JP6109772B2 - 分離再生装置および基板処理装置 - Google Patents
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 254
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 254
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 253
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 250
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 224
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 52
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 41
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 31
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 17
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 95
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010812 mixed waste Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000009931 pascalization Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
まず本発明による分離再生装置が組込まれた基板処理装置について説明する。基板処理装置の一例として、基板であるウエハW(被処理体)に各種処理液を供給して液処理を行う液処理ユニット2と、液処理後のウエハWに付着している乾燥防止用の液体を超臨界流体(高圧流体)と接触させて除去する超臨界処理ユニット3(高圧流体処理ユニット)とを備えた液処理装置1について説明する。
次に基板処理装置に組み込まれた本実施の形態による分離再生装置について図5乃至図9により説明する。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
1 液処理装置
2 液処理ユニット
3 超臨界処理ユニット
3A 処理容器
4A 超臨界流体供給部
5 制御部
30 分離再生装置
31 混合排液タンク
32 油水分離器
33 バッファタンク
34 蒸留タンク
34a ヒータ
35 第1のタンク
36 第2のタンク
38 第1の供給ライン
42 第2の供給ライン
51 余剰圧戻しライン
52 余剰圧戻しライン
52a 先端
53 余剰圧戻しライン
55 合流ライン
55a 先端
61 逆止弁
62 逆止弁
63 逆止弁
70 液面センサ
Claims (11)
- フッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体と、第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より高い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤とを有する混合液を生成する大気開放系の混合液生成部と、
前記混合液のうち第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤を前記第1沸点と前記第2沸点との間の温度に加熱するヒータを含み、前記第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤を気体状の前記第1のフッ素含有有機溶剤と液体状の前記第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する蒸留タンクと、
前記蒸留タンクから流れてくる気体状の前記第1のフッ素含有有機溶剤を液化して貯留する第1のタンクと、
前記蒸留タンクから流れてくる液体状の前記第2のフッ素含有有機溶剤を貯留する第2のタンクとを備え、
前記第1のタンクと前記混合液生成部との間、および前記第2のタンクと前記混合液生成部との間に、前記第1のタンクおよび前記第2のタンクからの余剰圧を前記混合生成部へ戻す余剰圧戻しラインを各々設け、各余剰圧戻しラインの先端を前記混合液生成部内の混合液のうちフッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体の下方に配置したことを特徴とする分離再生装置。 - 前記混合液生成部と前記蒸留タンクとの間に、混合液をフッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体と、第1のフッ素含有有機溶剤および第2のフッ素含有有機溶剤とに分離する油水分離器を設けたことを特徴とする請求項1記載の分離再生装置。
- 各余剰圧戻しラインに逆流を防止する逆止弁を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の分離再生装置。
- 前記逆止弁はリリーフ弁又は圧力制御弁からなることを特徴とする請求項3記載の分離再生装置。
- 前記第1のタンクおよび前記第2のタンクは、前記混合液生成部より高い場所に設置されて余剰圧戻しライン内の逆流を防止することを特徴とする請求項1または2記載の分離再生装置。
- フッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体と、フッ素含有有機溶剤とを有する混合液を生成する混合液生成部と、
前記混合液のうちフッ素含有有機溶剤を貯留するバッファタンクを備え、
前記バッファタンクと前記混合液生成部との間に、前記バッファタンクからの余剰圧を前記混合液生成部へ戻す余剰圧戻しラインを設け、余剰圧戻しラインの先端を前記混合液生成部のうちフッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体の下方に配置したことを特徴とする分離再生装置。 - 前記混合液生成部と前記バッファタンクとの間に、混合液をフッ素含有有機溶剤に溶解せずなおかつ比重が軽い液体と、フッ素含有有機溶剤とに分離する油水分離器を設けたことを特徴とする請求項6記載の分離再生装置。
- 余剰圧戻しラインに逆流を防止する逆止弁を設けたことを特徴とする請求項6または7記載の分離再生装置。
- 前記逆止弁はリリーフ弁又は圧力制御弁からなることを特徴とする請求項8記載の分離再生装置。
- 前記バッファタンクは、前記混合液生成部より高い場所に設置されて、余剰圧戻しライン内の逆流を防止することを特徴とする請求項6または7記載の分離再生装置。
- 被処理体に第1沸点をもつ第1のフッ素含有有機溶剤と、第1沸点より高い第2沸点をもつ第2のフッ素含有有機溶剤を供給して液処理を行う液処理ユニットと、
液処理後の被処理体に付着しているフッ素含有有機溶剤の液体をフッ素含有有機溶剤の超臨界流体と接触させて除去する超臨界処理ユニットと、
前記液処理ユニットで液処理された被処理体を前記超臨界処理ユニットへ搬送する基板搬送ユニットと、を備え、
前記液処理ユニットまたは/および前記超臨界処理ユニットに請求項1記載の分離再生装置が組み込まれている、ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014050876A JP6109772B2 (ja) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | 分離再生装置および基板処理装置 |
US14/644,344 US20150258466A1 (en) | 2014-03-13 | 2015-03-11 | Separation and regeneration apparatus and substrate processing apparatus |
KR1020150033589A KR102251259B1 (ko) | 2014-03-13 | 2015-03-11 | 분리 재생 장치 및 기판 처리 장치 |
TW104107840A TWI599391B (zh) | 2014-03-13 | 2015-03-12 | 分離再生裝置及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014050876A JP6109772B2 (ja) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | 分離再生装置および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015176935A JP2015176935A (ja) | 2015-10-05 |
JP6109772B2 true JP6109772B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=54067907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014050876A Active JP6109772B2 (ja) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | 分離再生装置および基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150258466A1 (ja) |
JP (1) | JP6109772B2 (ja) |
KR (1) | KR102251259B1 (ja) |
TW (1) | TWI599391B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6641810B2 (ja) | 2015-09-08 | 2020-02-05 | スズキ株式会社 | 車両用の変速システム |
JP6444843B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2018-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR20180013337A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6925219B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2020141052A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、半導体製造装置、および基板処理方法 |
JP7254163B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6128830A (en) * | 1999-05-15 | 2000-10-10 | Dean Bettcher | Apparatus and method for drying solid articles |
JP3803921B2 (ja) | 2002-04-15 | 2006-08-02 | 株式会社トータルシステムズ | 溶剤分離装置及びこれを使用した洗浄システム |
JP4393268B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2010-01-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細構造体の乾燥方法 |
JP2009164214A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法 |
JP5268463B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-08-21 | 新オオツカ株式会社 | 被処理物洗浄装置 |
JP5506461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
JP6068029B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2017-01-25 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
-
2014
- 2014-03-13 JP JP2014050876A patent/JP6109772B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-11 KR KR1020150033589A patent/KR102251259B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-11 US US14/644,344 patent/US20150258466A1/en not_active Abandoned
- 2015-03-12 TW TW104107840A patent/TWI599391B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015176935A (ja) | 2015-10-05 |
US20150258466A1 (en) | 2015-09-17 |
KR102251259B1 (ko) | 2021-05-11 |
KR20150107638A (ko) | 2015-09-23 |
TW201545801A (zh) | 2015-12-16 |
TWI599391B (zh) | 2017-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6109772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |