の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。 図３ＡのＢ−Ｂ’線断面図である。 本発明の実施形態の変形例の発光装置の概略断面図である。 本発明の実施形態の別の変形例の発光装置の概略断面図である。 本発明の実施形態のさらに別の変形例の発光装置の概略断面図である。 本発明の別の実施形態の発光装置を示す概略断面図である。 本発明の実施形態のさらに別の変形例の発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施形態のさらに別の変形例の発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施形態のさらに別の変形例の発光装置の製造工程を示す断面図である。
以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施形態、実施例において説明する内容は、他の実施形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
本発明の実施形態の発光装置は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする、いわゆるサイドビュー型と称される発光装置であるが、光取り出し面に対向する面を実装面とするトップビュー型と称される発光装置にも適用することができる。
この発光装置は、少なくとも、一対の接続端子及び母材を備える基体と、発光素子と、光反射性部材とを備える。
本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差する面を側面と称し、側面のうちの１つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第１主面又は正面（つまり、上面）と、第１主面の反対側の面を第２主面（つまり、下面）と、第１主面及び第２主面に隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面）を側面と称することがある。
〔基体〕
基体は、母材と、少なくとも母材の第１主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。
基体の形状は特に限定されず、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少なくとも第１主面が、長手方向と、長手方向に交差する又は直交する短手方向を備えることがより好ましい。
基体の厚みは、後述する母材の厚みによって調整することができる。例えば、最も厚い部位の厚みは、５００μｍ程度以下が好ましく、３００μｍ程度以下がより好ましく、２００μｍ程度以下がさらに好ましい。また、４０μｍ程度以上が好ましい。
基体の強度は、後述する母材の材料、接続端子の材料等によって調整することができる。例えば、上述した厚みの範囲において、曲げ強度が３００ＭＰａ以上であることが好ましく、４００ＭＰａ以上であることがより好ましく、６００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。これにより、発光装置の強度を確保することができる。ここでの曲げ強度は、例えば、市販の強度測定機、例えば、インストロンによる３点曲げ試験によって測定した値を意味する。
このように、基体が薄く、かつ適当な強度を備えることにより、小型／薄型及び高性能／高信頼性の発光装置が得られる。
（母材）
一実施形態では、母材は、第２主面上に凸部を有する。凸部の大きさ、数、位置、高さ等は特に限定されるものではなく、適宜調整することができる。例えば、凸部の大きさは、基体の平面積の８０％程度以下の大きさであることが好ましく、７０％程度以下、６０％程度以下がより好ましい。特に、凸部の大きさは、後述する発光素子の平面積と同等あるいは若干大きい又は若干小さいことがさらに好ましい。凸部の位置は、基体の両側に隣接する位置、基体の中央線に沿った位置、基体の中心部等が挙げられる。なかでも、基体の中央線に沿った位置に配置されていることが好ましい。凸部は２以上であってもよいし、１つであってもよい。特に、第１主面上において発光素子の搭載領域に対応する第２主面上の領域に１つ配置されていることが好ましい。
凸部の高さは、例えば、基体の凸部が配置されていない領域の厚みの８０％程度以下であることが好ましく、７０％程度以下、６０％程度以下がより好ましい。
例えば、母材の厚み（凸部を含む）は、用いる材料、載置する発光素子の種類及び構造等にもよるが、４７０μｍ程度以下が好ましく、３７０μｍ程度以下、３２０μｍ程度以下、２７０μｍ、２００μｍ、１５０μｍ、１００μｍ程度以下がより好ましい。また、強度等を考慮すると、２０μｍ程度以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましい。
凸部は、凸部の配置されていない母材における領域の厚みよりも厚くなるように形成されていればよく、接続端子が配置された領域では、接続端子を含む厚みと凸部を含む厚みが略同じとしてもよい。サイドビュー型として実装する場合には、実装の安定性の観点から、接続端子の最外面よりも凸部の最外面のほうが外側になるように形成されていることが好ましい。
凸部の形成方法は、特に限定されるものではなく、母材の作成中又は後に、母材自体を成形加工する方法、切削加工又はレーザ加工によって、母材の第２主面を部分的に除去する方法、母材と同じ部材又は異なる部材を貼りつけることで凸部を形成する方法などが挙げられる。
他の実施形態では、母材は、屈曲部を有する。屈曲部の折れ曲がり方向は第１主面側及び第２主面側のいずれでもよいが、例えば、図５に示すように、第２主面側に折れ曲がっていることが好ましい。発光装置をサイドビュー型として実装する際に、半田などの接合部材による、後述の光反射性部材の損傷を防止し、短絡等を回避するためである。屈曲部は、第２主面側において、１箇所に存在してもよいし、２箇所でもよいし、３箇所以上でもよい。発光素子の実装を容易にし、適切な強度を確保するためには２箇所に存在することが好ましい。
屈曲部の位置は、母材の両端が第２主面側に折れ曲がりやすいように、母材の両端から若干内側にあることが好ましい。これにより、発光装置をサイドビュー型として実装する際に、安定的に実装することができるとともに、適度な強度を確保することができる。なお、屈曲部は、母材の平面形状が長手方向に延びる形状であれば、長手方向に交差する部位に配置されることが好ましい。
折れ曲がり角度は、母材の屈曲部が配置されていない上面（例えば、発光素子の搭載領域に対応する領域の上面）に対して、０度より大、９０度より小であることが例示される。特に、１〜４０度程度、１〜３０度程度、５〜３０度程度が好ましい。言い換えると、折れ曲がりの角度は、母材の第１主面から、第２主面側の屈曲部先端までの高さ（図５中、Ｈ参照）が、母材自体の厚み（例えば、発光素子が搭載された領域における厚み）の１０５〜３００％が挙げられ、１１０〜２００％が好ましい。別の観点から、高さＨは、４７０μｍ程度以下がより好ましく、３７０μｍ程度以下、３２０μｍ程度以下、２７０μｍ程度以下、２００μｍ程度以下がさらに好ましい。また、強度等を考慮すると、３０μｍ程度以上が好ましい。
これによって、簡便な加工を実現しながら、実装安定性を確保することができる。また、最も厚い部位の厚みを増大させることなく、上述した最も厚い部位の厚みで、十分な発光装置強度を得ることができる。
屈曲部は、第２主面側のみならず、第１主面側に存在してもよい。第１主面側に屈曲部を配置する場合、その折れ曲がり方向は、第１主面側及び第２主面側のいずれでもよいが、例えば、図５に示すように、第２主面側に折れ曲がっていることが好ましい。第１主面側の屈曲部の位置は、第２主面側の屈曲部に対応しない位置であってもよいが、第２主面側の屈曲部に対応した位置であることが好ましい。言い換えると、母材の第１主面及び第２主面が一緒に第２主面側に折れ曲がった形態であることが好ましい。このような形態は、母材を加工しやすく、強度の確保が容易となる。
屈曲部の形成方法は、特に限定されるものではなく、母材の作成中又は後に、母材自体を屈曲加工する方法、切削加工又はレーザ加工によって、母材の第２主面を、又は第１主面及び第２主面の双方を、部分的に除去する方法などが挙げられる。
母材の曲げ強度は、基体全体の強度を確保するために、上述した基体の強度と同等、例えば、３００ＭＰａ程度以上であることが好ましく、４００ＭＰａ程度以上、６００ＭＰａ程度以上がより好ましい。
母材は、線膨張係数が、後述する発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であることが好ましく、±９ｐｐｍ／℃以内、±８ｐｐｍ／℃以内、±７ｐｐｍ／℃以内、±５ｐｐｍ／℃以内であることがより好ましい。これによって、発光素子を基体に実装する場合に、発光素子と基体との線膨張係数の差異に起因する、発光素子の基体（接続端子）からの剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を効果的に防止することができる。これにより、フリップチップ実装によって、発光素子の電極を基体の接続端子に直接接続することができ、より小型／薄型の発光装置を提供することが可能となる。
本発明では、線膨張係数は、ＴＭＡ法で測定した値を意味する。α１及びα２のいずれかがこの値を満たしていればよいが、両方で満たすことがより好ましい。
母材は、例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
特に、母材は樹脂を含有するものが好ましい。
樹脂は、当該分野で使用されているものであればどのようなものを利用してもよい。特に、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とするために、線膨張係数の小さいものを利用することが好ましい。
具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。また、例えば、特開２０１３−３５９６０号、ＷＯ２０１１／１３２６７４Ａ１、ＷＯ２０１２／１２１２２４Ａ１、ＷＯ２０１２／１６５４２３Ａ１等に記載されている樹脂、ナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂及びそれらの組成物、特開２０１０−１１４４２７号等に記載されている液晶ポリマー及びそれらの組成物を利用してもよい。なお、これらには、当該分野で公知の添加剤、モノマー、オリゴマー、プレポリマー等が含有されていてもよい。なかでも、ＢＴ樹脂又はその組成物が好ましい。
樹脂の種類にかかわらず、線膨張係数を調整するために、あるいは熱放射率を増大させるために、樹脂には、充填材、例えば、無機材料による充填材を含有させることが好ましい。このような充填材の種類及び量等を適宜組み合わせることによって、母材の線膨張係数を調整することができる。
充填材及び無機材料としては、例えば、六方晶窒化ホウ素で被覆されたホウ酸塩粒子、アルミナ、シリカ類（天然シリカ、溶融シリカ等）、金属水和物（水酸化アルミニウム、ベーマイト、水酸化マグネシウム等）、モリブデン化合物（酸化モリブデン等）、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化アルミニウム、クレー、カオリン、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、タルク、焼成クレー、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維（Ｅガラス、Ｄガラスなどのガラス微粉末類、ガラスクロス等）、中空ガラス、リン酸ジルコニウム等の熱収縮フィラー、ゴムパウダー及びコアシェル型のゴムパウダー（スチレン系、ブタジエン系、アクリル系、シリコーン等）等が挙げられる。
特に、熱伝導率の高い充填材又は無機材料を大量に含有させることにより、熱放射率を調整することができる。例えば、ガラスクロスを用いる場合には、ガラスクロス中の無機材料を５０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以上含有させることができる。
サイドビュー型の発光装置において、光取り出し面（図２のＱ）に隣接する面である実装面（図２のＲ）とそれに対向する面（図２のＳ）において、母材を黒色とすることが好ましい。これによって、発光装置から出射した光又はその反射光による迷光を吸収することができる。さらに、母材又は基体の迷光の吸収によって、例えば、バックライト用途において、光の色及び／又は明るさのバラツキなど品質を向上させることができる。また、迷光の吸収によって、周辺部材の光劣化を抑制することができる。
母材の色を調整するために、樹脂には顔料を含有させてもよい。顔料としては、黒色のカーボンブラック、白色の酸化チタン等が挙げられる。
サイズの小さい発光装置では、発光素子自体が発光装置に対して相対的に大きくなるため、発光素子からの発熱、蛍光体によるストークス発熱などによって、発光装置が過度に発熱することが懸念される。このような熱は、バックライトの導光板を劣化、変形させるなどの悪影響を招くことがある。そこで、熱放射係数の大きいカーボンブラックなどの黒色の材料を母材（樹脂）に含有させることにより、発光素子及び蛍光体からの熱を、放熱することができる。
母材の線膨張係数は、用いる発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、２０ｐｐｍ／℃程度以下が好ましく、１０ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましく、８ｐｐｍ／℃程度以下、７ｐｐｍ／℃程度以下、６ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。このような線膨張係数とすることにより、基体自体の線膨張係数を制御することができる。これにより、後述するように、発光素子をフリップチップ実装した場合でも、製造過程等の温度変化にかかわらず、発光素子を基体に強固に接続させることができ、発光素子の接続不良などの不具合を回避することができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることができる。
母材の平面形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられる。なかでも長方形、つまり、長手方向に細長い形状が好ましい。大きさは、後述する発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。１つの発光装置に発光素子が１つ搭載される場合は、発光装置の長手方向が発光素子の一辺の１．５〜５倍程度の長さを有することが好ましく、１．５〜３倍程度の長さがより好ましい。発光装置の短手方向は、発光素子の一辺の１．０〜２．０倍程度の長さを有することが好ましく、１．１〜１．５倍程度の長さがより好ましい。１つの発光装置に発光素子が複数搭載される場合は、その数によって適宜調整することができる。例えば、長手方向に２個又は３個搭載される場合は、長手方向が発光素子の一辺の２．４〜６．０倍程度又は３．５〜７．０倍程度が好ましい。
母材の第２主面の上には、絶縁体、金属等によって補強、放熱、アライメント用等のマーク等の機能を有する層を１以上設けてもよい。
（接続端子）
一対の接続端子は、基体の第１主面上から第２主面にわたって配置されていればよい。この場合、接続端子の縁部の少なくとも一部は、基体の第１主面の縁部の一部に一致するように形成することが好ましい。言い換えると、接続端子の側面の一部と基体の実装面の一部とが同一面となるように形成されていることが好ましい。これにより、発光装置を実装基板に実装する際に、実装基板と接続端子の側面とを接触（又は限りなく近接）させることができる。その結果、発光装置の実装性を向上させることができる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μｍから十数μｍ程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において、同一面については以下同じ意味である。
一実施形態では、母材が凸部を有する場合、接続端子は、凸部の両側の第２主面上から第１主面上に配置されている。
別の実施形態では、母材が第２主面側に折れ曲がった屈曲部を有する場合、接続端子は、少なくとも第２主面上の屈曲部から第１主面上に配置されている。
ここで、第２主面上から第１主面上に配置されている接続端子は、(i)母材を貫通するように設けられたビア又はスルーホール等により第１主面から第２主面上まで延長して設けられているか、(ii)第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上を通って、さらに、第２主面上に延長して（例えば、断面視、Ｕ字状に）設けられていることが好ましい。ここで第１主面と第２主面との間に存在する面とは、第１主面と第２主面との間に存在する１つの側面の一部又は全部であってもよいし、第１主面と第２主面との間に存在する２つ以上の側面の一部又は全部であってもよい。母材を貫通するように設けられたビア又はスルーホール等は、凸部に設けられていてもよい。
接続端子は、通常、第１主面において、発光素子の電極と接続される素子接続部と、発光装置の外部と接続される外部接続部とを有する。外部接続部は、第１主面、側面及び第２主面上か、第１主面及び第２主面上に配置される。
このように、母材が凸部を有する場合、接続端子における外部接続部は、凸部の両側に配置され、母材が第２主面側に折れ曲がった屈曲部を有する場合、外部接続部は、屈曲部を被覆するように配置されている。凸部に接続端子が設けられていてもよいが、一対の接続端子（つまり、アノードとカソード）の間隔が狭くなり、短絡のおそれが生じるため、凸部には接続端子を形成しないことが好ましい。
接続端子は、基体の第１主面上及び／又は側面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同じ幅（例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されていてもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるように、接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。このような幅狭となる部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく、第１主面及び第２主面上の双方に配置されていてもよい。特に、幅狭となる部位は、基体の第１主面上では、後述する光反射性部材の近傍において配置されることがより好ましい。
このような幅狭となる部位を配置することにより、接続端子に接続される接合部材等に含まれるフラックスなどが、端子表面に沿って、後述する光反射性部材の下、さらに発光素子の下にまで浸入することを抑制することができる。
また、素子接続部を、基体の長手方向に沿った側面から離間させることによって、発光素子の実装時に、上記と同様に、フラックスの浸入を抑制することができる。
幅狭となる部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭となる部位は、なだらかに幅狭になることが好ましい。
基体は、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒートシンク、補強部材等を有していてもよい。これらは、第１主面、第２主面、側面のいずれに配置されていてもよく、特に、発光素子及び／又は光反射性部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発光装置の強度及び信頼性を高めることができる。また、基体の強度を高めることにより、光反射性部材が金型を用いて成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射性部材の成形性を向上させることができる。
放熱用の端子又は補強端子が導電性であって、一対の接続端子の間に設けられる場合、放熱用の端子又は補強端子は絶縁性の膜で被覆されていることが好ましい。これにより、接続端子と放熱用の端子又は補強端子との接合部材のブリッジを防止することができる。この放熱用の端子、補強端子、絶縁性の膜を凸部として用いてもよい。
さらに、１つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に接続するさらなる接続端子を１以上備えていてもよい。１つの基体に実装される発光素子の数、その配列、接続形態（並列及び直列）等によって、接続端子の形状及び位置等を適宜設定することができる。
接続端子は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、実装側の接合部材との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点から、銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム又はこれらの合金の単層膜又は積層膜等、光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、具体的には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇなどの積層構造が挙げられる。また、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい。
接続端子は、それぞれ、発光素子と接続される面、つまり、第１主面上において、略平坦であってもよいし凹凸を有していてもよい。例えば、接続端子は、後述する発光素子の電極にそれぞれ対向する位置において、突出パターンを有していてもよい。突出パターンは、発光素子の電極と同等の大きさであることが好ましい。また、接続端子及び突出パターンは、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置することができるように、基体の表面（発光素子と接続される面側）に対して水平であることが好ましい。突出パターンは、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などのフォトリソグラフィーを利用したエッチング法などで形成することができる。
接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいが、基体表面において略平坦に又は基体と同一面を形成するために、メッキ等によって上述した材料の膜を形成することが好ましい。接続端子の厚みは、数μｍから数十μｍが挙げられる。特に、突出パターンは、メッキを積層して形成することが好ましい。突出パターンの厚みは、他の部位の接続端子表面から、数μｍから数十μｍが挙げられる。
基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一部に、例えば、多層構造又は積層構造の形態で備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。例えば、保護素子が実装された基板を、プリプレグを用いて圧着するなどによって、母材に電子部品を内蔵させて、保護素子が実装された基板部分を凸部とすることもできる（図６Ａから図６Ｃ参照）。
〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第１主面において、第１主面上の接続端子と接続されている。
１つの発光装置に搭載される発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。
発光素子は、少なくとも窒化物半導体積層体を備えることが好ましい。窒化物半導体積層体は、第１半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型半導体層）がこの順に積層されており、発光に寄与する積層体である。窒化物半導体積層体の厚みは、３０μｍ程度以下が好ましく、１５μｍ程度以下、１０μｍ程度以下がより好ましい。
また、窒化物半導体積層体の同一面側（例えば、第２半導体層側の面）に、第１半導体層に電気的に接続される第１電極（正又は負）と、第２半導体層に電気的に接続される第２電極（負又は正）との双方を有することが好ましい。第１電極及び第２電極を構成するものとして、オーミック電極、金属膜、外部接続用電極等を含むものとする。
第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
窒化物半導体積層体は、通常、半導体層の成長用の基板上に積層される。
半導体層の成長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられる。基板の厚みは、例えば、１９０μｍ程度以下が好ましく、１８０μｍ程度以下、１５０μｍ程度以下がより好ましい。
半導体層の成長用の基板は、サファイア基板のような透光性を有する基板を用いることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。あるいは、このような基板を半導体積層体から除去してもよい。この成長用の基板の除去は、レーザリフトオフ法等を利用して行うことができる。具体的には、基板側から半導体層に、基板を透過するレーザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導体層の端部又は隅部に若干の基板が残存していてもよい。成長用の基板は、発光素子が基体に実装された前後のいずれかで除去することができる。
窒化物半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄型化、小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去することにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。さらに、基板に起因する光散乱を阻止することができる。よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可能となる。
また、発光素子は、いわゆるバーティカルダイス又は貼り合わせダイスなどとして公知の積層構造、例えば、特開２００８−３００７１９号公報、特開２００９−１０２８０号公報等に記載されたような積層構造を有していてもよい。
発光素子の平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似する形状が好ましい。発光素子の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜調整することができる。例えば、発光素子の一辺の長さが、百μｍから２ｍｍ程度が挙げられ、１４００×２００μｍ程度、１１００×２００μｍ程度、９００×２００μｍ程度等が好ましい。
（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（基板が存在する場合にはその反対側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
発光素子の厚みは、半導体成長用の基板の有無にかかわらず、電極を含む厚みとして、２００μｍ以下であることが好ましく、１８０μｍ以下、１５０μｍ以下であることがより好ましい。また、基板が除去された窒化物半導体積層体のみによって、２０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下、１０μｍ以下であることがより好ましい。
発光素子は、基体にフリップチップ実装されていることが好ましい。
この場合、通常、第１電極及び第２電極が、接合部材によって、上述した基体の接続端子と接合されている。このような接合部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができ、導電性の接合部材が挙げられる。具体的には、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、上述した接続端子の形状、突出パターンの位置及び大きさと相まって、高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができる。よって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。成長用基板を除去する場合、異方性導電ペースト又は異方性導電フィルムを用いることが好ましい。接合部材は、発光素子を接続端子に固定した場合に、窒化物半導体積層体の厚みの１／４〜３倍程度の厚みとなるように設定されていることが好ましく、同等〜３倍程度がより好ましい。これによって、より高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができ、より小型化／薄型化が可能となる。例えば、接合部材は、２〜５０μｍ程度の厚みが好ましく、５〜３０μｍ程度がより好ましい。
〔光反射性部材〕
光反射性部材は、少なくとも発光素子の一部を封止（被覆）又は発光素子を基体に固定する機能を有する部材である。その材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。
光反射性部材は、透光性であってもよいが、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上の遮光性材料であるものがより好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、カーボンブラック、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材、光散乱材又は着色材等を含有させることが好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミニウム等）を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい。
これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、１０〜９５重量％程度、２０〜８０重量％程度、３０〜６０重量％程度含有させることが好ましい。
光反射材を含有させることにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミニウムを用いた場合に、光反射性部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率を高めることができる。光反射材として二酸化チタンのみ含有させる場合は、光反射性部材の全重量に対して、２０〜６０重量％程度含有させることが好ましく、３０〜５０重量％程度含有させることがより好ましい。
また、光反射性部材を有することで、半導体層の成長基板又は支持体などを除去、剥離するなどプロセス中の光反射性部材の強度を向上させることができる。さらに発光装置全体の強度を確保することができる。
光反射性部材を放熱性の高い材料で形成することによって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。
光反射性部材の外形は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台、一部がレンズ状等であってもよい。なかでも基体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った面を有することが好ましい。
光反射性部材は、発光素子の少なくとも１つの側面の一部又は全部に接触して、発光素子の側面を被覆するように配置されていることが好ましく、発光素子の全周囲を取り囲むように、発光素子に接触して配置されていることが好ましい。この場合、光反射性部材は、発光装置の長手方向に延長する側面（図１Ｃ中、７ａ）において薄く、短手方向に延長する側面（図１Ｃ中、７ｂ）において厚く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄型化を図ることができる。
また、光反射性部材は、実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。発光素子と基体との間に配置される光反射性部材は、発光素子の側面を被覆する材料と異なる材料であってもよい。これによって、発光素子の側面に配置される光反射性部材と、発光素子と基体との間に配置される部材との間で、それぞれ適切な機能を付与することができる。
例えば、発光素子の側面に配置される光反射性部材は反射率が高い材料、発光素子と基体との間に配置される部材は両者の密着性を強固とする材料とすることができる。
特に、発光素子と基体との間に配置される光反射性部材は、接続端子の線膨張係数と同等±２０％の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましい。別の観点から、３０ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましく、２５ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。さらに別の観点から、５０℃以下のガラス転移温度が好ましく、０℃以下がより好ましい。これによって、光反射性部材と基体との剥がれを防止することができる。
光反射性部材の平面視（光取り出し面側から見た平面視）における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよい。光反射性部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う１つの縁部は、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射性部材の長手方向に沿った側面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った側面の一方と同一面を形成することが好ましく、双方が同一面を形成することがより好ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きくすることができ、光取出し効率を高めることができる。光反射性部材の短手方向に沿った縁部は、基体の短手方向に沿う縁部よりも、通常、内側に配置されている。ここで同一面とは、厳密な意味のみならず、光反射性部材が若干のアール形状を有する場合には、そのアール形状の一部が基体の側面と一致しているものも含む。
光反射性部材の大きさは、光取り出し面側から見た場合、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。特に、その最外形の長手方向の長さは、発光素子の一辺の１．０１〜４．０倍程度の一辺長さを有することが好ましい。具体的には、３００〜２０００μｍ程度が好ましく、１０００〜１５００μｍ程度がより好ましい。
光反射性部材の厚み（光取り出し面側から見た場合の発光素子の側面から光反射性部材の最外形までの幅又は発光素子の側面における光反射性部材の最小幅ともいう）は、例えば、１〜１０００μｍ程度が挙げられ、５０〜５００μｍ程度、１００〜２００μｍ程度が好ましい。
光反射性部材は、発光素子を基体上に搭載した場合、光反射性部材の上面が、発光素子の上面と同一面を形成する高さとすることが好ましい。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。成形機を用いる場合は離型フィルムを用いてもよい。
光反射性部材は、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等を封止（被覆）するために、発光素子が基体に実装された後に形成される。さらに、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆するように設けてもよい。
〔透光性部材〕
発光素子はその上面に、つまり、発光装置の光取り出し面に、透光性部材が設けられていることが好ましい。
発光素子の側面が遮光性の光反射性部材で被覆されており、発光素子の上面が光反射性部材で被覆されていない場合には、透光性部材は、光反射性部材の上面を被覆していることが好ましい。透光性部材は、その側面が光反射性部材で被覆されていなくてもよいが、被覆されていることが好ましい。
透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、光反射性部材と同様の部材であってもよいが、異なる部材であってもよい。例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。
透光性部材には、発光素子からの光に励起される蛍光体を含有するものが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば、白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
透光性部材は、粒子状の蛍光体を含む粒子層が複数積層された層状部材であるか、透明の多結晶の蛍光体板部材であるか、透明の単結晶の蛍光体板部材が好ましい。これによって、透光性部材において、散乱をより一層低減させることができ、光の取り出し効率等をより一層向上させることができる。
蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置又は部材中に設けてもよい。例えば、蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよい。
透光性部材は、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられる。
充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られる、０．０８〜１０μｍ程度が好ましい。
蛍光体及び／又は充填材は、例えば、透光性部材の全重量に対して１０〜８０重量％程度が好ましい。
透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式で又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法で蛍光体を付着させた後で透光性樹脂を含浸させる方法、ポッティング、圧縮成形、スプレー法、静電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ（アエロジル）などを添加してもよい。なかでも、透光性部材に蛍光体を含有させる場合には、スプレー法、特に、パルス状、すなわち間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー方式が好ましい。間欠的にスプレー噴射することにより、単位時間当たりの透光性部材の噴射量を少なくすることができる。このため、スプレー噴射のノズルを、少ない噴射量でスプレー噴射させながら低速で移動させることにより、凹凸形状を有する塗布面に均一に蛍光体を塗布することができる。また、パルススプレー方式では、連続スプレー方式に比べて、ノズルからのスラリーの噴出速度を低減することなく、エアの風速を低減することができる。このため、塗布面に良好にスラリーを供給することができ、かつ、塗布されたスラリーがエア流によって乱されない。その結果、蛍光体の粒子と発光素子の表面との密着性が高い塗布膜を形成することができる。また、粒子状の蛍光体を含む薄膜の粒子層を複数の積層数で形成することができる。このように、積層数を制御することによって、その厚みの精度を向上させることができる。また、蛍光体の分布の偏りを抑制することができ、均一に波長変換した光を出射させることができ、発光素子の色むら等の発生を回避することができる。
パルススプレー法は、例えば、特開昭６１−１６１１７５号公報、特開２００３−３０００００号公報及びＷＯ２０１３／０３８９５３Ａ１に記載された公知の方法であり、適宜、その使用材料、条件等を調整することができる。例えば、塗布されるスラリーは、溶剤と、熱硬化性樹脂と、粒子状の蛍光体とが含有される。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などを用いることができる。溶剤としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、トルエン、アセトン、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤を用いることができる。蛍光体は、例えば、１０〜８０重量％で使用することが好ましい。スラリーは、０．０１〜１０００ｍＰａ・ｓ程度に調整することが好ましく、０．１〜１００ｍＰａ・ｓ程度がより好ましい。
透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、１〜３００μｍ程度が挙げられ、１〜１００μｍ程度が好ましく、２〜６０μｍ程度、５〜４０μｍ程度がより好ましい。
なかでも、スプレー法によって積層する場合には、透光性部材は、窒化物半導体積層体の全厚みの２０倍以下の厚みであることが好ましく、１０倍以下がより好ましく、６倍以下、４倍以下、３倍以下がさらに好ましい。このような厚みとすることにより、光の波長変換を十分に行いながら、より小型で薄膜の発光装置を提供することができる。
別の観点から、透光性部材は、発光素子の側面における光反射性部材の厚みの２倍以下の厚みを有することが好ましく、最小幅の２倍以下とすることがより好ましく、同等以下がさらに好ましい。このような比較的薄い厚みとすることにより、後述するように、光反射性部材での被覆の有無にかかわらず、発光素子から出射される光を、透光性部材の側面（側面）から出射させることなく、光取り出し面の１方向にのみ、光を取り出すことができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
さらに別の観点から、発光素子の厚みにかかわらず、発光素子の下端から透光性部材の上端までの厚みは４００μｍ程度以下であることが好ましく、３５０μｍ程度以下、３００μｍ程度以下、２８０μｍ程度以下であることがより好ましい。
特に、バックライト用途においては、このような比較的薄い厚みの透光性部材は、発光素子の発光効率及びバックライトの発光効率をより高めることができる。例えば、上述したように、正面光に対する側面光の割合を減らすことができ、バックライトの導光板への入光効率を高めることができる。また、樹脂量を少なくすることができるので、熱放射率の比較的低い透明樹脂の割合を低減することができ、蓄熱を減らすことができる。同時に発光素子と蛍光体又は蛍光体同士の接触面積を増やすことができるため、伝熱経路を確保できる。よって、放熱性を改善して、発光効率を改善することができる。さらに、発光素子表面から導光板入光までの距離を最小にすることができるため、より高輝度でバックライトの導光板に入光させることができ、バックライトでの発光効率を高めることができる。
透光性部材の上面（光取り出し面）は平面であってもよく、配光を制御するために、その上面（光取り出し面）及び／又は発光素子と接する面を凸面、凹面等の凹凸面にしてもよい。上述したように、粒子状の蛍光体を含む複数の粒子層が積層されている場合には、蛍光体の粒径に対応した凹凸が、透光性部材の表面に引き継がれることとなる。これにより、蛍光体を含有する、薄い透光性部材を積層することで蛍光体の凝集を防止し、その脱落を防止しながら、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることができる。その結果、光取出しに有効となる。つまり、透光性部材の変色又は寿命、放熱性を考慮すると、透光性部材のような樹脂含有部材は、接着強度等が維持できる限り薄い方が好ましい。その一方で透光性部材の脱落の懸念があった。しかし、樹脂を減らして適度な凹凸形状を得ることにより、これらの問題を解消することができる。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着して、発光装置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子の実装の信頼性等を高めることができる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
実施形態１
本実施形態の発光装置１は、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、第１主面上に一対の接続端子３を有する母材２を備える基体４と、発光素子５と、光反射性部材７とを含んで構成されている。
基体４は、長手方向の長さが１．８ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．４５ｍｍであり、配線基板として機能する。その強度は、引っ張り試験機によって測定される値が３００ＭＰａ以上である。
基体４は、母材２の第２主面である下面２ｃの略中央部に、凸部２ｄを有する。母材２の両端における厚みは２００μｍであり、凸部２ｄを含めた中央部の厚みは２３０μｍである。
母材２は、市販のガラスクロスを含有するナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂組成物からなる（三菱瓦斯化学社製：ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ）。この母材２は、ガラス繊維、球状シリカ、球状シリコーン、カーボンを含有し、直方体形状を有する。母材２（接続端子なしの状態）の線膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度であり、それを構成する樹脂のガラス転移温度は２８０℃程度である。
母材２の表面、凸部２ｄの両側の下面２ｃから、短手方向に延びる側面２ｂ及び第１主面である上面２ａ上にわたって、母材２側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ（合計厚み：２０μｍ、線膨張係数：２０ｐｐｍ／℃程度）が積層されて構成された一対の接続端子３が形成されている。
一対の接続端子３は、母材２の上面２ａ側の中央部において、互いに接近して、その上面に、素子接続部として突出パターン３ａを有する。突出パターン３ａは、銅からなる層（突出厚み２０μｍ）によって、マスクを利用したメッキによって形成することができる。この突出パターン３ａは、後述する発光素子５に形成されている一対の電極５ａ、５ｂと対向する位置において、それらの大きさと同等の大きさである。
一対の接続端子３は、それぞれ、素子接続部である突出パターン３ａから長手方向に延びて、母材２の上面２ａから側面２ｂを経て下面２ｃに連続して形成されている。接続端子３では、素子接続部である突出パターン３ａから延長して母材２の下面２ｃに連続する部位（断面視Ｕ字状の部位）が外部接続部３ｂとなる（図１Ｂ参照）。
接続端子３の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致しており、接続端子３の長手方向に沿った側面は、基体４の長手方向に沿った側面と同一面を形成している。
接続端子３は、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間において、幅狭となる部位を有する（図１Ｃ参照）。また、図示しないが、基体４の第２主面上の外部接続部３ｂの一部が幅狭となる部位を有する。
接続端子３の突出パターン３ａには、１つの発光素子５が、フリップチップ実装されている。
発光素子５は、サファイア基板（厚み：１５０μｍ程度）上に窒化物半導体の積層体（厚み：８〜１２μｍ程度）が形成され、積層体のサファイア基板と反対側の表面に正負一対の電極５ａ、５ｂを有する。発光素子５は、その正負一対の電極５ａ、５ｂが、基体４の一対の接続端子３の突出パターン３ａに、それぞれ、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田である溶融性の接合部材６（厚み：２０μｍ）によって接続されている。サファイア基板表面には凹凸（高さ：０．５μｍ、ピッチ：１０μｍ）を有しているため、窒化物半導体積層体の対応する面にも、これに起因する凹凸を有する。
このような接続端子の突出パターン３ａを利用することによって、発光素子の実装時において、その形状及び位置と相まって、溶融性の接合部材６の量的なコントロールを行うことにより、意図しない領域への接合部材の侵入を防止することができる。その結果、意図する部位に発光素子を高精度にアライメントさせ、発光素子を適所に固定することができる。
発光素子５は、長手方向の長さが０．９ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。
光反射性部材７は、長手方向の長さ（全長）が１．２ｍｍ、短手方向の幅（全長）が０．３ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの略直方体状に成形されている。つまり、光反射性部材７の長手方向に沿った縁部は、それぞれ、基体４の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射性部材７は、発光素子５に接し、その側面の全周に接触して被覆するように、基体４の第１主面に設けられている。また、発光素子５の基体４と対向する面側に、光反射性部材７ｄが設けられている。つまり、光反射性部材７ｄは、発光素子５と、突出パターン３ａを略完全に被覆した溶融性の接合部材６との間に配置されている。
これによって、発光素子５から上面に、効率良く光を取り出すことができる。また、光反射性部材７ｄが、発光素子５の基体４と対向する面側にも設けられていることによって、より強固に発光素子５を基体４に接続させることができる。
光反射性部材７の上面は、発光素子５の上面と略一致している。
光反射性部材７は、平均粒径１４μｍのシリカと、無機粒子として、平均粒径０．２５〜０．３μｍの酸化チタンとを、それぞれ、光反射性部材７の全重量に対して、２〜２．５ｗｔ％及び４０〜５０ｗｔ％で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。シリコーン樹脂のガラス転移温度は４０℃であり、線膨張係数は５０ｐｐｍ／℃程度である。
光反射性部材７の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致しており、光反射性部材７の長手方向に沿った側面は、基体４の長手方向に沿った側面と同一面を形成している。
発光素子５上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に透光性部材１０（厚さ：２０μｍ）が配置されている。この透光性部材１０は、中心粒径が８μｍ程度のＹＡＧ：Ｃｅの蛍光体を含有するシリコーン樹脂が、パルススプレー法によって、３層積層されて形成されたものである。
透光性部材１０は、光反射性部材７の上面を被覆している。透光性部材１０の側面は、光反射性部材７の側面と一致している。
このような発光装置は、発光素子を搭載する基体が、その下面側において、中央部に凸部を有しているために、極めて薄いにもかかわらず、十分な強度を確保することができる。
また、基体の線膨張係数が極めて低いために、製造工程中及び後に負荷される熱による発光素子と基体との間の線膨張の差異を極めて低く抑えることができる。これによって、両者の線膨張差に起因する両者間の剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を防止することができ、電気的接続を確保することができる。その結果、寿命が長く、優れた特性を有する発光装置を得ることができる。
上述したように、基体を構成する母材は、２５０℃以上の高いガラス転移温度を有し、線膨張係数の小さい樹脂によって形成している。この樹脂に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ガラスクロスなどの無機フィラーを、任意に、放熱性を有するカーボンブラック、弾性率を付与するシリコーンフィラー等を、高い割合で含有させている。これにより、発光素子の駆動で発生した熱を効率良く放熱することができる。特に、カーボンブラックなどで黒色に着色した母材に用いる場合には、遠赤外線などの放射率が高いため、熱放射により、効率的に放熱することができる。また、基体の光反射性部材と接する面側を熱吸収率の高い材料、可視域の電磁波の吸収率が低い材料、遠赤外線などの長波長の電磁波を吸収する材料、熱伝導率の高い材料で塗装する場合には、より放熱性を高めることができる。これによって、小型の発光装置の放熱性を改善し、蛍光体による光の波長変換効率を改善することができるとともに、発光素子の発光効率を改善することができる。
この発光装置１は、図２に示すように、基体４の長手方向に沿った一対の側面と、光反射性部材７の長手方向に沿った一対の側面とが、それぞれ同一面を形成するように配置されている。これらの同一面を形成する一方の側面（図２中、Ｒ）を、発光装置１の実装面として、表面に配線パターン５２を有する実装基板５１上において、サイドビュー型で実装される。
実装は、発光装置１の一対の外部接続部３ｂが、それぞれ、実装基板５１の正極及び負極に対応する配線パターン５２上に載置され、半田５３により接続される。半田５３は、Ｕ字状に屈曲した外部接続部３ｂにおいて、基体４の第１主面のみならず、側面及び第２主面にわたって、小型の接続端子３との接触面積を広げて、接続されている。これによって、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定性を向上させることができる。
また、接続端子３において、突出パターン３ａと外部接続部３ｂとの間に幅狭となる部位を配置することにより、外部接続部３ｂに接続される、半田等に含まれるフラックスなどが、光反射性部材７下に浸入するのを抑制することができる。
さらに、光反射性部材の長手方向に沿った側面及び基体４の長手方向に沿った側面の双方が実装基板５１の表面に接していることに加え、基体４の凸部２ｄが実装基板５１との接触面積を広げている。これによって、安定した実装を確保することができる。また、放熱性の良好な基体を用いるために、実装基板５１への放熱経路をさらに確保することができる。
このような発光装置１は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、裏面に凸部１２ｄがストライプ状に形成された母材１２に複合接続端子１３が形成された複合基体１４を用いて製造することができる。この複合基体１４は、個片化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体１４は、母材１２において、上面から裏面に及ぶスリット１５を、ストライプ状の凸部１２ｄに平行してストライプ状に有している。複合接続端子１３は、このスリット１５の内壁を通って、複合基体１４の母材１２の上面から下面に連続して設けられている。また、上面には、対向するように、突出パターン１３ａが形成されている。
図３Ａでは、１８個の発光装置を得る複合基体１４を表しているが、生産効率を考慮して、より多数（数百〜数千個）の発光装置を得る複合基体１４とすることができる。
この複合基体１４では、母材を形成する前、シート状に成形する際、下面に凸部１２ｄ及びスリット１５を一緒に形成し、焼成することにより形成することができる。
このような複合基体１４上に、発光素子５を接続し、発光素子５の側面を被覆するよう、複数の光反射性部材１７を一括でトランスファー成形により成形し、成形体を取り出す。
その後、光反射性部材から露出している複合基体１４の上面をマスクして、光反射性部材１７の上面から露出した発光素子５の上面及び光反射性部材１７の上面を、例えば、パルススプレー法によって、透光性部材１０で被覆する。その後、複合基体１４と光反射性部材１７とを分割予定線Ｌに沿って一方向に切断する。これによって、スリット１５の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
なお、本実施形態では透光性部材１０を発光素子５の上面から光反射性部材１７の上面にかけてパルススプレー法により形成しているが、発光素子５の上面にのみ透光性部材１０を形成してもよい。
また、発光素子５と平面視において略同じ形状の板状の透光性部材１０を発光素子５の上面に接着し、発光素子５及び透光性部材１０の側面を被覆するよう光反射性部材１７を形成してもよい。
実施形態１の変形例１
この実施形態では、図４Ａに示す発光装置の断面図において、発光装置１Ｂを構成する発光素子５の上面において透光性部材１０が被覆されており、発光素子５の側面を被覆する光反射性部材７の上面には、実質的に透光性部材１０は配置されていない以外は、実施形態１の発光装置１と実質的に同じ構成を有する。
この発光装置１Ｂでは、透光性部材１０の側面は、光反射性部材で被覆されている。このような構成により、透光性部材１０の側面からの光の出射を防止することができ、より光取り出し効率が向上する。
このような発光装置１Ｂは、以下の製造方法により製造することができる。
まず、発光素子５を光反射性部材７で被覆する。その後、発光素子５の上に開口を有するマスクを利用して、光反射性部材７を除去することにより、光反射性部材７の上面に発光素子５の上面を露出する凹部を形成する。その凹部内に、マスクを利用して、例えば、パルススプレー法を利用して、透光性部材１０を形成する。これにより、凹部内にのみ透光性部材１０を配置することができ、その側面を光反射性部材７で被覆させることができる。
実施形態１の変形例２
この実施形態の発光装置１Ｃは、図４Ｂに示すように、基体を構成する母材２ｒの側面２ｗが、母材２ｒの上面よりも下面の面積が大となるように、傾斜している以外、実質的に実施形態１及びその変形例と同様の構成を有する。
この発光装置１Ｃは、実施形態１と同様の効果を有する。
実施形態１の変形例３
この実施形態の発光装置１Ｄは、図４Ｃに示すように、基体を構成する母材２ｑの側面２ｐが、母材２ｑの下面よりも上面の面積が大となるように、傾斜している以外、実質的に実施形態１及びその変形例と同様の構成を有する。
この発光装置１Ｄは、実施形態１と同様の効果を有する。
実施形態１の変形例４
この実施形態では、図４Ａに示す発光装置の基体４の代わりに、図６Ｃに示す基体６４を用いてもよい。この基体６４は、凸部６４ｄに対応する部位に、ツェナーダイオード及びバリスタ等の電子部品６５を内蔵させた基体である。
このような基体６４は、まず、図６Ａに示すように、例えば、表面に配線パターン６１ａが形成された一対の母材６２ａと、プリプレグ６３と、電子部品６５をその表面の配線パターン６１ｂに搭載した第２の母材６２ｂとを準備する。次いで、図６Ｂに示すように、母材６２ａと、プリプレグ６３と、第２の母材６２ｂとを組み合わせ、圧着することにより、図６Ｃに示すように、一対の母材６２ａと、プリプレグ６３とを母材６２として一体成形して、裏面側の中央に凸部６４ｄを有する基体６４を得る。その後、表面側及び裏面側の配線パターンを接続する。なお、この基体６４は、図３Ａに示す複合基体１４のような構成に準じて、複数の基体６４を一体的に形成し、分割することによって製造してもよい。
このような構成以外、実質的に実施形態１及びその変形例と同様の構成を有する。
この発光装置１Ｄは、実施形態１と同様の効果を有する。また、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。
実施形態２
この実施形態の発光装置４０は、図５に示すように、基材を構成する母材４２が、第２主面において、第２主面側に折れ曲がった屈曲部４２ａを有する。
これにより、発光装置をサイドビュー型として実装する際に、半田等の接合部材の回りこみによる光反射性部材７の損傷を防止し、短絡等を回避することができる。
屈曲部４２ａは、第２主面側の両端において、２箇所有している。これにより、発光素子の実装を容易にし、適切な強度を確保することができる。加えて、サイドビュー型として実装する際に、安定して発光装置４０を配置することができ、適度な強度を確保することができる。
折れ曲がり角度は、母材４２の屈曲部４２ａが配置されていない領域の上面（例えば、発光素子５の搭載領域に対応する領域の上面）に対して、３０°程度である。つまり、折れ曲がりの角度は、母材の第１主面から、第２主面側の屈曲部先端までの高さＨが、母材自体の厚み（例えば、発光素子が搭載された領域における厚み）の１２０％程度になるように設定されている。具体的には、高さＨは４１０μｍである。これによって、簡便な加工を実現しながら、実装安定性を確保することができる。また、最も厚い部位の厚みを増大させることなく、上述した最も厚い部位の厚みで、十分な発光装置強度を得ることができる。
屈曲部は、第２主面側のみならず、第１主面側に存在している（図５中、４２ｂ）。第１主面側の屈曲部４２ｂは、第２主面側に折れ曲がっている。第１主面側の屈曲部４２ｂの位置は、第２主面側の屈曲部４２ａに対応した位置である。つまり、母材４２の端部からの距離が等しい。このような形態は、母材を加工しやすく、強度の確保が容易となる。
接続端子４３は、第２主面上の屈曲部４２ａよりも内側から、屈曲部４２ａをとおり、さらに第１主面と第２主面との間に存在する１つの側面をとおり、第１主面上に配置している。第１主面上では、第１主面上の屈曲部４２ｂをとおり、その中央付近で、対向するように互いに離間して配置されている。対向する部位の接続端子４３の上面には、実施形態１と同様に突出パターン４３ａが形成されている。なお、接続端子は、第１主面上及び第２主面上に配置された屈曲部４２ａ、４２ｂの双方を被覆するように配置されている。
これら屈曲部４２ａ、４２ｂは、母材を形成する前に、シート状に整形する際に、屈曲部４２ａ、４２ｂを形成した後、焼成することにより形成することができる。また、母材を製造した後、切削加工又はレーザ加工等により、第１主面及び第２主面の双方を、部分的に除去することにより形成することができる。
この発光装置１Ｃは、実施形態１と同様の効果を有する。
本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。
１、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、４０ 発光装置
２、２ｒ、２ｑ、１２、４２ 母材
２ａ 上面
２ｂ、２ｗ、２ｐ、 側面
２ｃ 下面
２ｄ、１２ｄ 凸部
３、４３ 接続端子
３ａ、１３ａ、４３ａ 突出パターン
３ｂ 外部接続部
４、１４ 基体
５ 発光素子
５ａ、５ｂ 電極
６ 接合部材
７、１７ 光反射性部材
７ａ 長手方向に延長する側面
７ｂ 短手方向に延長する側面
１０ 透光性部材
１３ 複合接続端子
１４ 複合基体
１５ スリット
４２ａ、４２ｂ 屈曲部
５１ 実装基板
５２ 配線パターン
５３ 半田
６１ａ、６１ｂ 配線パターン
６２、６２ａ 母材
６２ｂ 第２の母材
６３ プリプレグ
６４ 基体
６４ｄ 凸部
６５ 電子部品

Claims (12)

  1. 第１主面上から該第１主面と反対面である第２主面にわたって配置された一対の接続端子と、母材とを備える基体、
    前記第１主面上で前記接続端子と接続された発光素子、
    該発光素子の側面を被覆する光反射性部材を備える発光装置であって、
    前記母材は、第２主面上に凸部を有し、
    前記接続端子は、前記凸部の両側の第２主面上から前記第１主面上に配置され、前記第１主面上の両側で、その一部が前記光反射性部材から露出し、
    前記凸部は、前記発光装置の光取出し面に隣接する実装面において、母材と面一である側面発光型の発光装置。
  2. 前記母材の凸部は、前記第１主面の発光素子に対応する第２主面上の領域に配置されている請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記基体の最も厚い部位の厚みは５００μｍ以下である請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記基体の曲げ強度は３００ＭＰａ以上である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記発光素子は、その上面に、前記発光素子からの光によって励起される蛍光体を含有する透光性部材が配置されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 前記透光性部材は、前記光反射性部材の上面を被覆している請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記透光性部材は、その側面が前記光反射性部材で被覆されている請求項５に記載の発光装置。
  8. 前記発光素子の下端から前記透光性部材の上端までの厚みは４００μｍ以下である請求項５〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は、前記基体にフリップチップ実装されている請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
  10. 前記発光素子は、２００μｍ以下の厚みを有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
  11. 前記発光素子は、半導体層の成長用の基板が除去されている請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
  12. 第１主面上から該第１主面と反対面である第２主面にわたって配置された一対の接続端子と、母材とを備える基体、
    前記第１主面上で前記接続端子と接続された発光素子、
    該発光素子の側面を被覆する光反射性部材を備える発光装置であって、
    前記母材は、前記第２主面側に折れ曲がった屈曲部を有し、 前記接続端子は、前記第２主面上の屈曲部から前記第１主面上に配置され、前記第１主面上の両側で、その一部が前記光反射性部材から露出している側面発光型の発光装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6337859B2 (ja) 2015-09-08 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6504019B2 (ja) * 2015-10-27 2019-04-24 豊田合成株式会社 発光装置
EP3355369B1 (en) * 2015-10-29 2019-10-02 Kyocera Corporation Light emitting element-mounting substrate and light emitting apparatus
JP6837314B2 (ja) * 2016-11-01 2021-03-03 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6838528B2 (ja) * 2017-08-31 2021-03-03 日亜化学工業株式会社 基板の製造方法と発光装置の製造方法
JP2019159140A (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 信越化学工業株式会社 白色リフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなる白色リフレクター
JP6760324B2 (ja) * 2018-03-27 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7057508B2 (ja) * 2019-03-28 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11756947B2 (en) 2020-02-06 2023-09-12 Lumileds Llc Light-emitting diode lighting system with wirebonded hybridized device
CN116325197A (zh) * 2020-07-21 2023-06-23 亮锐有限责任公司 具有金属嵌体和顶部触点的发光器件
US11575074B2 (en) 2020-07-21 2023-02-07 Lumileds Llc Light-emitting device with metal inlay and top contacts
US11444225B2 (en) * 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
CN112054111B (zh) * 2020-09-10 2022-10-25 无锡商业职业技术学院 一种紫外杀菌灯具的发光元件封装结构及其驱动方法
JP7578565B2 (ja) 2021-08-27 2024-11-06 日機装株式会社 発光装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2092165C (en) * 1992-03-23 2001-05-15 Tuyosi Nagano Chip carrier for optical device
JP3642823B2 (ja) 1995-03-27 2005-04-27 ローム株式会社 側面発光装置
JP3939145B2 (ja) * 2001-12-18 2007-07-04 シャープ株式会社 側面発光型の表面実装型発光ダイオード
JP2003255867A (ja) * 2002-03-04 2003-09-10 Rohm Co Ltd チップ型ｌｅｄを使用したバックライト光源装置
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4516337B2 (ja) 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20080186714A1 (en) 2004-03-25 2008-08-07 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2007329219A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
TWI302043B (en) * 2006-06-27 2008-10-11 Everlight Electronics Co Ltd Base structure for ultra-thin light-emitting diode and manufacturing method thereof
JP5103805B2 (ja) 2006-06-27 2012-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2008140840A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置および発光素子
US7956469B2 (en) * 2007-07-27 2011-06-07 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2009038184A (ja) 2007-08-01 2009-02-19 Harison Toshiba Lighting Corp 半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置
US8491816B2 (en) * 2008-02-07 2013-07-23 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device, backlight, color image display device and phosphor to be used for them
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
TWI456784B (zh) * 2008-07-29 2014-10-11 Nichia Corp 發光裝置
JP2010073855A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Ikeda Mekki Kogyo Kk 半導体装置およびその製法
KR101509760B1 (ko) * 2008-10-16 2015-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법, 이를 구비한 발광 장치
JP5521325B2 (ja) 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9111778B2 (en) * 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8034661B2 (en) * 2009-11-25 2011-10-11 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming compliant stress relief buffer around large array WLCSP
JP5455764B2 (ja) * 2010-04-23 2014-03-26 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
JP5730680B2 (ja) * 2011-06-17 2015-06-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置とその製造方法
JP5744643B2 (ja) * 2011-06-28 2015-07-08 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
JP6008940B2 (ja) * 2012-03-13 2016-10-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5684751B2 (ja) * 2012-03-23 2015-03-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP6219586B2 (ja) * 2012-05-09 2017-10-25 ローム株式会社 半導体発光装置
US20130307013A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Avago Technlogies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device with dark layer
JP2013138262A (ja) 2013-04-08 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法

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