JP5801584B2

JP5801584B2 - Dicing tape and chip-shaped part manufacturing method

Info

Publication number: JP5801584B2
Application number: JP2011073095A
Authority: JP
Inventors: 明徳佐藤; 勇人中西; 陽輔佐藤
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2011-03-29
Filing date: 2011-03-29
Publication date: 2015-10-28
Anticipated expiration: 2031-03-29
Also published as: JP2012209384A

Description

本発明は、板状部材を個片化し、チップ状部品を作成する際に、板状部材を固定するために使用されるダイシングテープに関する。また、本発明は該ダイシングテープを使用したチップ状部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing tape that is used to fix a plate-like member when the plate-like member is divided into pieces and chip-like parts are produced. The present invention also relates to a method for manufacturing a chip-shaped component using the dicing tape.

従来より、半導体ウエハなどの多数の部品が形成された板状部材を部品毎のチップ体に分割する際には、ダイシングテープにより板状部材を固定して、部品毎に切断分離（ダイシング）するダイシング工程を行なっている。そして、このダイシング工程によって分割された個々のチップ状部品を、ダイシングテープからピックアップして（取り上げて）、例えば、別途用意したＴＡＢテープなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープなどにダイボンディングして、半導体装置などの所望の装置を得ている。 Conventionally, when a plate-like member on which a large number of components such as a semiconductor wafer are formed is divided into chip bodies for each component, the plate-like member is fixed with a dicing tape and cut and separated (diced) for each component. A dicing process is performed. Then, the individual chip-like parts divided by this dicing process are picked up (taken up) from the dicing tape, for example, die-bonded to a film carrier tape for mounting electronic parts such as a separately prepared TAB tape, A desired device such as a semiconductor device is obtained.

チップ状部品をダイシングテープからピックアップする際には、ダイシングテープの背面から突き上げ針を突き上げて、チップ状部品をダイシングテープから剥離して、チップ状部品の上面より吸引コレットで吸引把持する方法が採用されている。近年、板状部材（例えば半導体ウエハ）は、実装効率を向上させるため、その厚さを極めて薄くするようになっている。このため、突き上げ時の衝撃で、チップ状部品が破損するおそれが高くなってきている。 When picking up chip-shaped parts from the dicing tape, a method is adopted in which the needle is pushed up from the back of the dicing tape, the chip-shaped parts are peeled off from the dicing tape, and sucked and held by the suction collet from the upper surface of the chip-shaped parts. Has been. In recent years, the thickness of a plate-like member (for example, a semiconductor wafer) has been made extremely thin in order to improve mounting efficiency. For this reason, there is an increased risk of damage to the chip-like component due to the impact at the time of pushing up.

このような状況に鑑みて、本出願人は、特許文献１（特開平１０−２３３３７３号公報）、特許文献２（特開平１０−２８４４４６号公報）、特許文献３（特開平１１−３８７５号公報）、特許文献４（特開２００４−１１９９９２号公報）に開示されるように、ピックアップの際に、突き上げ針による突き上げを行なうことなく、吸引コレットによる吸引のみで、チップ状部品をダイシングテープからピックアップできるダイシングテープを提案した。 In view of such circumstances, the present applicant has disclosed Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-233373), Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-284446), and Patent Document 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 11-3875). ), And as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-199992, when picking up, a chip-like component is picked up from a dicing tape only by suction by a suction collet without being pushed up by a push-up needle. Proposed dicing tape was proposed.

これら特許文献１〜４に開示されたダイシングテープＤＴは、非収縮性フィルムと、収縮性フィルムと、粘着剤層とからなり、非収縮性フィルムと、収縮性フィルムとは直接積層されていてもよく、接着剤層を介して積層されていてもよい。 The dicing tape DT disclosed in these Patent Documents 1 to 4 includes a non-shrinkable film, a shrinkable film, and an adhesive layer, and the non-shrinkable film and the shrinkable film may be directly laminated. It may be laminated through an adhesive layer.

特開平１０−２３３３７３号公報JP-A-10-233373 特開平１０−２８４４４６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-284446 特開平１１−３８７５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-3875 特開２００４−１１９９９２号公報JP 2004-119992 A

半導体チップに代表されるように、チップ状部品には、小型化、薄化、軽量化が求められ続けている。チップ状部品の小型化、薄化、軽量化が進められた結果、上記のようなダイシングテープを用いた際に、ダイシングテープからチップ状部品を剥離する際の剥離力によって、チップ状部品が破損するおそれが高くなった。 As represented by semiconductor chips, chip-like components are continuously required to be reduced in size, thickness, and weight. As a result of the progress of miniaturization, thinning, and weight reduction of chip-shaped parts, chip-shaped parts are damaged by the peeling force when peeling the chip-shaped parts from the dicing tape when using the above dicing tape. The risk of doing so increased.

本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハ等の板状部材をダイシングし、チップ状部品を製造し、これをピックアップする際に、突き上げ針による突き上げを行なうことなく、チップ状部品を破損させずにピックアップできるダイシングテープを提供することを目的とする。また、該ダイシングテープを用いたチップ状部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above situation, and dicing a plate-like member such as a semiconductor wafer to manufacture a chip-like component, which is pushed up by a push-up needle when picked up. An object of the present invention is to provide a dicing tape that can be picked up without damaging the chip-like component. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of the chip-shaped components using this dicing tape.

本発明の要旨は以下のとおりである。
〔１〕板状部材をチップに個片化する際に該板状部材の裏面に貼付されるダイシングテープであって、
支持シートと、熱収縮性フィルムおよび粘着剤層からなる易剥離シートとを積層して形成され、
該熱収縮性フィルムに貫通孔が形成されているダイシングテープ。 The gist of the present invention is as follows.
[1] A dicing tape that is attached to the back surface of the plate member when the plate member is separated into chips,
It is formed by laminating a support sheet and an easily peelable sheet composed of a heat-shrinkable film and an adhesive layer,
A dicing tape in which through holes are formed in the heat-shrinkable film.

〔２〕該支持シートがリングフレームに固定可能な大きさを有し、
該易剥離シートの外径が、該リングフレームの内径よりも小さく、かつ、該板状部材の直径より０〜１０ｍｍ大きい〔１〕に記載のダイシングテープ。 [2] The support sheet has a size that can be fixed to the ring frame,
The dicing tape according to [1], wherein an outer diameter of the easily peelable sheet is smaller than an inner diameter of the ring frame and larger by 0 to 10 mm than a diameter of the plate member.

〔３〕板状部材を〔１〕または〔２〕に記載のダイシングテープに貼付する工程、
板状部材をチップに個片化する工程、および
加熱によって熱収縮性フィルムを収縮させ、チップをダイシングテープからピックアップする工程を有するチップ状部品の製造方法。 [3] A step of attaching the plate-like member to the dicing tape according to [1] or [2],
A method for manufacturing a chip-shaped component, comprising: a step of separating a plate-like member into chips; and a step of shrinking a heat-shrinkable film by heating and picking up the chips from a dicing tape.

本発明に係るダイシングテープによれば、半導体ウエハ等の板状部材をダイシングし、チップ状部品を製造する際に、チッピングやチップ割れを防止することができる。また、チップ状部品をピックアップする際に、突き上げ針による突き上げを行なうことなく、チップ状部品を破損させずにピックアップできる。 According to the dicing tape of the present invention, chipping and chip cracking can be prevented when a plate-like member such as a semiconductor wafer is diced to produce a chip-like component. Further, when picking up the chip-shaped component, it is possible to pick up the chip-shaped component without damaging the chip-shaped component without performing the push-up by the push-up needle.

本発明に係るダイシングテープの一実施形態の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a dicing tape according to the present invention. 本発明に係るダイシングテープの使用態様を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the usage condition of the dicing tape which concerns on this invention. ダイシング工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a dicing process. 加熱変形工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a heating deformation process. 本発明に係るダイシングテープの使用態様を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the usage condition of the dicing tape which concerns on this invention. 回路が形成された半導体ウエハの平面図である。It is a top view of the semiconductor wafer in which the circuit was formed.

以下、本発明に係るダイシングテープについて、添付図面に基づいて説明する。 Hereinafter, a dicing tape according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

本発明に係るダイシングテープＤＴは、支持シート１０と、熱収縮性フィルム２１および粘着剤層２２からなる易剥離シート２０とを積層して形成され、該熱収縮性フィルム２１に貫通孔３０が形成されている。支持シート１０としては、図１に示すように、基材フィルム１１および接着剤層１２からなるシートを用いることが好ましい。なお、支持シート１０が接着剤層１２を介さずに熱収縮性フィルム２１と積層された構成としてもよい。支持シート１０として基材フィルム１１および接着剤層１２からなるシートを用いる場合、図１に示すように、基材フィルム１１は接着剤層１２を介して熱収縮性フィルム２１と積層される。支持シート１０が接着剤層１２を介さずに熱収縮性フィルム２１と積層された構成とする場合、基材フィルム１１と熱収縮性フィルム２１とは直接積層される。基材フィルム１１と熱収縮性フィルム２１を直接積層する方法としては、たとえば熱収縮性フィルム２１に塗布展延してフィルムを形成可能な組成物を用いて熱収縮性フィルム２１上に基材フィルム１１を形成する方法が挙げられる。このような方法では、塗布展延してフィルムを形成可能な組成物として、積極的に熱を加えずフィルムを形成できる、エネルギー線照射により硬化する組成物等を用いることが好ましい。 The dicing tape DT according to the present invention is formed by laminating a support sheet 10 and an easily peelable sheet 20 composed of a heat shrinkable film 21 and an adhesive layer 22, and through holes 30 are formed in the heat shrinkable film 21. Has been. As the support sheet 10, it is preferable to use a sheet made of a base film 11 and an adhesive layer 12 as shown in FIG. 1. The support sheet 10 may be laminated with the heat-shrinkable film 21 without the adhesive layer 12 interposed therebetween. When using the sheet | seat which consists of the base film 11 and the adhesive bond layer 12 as the support sheet 10, the base film 11 is laminated | stacked with the heat-shrinkable film 21 through the adhesive bond layer 12, as shown in FIG. When the support sheet 10 is configured to be laminated with the heat-shrinkable film 21 without using the adhesive layer 12, the base film 11 and the heat-shrinkable film 21 are directly laminated. As a method of directly laminating the base film 11 and the heat-shrinkable film 21, for example, a base film is formed on the heat-shrinkable film 21 using a composition that can be applied and spread on the heat-shrinkable film 21 to form a film. 11 is formed. In such a method, it is preferable to use a composition that can be formed by coating and spreading to form a film without applying heat positively and that can be formed by irradiation with energy rays.

以下、図１に示すダイシングテープＤＴにおける、基材フィルム１１および接着剤層１２からなる支持シート１０と、熱収縮性フィルム２１および粘着剤層２２からなる易剥離シート２０のそれぞれについて詳述する。 Hereinafter, each of the support sheet 10 composed of the base film 11 and the adhesive layer 12 and the easily peelable sheet 20 composed of the heat-shrinkable film 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 in the dicing tape DT shown in FIG. 1 will be described in detail.

（支持シート１０）
本発明に用いられる支持シート１０は、基材フィルム１１および接着剤層１２からなることが好ましい。基材フィルム１１は、特に限定はされないが、エキスパンド可能な伸張性を有し、耐水性および耐熱性に優れているものが適し、特に合成樹脂フィルムが適する。 (Support sheet 10)
The support sheet 10 used in the present invention is preferably composed of a base film 11 and an adhesive layer 12. The base film 11 is not particularly limited, but a base film 11 having expandable extensibility and excellent in water resistance and heat resistance is suitable, and a synthetic resin film is particularly suitable.

このような基材フィルム１１としては、具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、エチレン・プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エチレン・塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンフィルム、ポリアミドフィルム、アイオノマー等からなるフィルムなどが用いられる。また、基材フィルム１１は、上記のフィルムを２種以上組み合わせて用いることもできる。 Specifically, as such a base film 11, low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene / propylene copolymer, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene Vinyl acetate copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) methyl acrylate copolymer, ethylene / (meth) ethyl acrylate copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride / vinyl acetate Copolymers, ethylene / vinyl chloride / vinyl acetate copolymers, polyurethane films, polyamide films, films made of ionomers, and the like are used. Moreover, the base film 11 can also be used combining 2 or more types of said films.

基材フィルム１１の厚さは、通常５〜５００μｍであり、好ましくは１０〜３００μｍである。本発明で用いられる基材フィルム１１の２３℃における弾性率は通常１×１０⁹Ｎ／ｍ²未満、好ましくは１×１０⁷〜１×１０⁹Ｎ／ｍ²の範囲にあることが望ましい。２３℃における弾性率がこのような範囲にあることで、ダイシングテープＤＴをエキスパンドする際に過度の力を加えることなく引き伸ばすことが可能となり、かつ熱収縮性フィルム２１の破断を引き起こす力を熱収縮性フィルム２１に伝播させやすい。 The thickness of the base film 11 is usually 5 to 500 μm, preferably 10 to 300 μm. The elastic modulus at 23 ° C. of the base film 11 used in the present invention is usually less than 1 × 10 ⁹ N / m ² , preferably 1 × 10 ⁷ to 1 × 10 ⁹ N / m ² . When the elastic modulus at 23 ° C. is in such a range, the dicing tape DT can be expanded without applying excessive force when expanding, and the force that causes the heat-shrinkable film 21 to break can be reduced by heat shrinkage. Easy to propagate to the conductive film 21.

基材フィルム１１の他層と接する面（例えば接着剤層１２と接する面）には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー層等の他の層を設けてもよい。 In order to improve adhesion, a surface that contacts the other layer of the base film 11 (for example, a surface that contacts the adhesive layer 12) may be subjected to corona treatment or provided with another layer such as a primer layer.

本発明では、後述するように、熱収縮性フィルム２１の収縮の前または後に、粘着剤層２２にエネルギー線を照射することがあるが、この場合には、基材フィルム１１を構成するフィルムは照射するエネルギー線の透過性が高いことが好ましい。 In the present invention, as will be described later, the adhesive layer 22 may be irradiated with energy rays before or after shrinkage of the heat-shrinkable film 21, but in this case, the film constituting the base film 11 is It is preferable that the energy rays to be irradiated have high transparency.

本発明における接着剤層１２を形成するための接着剤としては、特に制限されることなく、従来より汎用の接着剤が用いられ、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの接着剤；ポリエステル系、ポリアミド系、エチレン共重合体系、エポキシ系、ウレタン系等の熱可塑性または熱硬化性の接着剤；アクリル系、ウレタン系等の紫外線硬化型接着剤や電子線硬化型接着剤が挙げられる。特に弾性率が１．０×１０⁵Ｎ／ｍ²以上、好ましくは１．０×１０⁷Ｎ／ｍ²以上の接着剤を用いることが好ましい。このような接着剤を用いることにより、後述する熱収縮性フィルム２１をより均一に収縮でき、接着剤の露出が防止され、チップのピックアップを円滑に行うことができる。 The adhesive for forming the adhesive layer 12 in the present invention is not particularly limited, and a general-purpose adhesive is conventionally used. An acrylic, rubber-based, or silicone-based adhesive; polyester-based, Examples include polyamide-based, ethylene copolymer-based, epoxy-based, urethane-based thermoplastic or thermosetting adhesives; acrylic-based, urethane-based ultraviolet curable adhesives, and electron beam curable adhesives. It is particularly preferable to use an adhesive having an elastic modulus of 1.0 × 10 ⁵ N / m ² or more, preferably 1.0 × 10 ⁷ N / m ² or more. By using such an adhesive, the heat-shrinkable film 21 to be described later can be contracted more uniformly, the exposure of the adhesive is prevented, and the chip can be picked up smoothly.

接着剤層１２の厚みは、特に限定はされないが、通常は１〜５０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。 Although the thickness of the adhesive bond layer 12 is not specifically limited, Usually, it is 1-50 micrometers, Preferably it is 3-20 micrometers.

基材フィルム１１の表面に接着剤層１２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した接着剤層を、基材フィルム１１の表面に転写しても構わないし、基材フィルム１１の表面に直接塗布して接着剤層１２を形成しても構わない。このようにして、支持シート１０を得ることができる。 As a method of providing the adhesive layer 12 on the surface of the base film 11, the adhesive layer formed by applying a predetermined film thickness on the release sheet may be transferred to the surface of the base film 11. Alternatively, the adhesive layer 12 may be formed by directly applying to the surface of the base film 11. In this way, the support sheet 10 can be obtained.

（易剥離シート２０）
本発明に用いられる易剥離シート２０は、熱収縮性フィルム２１および粘着剤層２２からなる。 (Easy release sheet 20)
The easy release sheet 20 used in the present invention includes a heat-shrinkable film 21 and an adhesive layer 22.

熱収縮性フィルム２１は、加熱によって収縮する特性を有する基材である。このような熱収縮性フィルム２１としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニルなどの一軸延伸、二軸延伸フィルム等の樹脂基材が挙げられる。熱収縮性フィルム２１は、上記樹脂基材の単層であってもよいし、複層体からなってもよい。また、架橋等の処理を施した基材であってもよい。 The heat-shrinkable film 21 is a base material having a property of shrinking by heating. Specific examples of the heat-shrinkable film 21 include resin base materials such as uniaxially stretched and biaxially stretched films such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polyamide, polyurethane, polyvinylidene chloride, and polyvinyl chloride. It is done. The heat-shrinkable film 21 may be a single layer of the resin base material or may be a multilayer body. Moreover, the base material which gave processing, such as bridge | crosslinking, may be sufficient.

熱収縮性フィルム２１の厚さは特に限定されないが、通常５〜３００μｍであり、好ましくは１０〜２００μｍである。 Although the thickness of the heat-shrinkable film 21 is not specifically limited, Usually, it is 5-300 micrometers, Preferably it is 10-200 micrometers.

熱収縮性フィルム２１の収縮率は、好ましくは１０〜９０％、より好ましくは２０〜８０％である。なお、ここで収縮率は、収縮前における熱収縮性フィルムの寸法（収縮前の寸法）と、１１０℃に加熱した収縮後における熱収縮性フィルムの寸法（収縮後の寸法）とから、下記の数式（１）に基づき算出する。 The shrinkage ratio of the heat-shrinkable film 21 is preferably 10 to 90%, more preferably 20 to 80%. Here, the shrinkage rate is the following from the size of the heat-shrinkable film before shrinkage (size before shrinkage) and the size of the heat-shrinkable film after shrinkage heated to 110 ° C. (size after shrinkage). It calculates based on Numerical formula (1).

また、本発明に用いられる熱収縮性フィルム２１には、図１に示すように、貫通孔３０が形成されている。貫通孔３０は、熱収縮性フィルム２１の加熱収縮により、その直径が大きくなり、その結果、熱収縮性フィルム２１上に形成されている粘着剤層２２も、熱収縮性フィルム２１の収縮および貫通孔３０の拡大に同伴して変形する。そのため、半導体チップ６と粘着剤層２２との接着面積が減少し、チップ間隔が縦・横均一に拡がると共に、チップ６のピックアップが容易になる。 Moreover, as shown in FIG. 1, the through-hole 30 is formed in the heat-shrinkable film 21 used for this invention. The diameter of the through-hole 30 is increased by the heat shrinkage of the heat-shrinkable film 21, and as a result, the pressure-sensitive adhesive layer 22 formed on the heat-shrinkable film 21 also shrinks and penetrates the heat-shrinkable film 21. The hole 30 is deformed as it expands. Therefore, the adhesion area between the semiconductor chip 6 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is reduced, the chip interval is expanded uniformly in the vertical and horizontal directions, and the chip 6 can be easily picked up.

熱収縮性フィルム２１を加熱収縮させる前の貫通孔３０の直径は、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは３０〜１００μｍである。貫通孔３０の直径が５μｍ未満の場合は、熱収縮性フィルムが加熱により十分に収縮せず、貫通孔３０の直径も十分に拡がらないため、半導体チップのピックアップが困難になることがある。また、貫通孔３０の直径が５００μｍを超える場合は、熱収縮性フィルム２１上の粘着剤層２２に比較的大きな凹凸が形成されてしまうため、ダイシング特性が悪化し、チッピングが発生するおそれがある。 The diameter of the through-hole 30 before heat-shrinking the heat-shrinkable film 21 is preferably 5 to 500 μm, more preferably 10 to 200 μm, and particularly preferably 30 to 100 μm. When the diameter of the through hole 30 is less than 5 μm, the heat-shrinkable film is not sufficiently contracted by heating and the diameter of the through hole 30 is not sufficiently expanded, so that it may be difficult to pick up the semiconductor chip. When the diameter of the through hole 30 exceeds 500 μm, relatively large irregularities are formed on the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the heat-shrinkable film 21, so that dicing characteristics are deteriorated and chipping may occur. .

熱収縮性フィルム２１を加熱収縮させる前の貫通孔同士の間隔（隣接する貫通孔との平均距離）は、好ましくは０．５〜５ｍｍ、より好ましくは１〜３ｍｍである。また、熱収縮性フィルム２１を加熱収縮させる前の貫通孔３０の総面積（熱収縮性フィルム２１の総面積に占める貫通孔３０の面積割合）は、好ましくは０．００００７８〜１９．６３％、より好ましくは０．０１〜０．６５％である。熱収縮性フィルム２１を加熱収縮させる前の貫通孔同士の間隔が広すぎる、または貫通孔３０の総面積が小さすぎる場合は、熱収縮性フィルムが加熱により十分に収縮せず、貫通孔３０の直径も十分に拡がらないため、半導体チップのピックアップが困難になることがある。また、貫通孔同士の間隔が狭すぎる、または貫通孔３０の総面積が大きすぎる場合は、熱収縮性フィルム２１上の粘着剤層２２に比較的大きな凹凸が形成されてしまうため、ダイシング特性が悪化し、チッピングが発生するおそれがある。 The interval between the through holes before the heat-shrinkable film 21 is heated and shrunk (average distance from adjacent through holes) is preferably 0.5 to 5 mm, more preferably 1 to 3 mm. Further, the total area of the through holes 30 before the heat shrinkable film 21 is heated and shrunk (the area ratio of the through holes 30 in the total area of the heat shrinkable film 21) is preferably 0.000078 to 19.63%, More preferably, it is 0.01 to 0.65%. When the interval between the through holes before the heat shrinkable film 21 is heated and shrunk is too wide, or the total area of the through holes 30 is too small, the heat shrinkable film is not sufficiently shrunk by heating, and the through holes 30 Since the diameter does not expand sufficiently, it may be difficult to pick up a semiconductor chip. Moreover, since the comparatively large unevenness | corrugation will be formed in the adhesive layer 22 on the heat-shrinkable film 21, when the space | interval of through-holes is too narrow, or when the total area of the through-hole 30 is too large, a dicing characteristic is formed. It may deteriorate and chipping may occur.

貫通孔３０の形状は、円形であることが好ましいが、特に限定されることはなく、矩形であってもよい。 The shape of the through hole 30 is preferably circular, but is not particularly limited, and may be rectangular.

貫通孔３０は、図１および図２に示すように、ダイシングテープＤＴの全面に形成されていてもよく、ダイシングテープＤＴにおける半導体ウエハ５を貼付する面にのみ形成されていてもよい。 As shown in FIGS. 1 and 2, the through hole 30 may be formed on the entire surface of the dicing tape DT, or may be formed only on the surface of the dicing tape DT to which the semiconductor wafer 5 is attached.

貫通孔の穿孔方法は特に限定はされず、たとえば細い針を突き刺して貫通孔を形成してもよいが、レーザー光を使用することが簡便であり好ましい。レーザー光による穿孔方法としては、ＹＡＧレーザー等の固体レーザー、ＣＯ_２レーザー等の気体レーザー等による方法が挙げられるが、ＣＯ_２レーザーが好ましい。この場合に使用するレーザー光は、少なくとも熱収縮性フィルム２１を熱分解しうる程度の強度および波長を有する必要がある。したがって、たとえば波長１０．６μｍ程度の赤外線レーザーが好ましく用いられる。 The method of drilling the through hole is not particularly limited. For example, a thin needle may be pierced to form the through hole, but it is convenient and preferable to use laser light. Examples of the drilling method using laser light include a method using a solid laser such as a YAG laser, a gas laser such as a CO ₂ laser, and the like, and a CO ₂ laser is preferable. The laser beam used in this case needs to have at least an intensity and a wavelength that can thermally decompose the heat-shrinkable film 21. Therefore, for example, an infrared laser having a wavelength of about 10.6 μm is preferably used.

粘着剤層２２は、半導体ウエハに対する適度な再剥離性があれば、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系などの汎用粘着剤が用いられる。また、粘着剤層２２は、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤を用いて形成してもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer 22 can be formed of various conventionally known pressure-sensitive adhesives as long as it has an appropriate removability for a semiconductor wafer. Such an adhesive is not limited at all, and general-purpose adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, and vinyl ether are used. Moreover, you may form the adhesive layer 22 using the energy ray hardening-type adhesive which hardens | cures by irradiation of an energy ray and becomes removability.

粘着剤層２２の厚さは特に限定されないが、通常は３〜１００μｍであり、好ましくは１０〜５０μｍである。 Although the thickness of the adhesive layer 22 is not specifically limited, Usually, it is 3-100 micrometers, Preferably it is 10-50 micrometers.

粘着剤層２２には、貫通孔が形成されていてもよく、また形成されていなくてもよいが、貫通孔が形成されているとダイシングテープＤＴの加熱によって、よりピックアップ力が低下しやすいため好ましい。図では、粘着剤層２２に貫通孔が形成された態様を示した。 Through-holes may or may not be formed in the pressure-sensitive adhesive layer 22, but when the through-holes are formed, the pick-up force is more likely to be reduced due to heating of the dicing tape DT. preferable. In the figure, the aspect in which the through-hole was formed in the adhesive layer 22 was shown.

本発明に用いる易剥離シート２０は、貫通孔３０の形成された熱収縮性フィルム２１の表面に粘着剤層２２を設ける方法や、貫通孔３０の形成されていない熱収縮性フィルム２１の表面に粘着剤層２２を設け、その後、レーザーを照射して、貫通孔３０を形成する方法等により得られる。ここで用いられるレーザーとして好ましいものは、熱収縮性フィルム２１に貫通孔３０を設けるのに用いるものと同様である。 The easily peelable sheet 20 used in the present invention is a method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through-holes 30 are formed, The pressure-sensitive adhesive layer 22 is provided, and then obtained by a method of forming a through hole 30 by irradiating a laser. What is preferable as a laser used here is the same as that used for providing the through-hole 30 in the heat-shrinkable film 21.

貫通孔３０の形成された熱収縮性フィルム２１の表面に粘着剤層２２を設ける方法としては、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を、貫通孔３０の形成された熱収縮性フィルム２１の表面に転写する方法が挙げられる。また、貫通孔３０の形成された熱収縮性フィルム２１の表面に、粘着剤を直接塗布して粘着剤層２２を形成しても構わない。 As a method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through-holes 30 are formed, the pressure-sensitive adhesive layer formed by applying a predetermined film thickness on the release sheet is used. The method of transferring to the surface of the formed heat-shrinkable film 21 is mentioned. Alternatively, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed by directly applying a pressure-sensitive adhesive to the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through holes 30 are formed.

貫通孔３０の形成されていない熱収縮性フィルム２１の表面に粘着剤層２２を設ける方法としては、上記の方法と同様に、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を、貫通孔３０の形成されていない熱収縮性フィルム２１の表面に転写する方法が挙げられる。また、貫通孔３０の形成されていない熱収縮性フィルム２１の表面に、粘着剤を直接塗布して粘着剤層２２を形成しても構わない。このようにして積層された熱収縮性フィルム２１と粘着剤層２２とに、ＣＯ_２レーザー等を照射して貫通孔３０を形成することで、本発明に用いる易剥離シート２０を得ることができる。上記方法で貫通孔３０を形成することで、本発明に係るダイシングテープＤＴの製造工程を簡略化できる。 As a method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through-holes 30 are not formed, the pressure-sensitive adhesive formed by applying a predetermined film thickness on the release sheet, similar to the above method. A method of transferring the agent layer to the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through-holes 30 are not formed is mentioned. Alternatively, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed by directly applying a pressure-sensitive adhesive to the surface of the heat-shrinkable film 21 in which the through holes 30 are not formed. The easy-release sheet 20 used in the present invention can be obtained by irradiating the heat-shrinkable film 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 laminated in this manner with a CO ₂ laser or the like to form the through holes 30. . By forming the through hole 30 by the above method, the manufacturing process of the dicing tape DT according to the present invention can be simplified.

（ダイシングテープＤＴ）
本発明に係るダイシングテープＤＴは、上述した支持シート１０と易剥離シート２０とを積層することで形成され、積層方法は特に限定されない。 (Dicing tape DT)
The dicing tape DT according to the present invention is formed by laminating the support sheet 10 and the easy-peeling sheet 20 described above, and the laminating method is not particularly limited.

ダイシングテープＤＴは、図２に示すように、その粘着剤層２２上に被切断物である板状部材（例えば半導体ウエハ５）が貼付され、ダイシングテープＤＴの端部をリングフレーム７等で固定した状態で使用される。そして、図３に示すように、貼付された半導体ウエハ５をダイシングしてチップ状部品（例えば半導体チップ６）とする。次いで、図４に示すように、熱収縮性フィルム２１を収縮させると、熱収縮性フィルムに伴って粘着剤層２２も収縮し、粘着剤層２２と半導体チップ６との接触面積が低減する。その結果、半導体チップ６のピックアップが容易になる。 As shown in FIG. 2, the dicing tape DT has a plate-like member (for example, a semiconductor wafer 5) attached to the adhesive layer 22 and an end of the dicing tape DT fixed with a ring frame 7 or the like. Used in the state Then, as shown in FIG. 3, the affixed semiconductor wafer 5 is diced into chip-like components (for example, semiconductor chips 6). Next, as shown in FIG. 4, when the heat-shrinkable film 21 is shrunk, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is also shrunk along with the heat-shrinkable film, and the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the semiconductor chip 6 is reduced. As a result, the semiconductor chip 6 can be easily picked up.

図２および図５に、本発明において用いられるダイシングテープＤＴの好ましい構成について、リングフレーム７や半導体ウエハ５との配置関係とともに示す。粘着剤層２２、熱収縮性フィルム２１、接着剤層１２および基材フィルム１１の具体例および好適な態様は上記で説明したとおりである。なお、接着剤層１２は、上述したように必ずしも必須ではない。 2 and 5 show a preferred configuration of the dicing tape DT used in the present invention, together with the arrangement relationship with the ring frame 7 and the semiconductor wafer 5. Specific examples and preferred embodiments of the pressure-sensitive adhesive layer 22, the heat-shrinkable film 21, the adhesive layer 12, and the base film 11 are as described above. The adhesive layer 12 is not necessarily essential as described above.

図２に示すダイシングテープＤＴは、基材フィルム１１および接着剤層１２からなる支持シート１０上全面に、熱収縮性フィルム２１および粘着剤層２２からなる易剥離シート２０が積層されている。ダイシングテープＤＴの端部は、粘着剤層２２上周縁部においてリングフレーム７によって固定され、粘着剤層２２上には半導体ウエハ５が貼付される。 In the dicing tape DT shown in FIG. 2, an easily peelable sheet 20 composed of a heat-shrinkable film 21 and an adhesive layer 22 is laminated on the entire surface of the support sheet 10 composed of a base film 11 and an adhesive layer 12. The end of the dicing tape DT is fixed by the ring frame 7 at the upper peripheral edge of the adhesive layer 22, and the semiconductor wafer 5 is stuck on the adhesive layer 22.

本発明に係るダイシングテープＤＴにおいては、図５に示すように、支持シート１０がリングフレーム７に固定可能な大きさを有し、易剥離シート２０の外径は、リングフレーム７の内径よりも小さく、かつ、半導体ウエハ５の直径より０〜１０ｍｍ大きいことが好ましい。易剥離シート２０の外径がリングフレーム７の内径よりも大きい場合、または、易剥離シート２０の外径が半導体ウエハ５の直径より１０ｍｍを超えて大きい場合には、熱収縮性フィルムの収縮性が不安定となり、良好なピックアップ性が得られないことがある。 In the dicing tape DT according to the present invention, as shown in FIG. 5, the support sheet 10 has a size that can be fixed to the ring frame 7, and the outer diameter of the easily peelable sheet 20 is larger than the inner diameter of the ring frame 7. It is preferably small and larger by 0 to 10 mm than the diameter of the semiconductor wafer 5. When the outer diameter of the easily peelable sheet 20 is larger than the inner diameter of the ring frame 7 or when the outer diameter of the easily peelable sheet 20 is larger than the diameter of the semiconductor wafer 5 by more than 10 mm, the shrinkability of the heat-shrinkable film. May become unstable and good pickup properties may not be obtained.

（チップ状部品の製造方法）
次に、本発明に係るチップ状部品の製造方法について、図２に示すダイシングテープＤＴを用いて説明する。 (Manufacturing method for chip-shaped parts)
Next, the manufacturing method of the chip-shaped component according to the present invention will be described using the dicing tape DT shown in FIG.

本発明においては、まず、表面に回路８が形成された板状部材（例えば半導体ウエハ５）を準備し、ダイシングテープＤＴの粘着剤層２２上に半導体ウエハ５を貼付し、該ダイシングテープＤＴをリングフレーム７で固定する。 In the present invention, first, a plate-like member (for example, a semiconductor wafer 5) having a circuit 8 formed on the surface is prepared, the semiconductor wafer 5 is stuck on the adhesive layer 22 of the dicing tape DT, and the dicing tape DT is attached. Fix with the ring frame 7.

板状部材は、半導体ウエハの他、発光素子材料板状部材、樹脂封止された半導体チップの載置された基板等が挙げられる。半導体ウエハ５はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。図６に、半導体ウエハ５の回路面側の平面図を示す。ウエハ表面への回路８の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路８が形成される。図６に示すように、回路８は半導体ウエハ５の内周部表面に通常格子状に形成される。半導体ウエハ５の厚みは特に限定されないが、通常は１０〜５００μｍ程度である。 Examples of the plate member include a semiconductor wafer, a light emitting element material plate member, a substrate on which a resin-encapsulated semiconductor chip is placed, and the like. The semiconductor wafer 5 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. FIG. 6 shows a plan view of the semiconductor wafer 5 on the circuit surface side. Formation of the circuit 8 on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 8 is formed. As shown in FIG. 6, the circuit 8 is usually formed in a lattice pattern on the inner peripheral surface of the semiconductor wafer 5. Although the thickness of the semiconductor wafer 5 is not specifically limited, Usually, it is about 10-500 micrometers.

次いで、半導体ウエハ５を半導体チップ６に個片化（ダイシング）する。ダイシングは、図６に示すダイシングラインＤＬに沿って行われる。ダイシングの際の深さは、通常図３に示すように、易剥離シート２０を完全に切断し、支持シート１０の途中までとする。熱収縮性フィルム２１を完全に切断することによって、収縮性を拘束する作用が小さくなるので、熱収縮性フィルム２１の収縮性を十分に発現させることができる。 Next, the semiconductor wafer 5 is diced into semiconductor chips 6 (dicing). Dicing is performed along the dicing line DL shown in FIG. As shown in FIG. 3, the depth at the time of dicing is usually set to the middle of the support sheet 10 by completely cutting the easily peelable sheet 20. By completely cutting the heat-shrinkable film 21, the effect of restraining the shrinkage becomes small, so that the shrinkability of the heat-shrinkable film 21 can be sufficiently expressed.

一方、ダイシングソーを用いてダイシングを行う場合に、この際の切断深さを、半導体ウエハ５の厚みおよびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにし、支持シート１０を切り込まないようにすると、支持シート１０の切削屑が発生せず、その後の加工工程における不具合を防止することができる。このような工程では、易剥離シート２０は完全に切断されないことがある。また、レーザーにより半導体ウエハ５を切断した場合に、易剥離シート２０がレーザーにより半導体ウエハ５と同時に切断される性質ではないときは、ダイシング後も切断されないままとなる。 On the other hand, when performing dicing using a dicing saw, the cutting depth at this time is set to a depth that takes into account the thickness of the semiconductor wafer 5 and the wear of the dicing saw, so that the support sheet 10 is not cut, The cutting waste of the support sheet 10 is not generated, and problems in subsequent processing steps can be prevented. In such a process, the easy-release sheet 20 may not be completely cut. In addition, when the semiconductor wafer 5 is cut by a laser, if the easily peelable sheet 20 does not have the property of being cut at the same time as the semiconductor wafer 5 by the laser, it remains uncut after dicing.

また、個片化は、半導体ウエハなどの切断を予定する部分にレーザーを照射して易割断性を有する改質領域を設け、エキスパンドにより該改質領域を割断して切断分離する方法であるステルスダイシング（登録商標）であってもよい。このような方法では、厳密にはエキスパンド前に行われるのは個片化の前処理であって、個片化そのものではないが、本発明に言う個片化は、そのような個片化の前処理も含む。ステルスダイシング（登録商標）法において、半導体ウエハ５に対してのレーザーによる改質領域の形成を本発明のダイシングテープＤＴ上で行う場合、個片化の前処理の終了後も易剥離シート２０は切断されていない。 Also, singulation is a stealth method in which a portion to be cut such as a semiconductor wafer is irradiated with a laser to provide a modified region having easy cleaving, and the modified region is cut and separated by expanding. Dicing (registered trademark) may be used. In such a method, strictly speaking, the pre-expansion is performed before the expansion, not the individualization itself, but the individualization referred to in the present invention is such an individualization. Includes pre-processing. In the stealth dicing (registered trademark) method, when the modified region is formed on the semiconductor wafer 5 by the laser on the dicing tape DT of the present invention, the easily peelable sheet 20 is formed even after the pre-processing of singulation is completed. Not disconnected.

以上のような場合に、次いで支持シート１０のエキスパンドを行うと、本発明のダイシングテープＤＴは、熱収縮性フィルム２１に貫通孔が設けられているので、半導体チップの貼着されていない部分において貫通孔に沿って易剥離シート２０が割断される。これにより、半導体チップの間隔が拡張するので、上記の易剥離シート２０を完全に切断する場合と同様に、熱収縮性フィルム２１の収縮性が十分に発現され、半導体チップのピックアップを容易に行えるようになるため好ましい。この際、半導体チップと粘着剤層との間にずれが発生することになり、半導体チップと粘着剤層との間の密着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。ステルスダイシング（登録商標）法により個片化の前処理を行った場合は、エキスパンドと同時に半導体ウエハのチップへの割断も行われる。 In the above case, when the support sheet 10 is expanded, the dicing tape DT of the present invention is provided with through holes in the heat-shrinkable film 21, so that the semiconductor chip is not attached to the portion. The easily peelable sheet 20 is cleaved along the through hole. As a result, the interval between the semiconductor chips is expanded, so that the shrinkability of the heat-shrinkable film 21 is sufficiently developed and the semiconductor chip can be easily picked up, as in the case of completely cutting the easily peelable sheet 20 described above. This is preferable. At this time, a deviation occurs between the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesion between the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, and the pick-up property of the semiconductor chip is improved. When pre-processing of singulation is performed by the stealth dicing (registered trademark) method, the semiconductor wafer is divided into chips simultaneously with the expansion.

易剥離シート２０を個片化の際に完全に切断した場合は、エキスパンド工程は行ってもよいし、省略してもよい。 When the easily peelable sheet 20 is completely cut during singulation, the expanding process may be performed or omitted.

次いで、半導体チップ６とダイシングテープＤＴとの積層体を加熱することで、図４に示すように、熱収縮性フィルム２１を収縮させる。加熱条件は、通常６０〜１５０℃で、３０〜１２０秒間である。このようにして熱収縮性フィルム２１を収縮させると、熱収縮性フィルム２１の収縮に伴い貫通孔３０の直径が拡がる。その結果、熱収縮性フィルム２１上に形成されている粘着剤層２２も熱収縮性フィルム２１の収縮に同伴して変形するため、半導体チップ６と粘着剤層２２との接着面積が減少する。また、この際にチップ６と粘着剤層２２との間にずれ応力が生じるため、チップ６と粘着剤層２２との接着力が低下する。また、図２のように粘着剤層２２上周縁部においてリングフレーム７によって固定されている場合に、ダイシングテープＤＴの外周部の切断されていない部分を加熱すると、外周部の切断されていない熱収縮性フィルム２１が収縮するが、この部分はその一端がリングフレーム７に固定されている。その結果、この収縮力が支持シート１０に伝播し、ダイシングテープＤＴ全体にリングフレーム７の方向に引き伸ばされる張力が働く。この張力がチップ６の保持部に伝播することで、チップ間隔が縦・横均一に拡がる。つまり、これによりダイシングテープＤＴをエキスパンドしたのと同様の効果が得られる。したがって、エキスパンド工程を省略しても、良好に半導体チップ６のピックアップが行えるため、好ましい。 Next, the heat shrinkable film 21 is shrunk as shown in FIG. 4 by heating the laminated body of the semiconductor chip 6 and the dicing tape DT. The heating conditions are usually 60 to 150 ° C. and 30 to 120 seconds. When the heat-shrinkable film 21 is shrunk in this manner, the diameter of the through hole 30 is expanded as the heat-shrinkable film 21 is shrunk. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer 22 formed on the heat-shrinkable film 21 is also deformed along with the shrinkage of the heat-shrinkable film 21, so that the adhesion area between the semiconductor chip 6 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is reduced. At this time, since a stress is generated between the chip 6 and the pressure-sensitive adhesive layer 22, the adhesive force between the chip 6 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is reduced. In addition, when the uncut portion of the outer peripheral portion of the dicing tape DT is heated in the case where the upper peripheral edge of the adhesive layer 22 is fixed by the ring frame 7 as shown in FIG. Although the shrinkable film 21 shrinks, one end of this portion is fixed to the ring frame 7. As a result, the contraction force propagates to the support sheet 10 and a tension stretched in the direction of the ring frame 7 acts on the entire dicing tape DT. This tension propagates to the holding portion of the chip 6 so that the chip interval is spread uniformly in the vertical and horizontal directions. That is, the same effect as that obtained by expanding the dicing tape DT can be obtained. Therefore, it is preferable because the semiconductor chip 6 can be picked up satisfactorily even if the expanding step is omitted.

その後、半導体チップ６をダイシングテープＤＴからピックアップする。半導体チップ６のピックアップ方法は特に限定はされず、従来の突き上げ針を用いたピックアップ方法であってもよいが、本発明では、半導体チップ６と粘着剤層２２との間の接着力が低く、またチップ間隔が拡張されているため、突き上げ針を使用せずに、吸引コレットのみによって半導体チップ６のピックアップが可能になる。 Thereafter, the semiconductor chip 6 is picked up from the dicing tape DT. The pick-up method of the semiconductor chip 6 is not particularly limited, and may be a conventional pick-up method using a push-up needle, but in the present invention, the adhesive force between the semiconductor chip 6 and the adhesive layer 22 is low, Further, since the chip interval is extended, the semiconductor chip 6 can be picked up only by the suction collet without using the push-up needle.

具体的には、半導体チップ６の位置をセンサーなどで検出して、図示しない吸引コレットを左右に移動して位置決めして下降させることによって、チップ６が個々に吸引されてピックアップされる。その後、別途用意したＴＡＢテープなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープなどへのダイボンディング（実装）工程を経て、半導体装置が製造される。この際、従来のように突き上げ針を使用しなくてすむので、チップの損傷や、チップ下面への粘着剤の付着が防止できる。なお、粘着剤層２２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合は、ピックアップ工程の前に、粘着剤の粘着力を低下させチップを剥離しやすくするためにエネルギー線を照射することが好ましい。 Specifically, the position of the semiconductor chip 6 is detected by a sensor or the like, and a suction collet (not shown) is moved left and right to be positioned and lowered, whereby the chips 6 are individually sucked and picked up. Thereafter, a semiconductor device is manufactured through a die bonding (mounting) process to a film carrier tape for mounting electronic components such as a separately prepared TAB tape. At this time, since it is not necessary to use a push-up needle as in the prior art, damage to the chip and adhesion of the adhesive to the lower surface of the chip can be prevented. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable to irradiate energy rays before the pickup process in order to reduce the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive and make it easier to peel off the chip.

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、「熱収縮性フィルムの１１０℃における収縮率」は以下のように測定した。また、「ダイシング適性」および「ピックアップ性」は次のようにして評価した。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, the “shrinkage rate of heat-shrinkable film at 110 ° C.” was measured as follows. Further, “Dicing aptitude” and “Pickup property” were evaluated as follows.

＜熱収縮性フィルムの１１０℃における収縮率＞
実施例および比較例に用いた熱収縮性フィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形に裁断し、試験片とした（収縮前の寸法：１００ｍｍ）。試験片を、１１０℃のオイルバスに浸し、１０秒後に取り出して、ＭＤ方向の辺とＣＤ方向の辺の収縮後の長さを測定し、平均値を収縮後の寸法とした。下記式より収縮率を求めた。

<Shrinkage rate of heat-shrinkable film at 110 ° C.>
The heat-shrinkable films used in Examples and Comparative Examples were cut into 100 mm × 100 mm squares to obtain test pieces (size before shrinkage: 100 mm). The test piece was immersed in an oil bath at 110 ° C., taken out after 10 seconds, the length after contraction of the side in the MD direction and the side in the CD direction was measured, and the average value was taken as the dimension after contraction. The shrinkage rate was calculated from the following formula.

＜ダイシング適性＞
実施例および比較例で作製したダイシングテープに、８インチのシリコンウエハ（直径２００ｍｍ、厚さ３０μｍ）を貼付し、ダイシングテープをリングフレームに固定した。次いで、公知のブレードダイシングによる切断方法により、シリコンウエハをチップ（サイズ：５ｍｍ×５ｍｍ）に個片化した。なお、個片化時におけるダイシングブレードのダイシングテープへの切り込み量としては、支持シートの基材フィルムに対して２０μｍ切り込んだ。すなわち、全体の厚み１３０μｍのダイシングテープに対して７０μｍ切り込み、基材フィルムを６０μｍ残すようにした。その後、ダイシングテープに紫外線照射（２３０ｍＷ／ｃｍ^２、１９０ｍＪ／ｃｍ^２）を行い、別のテープにチップを転写し、ダイシングテープを剥離して、チップ裏面側から、チッピング、チップ割れの有無を目視にて確認した。 <Dicing aptitude>
An 8-inch silicon wafer (diameter 200 mm, thickness 30 μm) was affixed to the dicing tape produced in the examples and comparative examples, and the dicing tape was fixed to the ring frame. Next, the silicon wafer was divided into chips (size: 5 mm × 5 mm) by a known cutting method using blade dicing. In addition, as the cutting amount of the dicing blade into the dicing tape at the time of individualization, 20 μm was cut into the base film of the support sheet. That is, 70 μm was cut into the entire 130 μm-thick dicing tape to leave 60 μm of the base film. Thereafter, the dicing tape is irradiated with ultraviolet rays (230 mW / cm ² , 190 mJ / cm ² ), the chip is transferred to another tape, the dicing tape is peeled off, and chipping and chip cracking are visually observed from the back side of the chip. Confirmed.

＜ピックアップ性＞
実施例および比較例で作製したダイシングテープに、８インチのシリコンウエハ（直径２００ｍｍ、厚さ５０μｍ）を貼付し、ダイシングテープをリングフレームに固定した。次いで、公知のブレードダイシングによる切断方法により、シリコンウエハをチップ（サイズ：５ｍｍ×５ｍｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍ）に個片化した。なお、個片化時におけるダイシングブレードのダイシングテープへの切り込み量は、ダイシング適性の評価と同様に、支持シートの基材フィルムに対して２０μｍとした。その後、ダイシングテープに紫外線照射（２３０ｍＷ／ｃｍ^２、１９０ｍＪ／ｃｍ^２）を行い、１１０℃に加熱した板（８インチウエハと同サイズ）を準備し、ダイシングテープの支持シートを下にして、板の上に乗せ、１分間熱処理を行った。その後、ピックアップ装置により、ダイシングテープが張る程度にエキスパンド（２ｍｍ引き落とし）した。ダイシングテープの裏面からピックアップピンによる突き上げを行うことなく、チップ表面をバキュームピンセットで吸着し、チップをダイシングテープからピックアップした。チップのピックアップについて、バキュームピンセットですぐにピックアップできた場合を「良好」、３秒の吸着時間をおき、ゆっくりピックアップできた場合を「可」、ピックアップできなかった場合を「不可」と評価した。 <Pickup property>
An 8-inch silicon wafer (diameter 200 mm, thickness 50 μm) was affixed to the dicing tape produced in the examples and comparative examples, and the dicing tape was fixed to the ring frame. Next, the silicon wafer was separated into chips (size: 5 mm × 5 mm, 10 mm × 10 mm) by a known cutting method using blade dicing. In addition, the cutting amount of the dicing blade into the dicing tape at the time of singulation was set to 20 μm with respect to the base film of the support sheet, similarly to the evaluation of dicing suitability. Thereafter, the dicing tape was irradiated with ultraviolet rays (230 mW / cm ² , 190 mJ / cm ² ) to prepare a plate heated to 110 ° C. (same size as an 8-inch wafer), and the dicing tape support sheet was placed downward. Heat treatment was performed for 1 minute. After that, it was expanded (drawn 2 mm) to the extent that the dicing tape was stretched by the pickup device. The chip surface was adsorbed with vacuum tweezers without picking up from the back surface of the dicing tape with a pickup pin, and the chip was picked up from the dicing tape. Regarding the chip pickup, it was evaluated as “good” when it could be picked up quickly with vacuum tweezers, “advanced” when it was able to pick up slowly after 3 seconds of adsorption time, and “impossible” when it could not be picked up.

（実施例１）
＜易剥離シートの作製＞
ブチルアクリレート６０重量部、メチルメタクリレート２０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２８重量部からなる共重合体１００ｇに対して、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート３３．６ｇを反応させて得られたポリマー１００重量部、紫外線硬化型反応開始剤３重量部、および架橋剤（イソシアナート系）１重量部を反応させて、エネルギー線硬化型粘着剤組成物を得た。 (Example 1)
<Preparation of easy release sheet>
100 parts by weight of a polymer obtained by reacting 33.6 g of methacryloyloxyethyl isocyanate with 100 g of a copolymer consisting of 60 parts by weight of butyl acrylate, 20 parts by weight of methyl methacrylate and 28 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, ultraviolet rays An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition was obtained by reacting 3 parts by weight of a curable reaction initiator and 1 part by weight of a crosslinking agent (isocyanate).

剥離シートとして、剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）を準備し、その上に、上記の粘着剤組成物を粘着剤層の厚さが１０μｍとなるように塗布し、１００℃で１分間加熱した。次いで、貫通孔の形成されていない熱収縮性フィルムとして、熱収縮性ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３０μｍ、１１０℃における収縮率が５０％）を準備し、剥離シート上の粘着剤層に貼合した。その後、剥離シートを剥離し、熱収縮性フィルムに貫通孔の形成されていない易剥離シートを得た。 A release-treated polyethylene terephthalate film (thickness: 38 μm) was prepared as a release sheet, and the adhesive composition was applied thereon so that the thickness of the adhesive layer was 10 μm. Heated for minutes. Next, a heat-shrinkable polyethylene terephthalate film (thickness 30 μm, shrinkage rate at 110 ° C. of 50%) was prepared as a heat-shrinkable film having no through-holes, and was bonded to the pressure-sensitive adhesive layer on the release sheet. . Thereafter, the release sheet was peeled off to obtain an easy release sheet having no through-holes formed in the heat-shrinkable film.

炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザー加工装置（松下電器製、ＹＢ−ＨＣＳ０３Ｔ０４、波長１０．６μｍ）を用いて、熱収縮性フィルムに貫通孔の形成されていない易剥離シートの粘着剤層側からレーザーを入射し、粘着剤層面の孔径（貫通孔の直径）が４５μｍ、貫通孔同士の間隔が２ｍｍとなるように貫通孔を形成し、易剥離シートを得た。なお、易剥離シートの熱収縮性フィルムにおける貫通孔の総面積は、０．０４％であった。 Using a carbon dioxide gas (CO ₂ ) laser processing device (Matsushita Electric, YB-HCS03T04, wavelength 10.6 μm), a laser is applied from the pressure-sensitive adhesive layer side of the easily peelable sheet having no through-holes formed in the heat-shrinkable film. Incidently, through-holes were formed so that the hole diameter of the pressure-sensitive adhesive layer surface (the diameter of the through-holes) was 45 μm, and the distance between the through-holes was 2 mm, to obtain an easily peelable sheet. In addition, the total area of the through-hole in the heat-shrinkable film of an easily peelable sheet was 0.04%.

＜支持シートの作製＞
ブチルアクリレート９１重量部、アクリル酸９重量部からなる共重合体１００重量部と、架橋剤（イソシアナート系）１重量部を反応させて、接着剤組成物を得た。 <Preparation of support sheet>
An adhesive composition was obtained by reacting 100 parts by weight of a copolymer consisting of 91 parts by weight of butyl acrylate and 9 parts by weight of acrylic acid and 1 part by weight of a crosslinking agent (isocyanate type).

剥離シートとして、剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）を準備し、その上に、上記の接着剤組成物を接着剤層の厚さが１０μｍとなるように塗布し、１００℃で１分間加熱した。次いで、基材フィルムとして、非収縮性エチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚さ８０μｍ、１１０℃における収縮率が０．１％）を準備し、剥離シート上の接着剤層に貼合した。その後、剥離シートを剥離し、支持シートを得た。 A release-treated polyethylene terephthalate film (thickness: 38 μm) was prepared as a release sheet, and the adhesive composition was applied thereon so that the adhesive layer had a thickness of 10 μm. Heated for minutes. Next, a non-shrinkable ethylene-methacrylic acid copolymer film (thickness 80 μm, shrinkage rate at 110 ° C. of 0.1%) was prepared as a base film and bonded to the adhesive layer on the release sheet. Thereafter, the release sheet was peeled off to obtain a support sheet.

＜ダイシングテープの作製＞
上記易剥離シートの熱収縮性フィルム側に、上記支持シートの接着剤層を貼合し、リングフレームのサイズに型抜きして、図２に示す構成のダイシングテープを得た。このダイシングテープについて、「ダイシング適性」および「ピックアップ性」を評価した。結果を表１に示す。 <Production of dicing tape>
The adhesive layer of the said support sheet was bonded to the heat-shrinkable film side of the said easily peelable sheet | seat, and it die-cut to the size of the ring frame, and obtained the dicing tape of the structure shown in FIG. About this dicing tape, "Dicing aptitude" and "Pickup property" were evaluated. The results are shown in Table 1.

（実施例２）
粘着剤層面の孔径（貫通孔の直径）を３０μｍ、貫通孔同士の間隔を３ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、易剥離シートの熱収縮性フィルムにおける貫通孔の総面積は、０．０１％であった。 (Example 2)
A dicing tape was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the hole diameter of the pressure-sensitive adhesive layer surface (diameter of the through hole) was 30 μm and the interval between the through holes was 3 mm. The results are shown in Table 1. In addition, the total area of the through-hole in the heat-shrinkable film of an easily peelable sheet was 0.01%.

（実施例３）
粘着剤層面の孔径（貫通孔の直径）を１００μｍ、貫通孔同士の間隔を１ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、易剥離シートの熱収縮性フィルムにおける貫通孔の総面積は、０．６５％であった。 (Example 3)
A dicing tape was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the hole diameter (through hole diameter) on the pressure-sensitive adhesive layer surface was 100 μm and the interval between the through holes was 1 mm. The results are shown in Table 1. In addition, the total area of the through-hole in the heat-shrinkable film of an easily peelable sheet was 0.65%.

（実施例４）
実施例１の易剥離シートを直径２１０ｍｍの円形に型抜きした。また、実施例１の支持シートをリングフレームのサイズに型抜きした。上記の易剥離シートの熱収縮性フィルム側に、上記支持シートの接着剤層を熱収縮性フィルムと支持シートが同心円状になるように貼合し、図５に示す構成のダイシングテープを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、易剥離シートの熱収縮性フィルムにおける貫通孔の総面積は、０．０４％であった。 Example 4
The easy release sheet of Example 1 was die-cut into a circle having a diameter of 210 mm. Moreover, the support sheet of Example 1 was die-cut to the size of the ring frame. On the heat-shrinkable film side of the easily peelable sheet, the adhesive layer of the support sheet is bonded so that the heat-shrinkable film and the support sheet are concentric, and a dicing tape having the configuration shown in FIG. 5 is obtained. Evaluation was performed. The results are shown in Table 1. In addition, the total area of the through-hole in the heat-shrinkable film of an easily peelable sheet was 0.04%.

（比較例１）
熱収縮性フィルムに貫通孔の形成されていない易剥離シートを用いたこと以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得、評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 1)
A dicing tape was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an easily peelable sheet having no through-holes was used for the heat-shrinkable film. The results are shown in Table 1.

（比較例２）
熱収縮性フィルムに貫通孔の形成されていない易剥離シートを用いたこと以外は、実施例４と同様にしてダイシングテープを得、評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 2)
A dicing tape was obtained and evaluated in the same manner as in Example 4 except that an easily peelable sheet having no through-holes was used for the heat-shrinkable film. The results are shown in Table 1.

ＤＴ：ダイシングテープ
１０：支持シート
１１：基材フィルム
１２：接着剤層
２０：易剥離シート
２１：熱収縮性フィルム
２２：粘着剤層
３０：貫通孔
５：半導体ウエハ
６：半導体チップ
７：リングフレーム
８：回路 DT: Dicing tape 10: Support sheet 11: Base film 12: Adhesive layer 20: Easily peelable sheet 21: Heat-shrinkable film 22: Adhesive layer 30: Through-hole 5: Semiconductor wafer 6: Semiconductor chip 7: Ring frame 8: Circuit

Claims

A dicing tape that is attached to the back surface of the plate member when the plate member is separated into chips,
It is formed by laminating a support sheet and an easily peelable sheet composed of a heat-shrinkable film and an adhesive layer,
A through hole is formed in the heat shrinkable film ,
A dicing tape in which the shape of the through hole is circular .

A dicing tape that is attached to the back surface of the plate member when the plate member is separated into chips,
It is formed by laminating a support sheet and an easily peelable sheet composed of a heat-shrinkable film and an adhesive layer,
A through hole is formed in the heat shrinkable film,
The diameter of the through hole before heat shrinking the heat shrinkable film is 5 to 500 μm,
A dicing tape in which the area ratio of through-holes in the total area of the heat-shrinkable film before heat-shrinking is 0.000078 to 19.63%.

The support sheet has a size that can be fixed to the ring frame,
The dicing tape according to claim 1 or 2 , wherein an outer diameter of the easily peelable sheet is smaller than an inner diameter of the ring frame and is 0 to 10 mm larger than a diameter of the plate member.

The dicing tape according to claim 2 or 3, wherein the shape of the through hole is circular.

The diameter of the through hole before heat-shrinking the heat-shrinkable film is 5 to 500 μm,
The dicing tape according to any one of claims 1, 3, and 4, wherein an area ratio of through-holes in a total area of the heat-shrinkable film before being heat-shrinked is 0.000078 to 19.63%.

A step of attaching a plate-like member to the dicing tape according to any one of claims 1 to 5 ,
A method for manufacturing a chip-shaped component, comprising: a step of separating a plate-like member into chips; and a step of shrinking a heat-shrinkable film by heating and picking up the chips from a dicing tape.