JP5995579B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板に半導体発光素子をフリップチップ実装し、この半導体発光素子を被覆部材により被覆した半導体発光装置に関する。

ウェハーから切り出された半導体発光素子（以後とくに断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）を回路基板に実装し、樹脂やガラス等の被覆部材で被覆してパッケージ化した半導体発光装置（以後とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）が普及している。このＬＥＤ装置は、使用状況によりさまざまな形態をとるが、このなかで放熱性、薄さ、作り易さ、部材費用削減を重視し、ＬＥＤダイをＦＰＣ（フレキシブル・プリンテッド・サーキット）基板に実装することがある。

例えば特許文献１の図４にはＦＰＣ基板上にＬＥＤダイが実装される様子が示されている。そこで特許文献１の図４を図７に再掲示し、ＬＥＤダイの実装状況を説明する。なお図７はＦＰＣ基板（フレキシブル基板１００）へＬＥＤダイ（ＬＥＤ１０２）を接合させる工程を示す断面図であるため、ＬＥＤダイ（ＬＥＤ１０２）を被覆する被覆部材は図示されていない。

フレキシブル基板１００上のパッド２０４にはスタッドバンプ２０２が取り付けられている。このスタッドバンプ２０２にＬＥＤ１０２の接続用電極であるコンタクト２２０ａ及び２２０ｂが位置合わせされている。なおコンタクト２２０ａはｎ型層１０２ａと接続し、同様にコンタクト２２０ｂはｐ型層１０２ｂと電気的に接続している。またｎ型層１０２ａ及びｐ型層１０２ｂの間には活性領域１０２ｃが介在している。ここでＬＥＤ１０２はフレキシブル基板１００にサーモソニック結合される。すなわちフレキシブル基板１００を加熱した状態で、ＬＥＤ１０２は矢印２２４によって示される方向に結合ツール２２２で加圧される。このとき矢印２２６により示されるように超音波振動が印加される。

図７に示されるＬＥＤ装置に含まれるフレキシブル基板１００は、上面側にパッド２０４が図示されていることから、上面側と下面側にそれぞれ金属電極層を有する２層ＦＰＣ基板であるものと考えられる。この２層ＦＰＣ基板は、上下の金属電極層の間に絶縁層を必要とし、さらにこの絶縁層に上下の金属電極層を接続するためのスルーホールを必要とする。つまり２層ＦＰＣ基板は、この絶縁層による放熱性の悪化や、複雑な構造による製造工程の長期化が課題となる。そこで、例えば特許文献２の図１に示されるように、ＦＰＣ基板の金属電極層を１層化することが提案されるようになった。

特許文献２の図１を図８に再掲示しその様子を説明する。図８は従来のＬＥＤ装置１０の断面図である。ＬＥＤ装置１０はフレキシブルプリント基板４（ＦＰＣ基板）にＬＥＤ素子３（ＬＥＤダイ）を実装し、ＬＥＤ素子３をシリコーン樹脂１７で被覆している。フレキシブルプリント基板４は、ポリイミドフィルム１８と、金属パターン１１，１２からなり、凹部１，２を備えている。凹部１，２はポリイミドフィルム１８に設けられた貫通孔と、その貫通孔の下面の開口部を塞ぐ金属パターン１１，１２とからなる。ＬＥＤ素子３に含まれるサファイヤ基板１６は金属パターン１１にダイボンディングされ、半導体層１５の二つの電極（アノードとカソード）はワイヤ１３により金属パターン１１，１２と接続されている。ＬＥＤ素子３及びフレキシブルプリント基板４の上部は蛍光体を含有するシリコーン樹脂１７により被覆されている。

特開２００５−３２２９３７号公報 （図４） 特開２０１２−６４８４１号公報 （図１）

図７に示した工程で製造されるＬＥＤ装置は、半導体層（ｎ型層１０２ａ、ｐ型層１０２ｂ）がＦＰＣ基板（フレキシブル基板１００）と直接的に接続するフリップチップ実装を採用しているため、フリップチップ実装による発光効率の良さ及び放熱性の良さを享受している。とはいっても前述したようにこのＬＥＤ装置は放熱性を損なう２層ＦＰＣ基板を使っているので、フリップチップ実装の長所を十分には発揮できていない。またこの２層ＦＰＣ基板は製造工程を長くしている。

これに対し図８に示したＬＥＤ装置１０に含まれるＦＰＣ基板（フレキシブルプリント基板４）は、金属電極層（金属パターン１１，１２）を下面にのみ備えているので放熱性が良く、さらに構造が簡単なため製造工程の長期化を招くこともない。しかしながらＬＥＤ装置１０は、ダイボンディングとワイヤボンディングを使用するいわゆるフェイスアップ実装を採用しているため、ワイヤ１４の影による発光効率の低下や、サファイヤ基板１６による放熱性の悪化が課題となっている。

以上の理由から、放熱性や発光効率を改善するには下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板にＬＥＤダイをフリップチップ実装したＬＥＤ装置が望まれる。しかしながらこのようなＬＥＤ装置を実用化するには、このＬＥＤ装置を容易に製造できなければならないという課題が発生する。

そこで本発明は、この課題を解決するため、下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板にＬＥＤダイをフリップチップ実装しても、製造が容易なＬＥＤ装置及びそのＬＥＤ装置を容易に製造できる製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の半導体発光装置の製造方法は、下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法において、
予め複数の開口部を形成した大判のポリイミドフィルムを準備するポリイミドフィルム準備工程と、
前記ポリイミドフィルムを金属箔に貼りつけ、該金属箔のパターニングにより前記金属電極層を形成し大判ＦＰＣ基板を作成する大判ＦＰＣ基板作成工程と、
前記ポリイミドフィルムの前記開口部から露出した前記金属電極層に複数の半導体発光素子をフリップ実装するフリップチップ実装工程と、
前記半導体発光素子の側面及び上面並びに前記大判ＦＰＣ基板の上面を被覆部材で被覆する被覆工程と、
前記大判ＦＰＣ基板を個片化して個別の半導体発光装置を得る個片化工程と
を有することを特徴とする。

本発明の半導体発光装置の製造方法で使用する大判ＦＰＣ基板は、上層が金属電極層を連結するポリイミドフィルム、下層がパターニングした金属電極層だけからなり、極めて単純な構造となっている。またこの製造方法では、前記大判ＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップ実装したら半導体発光素子の側面及び上面並びに大判ＦＰＣ基板上面を被覆部材で被覆し、最後に被覆部材で被覆された大判ＦＰＣ基板を切断することにより個片化した半導体発光素子を得ている。すなわち被覆部材は半導体発光素子を保護しその発光を調
整する部材であるとともに、硬化により大判ＦＰＣ基板を支持する部材としても機能する。

前記ポリイミドフィルム準備工程において前記開口部をプレスにより形成しても良い。

前記大判ＦＰＣ基板作成工程において前記金属箔のパターニング前にポリイミドフィルム側から前記金属箔を支持する支持フィルムの貼付又は支持用樹脂の塗布を行っても良い。

前記大判ＦＰＣ基板作成工程において前記金属箔を帯状にパターニングしても良い。

前記被覆工程において前記被覆部材により前記半導体発光素子の底面を被覆しても良い。

前記被覆工程において前記被覆部材が上層と下層を有し、前記下層の被覆部材が白色反射部材であり、前記上層の被覆部材が蛍光部材であり、前記白色反射部材により前記半導体発光素子の側面を被覆し、前記蛍光部材により前記半導体発光素子の上面を被覆しても良い。

前記被覆工程において前記蛍光部材が蛍光体シートであり、該蛍光体シートを前記半導体発光素子の上面に貼り付けても良い。

上記課題を解決するため本発明の半導体発光装置は、下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装した半導体発光装置において、平面的に配列し間隙を有する一対の金属電極層と、前記一対の金属電極層を連結し、且つ前記一対の金属電極層の上面周辺部で前記一対の金属電極層と接着するポリイミドフィルムと、 前記間隙を跨ぐようにして前記一対の金属電極層にフリップ実装された半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の側面及び上面並びに前記一対の金属電極層の上面を被覆する被覆部材とを備え、前記ポリイミドフィルムが前記一対の金属電極層の対向する２辺にのみあることを特徴としている。

本発明の半導体発光装置に含まれるＦＰＣ基板は、上層が金属電極層を連結するポリイミドフィルム、下層がパターニングされた金属電極層だけからなり、極めて単純な構造となっている。また本発明の半導体発光装置に含まれる被覆部材は、ＦＰＣ基板にフリップ実装した半導体発光素子及びＦＰＣ基板上面の被覆において、半導体発光素子の保護及び発光特性の調整を行っているとともにＦＰＣ基板を補強している。

前記被覆部材が白色反射部材と蛍光部材を含み、前記半導体発光素子の側面を前記白色反射部材により被覆し、前記半導体発光素子の上面を前記蛍光部材で被覆しても良い。

前記蛍光部材が蛍光体シートであっても良い。

前記金属電極層が長方形であり、前記間隙に沿わない前記金属電極層の三辺が前記ＦＰＣ基板の端部と一致していても良い。

以上のように本発明の半導体発光装置の製造方法は、極めて単純な構造の大判ＦＰＣ基板を使い、同時に大判ＦＰＣ基板を被覆する被覆部材が補強用の部材並びに保護用及び光学用の部材として機能しているため、構成する部材が少なくなり、下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装した半導体発光装置を容易に製造できる。

以上のように本発明の半導体発光装置は、下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装していても、極めて単純な構造のＦＰＣ基板と複数の機能を果たす被覆部材を含む構造であるため、構成する部材が少なくなり製造し易い。

本発明の実施形態におけるＬＥＤ装置の外形図。 図１のＬＥＤ装置の内部構造を示す斜視図。 図１のＬＥＤ装置の内部構造を示す平面図と断面図。 図１のＬＥＤ装置の製造に用いる大判ＦＰＣ基板の平面図。 図１のＬＥＤ装置に対する製造方法の説明図。 図１のＬＥＤ装置に対する製造方法の説明図。 従来のＬＥＤ装置の断面図。 従来のＬＥＤ装置の断面図。

以下、添付図１〜６を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。

図１により本発明の実施形態におけるＬＥＤ装置２０（半導体発光装置）の外形を説明する。図１はＬＥＤ装置２０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が底面図、（ｄ）が右側面図である。（ａ）に示すように、ＬＥＤ装置２０を上部から眺めると長方形の蛍光部材２１（被覆部材）のみが見える。（ｂ）に示すようにＬＥＤ装置２０を正面から眺めると、蛍光部材２１の下に白色反射部材２２、ポリイミドフィルム２３、接続電極（金属電極層）２４，２５が見え、接続電極２４，２５の間隙２７にも白色反射部材２２が存在する。（ｃ）に示すようにＬＥＤ装置２０を底面から眺めると、長方形の接続電極２４，２５と、その間隙２７に充填された白色反射部材２２が見える。（ｄ）に示すようにＬＥＤ装置２０を右側面から眺めると、蛍光部材２１の下に白色反射部材２２、ポリイミドフィルム２３，２６、接続電極２５が見え、ポリイミドフィルム２３，２６が接続電極２５の上面の両端部にあることが分かる。

次に図２により、図１に示したＬＥＤ装置２０の内部構造を説明する。図２はＬＥＤ装置２０から蛍光部材２１と白色反射部材２２を取り去った状態を示す斜視図である。ＦＰＣ基板２８は接続電極２４，２５とポリイミドフィルム２３，２６からなる。すなわちＦＰＣ基板２８は、上層にポリイミドフィルム２３，２６があり、ポリイミドフィルム２３，２６が下層の接続電極２４，２５を連結している。以上のようにＦＰＣ基板２８は極めて単純な構造となっている。またポリイミドフィルム２３，２６は一対の接続電極２４，２５の対向する２辺に沿って接続電極２４，２５に接着している。ＬＥＤダイ３４は接続電極２４，２５の間隙を跨ぐようにして接続電極２４，２５にフリップ実装されている。なおＬＥＤダイ３４はその上部を占めるサファイヤ基板３１のみが見えている（後述する図３（ｂ）参照）。

次に図３によりＬＥＤ装置２０の内部構造をさらに詳しく説明する。図３はＬＥＤ装置
２０の内部構造を示す平面図と断面図であり、（ａ）が図１に示したＬＥＤ装置２０から蛍光部材２１と白色反射部材２２を取り去った状態を示す平面図、（ｂ）が図１（ａ）のＡＡ線に沿って描いた断面図、（ｃ）が図１（ａ）のＢＢ線に沿って描いた断面図である。（ａ）に示すように接続電極２４，２５の間には間隙２７が存在し、ＬＥＤダイ３４が接続電極２４，２５の間隙２７を跨ぐようにしてフリップ実装されている。

図３（ｂ）の断面図では、突起電極３３上に半導体層３２とサファイヤ基板３１が積層したＬＥＤダイ３４が示されている。突起電極３３はアノードとカソードであり、Ａｕ−Ｓｎ共晶や高融点半田等で接続電極２４，２５と接続している。またＬＥＤダイ３４は、側面と底面が白色反射部材２２で被覆され、上面が蛍光部材２１で被覆されている。蛍光部材２１は白色反射部材２２の上面も被覆している。

図３（ｃ）の断面図では、接続電極２５上の左右の端部にポリイミドフィルム２３，２６が積層し、中央部にＬＥＤダイ３４が積層している様子が示されている。またＬＥＤダイ３４は、側面が白色反射部材２２で被覆され、ＬＥＤダイ３４及び白色反射部材２２の上面が蛍光部材２１で被覆されている。

ポリイミドフィルム２３，２６は厚さが１２〜５０μｍである。接続電極２４，２５は銅箔にＮｉ−Ａｕ又はＳｎをメッキしたものであり、銅箔の厚さが１８〜７０μｍ、メッキの厚さが１〜６μｍである。蛍光部材２１は、シリコーン樹脂に蛍光体微粒子を混練したシートを貼り付けたものであり、厚さが約１００μｍである。白色反射部材２２はシリコーン樹脂にアルミナや酸化チタン等の反射性微粒子を混練し硬化させたものである。

白色反射部材２２はＬＥＤダイ３４の側面から出射しようとする光をＬＥＤダイ３４内に戻し、最終的にＬＥＤダイ３４の上方に向かわせようとしている。蛍光部材２１はＬＥＤダイ３４の発光の一部を波長変換するものである。また白色反射部材２２と蛍光部材２１でＦＰＣ基板２８を補強し、ＬＥＤ装置２０全体の強度を保っている。

ＬＥＤダイ３４はサファイヤ基板３１及び半導体層３２、突起電極３３を含む。サファイヤ基板３１の厚さは８０〜１５０μｍ、半導体層３２の厚さは１０μｍ弱、突起電極３３の厚さは１０〜３０μｍ程度である。半導体層３２は、ＧａＮバッファ層とｎ型ＧａＮ層を含むｎ型半導体層と、ｐ型ＧａＮ層とともに反射層や原子拡散防止層などの金属多層膜を含むｐ型半導体層とからなる。なお発光層はｐ型半導体層とｎ型半導体層の境界部にある。突起電極３３はＡｕ又はＣｕをコアとするバンプであり電解メッキ法で形成する。

次に図４により大判ＦＰＣ基板４０について説明する。図４は大判ＦＰＣ基板４０の平面図である。大判ＦＰＣ基板４０は、それぞれ帯状のポリイミドフィルム４１と金属電極層４２により格子を為しており、個片化すると多数のＦＰＣ基板２８が得られる。そこで参考のため図中に一個のＦＰＣ基板２８が得られる領域を破線で示した。また図示していないが帯状のポリイミドフィルム４１の左右の端部は連結している。隣接する金属電極層４２の間には間隙４３があり、間隙４３は個片化すると間隙２７（図３（ａ）参照）となる。同様に金属電極層４２は個片化すると接続電極２４，２５（図３（ａ）参照）となる。

次に図５と図６によりＬＥＤ装置２０の製造方法を説明する。図５、図６は図１のＬＥＤ装置に対する製造方法の説明図であり、図５が図４で示した大判ＦＰＣ基板４０を得るまでの工程を示し、図６がその後ＬＥＤ装置２０を得るまでの工程を示している。なお実際の製造工程では、多数のＬＥＤダイ実装領域を有する大判ＦＰＣ基板４０を用いて多数のＬＥＤ装置２０を同時並行的に製造している。しかしながら図５、図６の説明では、各工程に対し概ね一個分のＬＥＤ装置２０について特徴的な状態の断面図を示した。また図
中、左側が正面から見た断面図、右側が右側面方向から見た断面図であり、それぞれ図３（ｂ）、（ｃ）に対応する。

図５（ａ）は予め複数の開口部を形成した大判のポリイミドフィルム４１を準備するポリイミドフィルム準備工程を示している。ポリイミドフィルム４１の開口は、平板状のポリイミドシートをプレス加工することにより形成する。このとき同時に平板状の金属箔４２ａを準備する。

図５（ｂ）〜（ｅ）は、大判のポリイミドフィルム４１を金属箔４２ａに貼りつけ、金属箔４２ａのパターニングにより金属電極層４２を形成し大判ＦＰＣ基板４０を作成する大判ＦＰＣ作成工程を示している。まず（ｂ）に示すように大判のポリイミドフィルム４１を接着剤で金属箔４２ａに貼り付ける。次に（ｃ）に示すように支持用樹脂５１を上面側に塗布し、支持用樹脂５１を硬化させる。次に（ｄ）で示すように金属箔４２ａをエッチングし、帯状の金属電極層４２を形成（パターニング）する。最後に（ｅ）で示すように支持用樹脂５１を除去し、金属電極層４２をメッキする。なお支持用樹脂５１の塗布は支持用フィルムの貼付に置き換えることが可能である。この支持用フィルムはポリイミドフィルム４１側から金属箔４２ａに貼り付け、金属箔４２ａのパターニング後剥がす。

図６（ａ）は、大判ＦＰＣ基板４０に含まれる金属電極層４２に複数のＬＥＤダイ３４をフリップ実装するフリップチップ実装工程を示している。ＬＥＤダイ３４はポリイミドフィルム４１の開口部から露出した金属電極層４２にフリップチップ実装する。なお金属電極層４２の下面には支持フィルム（図示せず）を貼り付けておく（以下同様）。ＬＥＤダイ３４を一個ずつ大判ＦＰＣ基板４０上に配列させても良いが、予め電極面を上にして複数のＬＥＤダイ３４を粘着シート上に配列させておき、この粘着シートを上下反転し一回的に多数のＬＥＤダイ３４を大判ＦＰＣ基板４０に接合するのが好ましい。この接合はＡｕ−Ｓｎ共晶か高融点半田で行う。

図６（ｂ）〜（ｃ）は被覆工程を示し、このうち（ｂ）がＬＥＤダイ３４の側面及び底面並びに大判ＦＰＣ基板４０を白色反射部材４６で被覆する工程であり、（ｃ）がＬＥＤダイ３４の上面及び白色反射部材４６の上面を蛍光部材４７で被覆する工程である。（ｂ）の工程ではＬＥＤダイ３４の上面を覆わないように硬化前の白色反射部材４６をディスペンサで大判ＦＰＣ基板４０上に塗布する。（ｃ）の工程ではこの大判ＦＰＣ基板４０を加熱し白色反射部材４６を硬化させたらシート状の蛍光部材４７を貼り付ける。なお（ｂ）の工程でスキージにより白色反射部材４６を塗布する場合は、塗布後白色反射部材４６の上面を研磨しＬＥＤダイ３４の上面を露出させる。また蛍光部材４７は、硬化前のシリコーン樹脂に蛍光体を混練した蛍光樹脂を塗布し、その後加熱により硬化させて形成しても良い。

図６（ｄ）は、被覆し終わった大判ＦＰＣ基板４０を個片化して個別のＬＥＤ装置２０を得る個片化工程を示している。切断はダイシングで行う。このとき（ａ）で示した支持フィルムを切断しないようにし、個片化後ＬＥＤ装置２０を支持フィルムから拾い上げる。

なお、本実施形態のＬＥＤ装置２０では、ＦＰＣ基板２８において接続電極２４，２５を連結する部材がポリイミドフィルム２３，２６であった（図２参照）。しかしながら接続電極２４，２５を連結させる部材はポリイミドフィルムに限られず、例えば予め開口を形成した薄いガラエポ基板を金属箔に貼り付け、その後金属箔をパターニングして接続電極を形成しても良い。しかしながらポリイミドフィルムは加工性が良く、プレス加工で開口を形成する際にバリが出にくいという特徴がある。

また本実施形態のＬＥＤ装置２０ではポリイミドフィルム２３，２６がＦＰＣ基板２８の長辺に沿って２本配置されていた（図３参照）が、ポリイミドフィルムがＦＰＣ基板２８の周囲を一周するようにしても良い。また本実施形態のＬＥＤ装置２０では接続電極２４，２５の３辺がＦＰＣ基板２８の外形と一致していた（図３参照）が、接続電極の３辺をＦＰＣ基板の内側に収まるようにしても良い。この場合ＦＰＣ基板の外形はポリイミドフィルムの外形と一致する。しかしながら実施形態２０のようにポリイミドフィルム２３，２６を配置し、金属電極層が接続電極２４，２５の形状をとることで大判ＦＰＣ基板４０（図４参照）の構造が単純化し製造が容易になる。

また本実施形態のＬＥＤ装置２０では被覆部材が白色反射部材２２と蛍光部材２１からなっていた（図３参照）が、被覆部材全体を蛍光部材としても良い。この場合はＬＥＤ装置の側方にも光が出射する。

２０…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
２１，４７…蛍光部材（被覆部材）、
２２，４６…白色反射部材（被覆部材）、
２３，２６，４１…ポリイミドフィルム、
２４，２５…接続電極
２７，４３…間隙、
２８…ＦＰＣ基板、
３１…サファイヤ基板、
３２…半導体層、
３３…突起電極、
３４…ＬＥＤダイ（半導体発光素子）、
４０…大判ＦＰＣ基板、
４２…金属電極層、
４２ａ…金属箔、
５１…支持用樹脂。

Claims (11)

1. 下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法において、
   予め複数の開口部を形成した大判のポリイミドフィルムを準備するポリイミドフィルム準備工程と、
   前記ポリイミドフィルムを金属箔に貼りつけ、該金属箔のパターニングにより前記金属電極層を形成し大判ＦＰＣ基板を作成する大判ＦＰＣ基板作成工程と、
   前記ポリイミドフィルムの前記開口部から露出した前記金属電極層に複数の半導体発光素子をフリップ実装するフリップチップ実装工程と、
   前記半導体発光素子の側面及び上面並びに前記大判ＦＰＣ基板の上面を被覆部材で被覆する被覆工程と、
   前記大判ＦＰＣ基板を個片化して個別の半導体発光装置を得る個片化工程と
   を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
2. 前記ポリイミドフィルム準備工程において前記開口部をプレスにより形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
3. 前記大判ＦＰＣ基板作成工程において前記金属箔のパターニング前にポリイミドフィルム側から前記金属箔を支持する支持フィルムの貼付又は支持用樹脂の塗布を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置の製造方法。
4. 前記大判ＦＰＣ基板作成工程において前記金属箔を帯状にパターニングすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
5. 前記被覆工程において前記被覆部材により前記半導体発光素子の底面を被覆することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
6. 前記被覆工程において前記被覆部材が上層と下層を有し、前記下層の被覆部材が白色反射部材であり、前記上層の被覆部材が蛍光部材であり、前記白色反射部材により前記半導体発光素子の側面を被覆し、前記蛍光部材により前記半導体発光素子の上面を被覆することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
7. 前記被覆工程において前記蛍光部材が蛍光体シートであり、該蛍光体シートを前記半導
   体発光素子の上面に貼り付けることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
8. 下面にのみ金属電極層を備えたＦＰＣ基板に半導体発光素子をフリップチップ実装した半導体発光装置において、
   平面的に配列し間隙を有する一対の金属電極層と、
   前記一対の金属電極層を連結し、且つ前記一対の金属電極層の上面周辺部で前記一対の金属電極層と接着するポリイミドフィルムと、
   前記間隙を跨ぐようにして前記一対の金属電極層にフリップ実装された半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子の側面及び上面並びに前記一対の金属電極層の上面を被覆する被覆部材とを備え、
   前記ポリイミドフィルムが前記一対の金属電極層の対向する２辺にのみあることを特徴とする半導体発光装置。
9. 前記被覆部材が白色反射部材と蛍光部材を含み、前記半導体発光素子の側面を前記白色反射部材により被覆し、前記半導体発光素子の上面を前記蛍光部材で被覆することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
10. 前記蛍光部材が蛍光体シートであることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光装置。
11. 前記金属電極層が長方形であり、前記間隙に沿わない前記金属電極層の三辺が前記ＦＰＣ基板の端部と一致していていることを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

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