JP7534626B2 - 発光装置及び面状光源 - Google Patents
発光装置及び面状光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7534626B2 JP7534626B2 JP2020209055A JP2020209055A JP7534626B2 JP 7534626 B2 JP7534626 B2 JP 7534626B2 JP 2020209055 A JP2020209055 A JP 2020209055A JP 2020209055 A JP2020209055 A JP 2020209055A JP 7534626 B2 JP7534626 B2 JP 7534626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- opening
- sidewall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明に係る実施形態は、所望の配光特性を得ることができる発光装置を提供することを目的とする。
本実施形態に係る発光装置100を図1から図6Bを参照して説明する。発光装置100は、発光素子10と、側壁20と、第1透光性部材30と、遮光性部材40と、を備える。発光装置100は、さらに第2透光性部材50と、被覆部材70と、を備えていてもよい。側壁20は、上面視において発光素子10を囲んでいる。側壁20は、第1側壁21、第2側壁22、第3側壁23及び第4側壁24を有する。更に、側壁20は第1開口部21A、第2開口部22A、第3開口部23A及び第4開口部24Aを有する。第1開口部21Aは、第1側壁21と第2側壁22の間に位置する。第2開口部22Aは、第2側壁22と第3側壁23の間に位置する。第3開口部23Aは、第3側壁23と第4側壁24の間に位置する。第4開口部24Aは、第4側壁24と第1側壁21の間に位置する。上面視において、第1開口部21Aと第3開口部23Aとを結ぶ第1直線L1は第1方向に延びる。尚、第1直線L1とは、第1開口部21Aと第3開口部23Aとを結ぶ複数の直線の内の1本とする。図2において、第1方向はX方向及びY方向に対して45°の角度で交わる。上面視において、第2開口部22Aと第4開口部24Aとを結ぶ第2直線L2は第1方向と直交する第2方向に延びる。尚、第2直線L2とは、第2開口部22Aと第4開口部24Aとを結ぶ複数の直線の内の1本とする。図2において、第2方向はX方向及びY方向に対して45°の角度で交わる。Z方向は、第1方向及び第2方向と直交する。第1透光性部材30は、発光素子10及び側壁20を覆う。遮光性部材40は、第1透光性部材30を覆う。
発光素子10は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される公知の半導体素子を適用できる。発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子10は、半導体積層体を含む。半導体積層体は、例えば、サファイア又は窒化ガリウム等の支持基板と、支持基板上に配置されるn型半導体層およびp型半導体層と、これらに挟まれた発光層と、n型半導体層およびp型半導体層とそれぞれ電気的に接続されたn側電極およびp側電極とを含む。なお、半導体積層体は、支持基板が除去されたものを用いてもよい。また、発光層の構造としては、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造(SQW)のように単一の活性層を持つ構造でもよいし、多重量子井戸構造(MQW)のようにひとまとまりの活性層群を持つ構造でもよい。発光層は、可視光又は紫外光を発光可能である。発光層は、可視光として、青色から赤色までを発光可能である。このような発光層を含む半導体積層体としては、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことができる。半導体積層体は、上述した発光色を発光可能な発光層を少なくとも1つ含むことができる。例えば、半導体積層体は、n型半導体層とp型半導体層との間に1つ以上の発光層を含む構造であってもよいし、n型半導体層と発光層とp型半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造であってもよい。半導体積層体が複数の発光層を含む場合、発光色が異なる発光層を含んでいてもよいし、発光色が同じ発光層を含んでいてもよい。なお、発光色が同じとは、主波長が±10nm以内のこととする。発光色の組み合わせとしては適宜選択することができ、例えば半導体積層体が2つの発光層を含む場合、発光色の組み合わせとしては、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、又は緑色光と赤色光などが挙げられる。また、発光層は、発光色が異なる複数の活性層を含んでいてもよいし、発光色が同じ複数の活性層を含んでいてもよい。発光素子10は、1つの発光装置において1つのみ搭載されていてもよいし、複数個搭載されていてもよい。この場合、光度を向上させるために、同じ発光色の発光素子を複数個組み合わせてもよい。また、例えば、赤色、緑色、青色に対応するように、発光色の異なる発光素子を複数個組み合わせることにより、色再現性を向上させることができる。発光装置が複数の発光素子備えている場合には、全てが直列接続されていてもよいし、並列接続されていてもよいし、直列及び並列接続が組み合わせられていてもよい。
側壁20は、上面視において発光素子10を囲んでいる。発光素子のピーク波長に対する側壁20の透過率は、発光素子のピーク波長に対する第1透光性部材30の透過率よりも低い。側壁20の透過率が低いことにより、発光素子10からの光を側壁20によって遮りやすくなる。これにより、発光装置100の配光特性を所望の配光特性に調整しやすくなる。また、側壁20は発光素子からの光に対して遮光性を有する部材であることが好ましい。これにより、発光素子10からの光を側壁20によって遮りやすくなる。尚、本明細書において遮光性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する透過率が40%以下とする。尚、発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する透過率が40%以下であればよい。側壁20は、発光素子からの光を反射してもよく、発光素子からの光を吸収してもよい。発光素子のピーク波長に対する側壁20の反射率は、発光素子のピーク波長に対する第1透光性部材30の反射率よりも高いことが好ましい。このようにすることで、発光素子からの光が側壁に吸収されにくくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。また、側壁20は反射性を有することが好ましい。尚、本明細書において反射性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する反射率が60%以上である。尚、発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する反射率が60%以上であればよい。
図3A、図3Bに示すように、発光装置100は樹脂部材60と、第1リード61と、第2リード62と、を備えていてもよい。樹脂部材60は、第1リード61と第2リード62の間に位置し第1リード61と第2リード62を保持する部材である。樹脂部材60は、側壁20を有していてもよい。樹脂部材60が側壁20を有する場合において、側壁20は、第1リード61及び第2リード62の上面より上方に位置する樹脂部材60の一部とする。樹脂部材60は、樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの公知の材料を用いることができる。熱可塑性樹脂の場合には、例えば、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合には、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。特に、樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
第1リード61及び第2リード62は、発光素子の一対の電極の負極又は正極のいずれかと電気的に接続して発光素子に通電するための部材である。第1リード61及び第2リード62は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属を用いて、圧延、打ち抜き、押し出し、ウェットもしくはドライエッチングによるエッチング又はこれらの組み合わせ等の加工により所定の形状に形成することができる。これらは単層であってもよいし、積層構造であってもよい。特に、安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。第1リード61及び第2リード62は、例えば、反射率向上を目的に、銀、アルミニウム、銅及び金などの金属めっきを、単層又は積層構造で一部に又は全面に施していてもよい。なお、第1リード61及び第2リード62の最表面に銀を含む金属層が形成される場合は、銀を含む金属層の表面に酸化ケイ素等の保護層を設けることが好ましい。これにより、銀を含む金属層が大気中の硫黄成分等によって変色することを抑制することができる。保護層の成膜方法は、例えば、スパッタ等の真空プロセス等の公知の方法が挙げられる。
第1透光性部材30は、発光素子からの光に対して透光性を有する部材である。第1透光性部材30は、発光素子10及び側壁20を覆っている。これにより、第1透光性部材30を介して発光素子10からの光を外部に取り出すことができる。図3A、図3Bに示すように、第1透光性部材30は、発光素子10の上面10A及び側壁20の上面20Aを覆っている。第1透光性部材30は第2透光性部材50を介して発光素子10の上面10Aを覆っていてもよく、発光素子10の上面10Aと接して発光素子10を覆っていてもよい。尚、本明細書において透光性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する透過率が50%以上である。尚、発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する透過率が50%以上であればよい。
遮光性部材40は、発光素子からの光に対して遮光性を有する部材である。遮光性部材40は第1透光性部材30を覆っている。これにより、第1透光性部材30から出射される発光素子10からの光の一部を遮ることができる。これにより、発光装置100の配光特性を所望の配光特性を調整しやすくなる。遮光性部材は、発光素子からの光を反射してもよく、発光素子からの光を吸収してもよい。遮光性部材は、反射性を有することが好ましい。このようにすることで、発光素子からの光が遮光性部材に吸収されにくくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。発光素子のピーク波長に対する遮光性部材40の反射率は、発光素子のピーク波長に対する第1透光性部材30の反射率よりも高いことが好ましい。
図3A、図3Bに示すように発光装置100は第2透光性部材50を備えていてもよい。第2透光性部材50は、波長変換部材を含み、発光素子の側面を覆っている。波長変換部材は、発光素子からの光の一部を吸収し異なる波長の光に変換する部材である。第2透光性部材50は、発光素子の上面を覆っていてもよい。これにより、発光素子からの光を異なる波長の光に変換させやすくなる。第2透光性部材50が発光素子の上面を覆う場合には、第1透光性部材30は第2透光性部材50を介して発光素子の上面を覆っている。
区画部材200は、発光モジュールの発光領域を区画する部材である。区画部材200は、発光素子からの光に対して反射性を有する。例えば、区画部材200によって区画された領域毎に発光装置の点灯を制御することでローカルディミング方式の発光モジュールとすることができる。図7に示すように、上面視において区画部材200は発光装置100を囲んでいる。これにより、発光装置100から横方向に進む光を区画部材200によって遮ることができるので各発光領域のコントラストを向上させることができる。例えば、図7に示すように、隣接する発光領域を第1発光領域R1と第2発光領域R2とし、第1発光領域R1内に配置される発光装置を第1発光装置101とし、第2発光領域R2内に配置される発光装置を第2発光装置102とする。第1発光装置101が点灯し第2発光装置102が不点灯の場合に、第1発光装置101を囲む区画部材200があることで、第1発光装置101からの光が第2発光領域R2内に入射することを抑制できる。これにより、第1発光領域R1と第2発光領域R2間でのコントラスト比を向上させることができる。
光拡散板501は、発光装置100の上方に配置されている。光拡散板501は、平坦な板状部材であることが好ましいが、その表面に凹凸が配置されてもよい。光拡散板501は、実質的に配線基板300に対して平行に配置されることが好ましい。
第1プリズムシート502及び第2プリズムシート503はその表面に、所定の方向に延びる複数のプリズムが配列された形状を有する。例えば、第1プリズムシート502は、Y方向に延びる複数のプリズムを有し、第2プリズムシート503は、X方向に延びる複数のプリズムを有することができる。第1プリズムシート502及び第2プリズムシート503は、種々の方向から入射する光を、発光モジュール1000に対向する表示パネルへ向かう方向に屈折させることができる。これにより、発光装置100からの光を発光モジュール1000の発光面側から取り出しやすくなる。
偏光シート504は、例えば、液晶表示パネル等の表示パネルのバックライト側に配置された偏光板の偏光方向に一致する偏光方向の光を選択的に透過させ、その偏光方向に垂直な方向の偏光を第1プリズムシート502及び第2プリズムシート503側へ反射させることができる。偏光シート504から戻る偏光の一部は、第1プリズムシート502、第2プリズムシート503、及び光拡散板501で再度反射される。このとき、偏光方向が変化し、例えば、液晶表示パネルの偏光板の偏光方向を有する偏光に変換され、再び偏光シート504に入射し、表示パネルへ出射する。これにより、発光モジュール1000から出射する光の偏光方向を揃え、表示パネルの輝度向上に有効な偏光方向の光を高効率で出射させることができる。偏光シート504、第1プリズムシート502、第2プリズムシート503等は、バックライト用の光学部材として市販されているものを用いることができる。
20 側壁
21 第1側壁
22 第2側壁
23 第3側壁
24 第4側壁
30 第1透光性部材
40 遮光性部材
50 第2透光性部材
60 樹脂部材
61 第1リード
62 第2リード
70 被覆部材
100 発光装置
200 区画部材
300 配線基板
500 光学部材
Claims (11)
- 発光素子と、
上面視において前記発光素子を囲み、第1側壁、第2側壁、第3側壁及び第4側壁を有する側壁と、
前記発光素子及び前記側壁を覆う第1透光性部材と、
前記第1透光性部材を覆う遮光性部材と、を備え、
前記側壁は、前記第1側壁と前記第2側壁の間には第1開口部が有し、前記第2側壁と前記第3側壁の間には第2開口部が有し、前記第3側壁と前記第4側壁の間には第3開口部が有し、前記第4側壁と前記第1側壁の間には第4開口部が有し、
上面視において、前記第1開口部と前記第3開口部とを結ぶ第1直線は第1方向に延びて、前記第2開口部と前記第4開口部とを結ぶ第2直線は前記第1方向と直交する第2方向に延びる発光装置。 - 前記発光素子の側面を覆い、波長変換部材を含む第2透光性部材を備える請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1透光性部材の母材の屈折率と前記第2透光性部材の母材の屈折率との差が、0.05以内である請求項2に記載の発光装置。
- 前記第2透光性部材は、前記発光装置の外縁から離れている請求項2又は3に記載の発光装置。
- 前記第1開口部を覆う第1被覆部材と、前記第2開口部を覆う第2被覆部材と、前記第3開口部を覆う第3被覆部材と、前記第4開口部を覆う第4被覆部材と、を備える請求項4に記載の発光装置。
- 前記第1被覆部材は前記発光素子と対向する第1面を有し、
前記第1面は下側から上側に向かい前記発光素子から離れるように傾斜し、
前記第1被覆部材の母材の屈折率は、前記第2透光性部材の母材の屈折率より高い請求項5に記載の発光装置。 - 前記第1透光性部材の母材の線膨張係数と前記遮光性部材の母材の線膨張係数との差が、30ppm以内である請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の前記発光装置と、
上面視において、前記発光装置を囲む区画部材と、を備え、
前記区画部材は第3方向に延びる第1壁部と、前記第3方向と直交する第4方向に延びる第2壁部と、前記第1壁部と対向し前記第3方向に延びる第3壁部と、前記第2壁部と対向し前記第4方向に延びる第4壁部と、を有し、
前記第1方向は前記第3方向に対して40°以上50°以下の角度で傾斜する発光モジュール。 - 前記第1方向は前記第3方向に対して45°で傾斜する請求項8に記載の発光モジュール。
- 上面視において、前記第1壁部と重なり前記第3方向と平行に延びる第3直線と、前記第2壁部と重なり前記第4方向と平行に延びる第4直線と、の交点である第1交点が前記第1直線上に位置する請求項8又は9に記載の発光モジュール。
- 上面視において、前記第3壁部と重なり前記第3方向と平行に延びる第5直線と、前記第4壁部と重なり前記第4方向と平行に延びる第6直線と、の交点である第2交点が前記第1直線上に位置する請求項8から10のいずれか1項に記載の発光モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020209055A JP7534626B2 (ja) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 発光装置及び面状光源 |
US17/553,386 US11664479B2 (en) | 2020-12-17 | 2021-12-16 | Light emitting device and planar light source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020209055A JP7534626B2 (ja) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 発光装置及び面状光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022096128A JP2022096128A (ja) | 2022-06-29 |
JP7534626B2 true JP7534626B2 (ja) | 2024-08-15 |
Family
ID=82022611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020209055A Active JP7534626B2 (ja) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 発光装置及び面状光源 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11664479B2 (ja) |
JP (1) | JP7534626B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7328557B2 (ja) * | 2020-11-30 | 2023-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光源、光源装置および光源の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009504A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2013115088A (ja) | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2013251393A (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 側面照射型led発光装置及び側面照射型led発光装置の製造方法 |
US20140374780A1 (en) | 2013-06-21 | 2014-12-25 | Venntis Technologies LLC | Light emitting device for illuminating plants |
JP6163993B2 (ja) | 2013-09-17 | 2017-07-19 | 富士通株式会社 | 電子機器 |
JP2019046789A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020053637A (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4034241B2 (ja) | 2003-06-27 | 2008-01-16 | 日本ライツ株式会社 | 光源装置および光源装置の製造方法 |
JP2006216821A (ja) | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
KR101615497B1 (ko) | 2009-11-27 | 2016-04-27 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP2013127995A (ja) | 2010-03-29 | 2013-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置モジュール |
JP2013127994A (ja) | 2010-03-29 | 2013-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置、発光装置モジュール及び発光装置の製造方法 |
JP2013127996A (ja) | 2010-03-29 | 2013-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及び発光装置モジュール |
JP5545279B2 (ja) | 2011-09-20 | 2014-07-09 | 豊田合成株式会社 | 面状光源装置 |
JP2013115280A (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 側面発光型発光装置 |
JP2013143496A (ja) | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びその製造方法 |
JP2013171969A (ja) | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
JP7284373B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2020
- 2020-12-17 JP JP2020209055A patent/JP7534626B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-16 US US17/553,386 patent/US11664479B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009504A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2013115088A (ja) | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2013251393A (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 側面照射型led発光装置及び側面照射型led発光装置の製造方法 |
US20140374780A1 (en) | 2013-06-21 | 2014-12-25 | Venntis Technologies LLC | Light emitting device for illuminating plants |
JP6163993B2 (ja) | 2013-09-17 | 2017-07-19 | 富士通株式会社 | 電子機器 |
JP2019046789A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020053637A (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022096128A (ja) | 2022-06-29 |
US11664479B2 (en) | 2023-05-30 |
US20220199867A1 (en) | 2022-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3353821B1 (en) | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector | |
CN216792629U (zh) | 面状光源 | |
CN215932316U (zh) | 发光模组和面状光源 | |
US11808966B2 (en) | Light-emitting module | |
JP7534626B2 (ja) | 発光装置及び面状光源 | |
WO2013114977A1 (ja) | 線状光源装置、面発光装置、および液晶表示装置 | |
US11828971B2 (en) | Light-emitting module and planar light source | |
CN116243519A (zh) | 发光模块以及面状光源 | |
KR101827972B1 (ko) | 발광 패키지 및 그를 이용한 백라이트 모듈 | |
JP7445145B2 (ja) | 発光モジュールおよび面状光源 | |
JP7425952B2 (ja) | 面状光源 | |
JP7558483B2 (ja) | 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 | |
US20240234643A9 (en) | Light-emitting device and surface light source | |
JP7580028B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP7368750B2 (ja) | 発光モジュールおよび面状光源 | |
JP7484075B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
KR101904263B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101764108B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 조명시스템 | |
KR101704035B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
JP2024006348A (ja) | 発光モジュール | |
JP2024021851A (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
JP2024139636A (ja) | 発光モジュール | |
TW202309627A (zh) | 面狀光源 | |
CN117219721A (zh) | 发光模块 | |
CN117080349A (zh) | 发光模块和发光模块的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7534626 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |