JP5874227B2 - 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Description
請求項2は、前記複数の柱状構造が線形に配列されており、前記歪み付加部は、前記複数の柱状構造が配列される方向と平行に延在される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項3は、前記複数の金属配線の各々は、各々の柱状構造の上部半導体反射鏡と電気的に接続される電極配線と同一の材料から構成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項4は、前記複数の金属配線は、前記複数の柱状構造の各々の電極配線を兼ねる、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項5は、前記第1の金属配線は、少なくとも第1の柱状構造と当該第1の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有し、前記第2の金属配線は、少なくとも第2の柱状構造と当該第2の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有する、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項6は、前記歪み付加部は、前記基板の面方位(110)または(1−10)の方向に延在する、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項7は、前記複数の金属配線の少なくとも1つの金属配線は、前記基板の面方位(110)または(1−10)の方向に延在する歪み付加部と、前記柱状構造の電極から前記基板の面方位に対して45度の角度で引き出される引き出し部とを含む、請求項6に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項8は、各々の柱状構造は、底部、側部および頂部を含み、前記底部、前記側部および前記頂部の周縁部は絶縁膜によって覆われ、前記歪み付加部は、前記絶縁膜を介して前記柱状構造の底部に形成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項9は、各々の柱状構造は、当該柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む電流狭窄層を有する、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項10は、前記複数の金属配線の少なくとも1つの金属配線は、金または金を含む材料から構成され、かつ引張応力を有する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項11は、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材と、を実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項12は、請求項11に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。
請求項13は、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。
請求項3によれば、少なくとも1つの金属配線が電極配線の材料と異なる場合または工程が異なる場合と比較して、少なくとも1つの金属配線の形成を容易に行うことができる。
請求項4によれば、アレイの省スペース化を図ることができる。
請求項1によれば、複数の柱状構造をそれぞれ個別に駆動することができる。
請求項1、5によれば、アレイの省スペース化を図ることができる。
請求項6によれば、歪み付加部を基板の面方位(110)または(1−10)の方向に延在させない場合と比較して、偏光制御をより効果的に行うことができる。
請求項7によれば、引き出し部による歪みの影響を抑制し、偏光制御の効果が抑制されることが防止される。
請求項8、10によれば、活性領域に歪みを効果的に付加することができる。
請求項9によれば、基本横モード光を得ることができる。
20:素子形成領域
30:配線形成領域
40:環状電極
50:電極配線
60(60−1〜60−8):電極パッド(端子)
70(70−1〜70−8):金属配線
72:ダミー部
74(74−1〜74−4):引き出し部
80A、80B、82A、82B、84A、84B、86A、86B:歪み付加部
90A、90B、92A、92B、94A、94B、96A、96B:歪み付加部
K1〜K14:歪み付加部
M1〜M14:メサ
100:基板
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
108:電流狭窄層
108A:酸化領域
108B:導電領域(酸化アパーチャ)
110:p側電極
110A:光出射口
112:出射保護膜
114:層間絶縁膜
116:コンタクトホール
120:n側電極
Claims (13)
- 基板と、
前記基板上の素子形成領域に形成された複数の柱状構造と、
前記複数の柱状構造に隣接して形成された複数の金属配線と、
前記複数の柱状構造に対応する複数の電極パッドとを含み、
各柱状構造は、第1導電型の下部半導体反射鏡、第2導電型の上部半導体反射鏡、下部半導体反射鏡と上部半導体反射鏡の間に形成された活性領域を含み、各柱状構造は、前記基板と垂直方向に光を出射し、
前記複数の柱状構造と前記複数の電極パッド間は前記複数の金属配線によって接続され、
前記複数の金属配線の少なくとも1つの金属配線は、前記複数の柱状構造の各々に対して同一の方向に延在する歪み付加部を有し、
前記複数の電極パッドが第1の端部と当該第1の端部に対向する第2の端部とに配置されており、前記複数の柱状構造の中央に位置する前記第1の端部に近い第1の柱状構造に接続された第1の金属配線は、前記第2の端部に向けて延在され、前記第2の端部に近い第2の柱状構造の第2の金属配線は、前記第1の端部に向けて延在され、第1および第2の金属配線は、それぞれ歪み付加部を含む、面発光型半導体レーザアレイ。 - 前記複数の柱状構造が線形に配列されており、前記歪み付加部は、前記複数の柱状構造が配列される方向と平行に延在される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記複数の金属配線の各々は、各々の柱状構造の上部半導体反射鏡と電気的に接続される電極配線と同一の材料から構成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記複数の金属配線は、前記複数の柱状構造の各々の電極配線を兼ねる、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記第1の金属配線は、少なくとも第1の柱状構造と当該第1の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有し、前記第2の金属配線は、少なくとも第2の柱状構造と当該第2の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有する、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記歪み付加部は、前記基板の面方位(110)または(1−10)の方向に延在する、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記複数の金属配線の少なくとも1つの金属配線は、前記基板の面方位(110)または(1−10)の方向に延在する歪み付加部と、前記柱状構造の電極から前記基板の面方位に対して45度の角度で引き出される引き出し部とを含む、請求項6に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 各々の柱状構造は、底部、側部および頂部を含み、前記底部、前記側部および前記頂部の周縁部は絶縁膜によって覆われ、前記歪み付加部は、前記絶縁膜を介して前記柱状構造の底部に形成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 各々の柱状構造は、当該柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む電流狭窄層を有する、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 前記複数の金属配線の少なくとも1つの金属配線は、金または金を含む材料から構成され、かつ引張応力を有する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材と、
を実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項11に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、
を備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。
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