JP6123252B2 - 処理装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
処理装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6123252B2 JP6123252B2 JP2012255693A JP2012255693A JP6123252B2 JP 6123252 B2 JP6123252 B2 JP 6123252B2 JP 2012255693 A JP2012255693 A JP 2012255693A JP 2012255693 A JP2012255693 A JP 2012255693A JP 6123252 B2 JP6123252 B2 JP 6123252B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- scale
- central axis
- drum member
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 196
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 70
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 38
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 107
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 54
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 49
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 31
- LWJKSVUJZBEXCH-UHFFFAOYSA-N n-[5-[2-chloro-5-(trifluoromethyl)phenyl]pyrazin-2-yl]-2,6-difluorobenzamide Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1C(=O)NC1=CN=C(C=2C(=CC=C(C=2)C(F)(F)F)Cl)C=N1 LWJKSVUJZBEXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000669069 Chrysomphalus aonidum Species 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 240000007124 Brassica oleracea Species 0.000 description 1
- 235000003899 Brassica oleracea var acephala Nutrition 0.000 description 1
- 235000012905 Brassica oleracea var viridis Nutrition 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
- G03F7/70366—Rotary scanning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
まず、図1から図3を用いて、本実施形態の露光装置の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る処理装置(露光装置)の全体構成を示す模式図である。図2は、図1における照明領域及び投影領域の配置を示す模式図である。図3は、図1の処理装置(露光装置)に適用される投影光学系の構成を示す模式図である。図1に示すように、処理装置11は、露光装置(処理機構)EXと、搬送装置9を含む。露光装置EXは、搬送装置9により基板P(シート、フィルム等)を供給されている。例えば、図示しない供給ロールから引き出された可撓性の基板Pが、順次、n台の処理装置を経て、処理装置11で処理され、搬送装置9により他の処理装置に送出され、基板Pが回収ロールに巻き上げられるデバイス製造システムがある。このように、処理装置11は、デバイス製造システム(フレキシブル・ディスプレー製造ライン)の一部として構成してもよい。
図7は、第1実施形態に係るスケール円盤SDを回転中心線AX2方向に視て、回転ドラム(第2ドラム部材22)の位置ずれを説明する説明図である。図8は、第1実施形態に係るスケール円盤SDを回転中心線AX2方向に視て、回転ドラムの位置ずれを演算する一例を説明する説明図である。図9は、第1実施形態に係る処理装置(露光装置)の処理を補正する手順の一例を示すフローチャートである。
図10は、第1実施形態に係る処理装置(露光装置)の処理を補正する手順の他の例を示すフローチャートである。例えば、第1読み取り装置をエンコーダヘッドEN4、第2読み取り装置をエンコーダヘッドEN1、第3読み取り装置をエンコーダヘッドEN3とする場合、図9に示すように、露光装置EXの制御装置14は、エンコーダヘッドEN4、エンコーダヘッドEN1、エンコーダヘッドEN3で、回転位置計測をさせ(ステップS21)、エンコーダヘッドEN4、エンコーダヘッドEN1、エンコーダヘッドEN3の計測値の出力(スケール部GPの読み取り出力)を、適当な時間間隔(例えば、数m秒)毎に同時に記憶する。
図11は、第1実施形態の変形例に係るスケール円盤SDを回転中心線AX2方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。上述したアライメント顕微鏡AMG2の観察方向AM2は、基板Pの送り方向の後方側、つまり露光位置(投影領域)の手前(上流側)に配置されており、基板PのY方向の端部付近に形成されたアライメントマーク(数十μm〜数百μm角内の領域に形成)を、基板Pが所定速度で送られている状態で、撮像素子等により高速に画像検出するものであり、顕微鏡視野(撮像範囲)でマークの像を高速にサンプリングする。そのサンプリングが行なわれた瞬間に、エンコーダヘッドEN5によって逐次計測されるスケール円盤SDの回転角度位置を記憶することにより、基板P上のマーク位置と第2ドラム部材22の回転角度位置との対応関係が求められる。
次に、本発明に係る処理装置の第2実施形態について、図12及び図13を参照して説明する。この図において、第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明に係る処理装置の第3実施形態について、図14を参照して説明する。図14は、第3実施形態に係るスケール円盤SDを回転中心線AX2方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。図14では、第2ドラム部材22の外周面の直径と、スケール円盤SDのスケール部GPの直径とを揃えている(ほぼ一致させる)。この図において、第1実施形態及び第2実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図15は、第3実施形態の変形例に係るスケール円盤SDを回転中心線AX2方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。図15に示すように、上述したエンコーダヘッドEN6を省略することもできる。エンコーダヘッドEN4は、基板Pの送り方向の後方側に向かって、特定位置と回転中心線AX2とを結んだXZ平面内の線を、回転中心線AX2の軸回りにほぼ90°回転した設置方位線Le4上に設定される。
ここでは、エンコーダヘッドEN4の設置方位線Le4と同じ方位に、アライメント顕微鏡AMG1のみが配置される。
次に、本発明に係る処理装置の第4実施形態について、図16及び図17を参照して説明する。図16は、第4実施形態に係る処理装置(露光装置)の全体構成を示す模式図である。図17は、第4実施形態に係るスケール円盤SDを回転中心線AX1方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。この図において、第1実施形態、第2実施形態及び第3実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明に係る処理装置の第5実施形態について、図18を参照して説明する。図18は、第5実施形態に係る処理装置(露光装置)の全体構成を示す模式図である。露光装置EX2は、光源装置13が、円筒マスクDMに照明される照明光束EL1を出射する。
次に、本発明に係る処理装置の第6実施形態について、図19を参照して説明する。図19は、第6実施形態に係る処理装置(露光装置)の全体構成を示す模式図である。露光装置EX3は、光源装置13がポリゴン走査ユニットPO1、PO2を備え、ポリゴン走査ユニットPOが描画用のレーザビームEL2を一次元走査する。そのレーザビームのスポット光が基板P上に集光され、スポット光の一次元走査の間に、レーザビームをパターンデータ(CADデータ)に基づいて高速にON/OFF変調することにより、基板P上に電子回路パターン等が描画(露光)される。
次に、本発明に係る処理装置の第7実施形態について、図20を参照して説明する。図20は、第7実施形態に係る処理装置(露光装置)の全体構成を示す模式図である。露光装置EX4は、所謂プロキシミティ露光を基板Pに施す処理装置である。露光装置EX4は、円筒マスクDMと、第2ドラム部材22との隙間を微小に設定して、照明機構IUが直接基板Pに照明光束ELを照射し、非接触露光する。本実施形態において、第2ドラム部材22は、電動モーター等のアクチュエータを含む第2駆動部36から供給されるトルクによって回転する。第2駆動部36の回転方向と逆回りとなるように、例えば磁気歯車で連結された駆動ローラーMGGが第1ドラム部材21を駆動する。第2駆動部36は、第2ドラム部材22を回転するとともに、駆動ローラーMGGと第1ドラム部材21とを連れ回し、第1ドラム部材21(円筒マスクDM)と第2ドラム部材22とを同期移動(同期回転)させる。
次に、図21を参照して、デバイス製造方法について説明する。図21は、第1実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。図21は、第1実施形態に係る処理装置(露光装置)を用いてデバイス製造方法を示すフローチャートである。
11 処理装置
12 マスク保持装置
13 光源装置
14 制御装置
21 第1ドラム部材
22 第2ドラム部材
23 ガイドローラー
24 駆動ローラー
25 第1検出器
26 第1駆動部
31 ガイド部材
31 固体光源
33 第2ガイド部材
35 検出器
44 フォーカス補正光学部材
45 像シフト補正光学部材
46 ローテーション補正機構
47 倍率補正用光学部材
62 ヘッド部
AM1、AM2 観察方向
AMG1、AMG2 アライメント顕微鏡
GS1、GS2 曲面検出プローブ
CS 真円度調整装置
DM 円筒マスク
EN1、EN2、EN3、EN4、EN5、EN6、EN7、EH1、EH2、EH3、EH4、EH5 エンコーダヘッド
EX、EX2、EX3、EX4 露光装置(処理装置)
PO ポリゴン走査ユニット
PP 押圧部材
Claims (11)
- 中心軸から一定半径で湾曲し、可撓性の長尺の基板の一部を円筒面状に支持する外周面を有し、かつ前記中心軸の周りを回転する円筒部材と、
前記円筒部材が回転する周方向に沿って環状に配置され、かつ前記円筒部材とともに前記中心軸の周囲を回転する読み取り可能なスケール部と、
前記中心軸からみて前記円筒部材の周囲に配置され、前記外周面の周方向のうちの前記基板が支持される特定位置において、円筒面状に湾曲した前記基板に処理を施す処理部と、
前記中心軸からみて前記スケール部の周囲に配置され、かつ前記中心軸を中心に、前記特定位置から前記中心軸の回りにほぼ90度回転した第1の位置において前記スケール部を読み取る第1読み取り装置と、
前記中心軸からみて前記スケール部の周囲に配置され、かつ前記特定位置とほぼ同じ第2の位置おいて前記スケール部を読み取る第2読み取り装置と、
前記第2読み取り装置の読み取り出力に基づいて前記基板上に処理が施されるように前記処理部を制御すると共に、前記中心軸と前記第2の位置とを結ぶ半径方向に関して前記円筒部材が変位することで生じる処理の位置誤差が補正されるように、前記第1読み取り装置の読み取り出力に基づいて前記処理部を制御する制御装置と、
を備える処理装置。 - 前記円筒部材の外周面に支持された前記基板を長尺方向に所定速度で搬送するように前記円筒部材を回転駆動する駆動部を備え、
前記処理部は、前記特定位置において前記基板にデバイス用のパターンに応じた光を照射して前記基板にパターンを露光する露光装置、またはインク滴下により前記基板上にパターンを印刷する印刷装置で構成される
請求項1に記載の処理装置。 - 前記露光装置は、前記特定位置における前記基板に照射される光を、前記デバイス用のパターンに応じた投影像として前記基板に投射する投影露光装置、または前記デバイス用のパターンのデータに応じて変調されて一次元走査されるスポット光として前記基板に投射する描画露光装置のいずれかである
請求項2に記載の処理装置。 - 前記露光装置は、フォーカス調整部材を備え、
前記制御装置は、前記第1読み取り装置の前記読み取り出力の入力に応じて前記基板に照射される光のフォーカス状態を補正するように、前記フォーカス調整部材を制御する
請求項3に記載の処理装置。 - 前記露光装置は、シフト調整部材を備え、
前記制御装置は、前記第1読み取り装置の前記読み取り出力の入力に応じて前記基板に照射される光の位置をシフトして補正するように、前記シフト調整部材を制御する
請求項3に記載の処理装置。 - 前記基板上に長尺方向に沿って離散又は連続して形成された特定パターンを検出する為の検出プローブを含み、前記基板の搬送方向に関して前記特定位置よりも上流側であって前記円筒部材で前記基板が支持されている位置に前記検出プローブによる検出領域が設定されるパターン検出装置を備え、
前記検出プローブは、前記第1読み取り装置が配置された位置と前記中心軸とを結ぶ設置方位が、前記中心軸と前記検出領域とを結ぶ設置方位と同じになるように前記円筒部材の周囲に配置される
請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記処理部は、前記特定位置を第1特定位置としたとき、前記第1特定位置において円筒面状に湾曲した前記基板に処理を施す第1処理部と、
前記中心軸からみて前記円筒部材の周囲に配置され、前記外周面の周方向のうちの前記基板が支持される前記第1特定位置とは異なる第2特定位置において、円筒面状に湾曲した前記基板に処理を施す第2処理部と、を含み、
前記第1読み取り装置によって前記スケール部を読み取る前記第1の位置は、前記第1特定位置または前記第2特定位置から前記中心軸の回りにほぼ90度回転した位置に設定される
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記第2読み取り装置は、前記第1特定位置とほぼ同じ周方向の方位において前記スケール部を読み取る第1のエンコーダヘッドと、
前記第2特定位置とほぼ同じ周方向の方位において前記スケール部を読み取る第2のエンコーダヘッドと、を含む
請求項7に記載の処理装置。 - 前記スケール部は、前記中心軸と同軸に前記円筒部材の端部に固定され、前記円筒部材の外周面とほぼ一致した直径の円盤状のスケール円盤の外周に形成される
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記スケール円盤は外周面に前記スケール部が形成される円環状部材であって、前記円環状部材の外周面の径を微少量調整して前記円環状部材の真円度を調整する真円度調整装置を備える
請求項9に記載の処理装置。 - 可撓性を有する長尺の基板の表面に感光材を塗布する工程と、
請求項3から請求項6のいずれか一項に記載の処理装置を用いて、前記基板の感光材にデバイス用のパターンを露光する工程と、
露光された前記基板を湿式または印刷で処理して前記基板上に配線、電極、或いは導電性のパターンを形成する工程と、
を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (25)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012255693A JP6123252B2 (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 処理装置及びデバイス製造方法 |
KR1020177031689A KR101896206B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 기판 처리 장치, 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
PCT/JP2013/056443 WO2013146184A1 (ja) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板処理装置、処理装置及びデバイス製造方法 |
CN201710064288.2A CN106597816B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板处理装置 |
US14/387,620 US9651868B2 (en) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
TW106121058A TWI638241B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板處理裝置、處理裝置及元件製造方法 |
TW106116099A TWI626515B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板處理裝置、處理裝置及元件製造方法 |
TW109102647A TWI734360B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 圖案形成裝置 |
KR1020147026417A KR101799145B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 기판 처리 장치, 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TW102108160A TWI594081B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板處理裝置、處理裝置及元件製造方法 |
KR1020197026632A KR102077439B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 패턴 형성 장치 |
KR1020207017200A KR102291281B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 패턴 형성 장치 |
TW107129634A TWI686678B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板處理裝置 |
CN201710064287.8A CN106773558B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 扫描曝光装置 |
KR1020187024083A KR101982460B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 기판 처리 장치, 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN201610576185.XA CN106200277B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 处理装置 |
CN201380015932.7A CN104204956B (zh) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法 |
KR1020207003659A KR102125088B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 패턴 형성 장치 |
KR1020197014336A KR102022424B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-08 | 기판 처리 장치, 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US15/438,579 US10007190B2 (en) | 2012-03-26 | 2017-02-21 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
US15/985,686 US10156795B2 (en) | 2012-03-26 | 2018-05-21 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
US16/139,708 US10591827B2 (en) | 2012-03-26 | 2018-09-24 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
US16/508,266 US10527945B2 (en) | 2012-03-26 | 2019-07-10 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
US16/692,506 US10691027B2 (en) | 2012-03-26 | 2019-11-22 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
US16/879,142 US11073767B2 (en) | 2012-03-26 | 2020-05-20 | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012255693A JP6123252B2 (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 処理装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016171276A Division JP6327305B2 (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | パターン露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014102444A JP2014102444A (ja) | 2014-06-05 |
JP6123252B2 true JP6123252B2 (ja) | 2017-05-10 |
Family
ID=51024982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012255693A Active JP6123252B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-11-21 | 処理装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6123252B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6460110B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2019-01-30 | 株式会社ニコン | 円筒部材の位置検出装置、基板処理装置及びデバイス製造方法 |
JP6413784B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2018-10-31 | 株式会社ニコン | 基板処理装置及びデバイス製造方法 |
CN108351607B (zh) * | 2015-10-30 | 2020-07-10 | 株式会社尼康 | 基板处理装置 |
JP6680330B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-04-15 | 株式会社ニコン | パターン形成装置 |
JP6787447B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-11-18 | 株式会社ニコン | 基板処理装置 |
JP6996580B2 (ja) * | 2020-03-05 | 2022-01-17 | 株式会社ニコン | 基板処理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019037U (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-08 | 株式会社リコー | 露光装置 |
JP4351509B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-10-28 | 株式会社リコー | 回転体の位置制御方法・回転体の位置制御装置・画像形成装置・画像読み取り装置・記録媒体 |
JP4481137B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2010-06-16 | アスモ株式会社 | モータ、回転制御装置、及び回転検出回路 |
KR101415313B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2014-07-04 | 마이크로닉 마이데이터 아베 | 기판 처리 및 분석용 플랫폼, 장치, 시스템, 그리고 방법 |
JP4984631B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法 |
JP5181451B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2013-04-10 | 株式会社ニコン | マスク、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5708179B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2015-04-30 | 株式会社ニコン | 露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法 |
-
2012
- 2012-11-21 JP JP2012255693A patent/JP6123252B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014102444A (ja) | 2014-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI686678B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP6074898B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6123252B2 (ja) | 処理装置及びデバイス製造方法 | |
JP6551175B2 (ja) | 回転円筒体の計測装置、基板処理装置及びデバイス製造方法 | |
JP6327305B2 (ja) | パターン露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6252697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6332482B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6551562B2 (ja) | シート基板の搬送装置 | |
JP6750703B2 (ja) | パターン形成装置 | |
JP7004041B2 (ja) | 露光装置 | |
JP6528882B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6123252 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |