[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN106597816B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106597816B
CN106597816B CN201710064288.2A CN201710064288A CN106597816B CN 106597816 B CN106597816 B CN 106597816B CN 201710064288 A CN201710064288 A CN 201710064288A CN 106597816 B CN106597816 B CN 106597816B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
pattern
rotating cylinder
scale
cylinder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710064288.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106597816A (zh
Inventor
加藤正纪
木内彻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012069092A external-priority patent/JP6074898B2/ja
Priority claimed from JP2012255693A external-priority patent/JP6123252B2/ja
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN106597816A publication Critical patent/CN106597816A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106597816B publication Critical patent/CN106597816B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G03F7/70366Rotary scanning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24Curved surfaces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641Focus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明的基板处理装置具有:刻度部件,其具有刻设为环状的刻度部;处理机构,其在进入区域与脱离区域之间的圆周方向的特定位置上,在片状基板上形成图案;第1图案检测装置,其在第1检测区域内,检测沿长度方向离散或连续地形成在片状基板上的特定图案;第1读取机构,其从中心线观察而与刻度部相对地配置在与第1检测区域相同的方位上,并读取刻度部;第2图案检测装置,其在第2检测区域内,检测片状基板的特定图案;和第2读取机构,其从中心线观察而与刻度部相对地配置在与第2检测区域相同的方位上,并读取刻度部。

Description

基板处理装置
本发明申请是,国际申请日为2013年03月08日、国际申请号为PCT/JP2013/056443、进入中国国家阶段的国家申请号为201380015932.7、发明名称为“基板处理装置、处理装置以及元件制造方法”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及基板处理装置、处理装置以及元件制造方法。另外,本发明涉及对位于圆筒部件的曲面上的被处理物体实施处理的处理装置以及元件制造方法。
本申请基于2012年3月26日提出申请的日本特愿2012-069092号及2012年11月21日提出申请的日本特愿2012-255693号主张优先权,并在此援用其内容。
背景技术
在光刻工序所使用的曝光装置中,已知下述专利文献所公开的那样的、使用圆筒状或者圆柱状的光罩对基板进行曝光的曝光装置(例如,参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。
另外,还已知如下液晶显示元件制造用的曝光装置:与卷绕于能够旋转的输送辊上的具有挠性的被曝光体(膜带(film tape)状)接近地,配置在内部配置有光源的圆筒状的光罩,使光罩和输送辊旋转,对被曝光体连续地曝光(例如,参照专利文献4)。
不仅在使用板状的光罩的情况下,即使在使用圆筒状或者圆柱状的光罩对基板进行曝光的情况下,为了按照光罩的图案的像而良好地对基板进行曝光,也需要精确地获取光罩的图案的位置信息。因此,需要研究出能够精确地获取圆筒状或者圆柱状的光罩的位置信息、且能够精确地调整该光罩与基板的位置关系的技术。
在专利文献3以及专利文献5中公开了如下结构:在圆筒状的光罩中的图案形成面的规定区域中,对图案以规定的位置关系形成位置信息获取用的标记(刻度、格子等),利用编码器系统检测标记,由此获取图案形成面的周向中的图案的位置信息。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-153672号
专利文献2:日本特开平8-213305号
专利文献3:国际公开公报WO2008/029917号
专利文献4:日本实开昭60-019037号
专利文献5:日本特开2008-76650号
发明内容
但是,在上述那样的现有技术中,存在以下这样的问题。
通常,在测量旋转体(圆筒光罩等)的旋转方向的位置的编码器系统中,与和旋转体的旋转轴同轴地安装的刻度圆盘的刻度线(格子)相对地配置有光学读取头。在刻度板的刻度线和读取头沿无测量灵敏度(检测灵敏度)的方向、例如沿使刻度板和读取头之间的间隔变动的方向相对位移的情况下,虽然圆筒光罩和基板发生相对的位置偏移,但在编码器系统中也无法测量出。因此,可能在所曝光的图案中产生误差。
这样的问题并不限于图案曝光时的问题,在对准时的标记测量等中也同样地会产生,另外,在具有旋转测量用的编码器系统且需要精密搬送基板的全部处理装置或检查装置中均有可能产生该问题。
本发明的形态的目的在于,提供一种基板处理装置,通过高精度地测量光罩或基板的位置,而能够对基板实施高精细的处理(也包括检查等)。
另外,在上述的专利文献3中,被转印有圆筒状的旋转光罩的图案的基板是半导体晶片那样的高刚性的基板,该基板被平坦地保持于可动平台上,沿与基板的表面平行的方向移动。另外,在将光罩图案连续地重复转印至具有挠性的长条的基板上的情况下,如专利文献4那样在将作为被处理物体的基板局部地卷绕于能够旋转的输送辊、即圆筒部件的外周面上且基板的表面仿照圆筒部件的曲面而被稳定保持的状态下,进行曝光,由此能提高量产性。
如上所述,在对沿旋转的圆筒部件(基板的输送辊)的外周面被支承的具有挠性的被处理物体实施处理的处理装置中,要求通过抑制运算负荷并精密地掌握圆筒部件的位置(外周面的周向位置、旋转轴方向的位置等)而进行处理,来使处理的精度、例如图案的转印位置精度、重合精度等提高。
本发明的其他形态的目的在于,提供一种处理装置以及元件制造方法,能够抑制运算负荷并且高精度地掌握圆筒部件的位置,而对位于圆筒部件的曲面上的被处理物体实施处理。
根据本发明的第1方案,提供一种基板处理装置,其具有:旋转圆筒部件,具有距规定的中心线以固定半径弯曲的圆筒状的支承面,使长条的基板的一部分卷绕于支承面且使其绕中心线旋转,由此,沿基板的长度方向传送基板;处理机构,在卷绕于旋转圆筒部件的支承面的基板的一部分中的、与支承面的周向相关的特定位置上,对基板实施规定的处理;刻度部件,具有刻度部,该刻度部与旋转圆筒部件一同绕中心线旋转,并且被刻设为环状,以测量旋转圆筒部件的支承面的周向位置变化、或者旋转圆筒部件的中心线的方向的位置变化;和读取机构,与刻度部相对,并且,从中心线观察而配置在与特定位置大致相同方向,且读取刻度部。
根据本发明的第2方案,提供一种基板处理装置,其具有:光罩保持部件,沿着距规定的中心线为固定半径的圆筒面保持光罩图案,且能够绕中心线旋转;照明系统,在光罩保持部件的与圆筒面的周向相关的特定位置上,对光罩图案的一部分照射曝光用的照明光;曝光机构,具有支承感应性的基板的基板支承部件,且将由照明光的照射而从光罩图案的一部分产生的光束以规定的曝光形式投射至基板的被曝光面;刻度部件,具有刻度部,该刻度部与光罩保持部件一同绕中心线旋转,并且被刻设为环状,以测量光罩保持部件的支承面的周向位置变化、或者光罩保持部件的中心线的方向的位置变化;和读取机构,与刻度部相对,并且,从中心线观察而配置在与特定位置大致相同方向,且读取刻度部。
根据本发明的第3方案,提供一种基板处理装置,其具有:旋转圆筒部件,具有距规定的中心线以固定半径弯曲的圆筒状的支承面,且能够绕中心线旋转;基板搬送机构,在旋转圆筒部件的支承面中的周向的特定范围内,支承长条且具有挠性的基板,同时沿基板的长度方向搬送基板;图案检测装置,包括检测探针,该检测探针用于检测沿基板的长度方向离散或者连续地形成在基板上的特定图案,图案检测装置以使基于检测探针的检测区域设定在特定范围内的方式,配置在旋转圆筒部件的周围;刻度部件,具有刻度部,该刻度部与旋转圆筒部件一同绕中心线旋转,并且被刻设为环状,以测量旋转圆筒部件的支承面的周向位置变化、或者旋转圆筒部件的中心线的方向的位置变化;和读取机构,与以环状刻设在刻度部件上的刻度部相对,并且,从中心线观察而配置在与检测区域大致相同方向,且读取刻度部。
根据本发明的第4方案,提供一种处理装置,其具有:圆筒部件,具有距规定的轴以固定半径弯曲的曲面,且绕所述规定的轴旋转;能够读取的刻度部,沿着所述圆筒部件旋转的周向排列为环状,且与所述圆筒部件一同在所述轴的周围旋转;处理部,从所述轴观察而配置在所述圆筒部件的周围或者内部,且对被处理物体实施处理,该被处理物体位于所述周向中特定位置的所述曲面上;第1读取装置,从所述轴观察而配置在所述刻度部的周围,且配置在以所述轴为中心而使所述特定位置绕所述轴旋转大致90度的位置上,并读取所述刻度部;和第2读取装置,从所述轴观察而配置在所述圆筒部件的周围,且读取所述特定位置的所述刻度部。
根据本发明的第5方案,提供一种处理装置,其具有:圆筒部件,具有距规定的轴以固定半径弯曲的曲面,且绕所述规定的轴旋转;能够读取的刻度部,沿着所述圆筒部件旋转的周向而排列为环状,且与所述圆筒部件一同在所述轴的周围旋转;处理部,从所述轴观察而配置在所述圆筒部件的周围或者内部,并对被处理物体实施处理,该被处理物体位于所述周向中特定位置的所述曲面上;第1读取装置,从所述轴观察而配置在所述刻度部的周围,且配置在以所述轴为中心使所述特定位置绕所述轴旋转大致90度的位置上,并读取所述刻度部;第2读取装置,从所述轴观察而配置在所述刻度部的周围,且配置在与所述第1读取装置在所述周向上不同的位置上,并读取所述刻度部;和第3读取装置,从所述轴观察而配置在所述刻度部的周围,且配置在与所述第1读取装置以及所述第2读取装置在所述周向上不同的位置上,并读取所述刻度部。
根据本发明的第6方案,提供一种元件制造方法,包含使用按照第4方案或第5方案的处理装置而在基板上曝光图案、或者将光罩图案的像投影曝光至基板的工序。
根据本发明的第7方案,提供一种处理装置,沿长度方向传送长条且具有挠性的片状基板,同时将元件的图案转印至所述片状基板上,其特征在于,具有:旋转圆筒体,具有距规定的轴线为固定半径的圆筒状的外周面,并通过所述外周面的一部分保持所述片状基板,同时绕所述轴线旋转;转印处理部,在保持所述片状基板的所述旋转圆筒体的外周面的特定的周向位置上,将所述图案转印至所述片状基板上;刻度部,能够与所述旋转圆筒体一同绕所述轴线旋转,且具有从所述轴线沿着规定半径的周向排列为环状的能够读取的刻度;和多个编码器读头部,配置在所述刻度部的周围的2个以上的部位,以读取根据所述旋转圆筒体的旋转而沿周向移动的所述刻度,多个所述编码器读头部中的、特定的2个编码器读头部分别以使从所述轴线观察到的所述刻度的读取位置为90±5.8度的角度范围的方式设定。
发明效果
在本发明的方案中,能够通过以高精度对检测对象的位置进行检测而实行高精度的基板处理。
根据本发明的其他方案,在处理装置以及元件制造方法中,能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握圆筒部件的位置,而对位于圆筒部件的曲面上的被处理物体实施处理。
附图说明
图1是表示元件制造系统的构成的图。
图2是表示第1实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的图。
图3是表示该曝光装置中的照明区域以及投影区域的配置的图。
图4是表示适用于该曝光装置的投影光学系统的构成的图。
图5是旋转筒的外观立体图。
图6是沿旋转中心线方向观察第2实施方式的刻度圆盘时的图。
图7A是表示第3实施方式的旋转筒的图。
图7B是表示第3实施方式的旋转筒的图。
图8是第4实施方式的旋转筒的外观立体图。
图9是该旋转筒的主视图。
图10是表示第5实施方式的处理装置的整体构成的图。
图11是具有刻度部的第1筒部件的局部详细图。
图12是速度测量装置的概略的构成图。
图13是表示实施方式的元件制造方法的流程图。
图14是表示其他方式的读取机构的图。
图15是表示其他方式的读取机构的图。
图16是表示其他方式的读取机构的图。
图17是表示第7实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
图18是表示图17中的照明区域以及投影区域的配置的示意图。
图19是表示适用于图17的处理装置(曝光装置)的投影光学系统的构成的示意图。
图20是适用于图17的处理装置(曝光装置)的旋转筒的立体图。
图21是用于说明适用于图17的处理装置(曝光装置)的检测探针与读取装置的关系的立体图。
图22是用于说明沿旋转中心线方向观察第7实施方式的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图23是说明沿旋转中心线方向观察第7实施方式的刻度圆盘时的、旋转筒的位置偏移的说明图。
图24是说明对沿旋转中心线方向观察第7实施方式的刻度圆盘时的、旋转筒的位置偏移进行运算的一例的说明图。
图25是表示对第7实施方式的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的步骤的一例的流程图。
图26是表示对第7实施方式的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的步骤的其他例子的流程图。
图27是用于说明沿旋转中心线方向观察第7实施方式的变形例的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图28是用于说明沿旋转中心线方向观察第8实施方式的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图29是用于说明对刻度部件的真圆度进行调整的真圆度调整装置的说明图。
图30是用于说明沿旋转中心线方向观察第9实施方式的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图31是用于说明沿旋转中心线方向观察第9实施方式的变形例的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图32是表示第10实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
图33是用于说明沿旋转中心线方向观察第10实施方式的刻度圆盘时的、读取装置的位置的说明图。
图34是表示第11实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
图35是表示第12实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
图36是表示图35的处理装置(曝光装置)的局部构成的立体图。
图37是表示编码器读头的构成和配置的一例的立体图。
图38是表示第13实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
图39是表示使用第7实施方式的处理装置(曝光装置)的元件制造方法的流程图。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下,参照图1至图5来说明本发明的基板处理装置的第1实施方式。在以下的说明中,设定XYZ直角坐标系,参照该XYZ直角坐标系来说明各部分的位置关系。作为一例,将水平面内的规定方向设为X轴方向,将水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向,将与X轴方向以及Y轴方向分别正交的方向(即铅垂方向)设为Z轴方向。
图1是表示本实施方式的元件制造系统(柔性显示器生产线)SYS的一部分构成的图。在此,示出了使从供给辊FR1拉出的具有挠性的基板P(片材、膜等)依次经过n台处理装置U1、U2、U3、U4、U5、…Un直至被回收辊FR2卷起为止的例子。上位控制装置CONT对构成生产线的各处理装置U1~Un统括控制。
在图1中,直角坐标系XYZ以使基板P的表面(或者背面)与XZ面垂直的方式设定,且将与基板P的搬送方向(长度方向)正交的宽度方向设定为Y轴方向。此外,该基板P可以是预先通过规定的前处理对其表面进行改性而使其活性化的部件,或者,也可以是在表面上形成有用于精密图案化的微细的隔壁构造(凹凸构造)的部件。
卷绕于供给辊FR1上的基板P通过被夹持(nip)的驱动辊DR1而被拉出并搬送至处理装置U1,通过边缘位置控制器EPC1进行伺服控制,以使基板P的Y轴方向(宽度方向)的中心相对于目标位置位于±十几μm~几十μm左右的范围内。
处理装置U1是以印刷方式将感光性功能液(抗蚀剂、感光性硅烷耦合剂材料、UV固化树脂液等)沿基板P的搬送方向(长度方向)连续地或者选择性地涂敷于基板P的表面的涂敷装置。在处理装置U1内设有:涂敷机构Gp1,其包括使基板P卷绕的压印辊DR2、和用于在该压印辊DR2上将感光性功能液均匀地涂敷于基板P的表面的涂敷用辊等;以及干燥机构Gp2等,该干燥机构Gp2用于快速除去涂敷于基板P上的感光性功能液中所包含的溶剂或者水分。
处理装置U2是加热装置,用于将从处理装置U1搬送来的基板P加热至规定温度(例如,几十℃~120℃左右),以使涂敷于表面的感光性功能层稳定地紧密接触。在处理装置U2内设有:多个辊和空气转向杆(air turn bar),其用于折回搬送基板P;加热腔室部HA1,其用于加热所搬入的基板P;冷却腔室部HA2,其用于使加热后的基板P的温度下降,以使其与之后工序(处理装置U3)的环境温度一致;和被夹持的驱动辊DR3等。
作为基板处理装置的处理装置U3是曝光装置,对从处理装置U2搬送来的基板P的感光性功能层(感应性的基板)照射与显示器用的电路图案或配线图案对应的紫外线的图案化光。在处理装置U3内设有:边缘位置控制器EPC,其将基板P的Y轴方向(宽度方向)的中心控制在固定位置;被夹持的驱动辊DR4;旋转筒DR(基板支承部件),其以规定张力局部地卷绕基板P,且将基板P上的要进行图案曝光的部分支承为均匀的圆筒面状;以及用于对基板P赋予规定的松弛度(余量)DL的两组驱动辊DR6、DR7等。
另外,在处理装置U3内设有:透过型圆筒光罩DM;照明机构IU(照明系统),其设在该圆筒光罩DM内,对形成在圆筒光罩DM的外周面上的光罩图案进行照明;投影光学系统PL(曝光机构),其将圆筒光罩DM的光罩图案的一部分的像投影至通过旋转筒DR而被支承为圆筒面状的基板P的一部分上;以及对准显微镜AM1、AM2(检测探针、图案检测装置),其检测预先形成在基板P上的对准标记(特定图案)等,以对所投影的光罩图案的一部分的像和基板P相对地进行对位(对准)。
此外,关于处理装置U3的更详细的构成将后述。
处理装置U4是湿式处理装置,其对从处理装置U3搬送来的基板P的感光性功能层进行湿式的显影处理、无电解电镀处理等。在处理装置U4内设有:沿Z轴方向分层的3个处理槽BT1、BT2、BT3;将基板P折弯并搬送的多个辊;和被夹持的驱动辊DR8等。
处理装置U5是加热干燥装置,对从处理装置U4搬送来的基板P进行加热,将湿式程序(process)中变湿的基板P的水分含量调整为规定值,其详细情况省略。之后,经过几个处理装置并从一系列程序的最后的处理装置Un通过后的基板P,经由被夹持的驱动辊DR1而被回收辊FR2卷起。在该卷起时,也通过边缘位置控制器EPC2逐次对驱动辊DR1与回收辊FR2的Y轴方向上的相对位置进行修正控制,以使基板P的Y轴方向(宽度方向)的中心、或者Y轴方向上的基板端不会沿Y轴方向产生偏移。
本实施方式中使用的基板P例如是树脂膜、由不锈钢等金属或者合金形成的箔(foil)等。树脂膜的材质例如包含聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯酯共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂中的一种或者两种以上。
优选的是,对于基板P选定热膨胀系数不是明显较大的材料,以使得实际上能够忽视因在各种处理工序中受热而产生的变形量。热膨胀系数例如可以通过将无机填料混合于树脂膜中而设定为比与程序温度等相应的阈值小。无机填料例如可以是氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。另外,基板P可以是通过浮式法等制造的厚度为100μm左右的极薄玻璃的单层体,也可以是在该极薄玻璃上粘贴上述树脂膜、箔等而成的层叠体。另外,基板P可以是预先通过规定的前处理对其表面进行改性而使其活性化的部件,或者,也可以是在表面上形成有用于精密图案化的微细的隔壁构造(凹凸构造)的部件。
本实施方式的元件制造系统SYS对基板P连续地实施用于制造一个元件的各种处理的、所谓卷对卷(Roll to Roll)方式的系统。被实施了各种处理后的基板P按每个元件(例如有机EL显示器的显示面板)地分割(切割)而成为多个元件。基板P的尺寸例如为,宽度方向(成为短边的Y轴方向)的尺寸为10cm~2m左右,长度方向(成为长边的X轴方向)的尺寸为10m以上。基板P的宽度方向(成为短边的Y轴方向)的尺寸也可以为10cm以下,也可以为2m以上。基板P的长度方向(成为长边的X轴方向)的尺寸也可以为10m以下。
接下来,参照图2至图5说明本实施方式的处理装置U3的构成。图2是表示本实施方式的处理装置U3的整体构成的图。图2所示的处理装置U3包含执行曝光处理的曝光装置(处理机构)EX、和搬送装置9(基板搬送机构)的至少一部分。
本实施方式的曝光装置EX为所谓的扫描曝光装置,一边使圆筒光罩DM的旋转和具有挠性的基板P的传送(基板P的搬送)同步驱动,一边经由投影倍率为等倍(×1)的投影光学系统PL(PL1~PL6)将形成在圆筒光罩DM上的图案的像投影至基板P。此外,在图2至图5中,将直角坐标系XYZ的Y轴设定为与圆筒光罩DM的旋转中心线AX1平行,将X轴设定为扫描曝光的方向、即曝光位置处的基板P的搬送方向。
如图2所示,曝光装置EX具备光罩保持装置12(光罩保持部件)、照明机构IU、投影光学系统PL、以及控制装置14(基板搬送机构)。处理装置U3使保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM旋转移动,并且通过搬送装置9(基板搬送机构)搬送基板P。照明机构IU通过照明光束EL1以均匀的亮度对保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM的一部分(照明区域IR)进行照明。投影光学系统PL将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影至被搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)中。随着圆筒光罩DM的移动,配置于照明区域IR的圆筒光罩DM上的部位会发生变化。另外,随着基板P的移动,配置于投影区域PA的基板P上的部位会发生变化,由此,圆筒光罩DM上的规定的图案(光罩图案)的像投影于基板P。控制装置14控制曝光装置EX的各部分,对各部分执行处理。另外,在本实施方式中,控制装置14控制搬送装置9的至少一部分。
此外,控制装置14可以是元件制造系统SYS的上位控制装置CONT的一部分或者全部。另外,控制装置14也可以是被上位控制装置CONT控制的、与上位控制装置CONT不同的装置。控制装置14例如包含计算机系统。计算机系统例如包含CPU以及各种存储器或OS、周边设备等硬件。处理装置U3的各部分的动作的过程以程序的形式存储在计算机可读取的记录介质中,通过计算机系统读取并执行该程序,来进行各种处理。计算机系统能够与互联网或局域网系统连接的情况下,也包括主页提供环境(或者显示环境)。另外,计算机可读取的记录介质包含软盘、光磁盘、ROM、CD-ROM等可移动介质、内置于计算机系统中的硬盘等存储装置。计算机可读取的记录介质也包括:如经由互联网等网络或电话线路等通信线路发送程序的情况下的通信线那样,在短时间内动态地保持程序的部件;如该情况下的成为伺服器或客户端的计算机系统内部的易失性存储器那样,将程序保持一定时间的部件。另外,程序可以是用于实现处理装置U3的一部分功能的程序,也可以是通过与已记录在计算机系统中的程序组合而能够实现处理装置U3的功能的程序。上位控制装置CONT与控制装置14同样地,能够利用计算机系统实现。
如图2所示,光罩保持装置12具备:保持圆筒光罩DM的第1筒部件21(光罩保持部件);支承第1筒部件21的引导辊23;驱动第1筒部件21的驱动辊24;检测第1筒部件21的位置的第1检测器25;以及第1驱动部26。
第1筒部件21形成第1面P1,该第1面P1配置有圆筒光罩DM上的照明区域IR。在本实施方式中,第1面P1包含使线段(母线)绕与该线段平行的轴(第1中心轴AX1)旋转而成的面(以下,称为圆筒面)。圆筒面例如是圆筒的外周面、圆柱的外周面等。第1筒部件21由例如玻璃或石英等构成,是具有一定壁厚的圆筒状,其外周面(圆筒面)形成第1面P1。即,在本实施方式中,圆筒光罩DM上的照明区域IR弯曲成距旋转中心线AX1具有一定半径r1的圆筒面状。
圆筒光罩DM作为透过型的平面状片光罩而制作成,该透过型的平面状片光罩例如是通过铬等遮光层在平坦性良好的长条状的极薄玻璃板(例如厚度100~500μm)的一个面上形成图案而成的,圆筒光罩DM在使其仿照第1筒部件21的外周面弯曲并卷绕(粘贴)于该外周面的状态下使用。圆筒光罩DM具有未形成图案的图案非形成区域,并在图案非形成区域中安装于第1筒部件21。圆筒光罩DM能够相对于第1筒部件21拆卸(release)。
此外,也可以代替由极薄玻璃板构成圆筒光罩DM并将该圆筒光罩DM卷绕于由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的结构,而是在由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的外周面上,直接描绘形成基于铬等遮光层而实现的光罩图案并使其一体化。在该情况下,第1筒部件21也作为圆筒光罩DM的图案的支承部件发挥功能。
第1检测器25是光学地检测第1筒部件21的旋转位置的部件,例如由旋转编码器等构成。第1检测器25将表示所检测到的第1筒部件21的旋转位置的信息(来自编码器读头的双相信号等)供给至控制装置14。包含电动马达等致动器的第1驱动部26按照从控制装置14供给的控制信号,来调整用于使驱动辊24旋转的转矩。控制装置14通过基于第1检测器25的检测结果控制第1驱动部26,来控制第1筒部件21的旋转位置。换言之,控制装置14控制保持在第1筒部件21上的圆筒光罩DM的旋转位置和旋转速度的一方或者双方。
搬送装置9具备驱动辊DR4、第1引导部件31、旋转筒DR、第2引导部件33、驱动辊DR6、DR7(参照图1)、第2检测器35、以及第2驱动部36,其中,旋转筒DR形成配置有基板P上的投影区域PA的第2面p2。
在本实施方式中,从搬送路径的上游向驱动辊DR4搬送来的基板P经由驱动辊DR4被搬送至第1引导部件31。经由第1引导部件31的基板P被支承于半径r2的圆筒状或者圆柱状的旋转筒DR的表面,被搬送至第2引导部件33。经由第2引导部件33的基板P经由驱动辊DR6、DR7而被搬送至搬送路径的下游。此外,旋转筒DR的旋转中心线AX2、和驱动辊DR4、DR6、DR7的各旋转中心线均设定为与Y轴平行。
第1引导部件31以及第2引导部件33例如通过沿与基板P的宽度方向交差的方向移动(在图2中的XZ面内移动)而调整在搬送路径中作用于基板P的张力等。另外,第1引导部件31(以及驱动辊DR4)和第2引导部件33(以及驱动辊DR6、DR7)例如通过以能沿基板P的宽度方向(Y轴方向)移动的方式构成,而能够调整卷绕于旋转筒DR外周的基板P的Y轴方向上的位置等。此外,搬送装置9只要能沿投影光学系统PL的投影区域PA搬送基板P即可,能够适当改变其构成。
旋转筒(旋转圆筒部件、基板支承部件)DR形成将包含基板P上的投影区域PA的一部分支承为圆弧状(圆筒状)的第2面(支承面)p2,其中,基板P上的投影区域PA供来自投影光学系统PL的成像光束投射。在本实施方式中,旋转筒DR是搬送装置9的一部分,并且兼作对曝光对象的基板P(被曝光面)进行支承的支承部件(基板平台)。即,旋转筒DR可以是曝光装置EX的一部分。旋转筒DR能够绕其旋转中心线AX2(以下,也称为第2中心轴AX2)旋转,基板P仿照旋转筒DR上的外周面(圆筒面)弯曲成圆筒面状,在弯曲的部分的一部分上配置有投影区域PA。
在本实施方式中,旋转筒DR通过从包含电动马达等致动器的第2驱动部36供给的转矩而旋转。第2检测器35也由例如旋转编码器等构成,光学地检测旋转筒DR的旋转位置。第2检测器35将表示所检测到的旋转筒DR的旋转位置的信息(例如,来自编码器读头的双相信号等)供给至控制装置14。第2驱动部36按照从控制装置14供给的控制信号来调整使旋转筒DR旋转的转矩。控制装置14通过基于第2检测器35的检测结果控制第2驱动部36,来控制旋转筒DR的旋转位置,使第1筒部件21(圆筒光罩DM)和旋转筒DR同步移动(同步旋转)。此外,关于第2检测器35的详细构成将后述。
本实施方式的曝光装置EX是假定了搭载所谓多透镜方式的投影光学系统的曝光装置。投影光学系统PL具备对圆筒光罩DM的图案中的一部分的像进行投影的多个投影组件。例如,在图2中,在中心面P3的左侧沿Y轴方向以固定间隔配置有三个投影组件(投影光学系统)PL1、PL3、PL5,在中心面P3的右侧也沿Y轴方向以固定间隔配置有三个投影组件(投影光学系统)PL2、PL4、PL6。
在这种多透镜方式的曝光装置EX中,利用扫描使通过多个投影组件PL1~PL6而被曝光的区域(投影区域PA1~PA6)的Y轴方向上的端部相互重合,由此投影所期望的图案的整体像。这种曝光装置EX具有如下优点:即使在圆筒光罩DM上的图案的Y轴方向尺寸增大从而必然产生对Y轴方向的宽度较大的基板P进行处理的必要性的情况下,也只需沿Y轴方向增设投影组件PA、和与该投影组件PA对应的照明机构IU侧的组件即可,因此能够容易地应对面板尺寸(基板P的宽度)的大型化。
此外,曝光装置EX也可以不是多透镜方式。例如,在基板P的宽度方向上的尺寸在某种程度上较小的情况下等,曝光装置EX可以通过一个投影组件而将图案的整个宽度的像投影至基板P。另外,多个投影组件PL1~PL6可以分别投影与一个元件对应的图案。即,曝光装置EX也可以通过多个投影组件并行地投影多个元件用的图案。
本实施方式的照明机构IU具备光源装置(图示省略)以及照明光学系统。照明光学系统具备与多个投影组件PL1~PL6分别对应地沿Y轴方向排列的多个(例如六个)照明组件IL。光源装置例如包含水银灯等灯光源、或者激光二极管、发光二极管(LED)等固体光源。
光源装置所射出的照明光是例如从灯光源射出的明线(g线、h线、i线)、KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)等。从光源装置射出的照明光的照度分布均匀,例如经由光纤等导光部件而被分配至多个照明组件IL。
多个照明组件IL分别包含透镜等多个光学部件。在本实施方式中,将从光源装置射出并从多个照明组件IL中的任一个通过的光称为照明光束EL1。多个照明组件IL分别包含例如积分器光学系统、柱状透镜、复眼透镜等,通过均匀的照度分布的照明光束EL1对照明区域IR进行照明。在本实施方式中,多个照明组件IL配置于圆筒光罩DM的内侧。多个照明组件IL分别从圆筒光罩DM的内侧对形成在圆筒光罩DM的外周面上的光罩图案的各照明区域IR进行照明。
图3是表示本实施方式中的照明区域IR以及投影区域PA的配置的图。此外,在图3中图示出了从-Z轴侧观察配置于第1筒部件21上的圆筒光罩DM上的照明区域IR时的平面图(图3中的左图)、和从+Z轴侧观察配置于旋转筒DR上的基板P上的投影区域PA时的平面图(图3中的右图)。图3中的附图标记Xs表示第1筒部件21或者旋转筒DR的移动方向(旋转方向)。
多个照明组件IL分别对圆筒光罩DM上的第1照明区域IR1到第6照明区域IR6进行照明。例如,第1照明组件IL对第1照明区域IR1进行照明,第2照明组件IL对第2照明区域IR2进行照明。
将本实施方式中的第1照明区域IR1设为沿Y轴方向细长的梯形状的区域进行说明。但是,如之后说明的投影光学系统(投影组件)PL那样,在形成中间像面的构成的投影光学系统的情况下,为了能够在该中间像的位置处配置具有梯形开口的视场光阑板,也可以设为包含该梯形开口的长方形的区域。第3照明区域IR3以及第5照明区域IR5分别为形状与第1照明区域IR1相同的区域,沿Y轴方向空出固定间隔地配置。另外,第2照明区域IR2是关于中心面P3而与第1照明区域IR1对称的梯形状(或者长方形)的区域。第4照明区域IR4以及第6照明区域IR6分别为与第2照明区域IR2相同形状的区域,沿Y轴方向空出规定间隔地配置。
如图3所示,在沿第1面P1的周向观察第1照明区域IR1到第6照明区域IR6的各区域的情况下,以使相邻的梯形状的照明区域的斜边部的三角部重合(重叠)的方式配置。因此,例如通过第1筒部件21的旋转而从第1照明区域IR1通过的圆筒光罩DM上的第1区域A1,和通过第1筒部件21的旋转而从第2照明区域IR2通过的圆筒光罩DM上的第2区域A2有一部分重复。
在本实施方式中,圆筒光罩DM具有:形成有图案的图案形成区域A3、和未形成图案的图案非形成区域A4。该图案非形成区域A4以呈框状地包围图案形成区域A3的方式配置,具有遮蔽照明光束EL1的特性。圆筒光罩DM的图案形成区域A3随着第1筒部件21的旋转而沿方向Xs移动,图案形成区域A3中的Y轴方向上的各部分区域从第1照明区域IR1至第6照明区域IR6中的任一个通过。换言之,第1照明区域IR1至第6照明区域IR6以将图案形成区域A3的Y轴方向上的整个宽度覆盖的方式配置。
如图2所示,沿Y轴方向排列的多个投影组件PL1~PL6分别与第1至第6照明组件IL一对一地对应。将在由相对应的照明组件IL照亮的照明区域IR内所显现的圆筒光罩DM的局部图案的像,投影至基板P上的各投影区域PA。
例如,第1投影组件PL1与第1照明组件IL相对应,将由第1照明组件IL照亮的第1照明区域IR1(参照图3)中的圆筒光罩DM的图案的像,投影至基板P上的第1投影区域PA1。第3投影组件PL3、第5投影组件PL5分别与第3照明组件IL、第5照明组件IL相对应。第3投影组件PL3以及第5投影组件PL5在从Y轴方向观察时配置在与第1投影组件PL1重合的位置。
另外,第2投影组件PL2与第2照明组件IL相对应,将由第2照明组件IL照亮的第2照明区域IR2(参照图3)中的圆筒光罩DM的图案的像,投影至基板P上的第2投影区域PA2。第2投影组件PL2在从Y轴方向观察时配置在隔着中心面P3而与第1投影组件PL1对称的位置。
第4投影组件PL4、第6投影组件PL6分别与第4照明组件IL、第6照明组件IL对应地配置。第4投影组件PL4以及第6投影组件PL6在从Y轴方向观察时配置在与第2投影组件PL2重合的位置上。
此外,在本实施方式中,将从照明机构IU的各照明组件IL到达至圆筒光罩DM上的各照明区域IR1~IR6内的光设为照明光束EL1。将受到与各照明区域IR1~IR6中所显现的圆筒光罩DM的部分图案相应的强度分布调制后入射至各投影组件PL1~PL6并到达至各投影区域PA1~PA6内的光,设为成像光束EL2(曝光用的照明光)。在本实施方式中,如图2所示,在从旋转筒DR的旋转中心线AX2观察时,到达至各投影区域PA1~PA6内的成像光束EL2中的、从投影区域PA1~PA6的各中心点通过的主光线,隔着中心面P3而在周向上分别配置在角度θ的位置(特定位置)上。
如图3中的右图所示,第1照明区域IR1中的图案的像被投影至第1投影区域PA1,第3照明区域IR3中的图案的像被投影至第3投影区域PA3,第5照明区域IR5中的图案的像被投影至第5投影区域PA5。在本实施方式中,第1投影区域PA1、第3投影区域PA3以及第5投影区域PA5以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。
另外,第2照明区域IR2中的图案的像被投影至第2投影区域PA2。在本实施方式中,第2投影区域PA2在从Y轴方向观察时关于中心面P3而与第1投影区域PA1对称地配置。另外,第4照明区域IR4中的图案的像被投影至第4投影区域PA4,第6照明区域IR6中的图案的像被投影至第6投影区域PA6。在本实施方式中,第2投影区域PA2、第4投影区域PA4以及第6投影区域PA6以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。
第1投影区域PA1至第6投影区域PA6分别以如下方式配置:在沿第2面p2的周向观察的情况下,在与第2中心轴AX2平行的方向上相邻的投影区域(第奇数个和第偶数个)彼此的端部(梯形的三角部分)重合。因此,例如通过旋转筒DR的旋转而从第1投影区域PA1通过的基板P上的第3区域A5,与通过旋转筒DR的旋转而从第2投影区域PA2通过的基板P上的第4区域A6有一部分重复。第1投影区域PA1和第2投影区域PA2的各自的形状等设定为,使第3区域A5和第4区域A6重复的区域中的曝光量与不重复的区域的曝光量实质上相同。
接下来,参照图4说明本实施方式的投影光学系统PL的详细构成。此外,在本实施方式中,第2投影组件PL2至第5投影组件PL5分别为与第1投影组件PL1相同的构成。因此,以第1投影组件PL1的构成为代表而说明投影光学系统PL。
图4所示的第1投影组件PL1具备:第1光学系统41,其使配置于第1照明区域IR1的圆筒光罩DM的图案的像在中间像面P7上成像;第2光学系统42,其使第1光学系统41所形成的中间像的至少一部分在基板P的第1投影区域PA1内再成像;和第1视场光阑43,其配置于供中间像形成的中间像面P7。
另外,第1投影组件PL1具备:聚焦修正光学部件44,其用于对形成在基板P上的光罩的图案像(以下称为投影像)的聚焦状态进行微调整;像偏移修正光学部件45,其用于使投影像在像面内微少地横向偏移;倍率修正用光学部件47,其对投影像的倍率进行微少修正;以及旋转修正机构46,其使投影像在像面内微少旋转。
来自圆筒光罩DM的图案的成像光束EL2从第1照明区域IR1沿法线方向(D1)射出,从聚焦修正光学部件44通过而入射至像偏移修正光学部件45。透过像偏移修正光学部件45后的成像光束EL2由作为第1光学系统41的要素的第1偏转部件50的第1反射面(平面镜)p4反射,从第1透镜群51通过而由第1凹面镜52反射,并再次从第1透镜群51通过而由第1偏转部件50的第2反射面(平面镜)p5反射,而入射至第1视场光阑43。从第1视场光阑43通过后的成像光束EL2由作为第2光学系统42的要素的第2偏转部件57的第3反射面(平面镜)p8反射,从第2透镜群58通过而由第2凹面镜59反射,并再次从第2透镜群58通过而由第2偏转部件57的第4反射面(平面镜)p9反射,而入射至倍率修正用光学部件47。从倍率修正用光学部件47射出的成像光束EL2入射至基板P上的第1投影区域PA1,在第1照明区域IR1内显现的图案的像等倍(×1)地投影至第1投影区域PA1。
如之前的图2所示,在使圆筒光罩DM的半径r1和卷绕于旋转筒DR上的基板P的圆筒状的表面的半径r2相等的情况下,各投影组件PL1~PL6的光罩侧的成像光束EL2的主光线以从圆筒光罩DM的中心轴线AX1通过的方式倾斜,但其倾斜角与基板侧的成像光束EL2的主光线的倾斜角θ(相对于中心面P3为±θ)相同。
为了提供这样的倾斜角θ,使图4所示的第1偏转部件50的第1反射面p4相对于光轴AX3的角度θ1比45°仅小Δθ1,并使第2偏转部件57的第4反射面p9相对于光轴AX4的角度θ4比45°仅小Δθ4。Δθ1和Δθ4相对于图2所示的角度θ而设定为Δθ1=Δθ4=θ/2的关系。
图5是旋转筒DR的外观立体图。
此外,在图5中,为了方便,仅图示出第2投影区域PA2~第4投影区域PA4,省略了第1投影区域PA1、第5投影区域PA5、第6投影区域PA6的图示。
第2检测器35是光学地检测旋转筒DR的旋转位置的部件,由高真圆度的刻度圆盘(刻度部件、圆盘状部件)SD、和编码器读头(读取机构)EN1~EN3构成。
刻度圆盘SD固定在旋转筒DR的旋转轴ST上,与旋转轴ST一同绕旋转中心线AX2一体地旋转,在外周面上刻设有刻度部GP。编码器读头EN1~EN3与刻度部GP相对配置,并以非接触的方式读取刻度部GP。编码器读头EN1、EN2是对刻度部GP的切线方向(XZ面内)的位移具有测量灵敏度(检测灵敏度)的部件。若用设置方位线Le1、Le2表示其设置方位(以旋转中心线AX2为中心的XZ面内的角度方向),则以使该设置方位线Le1、Le2相对于中心面P3为±θ°的方式配置各编码器读头EN1、EN2。
即,编码器读头EN1的设置方位线Le1的倾斜角,与从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的各投影视场PA1、PA3、PA5的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致。另外,编码器读头EN2的设置方位线Le2的倾斜角,与从第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的各投影视场PA2、PA4、PA6的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致。
另外,第三个编码器读头(第3读取机构)EN3相对于编码器读头EN1、EN2配置于隔着旋转中心线AX2的相反侧,其设置方位线Le3设定于中心面P3上。
本实施方式的刻度圆盘SD以低热膨胀的金属、玻璃、陶瓷等为母材,且为了提高测量分辨率而以成为尽可能大的直径(例如直径20cm以上)的方式制作。在图5中,刻度圆盘SD的直径图示得比旋转筒DR的直径小。但是,通过使旋转筒DR的外周面中的、卷绕基板P的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致(大致一致),能够进一步减小所谓的测量阿贝误差。
沿刻度部GP的周向刻设的刻度(格子)的最小间距受到刻度刻线装置等的性能的限制,因此若将刻度圆盘SD的直径形成得较大,则能够与此相应地也提高与最小间距对应的角度测量分辨率。
如上述构成那样,通过使配置有对刻度部GP进行读取的编码器读头EN1、EN2的设置方位线Le1、Le2的方向,在从旋转中心线AX2观察时相对于基板P而与成像光束EL2的主光线入射至基板P的方向相同,而例如即使在因支承旋转轴ST的轴承(bearing)的略微的反冲(2~3μm左右)而导致旋转筒DR沿X轴方向偏移的情况下,也能够通过编码器读头EN1、EN2高精度地测量因该偏移而可能在投影区域PA1~PA6内产生的与基板P的传送方向(Xs)相关的位置误差。
另外,通过将编码器读头EN1、EN2的测量值与编码器读头EN3的测量值进行对比,来抑制基于刻度圆盘SD相对于旋转轴ST的偏心误差等产生的影响,从而能够实现高精度的测量。
若基于来自编码器读头EN1、EN2、EN3的测量信号而稳定地检测到旋转筒DR的旋转方向的位置和旋转速度,则控制装置14通过伺服模式来控制第2驱动部36。由此,能够更精密地控制旋转筒DR的旋转位置。另外,通过基于与由第1检测器25检测到的第1筒部件21(圆筒光罩DM)的旋转位置和旋转速度相对应的测量信号,而经由第1驱动部26对第1筒部件21的旋转位置以及速度进行伺服控制,从而能够使第1筒部件21和旋转筒DR同步移动(同步旋转)。
由此,圆筒光罩DM上的图案的周向的速度、和基板P的基于旋转筒DR的传送速度,被精密地设定为投影光学系统PL的投影倍率的比,在此为1:1。
于是,位于由多个照明组件IL照明的圆筒光罩DM的照明区域IR内的图案的像,投影至与各照明组件相对应的基板P上的投影区域PA。
这样,在本实施方式中,在刻度圆盘SD的刻度部GP的周围配置的编码器读头EN1、EN2的各设置方位线Le1、Le2,在从旋转中心线AX2观察时,与朝向基板P上的投影区域PA的成像光束EL2的主光线的倾斜方向相同(或者一致)。因此,即使在基板P的扫描曝光的方向(传送方向)上旋转筒DR产生了微小偏移的情况下,也能通过编码器读头EN1、EN2即时地测量该偏移量,从而能够通过例如投影光学系统PL内的像偏移修正光学部件45等高精度且高速修正由该偏移引起的曝光位置的变动量。
因此,能够以较高的位置精度对基板P进行曝光处理。
(第2实施方式)
接下来,参照图6来说明本发明的基板处理装置的第2实施方式。
在该图中,对与图1至图5所示的第1实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记,并省略其说明。
图6是从旋转中心线AX2的方向(Y轴方向)观察设于旋转筒DR上的刻度圆盘SD时的图。如图6所示,在本实施方式中,与之前的图5同样地,在XZ面内也设置有:编码器读头EN1、EN2,其配置在向如下方向倾斜的设置方位线Le1、Le2上,该方向是与朝向旋转中心线AX2的成像光束EL2(主光线)入射至基板P的方向相同的方向;以及编码器读头EN3,其以与编码器读头EN1、EN2相对的方式配置在设置方位线Le3(中心面P3)上。除这些编码器读头EN1、EN2、EN3之外,在本实施方式中,还以与之前的图1中所示的对准显微镜AM1、AM2(检测探针、图案检测装置)对基板P的观察方向AMD1、AMD2(朝向旋转中心线AX2)成为同一方向的方式,在沿刻度部GP的径向设定的各个设置方位线Le4、Le5上分别配置有编码器读头EN4、EN5。
此外,对准显微镜AM1、AM2以及编码器读头EN4、EN5所配置的旋转中心线AX2周向上的位置设定于,基板P开始与旋转筒DR接触的进入区域IA、与基板P从旋转筒DR离开的脱离区域OA之间(特定范围)。
本实施方式的对准显微镜AM1配置于曝光位置(投影区域)的近前方,是在以规定速度传送基板P的状态下,通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十~几百μm见方内的区域)进行图像检测的部件,且在显微镜视场(摄像范围)中高速地对标记的像进行取样。在进行该取样的瞬间,存储由编码器读头EN4逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置,由此求出基板P上的标记位置与旋转筒DR的旋转角度位置的对应关系。
另一方面,对准显微镜AM2配置于曝光位置(投影区域)的后方,与对准显微镜AM1同样地,通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十~几百μm见方内的区域)的像进行取样,在该取样的瞬间,存储由编码器读头EN5逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置,由此求出基板P上的标记位置与旋转筒DR的旋转角度位置的对应关系。
在由对准显微镜AM2检测到由对准显微镜AM1所检测到的标记时,将通过编码器读头EN4测量并存储的角度位置与通过编码器读头EN5测量并存储的角度位置的差值,与预先精密地校正过的2个对准显微镜AM1、AM2的设置方位线Le4、Le5所成的角度进行比较,在具有误差的情况下,有可能是基板P在进入区域IA与脱离区域OA之间,在旋转筒DR上略微发生了滑动、或者沿传送方向(周向)发生了伸缩。
通常,图案化时的位置误差取决于形成在基板P上的元件图案的微细度或重合精度。例如,为了使10μm宽的线条图案相对于基底的图案层准确地重合而进行曝光,仅允许其几分之一以下的误差、即换算为基板P上的尺寸时,仅允许±2μm左右的位置误差。
为了实现这样的高精度的测量,需要预先使各对准显微镜AM1、AM2对标记图像的测量方向(XZ面内的旋转筒DR的外周切线方向)、与各编码器读头EN4、EN5的测量方向(XZ面内的刻度部GP的外周切线方向)在允许角度误差内一致。
如上所述,在本实施方式中,除能得到与之前的第1实施方式相同的作用和效果之外,由于以与对准显微镜AM1、AM2对基板P上的对准标记(特定图案)的测量方向(旋转筒DR的圆周面的切线方向)一致的方式配置有编码器读头EN4、EN5,所以即使在由对准显微镜AM1、AM2对基板P(标记)进行位置检测时(图像取样时)旋转筒DR(刻度圆盘SD)在XZ面内沿与设置方位线Le4或Le5正交的周向(切线方向)发生了偏移的情况下,也能够实现将该偏移考虑在内的高精度的位置测量。
其结果是,关于由控制装置14进行的圆筒光罩DM的驱动或旋转筒DR的驱动、或者对基板P的张力赋予,能够进行精密的反馈控制或前馈控制,从而能够对基板P进行高精度的曝光处理。
另外,在本实施方式中,能够在与第奇数个投影区域PA1、PA3、PA5的周向位置对应的编码器读头EN1附近,配置与对准显微镜AM1的摄像视场的周向位置对应的编码器读头EN4,能够在与第偶数个投影区域PA2、PA4、PA6的周向位置对应的编码器读头EN2附近,配置与对准显微镜AM2的摄像视场的周向位置对应的编码器读头EN5。
因此,能够通过相接近的2个编码器读头的组(EN1和EN4、或者EN2和EN5)来测量刻设在刻度部GP上的刻度(刻度、格子)的周向间距不均。通过在刻度圆盘SD的全周范围内测量这样的间距不均,能够制作与刻度圆盘SD的旋转角度位置对应的修正图,从而能够实现更高精度的测量。
另外,在本实施方式中,在刻度圆盘SD的周围的5处配置有编码器读头EN1~EN5,因此通过将其中的适当的2个或者3个编码器读头的测量值组合而进行运算处理,也能够求出刻度圆盘SD的刻度部GP的真圆度(形状应变)、偏心误差等。
(第3实施方式)
接下来,参照图7A、图7B说明本发明的基板处理装置的第3实施方式。在该图中,对与图1至图6所示的第1、第2实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记,并省略其说明。
在本实施方式中,设有调整刻度圆盘SD的真圆度的真圆度调整装置。如图7B所示,真圆度调整装置CS由沿周向呈环状地突出设置在刻度圆盘SD的+Y轴侧的面上的突部SD1、和在刻度圆盘SD的+Y轴侧穿插并固定于旋转轴ST的圆板状的固定板FP构成。
在固定板FP的与刻度圆盘SD相对一侧的面上设有沿周向呈环状地突出设置的突部FP1。在突部SD1的内周侧形成有随着朝向固定板FP而逐渐扩径的倾斜面SD2。在突部FP1的外周侧形成有随着朝向刻度圆盘SD而逐渐缩颈并与倾斜面SD2嵌合的倾斜面FP2。倾斜面FP2的前端部的直径设定为比倾斜面SD2的基部的直径大。倾斜面SD2的前端部的直径设定为比倾斜面FP2的基部的直径小。
在刻度圆盘SD上,以从突部SD1所处的与旋转中心线AX2相距的距离,沿旋转中心线AX2形成有贯穿孔SD3以及向-Y轴侧开口的层差部SD4。在固定板FP上,与贯穿孔SD3以及层差部SD4同轴地形成有内螺纹部FP3。
这些贯穿孔SD3、层差部SD4以及内螺纹部FP3沿以旋转中心线AX2为中心的周向以规定间距形成有多个(在此为8个部位),将各部位作为调整部。
在各调整部中安装有调整螺钉60,该调整螺钉60具有:穿插于贯穿孔SD3并与内螺纹部FP3螺合的外螺纹部61、和与层差部SD4卡合的头部62。
在上述构成的真圆度调整装置CS中,通过使调整螺钉60螺入而使刻度圆盘SD向接近固定板FP的方向移动,由此,倾斜面SD2沿倾斜面FP2向外径侧微小地弹性变形。相反,通过使调整螺钉60向相反侧旋转而使刻度圆盘SD向远离固定板FP的方向移动,由此,倾斜面SD2沿倾斜面FP2向内径侧微小地弹性变形。
这样,通过在各调整部中对调整螺钉60进行操作,能够在刻度圆盘SD中,在周向上对所述调整部的突部SD1、进而对形成在外周面上的刻度部GP的直径微小地进行调整。因此,通过根据刻度圆盘SD的真圆度来操作适当位置的调整部(调整螺钉60),能够提高刻度圆盘SD的刻度部GP的真圆度,减小相对于旋转中心线AX2的微少偏心误差,从而提高相对于旋转筒DR的旋转方向的位置检测精度。其调整量根据刻度圆盘SD的直径、调整部的半径位置而不同,最大为几微米左右。
此外,在本实施方式中,也可以与第1、第2实施方式同样地,构成为第3个编码器读头(第3读取机构)EN3相对于编码器读头EN1、EN2而配置在隔着旋转中心线AX2的相反侧。
(第4实施方式)
接下来,参照图8以及图9说明本发明的基板处理装置的第4实施方式。在该图中,对与图1至图7B所示的第1~第3实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记,并省略其说明。
图8是卷绕有基板P的旋转筒DR的外观立体图。此外,在图8中,省略了成像光束EL2和周向的设置方位相同的编码器读头EN1、EN2的图示。
如图8所示,在本实施方式中,在卷绕于旋转筒DR的基板P的周围,配置有合计12个的对准显微镜(也称为非接触式的检测探针)AM。
这12个对准显微镜以如下方式配置:沿旋转筒DR的周向以规定角度间隔配置有3个对准显微镜群AMG4、AMG5、AMG6,其中每个对准显微镜群包含沿旋转中心线AX2的延伸方向(Y轴方向)以规定间隔排列的4个对准显微镜AM。
构成对准显微镜群AMG4的4个对准显微镜AM分别朝向旋转中心线AX2,并且具有在XZ面内向相同方向倾斜的观察(检测)中心线AMD4。构成对准显微镜群AMG5的4个对准显微镜AM分别朝向旋转中心线AX2,并且具有在XZ面内向相同方向倾斜的观察(检测)中心线AMD5。构成对准显微镜群AMG6的4个对准显微镜AM分别朝向旋转中心线AX2,并且具有在XZ面内向相同方向倾斜的观察(检测)中心线AMD6。
各对准显微镜群AMG4~AMG6在旋转筒DR的周向上与对基板P的曝光位置(投影区域PA1~PA6)相比配置在进入区域IA侧(-X轴侧)。即,各对准显微镜群AMG4~AMG6以使各对准显微镜群AMG4~AMG6的检测区域相较于与曝光位置(投影区域PA1~PA6)对应地配置的2个编码器读头EN1、EN2而设定于基板P的搬送方向的上游侧的方式,配置在旋转筒DR的周围。
在本实施方式中,如图8所示,在XZ面内观察时,在分别与3个对准显微镜群AMG4~AMG6的各观察(检测)中心线AMD4~AMD5朝向相同的方向的设置方位线Le4、Le5、Le6上,配置有编码器读头EN4~EN6(检测位置读取机构)。编码器读头EN4~EN6以非接触的方式读取刻度部GP。
图9是在XZ面上观察到的3个编码器读头EN4~EN6的配置。3个编码器读头EN4~EN6相对于与曝光位置(投影区域PA1~PA6)对应地配置的2个编码器读头EN1、EN2而配置于如下位置,该位置在旋转筒DR上的基板P的搬送方向上位于近前侧(基板P的搬送方向的上游侧),且比基板P的进入区域IA位于后方(基板P的搬送方向的下游侧)。
在上述结构的处理装置U3中,在基板P中的与各对准显微镜群AMG4~AMG6(检测探针)的对准显微镜AM(检测探针、图案检测装置)对应的位置上,预先沿基板P的长度方向离散或者连续地形成有与图案(图案形成区域)具有规定的相关关系的对准标记(特定图案),通过对准显微镜群AMG4~AMG6依次对上述对准标记进行检测。由此,能够在对基板P进行曝光处理前预先测量图案的位置、大小、旋转、变形等误差信息,通过基于上述误差信息对曝光处理时的投影条件进行修正等,能够实现高精度的图案形成。
各对准显微镜群AMG4~AMG6具有沿Y轴方向(基板P的宽度方向)排成一列的4个对准显微镜AM,其中的Y轴方向两侧的2个对准显微镜AM能够始终检测形成在基板P的两端附近的标记。沿Y轴方向(基板P的宽度方向)排成一列的4个对准显微镜AM中的、内侧的2个对准显微镜AM,例如能够对在形成于余白部等的对准标记进行观察、检测,其中,余白部位于在基板P上沿长度方向形成有多个的显示面板的图案形成区域之间。
或者,也可以是,在基板P上的长度方向上,在某些部位设定未形成显示面板的特定区域,在这些特定区域内,以构成3个对准显微镜群AMG4~AMG6的12个对准显微镜AM能够同时进行检测的配置,设置12个对准标记。由此,基于通过12个对准显微镜AM而同时检测到的各标记的相对位置关系,能够高速且微细地测定基板P的曝光位置(投影区域PA1~PA6)紧前的部分作为面是如何变形的。
因此,在本实施方式中,除能得到与之前的各实施方式相同的作用和效果外,与3列对准显微镜群AG4~AMG6分别对应的编码器读头EN4~EN6能够在刻度圆盘SD的周围的曝光位置近前侧的周部分彼此相邻地配置。因此,通过分析这些编码器读头EN4~EN6的各自的测量结果,还能够事先掌握因刻设在刻度部GP上的刻度或格子的周向的间距不均所引起的测量误差,从而能够利用由事先掌握的间距不均得到的预想测量误差,来对与曝光位置对应地配置的编码器读头EN1、EN2的各测量结果进行修正。
其结果是,能够以较高的定位精度对基板P进行图案化(曝光处理)。
(第5实施方式)
接下来,参照图10说明本发明的基板处理装置的第5实施方式。在该图中,对与图1至图9所示的第1~第4实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记,并省略其说明。
在上述第1~第4实施方式中,说明了将编码器的刻度圆盘SD固定于旋转筒DR的旋转轴ST的构成。在本实施方式中,说明在传送基板P的旋转筒DR或圆筒光罩DM上直接设置刻度部GP的构成。
图10是表示图1所示的处理装置U3的整体结构的图。
如图10所示,在也作为第2刻度部件发挥功能的旋转筒DR的外周面上,并在旋转中心线AX2方向的两端部,分别在整个周向范围内以环状设有刻度部(第2刻度部)GP。
基板P构成为卷绕于将在旋转筒DR的两端部形成的刻度部GP避开的内侧。在需要严格的配置关系的情况下设定为,刻度部GP的外周面、和基板P的卷绕于旋转筒DR的部分的外周面成为同一面(相对于中心线AX2为同一半径)。为此,只要使刻度部GP的外周面相对于旋转筒DR的基板卷绕外周面沿径向仅高出基板P的厚度的量即可。
另外,在本实施方式中,也是与旋转筒DR的两端部的刻度部GP分别相对、并且与来自投影光学系统PL的各投影区域PA1~PA6的成像光束EL2(主光线)对应地,在之前的图5中所说明那样的设置方位线Le1、Le2的位置上,配置有编码器读头EN1、EN2。
该编码器读头EN1、EN2固定在保持柱PLa的一部分上,该保持柱PLa用于将多透镜方式的投影光学系统PL在机械上以稳定状态保持于装置内。保持柱PLa由相对于温度变化的热膨胀系数较小的殷钢等金属构成,从而能够将因温度变化导致的各投影组件PL1~PL6之间的位置上的变动、或投影光学系统PL与各编码器读头EN1、EN2的相对配置变动抑制得较小。
另一方面,在保持圆筒光罩DM的第1筒部件21的旋转中心线AX1方向的两端部边缘上,在以旋转中心线AX1为中心的周向的整个范围内分别呈环状地设置有作为第1刻度部件的刻度部GPM。
圆筒光罩DM构成为,光罩图案位于将在第1筒部件21的两端部形成的刻度部GPM避开的内侧。在需要严格的配置关系的情况下设定为,刻度部GPM的外周面、和圆筒光罩DM的图案面(圆筒面)的外周面成为同一面(相对于中心线AX1为同一半径)。
另外,在与第1筒部件21(圆筒光罩DM)的两端部的刻度部GPM分别相对的位置,且在从旋转中心线AX1观察时与对圆筒光罩DM的照明区域IR进行照明的照明光束EL1(参照图2)的照明方向相同的设置方位线Le11、Le12的位置上,配置有编码器读头EN11、EN12。编码器读头EN11、EN12也固定设置在保持投影光学系统PL的保持柱PLa上。
在圆筒光罩DM的情况下,刻设于刻度部GPM的刻度或格子图案,能够与应转印于基板P的元件图案一起形成于第1筒部件21的外周面。因此,能够严格地设定元件图案与刻度部GPM的相对位置关系,尤其能够在刻度部GPM的一部分上,将表示一周量的原点的原点图案精密地刻设于元件图案的周长方向的特定位置。
在本实施方式中,以透过型例示了圆筒光罩DM。但是,在反射型的圆筒光罩中,也同样能够将刻度部GPM(刻度、格子、原点图案等)与元件图案一起形成。通常,在制作反射型的圆筒光罩的情况下,利用高精度的车床或研磨机对作为第1筒部件21的带有轴的金属圆柱材料进行加工,因此能够将其外周面的真圆度或轴晃动(偏心)抑制得极小。因此,若在外周面上,通过与元件图案的形成相同的工序也一起形成刻度部GPM,则能够实现高精度的编码器测量。
在这样构成的处理装置U3中,第1筒部件21(圆筒光罩MD)的旋转方向的位置由编码器读头EN11、EN12测量,该编码器读头EN11、EN12配置在与朝向光罩图案的照明光束EL1的照明方向相同的设置方位线Le11、Le12上。因此,因圆筒光罩MD的旋转轴的机械误差(偏心误差、晃动)等而导致光罩图案相对于与圆筒光罩MD上的照明区域IR1~IR6对应的投影光学系统PL的物体侧的视场区域(或者主光线)沿周向微动,该结果导致投影于基板P上的像沿基板P的传送方向(长度方向)发生偏移,在这样的情况下,也能够根据编码器读头EN11、EN12的测量结果容易地推定其偏移量。
另外,虽然在图10中并未示出,但在本实施方式中,也设有用于检测基板P上的对准标记或对准用图案的多个对准显微镜AM。这些对准显微镜AM的标记检测位置例如与之前的图6或图9同样地确定,并与其对应地还设有编码器读头EN4、EN5、EN6。
该情况下,多个对准显微镜AM和编码器读头EN4、EN5、EN6均固定设置于保持柱PLa。
另外,在圆筒光罩DM的外周面上,也形成有多个用于与基板P的对位的对准标记(设为光罩侧标记)。用于检测光罩侧标记的光罩侧对准显微镜固定设置于保持柱PLa,另外,一并地在与光罩侧对准显微镜的检测位置对应的XZ面内的方位上,使用于读取刻度部GPM的编码器读头固定设置于保持柱PLa。
另外,在这种扫描型的曝光装置中,需要将基板P的表面始终设定于投影光学系统PL的成像面侧的焦点深度(DOF)内。因此,在投影组件PL1~PL6的基板P上的各投影区域PA1~PA6内、或者在其附近位置,还设有多个聚焦传感器,其以μm级精密地测量基板P的表面的主光线方向的位置(相对于旋转中心线AX2的径向的位置)的变化。
聚焦传感器(非接触型的高度传感器等)存在各种方式。在需要μm级的分辨率的情况下,使用如下的斜入射光式聚焦传感器:其将光束倾斜地投射至被检面(基板P),并对来自被检面的反射光束的受光位置的变化进行光电检测。在该传感器的情况下,需要将光束投射至基板P上的投光单元、和接收来自基板P的反射光束的受光单元,这些单元也固定设置于图10中所示的保持柱PLa。
因此,在本实施方式中,能得到与之前的各实施方式相同的作用和效果,并且由于与投影区域对应的编码器读头EN1、EN2、EN11、EN12、或者与对准显微镜对应的编码器读头EN4、EN5、EN6等固定设置于用于稳定地保持投影光学系统PL的保持柱PLa上,所以能够抑制各编码器读头(测量位置)与投影光学系统PL(处理位置)的相对的位置变动、即所谓的基线变动。
另外,在本实施方式中,形成于圆筒光罩DM上的刻度部GPM的外周面能够设定为与光罩图案的形成面大致相同的半径,形成于旋转筒DR上的刻度部GP的外周面能够设定为与基板P的外周面大致相同的半径。因此,编码器读头EN11、EN12能够在与圆筒光罩DM上的照明区域IR1~IR6相同的径向位置上检测刻度部GPM,编码器读头EN1、EN2能够在与卷绕于旋转筒DR上的基板P上的投影区域PA1~PA6相同的径向位置上检测刻度部GP。因此,能够减小因测量位置和处理位置在旋转系统的径向上不同而产生的阿贝误差。
另外,刻度部GP、GPM设置于旋转筒DR、第1筒部件21(圆筒光罩DM)。因此,与使用刻度圆盘SD的情况相比,能够使周长变长,因此即使是相同间距的刻度部,也使角度分辨率提高,从而能够实现更高精度的位置检测。
(变形例)
此外,虽然在之前的第5实施方式、以及第1~第4实施方式中,说明了在构成圆筒光罩DM的第1筒部件21的圆筒状外周面、或者刻度圆盘SD的外周端面上,刻设用于进行旋转方向的位置测量的刻度或格子,并通过编码器读头对其进行测量的构成,但不限定于此。
例如如图11所示,也可以是如下的构成:在第1筒部件21(圆筒光罩DM)的端面的周缘部上,沿周向呈环状地设置有旋转方向的位置变化测量用的刻度部GPMR,并且在形成光罩图案的周面的端缘上,沿周向呈环状地设置有旋转中心线AX1方向(Y轴方向)的位置变化测量用的刻度部GPMT。
在该情况下,只要如下地构成即可,即,构成为,在与刻度部GPMR相对且朝向与照明光束EL1的照射方向相同方向的设置方位线Le11、Le12上设置编码器读头EN11、EN12,并与刻度部GPMT相对地设置以非接触的方式读取上述刻度部GPMT的编码器读头EN21(测量方向为Y轴方向)。各编码器EN11、EN12、EN21固定设置于用于保持投影光学系统PL的保持柱PLa。
通过采用该构成,除圆筒光罩DM的旋转方向的位置变化之外,还能够高精度地测量旋转中心线AX1方向(Y轴方向)的位置变化。
此外,图11所示的刻度部GPMR和GPMT、编码器EN11、EN12、EN21在第1筒部件21的相反的端部侧也同样地设置。
这样,若在构成圆筒光罩DM的第1筒部件21的两端侧预先形成刻度部GPMR、GPMT,则也能够即时且准确地测量圆筒光罩DM的绕中心线AX1的略微扭转、或沿中心线AX1方向的略微的伸缩,从而能够准确地捕捉投影于基板P上的光罩图案的像的应变(Y轴方向的投影倍率误差等)或微小的旋转误差。
另外,与在构成圆筒光罩DM的第1筒部件21的端面侧设有旋转方向的位置测量用的刻度部GPMR的结构同样地,也可以在供基板P卷绕的旋转筒DR的端面侧(与XY面平行的面侧)设置旋转方向的位置测量用的刻度部。当然,也可以在旋转筒DR的中心线AX2方向的两端附近的外周面上,与图11所示的刻度部GPMT同样地,形成旋转中心线AX2所延伸的方向上的位置测量用的刻度部。
(第6实施方式)
接下来,参照图12说明本发明的基板处理装置的第6实施方式。在该图中,对与图10至图11所示的第5实施方式的构成要素相同的要素标注相同附图标记,并省略其说明。
在本实施方式中,除基于上述编码器读头EN1、EN2、EN11、EN12进行的旋转位置测量之外,还设有用于测量与第1筒部件21(圆筒光罩DM)和旋转筒DR(基板P)的相对旋转速度相关的信息的速度测量装置。
图12是配设在第1筒部件21与旋转筒DR之间的速度测量装置SA的概略构成图。在速度测量装置SA中与激光照射系统70相对地设有光学部件(光分割器)71,该光学部件(光分割器)71在X轴方向(刻度部GPM、GP的排列方向)的中央部具有反射部71A,且在隔着反射部71A的两侧具有透过部71B。从激光照射系统70射出的激光由光学部件71的反射面反射,并经由透镜GK1投射至第1筒部件21的刻度部GPM。
通过使激光入射至旋转的刻度部GPM,而形成有多普勒偏移后的绕射光束(±1次反射绕射光)和0次反射光,并入射至透镜GK1。虽然0次反射光(第1绕射光或者第2绕射光)被光学部件71的反射部71A朝向激光照射系统70反射,但±1次反射绕射光束(第1绕射光或者第2绕射光)从光学部件71的透过部71B透过而到达至透镜GK2以及视场光阑APM。
光学部件71配置于基于透镜GK1和GK2的成像系统的光瞳空间内。视场光阑APM配置在关于基于透镜GK1和GK2的成像系统而与刻度部GPM在光学上共轭的位置(像面位置)上。因此,在视场光阑APM的位置上形成有基于±1次反射绕射光束的刻度部GPM的像(根据刻度线而移动的绕射像、或者流动的干涉条纹)。
透过视场光阑APM而入射至透镜GK3的±1次反射绕射光束,透过分光镜(或者偏振分光镜)72并经由透镜GK4而投射至旋转筒DR侧的刻度部GP。若±1次反射绕射光束投射至刻度部GP,则将各绕射光束作为0次光的±1次的再次绕射光束分别沿相同方向产生,成为相互干涉的干涉光束,并返回至透镜GK4、分光镜72,由分光镜72反射后的上述再次绕射光束(干涉光束)由受光系统73接收。
在以上的构成中,基于透镜GK3和GK4的成像系统使形成在视场光阑APM的位置上的绕射像在旋转筒DR侧的刻度部GP上再次成像,分光镜72配置在基于透镜GK3、GK4的成像系统的光瞳空间内。
在以上这样的构成中,例如,若刻度部GPM的刻度间距与刻度部GP的刻度间距相同,则在刻度部GPM(第1筒部件21)的周速度和刻度部GP(旋转筒DR)的周速度没有差异的情况下,受光系统72所接收到的光电信号会成为固定强度的信号,但若刻度部GPM的周速度和刻度部GP的周速度产生差异,则输出以与周速度之差相应的频率被振幅调制的光电信号。因此,通过分析受光系统72所输出的光电信号的波形变化,能够测量刻度部GPM与刻度部GP的速度差、即圆筒光罩DM的光罩图案与卷绕于旋转筒DR的基板P的相对速度差。
(元件制造方法)
接下来,说明元件制造方法。图13是表示本实施方式的元件制造方法的流程图。
在图13所示的元件制造方法中,首先,进行例如有机EL显示面板等元件的功能和性能设计(步骤201)。然后,基于元件的设计来制作圆筒光罩DM(步骤202)。另外,通过购买或制造等而预先准备作为元件基材的透明膜或片材、或者极薄的金属箔等基板(步骤203)。
接下来,将准备好的基板投入至辊式、批量式的生产线,在该基板上形成构成元件的电极、配线、绝缘膜、半导体膜等TFT底板层、和成为像素部的有机EL发光层(步骤204)。在步骤204中典型地包括在基板上的膜之上形成抗蚀图案的工序、和以该抗蚀图案为光罩而对上述膜进行蚀刻的工序。在抗蚀图案的形成中,实施以下工序:在基板表面均匀地形成抗蚀膜的工序;按照上述各实施方式,利用经由圆筒光罩DM而图案化的曝光用光来对基板的抗蚀膜进行曝光的工序;以及通过该曝光使形成有光罩图案的潜像的抗蚀膜显影的工序。
在同时使用印刷技术等的柔性元件制造的情况下,实施以下工序:利用之前图1所示那样的生产线,通过涂敷式而在基板表面形成功能性感光层(感光性硅烷耦合材料等)的工序;按照上述各实施方式,将经由圆筒光罩DM而图案化的曝光用光照射至功能性感光层,并根据图案形状而在功能性感光层上形成亲水化的部分和防水化的部分的工序;以及在功能性感光层的亲水性高的部分涂敷电镀基底液等,通过无电解电镀析出形成金属性的图案(TFT的电极层、配线层等)的工序等。
然后,根据要制造的元件,实施例如切割或截断基板、或粘贴在其他工序中制造的其他基板、例如具有密封功能的片状的彩色滤光片或薄玻璃基板等的工序,组装元件(步骤205)。然后,对元件进行检查等后处理(步骤206)。能够通过以上步骤制造元件。
以上,参照附图说明了本发明的优选实施方式,但本发明当然不限定于这样的例子。上述的例子中所示出的各构成部件的各形状或组合等是一例,能够在不脱离本发明的主旨的范围内基于设计要求等而进行各种变更。
在上述实施方式中,例如如图5、图6、图9等所示,说明了在向如下方向倾斜的设置方位线Le1、Le2等的位置上配置编码器读头EN1、EN2的构成,其中,该方向是与对基板P进行投影处理(曝光处理)等的作为特定位置的成像光束EL2的入射方向相同的方向。
但是,如图14所示,在第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的成像光束EL2相对于中心面P3的倾斜角、和第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的成像光束EL2相对于中心面P3的倾斜角均较小的情况下,可以采用在2个成像光束EL2所夹着的中心面P3的位置(设置方位线Le6上)配置一个编码器读头EN31的构成。
另外,如上所述,当在XZ面内观察时,在2处投影区域(成像光束EL2)的中间的位置上配置1个编码器读头EN31的情况下,例如如该图所示,在隔着旋转中心线AX2而与编码器读头EN31相反的一侧、且在隔着中心面P3而对称的2处上,分别配置编码器读头EN32、EN33,并使用由3个编码器读头EN31~EN33分别测量到的刻度部GP的旋转位置的信息,由此能够更高精度地检测旋转筒DR的周向位置变化。
尤其是,当将3个编码器读头EN31、EN32、EN33以120°的间隔配置于刻度部GP的周围时,能够通过简单的计算求出刻度部GP(旋转筒DR等)的偏心误差等。
另外,在使用该构成的情况下,如第2实施方式所示,在朝向与配置有对准显微镜AM1、AM2的观察中心线AMD1、AMD2相同的方位的设置方位线Le4、Le5的位置上,配置有编码器读头EN4、EN5,因此将编码器读头EN32、EN33配设于设置方位线Le4、Le5的延长线上即可。即,在相对于旋转中心线AX2而与编码器读头EN4点对称的位置上设置编码器读头EN33,并在相对于旋转中心线AX2而与编码器读头EN5点对称的位置上设置编码器读头EN32即可。
在图14那样的条件下,若在刻度圆盘SD的周围设置合计5个编码器读头,则能够基于来自各编码器读头EN4、EN5、EN31~33的测量信号,来检测刻度圆盘SD的偏心误差、轴晃动、刻度变形、间距误差等从而实现高水平的修正。
如图10所示,在构成圆筒光罩DM的第1筒部件21上直接形成刻度部GPM的情况、在旋转筒DR上直接形成刻度部GP的情况下,也同样能够获得这样的优点。
另外,例如,如图15所示,与之前的图14同样地在能够在设置方位线Le6的位置上配置编码器读头EN31的情况下,也可以为,在设置方位线Le32的位置上配置编码器读头EN32,并在设置方位线Le33的位置上配置编码器读头EN33,其中,设置方位线Le32以关于来自第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的成像光束EL2朝向中心线AX2的线而与设置方位线Le6对称的角度倾斜,设置方位线Le33以关于来自第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的成像光束EL2朝向中心线AX2的线而与设置方位线Le6对称的角度倾斜。
在这样的配置的情况下,也能够使编码器读头EN31的读取结果和编码器读头EN32的读取结果之间的平均角度位置,与第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的投影区域PA对应,并使编码器读头EN31的读取结果和编码器读头EN33的读取结果之间的平均角度位置,与第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的投影区域PA对应。
另外,在配置将与成像光束EL2的入射方向相同的方向作为读取方向的编码器读头EN1、EN2的情况下,例如如图16所示,可以采用在编码器读头EN1的对角侧设置编码器读头EN1c、并在编码器读头EN2的对角侧设置编码器读头EN2c的构成。
该情况下,根据编码器读头EN1的刻度部GP的读取结果,难以区分旋转筒DR(刻度圆盘SD)是绕旋转中心线AX2进行了旋转,还是向X轴方向发生了偏移。但是,通过与基于位于对角位置(180°)的编码器读头EN1c而得到的刻度部GP的读取结果进行比较,能够准确地进行上述区分。同样地,通过将基于编码器读头EN2和对角侧的编码器读头EN2c分别得到的读取结果进行比较,也能够准确地区分并求出向X轴方向的偏移量和旋转量(角度位置的变化)。
此外,以上的图14~16所示的各编码器读头的配置方法在如之前的图10、图11所示那样,对于在搬送基板P的旋转筒DR和圆筒光罩DM的外周面上设有刻度部GP、GPM的编码器系统也同样能够适用。
在以上的各实施方式中,例示了将来自圆筒光罩DM的图案光对由旋转筒DR支承为圆筒状的基板P投影的曝光装置。但是,只要是具有使光罩图案或基板P中任一方由旋转系统传送的构成的装置,就能够对该旋转系统同样地适用在各实施方式中说明的编码器系统。
作为这样的装置,存在如下装置:光描绘装置,其一边沿长度方向传送由旋转筒支承的基板P,一边在该旋转筒上沿基板P的宽度(短边)方向高速扫描激光光点,从而描绘通过CAD等而制作的配线或电路的图案(其一例将后述);无光罩曝光装置,其使DMD或SLM等多个微镜(micro-mirror)进行调制,对投影至基板P上的规定区域内的光束赋予对比度分布(图案光);印刷装置,其一边沿长度方向传送由旋转筒支承的基板P,一边通过来自沿基板P的宽度(短边)方向排列的油墨喷头的液滴在该旋转筒上描绘所期望的图案;加工装置,其对由旋转筒支承的基板P照射能量光束(电子线、激光等),对基板P的表面的特定区域进行加工(烧制、退火、改性、打孔等);检查装置,其利用荧光显微镜或相位差显微镜等观察系统(检测探针)对由旋转筒支承的基板P上的图案进行观察,检测图案缺陷等;或者其他装置。
在这些装置中,只要配合光描绘装置的光点、无光罩曝光装置的投影光束、来自印刷装置的头部的喷液、加工装置的能量光束、或者检查装置的观察区域设定于基板上时的旋转筒的周向位置,设定编码器读头的设置方位线Le1、Le2等即可。
(第7实施方式)
以下,参照附图说明本发明的其他实施方式。然而,本发明不限定于此。在以下的实施方式中,作为在对基板连续地实施用于制造1个元件的各种处理的、所谓卷对卷(Rollto Roll)方式中使用的曝光装置进行说明。
另外,在以下的说明中,设定XYZ直角坐标系,参照该XYZ直角坐标系来说明各部分的位置关系。作为一例,将水平面内的规定方向设为X轴方向,将在水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向,将与X轴方向以及Y轴方向分别正交的方向(即铅垂方向)设为Z轴方向。
首先,使用图17至图19说明本实施方式的曝光装置的构成。图17是表示第7实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。图18是表示图17中的照明区域以及投影区域的配置的示意图。图19是表示适用于图17的处理装置(曝光装置)的投影光学系统的构成的示意图。
如图17所示,处理装置11包含曝光装置(处理机构)EXA、和搬送装置9。搬送装置9向曝光装置EXA供给基板P(片材、膜、片状基板等)。例如,存在如下元件制造系统:从未图示的供给辊拉出的具有挠性的基板P依次经过n台处理装置,并由处理装置11处理后,由搬送装置9被送出至其他处理装置,且基板P被回收辊卷起。如上所述,处理装置11也可以构成为元件制造系统(柔性显示器生产线)的一部分。
曝光装置EXA为所谓的扫描曝光装置,一边使圆筒光罩DM的旋转和具有挠性的基板P的传送(基板P的搬送)同步驱动,一边将形成在圆筒光罩DM上的图案的像经由投影倍率为等倍(×1)的投影光学系统PL(PL1~PL6)而投影(转印)至基板P。
此外,在图17所示的曝光装置EXA中,将XYZ直角坐标系的Y轴与第1筒部件21的旋转中心线AX1平行地设定。同样地,曝光装置EXA将XYZ直角坐标系的Y轴与旋转筒DR(第2筒部件)的旋转中心线AX2平行地设定
如图17所示,曝光装置EXA具备光罩保持装置12、照明机构IU(转印处理部)、投影光学系统PL(转印处理部)以及控制装置14。曝光装置EXA使保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM旋转移动,并且通过搬送装置9搬送基板P。照明机构IU通过照明光束EL1以均匀的亮度对保持在光罩保持装置12上的圆筒光罩DM的一部分(照明区域IR)进行照明。投影光学系统PL将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影(转印)至被搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)上。随着圆筒光罩DM的移动,配置于照明区域IR的圆筒光罩DM上的部位会发生变化。另外,随着基板P的移动,配置于投影区域PA的基板P上的部位会发生变化,由此,圆筒光罩DM上的规定的图案(光罩图案)的像投影于基板P。控制装置14控制曝光装置EXA的各部分,并使各部分执行处理。另外,在本实施方式中,控制装置14控制搬送装置9。
此外,控制装置14可以是对上述的元件制造系统的多个处理装置进行统括控制的上位控制装置的一部分或者全部。另外,控制装置14也可以是被上位控制装置控制的、与上位控制装置不同的装置。控制装置14例如包含计算机系统。计算机系统例如包含CPU以及各种存储器或OS、周边设备等硬件。处理装置11的各部分的动作的过程以程序的形式存储在计算机可读取的记录介质中,通过计算机系统读取并执行该程序来进行各种处理。计算机系统在能够与互联网或局域网系统连接的情况下,也包括主页提供环境(或者显示环境)。另外,计算机可读取的记录介质包含软盘、光磁盘、ROM、CD-ROM等可移动介质、内置于计算机系统中的硬盘等存储装置。计算机可读取的记录介质也包括:如经由互联网等网络或电话线路等通信线路发送程序的情况下的通信线那样,在短时间内动态地保持程序的部件;如该情况下的成为伺服器或客户端的计算机系统内部的易失性存储器那样,将程序保持一定时间的部件。另外,程序可以是用于实现处理装置11的一部分功能的程序,也可以是通过与已记录在计算机系统中的程序的组合而能够实现处理装置11的功能的程序。上位控制装置与控制装置14同样地,能够利用计算机系统实现。
如图17所示,光罩保持装置12具备:保持圆筒光罩DM的第1筒部件21;支承第1筒部件21的引导辊23;根据控制装置14的控制指令使第1驱动部26驱动第1筒部件21的驱动辊24;以及检测第1筒部件21的位置的第1检测器25。
第1筒部件21是具有距成为规定的轴的旋转中心线AX1(以下,也称为第1中心轴AX1)以固定半径弯曲的曲面的圆筒部件,绕规定的轴旋转。第1筒部件21形成第1面P1,该第1面P1配置有圆筒光罩DM上的照明区域IR。在本实施方式中,第1面P1包含将线段(母线)绕与该线段平行的轴(第1中心轴AX1)旋转而成的面(以下,称为圆筒面)。圆筒面例如是圆筒的外周面、圆柱的外周面等。第1筒部件21由例如玻璃或石英等构成,是具有一定壁厚的圆筒状,其外周面(圆筒面)形成第1面P1。
即,在本实施方式中,圆筒光罩DM上的照明区域IR弯曲成距旋转中心线AX1具有一定半径r1的圆筒面状。这样,第1筒部件21具有距作为规定的轴的旋转中心线AX1以固定半径弯曲的曲面。而且,第1筒部件21能够被驱动辊24驱动而绕作为规定的轴的旋转中心线AX1旋转。
圆筒光罩DM作为透过型的平面状片光罩而制作成,该透过型的平面状片光罩例如是通过铬等的遮光层在平坦性良好的长条状的极薄玻璃板(例如厚度100μm~500μm)的一个面上形成图案而成的。
光罩保持装置12在使圆筒光罩DM仿照第1筒部件21的外周面的曲面弯曲并卷绕(粘贴)于该曲面的状态下使用。圆筒光罩DM具有未形成图案的图案非形成区域,并在图案非形成区域中安装于第1筒部件21。圆筒光罩DM能够相对于第1筒部件21拆卸(release)。
此外,也可以代替由极薄玻璃板构成圆筒光罩DM并将该圆筒光罩DM卷绕于由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的结构,而在由透明圆筒母材形成的第1筒部件21的外周面上直接描绘形成基于铬等遮光层而形成的光罩图案并使其一体化。在该情况下,第1筒部件21也作为圆筒光罩DM的图案的支承部件发挥功能。
第1检测器25是光学地检测第1筒部件21的旋转位置的部件,例如由旋转编码器等构成。第1检测器25将表示所检测到的第1筒部件21的旋转位置的信息、例如来自后述的编码器读头(编码器读头部)的双相信号等输出至控制装置14。
包含电动马达等致动器的第1驱动部26按照从控制装置14输入的控制信号,调整用于使驱动辊24旋转的转矩及旋转速度。控制装置14基于第1检测器25的检测结果来控制第1驱动部26,由此控制第1筒部件21的旋转位置。换言之,控制装置14控制保持在第1筒部件21上的圆筒光罩DM的旋转位置和旋转速度的一方或者双方。
搬送装置9具备驱动辊DR4、第1引导部件31、旋转筒DR、第2引导部件33、驱动辊DR4、DR5、第2检测器35以及第2驱动部36,其中,旋转筒DR形成基板P上的投影区域PA所配置的第2面P2。
在本实施方式中,从搬送路径的上游向驱动辊DR4搬送来的基板P经由驱动辊DR4被搬送至第1引导部件31。经由第1引导部件31的基板P被支承于半径r2的圆筒状或者圆柱状的旋转筒DR的表面,并被搬送至第2引导部件33。经由第2引导部件33的基板P被搬送至搬送路径的下游。此外,旋转筒DR的旋转中心线AX2、和驱动辊DR4、DR5的各旋转中心线均与Y轴平行地设定。
第1引导部件31以及第2引导部件33例如通过沿基板P的搬送方向移动,而调整在搬送路径中作用于基板P的张力等。另外,第1引导部件31(以及驱动辊DR4)和第2引导部件33(以及驱动辊DR5)例如通过以能沿基板P的宽度方向(Y轴方向)移动的方式构成,而能够调整卷绕于旋转筒DR外周的基板P的Y轴方向上的位置等。此外,搬送装置9只要能沿投影光学系统PL的投影区域PA搬送基板P即可,能够适当改变搬送装置9的构成。
旋转筒DR是具有距成为规定的轴的旋转中心线AX2(以下,也称为第2中心轴AX2)以固定半径弯曲的曲面的圆筒部件,且是绕规定的轴旋转的旋转筒。旋转筒DR形成将包含基板P上的投影区域PA的一部分支承为圆弧状(圆筒状)的第2面(支承面)P2,其中,基板P上的投影区域PA供来自投影光学系统PL的成像光束投射。
在本实施方式中,旋转筒DR是搬送装置9的一部分,并且兼作对曝光对象的基板P进行支承的支承部件(基板平台)。即,旋转筒DR可以是曝光装置EXA的一部分。这样,旋转筒DR能够绕其旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)旋转,基板P仿照旋转筒DR上的外周面(圆筒面)弯曲成圆筒面状,在弯曲的部分的一部分上配置投影区域PA。
在本实施方式中,旋转筒DR通过从包含电动马达等致动器的第2驱动部36供给的转矩而旋转。
第2检测器35也由例如旋转编码器等构成,光学地检测旋转筒DR的旋转位置。第2检测器35将表示所检测到的旋转筒DR的旋转位置的信息(例如,来自后述的编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5的双相信号等)输出至控制装置14。第2驱动部36按照从控制装置14供给的控制信号来调整使旋转筒DR旋转的转矩。
控制装置14基于第2检测器35的检测结果控制第2驱动部36来控制旋转筒DR的旋转位置,由此,使第1筒部件21(圆筒光罩DM)和旋转筒DR同步移动(同步旋转)。此外,关于第2检测器35的详细构成将后述。
本实施方式的曝光装置EXA是假定了搭载所谓多透镜方式的投影光学系统PL的曝光装置。投影光学系统PL具备对圆筒光罩DM的图案中的一部分的像进行投影的多个投影组件。例如,在图17中,在中心面P3的左侧沿Y轴方向以固定间隔配置有3个投影组件(投影光学系统)PL1、PL3、PL5,也在中心面P3的右侧沿Y轴方向以固定间隔配置有3个投影组件(投影光学系统)PL2、PL4、PL6。
在这种多透镜方式的曝光装置EXA中,利用扫描使由多个投影组件PL1~PL6而被曝光的区域(投影区域PA1~PA6)的Y轴方向上的端部相互重合,由此投影所期望的图案的整体像。这种曝光装置EXA具有如下优点:即使在圆筒光罩DM上的图案的Y轴方向尺寸增大而必然产生对Y轴方向的宽度较大的基板P进行处理的必要性的情况下,也只需沿Y轴方向增设投影组件PA、和与该投影组件PA对应的照明机构IU侧的组件即可,因此能够容易地应对面板尺寸(基板P的宽度)的大型化。
此外,曝光装置EXA也可以不是多透镜方式。例如,在基板P的宽度方向上的尺寸在某种程度上较小的情况下等,曝光装置EXA可以由一个投影组件而将图案的整个宽度的像投影至基板P。另外,多个投影组件PL1~PL6可以分别投影与一个元件对应的图案。即,曝光装置EXA也可以由多个投影组件并行地投影多个元件用的图案。
本实施方式的照明机构IU具备光源装置13以及照明光学系统。照明光学系统具备与多个投影组件PL1~PL6分别对应地沿Y轴方向排列的多个(例如6个)照明组件IL。光源装置例如包含水银灯等灯光源、或者激光二极管、发光二极管(LED)等固体光源。
光源装置所射出的照明光是例如从灯光源射出的明线(g线、h线、i线)、KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)等。从光源装置射出的照明光的照度分布均匀,例如经由光纤等导光部件而被分配至多个照明组件IL。
多个照明组件IL分别包含透镜等多个光学部件。在本实施方式中,将从光源装置射出并从多个照明组件IL中的任一个通过的光称为照明光束EL1。多个照明组件IL分别包含例如积分器光学系统、柱状透镜、复眼透镜等,通过照度分布均匀的照明光束EL1对照明区域IR进行照明。在本实施方式中,多个照明组件IL配置于圆筒光罩DM的内侧。多个照明组件IL分别从圆筒光罩DM的内侧对形成在圆筒光罩DM的外周面上的光罩图案的各照明区域IR进行照明。
图18是表示本实施方式中的照明区域IR以及投影区域PA的配置的图。此外,在图18中图示出了从-Z轴侧观察配置于第1筒部件21上的圆筒光罩DM上的照明区域IR时的平面图(图18中的左侧的图)、和从+Z轴侧观察配置于旋转筒DR上的基板P上的投影区域PA时的平面图(图18中的右侧的图)。图18中的附图标记Xs表示第1筒部件21或者旋转筒DR的旋转方向(移动方向)。
多个照明组件IL分别对圆筒光罩DM上的第1照明区域IR1至第6照明区域IR6进行照明。例如,第1照明组件IL对第1照明区域IR1进行照明,第2照明组件IL对第2照明区域IR2进行照明。
将第1照明区域IR1设为沿Y轴方向细长的梯形状的区域进行说明。但是,如投影光学系统(投影组件)PL那样,在形成中间像面的构成的投影光学系统的情况下,为了能够在该中间像的位置处配置具有梯形开口的视场光阑板,也可以设为包含该梯形开口的长方形的区域。第3照明区域IR3以及第5照明区域IR5分别为与第1照明区域IR1相同形状的区域,沿Y轴方向空出固定间隔地配置。
另外,第2照明区域IR2是关于中心面P3而与第1照明区域IR1对称的梯形状(或者长方形)的区域。第4照明区域IR4以及第6照明区域IR6分别为与第2照明区域IR2相同形状的区域,沿Y轴方向空出规定间隔地配置。
如图18所示,在沿第1面P1的周向观察第1至第6照明区域IR1~IR6的各区域的情况下,以使相邻的梯形状的照明区域的斜边部的三角部重合(重叠)的方式配置。因此,例如通过第1筒部件21的旋转而从第1照明区域IR1通过的圆筒光罩DM上的第1区域A1,和通过第1筒部件21的旋转而从第2照明区域IR2通过的圆筒光罩DM上的第2区域A2有一部分重复。
在本实施方式中,圆筒光罩DM具有:形成有图案的图案形成区域A3、和未形成图案的图案非形成区域A4。该图案非形成区域A4以呈框状地包围图案形成区域A3的方式配置,具有遮蔽照明光束EL1的特性。
圆筒光罩DM的图案形成区域A3随着第1筒部件21的旋转而沿移动方向Xs移动,图案形成区域A3中的Y轴方向上的各部分区域从第1至第6照明区域IR1~IR6中的任一个通过。换言之,第1至第6照明区域IR1~IR6以将图案形成区域A3的Y轴方向上的整个宽度覆盖的方式配置。
如图17所示,沿Y轴方向排列的多个投影组件PL1~PL6分别与第1至第6照明组件IL一对一地对应。将由相对应的照明组件IL照亮的照明区域IR内所显现的圆筒光罩DM的局部图案的像投影至基板P上的各投影区域PA。
例如,第1投影组件PL1与第1照明组件IL相对应,将由第1照明组件IL照亮的第1照明区域IR1(参照图18)中的圆筒光罩DM的图案的像投影至基板P上的第1投影区域PA1。第3投影组件PL3、第5投影组件PL5分别与第3照明组件IL、第5照明组件IL相对应。第3投影组件PL3以及第5投影组件PL5在从Y轴方向观察时配置在与第1投影组件PL1重合的位置。
另外,第2投影组件PL2与第2照明组件IL相对应,将由第2照明组件IL照亮的第2照明区域IR2(参照图18)中的圆筒光罩DM的图案的像投影至基板P上的第2投影区域PA2。第2投影组件PL2在从Y轴方向观察时配置在隔着中心面P3而与第1投影组件PL1对称的位置。
第4投影组件PL4、第6投影组件PL6分别与第4照明组件IL、第6照明组件IL对应地配置。第4投影组件PL4以及第6投影组件PL6在从Y轴方向观察时配置在与第2投影组件PL2重合的位置。
此外,在本实施方式中,将从照明机构IU的各照明组件IL到达至圆筒光罩DM上的各照明区域IR1~IR6的光设为照明光束EL1。另外,将受到与各照明区域IR1~IR6中所显现的圆筒光罩DM的部分图案相应的强度分布调制后入射至各投影组件PL1~PL6并到达至各投影区域PA1~PA6的光,设为成像光束EL2。
如图17所示,在从旋转筒DR的第2中心轴AX2观察时,到达至各投影区域PA1~PA6的成像光束EL2中的、从投影区域PA1~PA6的各中心点通过的主光线分别隔着中心面P3而在周向上配置在角度θ的位置(特定位置)上。
如图18所示,第1照明区域IR1中的图案的像被投影至第1投影区域PA1,第3照明区域IR3中的图案的像被投影至第3投影区域PA3,第5照明区域IR5中的图案的像被投影至第5投影区域PA5。在本实施方式中,第1投影区域PA1、第3投影区域PA3以及第5投影区域PA5以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。
另外,第2照明区域IR2中的图案的像被投影至第2投影区域PA2。在本实施方式中,第2投影区域PA2在从Y轴方向观察时关于中心面P3而与第1投影区域PA1对称地配置。另外,第4照明区域IR4中的图案的像被投影至第4投影区域PA4,第6照明区域IR6中的图案的像被投影至第6投影区域PA6。在本实施方式中,第2投影区域PA2、第4投影区域PA4以及第6投影区域PA6以沿Y轴方向并排为一列的方式配置。
第1投影区域PA1至第6投影区域PA6分别以如下方式配置:在沿第2面P2的周向观察的情况下,在与第2中心轴AX2平行的方向上相邻的投影区域(第奇数个和第偶数个)彼此的端部(梯形的三角部分)重合。
因此,例如通过旋转筒DR的旋转而从第1投影区域PA1通过的基板P上的第3区域A5,与通过旋转筒DR的旋转而从第2投影区域PA2通过的基板P上的第4区域A6有一部分重复。第1投影区域PA1和第2投影区域PA2的各自的形状等设定为,使第3区域A5和第4区域A6重复的区域中的曝光量与不重复的区域的曝光量实质上相同。这样,第1投影区域PA1至第6投影区域PA6以将被曝光的曝光区域A7的Y轴方向上的整个宽度覆盖的方式配置在基板P上。
接下来,参照图19说明本实施方式的投影光学系统PL的详细构成。此外,在本实施方式中,第2投影组件PL2~第5投影组件PL5分别为与第1投影组件PL1相同的构成。因此,以第1投影组件PL1的构成为代表而说明投影光学系统PL,省略第2投影组件PL2~第5投影组件PL5的各自的说明。
图19所示的第1投影组件PL1具备:第1光学系统41,其使配置于第1照明区域IR1的圆筒光罩DM的图案的像在中间像面P7上成像;第2光学系统42,其使第1光学系统41所形成的中间像的至少一部分在基板P的第1投影区域PA1内再成像;和第1视场光阑43,其配置于形成中间像的中间像面P7。
另外,第1投影组件PL1具备:聚焦修正光学部件44、像偏移修正光学部件45、旋转修正机构46以及倍率修正用光学部件47。
聚焦修正光学部件44是对形成在基板P上的光罩的图案像(以下称为投影像)的聚焦状态进行微调整的聚焦调整装置。另外,像偏移修正光学部件45是使投影像在像面内微少地横向偏移的偏移调整装置。倍率修正用光学部件47是对投影像的倍率进行微少修正的偏移调整装置。旋转修正机构46是使投影像在像面内微少旋转的偏移调整装置。
来自圆筒光罩DM的图案的成像光束EL2从第1照明区域IR1沿法线方向(D1)射出,从聚焦修正光学部件44通过而入射至像偏移修正光学部件45。透过像偏移修正光学部件45后的成像光束EL2由作为第1光学系统41的要素的第1偏转部件50的第1反射面(平面镜)p4反射,从第1透镜群51通过而由第1凹面镜52反射,并再次从第1透镜群51通过而由第1偏转部件50的第2反射面(平面镜)p5反射,而入射至第1视场光阑43。
从第1视场光阑43通过后的成像光束EL2由作为第2光学系统42的要素的第2偏转部件57的第3反射面(平面镜)p8反射,从第2透镜群58通过而由第2凹面镜59反射,并再次从第2透镜群58通过而由第2偏转部件57的第4反射面(平面镜)p9反射,而入射至倍率修正用光学部件47。从倍率修正用光学部件47射出的成像光束EL2入射至基板P上的第1投影区域PA1,在第1照明区域IR1内显现的图案的像等倍(×1)地投影至第1投影区域PA1。
将图17所示的圆筒光罩DM的半径设为半径r1,将卷绕于旋转筒DR上的基板P的圆筒状的表面的半径设为半径r2,在使半径r1和半径r2相等的情况下,各投影组件PL1~PL6的光罩侧的成像光束EL2的主光线,以从圆筒光罩DM的中心轴线AX1通过的方式倾斜,但是其倾斜角与基板侧的成像光束EL2的主光线的倾斜角θ(相对于中心面P3为±θ)相同。
第2偏转部件57的第3反射面p8与第2光轴AX4所成的角度θ3,和第1偏转部件50的第2反射面p5与第1光轴AX3所成的角度θ2实质上相同。另外,第2偏转部件57的第4反射面p9与第2光轴AX4所成的角度θ4,和第1偏转部件50的第1反射面p4与第1光轴AX3所成的角度θ1实质上相同。为了提供上述的倾斜角θ,使图19所示的第1偏转部件50的第1反射面p4相对于光轴AX3的角度θ1比45°仅小Δθ1,并使第2偏转部件57的第4反射面p9相对于光轴AX4的角度θ4比45°仅小Δθ4。Δθ1和Δθ4相对于图17所示的角度θ设定为Δθ1=Δθ4=θ/2的关系。
图20是适用于图17的处理装置(曝光装置)的旋转筒的立体图。图21是用于说明适用于图17的处理装置(曝光装置)的检测探针与读取装置的关系的立体图。图22是用于说明在旋转中心线AX2方向上观察第7实施方式的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。此外,在图20中,为了方便,仅图示出第2投影区域PA2~第4投影区域PA4,省略了第1投影区域PA1、第5投影区域PA5、第6投影区域PA6的图示。
图17所示的第2检测器35是光学地检测旋转筒DR的旋转位置的部件,包含高真圆度的刻度圆盘(刻度部件)SD、和作为读取装置的编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5(编码器读头部)。
刻度圆盘SD以与旋转轴ST正交的方式固定在旋转筒DR端部。因此,刻度圆盘SD与旋转轴ST一同绕旋转中心线AX2一体地旋转。在刻度圆盘SD的外周面上刻设有刻度部GP。
刻度部GP沿旋转筒DR旋转的周向以例如20μm间距呈环状地排列有格子状的刻度,且与旋转筒DR一同在旋转轴ST(第2中心轴AX2)的周围旋转。编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5在从旋转轴ST(第2中心轴AX2)观察时配置于刻度部GP的周围。
编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5与刻度部GP相对配置,对刻度部GP投射激光束(1mm左右的直径),并对来自格子状的刻度的反射绕射光进行光电检测,由此,例如能够以0.1μm左右的分辨率以非接触的方式读取刻度部GP的周向位置变化。另外,编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5配置于旋转筒DR的周向上的不同位置。
编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5是对刻度部GP的切线方向(XZ面内)的位移的变动具有测量灵敏度(检测灵敏度)的读取装置。如图20所示,在用设置方位线Le1、Le2、Le3、Le4、Le5表示编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5的设置方位(以旋转中心线AX2为中心的XZ面内的角度方向)的情况下,如图22所示,以设置方位线Le1、Le2相对于中心面P3成为角度±θ°的方式配置编码器读头EN1、EN2。
此外,在本实施方式中,角度θ为15°。另外,各设置方位线Le1~Le5通过于从各编码器读头EN1~EN5投射的激光束(1mm左右的直径)的在刻度部GP上的投射位置。
图19所示的投影组件PL1~PL6是将基板P作为被处理物体、并对基板P实施照射光的照射处理的曝光装置EXA的处理部。曝光装置EXA相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P。
投影组件PL1、PL3、PL5为第1处理部,投影组件PL2、PL4、PL6为第2处理部。相对于基板P而2个成像光束EL2的主光线入射至基板P上的各位置成为对基板P实施照射光的照射处理的特定位置。特定位置是在从旋转筒DR的第2中心轴AX2观察时,为旋转筒DR上的曲面的基板P中的、隔着中心面P3而在周向上为角度±θ的位置。
编码器读头EN1的设置方位线Le1与从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的各投影区域(投影视场)PA1、PA3、PA5的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致。编码器读头EN2的设置方位线Le2与从第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的各投影区域(投影视场)PA2、PA4、PA6的中心点通过的主光线相对于中心面P3的倾斜角θ一致。因此,编码器读头EN1、EN2成为对位于将特定位置与第2中心轴AX2连结的方向上的刻度部GP进行读取的读取装置。
如图22所示,编码器读头EN4配置于基板P的传送方向的上游侧、即曝光位置(投影区域)的近前方。在设置方位线Le4上设定编码器读头EN4,该设置方位线Le4是使编码器读头EN1的设置方位线Le1绕旋转中心线AX2的轴朝向基板P的传送方向的上游侧旋转大致90°而得到的。另外,在设置方位线Le5上设定编码器读头EN5,该设置方位线Le5是使编码器读头EN2的设置方位线Le2绕旋转中心线AX2的轴朝向基板P的传送方向的上游侧旋转大致90°而得到的。
根据以上内容,例如,编码器读头EN4对刻度部GP的测量方向为与设置方位线Le1平行的方向,即,为来自第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5的成像光束EL2的主光线的方向。即,基于编码器读头EN4进行的刻度部GP的测量方向也是在基板P相对于投影组件PL1、PL3、PL5的最佳成像面的聚焦方向上产生变动的方向。因此,编码器读头EN4的测量读取值中包含因旋转中心轴AX2(旋转筒DR)的轴晃动或偏心、反冲等而导致刻度圆盘SD整体上沿与设置方位线Le1平行的方向微动的成分。
同样地,编码器读头EN5的测量读取值中包含朝向基板P相对于第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6的最佳成像面的聚焦方向的、微动成分。
这种微动成分的量主要由机械加工精度或组装精度引起,可估计为±几μm~十几μm左右。在此,假设了通过编码器读头EN4(或者EN5)在±10%的误差范围内来测量与设置方位线Le1平行的方向的刻度圆盘SD(旋转筒DR)的微动成分。该情况下,编码器读头EN4(或者EN5)的设置方位线Le4(或者Le5)与编码器读头EN1(或者EN2)的设置方位线Le1(或者Le2)所成的角度,只要设定为90°±γ的范围即可,其中,使角度γ的范围为0°≤γ≤5.8°。即,在本实施方式中,大致90°是指84.2°~95.8°的范围。
通过设定为该范围,配置有对刻度部GP进行读取的编码器读头EN4、EN5的设置方位线Le4、Le5的方向,在XZ面内且在从旋转中心线AX2观察时,位于与成像光束EL2的主光线相对于基板P入射至基板P的特定位置上的方向大致正交的范围内。
因此,即使在因支承旋转轴ST的轴承(bearing)的略微的反冲(2μm~3μm左右)而导致旋转筒DR沿Z轴方向偏移的情况下,也能通过编码器读头EN4、EN5高精度地测量因该偏移而可能在投影区域PA1~PA6内产生的与沿成像光束EL2的方向相关的位置误差(聚焦变动),并且能够通过编码器读头EN1、EN2高精度地测量周向位置。
另外,编码器读头EN3设定于设置方位线Le3上,该设置方位线Le3是将编码器读头EN2的设置方位线Le2绕旋转中心线AX2的轴旋转大致120°、且使编码器读头EN4的设置方位线Le4绕旋转中心线AX2的轴旋转大致120°而得到的。在此,大致120°也是指在由120°±γ表示的情况下,角度γ为0°≤γ≤5.8°的范围。
作为刻度部件的刻度圆盘SD以低热膨胀的金属、玻璃、陶瓷等为母材,且为了提高测量分辨率而以成为尽可能大的直径(例如直径20cm以上)的方式制作。在图20中,刻度圆盘SD的直径图示得比旋转筒DR的直径小。但是,通过使旋转筒DR的外周面中的、卷绕基板P的外周面的直径与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致(大致一致),能够进一步减小所谓的测量阿贝误差。另外,更严格而言,最好以使旋转筒DR的外周面的半径与基板P的厚度(例如100μm)之和与刻度圆盘SD的刻度部GP的半径一致的方式设定。
沿刻度部GP的周向刻设的刻度(格子)的最小间距受到对刻度圆盘SD进行加工的刻度刻线装置等的性能的限制,因此若将刻度圆盘SD的直径形成得较大,则能够与此相应地也提高与最小间距对应的角度测量分辨率。
使配置有对刻度部GP进行读取的编码器读头EN1、EN2的设置方位线Le1、Le2的方向,在从旋转中心线AX2观察时相对于基板P而与成像光束EL2的主光线入射至基板P的方向相同,由此,例如,即使在因支承旋转轴ST的轴承(bearing)的略微反冲(2μm~3μm左右)而导致旋转筒DR沿X轴方向偏移的情况下,也能够通过编码器读头EN1、EN2高精度地测量因该偏移而可能在投影区域PA1~PA6内产生的与基板P的传送方向(Xs)相关的位置误差。
如图21所示,在支承于旋转筒DR的曲面上的基板P的一部分上,为了使通过图17所示的投影光学系统PL而被投影的光罩图案的一部分的像与基板P相对地进行对位(对准),而设有检测预先形成在基板P上的对准标记等的对准显微镜AMG1、AMG2(对准系统)。
对准显微镜AMG1、AMG2是用于检测离散或者连续地形成在基板P上的特定图案的检测探针、以及以该检测探针的检测区域与上述的特定位置相比设定于基板P的传送方向后方侧(上游侧)的方式配置于旋转筒DR的周围的图案检测装置。
如图21所示,对准显微镜AMG1、AMG2具有沿Y轴方向(基板P的宽度方向)排成一列的多个(例如4个)检测探针。对准显微镜AMG1、AMG2能够通过旋转筒DR的Y轴方向上的两侧端的检测探针始终对形成在基板P的两端附近的对准标记进行观察或者检测。而且,对准显微镜AMG1、AMG2能够通过除旋转筒DR的Y轴方向(基板P的宽度方向)上的两侧端以外的检测探针,例如对在形成于余白部等的对准标记进行观察或者检测,其中,余白部位于在基板P上沿长度方向形成有多个的显示面板的图案形成区域之间。
如图21及图22所示,在设置方位线Le4上配置有编码器读头EN4,其中,该设置方位线Le4在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,以与对准显微镜AMG1对基板P的观察方向AM1(朝向第2中心轴AX2的检测中心线)成为同一方向的方式沿刻度部GP的径向设定。
即,以使作为对准系统的对准显微镜AMG1的对准标记检测区域的周向位置、与编码器读头EN4读取上述刻度的周向位置一致的方式,设置有对准系统。
另外,在各个设置方位线Le5上配置有编码器读头EN5,其中,各设置方位线Le5在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,以与对准显微镜AMG2对基板P的观察方向AM2(朝向旋转中心线AX2的检测中心线)成为同一方向的方式沿刻度部GP的径向设定。
即,以使作为对准系统的对准显微镜AMG2的对准标记检测区域的周向位置、与编码器读头EN5读取上述刻度的周向位置一致的方式,设置有对准系统。
这样,对准显微镜AMG1、AMG2的检测探针在从第2中心轴AX2观察时配置于旋转筒DR的周围,并且以将配置有编码器读头EN4、EN5的位置和第2中心轴AX2连结的方向(设置方位线Le4、Le5),与将第2中心轴AX2和对准显微镜AMG1、AMG2的检测区域连结的方向一致的方式配置。
此外,对准显微镜AMG1、AMG2以及编码器读头EN4、EN5所配置的绕旋转中心线AX2方向上的位置,设定于基板P开始与旋转筒DR接触的片材进入区域IA、与基板P离开旋转筒DR的片材脱离区域OA之间。
对准显微镜AMG1、AMG2配置于曝光位置(投影区域PA)的近前方,是在以规定速度传送基板P的状态下通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm~几百μm见方内的区域)进行图像检测的部件,且在显微镜视场(摄像范围)中高速地对标记的像进行取样。在进行该取样的瞬间,存储通过编码器读头EN4(或者EN5)逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置,由此求出基板P上的标记位置与旋转筒DR的旋转角度位置之间的对应关系。
在由对准显微镜AMG2检测到由对准显微镜AMG1所检测到的标记时,将通过编码器读头EN4测量并存储的角度位置与通过编码器读头EN5测量并存储的角度位置的差值,和与预先精密地校正过的2个对准显微镜AMG1、AMG2的设置方位线Le4、Le5所成的角度对应的基准值进行比较。其结果为,在差值与基准值之间产生差异的情况下,有可能是在片材进入区域IA与片材脱离区域OA之间,基板P在旋转筒DR上略微滑动、或者沿传送方向(周向)伸缩。
通常,图案化时的位置误差取决于形成在基板P上的元件图案的微细度或重合精度。例如,为了相对于基底的图案层准确地重合10μm宽的线条图案而进行曝光,仅允许其几分之一以下的误差、即换算为基板P上的尺寸时,仅允许±2μm左右的位置误差。
为了实现这样的高精度的测量,需要预先使各对准显微镜AMG1、AMG2对标记图像的测量方向(XZ面内的旋转筒DR的外周切线方向)、与各编码器读头EN4、EN5的测量方向(XZ面内的刻度部GP的外周切线方向)在允许角度误差内一致。
如上所述,以与对准显微镜AMG1、AMG2对基板P上的对准标记的测量方向(旋转筒DR的圆周面的切线方向)一致的方式配置有编码器读头EN4、EN5。因此,即使在由对准显微镜AMG1、AMG2对基板P(标记)进行位置检测时(图像取样时)旋转筒DR(刻度圆盘SD)在XZ面内沿与设置方位线Le4或Le5正交的周向(切线方向)发生了偏移的情况下,也能够实现将旋转筒DR的偏移考虑在内的高精度的位置测量。
在从第2中心轴AX2观察时,在刻度圆盘SD的刻度部GP的周围的5处配置有编码器读头EN1~EN5,因此通过将其中适当的2个或者3个编码器读头的测量值的输出组合而进行运算处理,也能够求出刻度圆盘SD的刻度部GP的真圆度(形状应变)、偏心误差等。以下,使用图23、图24以及图25来说明将2个或者3个编码器读头的测量值的输出组合,且通过运算处理来求出旋转筒DR的XZ面内的特定方向的位置偏移的情况。
<第1运算处理例>
图23是说明沿旋转中心线AX2方向观察第7实施方式的刻度圆盘SD时的、旋转筒DR的位置偏移的说明图。图24是说明对从旋转中心线AX2方向观察第7实施方式的刻度圆盘SD时的、旋转筒DR的位置偏移进行运算的一例的说明图。图25是表示对第7实施方式的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的顺序的一例的流程图。
如图23所示,例如因支承旋转轴ST的轴承(bearing)的略微的反冲而导致旋转筒DR与刻度圆盘SD一同偏移,刻度圆盘SD从虚线所示的位置偏移至图23的实线所示的位置。旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’相对于旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)发生了移动。例如,编码器读头EN1在刻度圆盘SD偏移之前对位于将特定位置和第2中心轴AX2连结的方向上的刻度部GP的位置PX1进行读取。若刻度圆盘SD从虚线所示的位置偏移至图23的实线所示的位置,则如图24所示,刻度部GP的位置PX1移动至刻度部GP的位置TX1。
而且,在刻度圆盘SD发生了偏移后,编码器读头EN1对位于将上述的特定位置和第2中心轴AX2连结的方向上的、刻度部GP的位置QX1进行读取。因此,在XZ平面中,产生沿将旋转筒DR的旋转中心线AX2和刻度部GP的位置QX1连结的方向位移的位移成分Δqx1。在将从旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)移动至旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’时的位移、与将旋转筒DR的旋转中心线AX2和刻度部GP的位置QX1连结的方向所成的角设为位移角α的情况下,位移成分Δqx1成为对从旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)移动至旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’时的位移乘以cosα而得到的位移。
例如,在将第1读取装置设为编码器读头EN4、将第2读取装置设为编码器读头EN1的情况下,如图25所示,曝光装置EXA的控制装置14使编码器读头EN4、编码器读头EN1进行旋转位置测量(步骤S11),并存储编码器读头EN4、编码器读头EN1的测量值的输出(刻度部GP的读取输出)。
编码器读头EN4、编码器读头EN1能够测量刻度部GP的切线方向(XZ面内)的位移的变动。关于图23所示的编码器读头EN4,由于刻度圆盘SD从虚线所示位置偏移至图23的实线所示的位置,所以编码器读头EN4读取刻度部GP的位置QX4,而非刻度部GP的位置PX4。因此,刻度部GP的位置PX4处的切线方向Veq4与刻度部GP的位置QX4处的切线方向Veq4’所成的角也产生上述的角度α的位移角。其结果是,在作为第1读取装置的编码器读头EN4所读取的周速中会产生变化。
例如,在编码器读头EN1所读取的周速、和编码器读头EN4所读取的周速没有差异的情况下,如图25所示,控制装置14设为无周速变化(步骤S12,否),从而继续进行旋转位置测量的步骤S11。在编码器读头EN1所读取的周速、和编码器读头EN4所读取的周速存在差异的情况下,设为有周速变化(步骤S12,是),从而将处理前进至步骤S13。
曝光装置EXA的控制装置14基于作为第1读取装置的编码器读头EN4的读取输出,而对修正值进行运算(步骤S13)。在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,配置有编码器读头EN4的设置方位线Le4的方向相对于基板P与成像光束EL2的主光线入射至基板P的特定位置的方向大致正交。因此,编码器读头EN4的读取输出的变化,与沿从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5分别投射的成像光束EL2的主光线的方向上的变化具有一定的相关性。
例如,控制装置14在存储部中预先存储将编码器读头EN4的读取输出的变化与上述的位移角α建立关联而得到的数据库。而且,控制装置14将作为第1读取装置的编码器读头EN4的读取输出的输入提供给存储于控制装置14的存储部中的上述数据库,对位移角α进行运算。控制装置14根据运算得到的位移角α对位移成分Δqx1进行运算,并根据位移成分Δqx1对修正投影像的聚焦状态的修正值进行运算。因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件、旋转圆筒体)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
根据在步骤S13中运算得到的修正值,曝光装置EXA的控制装置14进行修正处理(步骤S14)。例如,曝光装置EXA的控制装置14使作为聚焦调整装置的如图19所示的聚焦修正光学部件44动作,对通过第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5而形成在基板P上的投影像的聚焦状态进行微调整。因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高精度的曝光处理。
另外,同样地,在将第1读取装置设为编码器读头EN5、将第2读取装置设为编码器读头EN2的情况下,如图25所示,曝光装置EXA的控制装置14使编码器读头EN5、编码器读头EN2进行旋转位置测量(步骤S11),并存储编码器读头EN5、编码器读头EN2的测量值的输出(刻度部GP的读取输出)。
例如,编码器读头EN2在刻度圆盘SD偏移之前对位于将特定位置和第2中心轴AX2连结的方向上的刻度部GP的位置PX2进行读取。而且,在刻度圆盘SD发生了偏移后,编码器读头EN2对位于将上述的特定位置和第2中心轴AX2连结的方向上的、刻度部GP的位置QX2进行读取。刻度部GP的位置PX2和刻度部GP的位置QX2的、与设置方位线Le2平行且沿着从第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6分别投射的成像光束EL2的方向的位置,如图23所示,是大致相同的位置。
如图23所示,由于刻度圆盘SD从虚线所示的位置偏移至图23的实线所示的位置,所以编码器读头EN5读取刻度部GP的位置QX5,而非刻度部GP的位置PX5。但是,刻度部GP的位置PX5处的切线方向Veq5、和刻度部GP的位置PX5处的切线方向Veq5’大致平行。其结果是,作为第1读取装置的编码器读头EN4所读取的周速不发生变化。控制装置14设为无周速变化(步骤S12,否),从而继续进行旋转位置测量的步骤S11。
如上所示,若将2个编码器读头以大致90°的间隔配置于刻度部GP的周围,则能够对XZ面内中的刻度圆盘SD(刻度部GP)的二维的微动进行测量。在图23的情况下,该二维的微动例如是,编码器读头EN2的设置方位线Le2延伸的方向(大致为Z轴方向)、和编码器读头EN5的设置方位线Le5延伸的方向(大致为X轴方向)这两个方向。因此,在旋转筒DR向设置方位线Le5的延伸方向发生了偏心的情况下,由该偏心引起的刻度圆盘SD(刻度部GP)的微动成分能够由编码器读头EN2测量。
但是,由于编码器读头EN2在设置方位线Le2的位置也测量因刻度圆盘SD的旋转引起的刻度部GP的周向位置位移,所以单独根据编码器读头EN2的测量读取值,有时无法顺利地辨别因刻度圆盘SD的偏心导致的微动成分和因旋转导致的位置位移成分。在这种情况下,也存在进一步增加编码器读头来严格地辨别并测量因刻度部GP的偏心导致的微动成分和因旋转导致的位置位移成分的方法。关于该方法将后述。
如以上说明那样,曝光装置EXA具备:作为圆筒部件的旋转筒DR、刻度部GP、作为曝光装置EXA的处理部的投影组件PL1~PL6、作为对刻度部GP进行读取的第1读取装置的编码器读头EN4、EN5、和作为对刻度部GP进行读取的第2读取装置的编码器读头EN1、EN2。
旋转筒DR具有距作为规定的轴的第2中心轴AX2以固定半径弯曲的曲面,且绕第2中心轴AX2旋转。
刻度部GP沿旋转筒DR旋转的周向排列成环状,且与旋转筒DR一同在第2中心轴AX2的周围旋转。
作为曝光装置EXA的处理部的投影组件PL1~PL6,在从第2中心轴AX2观察时配置于旋转筒DR的周围,对位于旋转筒DR的周向中的特定位置的曲面上的基板P(被处理物体)实施照射2个成像光束EL2的主光线的照射处理。
而且,编码器读头EN4、EN5在从第2中心轴AX2观察时配置于刻度部GP的周围,且配置在以第2中心轴AX2为中心、将上述的特定位置绕第2中心轴AX2旋转大致90度而得到的位置,对刻度部GP进行读取。
编码器读头EN1、EN2对上述的特定位置的刻度部GP进行读取。
而且,曝光装置EXA的作为处理部的投影组件PL1~PL6实施如下处理:通过作为第1读取装置的编码器读头EN4、EN5的读取输出,对旋转筒DR的第2中心轴AX2所移动的、向与第2中心轴AX2正交的方向移动时的位移进行修正。
因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
<第2运算处理例>
图26是表示对第7实施方式的处理装置(曝光装置)的处理进行修正的步骤的其他例子的流程图。例如,在将第1读取装置设为编码器读头EN4、将第2读取装置设为编码器读头EN1、将第3读取装置设为编码器读头EN3的情况下,如图25所示,曝光装置EXA的控制装置14使编码器读头EN4、编码器读头EN1、编码器读头EN3进行旋转位置测量(步骤S21),且每隔适当的时间间隔(例如,数毫秒)地同时存储编码器读头EN4、编码器读头EN1、编码器读头EN3的测量值的输出(刻度部GP的读取输出)。
编码器读头EN4、编码器读头EN1、编码器读头EN3能够测量刻度部GP的切线方向(XZ面内)的位移的变动。控制装置14基于编码器读头EN4、编码器读头EN1、编码器读头EN3的读取输出(存储值),来运算旋转筒DR的旋转轴ST从旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)移动的相对位置、例如图23所示的旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’(步骤S22)。
在旋转中心线AX2与旋转筒DR22的旋转轴ST的位置AX2’之间没有例如超过规定阈值的距离的轴偏移的情况下(步骤S23,否),控制装置14继续进行旋转位置测量的步骤S21。在旋转中心线AX2与旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’之间存在例如超过规定阈值的距离的轴偏移的情况下(步骤S23,是),控制装置14将处理前进至步骤S24。此外,阈值基于曝光装置EXA的曝光处理中所要求的精度等而预先确定,并存储于控制装置14的存储部。
接下来,曝光装置EXA的控制装置14基于编码器读头EN4的读取输出而对修正值进行运算(步骤S24)。在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,配置有对刻度部GP进行读取的编码器读头EN4的设置方位线Le4的方向,与从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5分别投射至基板P的成像光束EL2的主光线的方向大致正交。因此,编码器读头EN4的读取输出的变化与沿着从第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5分别投射的成像光束EL2的主光线的方向的变化具有一定的相关性。
例如,控制装置14在存储部中预先存储将编码器读头EN4的读取输出的变化与上述的位移角α建立关联而得到的数据库。而且,控制装置14将作为第1读取装置的编码器读头EN4的读取输出的输入提供给存储于控制装置14的存储部中的上述数据库,对位移角α进行运算。而且,控制装置14能够根据角度α、在步骤S22中运算得到的位置AX2’、旋转中心线AX2(第2中心轴AX2),来对图24所示的位移成分Δqx1进行运算。
控制装置14对位移成分Δqx1进行运算,并根据位移成分Δqx1对修正投影像的聚焦状态的修正值进行运算。因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
另外,控制装置14能够根据角度α、在步骤S22中运算得到的位置AX2’、旋转中心线AX2,对图24所示的位移成分Δqx4进行运算。位移成分Δqx4是在XZ平面内沿着与将旋转筒DR的旋转中心线AX2和刻度部GP的位置QX1连结的方向正交的方向位移的成分。因此,位移成分Δqx4为对从旋转中心线AX2(第2中心轴AX2)移动至旋转筒DR的旋转轴ST的位置AX2’时的位移乘以sinα而得到的位移。
而且,控制装置14对位移成分Δqx1进行运算,并根据位移成分Δqx4对修正投影像偏移的修正值进行运算。因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
根据在步骤S24中运算得到的修正值,曝光装置EXA的控制装置14进行修正处理(步骤S25)。例如,曝光装置EXA的控制装置14使作为聚焦调整装置的图19所示的聚焦修正光学部件44动作,以抵消位移成分Δqx1的方式对形成在基板P上的投影像的聚焦状态进行微调整。因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高精度的曝光处理。
例如,曝光装置EXA的控制装置14使作为偏移调整装置的、用于使图19所示的投影像在像面内微少地横向偏移的像偏移修正光学部件45、微少地修正投影像的倍率的倍率修正用光学部件47、以及用于使投影像在像面内微少地旋转的旋转修正机构46中的至少1个动作,以抵消位移成分Δqx4的方式使形成在基板P上的投影像偏移。
因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高精度的曝光处理。或者,控制装置14也可以作为偏移调整装置,调整圆筒光罩DM的驱动或旋转筒DR(第2筒部件)的驱动、或者对基板P的张力赋予,且进行精密的反馈控制或前馈控制,以抵消位移成分Δqx4的方式使形成在基板P上的投影像偏移。
这样,在本实施方式中,在从旋转中心线AX2观察时,在刻度圆盘SD的刻度部GP的周围配置的编码器读头EN1、EN2的各设置方位线Le1、Le2,与朝向基板P上的投影区域PA的成像光束EL2的主光线的倾斜方向相同(或一致)。
因此,即使在旋转筒DR沿基板P的扫描曝光的方向(传送方向)微小地偏移的情况下,也能够通过编码器读头EN1、EN2即时地测量其偏移量,从而能够通过例如投影光学系统PL内的像偏移修正光学部件45等,高精度且高速地修正因该偏移而产生的曝光位置的变动量。其结果是,能够以高位置精度对基板P进行曝光处理。
如以上说明那样,曝光装置EXA具备:作为圆筒部件的旋转筒DR、刻度部GP、作为曝光装置EXA的处理部的投影组件PL1~PL6、作为对刻度部GP进行读取的第1读取装置的编码器读头EN4、EN5、作为对刻度部GP进行读取的第2读取装置的编码器读头EN1、EN2、以及配置在与第1读取装置及第2读取装置在周向上不同的位置上且对刻度部GP进行读取的第3读取装置、例如编码器读头EN3。
编码器读头EN4、EN5在从第2中心轴AX2观察时配置于刻度部GP的周围,且配置在使上述的特定位置以第2中心轴AX2为中心绕第2中心轴AX2旋转大致90度而得到的位置,对刻度部GP进行读取。编码器读头EN1、EN2对上述的特定位置的刻度部GP进行读取。
曝光装置EXA根据由作为第1读取装置的编码器读头EN4、EN5、作为第2读取装置的编码器读头EN1、EN2以及作为第3读取装置的编码器读头EN3所测量出的刻度部GP的读取输出,而求出旋转筒DR的第2中心轴AX2。
而且,作为处理部的投影组件PL1~PL6实施如下处理:利用作为第1读取装置的编码器读头EN4、EN5的读取输出,对旋转筒DR的第2中心轴AX2所移动的向与第2中心轴AX2正交的方向移动时的位移进行修正。
因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
另外,通过将编码器读头EN4、EN1、EN3的测量值的输出与编码器读头EN5、EN2、EN3的测量值的输出进行对比,能够抑制由刻度圆盘SD相对于旋转轴ST的偏心误差等带来的影响,从而能够实现高精度的测量。
第3读取装置不限于编码器读头EN3,在将第1读取装置设为编码器读头EN4、将第2读取装置设为编码器读头EN1的情况下,第3读取装置可以是编码器读头EN5或者编码器读头EN2。
如上所述,曝光装置EXA相对于基板P而使2个成像光束EL2入射至基板P。第奇数个投影组件PL1、PL3、PL5成为第1处理部,第偶数个投影组件PL2、PL4、PL6成为第2处理部。
将相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P的2个位置,分别设为第1处理部对基板P实施照射光的照射处理的特定位置(第1特定位置)、和第2处理部实施照射光的照射处理的第2特定位置。
作为第2读取装置的编码器读头EN1在特定位置(第1特定位置)处对刻度部GP进行读取,编码器读头EN2在第2特定位置处对刻度部GP进行读取。
而且,作为第3读取装置的编码器读头EN5配置在以第2中心轴AX2为中心而使将上述的第2特定位置和第2中心轴AX2连结的方向旋转大致90度而得到的位置,对刻度部GP进行读取。
曝光装置EXA根据由作为第1读取装置的编码器读头EN4、作为第2读取装置的编码器读头EN1以及作为第3读取装置的编码器读头EXA5所测量出的刻度部GP的读取输出,而求出旋转筒DR的第2中心轴AX2。
而且,作为第2处理部的投影组件PL2、PL4、PL6能够实施如下处理:利用作为第1读取装置的编码器读头EN4、EN5的读取输出,对旋转筒DR的第2中心轴AX2所移动的向与第2中心轴AX2正交的方向移动时的位移进行修正。
这样,即使处理部如第1处理部和第2处理部那样存在多个,第1处理部以及第2处理部也能够高精度地进行各自的处理。
此外,在测量旋转筒DR的旋转方向的位置或旋转速度时,例如,若取得来自编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5的测量信号的输出的平均(简单平均或者加权平均)值,则误差减少,从而能够稳定地进行检测。因此,在通过控制装置14利用伺服模式控制第2驱动部36时,能够更精密地控制旋转筒DR的旋转位置。
另外,在基于与由第1检测器25检测到的第1筒部件21(圆筒光罩DM)的旋转位置或旋转速度对应的测量信号,经由第1驱动部26对第1筒部件21的旋转位置以及速度进行伺服控制时,也能够使第1筒部件21和旋转筒DR(第2筒部件)高精度地同步移动(同步旋转)。
<第7实施方式的变形例>
图27是用于说明从旋转中心线AX2方向观察第7实施方式的变形例的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。上述的对准显微镜AMG2的观察方向AM2配置于基板P的传送方向的后方侧、即曝光位置(投影区域)的近前方(上游侧),是在以规定速度传送基板P的状态下通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm~几百μm见方内的区域)进行图像检测的部件,且在显微镜视场(摄像范围)中高速地对标记的像进行取样。在进行该取样的瞬间,存储由编码器读头EN5逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置,由此求出基板P上的标记位置与旋转筒DR的旋转角度位置的对应关系。
另一方面,上述的对准显微镜AMG1的观察方向AM1配置于基板P的传送方向的前方侧、即曝光位置(投影区域)的后方(下游侧),并与对准显微镜AMG2同样地,通过摄像元件等高速地对形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm~几百μm见方内的区域)的像进行取样。在进行该取样的瞬间,存储由编码器读头EN4逐次测量到的刻度圆盘SD的旋转角度位置,由此求出基板P上的标记位置与旋转筒DR的旋转角度位置的对应关系。
编码器读头EN4设定于设置方位线Le4上,该设置方位线Le4是使编码器读头EN1的设置方位线Le1朝向基板P的传送方向的前方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。另外,编码器读头EN5设定于设置方位线Le5上,该设置方位线Le5是使编码器读头EN2的设置方位线Le2朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。
另外,编码器读头EN3相对于编码器读头EN1、EN2配置于隔着旋转中心线AX2的相反侧,其设置方位线Le3设定于中心面P3上。
如图27所示,在设置方位线Le4上配置有编码器读头EN4,其中,该设置方位线Le4在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,以与从对准显微镜AMG1在基板P上的检测中心通过的观察方向AM1(朝向旋转中心线AX2)成为同一方向的方式,沿刻度部GP的径向设定。
另外,在设置方位线Le5上分别配置有编码器读头EN5,其中,该置方位线Le5在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,以与从对准显微镜AMG2在基板P上的检测中心通过的观察方向AM2(朝向旋转中心线AX2)成为同一方向的方式,沿刻度部GP的径向设定。
这样,对准显微镜AMG1、AMG2的检测探针在从第2中心轴AX2观察时配置于旋转筒DR的周围,且以使将配置有编码器读头EN4、EN5的位置和第2中心轴AX2连结的方向(设置方位线Le4、Le5),与将第2中心轴AX2和对准显微镜AMG1、AMG2的检测区域连结的方向一致的方式配置。
此外,对准显微镜AMG1、AMG2以及编码器读头EN4、EN5所配置的绕旋转中心线AX2的方向上的位置,设定于基板P开始与旋转筒DR接触的片材进入区域IA、和旋转筒DR从基板P离开的片材脱离区域OA之间。
(第8实施方式)
接下来,参照图28以及图29来说明本发明的处理装置的第8实施方式。在该图中,对与第7实施方式的构成要素相同的要素标注同一附图标记,并省略其说明。
旋转筒DR具有形成在圆筒面的曲面上的基准标记形成部Rfp。基准标记形成部Rfp优选以与形成在基板P的Y轴方向上的端部附近的对准标记(形成于几十μm~几百μm见方内的区域)相同的间距连续地或者离散地形成。对基准标记形成部Rfp进行检测的曲面检测探针GS1、GS2优选为与显微镜AMG1、AMG2相同的构成。曲面检测探针GS1、GS2是通过摄像元件等高速地进行图像检测的部件,并在显微镜视场(摄像范围)中高速地对基准标记形成部Rfp的标记的像进行取样。在进行该取样的瞬间,求出旋转筒DR的旋转角度位置与基准标记形成部Rfp的对应关系,并存储逐次测量的旋转筒DR的旋转角度位置。
在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,曲面检测探针GS1的检测中心AS1与对准显微镜AMG1对基板P的观察方向AM1(朝向旋转中心线AX2)的检测中心为同一方向。另外,在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,曲面检测探针GS1的检测中心AS1与沿刻度部GP的径向设定的设置方位线Le4为同一方向。
另外,在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,曲面检测探针GS2的检测中心AS2与对准显微镜AMG2对基板P的观察方向AM2(朝向旋转中心线AX2)的检测中心为同一方向。另外,在XZ面内且从旋转中心线AX2观察时,曲面检测探针GS2的检测中心AS2与沿刻度部GP的径向设定的设置方位线Le5为同一方向。
这样,曲面检测探针GS1设定在设置方位线Le4上,其中,该设置方位线Le4是使编码器读头EN1的设置方位线Le1朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。另外,曲面检测探针GS2设定在设置方位线Le5上,其中,该设置方位线Le5是使编码器读头EN2的设置方位线Le2朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。
形成在基准标记形成部Rfp上的多个标记在旋转筒DR的圆筒外周面上作为基准标记而沿周向以固定间隔排列,因此,基于用曲面检测探针GS1、GS2对这些基准标记进行图像取样时的各编码器读头EN4、EN5的测量读取值、和取样得到的图像中的基准标记像从检测中心的偏移量,例如能够检验检测探针GS1、GS2的配置误差。
另外,若预先在旋转筒DR的外周面上刻设沿Y轴方向延伸的基准线图案,则通过利用各检测探针GS1、GS2和各对准显微镜AMG1、AMG2对该基准线图案进行检测,也能够以基于编码器读头EN4、EN5的测量读取值而特定的旋转筒DR的外周面的坐标系为基准,对各对准显微镜AMG1、AMG2的配置误差进行校正。
在图28中,刻度圆盘SD的直径图示得比旋转筒DR的直径小。但是,通过使旋转筒DR的外周面中的、卷绕基板P的外周面的直径与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致(大致一致),能够进一步减小所谓的测量阿贝误差。该情况下,曝光装置EXA优选具有对刻度圆盘SD的真圆度进行调整的真圆度调整装置。
图29是用于说明对刻度部件的真圆度进行调整的真圆度调整装置的说明图。
作为刻度部件的刻度圆盘SD是圆环状部件。刻度部GP固定在与旋转筒DR的第2中心轴AX2正交的旋转筒DR的端部。通过刻度圆盘SD,沿第2中心轴AX2的周向设于刻度圆盘SD上的槽Sc与和槽Sc为相同半径且沿第2中心轴AX2的周向设在旋转筒DR上的槽Dc相对。而且,刻度圆盘SD使滚珠轴承等轴承部件SB介入于槽Sc与槽Dc之间。
真圆度调整装置CS设置在刻度圆盘SD的内周侧,包含调整部60和推压部件PP。而且,真圆度调整装置CS例如沿以旋转中心线AX2为中心的周向以规定间距具有多个(例如8~16处)推压机构(60、PP等),该推压机构能够使与设置方位线Le4平行的方向、即从第2中心轴AX2朝向刻度部GP的半径方向的推压力可变。
调整部60具有:将推压部件PP的孔部和刻度圆盘SD的贯穿孔FP3贯穿、且与旋转筒DR的内螺纹部FP4螺合的外螺纹部61;以及与推压部件PP接触的螺钉头部62。推压部件PP是在刻度圆盘SD的端部沿周向设置且半径比刻度圆盘SD小的圆环状的固定板。
在将设置方位线Le4向刻度圆盘SD的内周侧延长的前端,在刻度圆盘SD的内周侧、且在与第2中心轴AX2平行且包含第2中心轴AX2的截面中,形成有倾斜面FP2。倾斜面FP2是随着接近于第2中心轴AX2而使与第2中心轴AX2平行的方向的厚度变薄的部分的圆锥台形状的面。
在刻度圆盘SD的内周侧、且在与第2中心轴AX2平行且包含第2中心轴AX2的截面中,推压部件PP具有随着接近于第2中心轴AX2而使与第2中心轴AX2平行的方向的厚度变大的、圆锥台形状的部分。倾斜面FP1是上述圆锥台形状的部分的侧面。而且,推压部件PP相对于刻度圆盘SD,以使倾斜面FP2和倾斜面FP1相对的方式通过调整部60固定。
在真圆度调整装置CS中,通过使调整部60的外螺纹部61螺入至刻度圆盘SD的内螺纹部FP3而将螺钉头部62紧固,推压部件PP的倾斜面FP1的推压力传递至倾斜面FP2,刻度圆盘SD的外周面朝向外侧微小地弹性变形。相反,通过使螺钉头部62向相反侧旋转而将外螺纹部61松缓,从推压部件PP的倾斜面FP1施加于倾斜面FP2的推压力减少,刻度圆盘SD的外周面向内侧微小地弹性变形。
真圆度调整装置CS在以旋转中心线AX2为中心的周向上以规定间距具有多个的调整部60中,对螺钉头部62(外螺纹部61)进行操作,由此能够对刻度部GP的外周面的直径微小地进行调整。另外,真圆度调整装置CS的倾斜面FP1、FP2以使上述的设置方位线Le1~Le5通过该倾斜面FP1、FP2的方式设于刻度部GP的内侧,因此能够使刻度部GP的外周面相对于旋转中心线AX2均等地沿径向微小地弹性变形。
因此,通过根据刻度圆盘SD的真圆度对适当位置的调整部60进行操作,能够提高刻度圆盘SD的刻度部GP的真圆度,或使相对于旋转中心线AX2的微少偏心误差减小,从而能够提高对旋转筒DR的旋转方向的位置检测精度。
此外,真圆度调整装置CS所调整的半径的调整量根据刻度圆盘SD的直径或材质、或者调整部60的半径位置不同而不同,但最大为十几μm左右。
另外,通过基于真圆度调整装置CS进行的调整而得到的微少偏心误差的抑制效果,能够通过多个编码器读头的测量读取值的差值比较等进行检验。
(第9实施方式)
接下来,参照图30来说明本发明的处理装置的第9实施方式。图30是用于说明从旋转中心线AX2方向观察第9实施方式的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。在图30中,使旋转筒DR的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致(大致一致)。在该图中,对与第7实施方式以及第8实施方式的构成要素相同的要素标注同一附图标记,并省略其说明。
另外,如上所述,曝光装置EXA相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P。将相对于基板P而使2个成像光束EL2的主光线入射至基板P的、2个位置设为第1特定位置PX1和第2特定位置PX2。
编码器读头EN6位于第1特定位置PX1与第2特定位置PX2之间。编码器读头EN6例如对相当于中心面P3的特定位置的刻度部GP的位置PX6进行检测。而且,编码器读头EN6在从第2中心轴AX2观察时配置于与中心面P3一致的设置方位线Le6上。
在本实施方式中,由于使旋转筒DR的外周面(圆筒面的曲面)中的卷绕基板P的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致,所以位置PX6在从第2中心轴AX2观察时与上述的特定位置(以下,称为特定位置PX)一致。特定位置PX6位于由多个投影组件PL1~PL6而被曝光的区域(投影区域PA1~PA6)的X轴方向上的中心。
编码器读头EN4设定于设置方位线Le4上,该设置方位线Le4是使编码器读头EN6的设置方位线Le6朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。
此外,在本实施方式中,与对准显微镜AMG1对应的编码器读头EN4的设置方位线Le4、和与对准显微镜AMG2对应的编码器读头EN5的设置方位线Le5之间的角度间隔设定为角度θ(例如15°)。
例如,在将第1读取装置设为编码器读头EN4、将第2读取装置设为编码器读头EN6的情况下,控制装置14能够与上述的图25所示的步骤同样地进行修正处理。例如,控制装置14将作为第1读取装置的编码器读头EN4的读取输出的输入提供给存储于控制装置14的存储部中的上述数据库,来对位移角α进行运算。控制装置14根据运算得到的位移角α对位移成分Δqx1进行运算,并根据位移成分Δqx1对修正投影像的聚焦状态的修正值进行运算。
本实施方式的曝光装置EXA中,特定位置PX6成为位于旋转筒DR的曲面上的基板P的被平均地曝光的区域的X轴方向上的中心。曝光装置EXA通过在特定位置PX6实施照射最佳曝光用光的照射处理,能够减轻对聚焦状态进行微调整等修正处理。
而且,曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高速且高精度的曝光处理。
如以上说明那样,曝光装置EXA具备:作为圆筒部件的旋转筒DR、刻度部GP、作为曝光装置EXA的处理部的投影组件PL1~PL6、作为对刻度部GP进行读取的第1读取装置的编码器读头EN4、作为对刻度部GP进行读取的第2读取装置的编码器读头EN6、以及配置在与第1读取装置以及第2读取装置在周向上不同的位置上且对刻度部GP进行读取的第3读取装置、例如编码器读头EN3。
曝光装置EXA根据由作为第1读取装置的编码器读头EN4、作为第2读取装置的编码器读头EN6以及作为第3读取装置的编码器读头EN3测量出的刻度部GP的读取输出,而求出旋转筒DR的第2中心轴AX2。
而且,作为处理部的投影组件PL1~PL6实施如下处理:通过作为第1读取装置的编码器读头EN4的读取输出,对旋转筒DR的第2中心轴AX2所移动的向与第2中心轴AX2正交的方向移动时的位移进行修正。
因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。
然而,在之前的图23的编码器读头的配置中,也有可能无法顺利地辨别因刻度部GP的偏心导致的微动成分和因旋转导致的位置位移成分,但若采用图30那样的编码器读头的配置,则能够容易地进行该辨别。因此,关注图30中的编码器读头EN6、相对于编码器读头EN6偏移大致90°而配置的编码器读头EN4、和进一步偏移90°而配置的编码器读头EN3(相对于编码器读头EN6以180°配置)这3个编码器读头。
该情况下,若将编码器读头EN6的测量读取值设为Me6、将编码器读头EN3的测量读取值设为Me3,则因刻度圆盘SD(刻度部GP)的偏心而导致的X轴方向上的微动成分ΔXd用下述式(1)求出,因刻度部GP的旋转而导致的位置位移成分ΔRp作为平均值而用下述式(2)求出。
ΔXd=(Me6-Me3)/2···(1)
ΔRp=(Me6+Me3)/2···(2)
因此,若将编码器读头EN4的测量读取值设为Me4,并对该读取值Me4与位置位移成分ΔRp逐次进行比较(逐次求出差值),则在图30的情况下,能够即时地求出因偏心而导致的刻度圆盘SD(旋转筒DR)的Z轴方向上的微动成分ΔZd。
<第9实施方式的变形例>
图31是用于说明从旋转中心线AX2方向观察第9实施方式的变形例的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。如图31所示,也能够省略上述的编码器读头EN6。编码器读头EN4设定于设置方位线Le4上,该设置方位线Le4是使将特定位置和旋转中心线AX2连结的XZ平面内的线朝向基板P的传送方向的后方侧绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。
在此,在与编码器读头EN4的设置方位线Le4相同的方位上,仅配置对准显微镜AMG1。
编码器读头EN5设定于设置方位线Le5上,该设置方位线Le5是使将特定位置和旋转中心线AX2连结的XZ平面内的线朝向基板P的传送方向的前方侧(下游侧)绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°而得到的。该情况下,曝光装置EXA的控制装置14将第1读取装置设为编码器读头EN4或者编码器读头EN5,并将第2读取装置以及第3读取装置设为编码器读头EN1、编码器读头EN2以及编码器读头EN3中的任意2个。
曝光装置EXA通过对位于旋转筒DR的曲面上的基板P的被平均曝光的区域的X轴方向上的中心实施照射最佳曝光用光的照射处理,而能够减轻对聚焦状态进行微调整等修正处理。因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高速且高精度的曝光处理。
此外,在图31所示的编码器读头的配置中,也能够容易地辨别因刻度部GP的偏心而导致的微动成分和因旋转而导致的位置位移成分。在图31的配置中,使用沿Z轴方向对刻度部GP的刻度进行读取的2个编码器读头EN4、EN5的各测量读取值Me4、Me5,用下述式(3)求出因偏心而导致的刻度圆盘SD(旋转筒DR)的Z轴方向上的微动成分ΔZd。
ΔZd=(Me4-Me5)/2···(3)
另外,若逐次求出根据编码器读头EN4、EN5的各测量读取值Me4、Me5的平均值而求出的因刻度部GP的旋转而导致的位置位移成分ΔRp、与沿X轴方向对刻度部GP的刻度进行读取的编码器读头EN3的测量读取值Me3之间的差值,则能即时地求出因偏心而导致的刻度圆盘SD(旋转筒DR)的X轴方向上的微动成分ΔXd。此外,位置位移成分ΔRp由下述式(4)求出。
ΔRp=(Me4+Me5)/2···(4)
如以上说明那样,曝光装置EXA具备:作为圆筒部件的旋转筒DR、刻度部GP、作为曝光装置EXA的处理部的投影组件PL1~PL6、作为对刻度部GP进行读取的第1读取装置的编码器读头EN4、EN5、作为对刻度部GP进行读取的第2读取装置的编码器读头EN1、2、以及配置在与第1读取装置及第2读取装置在周向上不同的位置且对刻度部GP进行读取的第3读取装置、例如编码器读头EN3。
在以上的图31那样的构成的情况下,能够基于相互为180°的配置关系的2个编码器读头EN4、EN5的各测量读取值,逐次求出旋转筒DR的Z轴方向上的微动成分ΔZd,因此也能够将基板P的聚焦变动ΔZf设为下述式(5)而容易地运算出。
ΔZf=ΔZd×cosθ···(5)
因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握旋转筒DR(圆筒部件)的位置,而对位于旋转筒DR的曲面上的被处理物体、即基板P实施处理。因此,曝光装置EXA能够对基板P进行高速且高精度的曝光处理。
(第10实施方式)
接下来,参照图32以及图33来说明本发明的处理装置的第10实施方式。图32是表示第10实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。图33是用于说明从旋转中心线AX1方向观察第10实施方式的刻度圆盘SD时的、读取装置的位置的说明图。在该图中,对与第7实施方式、第8实施方式以及第9实施方式的构成要素相同的要素标注同一附图标记,并省略其说明。
刻度圆盘SD以与旋转中心线AX1、AX2正交的方式固定于第1筒部件21以及旋转筒DR的两端部。刻度部GP位于旋转筒DR的两端部,对各刻度部GP进行测量的上述的编码器读头EN1~EN5分别配置于旋转筒DR的两端部侧。
之前的图17所示的第1检测器25是光学地对第1筒部件21的旋转位置进行检测的部件,如图33所示,包含高真圆度的刻度圆盘(刻度部件)SD、和作为读取装置的编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5。
刻度圆盘SD固定于与第1筒部件21的旋转轴正交的第1筒部件21的至少1个端部(在图32中为两端部)。因此,刻度圆盘SD绕旋转中心线AX1而与旋转轴ST一同一体地旋转。在刻度圆盘SD的外周面上刻设有刻度部GPM。编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5在从旋转轴STM观察时配置于刻度部GP的周围。编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5与刻度部GPM相对配置,且以非接触的方式对刻度部GPM进行读取。另外,编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5配置于第1筒部件21的周向上的不同位置。
编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5是对刻度部GPM的切线方向(XZ面内)的位移的变动具有测量灵敏度(检测灵敏度)的读取装置。如图33所示,若用设置方位线Le11、Le12表示编码器读头EH1、EH2的设置方位(以旋转中心线AX1为中心的XZ面内的角度方向),则以使该设置方位线Le11、Le12相对于中心面P3成为角度±θ°的方式配置各编码器读头EH1、EH2。而且,设置方位线Le11、Le12与以图17所示的照明光束EL1的旋转中心线AX1为中心的XZ面内的角度方向一致。
作为处理部的照明机构IU将照明光束EL1照射至圆筒光罩DM上的规定的图案(光罩图案)。由此,投影光学系统PL能够将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影至由搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)。
编码器读头EH4设定于设置方位线Le14上,其中,该设置方位线Le14是使编码器读头EH1的设置方位线Le11相对于第1筒部件21的中心面P3朝向旋转方向的后方侧(上游侧)绕旋转中心线AX1的轴旋转大致90°而得到的。
另外,编码器读头EH5设定于设置方位线Le15上,其中,该设置方位线Le15是使编码器读头EH2的设置方位线Le12相对于第1筒部件21的中心面P3朝向旋转方向的后方侧(上游侧)绕旋转中心线AX1的轴旋转大致90°而得到的。
在此,大致120°是指,在由90°±γ表示的情况下,与第7实施方式相同地,角度γ为0°≤γ≤5.8°的范围。
另外,编码器读头EH3设定于设置方位线Le13上,其中,该设置方位线Le13是使编码器读头EH2的设置方位线Le12绕旋转中心线AX1的轴旋转大致120°而得到的,且是使编码器读头EH4绕旋转中心线AX1的轴旋转大致120°而得到的。
本实施方式中的配置于第1筒部件21的周围的编码器读头EH1、EH2、EH3、EH4、EH5的配置,与第7实施方式中的、配置于旋转筒DR的周围的编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4、EN5为镜像反转的关系。
如以上说明那样,曝光装置EXA具备:作为圆筒部件的第1筒部件21、刻度部GPM、作为曝光装置EXA的处理部的照明机构IU、作为对刻度部GPM进行读取的第1读取装置的编码器读头EH4、EH5、以及作为对刻度部GPM进行读取的第2读取装置的编码器读头EH1、EH2。
第1筒部件21具有距作为规定的轴的第1中心轴AX1以固定半径弯曲的曲面,且绕第1中心轴AX1旋转1周。
刻度部GPM沿第1筒部件21旋转的周向排列成环状,且与第1筒部件21一同在第1中心轴AX1的周围旋转。
作为曝光装置EXA的处理部的照明机构IU在从第2中心轴AX2观察时配置于第1筒部件21的内部,且对位于第1筒部件21的周向上的特定位置的曲面上的光罩图案照射2束照明光束EL1。
编码器读头EH4、EH5在从第1中心轴AX1观察时配置于刻度部GPM的周围,且配置在以第1中心轴AX1为中心而使上述的特定位置绕第1中心轴AX1旋转大致90度而得到的位置,并对刻度部GPM进行读取。
编码器读头EH1、EH2对上述的特定位置的刻度部GPM进行读取。
曝光装置EXA的作为处理部的照明机构IU实施如下处理:通过作为第1读取装置的编码器读头EH4、EH5的读取输出,对第1筒部件21的旋转轴STM所移动的向与第1中心轴AX1正交的方向移动时的位移进行修正。
因此,本实施方式的曝光装置EXA能够抑制运算负荷,并且高精度地掌握第1筒部件21(圆筒部件)的位置,而对位于第1筒部件21的曲面上的被处理物体、即圆筒光罩DM实施处理(照明光的照射)。
此外,曝光装置EXA可以根据由作为第1读取装置的编码器读头EH4、EH5、作为第2读取装置的编码器读头EH1、EH2以及作为第3读取装置的编码器读头EH3测量到的刻度部GPM的各读取输出,求出第1筒部件21的旋转轴STM的XZ面内的微动成分。
(第11实施方式)
接下来,参照图34来说明本发明的处理装置的第11实施方式。图34是表示第11实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。曝光装置EX2的光源装置(未图示)射出对圆筒光罩DM进行照明的照明光束EL1。
将从光源装置的光源射出的照明光束EL1引导至照明组件IL。在照明光学系统设有多个的情况下,将来自光源的照明光束EL1分离为多个,并将多个照明光束EL1引导至多个照明组件IL。
在此,从光源装置射出的照明光束EL1入射至偏振分光镜SP1、SP2。在偏振分光镜SP1、SP2中,为了抑制因照明光束EL1的分离而产生的能量损失,优选采用使入射的照明光束EL1全部反射那样的光束。
在此,偏振分光镜SP1、SP2将成为S偏振的直线偏振光的光束反射,并使成为P偏振的直线偏振光的光束透过。因此,光源装置使入射至偏振分光镜SP1、SP2的照明光束EL1成为直线偏振(S偏振)的光束的照明光束EL1射出至第1筒部件21。由此,光源装置射出波长以及相位一致的照明光束EL1。
偏振分光镜SP1、SP2将来自光源的照明光束EL1反射,另一方面,使由圆筒光罩DM反射的投影光束EL2透过。换言之,来自照明组件IL的照明光束EL1作为反射光束而入射至偏振分光镜SP1、SP2,来自圆筒光罩DM的投影光束EL2作为透过光束而入射至偏振分光镜SP1、SP2。
这样,作为处理部的照明组件IL进行使照明光束EL1反射至作为被处理物体的圆筒光罩DM上的规定图案(光罩图案)的处理。由此,投影光学系统PL能够将圆筒光罩DM上的照明区域IR中的图案的像投影至由搬送装置9搬送的基板P的一部分(投影区域PA)。
在这样的圆筒光罩DM的曲面的表面上设置使照明光束EL1反射的规定图案(光罩图案)的情况下,也能够与该光罩图案一起在曲面上设置上述的基准标记形成部件Rfp。在与光罩图案同时形成该基准标记形成部Rfp的情况下,以与光罩图案相同的精度形成基准标记形成部Rfp。
因此,能够通过上述的对基准标记形成部Rfp进行检测的曲面检测探针GS1、GS2,高速且高精度地对基准标记形成部Rfp的标记的像进行取样。在进行该取样的瞬间,通过编码器读头测量第1筒部件21的旋转角度位置,由此求出基准标记形成部Rfp、与逐次测量的第1筒部件21的旋转角度位置的对应关系。
(第12实施方式)
接下来,参照图35来说明本发明的处理装置的第12实施方式。图35是表示第12实施方式的处理装置(曝光装置EX3)的整体构成的示意图。曝光装置EX3具备供给来自光源装置(未图示)的激光束的多边形扫描单元PO1、PO2。多边形扫描单元PO使描绘用的激光束的光点在基板P进行一维扫描。在该光点的一维扫描的期间,基于图案数据(CAD数据)高速地对激光束进行开/关调变,由此在基板P上描绘(曝光)电路图案等。
在此,基于图36的立体图来说明图35所示的曝光装置EX3的曝光头部(例如由6个多边形扫描单元PO1~PO6构成)和旋转筒DR周围的局部构成的一例。在旋转筒DR的Y轴方向上的两侧,与旋转中心轴AX2同轴地固定设置有与旋转筒DR的外周面为大致相同直径的形成有刻度部GP的刻度板SD。6个多边形扫描单元PO1~PO6以使通过各个扫描单元PO1~PO6而形成在基板P上的光点(2~10μm左右的直径)的扫描线T1~T6相互平行地沿Y轴方向延伸的方式配置。
与之前的各实施方式同样地,通过各个第奇数个扫描线T1、T3、T5而描绘在基板P上的图案区域、和通过各个第偶数个扫描线T2、T4、T6而描绘在基板P上的图案区域,在Y轴方向上彼此相接而未分离,成为与基板P的宽度方向相当的一个大的图案区域。
若假定包含在两侧的刻度板SD的周围分别配置的编码器读头EN1的设置方位线Le1、和旋转筒DR的旋转中心线AX2的面,则第奇数个扫描线T1、T3、T5分别以包含于该面的方式设定。同样地,若假定包含在两侧的刻度板SD的周围分别配置的编码器读头EN2的设置方位线Le2、和旋转中心线AX2的面,则以包含于该面的方式设定各个第偶数个扫描线T2、T4、T6。
6个扫描单元PO1~PO6均为相同的构成,因此作为代表而说明扫描单元PO3的内部构成。如图36所示,从未图示的光源装置供给的紫外线区域的激光束LB在扫描线T3上扫描光点的期间,使光束入射至基于图案数据(CAD数据)而高速地开/关(强度调变)的声光学元件(AOM)MP1。来自声光学元件MP1的光束通过绕与Z轴平行的旋转中心高速旋转的多面镜MP2而在XY面内被一维地偏向扫描。
经偏向扫描后的光束经由f-θ透镜MP3、反射镜MP4而在基板P上成为光点并实现聚光,沿扫描线T3朝向一方向等速扫描该光点。
其他扫描单元PO1、PO2、PO4、PO5、PO6也具备相同的声光学元件MP1、多面镜MP2、f-θ透镜MP3、反射镜MP4。在基板P上描绘图案时,基于由编码器读头EN1、EN2(或其他读头EN3~EN5)所测量到的旋转筒DR(基板P)的周向位置等,通过图35中的控制装置14对各扫描线T1~T6上的光点的扫描速度与基板P的传送速度(旋转筒DR的旋转速度)的同步、应由各扫描线T1~T6描绘的图案的CAD数据向各声光学元件MP1的送出定时等进行控制。
这样,即使没有圆筒光罩DM,图35、图36的曝光装置EX3也能够对特定位置中的基板P照射曝光用光(光点)而进行图案化处理。另外,在使用对可变的光罩图案进行投影曝光的装置、例如日本专利第4223036号所公开的无光罩曝光装置,对卷绕于旋转筒DR的基板P进行图案曝光的情况下,也能够同样地适用各实施方式。
另外,如图36所示,刻度板SD安装于旋转筒DR的两端侧,但在其他实施方式的装置中也能同样地适用。另外,在作为刻度部GP(或者GPM)而沿周向以固定间距(例如20μm)形成有绕射光栅的光学式编码器系统的情况下,编码器读头EN1~EN5(或者EH1~EH5)对刻度部GP(或者GPM)倾斜地照射测量光束,并对其反射绕射光(干涉光)进行光电检测,各读头EN1~EN5(或者EH1~EH5)的设置方位线Le1~Le5(或者Le11~Le15)以从刻度部GP(或者GPM)上的测量光束的照射区域(1mm~几mm的范围)内通过的方式设定。
图37是示意地表示编码器读头EN1内部的构成与刻度部GP的配置关系的立体图。在图37中,在读头EN1内设有:投射测量光束Be的半导体激光器或发光二极管等光源500;使测量光束Be准直为大致平行光的聚光透镜501;接收从照射有测量光束Be的刻度部GP上的照射区域Ab反射的反射绕射光束Br的指标光栅(index grating)502;以及接收从指标光栅502产生的再次绕射光(干涉光)的光电传感器503。
之前说明的编码器读头EN1的设置方位线Le1以从照射区域Ab内通过,并朝向刻度板SD的旋转中心轴AX2的方式设定。另外,编码器读头EN1以测量光束Be的中心线和反射绕射光束Br的中心线位于包含相互正交的设置方位线Le1和旋转中心轴AX2(例如,参照图36)的平面内的方式设置。另外,在至此的各实施方式中说明的各编码器读头的构成和配置与图37相同。
(第13实施方式)
接下来,参照图38来说明本发明的处理装置的第13实施方式。图38是表示第13实施方式的处理装置(曝光装置)的整体构成的示意图。
曝光装置EX4是对基板P实施所谓靠近式曝光的处理装置。曝光装置EX4将圆筒光罩DM与旋转筒DR的间隙设定得微小,照明机构IU直接对基板P照射照明光束EL,进行非接触曝光。
在本实施方式中,旋转筒DR通过从包含电动马达等致动器的第2驱动部36供给的转矩而旋转。例如由磁齿轮连结的驱动辊MGG以与第2驱动部36的旋转方向成为反向旋转的方式驱动第1筒部件21。
伴随着第2驱动部36使旋转筒DR旋转,驱动辊MGG和第1筒部件21联动地旋转。其结果是,第1筒部件21(圆筒光罩DM)和旋转筒DR同步移动(同步旋转)。
另外,曝光装置EX4具备编码器读头EN6,该编码器读头EN6对基板P检测成像光束EL的主光线入射至基板P的特定位置的刻度部GP的位置PX6。在此,使旋转筒DR的外周面中的卷绕基板P的外周面的直径、与刻度圆盘SD的刻度部GP的直径一致,因此位置PX6在从第2中心轴AX2观察时与上述的特定位置一致。
编码器读头EN7设定于设置方位线Le7上,该设置方位线Le7是使编码器读头EN6的设置方位线Le6朝向基板P的传送方向的后方侧(上游侧)绕旋转中心线AX2的轴旋转大致90°(90°±γ的范围)而得到的。
本实施方式的曝光装置EX4能够实施如下处理:将编码器读头EN7设为第1读取装置,将编码器读头EN6设为第2读取装置,利用第1读取装置的读取输出,对根据刻度部GP的读取输出求出的、将旋转筒DR的轴的位置与特定位置连结且与轴正交的方向的位移的成分进行修正。
以上说明的第7实施方式至第9实施方式例示了曝光装置来作为处理装置。作为处理装置,不限于曝光装置,处理部也可以是利用喷墨式的油墨滴下装置在作为被处理物体的基板P上印刷图案的装置。或者处理部也可以是检查装置。另外,转印处理部可以是按照与图案对应的形状在片状基板上照射光的光图案化装置、或者按照与图案对应的形状喷出油墨的液滴的油墨涂敷装置。
<元件制造方法>
接下来,参照图39来说明元件制造方法。图39表示第6实施方式的元件制造方法,作为一例,其为利用第6实施方式的处理装置(曝光装置)表示元件制造方法的流程图。
在图39所示的元件制造方法中,首先,进行例如基于有机EL等自发光元件的显示面板的功能和性能设计,通过CAD等设计所需的电路图案或配线图案(步骤S201)。然后,基于通过CAD等而设计的各种图层中的每一种的图案,来制作所需的图层量的圆筒光罩DM(步骤S202)。另外,准备卷绕有成为显示面板的基材的具有挠性的基板P(树脂膜、金属箔膜、塑料等)的供给用辊FR1(步骤S203)。
此外,在该步骤S203中准备的卷状的基板P根据需要可以是,对其表面进行了改性的基板、事先形成有基底层(例如基于压印方式的微小凹凸)的基板、预先层压有光感应性的功能膜或透明膜(绝缘材料)的基板。
然后,在基板P上形成由构成显示面板元件的电极和配线、绝缘膜、TFT(薄膜半导体)等构成的底板层,并且以层叠于该底板的方式形成基于有机EL等自发光元件的发光层(显示像素部)(步骤S204)。在该步骤S204中,也包含使用之前的各实施方式中说明的曝光装置EXA、EX2、EX3、EX4对光阻剂层进行曝光的以往的光刻工序。另外,也包含基于以下工序的处理:对代替光阻剂而涂敷有感光性硅烷耦合材料的基板P进行图案曝光而在表面形成亲水性和防水性的图案的曝光工序;对光感应性的触媒层进行图案曝光并通过无电解电镀法形成金属膜的图案(配线、电极等)的湿式工序;或者利用含有银纳米粒子的导电性油墨等描绘图案的印刷工序等。
然后,对于以辊方式在长条的基板P上连续地制造的每一显示面板元件来切割基板P,或在各显示面板元件的表面上粘贴保护膜(环境应对阻挡层)或彩色滤光片等而组装元件(步骤S205)。然后,进行检查工序,检查显示面板元件是否正常地发挥功能、或是否满足所期望的性能和特性(步骤S206)。通过以上所述,能够制造显示面板(柔性显示器)。
此外,上述的实施方式以及变形例的特征能够适当组合。另外,也存在没有使用一部分构成要素的情况。另外,在法令所允许的范围内,援用与上述的实施方式以及变形例中引用的曝光装置等相关的全部公开公报、专利公报以及美国专利的公开,作为本说明书的记载的一部分。
附图标记说明
9 搬送装置
11 处理装置
12 光罩保持装置
13 光源装置
14 控制装置
21 第1筒部件
23 引导辊
24 驱动辊
25 第1检测器
26 第1驱动部
31 引导部件
31 固体光源
33 第2引导部件
35 检测器
44 聚焦修正光学部件(聚焦调整装置)
45 像偏移修正光学部件
46 旋转修正机构(偏移调整装置)
47 倍率修正用光学部件
62 头部
AX2 旋转中心线(中心线)
AM1、AM2 观察方向
AMG1、AMG2 对准显微镜(对准系统)
GS1、GS2 曲面检测探针
GP 刻度部
CS 真圆度调整装置
DM 圆筒光罩
DR 旋转筒(旋转圆筒部件、旋转圆筒体、第2筒部件)
EN1、EN2 编码器读头、编码器读头部(读取机构)
EN3 编码器读头、编码器读头部(第3读取机构)
EN4、EN5、EN6、EN7、EH1、EH2、EH3、EH4、EH5 编码器读头、编码器读头部(读取机构)
EX、EXA、EX2、EX3、EX4 曝光装置(处理机构、处理装置)
P 基板
P2 第2面(支承面)
PO 多边形扫描单元
PP 推压部件
SA 速度测量装置
SD 刻度圆盘(刻度部件、圆盘状部件)
U3 处理装置(基板处理装置)

Claims (15)

1.一种基板处理装置,其将具有挠性的长条的片状基板卷绕在能够绕中心线旋转的旋转筒的圆筒状的外周面的一部分上而沿长度方向搬送,同时在由所述旋转筒支承的所述片状基板上形成图案,所述基板处理装置的特征在于,具有:
刻度部件,其为了计测所述旋转筒的外周面的圆周方向上的位置变化而与所述旋转筒一同绕所述中心线旋转,并且具有刻设为环状的刻度部;
处理机构,其在所述片状基板开始与所述旋转筒的外周面接触的进入区域与从所述外周面离开的脱离区域之间的圆周方向的特定位置上,在所述片状基板上形成图案;
第1图案检测装置,其在沿着所述外周面的设定于所述进入区域与所述特定位置之间的第1检测区域内,检测沿所述长度方向离散或连续地形成在所述片状基板上的特定图案;
第1读取机构,其从所述中心线观察而与所述刻度部相对地配置在与所述第1检测区域相同的方位,并读取所述刻度部;
第2图案检测装置,其在沿着所述外周面的设定于所述特定位置与所述脱离区域之间、或设定于所述第1检测区域与所述特定位置之间的第2检测区域内,检测所述片状基板的所述特定图案;和
第2读取机构,其从所述中心线观察而与所述刻度部相对地配置在与所述第2检测区域相同的方位,并读取所述刻度部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
当由所述第2图案检测装置检测到所述第1图案检测装置所检测到的所述特定图案时,将由所述第1读取机构计测的角度位置与由所述第2读取机构计测的角度位置之间的差值,和对应于所述1检测区域以所述中心线为基准的设置方位线与所述第2检测区域以所述中心线为基准的设置方位线之间的圆周方向上的张开角的值进行比较,且在产生误差时,认为所述片状基板在所述旋转筒上发生了滑动或伸缩。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
通过所述处理机构在所述片状基板上形成图案的所述特定位置包括分别沿所述旋转筒的外周面的圆周方向、以及所述旋转筒的所述中心线的方向以规定间隔错开的第1特定位置和第2特定位置,
所述处理机构具有在所述第1特定位置将图案形成在所述片状基板上的第1处理部、和在所述第2特定位置将图案形成在所述片状基板上的第2处理部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理机构是将与所述图案对应的曝光用的光分别在所述第1特定位置和所述第2特定位置向所述片状基板投射的曝光机构。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,还具有:
第3读取机构,其从所述中心线观察而与所述刻度部相对地配置在与所述第1特定位置相同的方位,并读取所述刻度部;和
第4读取机构,其从所述中心线观察而与所述刻度部相对地配置在与所述第2特定位置相同的方位,并读取所述刻度部。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述曝光机构具有:
驱动部,其使圆筒光罩与所述旋转筒的旋转同步地旋转,该圆筒光罩具有与应形成在所述片状基板上的所述图案对应的圆筒面状的光罩图案;
第1投影系统,其将所述光罩图案的第1区域在所述第1特定位置向所述片状基板投影;和
第2投影系统,其将所述光罩图案的第2区域在所述第2特定位置向所述片状基板投影。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述刻度部以环状刻设在所述旋转筒的外周面中不支承所述片状基板的所述中心线的方向上的两方的端部。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述刻度部件由与所述中心线同轴地固定在所述旋转筒的侧方的圆盘状部件构成,所述刻度部以环状刻设在所述圆盘状部件的外周面。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
使所述圆盘状部件的直径与所述旋转筒的外周面的直径一致。
10.一种基板处理装置,其将具有挠性的片状基板卷绕在能够绕中心线旋转的旋转筒的圆筒状的外周面上来支承,一边使所述旋转筒旋转一边在所述片状基板上形成图案,所述基板处理装置的特征在于,具有:
刻度部件,其为了计测所述旋转筒的外周面的圆周方向上的位置变化而与所述旋转筒一同绕所述中心线旋转,并且具有沿着圆周方向刻设为环状的刻度;
处理机构,其从所述中心线观察而在卷绕在所述外周面的所述片状基板的圆周方向的特定位置,在所述片状基板上形成图案;
第1读取机构,其与所述刻度部件的所述刻度相对地配置,并在所述刻度部件的圆周方向的与所述特定位置相同方位的第1位置读取伴随着所述旋转筒的旋转的所述刻度的位置变化;
第1图案检测装置,其在沿基于所述旋转筒的旋转决定的所述片状基板的搬送方向设定在所述特定位置的上游侧的接近位置的第1检测区域内,检测所述片状基板上所形成的特定图案;和
第2读取机构,其与所述刻度部件的所述刻度相对地配置,并在沿所述刻度部件的圆周方向与所述第1位置接近且与所述第1检测区域相同方位的第2位置上读取伴随着所述旋转筒的旋转的所述刻度的位置变化,
通过彼此接近的所述第1读取机构和所述第2读取机构在所述刻度部件的整个外周上计测所述刻度的所述圆周方向上的间距偏差,而制作与所述刻度部件的旋转角度位置对应的修正图。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
通过所述处理机构在所述片状基板上形成图案的所述特定位置包括沿所述旋转筒的外周面的圆周方向以规定间隔离开的第1特定位置和第2特定位置,
所述处理机构具有在所述第1特定位置将图案形成在所述片状基板上的第1处理部、和在所述第2特定位置将图案形成在所述片状基板上的第2处理部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
相对于基于所述旋转筒的旋转决定的所述片状基板的搬送方向,所述第1特定位置配置在所述第2特定位置的上游侧。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有第2图案检测装置,其在基于所述旋转筒的旋转决定的所述片状基板的搬送方向上,在与所述第2处理部形成所述图案的所述第2特定位置的下游侧接近地设定的第2检测区域内,检测所述片状基板的所述特定图案。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
在将所述第1读取机构配置在与所述第1特定位置相同的方位时,
所述基板处理装置还具有:
第3读取机构,其以从所述中心线观察成为与所述第2特定位置相同的方位的方式与所述刻度部件的所述刻度相对地配置,并读取所述刻度的位置变化;和
第4读取机构,其以从所述中心线观察成为与所述第2检测区域相同的方位的方式,与所述刻度部件的所述刻度相对并且在所述刻度部件的周向上与所述第3读取机构接近地配置,并读取所述刻度的位置变化。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
通过所述第3读取机构和所述第4读取机构来计测所述刻度的所述间距偏差。
CN201710064288.2A 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置 Active CN106597816B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-069092 2012-03-26
JP2012069092A JP6074898B2 (ja) 2012-03-26 2012-03-26 基板処理装置
JP2012255693A JP6123252B2 (ja) 2012-11-21 2012-11-21 処理装置及びデバイス製造方法
JP2012-255693 2012-11-21
CN201380015932.7A CN104204956B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380015932.7A Division CN104204956B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106597816A CN106597816A (zh) 2017-04-26
CN106597816B true CN106597816B (zh) 2019-08-27

Family

ID=49259452

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610576185.XA Active CN106200277B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 处理装置
CN201710064287.8A Active CN106773558B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 扫描曝光装置
CN201710064288.2A Active CN106597816B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置
CN201380015932.7A Active CN104204956B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610576185.XA Active CN106200277B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 处理装置
CN201710064287.8A Active CN106773558B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 扫描曝光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380015932.7A Active CN104204956B (zh) 2012-03-26 2013-03-08 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (7) US9651868B2 (zh)
KR (7) KR102125088B1 (zh)
CN (4) CN106200277B (zh)
TW (5) TWI686678B (zh)
WO (1) WO2013146184A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102125088B1 (ko) * 2012-03-26 2020-06-19 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치
WO2015060972A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-30 Applied Materials, Inc. Roll to roll mask-less lithography with active alignment
JP6337486B2 (ja) * 2014-02-03 2018-06-06 株式会社ニコン 基板処理装置
CN106164779B (zh) * 2014-04-01 2019-01-22 株式会社尼康 基板处理装置
TWI695235B (zh) * 2014-04-01 2020-06-01 日商尼康股份有限公司 圖案描繪裝置及元件製造方法
DE112015002191T5 (de) * 2014-05-09 2017-02-09 Raven Industries, Inc. Erfassungsanwendung für optischen Datenstrom in landwirtschaftlichen Fahrzeugen
JP6460110B2 (ja) * 2014-07-23 2019-01-30 株式会社ニコン 円筒部材の位置検出装置、基板処理装置及びデバイス製造方法
JP6384252B2 (ja) * 2014-10-07 2018-09-05 株式会社ニコン パターン露光装置
JP6794980B2 (ja) * 2015-02-27 2020-12-02 株式会社ニコン 基板処理装置、及びデバイス製造方法
JP6384372B2 (ja) * 2015-03-20 2018-09-05 株式会社ニコン 湿式処理装置
CN111665686B (zh) * 2015-06-17 2024-01-05 株式会社尼康 图案描绘方法
US9987655B2 (en) * 2015-06-26 2018-06-05 Tokyo Electron Limited Inline dispense capacitor system
BR112017027110B1 (pt) * 2015-06-30 2022-08-09 Pirelli Tyre S.P.A. Método para detectar defeitos na superfície de um pneu, e, aparelho para analisar pneus em uma linha de produção de pneus.
CN108351607B (zh) * 2015-10-30 2020-07-10 株式会社尼康 基板处理装置
WO2017170514A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社ニコン パターン描画装置、パターン描画方法、および、デバイス製造方法
KR102379193B1 (ko) * 2016-05-19 2022-03-28 가부시키가이샤 니콘 기판 지지 장치, 노광 장치, 및 패터닝 장치
TWI620038B (zh) 2017-01-11 2018-04-01 財團法人工業技術研究院 曝光方法和系統以及雷射直接成像系統
US9934933B1 (en) * 2017-01-19 2018-04-03 Kla-Tencor Corporation Extractor electrode for electron source
JP7070581B2 (ja) * 2017-09-26 2022-05-18 株式会社ニコン パターン描画装置
JP6500968B2 (ja) * 2017-11-28 2019-04-17 株式会社ニコン 基板処理装置
CN108490745B (zh) * 2018-06-27 2020-12-22 合肥泰沃达智能装备有限公司 一种旋转紫外曝光机
US11378392B2 (en) 2018-08-15 2022-07-05 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Marker
JP7162989B2 (ja) * 2019-02-04 2022-10-31 株式会社ミツトヨ 一次元測定機及びプログラム
JP6658938B2 (ja) * 2019-03-12 2020-03-04 株式会社ニコン 基板処理装置
NL2023384B1 (en) * 2019-06-26 2021-02-01 Confocal Nl B V Re-scan microscope system and method
JP6780750B2 (ja) * 2019-08-09 2020-11-04 株式会社ニコン 基板処理装置のテスト方法
JP2020021078A (ja) * 2019-09-03 2020-02-06 株式会社ニコン パターン描画装置
US20230152718A1 (en) * 2020-04-07 2023-05-18 Asml Netherlands B.V. Differential measurement system
TWI717294B (zh) * 2020-06-16 2021-01-21 聯策科技股份有限公司 可撓性基板水平濕製程方法
EP3929539B1 (de) * 2020-06-22 2022-08-24 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Abtasteinheit und damit ausgestatteter drehgeber
JP7579072B2 (ja) * 2020-06-29 2024-11-07 キヤノン株式会社 搬送装置、基板処理装置、および物品製造方法
CN113970370B (zh) * 2020-07-24 2024-02-02 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法
WO2022116017A1 (zh) * 2020-12-01 2022-06-09 深圳市速腾聚创科技有限公司 光栅盘、z相信号的识别方法、光电编码器和激光雷达
CN113050702B (zh) * 2021-06-02 2021-08-31 中科长光精拓智能装备(苏州)有限公司 柔性载体位置校正装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5970304A (en) * 1997-09-30 1999-10-19 Xerox Corporation Two sided imaging of a continuous web substrate with a single print engine with in line transfer stations
JP2006098719A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2008076650A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nikon Corp マスク、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2009528561A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
CN101533227A (zh) * 2009-03-31 2009-09-16 上海微电子装备有限公司 边缘曝光调整装置
CN101681810A (zh) * 2007-12-28 2010-03-24 株式会社尼康 移动体驱动方法及装置、曝光方法及装置、图案形成方法及装置、以及器件制造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58111328A (ja) * 1981-12-25 1983-07-02 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置
JPS6019037A (ja) 1983-07-14 1985-01-31 Nissan Motor Co Ltd 排ガス処理用触媒の製造方法
JPS6019037U (ja) 1983-07-18 1985-02-08 株式会社リコー 露光装置
JPS6449915A (en) 1987-08-20 1989-02-27 Fanuc Ltd Shaft run-out insensitive type optical rotary encoder
JP2642441B2 (ja) * 1988-09-14 1997-08-20 コアテック株式会社 エンジン組立て方法
JP2968149B2 (ja) 1993-05-24 1999-10-25 株式会社東京精密 円筒形状測定方法
JPH07140844A (ja) 1993-06-22 1995-06-02 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置の回転部材の角速度検出装置
JPH07153672A (ja) 1993-12-01 1995-06-16 Canon Inc 円柱状反射型マスク、該マスクを用いる露光方法と露光装置、これらにより製造された半導体デバイス
JP3166496B2 (ja) 1994-08-19 2001-05-14 富士電機株式会社 回転エンコーダの偏心誤差補正装置
JPH08213305A (ja) 1995-02-08 1996-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビーム転写装置および転写方法
US5788802A (en) * 1996-10-22 1998-08-04 Preco Industries, Inc. Vacuum drum feed and alignment apparatus for multiple layer laminator
US6383690B1 (en) * 1999-12-09 2002-05-07 Autologic Information International, Inc. Platemaking system and method using an imaging mask made from photochromic film
JP4298186B2 (ja) * 2001-06-22 2009-07-15 帝人コードレ株式会社 極細長繊維不織布の製造方法
US6865987B2 (en) * 2002-03-27 2005-03-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Sheet-shaped material positioning device and printing plate precursor exposure device
US7576509B2 (en) * 2003-09-10 2009-08-18 Ricoh Company, Limited Drive control method, drive control device, belt apparatus, image forming apparatus, image reading apparatus, computer product
JP4351509B2 (ja) 2003-09-19 2009-10-28 株式会社リコー 回転体の位置制御方法・回転体の位置制御装置・画像形成装置・画像読み取り装置・記録媒体
JP4481137B2 (ja) 2003-11-13 2010-06-16 アスモ株式会社 モータ、回転制御装置、及び回転検出回路
US7292308B2 (en) 2004-03-23 2007-11-06 Asml Holding N.V. System and method for patterning a flexible substrate in a lithography tool
US20050211991A1 (en) 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7126672B2 (en) 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4251158B2 (ja) * 2005-06-24 2009-04-08 パナソニック電工株式会社 充電器およびそれを用いる電動工具セット
US8122846B2 (en) * 2005-10-26 2012-02-28 Micronic Mydata AB Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
JP4938783B2 (ja) 2005-10-26 2012-05-23 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 書き込み装置及び書き込み方法
JP4984631B2 (ja) 2006-04-28 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法
WO2008029917A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Masque, appareil d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
KR20080076650A (ko) 2007-02-16 2008-08-20 삼성전자주식회사 광 픽업과 이를 갖는 디스크장치
JP2009042191A (ja) 2007-08-10 2009-02-26 Toyohashi Univ Of Technology 回転振れ測定装置およびスケール部
JP5708179B2 (ja) 2010-04-13 2015-04-30 株式会社ニコン 露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法
JPWO2011129369A1 (ja) 2010-04-13 2013-07-18 株式会社ニコン 露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法
WO2012050130A1 (ja) * 2010-10-12 2012-04-19 株式会社ニコン エンコーダ、駆動装置及びロボット装置
JP5623252B2 (ja) * 2010-11-15 2014-11-12 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP2014010296A (ja) 2012-06-29 2014-01-20 V Technology Co Ltd 露光装置及びfpr製造方法
KR102125088B1 (ko) * 2012-03-26 2020-06-19 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5970304A (en) * 1997-09-30 1999-10-19 Xerox Corporation Two sided imaging of a continuous web substrate with a single print engine with in line transfer stations
JP2006098719A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2009528561A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
JP2008076650A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nikon Corp マスク、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN101681810A (zh) * 2007-12-28 2010-03-24 株式会社尼康 移动体驱动方法及装置、曝光方法及装置、图案形成方法及装置、以及器件制造方法
CN101533227A (zh) * 2009-03-31 2009-09-16 上海微电子装备有限公司 边缘曝光调整装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102125088B1 (ko) 2020-06-19
US9651868B2 (en) 2017-05-16
CN106773558A (zh) 2017-05-31
TW201843535A (zh) 2018-12-16
US20150241778A1 (en) 2015-08-27
US20200089129A1 (en) 2020-03-19
TWI638241B (zh) 2018-10-11
TWI686678B (zh) 2020-03-01
TW202022505A (zh) 2020-06-16
US20190332018A1 (en) 2019-10-31
KR20200016409A (ko) 2020-02-14
TW201344373A (zh) 2013-11-01
US20180267413A1 (en) 2018-09-20
KR102022424B1 (ko) 2019-09-18
TWI734360B (zh) 2021-07-21
US20190025713A1 (en) 2019-01-24
WO2013146184A1 (ja) 2013-10-03
CN104204956B (zh) 2017-03-08
KR20190107758A (ko) 2019-09-20
KR101799145B1 (ko) 2017-12-12
KR101982460B1 (ko) 2019-05-27
KR20180097778A (ko) 2018-08-31
CN106200277B (zh) 2018-02-27
US10591827B2 (en) 2020-03-17
TWI594081B (zh) 2017-08-01
US10527945B2 (en) 2020-01-07
KR20170124648A (ko) 2017-11-10
US10007190B2 (en) 2018-06-26
KR102291281B1 (ko) 2021-08-20
KR102077439B1 (ko) 2020-02-13
KR101896206B1 (ko) 2018-09-07
CN104204956A (zh) 2014-12-10
US10156795B2 (en) 2018-12-18
TW201736986A (zh) 2017-10-16
US20200310253A1 (en) 2020-10-01
US10691027B2 (en) 2020-06-23
KR20200075030A (ko) 2020-06-25
TWI626515B (zh) 2018-06-11
KR20140146587A (ko) 2014-12-26
CN106200277A (zh) 2016-12-07
KR20190057161A (ko) 2019-05-27
CN106773558B (zh) 2018-05-11
US20170168400A1 (en) 2017-06-15
TW201732456A (zh) 2017-09-16
US11073767B2 (en) 2021-07-27
CN106597816A (zh) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106597816B (zh) 基板处理装置
JP6849119B2 (ja) 直描露光装置
KR102430139B1 (ko) 패턴 묘화 장치 및 패턴 묘화 방법
JP6074898B2 (ja) 基板処理装置
CN106933065B (zh) 基板处理装置
CN105556391B (zh) 基板处理装置、器件制造系统、器件制造方法及图案形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant