JP5884667B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5884667B2 JP5884667B2 JP2012162561A JP2012162561A JP5884667B2 JP 5884667 B2 JP5884667 B2 JP 5884667B2 JP 2012162561 A JP2012162561 A JP 2012162561A JP 2012162561 A JP2012162561 A JP 2012162561A JP 5884667 B2 JP5884667 B2 JP 5884667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- wafer
- unit
- sensor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1に示されるように、本実施形態の半導体装置は、センサ部10にキャップ部20が貼り合わされて構成されている。なお、図1に示すセンサ部10は、図2(a)中のI−I線に沿った断面図である。まず、本実施形態のセンサ部10の構成について説明する。
上記第1実施形態では、センサ部10は加速度を検出するセンシング部19を有するものを例に挙げて説明したが、例えば、センサ部10は角速度を検出するものであってもよいし、圧力を検出するものであってもよい。
14a センサウェハ
19 センシング部
20 キャップ部
20a キャップウェハ
30 気密室
50 積層ウェハ
Claims (3)
- 一面を有し、前記一面側に物理量に応じて電気的信号を出力するセンシング部(19)が形成されたセンサ部(10)と、
一面を有し、当該一面が前記センサ部の前記一面に貼り合わされるキャップ部(20)と、を備え、
前記センシング部が前記センサ部の前記一面と前記キャップ部の前記一面との間に形成された気密室(30)に気密封止される半導体装置の製造方法であって、
一面を有し、各チップ形成領域にそれぞれ前記センシング部が形成されたセンサウェハ(14a)を用意する工程と、
一面を有し、チップ単位に分割されることにより前記キャップ部を構成するキャップウェハ(20a)を用意する工程と、
前記センサウェハの前記一面と前記キャップウェハの前記一面とを貼り合わせて複数の前記気密室を有する積層ウェハ(40)を形成する工程と、
前記積層ウェハをチップ単位に分割する工程と、を含み、
前記積層ウェハを形成する工程の前に、前記センサウェハの前記一面および前記キャップウェハの前記一面に加湿ガスをプラズマ化したプラズマガスを照射する表面処理工程を行い、
前記表面処理工程では、前記加湿ガスの湿度が5%以上であって60%未満のものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記表面処理工程では、前記加湿ガスの湿度を10%以上にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記表面処理工程では、前記加湿ガスの湿度を15%以上にすることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012162561A JP5884667B2 (ja) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012162561A JP5884667B2 (ja) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014021044A JP2014021044A (ja) | 2014-02-03 |
JP5884667B2 true JP5884667B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=50196048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012162561A Active JP5884667B2 (ja) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5884667B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9446938B2 (en) | 2013-05-09 | 2016-09-20 | Denso Corporation | SOI substrate, physical quantity sensor, SOI substrate manufacturing method, and physical quantity sensor manufacturing method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4688116B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2011-05-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 偏光板用保護フィルム |
JP4686377B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2011-05-25 | ボンドテック株式会社 | 接合方法および接合装置 |
JP3790995B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2006-06-28 | 有限会社ボンドテック | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 |
JP4867792B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-02-01 | パナソニック電工株式会社 | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 |
JP5256407B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2013-08-07 | ボンドテック株式会社 | 接合方法およびこの方法により作成されるデバイス、接合装置並びにこの方法により接合される基板 |
JP4858547B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2012-01-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5789798B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2015-10-07 | ボンドテック株式会社 | 接合方法および接合システム |
JP5605347B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2014-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162561A patent/JP5884667B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014021044A (ja) | 2014-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4793496B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5783297B2 (ja) | 力学量センサ | |
JP5218455B2 (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP5874609B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008058005A (ja) | 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法 | |
JP6387850B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWI634069B (zh) | 混合整合構件及其製造方法 | |
JP2010139495A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6341190B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5884667B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6221965B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5617801B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7147650B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5999027B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP5392296B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6237440B2 (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
JP5606696B2 (ja) | 力学量センサおよびその製造方法 | |
JP5929645B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP6897703B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6142736B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
WO2014208043A1 (ja) | 物理量センサ | |
CN112041688B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2002043585A (ja) | 半導体センサの製造方法 | |
WO2016132694A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2020199591A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160125 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5884667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |