JP6151616B2 - 電子部品搭載用基板および電子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 112
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 66
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 46
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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Description
なるため、温度サイクルが繰り返し負荷される環境下において、部材間の線熱膨張係数差(電子部品または外部回路基板と絶縁基板との線熱膨張係数の差等)によって生じる熱応力を緩和することが十分にできなくなる可能性がある。そのため、はんだおよび絶縁基板等の一部にクラックが生じてしまうという問題点が誘発される可能性がある。特に、熱応力が比較的大きくなる傾向がある外部回路基板側において、この問題点が発生する可能性が高い。
本発明の電子部品搭載用基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図1(a)は本発明の実施形態の電子部品搭載用基板を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)の下面図であり、図1(c)は図1(a)のA−A線における断面図である。また、図2は、本発明の第1の実施形態の電子装置を示す断面図であり、例えば、図1に示す電子部品搭載用基板9に電子部品10が搭載されて電子装置99が形成されている。この電子装置99は、さらに外部回路基板20に実装されている。
た加工方法によって適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層したセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成すること
によって絶縁基板5を製作することができる。
説明においては、主に、フェイスダウンタイプの半導体集積回路素子を電子部品10として例に挙げる。
れている。図1に示した例においては、複数の第1接続パッド11は格子状に等間隔に配列されているが、千鳥状に配列されていたり、部分的に配列間隔が異なっていたりしてもよい。複数の第1接続パッド11は、例えば配列間隔が約100μm〜300μmに設定されて配列されている。
る。図1の例のように、部材間の熱応力が最も大きく生じる角部において、第2接続パッド22が配置されない場合もある。また、角部にダミーパッド(図示せず)が配置される場合もある。
めっき層上に金めっき層を形成しても構わない。また、めっき層4は、ニッケルを含んでいればよく、上記のようなニッケル−リンまたはニッケル−ホウ素めっき層、ニッケル−コバルトめっき層、パラジウムめっき層等を含んでいても構わない。
強度がさらに高められる。そのため、電子部品10の電子部品搭載用基板9に対する搭載の信頼性がより高い電子部品搭載用基板9、および電子装置99を提供することができる。また、銅層3が比較的厚いため、エレクトロマイグレーションを抑制する銅成分のはんだ部材7への供給の点においてもより有利である。
図4(a)は本発明の第2の実施形態の電子装置における複数の第1接続パッド11のうち一つの第1接続パッド11およびその周囲を示す要部拡大断面図であり、図4(b)は本発明の第2の実施形態の電子装置99における複数の第2接続パッド22のうち一つの第2接続パッド22、およびその周囲を示す要部拡大断面図である。図4において図3と同様の部位には同様の符号を付している。
考慮して、銅層3の厚みを下地層3aより厚く形成することで、はんだ部材7の内部へ銅原子を十分に供給させることができる。なお、下地層3aはガラスが含有されており、ガラス部分には電流が流れないため、銅層3よりも電流密度が高くなってしまい、エレクトロマイグレーションの抑制が不十分になる可能性がある。そのため、第1接続パッド11においては、下地層3aは銅層3よりも薄いほうがよい。このとき、図4(a)に示したように、下地層3aが銅層3と絶縁基板5の間に介在するように重畳形成することで、銅層3と絶縁基板5との間をさらに強固に接合させることができる。
2・・・第2主面
11・・・第1接続パッド
22・・・第2接続パッド
3・・・銅層
3a・・下地層
4・・・めっき層
5・・・絶縁基板
5a・・搭載部
6・・・配線導体
7・・・はんだ部材
8・・・樹脂材料
9・・・電子部品搭載用基板
10・・・電子部品
20・・・外部回路基板
99・・・電子装置
Claims (8)
- 電子部品の搭載部を含む第1主面、および該第1主面と反対側の第2主面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記搭載部に設けられた複数の第1接続パッドと、
前記絶縁基板の前記第2主面に、平面透視で前記搭載部よりも広い範囲で設けられており、前記複数の第1接続パッドよりも大きい複数の第2接続パッドとを備えており、
前記複数の第1接続パッドは、少なくともその露出表面部が銅層からなるものを含んでおり、
前記複数の第2接続パッドのうち少なくとも前記第2主面の外周側に位置しているものは、その露出表面が、ニッケルを含むめっき層で被覆されており、
前記絶縁基板は、ガラスを含有するセラミック質焼結体からなり、
前記複数の第1接続パッドおよび前記複数の第2接続パッドは、前記絶縁基板の前記第1主面または前記第2主面に順次設けられた、銅材料にガラスが添加された混合材料からなる下地層と、前記銅層とからなり、
前記複数の第1接続パッドにおいては前記銅層の厚みが前記下地層の厚みよりも大きく、前記複数の第2接続パッドにおいては前記下地層の厚みが前記銅層の厚みよりも大きいことを特徴とする電子部品搭載用基板。 - 前記複数の第1接続パッドおよび前記複数の第2接続パッドは、信号パッド、基準電位パッドおよび電源パッドを含んでおり、
少なくとも前記複数の第1接続パッドに含まれている前記基準電位パッドおよび前記電源パッドの露出表面部が前記銅層からなることを特徴とする請求項1に記載の電子部品搭載用基板。 - 少なくとも前記複数の第2接続パッドに含まれている前記信号パッドの露出表面が前記ニッケルを含むめっき層で被覆されていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品搭載用基板。
- 前記複数の第2接続パッドが前記第2主面に縦横の並びに配列されており、前記複数の第2接続パッドに含まれている前記信号パッドが前記第2主面の外周側の辺部分に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の電子部品搭載用基板。
- 前記複数の第2接続パッドのうち少なくとも前記縦横の並びの角部分に位置するものは、前記基準電位パッドおよび前記電源パッドであり、その表面が前記ニッケルを含むめっき
層で被覆されていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品搭載用基板。 - 前記複数の第1接続パッドが前記搭載部に縦横の並びに配列されており、前記複数の第1接続パッドおよび前記複数の第2接続パッドのうち前記縦横の並びの角部分に位置するものは、他の部分に位置するものよりも平面視において大きいことを特徴とする請求項4に記載の電子部品搭載用基板。
- 前記絶縁基板の前記第1主面の表面粗さが、前記第2主面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の電子部品搭載用基板。
- 請求項1〜請求項7のいずれかに記載の電子部品搭載用基板と、
前記絶縁基板の前記第1主面の第1接続パッドにはんだ部材を介して接続された電子部品と、
前記絶縁基板と前記電子部品の間に設けられた樹脂材料とを備えていることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013201726A JP6151616B2 (ja) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013201726A JP6151616B2 (ja) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015070047A JP2015070047A (ja) | 2015-04-13 |
JP6151616B2 true JP6151616B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=52836472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013201726A Expired - Fee Related JP6151616B2 (ja) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6151616B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7441820B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2024-03-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体基板および半導体モジュール |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05330958A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Okuno Chem Ind Co Ltd | メタライズ下地層形成用ガラス組成物 |
JPH11214576A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Nhk Spring Co Ltd | 半導体チップ搭載用パッケージ |
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JP5848139B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-01-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびはんだバンプ付き配線基板ならびに半導体装置 |
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JP5574132B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-08-20 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板および半導体パッケージ |
-
2013
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---|---|
JP2015070047A (ja) | 2015-04-13 |
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