JP5951247B2 - ガラス基板の封着方法、及び、ガラス基板の封着装置 - Google Patents

Description

本開示の技術は、複数のガラス基板をシール材で封着するガラス基板の封着方法、及びガラス基板の封着装置に関する。

従来から、複数のガラス基板を封着する技術が、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、及び表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（ＳＥＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造や、断熱及び防音等を目的とした複層ガラスの製造に多用されている。

このうち、ＰＤＰの製造においては、例えば特許文献１に記載のように、ガラス基板の封着が以下の手順にて行われている。まず、各種電極を有する前面ガラス基板と、各種電極、及び隔壁によって区画された蛍光体層を有する背面ガラス基板とが形成される。そして、ガラス基板よりも融点の低いガラス粒子や樹脂を含むフリットシール材が、背面ガラスに塗布された後、前面ガラス基板と背面ガラス基板とが、所定の精度にて位置合わせされた上で積層される。次いで、ガラス粒子が溶融する温度にまで加熱された後、凝固する温度にまで冷却されることによって、前面ガラス基板と背面ガラス基板とが、フリットシール材を介して封着される。

特開２００９−１２３３８８号公報

ところで、ガラス粒子の溶融及び凝固が行われるときには、ガラス基板間がより確かに封着されるように、前面ガラス基板及び背面ガラス基板の少なくとも一方に対して、ガラス基板間の距離が小さくなる方向の押圧力が加えられる。

このとき、前面ガラス基板及び背面ガラス基板には、各ガラス基板に力を加える押圧部、各ガラス基板を支える支持部、フリットシール材の表面における凹凸、及び、加熱による膨張や収縮等によって生じる応力が働いている。

特に、各ガラス基板における押圧位置は、押圧部からの力が直接働くことに加えて、ガラス基板の熱が押圧部に伝わることによって、その他の部位よりも温度が低くなりやすい。そのため、押圧位置を基点とする割れがガラス基板に生じやすくなる。

このように、ガラス基板には種々の力の合力が働き、これにより、押圧位置の割れが生じることから、押圧位置での割れを抑えつつガラス基板間を封着する方法が確立されておらず、それゆえに、こうした方法が切望されている。
なお、このような問題は、ＰＤＰの製造時に限らず、上述した他のＦＰＤや複層ガラスの製造におけるガラス基板の封着でも生じるものである。

本開示の技術は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、複数のガラス基板間を封着するときに、押圧位置を基点とする割れがガラス基板に生じることを抑えられるガラス基板の封着方法、及びガラス基板の封着装置を提供することを目的とする。

以下、上記課題を解決するための手段及び作用効果について記載する。
本開示の技術における一態様は、ガラス基板の封着方法であって、フリットシール材が矩形状の第１ガラス基板に塗布される塗布工程と、矩形状の第２ガラス基板が、前記フリットシール材を介して前記第１ガラス基板に積層される積層工程と、前記フリットシール材が、前記フリットシール材に含まれるガラス粒子が溶融する温度に加熱された状態で、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも一方が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との距離が小さくなる方向である前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との積層方向のみに押圧される押圧工程とを備え、前記押圧工程では、押圧される基板の各辺における複数の部位であって、且つ、前記押圧される基板のうち、前記積層方
向から見て、前記フリットシール材よりも外側に位置する前記複数の部位が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との前記積層方向のみに押圧されることで、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力が前記フリットシール材に加えられる。

本開示の技術における一態様は、ガラス基板の封着装置であって、矩形状の第１ガラス基板に塗布されたフリットシール材が、前記フリットシール材に含まれるガラス粒子が溶融する温度に加熱された状態で、前記第１ガラス基板と、前記フリットシール材を介して前記第１ガラス基板に積層された矩形状の第２ガラス基板との少なくとも一方が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との距離が小さくなる方向である前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との積層方向のみに押圧される押圧室を備え、前記押圧室では、押圧される基板の各辺における複数の部位であって、且つ、前記押圧される基板のうち、前記積層方向から見て、前記フリットシール材よりも外側に位置する前記複数の部位が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との前記積層方向のみに押圧されることで、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力が前記フリットシール材に加えられる。

本願発明者らは、ガラス基板の封着方法について鋭意研究する中で、以下のことを見出した。すなわち、有機成分が除去されたフリットシール材を用いて第１ガラス基板と第２ガラス基板とを封着するときには、フリットシール材に対して０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力をフリットシール材に加えることにより、ガラス基板の押圧位置を基点とする割れを抑えられることを見出した。

そこで、本開示の技術における一態様では、押圧工程にて第１ガラス基板及び第２ガラス基板の少なくとも一方を押圧するときには、フリットシール材に対して０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力を加えるようにしている。そのため、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の少なくとも一方における押圧位置を基点とする割れを生じにくくすることができる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記押圧工程では、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板が複数の基板支持部によって支持され、水平面に対して最も高い基板支持部の高さと前記水平面に対して最も低い基板支持部の高さとの差が０．１ｍｍ以下である。

上記態様では、複数の基板支持部において、水平面に対して最も高い基板支持部の高さと、水平面に対して最も低い基板支持部との差が０．１ｍｍ以下である。そのため、基板支持部の高さの違いによるガラス基板の変形を０．１ｍｍ以下とすることができる。これにより、ガラス基板の変形により生じる応力の大きさを０．１ｍｍ以下の変形によって生じる範囲に抑えることができる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記押圧工程では、水平面に対する前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の各々における高さの差が、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の各辺における１ｍあたりに０．１ｍｍ以下である。

積層された第１ガラス基板と第２ガラス基板とが傾きを有している場合、第１ガラス基板と第２ガラス基板との積層方向に力が加えられると、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の傾きの分だけ、ガラス基板の各々が面方向に移動することになる。

この点、本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様では、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の各々における高さの差が、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の各々の各辺における１ｍあたり０．１ｍｍ以下である。そのため、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の押圧によって、これらガラス基板が、面方向に移動する距離を上述した高さにおける差の範囲に抑えることができる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記積層工程及び前記押圧工程では、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の収容される雰囲気の水分量が、３００ｍｇ／ｍ^３以下である。

上記態様では、積層工程、及び押圧工程が行われる雰囲気の水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下とされる。そのため、封着されたガラス基板間には、水分量の調節が行われていない場合と比べて、単位体積あたりに含まれる水分量の少ない気体が封入される。それゆえに、ガラス基板間の排気に必要とされる時間が、無調整の気体が排気される場合と比べて短くなる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記積層工程及び前記押圧工程では、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の収容される雰囲気の有機成分量が、３００ｍｇ／ｍ^３以下である。

上記態様では、積層工程、及び押圧工程が行われる雰囲気の有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下とされる。そのため、封着されたガラス基板間には、有機成分量の調節が行われていない場合と比べて、単位体積あたりに含まれる有機成分量の少ない気体が封入される。それゆえに、ガラス基板間の排気に必要とされる時間が、無調節の気体が封入されている場合と比べて短くなる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記押圧工程では、前記フリットシール材がヒータ光によって加熱され、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板が、前記第１ガラス基板に接して前記第１ガラス基板を支持する基板支持部と、前記第２ガラス基板に接して前記第２ガラス基板を押圧する押圧部とに挟まれ、前記基板支持部及び前記押圧部の少なくとも一方が、前記ヒータ光の８０％以上を透過する透明材料からなる。

上記態様では、基板支持部及び押圧部の少なくとも一方が、ヒータ光の８０％以上を透過する透明材料によって形成されている。そのため、ガラス基板へのヒータ光の到達が、基板支持部あるいは押圧部によって妨げられにくくなり、ガラス基板が均一に加熱されやすくなる。それゆえに、ガラス基板における押圧位置と他の位置との温度差による応力を生じにくくし、ひいては、ガラス基板の押圧位置を基点とする割れが生じることを抑えられる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記押圧工程では、前記押圧される基板に対して１５Ｎ／ｍｍ^２以下の応力が加えられる。
上記態様では、押圧工程で押圧される基板に対して加えられる応力が、１５Ｎ／ｍｍ^２以下である。そのため、ガラス基板に加えられる応力が、ガラス基板における押圧位置を基点とした割れが生じない程度の大きさとなる。それゆえに、押圧位置を基点とする割れがガラス基板に生じることを抑えられる。

本開示におけるガラス基板の封着方法の別の態様は、前記塗布工程と、前記積層工程との間に、前記フリットシール材から有機成分が除去される除去工程を備える。

本願発明者らは、ガラス基板の封着方法について鋭意研究する中で、ガラス基板に塗布されたフリットシール材から有機成分を除去するための除去工程を行うことにより、除去工程を行わない場合と比べて、ガラス基板の表面からのフリットシール材の高さに、より大きな差が生じることを見出した。このように、フリットシール材の高さに差が生じていると、高さの差がより小さい場合と比べて、ガラス基板を押圧したときに、ガラス基板の局所に対して応力が生じやすくなる。そして、こうした応力が生じる位置が、押圧位置の近傍にあると、ガラス基板には、押圧位置を基点とする割れがより生じやすくなる。

この点、上記態様では、塗布工程と積層工程との間で除去工程が行われる場合に、押圧行程での押圧力が上述のような範囲とされるため、押圧位置を基点とする割れを抑える効果がより顕著になる。

本開示の一実施形態における封着装置の概略構成を示すブロック図。 ガラス基板の封着方法の処理手順を示すフローチャート。 封着装置の備える封着室の概略構成を示すブロック図。 （ａ）ガラス基板と押圧板との平面構造を示す平面図（ｂ）ガラス基板に塗布されたフリットシール材の塗布面積を説明するための説明図。 ガラス基板間の封着時におけるフリットシール材の温度、各押圧部による押圧力、ガラス基板間の圧力である内圧、及び、封着室内の圧力である外圧の変更態様を示すタイミングチャート。 実施例における各押圧点における押圧力を示すグラフ。 実施例における各測定点における支持ピン高さの平均値に対する偏差を示すグラフ。 実施例における各測定点における脱ガス前後のフリットシール材の高さを示すグラフ。 本開示の変形例における封着装置の部分構造を示すブロック図。 本開示の変形例における封着装置の部分構造を示すブロック図。 本開示の変形例における封着装置の部分構造を示すブロック図。

以下、本開示におけるガラス基板の封着方法、及び、ガラス基板の封着装置をＰＤＰの製造に用いられるガラス基板の封着方法、及び、ガラス基板の封着装置として具体化した一実施形態について、図１〜図８を参照して説明する。

［封着装置］
まず、ガラス基板の封着装置の構成について図１を参照して説明する。図１に示されるように、封着装置１０には、ガラス基板の搬送を行う図示されない搬送ロボットを有する搬送室１１が搭載され、搬送室１１には、シール材脱ガス室１２、基板脱ガス室１３、アライメント室１４、及び封着室１５が連結されている。

シール材脱ガス室１２は、フリットシール材が塗布された後、仮焼成及び焼成された第１ガラス基板としての背面ガラス基板を外部から搬入し、フリットシール材に含まれる水分や樹脂等の有機成分を加熱によって除去した後、背面ガラス基板を搬送室１１に搬出する。基板脱ガス室１３は、背面ガラス基板に積層される第２ガラス基板としての前面ガラス基板を外部から搬入し、前面ガラス基板の表面に付着した水分や有機成分を加熱によって除去した後、前面ガラス基板を搬送室１１に搬出する。なお、基板脱ガス室１３は、各種電極ないしは保護膜を形成するための基板成膜室であってもよく、この場合、前面ガラス基板には、基板成膜室にて成膜及び脱ガスが行われた後、搬送室１１に搬出される。

アライメント室１４は、背面ガラス基板及び前面ガラス基板を搬送室１１から搬入し、背面ガラス基板及び前面ガラス基板の各々に形成されたアライメントマークに基づいて、背面ガラス基板と前面ガラス基板との位置合わせを所定の精度にて行う。

封着室１５は、位置合わせされた背面ガラス基板と前面ガラス基板とを搬送室１１から搬入し、フリットシール材を溶融させつつ、背面ガラス基板及び前面ガラス基板に対して基板間の距離が小さくなる方向の力を加えることで、背面ガラス基板と前面ガラス基板とを封着する。そして、封着室１５は、封着後の背面ガラス基板及び前面ガラス基板を外部に搬出する。

［封着方法］
以下、上述の封着装置１０を用いて行われるガラス基板の封着方法について、図２を参照して説明する。図２に示されるように、各種電極及び隔壁で区画された蛍光体層を有する背面ガラス基板には、フリットシール材が塗布される（ステップＳ１１）。この塗布工程では、フリットシール材が、矩形状の背面ガラス基板の各辺よりも所定距離だけ内側の位置に対して、各辺とほぼ平行な線状をなすように塗布される。フリットシール材には、背面ガラス基板の歪点よりも融点の低いガラス粒子、無機材料からなるフィラー、及び、ニトロセルロース等の樹脂とテルピオネールとからなる媒質等が含まれている。

そして、背面ガラス基板には、フリットシール材に含まれる媒質の一部を除去するための仮焼成が行われ（ステップＳ１２）、その後、焼成が行われる（ステップＳ１３）。焼成後の背面ガラス基板は、シール材脱ガス室１２に搬入され、その後、背面ガラス基板には、フリットシール材に含まれるガラス粒子及びフィラー以外の成分を除去するための脱ガスが行われる（ステップＳ１４）。この除去工程では、フリットシール材が、例えば５００℃に加熱された状態で６０分維持された後、１５０℃にまで冷却される。このとき、シール材脱ガス室１２内は、水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下であり、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下である真空雰囲気とされる。有機成分とは、そのほとんどがフリットシールに含まれる媒質である。なお、シール材脱ガス室１２内の水分量及び有機成分量は、例えば、超低露点清浄空気（ＣＤＡ）や窒素ガスの供給と排気とを行うことによって調整することができる。

他方、前面ガラス基板には、各種電極ないしは保護膜を形成するための成膜が他の成膜室にて行われ（ステップＳ２１）、その後、各種電極ないしは保護膜を有する前面ガラス基板は、基板脱ガス室１３に搬入される。そして、前面ガラス基板には、前面ガラス基板の表面に付着した水分や有機成分等を除去するための脱ガスが行われる（ステップＳ２２）。前面ガラス基板の脱ガスでは、前面ガラス基板が、２００℃に加熱された状態で所定の時間維持される。このとき、基板脱ガス室１３内は、上述のステップＳ１４と同様、水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下であり、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下である真空雰囲気とされる。前面ガラス基板は、背面ガラス基板とほぼ同一の形状である。なお、前面ガラス基板には、上述のように、基板成膜室での電極ないしは保護膜の成膜が行われた後、基板成膜室にて２００℃に加熱された状態で所定の時間維持されることで、脱ガスが行われるようにしてもよい。この場合、上述のように、前面ガラス基板は、基板成膜室から搬送室１１に搬出される。

背面ガラス基板及び前面ガラス基板の脱ガスが行われると、アライメント室１４にて背面ガラス基板と前面ガラス基板との位置合わせが行われる（ステップＳ３１）。このステップＳ３１では、まず、前面ガラス基板が、搬送室１１を介してアライメント室１４に搬入され、そして、前面ガラス基板のアライメントマークが読み取られた後、前面ガラス基板がアライメント室１４の上方に保持される。

次いで、背面ガラス基板が、搬送室１１を介してアライメント室１４に搬入され、そして、背面ガラス基板のアライメントマークが読み取られた後、背面ガラス基板と前面ガラス基板との位置合わせが、背面ガラス基板のアライメントマークと前面ガラス基板のアライメントマークとに基づいて行われる。その後、前面ガラス基板が背面ガラス基板上に積層される。

こうした積層工程では、アライメント室１４内が、上述のステップＳ１４と同様、水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下であり、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下である真空雰囲気とされる。また、アライメント室１４では、背面ガラス基板及び前面ガラス基板が、１５０℃に維持される。これにより、背面ガラス基板と前面ガラス基板とが同一の温度に維持されることで、各ガラス基板の温度が異なる場合と比べて、位置合わせの精度が高められる。加えて、各ガラス基板の温度が例えば１５０℃に維持されることで、アライメント室１４内の気体が各ガラス基板に吸着することが抑えられる。

次いで、背面ガラス基板及び前面ガラス基板は、搬送室１１を介して封着室１５に搬入され、そして、背面ガラス基板と前面ガラス基板との封着が行われる（ステップＳ３２）。この封着工程では、背面ガラス基板、前面ガラス基板、及びフリットシール材が、ガラス粒子の融解する温度にまで加熱されつつ、前面ガラス基板が、背面ガラス基板に対して近付くように、前面ガラス基板に対して押圧力が加えられる。背面ガラス基板、前面ガラス基板、及びフリットシール材の加熱が所定の時間行われると、前面ガラス基板に対して押圧力が加えられた状態で、各ガラス基板及びフリットシール材が、ガラス粒子の凝固する温度まで冷却され、その後、前面ガラス基板に対する押圧力の印加が終了される。この際、前面ガラス基板及び背面ガラス基板は、ガラス基板間が排気され、その後、封着室１５の搬出口から封着装置１０の外部に搬出される。

上述のように、本実施形態では、各ガラス基板の脱ガス、ガラス基板間での位置合わせ、及び、ガラス基板間の封着が、水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下、且つ、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下の雰囲気にて行われる。そのため、水分量及び有機成分量の調整を行っていない雰囲気、例えば、水分量が６０００ｍ／ｍ^３である雰囲気と比べて、ガラス基板間がより短い時間で排気されるようになる。

［封着室の構成］
上述の封着室１５の構成ついて、図３及び図４を参照してより詳しく説明する。封着室１５の真空槽２１の底面には、真空槽２１内を所定の圧力に減圧する減圧ポンプ２２が、減圧ポンプ２２の排気流量を調節するポンプ用バルブ２３を介して接続されている。また、真空槽２１の上面には、窒素ガスを所定の流量で真空槽２１内に供給するマスフローコントローラ２４が、ガス用バルブ２５を介して接続されている。封着室１５にて前面ガラス基板及び背面ガラス基板の封着が行われるときには、減圧ポンプ２２による排気流量と、マスフローコントローラ２４から供給される窒素ガスの供給流量とにより、真空槽２１内が所定の圧力とされる。

真空槽２１の上方には、各ガラス基板及びフリットシール材を加熱するヒータ２６が搭載されている。ヒータ２６は、例えばニクロム線が内蔵されたシースヒータである。なお、ヒータ２６は、赤外域のヒータ光によってガラス基板等を加熱する赤外線ランプであってもよい。ヒータ２６は、各ガラス基板及びフリットシール材の温度を例えば４８０℃まで加熱することができる。

真空槽２１の下方には、真空槽２１内にて上下動する昇降板２７と、昇降板２７の下面に接続されて、真空槽２１内での昇降板２７の位置を決める昇降軸２８とが搭載されている。昇降軸２８は、例えば、真空槽２１外に設置された図示されないモータに接続され、真空槽２１内での昇降軸２８の長さは、モータの回転に応じて変わる。このように、真空槽２１内での昇降軸２８の長さが変わることによって、昇降軸２８に接続された昇降板２７が真空槽２１内を上下動する。

昇降板２７の上面には、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２とからなる積層ガラス基板Ｓを支持する基板支持部としての複数の支持ピン２９が取り付けられている。支持ピン２９は、背面ガラス基板Ｓ１の下面に接することで、積層ガラス基板Ｓを支持する。また、支持ピン２９は、背面ガラス基板Ｓ１の下面におけるフリットシール材ＦＳの直下よりも背面ガラス基板Ｓ１の外縁側の支持位置、及び、背面ガラス基板Ｓ１の下面におけるフリットシール材ＦＳよりも内側の支持位置にて背面ガラス基板Ｓ１と接するように昇降板２７に取り付けられている。

なお、支持ピン２９にて支持される積層ガラス基板Ｓには、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間に空間を形成するためのスペーサＳＰが形成されている。本実施形態では、背面ガラス基板Ｓ１に形成された隔壁をスペーサＳＰとして機能させてもよいし、隔壁とは異なるスペーサＳＰが形成されてもよい。

真空槽２１内には、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との距離が小さくなる方向に前面ガラス基板Ｓ２を押圧することで、積層ガラス基板Ｓに対して力を加える押圧機構３０が複数搭載されている。押圧機構３０の各々は、前面ガラス基板Ｓ２の押圧時に、前面ガラス基板Ｓ２の各辺が複数の押圧機構３０によって押圧されるように真空槽２１内に配置されている。

押圧機構３０は、前面ガラス基板Ｓ２に対して面で接触する矩形状の押圧部としての押圧板３１を有している。押圧板３１は、ヒータ２６が出力するヒータ光の８０％以上を透過する透明材料、例えば石英ガラスによって形成されている。押圧板３１には、ベローズ３２、及びベローズ３２に圧縮空気を導入する導入管３３が、ベローズ３２の力を押圧板３１に加える印加軸３４によって接続されている。印加軸３４の周りには、円筒状のガイド３５が配置されている。ガイド３５は、印加軸３４がベローズ３２からの力によってガイド３５に対して相対移動するときに、印加軸３４の移動方向を規定する。

以下、上述した支持ピン２９、及び押圧板３１、すなわち押圧機構３０の配設位置について、図４を参照してより詳しく説明する。図４（ａ）に示されるように、昇降板２７には、２５本の支持ピン２９ａ〜２９ｙが取り付けられている。このうち１９本の外側支持ピン２９ａ〜２９ｓの各々は、背面ガラス基板Ｓ１の下面におけるフリットシール材ＦＳの直下よりも外縁側に接するように配置され、他方、６本の内側支持ピン２９ｔ〜２９ｙは、背面ガラス基板Ｓ１の下面におけるフリットシール材ＦＳの直下よりも内側に接するように配置されている。

外側支持ピン２９ａ〜２９ｓのうち、４本の外側支持ピン２９ａ，２９ｅ，２９ｊ，２９ｎが、背面ガラス基板Ｓ１における四隅に１本ずつ配置されている。そして、５本の外側支持ピン２９ａ〜２９ｅが、背面ガラス基板Ｓ１における第１短辺ＳＳ１に沿って等配され、６本の外側支持ピン２９ｅ〜２９ｊが、背面ガラス基板Ｓ１における第１長辺ＳＬ１に沿って等配されている。また、５本の外側支持ピン２９ｊ〜２９ｎが、背面ガラス基板Ｓ１における第２短辺ＳＳ２に沿って等配され、７本の支持ピン２９ｎ〜２９ａが、背面ガラス基板Ｓ１における第２長辺ＳＬ２に沿って等配されている。

内側支持ピン２９ｔ〜２９ｙのうち、４本の内側支持ピン２９ｔ〜２９ｗは、外側支持ピン２９ｃと外側支持ピン２９ｌとの間に配置され、２本の内側支持ピン２９ｘ，２９ｙは、背面ガラス基板Ｓ１における第１長辺ＳＬ１の中点と第２長辺ＳＬ２の中点とを通る直線上にて背面ガラス基板Ｓ１と接するように配置されている。

これら２５本の支持ピン２９ａ〜２９ｙは、昇降板２７の上面が水平面であると仮定したときに、昇降板２７の上面に対して最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと、昇降板２７の上面に対して最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差が、０．１ｍｍ以下である。そして、支持ピン２９ａ〜２９ｙによって積層ガラス基板Ｓが支持されたとき、水平面として仮定された昇降板２７の上面に対する背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の各々における高さの差が、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の各辺における１ｍあたりに０．１ｍｍ以下である。

他方、図４（ａ）に示されるように、真空槽２１内には、１９枚の押圧板３１ａ〜３１ｓが配置され、押圧板３１ａ〜３１ｓの各々は、前面ガラス基板Ｓ２におけるフリットシール材ＦＳの直上よりも外縁側に接するように配置されている。

押圧板３１ａ〜３１ｓのうち、４枚の押圧板３１ａ，３１ｅ，３１ｊ，３１ｎが、前面ガラス基板Ｓ２における四隅に１枚ずつ配置されている。５枚の押圧板３１ａ〜３１ｅが、前面ガラス基板Ｓ２における第１短辺ＳＳ１に沿って等配され、６枚の押圧板３１ｅ〜３１ｊが、前面ガラス基板Ｓ２における第１長辺ＳＬ１に沿って等配されている。また、５枚の押圧板３１ｊ〜３１ｎが、前面ガラス基板Ｓ２の第２短辺ＳＳ２に沿って等配され、７枚の押圧板３１ｎ〜３１ａが、第２長辺ＳＬ２に沿って等配されている。

このように、前面ガラス基板Ｓ２の各辺ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＬ１，ＳＬ２に沿って複数の押圧板３１ａ〜３１ｓが配置されていることから、前面ガラス基板Ｓ２の各辺における複数の位置が、押圧機構３０によって押圧されることになる。また、各押圧板３１ａ〜３１ｓは、背面ガラス基板Ｓ１における各外側支持ピン２９ａ〜２９ｓとの接触位置である支持位置のほぼ直上を押圧する。

なお、各ガラス基板Ｓ１，Ｓ２は、例えば、長辺ＳＬ１，ＳＬ２の長さが、９５０ｍｍであり、短辺ＳＳ１，ＳＳ２の長さが５５０ｍｍであり、また、各ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の厚さが２．８ｍｍである。また、図４（ｂ）に示される塗布幅ｗと、塗布幅ｗの中心を通る直線としての塗布長さＬから算出されるフリットシール材ＦＳの塗布面積が、例えば１０３００ｍｍ^２である。そして、押圧機構３０が前面ガラス基板Ｓ２を押圧するときには、各押圧機構３０の有するベローズ３２に導入される圧縮空気の圧力が調整され、これにより、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたり０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力が全押圧機構３０によって加えられる。
また、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との封着時には、例えば、以下に列挙する種々の力が積層ガラス基板Ｓに働くことになる。
（ａ）積層ガラス基板Ｓに接するフリットシール材ＦＳ、押圧板３０ａ〜３０ｓ、及び支持ピン２９ａ〜２９ｙにより発生する応力。
（ｂ）フリットシール材ＦＳの脱ガスによって、フリットシール材ＦＳの表面に形成された凹凸より発生する応力。
（ｃ）支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さが異なる場合に、相対的に高さの低い支持ピン２９によって支持される部位に集中する荷重。
（ｄ）ヒータ光の加熱により発生する熱応力。

本実施形態では、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに印加される力を０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下とし、また、水平面に対して最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと水平面に対して最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差を０．１ｍｍ以下としている。そして、本実施形態では、ヒータ２６の出力を調整し、これにより、積層ガラス基板Ｓに働く力の合計を１５Ｎ／ｍｍ^２以下としている。そのため、前面ガラス基板Ｓ２における押圧位置に働く力が、押圧位置の割れる力よりも小さくすることができ、押圧位置を基点とする割れが生じることを抑えることができる。

［封着室の作用］
こうした封着室１５の作用の１つとして、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との封着が行われるときの動作について、図５を参照して説明する。まず、タイミングＴ０にて、初期温度Ｔｍ１、例えば１５０℃の積層ガラス基板Ｓが封着室１５に搬入され、そして、積層ガラス基板Ｓが、支持ピン２９に支持された状態で封着室１５内の所定位置に配置される。このとき、ヒータ２６からヒータ光が出力されていることから、積層ガラス基板Ｓの温度が上昇し始める。なお、積層ガラス基板Ｓの温度とフリットシール材ＦＳの温度とはほぼ同一であることから、以下では、フリットシール材ＦＳの温度によって、フリットシール材ＦＳを含む積層ガラス基板Ｓの温度を代表する。

次いで、タイミングＴ１にて、前面ガラス基板Ｓ２が、押圧機構３０の各々によって相対的に小さい押圧力Ｐｐ１で押圧される。なお、相対的に小さい押圧力Ｐｐ１とは、全押圧機構３０の押圧によってフリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに加えられる力が、０．００４Ｎ／ｍｍ^２よりも小さくなるような力である。このように、前面ガラス基板Ｓ２に対して押圧力Ｐｐ１を加えることで、積層ガラス基板Ｓの熱膨張によって、積層ガラス基板Ｓが支持ピン２９及び押圧機構３０に対して相対移動することを抑える。

その後、タイミングＴ２にて、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間に接続された減圧ポンプによって、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の減圧が開始され、これにより、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の圧力である内圧が、初期圧力Ｐｉ１から減圧され始める。なお、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間が減圧されるときには、上述した押圧力にて前面ガラス基板Ｓ２が押圧されていることから、前面ガラス基板Ｓ２が押圧されていない場合と比べて、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間がより密閉された状態になり、これにより、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間が減圧されやすくなる。

そして、タイミングＴ３にて、フリットシール材ＦＳの温度が、フリットシール材ＦＳに含まれるガラス粒子の融解が開始される融解開始温度Ｔｍ２、例えば３５０℃に到達すると、前面ガラス基板Ｓ２が、押圧機構３０の各々によって相対的に大きい押圧力Ｐｐ２で押圧される。なお、相対的に大きい押圧力Ｐｐ２とは、全押圧機構３０の押圧によってフリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに印加される力が、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下になるような力である。

また、同じくタイミングＴ３では、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の減圧が停止され、内圧が所定圧力Ｐｉ２に維持され始める。上述のように、タイミングＴ３では、ガラス粒子の融解が開始されていることから、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の圧力が変わると、フリットシール材ＦＳの形状が変化し、これにより、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間に隙間が生じるおそれがある。この点、本実施形態では、ガラス粒子の融解が開始されて以降は、内圧が一定に維持されるため、フリットシール材ＦＳが、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間に維持されやすくなる。

そして、タイミングＴ４にて、所定流量の窒素ガスの供給が開始され、これにより、真空槽２１内の圧力である外圧が、初期圧力Ｐｏ１から押圧圧力Ｐｏ２まで高められる。このように、真空槽２１内の圧力を高めることにより、押圧機構３０のみによって前面ガラス基板Ｓ２が押圧される場合と比べて、前面ガラス基板Ｓ２の全体が均一に押圧されやすくなる。

次いで、タイミングＴ５にて、フリットシール材ＦＳの温度が、融解温度Ｔｍ３、例えば４８０℃にまで加熱されると、フリットシール材ＦＳの温度が融解温度Ｔｍ３に維持されるように、ヒータ２６の出力が調整される。なお、融解温度Ｔｍ３とは、フリットシール材ＦＳに含まれている材料であるガラス粒子が融解する温度であり、且つガラス粒子の気化が抑えられる温度である。

そして、タイミングＴ５から所定時間後のタイミングＴ６までフリットシール材ＦＳの温度が融解温度Ｔｍ３に維持されると、タイミングＴ６にてヒータ２６からのヒータ光の出力が停止されることで、各ガラス基板Ｓ１，Ｓ２及びフリットシール材ＦＳの加熱が停止される。これにより、各ガラス基板Ｓ１，Ｓ２及びフリットシール材ＦＳの温度が降下し始める。なお、タイミングＴ５からタイミングＴ６までの時間とは、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間のフリットシール材ＦＳの全てが融解する時間である。

その後、フリットシール材ＦＳの温度が降下することにより、タイミングＴ７にて、融解開始温度Ｔｍ２よりも低い凝固温度Ｔｍ４、例えば３００℃に達すると、押圧機構３０による前面ガラス基板Ｓ２の押圧が停止される。また、同じくタイミングＴ７では、マスフローコントローラ２４からの窒素ガスの供給が停止されることで、外圧が、押圧圧力Ｐｏ２から所定圧力Ｐｏ３に降下される。なお、凝固温度Ｔｍ４とは、フリットシール材ＦＳが凝固しているために、押圧機構３０による押圧を停止しても背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との位置関係が変化しない温度である。そのため、本実施形態によれば、押圧機構３０の押圧が停止されることによって、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の封着性が低下することや、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との位置がずれることを抑えることができる。

［実施例］
短辺の長さが５５０ｍｍであり、長辺の長さが９５０ｍｍであり、厚さが２．８ｍｍである矩形状の背面ガラス基板Ｓ１と、背面ガラス基板Ｓ１とほぼ同大の矩形状の前面ガラス基板Ｓ２とをフリットシール材ＦＳを用いて封着した。フリットシール材ＦＳの塗布面積は、塗布幅が３．５ｍｍであり、塗布長さが２９４０ｍｍである１０３００ｍｍ^２とした。

［押圧機構によって印加される力］
１９個の押圧機構３０の各々によって、図６に示される押圧力にて前面ガラス基板Ｓ２を背面ガラス基板Ｓ１側に押圧した。なお、図６に示される押圧点１〜１９は、順に、押圧板３１ａ〜３１ｓの押圧位置に対応している。

図６に示されるように、実施例１では、各押圧機構３０が前面ガラス基板Ｓ２を押圧するときの押圧力の合計はおよそ１２６Ｎであって、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに印加される力は、０．０１２Ｎ／ｍｍ^２であった。このとき、前面ガラス基板Ｓ２には、押圧機構３０による押圧位置を基点とする割れが生じないことが認められた。

他方、比較例１では、各押圧機構が前面ガラス基板を押圧するときの押圧力の合計はおよそ７２４Ｎであって、フリットシール材の単位塗布面積あたりに印加される力は、０．０７Ｎ／ｍｍ^２であった。このとき、前面ガラス基板には、押圧機構による押圧位置を基点とする割れが生じることが認められた。

また、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに印加される力、押圧位置を基点とするガラス基板の割れ、及びガラス基板間のずれには、以下の表１に示される関係が認められた。

表１に示されるように、力Ｐが０．０４Ｎ／ｍｍ^２よりも大きいときには、前面ガラス基板の１つ以上の押圧位置を基点として前面ガラス基板Ｓ２に割れが生じることが認められた。また、力Ｐが０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であるときには、押圧位置を基点とする割れが生じないことが認められ、且つ、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間も封着されている、つまり、前面ガラス基板のうちフリットシール材ＦＳで囲まれた部分が各スペーサＳＰに十分に接していることが認められた。

これに対し、力Ｐが０．００４Ｎ／ｍｍ^２よりも小さいときには、押圧位置を基点とする割れが生じないものの、ガラス基板間での封着が所望とする程度になされていない、つまり、前面ガラス基板のうちフリットシール材で囲まれた部分とスペーサの少なくとも一部との間に隙間が生じてしまい、十分に封着されていないことが認められた。

なお、力Ｐが、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であるときには、支持ピン高さ、つまり、水平面に対して最も高い支持ピンの高さと最も低い支持ピンの高さとの差にかかわらず、ガラス基板には割れが生じないことが認められた。また、力Ｐが、同じく０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であるときには、基板高さ、つまり、水平面に対するガラス基板Ｓ１，Ｓ２の各辺における１ｍあたりの高さの差にかかわらず、ガラス基板には割れが生じないことが認められた。

また、力Ｐが、同じく０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であっても、支持ピン高さの差、あるいは、基板高さの差が０．１ｍｍよりも大きいときには、ガラス基板間での位置ずれが認められた。

［支持ピンの高さにおける差］
昇降板２７の上面が水平面であると仮定したときの１９本の外側支持ピン２９ａ〜２９ｓの各々における外側支持ピン２９ａ〜２９ｓの高さの平均値との差、つまり偏差を測定した。なお、図７に示される測定点１〜１９は、順に、支持ピン２９ａ〜２９ｓの支持位置に対応している。

図７に示されるように、実施例２では、水平面に対して最も高い外側支持ピンの高さと、水平面に対して最も低い外側支持ピンの高さとの差が、０．１ｍｍ以下であることが認められた。他方、比較例２では、水平面に対して最も高い外側支持ピンの高さと、水平面に対して最も低い外側支持ピンの高さとの差が、１．１ｍｍであることが認められた。

［フリットシール材の高さ］
焼成後、且つ脱ガス前のフリットシール材ＦＳの高さと、脱ガス後のフリットシール材ＦＳの高さとを測定し、この測定結果を図８に示す。なお、図８に示される測定点１〜１９は、順に、支持ピン２９ａ〜２９ｓの支持位置に対応している。また、図８では、脱ガス前のフリットシール材ＦＳの高さが最も小さい測定点におけるフリットシール材の高さを基準としている。ここでいうフリットシール材の高さとは、背面ガラス基板Ｓ１の塗布面からフリットシール材ＦＳの上面までの距離のことである。

図８に示されるように、脱ガス前のフリットシール材の高さは、０ｍｍ〜０．０４４ｍｍである一方、脱ガス後のフリットシール材の高さは、０．０７４ｍｍ〜０．７６６であることが認められた。

［ガラス基板に働く応力］
前面ガラス基板に押圧位置を基点とする割れが生じたときに、この前面ガラス基板の破断面に見られるミラー半径から算出された破壊応力は、３０Ｎ／ｍｍ^２〜６１Ｎ／ｍｍ^２であった。

そこで、図８に示される凹凸を有したフリットシール材を介して背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２とを封着を以下の条件にて行った。つまり、各押圧機構３０による押圧力を図６に示される実施例１の大きさとした。また、水平面に対して最も高い外側支持ピンの高さと、水平面に対して最も低い外側支持ピンの高さとの差を図７に示される実施例２の大きさとし、さらに水平面に対して最も高い内側支持ピンの高さと、水平面に対して最も低い内側支持ピンの高さとの差を０．１ｍｍ以下とした。そして、ヒータ２６によるヒータ光の出力を調整することで、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２に働く応力を、上述した破壊応力における最小値の５０％以下、すなわち、１５Ｎ／ｍｍ^２以下とした。このとき、前面ガラス基板Ｓ２には、押圧位置を基点とする割れが生じないことが認められた。

［ガラス基板間の排気に要する時間］
ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間を封着した後、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間を１×１０^−２Ｐａから５×１０^−４Ｐａまで排気するために要する時間を測定した。なお、実施例３、実施例４、及び比較例３の各々では、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の脱ガス、及びガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の位置合わせを以下の表２に示される雰囲気に行った。また、封着及び排気時の雰囲気は、実施例３、実施例４、及び比較例３のいずれにおいても実施例４と同様とした。

実施例３によれば、比較例３と比べて、排気時間が１／２になることが認められ、また、実施例４によれば、比較例３と比べて、排気時間が１／３になることが認められた。
以上説明した実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。

（１）押圧工程にて前面ガラス基板Ｓ２を押圧するときには、フリットシール材ＦＳに対して０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力を加えるようにしている。そのため、前面ガラス基板Ｓ２における押圧位置を基点とする割れを生じにくくすることができる。

（２）２５本の支持ピン２９ａ〜２９ｙにおける、水平面である昇降板２７の上面に対して最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと、昇降板２７の上面に対して最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差が０．１ｍｍ以下である。そのため、支持ピン２９の高さの違いによるガラス基板Ｓ１，Ｓ２の変形を０．１ｍｍ以下とすることができる。これにより、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の変形により生じる応力の大きさを０．１ｍｍ以下の変形によって生じる範囲に抑えることができる。また、最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差を０．１ｍｍ以下としているため、支持ピンの高さにおける差がより大きい場合と比べて、位置合わせ後の積層ガラス基板Ｓが支持ピン２９上に載置されたときに、支持ピン２９の高さの差に起因するガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の位置ずれを抑えられる。

（３）水平面である昇降板２７の上面に対する背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の各々における高さの差が、背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の各辺における１ｍあたりに０．１ｍｍ以下である。そのため、背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の押圧によって、これらガラス基板Ｓ１，Ｓ２が、面方向に移動する距離を上述した高さにおける差の範囲に抑えることができる。

（４）除去工程、積層工程、及び押圧工程が行われる雰囲気の水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下とされ、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３とされる。そのため、封着されたガラス基板Ｓ１，Ｓ２間には、水分量及び有機成分量の調節が行われていない場合と比べて、単位体積あたりに含まれる水分量及び有機成分量の少ない気体が封入される。それゆえに、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の排気に必要とされる時間が、無調整の気体が排気される場合と比べて短くなる。

（５）押圧板３１が、ヒータ光の８０％以上を透過する透明材料によって形成されている。そのため、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２へのヒータ光の到達が押圧板３１によって妨げられにくくなり、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２が均一に加熱されやすくなる。それゆえに、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２における押圧位置と他の位置との温度差による応力を生じにくくし、ひいては、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の押圧位置を基点とする割れが生じることを抑えられる。

（６）前面ガラス基板Ｓ２に対して加えられる応力が、１５Ｎ／ｍｍ^２以下である。そのため、前面ガラス基板Ｓ２に加えられる応力が、前面ガラス基板Ｓ２における押圧位置を基点とした割れが生じない程度の大きさとなる。それゆえに、押圧位置を基点とする割れが前面ガラス基板Ｓ２に生じることを抑えられる。
なお、上述の実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。

・図９に示されるように、押圧機構３０の有する押圧板３１Ａは、フリットシール材ＦＳの直上やフリットシール材ＦＳの直上よりも前面ガラス基板Ｓ２の内側を押圧する構成であってもよい。なお、こうした構成であっても、押圧板３１Ａが、ヒータ光の８０％以上を透過する材料にて形成されていることから、前面ガラス基板Ｓ２における押圧位置及びフリットシール材ＦＳもヒータ光によって加熱される。また、こうした構成によれば、フリットシール材ＦＳの直上から押圧するため、フリットシール材ＦＳの直上よりも外側を押圧する場合と比べて、各押圧機構３０の押圧力を小さくしても、同等の封着性を得ることができる。これにより、前面ガラス基板Ｓ２にかかる力が小さくなるため、押圧位置を基点とする割れを生じにくくすることができる。

また、同じく図９に示されるように、支持ピン２９Ａによる支持位置が、背面ガラス基板Ｓ１におけるフリットシール材ＦＳの直下となるように、支持ピン２９Ａを配置してもよい。この場合、支持ピン２９、特にフリットシール材ＦＳの直下に配置される支持ピン２９は、押圧板３１と同様、ヒータ光の８０％以上を透過する透明材料で形成されることが好ましい。

これにより、背面ガラス基板Ｓ１及びフリットシール材ＦＳに対するヒータ光の到達が支持ピン２９Ａによって妨げられにくくなり、背面ガラス基板Ｓ１及びフリットシール材ＦＳが均一に加熱されやすくなる。なお、支持ピン２９Ａは、ヒータ光の透過率がより小さい材料や、ヒータ光を透過しない材料から形成されていてもよい。

・図１０に示されるように、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との間に中央ガラス基板Ｓ３を配置し、３枚のガラス基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３間を封着してもよい。なお、ガラス基板の封着は、３以上のガラス基板を対象としてもよい。

また、同じく図１０に示されるように、背面ガラス基板Ｓ１及び中央ガラス基板Ｓ３には、フリットシール材ＦＳよりも各ガラス基板Ｓ１，Ｓ３の外縁側に外側スペーサＳＰａを形成してもよい。これにより、前面ガラス基板Ｓ２におけるフリットシール材ＦＳの直上よりも外縁側に加えられる力を外側スペーサＳＰａが受けることになる。そのため、前面ガラス基板Ｓ２に加わる力を小さくすることができ、押圧位置を基点とする割れを生じにくくすることができる。

・図１１に示されるように、上述した押圧機構３０に代えて、背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２に対する押圧力をクリップ４１によって加えるようにしてもよい。こうした構成であっても、クリップ４１によってフリットシール材ＦＳに加えられる力が、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたり０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であれば、押圧機構３０によって力を加える場合と同等の効果を得ることができる。

・前面ガラス基板Ｓ２が押圧機構３０によって押圧される構成としたが、フリットシール材ＦＳの単位塗布面積あたりに加えられる力が０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であれば、背面ガラス基板Ｓ１が押圧される構成であってもよく、また、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との両方が押圧される構成であってもよい。

・フリットシール材の塗布工程と、背面ガラス基板と前面ガラス基板とを積層する積層工程との間に、除去工程としての脱ガス工程を行うようにしたが、脱ガス工程は割愛してもよい。

・昇降板２７の上面に対して最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと、昇降板２７の上面に対して最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差は０．１ｍｍ以下でなくともよい。なお、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の大きさが、短辺が６２０ｍｍであり長辺が７５０ｍｍであるものから、短辺が２２００ｍｍであり長辺が２５００ｍｍであるものの範囲であれば、以下の条件が満たされ、且つフリットシール材ＦＳの単位塗布面積に加えられる力が０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であれば、押圧位置を基点とする割れが生じない。

（条件）昇降板２７の上面に対して最も高い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さと、昇降板２７の上面に対して最も低い支持ピン２９ａ〜２９ｙの高さとの差が１ｍｍ以下である。

・水平面に対する背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の各々における高さの差が、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の各々における各辺の１ｍあたりに０．１ｍｍ以下でなくともよい。なお、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の大きさが、短辺が６２０ｍｍであり長辺が７５０ｍｍであるものから、短辺が２２００ｍｍであり長辺が２５００ｍｍであるものの範囲であれば、以下の条件が満たされ、且つフリットシール材ＦＳの単位塗布面積に加えられる力が０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下であれば、押圧位置を基点とする割れが生じない。

（条件）昇降板２７の上面に対する背面ガラス基板Ｓ１及び前面ガラス基板Ｓ２の高さにおける差が、各ガラス基板Ｓ１，Ｓ２の各辺における１ｍあたりに１ｍｍ以下である。

・シール材脱ガス室１２内、基板脱ガス室１３内、アライメント室１４内、及び封着室１５内の雰囲気は、水分量及び有機成分量の少なくとも一方が３００ｍｇ／ｍ^３以下となるようにしてもよい。また、これら処理室内の雰囲気は、水分量及び有機成分量が、３００ｍｇ／ｍ^３より大きくてもよい。

・封着装置１０には、アライメント室１４と封着室１５とを設けるようにしたが、アライメント室１４に封着室１５の構成を搭載することで、封着室１５を割愛してもよい。

・フリットシール材ＦＳは、背面ガラス基板Ｓ１ではなく、前面ガラス基板Ｓ２に塗布されてもよいし、背面ガラス基板Ｓ１と前面ガラス基板Ｓ２との両ガラス基板に塗布されてもよい。この場合、フリットシール材ＦＳが塗布されたガラス基板に対して上述の除去工程が行われるようにすればよい。

・フリットシール材ＦＳの構成材料は、上述した材料以外であってもよい。
・シール材脱ガス室１２内、基板脱ガス室１３内、アライメント室１４内、及び封着室１５内の雰囲気における水分量、有機成分量の調整は、ＣＤＡや窒素ガスの供給及び排気以外の他の方法によって行ってもよい。要は、水分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下であり、有機成分量が３００ｍｇ／ｍ^３以下であるように調整できればよい。
・搬送室１１内の雰囲気における水分量及び有機成分量の少なくとも一方が、３００ｍｇ／ｍ^３以下に調整されてもよい。

・ヒータ２６は、シースヒータに限らず、他の加熱源によって具体化されてもよい。要は、ガラス基板Ｓ１，Ｓ２及びフリットシール材ＦＳを所定の温度に加熱することのできる加熱源であればよい。
・押圧板３１は、石英ガラス以外の材料、例えばホウケイ酸ガラスからなるものでもよい。

・押圧機構３０は、ヒータ光の透過率が８０％未満であってもよい。こうした構成であっても、ヒータ光を全く透過しないものと比べて、上述した（５）に準じた効果を得ることができる。

・前面ガラス基板Ｓ２に加えられる破壊応力は１５Ｎ／ｍｍ^２より大きくてもよい。なお、破壊応力が１０Ｎ／ｍｍ^２以上２０Ｎ／ｍｍ^２以下の範囲であれば、ガラス基板の大きさ、及び厚さにかかわらず、押圧位置を基点とする割れが認められなかった。

・押圧板３１は、ヒータ光を透過しない材料からなるものでもよい。
・支持ピン２９の数、及び配置位置は、上述の態様に限らず任意に変更可能である。
・押圧機構３０の数、及び配置位置は、押圧されるガラス基板の押圧位置が、ガラス基板の各辺において複数になるように配置されていれば、上述の態様に限らず任意に変更可能である。

・ガラス基板の大きさは、上述した大きさに限らない。例えば、第４世代、すなわち、短辺の長さが６２０ｍｍであり、長辺の長さが７５０ｍｍであるガラス基板以上、第８世代、すなわち、短辺の長さが２２００ｍｍであり、長辺の長さが２５００ｍｍであるガラス基板以下の大きさであってもよい。また、第４世代よりも小さいガラス基板や、第８世代よりも大きいガラス基板であってもよい。加えて、ガラス基板の厚さも２．８ｍｍ以外の厚さであってもよい。

・フリットシール材ＦＳの塗布面積の大きさは、上述した大きさに限らず、ガラス基板の大きさ等に応じて任意に変更可能である。
・ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の封着を行うときの初期温度Ｔｍ１、融解開始温度Ｔｍ２、融解温度Ｔｍ３、及び凝固温度Ｔｍ４は、フリットシール材ＦＳを構成する材料等に応じて任意に変更可能である。

・ガラス基板Ｓ１，Ｓ２間の封着時には、上述のタイミングＴ４にて窒素ガスの供給によって外圧を高めるようにしたが、こうした処理を行わなくてもよい。
・本開示の技術におけるガラス基板の封着方法、及びガラス基板の封着装置は、実施形態に記載のＰＤＰの製造に限らず、ＦＥＤやＳＥＤ等の他のＦＰＤや、複層ガラスの製造に用いられる封着方法、及びガラス基板の封着装置に適用することも可能である。要は、複数のガラス基板がフリットシール材を用いて封着される封着方法、及び、この封着方法を用いる封着装置であれば適用することができる。

１０…封着装置、１１…搬送室、１２…シール材脱ガス室、１３…基板脱ガス室、１４…アライメント室、１５…封着室、２１…真空槽、２２…減圧ポンプ、２３…ポンプ用バルブ、２４…マスフローコントローラ、２５…ガス用バルブ、２６…ヒータ、２７…昇降板、２８…昇降軸、２９，２９ａ〜２９ｙ，２９Ａ…支持ピン、３０…押圧機構、３１，３１ａ〜３１ｓ，３１Ａ…押圧板、３２…ベローズ、３３…導入管、３４…印加軸、３５…ガイド、４１…クリップ、ＦＳ…フリットシール材、Ｓ…積層ガラス基板、Ｓ１…背面ガラス基板、Ｓ２…前面ガラス基板、Ｓ３…中央ガラス基板、ＳＬ１…第１長辺、ＳＬ２…第２長辺、ＳＰ…スペーサ、ＳＰａ…外側スペーサ、ＳＳ１…第１短辺、ＳＳ２…第２短辺。

Claims (9)

1. フリットシール材が矩形状の第１ガラス基板に塗布される塗布工程と、
   矩形状の第２ガラス基板が、前記フリットシール材を介して前記第１ガラス基板に積層される積層工程と、
   前記フリットシール材が、前記フリットシール材に含まれるガラス粒子が溶融する温度に加熱された状態で、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも一方が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との距離が小さくなる方向である前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との積層方向のみに押圧される押圧工程とを備え、
   前記押圧工程では、押圧される基板の各辺における複数の部位であって、且つ、前記押圧される基板のうち、前記積層方向から見て、前記フリットシール材よりも外側に位置する前記複数の部位が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との前記積層方向のみに押圧されることで、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力が前記フリットシール材に加えられる
   ガラス基板の封着方法。
2. 前記押圧工程では、
   前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板が複数の基板支持部によって支持され、
   水平面に対して最も高い基板支持部の高さと前記水平面に対して最も低い基板支持部の高さとの差が０．１ｍｍ以下である
   請求項１に記載のガラス基板の封着方法。
3. 前記押圧工程では、
   水平面に対する前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の各々における高さの差が、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の各辺における１ｍあたりに０．１ｍｍ以下である
   請求項１又は２に記載のガラス基板の封着方法。
4. 前記積層工程及び前記押圧工程では、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の収容される雰囲気の水分量が、３００ｍｇ／ｍ^３以下である
   請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス基板の封着方法。
5. 前記積層工程及び前記押圧工程では、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の収容される雰囲気の有機成分が、３００ｍｇ／ｍ^３以下である
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス基板の封着方法。
6. 前記押圧工程では、
   前記フリットシール材がヒータ光によって加熱され、
   前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板が、
   前記第１ガラス基板に接して前記第１ガラス基板を支持する基板支持部と、前記第２ガラス基板に接して前記第２ガラス基板を押圧する押圧部とに挟まれ、
   前記基板支持部及び前記押圧部の少なくとも一方が、前記ヒータ光の８０％以上を透過する透明材料からなる
   請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラス基板の封着方法。
7. 前記押圧工程では、
   前記押圧される基板に対して１５Ｎ／ｍｍ^２以下の応力が加えられる
   請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス基板の封着方法。
8. 前記塗布工程と、前記積層工程との間に、
   前記フリットシール材から有機成分が除去される除去工程を備える
   請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラス基板の封着方法。
9. 矩形状の第１ガラス基板に塗布されたフリットシール材が、前記フリットシール材に含まれるガラス粒子が溶融する温度に加熱された状態で、前記第１ガラス基板と、前記フリットシール材を介して前記第１ガラス基板に積層された矩形状の第２ガラス基板との少なくとも一方が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との距離が小さくなる方向である前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との積層方向のみに押圧される押圧室を備え、
   前記押圧室では、押圧される基板の各辺における複数の部位であって、且つ、前記押圧される基板のうち、前記積層方向から見て、前記フリットシール材よりも外側に位置する前記複数の部位が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との前記積層方向のみに押圧されることで、０．００４Ｎ／ｍｍ^２以上０．０４Ｎ／ｍｍ^２以下の力が前記フリットシール材に加えられる
   ガラス基板の封着装置。

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