JP7578565B2

JP7578565B2 - 発光装置

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Publication number: JP7578565B2
Application number: JP2021138689A
Authority: JP
Inventors: 彰一新関
Original assignee: Nikkiso Co Ltd
Current assignee: Nikkiso Co Ltd
Priority date: 2021-08-27
Filing date: 2021-08-27
Publication date: 2024-11-06
Anticipated expiration: 2041-08-27
Also published as: JP2023032516A

Description

本発明は、発光装置に関する。

特許文献１には、配線層を有する基体と、配線層にフリップチップ実装された発光素子とを有する発光装置が開示されている。発光素子が配線層にフリップチップされた発光装置においては、発光素子のｐ側電極及びｎ側電極が発光素子の同じ側に形成されているとともに、発光素子から発される光が、発光素子におけるｐ側電極及びｎ側電極が形成された側と反対側に取り出される。

特開２０１６－１２７０５６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の発光装置においては、発光素子から発される光を、発光装置の外部に取り出しやすくし、光出力を向上させる観点から改善の余地がある。

本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、光出力を向上させることができる発光装置を提供することを目的とする。

本発明は、前記の目的を達成するため、基材、及び前記基材の一方側の面に設けられた実装電極を有する実装基板と、前記実装電極に実装された発光素子と、前記実装基板における前記発光素子が配された側に位置する集光部材と、を備え、前記実装電極は、平板状の電極本体部と、前記電極本体部から前記基材と反対側に突出するよう形成された電極突出部とを有し、前記発光素子は、前記電極突出部に実装されており、前記集光部材は、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光し、前記集光部材は、導電性を有するリフレクタであり、前記リフレクタは、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光する反射面を有し、前記電極突出部における前記発光素子側の面は、前記反射面における前記実装基板側の端部よりも、前記基材に近い側に位置している、発光装置を提供する。

本発明によれば、光出力を向上させることができる発光装置を提供することが可能となる。

第１の実施の形態における、発光装置の断面図である。第１の実施の形態における、発光装置の平面図である。図１の一部を拡大した図である。第１の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。第１の実施の形態における、実装基板及び発光素子の平面図である。第１の実施の形態における、実装基板の平面図である。第１の実施の形態における、実装基板の斜視図である。第１の実施の形態における、リフレクタが、発光素子から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置の断面図である。比較形態における、リフレクタが、発光素子から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置の断面図である。第２の実施の形態における、実装基板の平面図である。第３の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。第４の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。第５の実施の形態における、発光装置の断面図である。第６の実施の形態における、発光装置の断面図である。

［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。

（発光装置１）
図１は、本形態における発光装置１の断面図である。図２は、本形態における発光装置１の平面図である。図３は、図１の一部を拡大した図である。

本形態の発光装置１は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）又は半導体レーザ（ＬＤ：ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ）を構成するものとすることができる。本形態において、発光装置１は、深紫外光を発する深紫外ＬＥＤを構成するものであり、例えば殺菌（例えば空気浄化、浄水等）、医療（例えば光線治療、計測・分析等）、ＵＶキュアリング等の分野において用いることができる。

本形態の発光装置１は、載置基板２と、載置基板２上に配された実装基板３と、実装基板３にフリップチップ実装された発光素子４と、発光素子４から発される光を集光する集光部材としてのリフレクタ５と、リフレクタ５を取り付けるリフレクタマウント６とを備える。以後、実装基板３と発光素子４との重なり方向を上下方向という。また、上下方向の一方側であって実装基板３に対して発光素子４が配された側を上側とし、その反対側を下側とする。なお、上下の表現は便宜的なものであり、例えば発光装置１の使用時における、鉛直方向に対する発光装置１の姿勢を限定するものではない。

（載置基板２）
載置基板２には、実装基板３及びリフレクタマウント６が載置されている。なお、図示は省略するが、載置基板２に、実装基板３及び発光素子４の熱を放熱するためのヒートシンクが接続されてもよい。

（実装基板３）
図４は、実装基板３及び発光素子４の断面図である。図５は、実装基板３及び発光素子４の平面図である。図６は、実装基板３の平面図である。図７は、実装基板３の斜視図である。

実装基板３は、サブマウントとも称されるものであり、基材３１と導電部３２とを備える。基材３１は、平板状に形成されており、電気的絶縁性を有する。基材３１は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などからなるセラミック基板とすることができる。

図３及び図４に示すごとく、導電部３２は、基材３１の下面において互いに離隔して配されたｐ側下面電極３２１及びｎ側下面電極３２２と、基材３１の上面において互いに離隔して配されたｐ側実装電極３２３及びｎ側実装電極３２４とを有する。ｐ側下面電極３２１は、ｐ側実装電極３２３と電気的に接続されており、ｎ側下面電極３２２は、ｎ側実装電極３２４と電気的に接続されている。ｐ側下面電極３２１とｐ側実装電極３２３との電気接続、及び、ｎ側下面電極３２２とｎ側実装電極３２４との電気接続は、例えば基材３１に形成された図示しないビアホールを介して行うことができる。以後、ｐ側実装電極３２３とｎ側実装電極３２４とを特に区別しない場合は、「実装電極３２３，３２４」という。また、ｐ側実装電極３２３とｎ側実装電極３２４との並び方向（例えば図５及び図６の左右方向）を電極並び方向という。また、上下方向と電極並び方向とのそれぞれに直交する方向（例えば図５及び図６の上下方向）を、縦方向という。

実装電極３２３，３２４は、平板状の電極本体部３２５と、電極本体部３２５から上側に突出するよう形成された電極突出部３２６とを有する。図５乃至図７に示すごとく、ｐ側実装電極３２３の電極本体部３２５と、ｎ側実装電極３２４の電極本体部３２５とは、それぞれＥ字状を呈しているとともに、互いに電極並び方向に対称となる姿勢で配されている。電極本体部３２５は、縦方向に長尺な縦部３２５ａと、縦部３２５ａの両端のそれぞれから電極並び方向の一方側に延設された一対の端延設部３２５ｂと、縦部３２５ａの中央から端延設部３２５ｂが延設された側と同じ側に延設された中央延設部３２５ｃとを有する。ｐ側実装電極３２３の電極本体部３２５において縦部３２５ａから端延設部３２５ｂ及び中央延設部３２５ｃが延設された方向と、ｎ側実装電極３２４の電極本体部３２５において縦部３２５ａから端延設部３２５ｂ及び中央延設部３２５ｃが延設された方向とは、互いに向かい合う方向である。ｐ側実装電極３２３の電極本体部３２５とｎ側実装電極３２４の電極本体部３２５とは、互いの端延設部３２５ｂ同士が電極並び方向に並んでいるとともに、互いの中央延設部３２５ｃ同士が電極並び方向に並んでいる。

中央延設部３２５ｃは、縦部３２５ａに隣接する位置に形成された幅狭部３２５ｄと、幅狭部３２５ｄにおける縦部３２５ａと反対側に形成されるとともに幅狭部３２５ｄよりも縦方向の両側に突出した幅広部３２５ｅとを有する。そして、幅広部３２５ｅの全体から上側にまっすぐ延設するよう、電極突出部３２６が形成されている。

電極突出部３２６は、縦方向に長尺な直方体状に形成されている。図４に示すごとく、電極突出部３２６の厚みＴ１は、電極本体部３２５の厚みＴ２よりも大きい。本形態において、電極突出部３２６の厚みＴ１は、電極本体部３２５の厚みＴ２の２倍以上の厚みを有する。図６に示すごとく、ｐ側実装電極３２３の電極突出部３２６とｎ側実装電極３２４との電極突出部３２６とは、互いに縦方向の一方側の端面の縦方向位置が揃っており、かつ、互いに縦方向の他方側の端面の縦方向位置が揃っている。

実装電極３２３，３２４は、例えば基材３１の表面にめっきを施すことによって形成することができる。この場合、例えば、まず電極本体部３２５がめっきにより形成され、次いで、電極本体部３２５の幅広部３２５ｅの上側のみにめっきを施すことで電極突出部３２６が形成される。これにより、電極本体部３２５と電極突出部３２６とが区切りなく一体に形成される。図示は省略するが、実装電極３２３，３２４は、複数層で構成されていてもよい。この場合、例えば、実装電極３２３，３２４の母材を導電性の高い銅等によって形成し、母材の表面を、腐食等を抑制するための少なくとも１層の金属層で被覆した構成を採用することができる。

図４に示すごとく、ｐ側実装電極３２３の電極突出部３２６の上面に発光素子４のｐ側パッド電極４３が電気的に接続されており、ｎ側実装電極３２４の電極突出部３２６の上面に発光素子４のｎ側パッド電極４４が電気的に接続されている。図５に示すごとく、実装基板３及び発光素子４を上側から見たとき、発光素子４は、当該発光素子４の外形が、幅広部３２５ｅ及び電極突出部３２６の外形に沿うよう配されている。このように、発光素子４を電極突出部３２６上に実装する際、幅広部３２５ｅ及び電極突出部３２６の外形に発光素子４の外形を合わせることにより、発光素子４と一対の電極突出部３２６との間の位置決めが行いやすくなる。

（発光素子４）
発光素子４は、紫外光、可視光又は赤外線を発するものとすることができる。本形態において、発光素子４は、中心波長が２００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の深紫外光を発することができるものであり、発光装置１は、深紫外ＬＥＤである。

発光素子４は、透明基板４１と、透明基板４１上に形成された半導体積層構造４２と、実装電極３２３，３２４に接続されるｐ側パッド電極４３及びｎ側パッド電極４４とを備える。なお、便宜上、図１においては、透明基板（図３及び図４の符号４１参照）及び半導体積層構造（図３及び図４の符号４２参照）の外形を表しており、これらの境界は表していない。

透明基板４１は、例えばサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり、半導体積層構造４２の発光層が発する光（本形態においては深紫外光）を透過する性質を有する。

そして、半導体積層構造４２は、透明基板４１上にエピタキシャル成長され、透明基板４１側から順にｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を備える。なお、図３及び図４においては、半導体積層構造４２の外形を模式的に表しており、半導体積層構造４２の各層の境界の図示は省略している。エピタキシャル成長は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）、ハイドライド気相エピタキシ法（ＨＶＰＥ：ＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）等のエピタキシャル成長法を用いることができる。発光層においては、ｎ型半導体層から供給される電子と、ｐ型半導体層から供給される正孔とが再結合し、発光する。透明基板４１、及びその上に形成された半導体積層構造４２の合計の厚みは、透明基板４１の厚みが大部分を占めている。

ｐ側パッド電極４３は、ｐ側半導体層における透明基板４１と反対側に接続されている。ｎ側パッド電極４４は、ｎ側半導体層における透明基板４１と反対側に接続されている。図示は省略するが、発光層及びｐ型半導体層の一部は、ｎ型半導体層を透明基板４１と反対側に露出させるべく除去されており、このようにしてできたｎ型半導体層の露出面にｎ側パッド電極４４が接続されている。

発光素子４は、透明基板４１が実装基板３と反対側に位置する姿勢で、実装基板３にフリップチップ実装されている。ｐ側パッド電極４３がｐ側実装電極３２３の電極突出部３２６に接続されているとともに、ｎ側パッド電極４４がｎ側実装電極３２４の電極突出部３２６に接続されている。発光素子４がサブマウント（実装基板３）に搭載されたものは、チップオンサブマウント（ＣｏＳ：ｃｈｉｐｏｎｓｕｂｍｏｕｎｔ）とも称される。発光層において生じた光は、主に発光素子４の透明基板４１から上側に取り出される。そして、図１乃至図３に示すごとく、発光装置１には、発光素子４から取り出される光を上側に向けて集光するリフレクタ５が設けられている。

（リフレクタ５）
図８は、リフレクタ５が、発光素子４から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置１の断面図である。図８においては、光の進行経路の一例を一点鎖線にて示している。リフレクタ５は、実装基板３の上側に位置するとともに発光素子４が発する光を上側に向けて集光する集光部材である。リフレクタ５は、発光素子４が発する光を、上側（斜め上側を含む。）に向けて反射する反射面５１を有する。リフレクタ５は、アルミニウム等のような、深紫外光を反射することができるともに導電性を有する材料からなる。図３に示すごとく、本形態のリフレクタ５は、電極本体部３２５との短絡を抑制すべく、電極本体部３２５から上側に離れた位置に配される。

反射面５１は、上側の位置程、内径が大きくなる形状を有する。図１及び図８等においては、反射面５１が曲面状である例を示しているが、これに限られず例えばテーパ状であってもよい。図２に示すごとく、発光装置１を上側から見たとき、反射面５１の内側の領域に、発光素子４及び一対の電極突出部３２６が収まっている。図３に示すごとく、反射面５１の下端部５１１の位置は、発光素子４の上端の位置（すなわち透明基板４１の上面位置）よりも下側に位置している。すなわち、発光素子４の少なくとも一部が、反射面５１の内周側の領域に配されている。本形態において、発光素子４は、上下方向における透明基板４１の半分以上の領域が、反射面５１の内周側の領域に配されている。また、反射面５１の下端部５１１は、電極突出部３２６の上面よりも上側の位置にある。図１に示すごとく、リフレクタ５は、リフレクタマウント６を介して載置基板２に取り付けられている。

（リフレクタマウント６）
リフレクタマウント６には、上下方向に貫通した座繰り穴６１が形成されている。座繰り穴６１は、上側部分の内径が、下側部分の内径よりも大きくなる段状に形成されており、その上側からリフレクタ５が嵌合されている。座繰り穴６１の内側に、実装基板３及び発光素子４が配置されている。

（第１の実施の形態の作用及び効果）
本形態において、実装電極３２３，３２４は、平板状の電極本体部３２５、及び電極本体部３２５から発光素子４側に突出するよう形成された電極突出部３２６を有する。そして、発光素子４は、電極突出部３２６に実装されている。それゆえ、発光素子４の位置を、電極本体部３２５よりも上側の位置とすることができる。これにより、発光装置１において、発光素子４に対して実装基板３が配された側と反対側（すなわち上側）から取り出される光の出力を向上させることができる。すなわち、発光素子４を、光が取り出される側に近付けることができ、発光装置１の発光出力が向上する。

また、電極突出部３２６の厚みＴ１は、電極本体部３２５の厚みＴ２よりも大きい。それゆえ、電極突出部３２６に実装される発光素子４の位置を、より上側の位置とすることができる。その結果、発光装置１において、上側から取り出される光の出力を一層向上させることができる。

また、本形態の発光装置１は、実装基板３における発光素子４が配された側（すなわち上側）に位置する集光部材（本形態においてはリフレクタ５）を備える。集光部材は、発光素子４が発する光を、発光素子４における実装基板３と反対側（すなわち上側）に向けて集光するものである。このような集光部材を備えた発光装置１においては、上側から取り出される光を増やすことができるところ、前述のごとく電極突出部３２６に発光素子４を実装することにより、上側から取り出される光をより一層増やすことができ、発光装置１の発光出力を一層向上させることができる。

また、集光部材は、導電性を有するリフレクタ５である。それゆえ、リフレクタ５は、実装基板３の実装電極３２３，３２４との短絡を避けるために、実装基板３から上側に離れた位置に配される。そのため、図９に示すごとく、実装電極３２３，３２４に本形態の電極突出部がない場合は、発光素子４の位置がリフレクタ５に対してより下側の位置になりやすい。そのため、この場合は、符号Ｌの矢印にして示すように、リフレクタ５の下側に抜けて発光装置１から取り出されなくなる光が多くなりやすい。一方、本形態においては、図８に示すごとく、実装電極３２３，３２４に電極突出部３２６が設けられており、電極突出部３２６上に発光素子４が実装されているため、発光素子４の位置をより上側にすることができ、リフレクタ５から上側に取り出される光の出力を向上させることができる。

また、発光素子４の少なくとも一部は、反射面５１の内側の領域に配されている。つまり、発光素子４の上面は、反射面５１の下端よりも上側に位置している。それゆえ、リフレクタ５から上側に取り出される光の出力をより向上させることができる。

また、発光素子４の透明基板４１は、その厚み方向（すなわち上下方向）の半分以上の領域が、反射面５１の内周側の領域に配されている。発光素子４から発される光の多くは、透明基板４１の表面から発されるところ、本形態によればリフレクタ５から上側に取り出される光の出力を一層増やすことができる。

また、電極突出部３２６の上面は、反射面５１の下端部５１１よりも、下側に位置している。それゆえ、例えば発光装置１の組み付け時等において、電極突出部３２６とリフレクタ５とが互いに干渉することを抑制することができる。

以上のごとく、本形態によれば、光出力を向上させることができる発光装置を提供することができる。

［第２の実施の形態］
図１０は、本形態における実装基板３の平面図である。
本形態は、第１の実施の形態と基本構造を同様にしつつ、電極突出部３２６の構成を変更した形態である。本形態においては、実装基板３を上側から見たとき、電極突出部３２６の外形が電極本体部３２５の外形よりも内側に収まるよう構成されている。実装基板３を上側から見たとき、電極突出部３２６は、幅広部３２５ｅの外形よりも一回り小さく形成されている。発光素子４は、上側から見たとき、発光素子４の外形が幅広部３２５ｅの外形に沿うよう配されている。

その他は、第１の実施の形態と同様である。
なお、第２の実施の形態以降において用いた符号のうち、既出の形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の形態におけるものと同様の構成要素等を表す。

（第２の実施の形態の作用及び効果）
本形態においては、上側から見たとき、電極突出部３２６の外形が、電極本体部３２５の外形よりも内側に収まっている。それゆえ、一対の電極突出部３２６間の電気的絶縁性を確保しやすい。すなわち、例えば製造誤差により、一対の電極突出部３２６同士が過度に近接して形成され、一対の電極突出部３２６同士の間の電気的絶縁性が低下することを抑制することができる。
その他、第１の実施の形態と同様の作用効果を有する。

［第３の実施の形態］
図１１は、本形態における実装基板３及び発光素子４の断面図である。
本形態は、基本構成を第１の実施の形態と同様としつつ、電極本体部３２５と電極突出部３２６とを別体にて構成した形態である。電極本体部３２５と電極突出部３２６とは、互いに接合されている。
その他は、第１の実施の形態と同様である。

（第３の実施の形態の作用及び効果）
本形態においても、第１の実施の形態と同様の作用効果を有する。

［第４の実施の形態］
図１２は、本形態における実装基板３及び発光素子４の断面図である。
本形態は、第３の実施の形態と同様に電極突出部３２６を電極本体部３２５とは別体にしつつ、電極突出部３２６の構成を変更した形態である。本形態の電極突出部３２６は、実装基板３のような基板状に形成されており、平板状の絶縁部３２６ａと、絶縁部３２６ａの下面において互いに離隔して配された一対の第１電極３２６ｂと、絶縁部３２６ａの上面において互いに離隔して配された一対の第２電極３２６ｃとを備える。一対の第１電極３２６ｂのそれぞれは、互いに異なる電極本体部３２５に接続されている。また、一対の第１電極３２６ｂのそれぞれは、互いに異なる第２電極３２６ｃに、絶縁部３２６ａ内に形成された図示しないビアホール等を介して接続されている。一対の第２電極３２６ｃは、ｐ側パッド電極４３又はｎ側パッド電極４４に接続されている。
その他は、第３の実施の形態と同様である。

（第４の実施の形態の作用及び効果）
本形態においては、一対の電極本体部３２５と、発光素子４のｐ側パッド電極４３及びｎ側パッド電極４４との接続を、基板状に形成した一部材の電極突出部３２６を介して容易に行うことができる。
その他、第３の実施の形態と同様の作用効果を有する。

［第５の実施の形態］
図１３は、本形態の発光装置１の断面図である。
本形態の発光装置１は、第１の実施の形態と同様の実装基板３及び発光素子４を有するとともに、発光素子４を封止する封止部材７を更に備える。封止部材７は、発光素子４を封止することにより発光素子４を保護している。封止部材７は、発光素子４から発される光を透過する材料からなる。封止部材７は、透明基板４１の屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有することが、光を外部に取り出しやすくする観点から好ましい。また、発光素子４が深紫外光を発するような場合は、封止部材７は、深紫外光に対して劣化し難い材料（例えばシリコーン樹脂）から構成することが好ましい。本形態の発光装置１においては、第１の実施の形態におけるリフレクタ（図１の符号５）及びリフレクタマウント（図１の符号６）は設けられていない。封止部材７は、上側に膨らんだ半球形状を有しており、第１の実施の形態におけるリフレクタと同様に、発光素子４から発された光を上側に向けて集光する集光部材である。なお、封止部材７は半球形状に限るものではなく、発光素子４から発された光を上側に向けて集光することができれば、他の形状を採用することも可能である。

（第５の実施の形態の作用及び効果）
本形態のように、リフレクタを設けずに、集光機能を有する封止部材７を設ける構成であっても、電極突出部３２６上に発光素子４を実装することにより、発光素子４から発される光が実装基板３に遮られることを抑制でき、発光装置１における光の取出し効率を向上させることができる。
その他、第１の実施の形態と同様の作用効果を有する。

［第６の実施の形態］
図１４は、本形態の発光装置１の断面図である。
本形態は、気密封止された空間に発光素子４が配された、気密封止型の発光装置１である。本形態の実装基板３の基材３１は、上側に開口した箱状を呈している。すなわち、基材３１は、実装電極３２３，３２４が形成された矩形状の底部３１１と、底部３１１の周縁から上側に立設された矩形筒状の側部３１２とを有し、側部３１２の上側は開口している。側部３１２の開口部は、蓋体８によって閉塞されている。蓋体８と側部３１２の上面とは、接着層１１を介して接着されており、これによって基材３１と蓋体８とによって囲まれる空間の気密性が確保されている。蓋体８は、深紫外光を透過する材料で構成されており、例えば、石英（ＳｉＯ_２）ガラスからなる。実装基板３及び発光素子４の構成は、第１の実施の形態と同様である。

（第６の実施の形態の作用及び効果）
本形態のような気密封止型の発光装置１であっても、電極突出部３２６上に発光素子４を実装することにより、発光素子４を、光の取出し口となる蓋体８に近付けることができ、蓋体８から取り出される光を増やすことができる。
その他、第１の実施の形態と同様の作用効果を有する。

なお、本形態の発光装置１の蓋体８及び接着層１１を除いたような構成を採用することも可能である。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］本発明の第１の実施態様は、基材（３１）、及び前記基材（３１）の一方側の面に設けられた実装電極（３２３，３２４）を有する実装基板（３）と、前記実装電極（３２３，３２４）に実装された発光素子（４）とを備え、前記実装電極（３２３，３２４）は、平板状の電極本体部（３２５）と、前記電極本体部（３２５）から前記基材（３１）と反対側に突出するよう形成された電極突出部（３２６）とを有し、前記発光素子（４）は、前記電極突出部（３２６）に実装されている、発光装置（１）である。
これにより、発光装置において、発光素子に対して実装基板が配された側と反対側から取り出される光の出力を向上させることができる。

［２］本発明の第２の実施態様は、第１の実施態様において、前記電極突出部（３２６）の厚み（Ｔ１）が、前記電極本体部（３２５）の厚み（Ｔ２）よりも大きいことである。
これにより、発光素子に対して実装基板が配された側と反対側から取り出される光の出力を一層向上させることができる。

［３］本発明の第３の実施態様は、第１又は第２の実施態様において、前記実装基板（３）における前記発光素子（４）が配された側に位置する集光部材（５，７）を更に備え、前記集光部材（５，７）は、前記発光素子（４）が発する光を、前記発光素子（４）における前記実装基板（３）と反対側に向けて集光することである。
これにより、発光装置の発光出力を一層向上させることができる。

［４］本発明の第４の実施態様は、第３の実施態様において、前記集光部材（５，７）は、導電性を有するリフレクタ（５）であり、前記リフレクタ（５）が、前記発光素子（４）が発する光を、前記発光素子（４）における前記実装基板（３）と反対側に向けて集光する反射面（５１）を有することである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力を向上させることができる。

［５］本発明の第５の実施態様は、第４の実施態様において、前記発光素子（４）の少なくとも一部が、前記反射面（５１）の内周側の領域に配されていることである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力をより向上させることができる。

［６］本発明の第６の実施態様は、第５の実施態様において、前記発光素子（４）が、前記発光素子（４）が発する光を透過させる透明基板（４１）を有し、前記透明基板（４１）におけるその厚み方向の半分以上の領域が、前記反射面（５１）の内周側の領域に配されていることである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力をより一層向上させることができる。

［７］本発明の第７の実施態様は、第４乃至第６のいずれか１つの実施態様において、前記電極突出部（３２６）における前記発光素子（４）側の面が、前記反射面（５１）における前記実装基板（３）側の端部（５１１）よりも、前記基材（３１）に近い側に位置していることである。
これにより、電極突出部とリフレクタとが互いに干渉することを抑制することができる。

［８］本発明の第８の実施態様は、第１乃至第７のいずれか１つの実施態様において、前記基材（３１）の一方側の面には、一対の前記実装電極（３２３，３２４）が配されており、前記一対の実装電極（３２３，３２４）の前記電極突出部（３２６）は、並んで配されており、前記実装基板（３）に対する前記発光素子（４）側から見たとき、前記電極突出部（３２６）の外形は、前記電極本体部（３２５）の外形よりも内側に収まっていることである。
これにより、一対の電極突出部間の電気的絶縁性を確保しやすい。

（付記）
以上、本発明の実施の形態を説明したが、前述した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。

１…発光装置
３…実装基板
３１…基材
３２３…ｐ側実装電極
３２４…ｎ側実装電極
３２５…電極本体部
３２６…電極突出部
４…発光素子
４１…透明基板
５…リフレクタ（集光部材）
５１…反射面
５１１…反射面の下端部
７…封止部材（集光部材）

Claims

基材、及び前記基材の一方側の面に設けられた実装電極を有する実装基板と、
前記実装電極に実装された発光素子と、
前記実装基板における前記発光素子が配された側に位置する集光部材と、を備え、
前記実装電極は、平板状の電極本体部と、前記電極本体部から前記基材と反対側に突出するよう形成された電極突出部とを有し、
前記発光素子は、前記電極突出部に実装されており、
前記集光部材は、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光し、
前記集光部材は、導電性を有するリフレクタであり、
前記リフレクタは、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光する反射面を有し、
前記電極突出部における前記発光素子側の面は、前記反射面における前記実装基板側の端部よりも、前記基材に近い側に位置している、
発光装置。
前記電極突出部の厚みは、前記電極本体部の厚みよりも大きい、
請求項１に記載の発光装置。
前記発光素子の少なくとも一部は、前記反射面の内周側の領域に配されている、
請求項１又は２に記載の発光装置。
前記発光素子は、前記発光素子が発する光を透過させる透明基板を有し、
前記透明基板は、その厚み方向の半分以上の領域が、前記反射面の内周側の領域に配されている、
請求項３に記載の発光装置。
前記基材の一方側の面には、一対の前記実装電極が配されており、
前記一対の実装電極の前記電極突出部は、並んで配されており、
前記実装基板に対する前記発光素子側から見たとき、前記電極突出部の外形は、前記電極本体部の外形よりも内側に収まっている、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。